JP2000206561A - Production of liquid crystal display device and liquid crystal display device - Google Patents

Production of liquid crystal display device and liquid crystal display device

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JP2000206561A
JP2000206561A JP237599A JP237599A JP2000206561A JP 2000206561 A JP2000206561 A JP 2000206561A JP 237599 A JP237599 A JP 237599A JP 237599 A JP237599 A JP 237599A JP 2000206561 A JP2000206561 A JP 2000206561A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
insulating film
interlayer insulating
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Application number
JP237599A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsutaka Okita
光隆 沖田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to suppress the occurrence of dot defects by the defective contact between pixel electrodes and drain electrodes, to improve the yield of products, to prevent the breakage of the electrical connection in the connecting sections of the pixel electrodes and the drain electrodes by thermal impact, etc., and to improve the reliability of the products. SOLUTION: Apertures 9 for electrically connecting the pixel electrodes and the drain electrodes to an interlayer insulating film are formed. At this time, a method of forming the apertures 9 of such a shape with which the electrically good connection characteristic may be secured between the pixel electrodes and the drain electrodes is established. The electrically good connection characteristic is secured between the pixel electrodes and the drain electrodes by the method of forming the apertures 9 described above.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイモニ
タなどにおいて画像表示用の表示装置として用いられ、
液晶を電気信号により駆動して画像表示する液晶表示装
置の製造方法および液晶表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used as a display device for displaying images on a display monitor or the like.
The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device that displays an image by driving liquid crystal by an electric signal, and a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ノートパソコンや携帯端末などの
ディスプレイモニタにおいて画像表示用の表示装置とし
て、液晶を電気信号により駆動して画像表示する液晶表
示装置が多く用いられているが、なかでも動画表示が可
能なアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、その表
示性能の良さから大きな注目を集めている。このアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置は、透明基板上に多数
の画素電極と各画素電極を駆動する多数の薄膜ダイオー
ドや薄膜トランジスタなどの非線形素子を2次元のマト
リクス状に配列した構成となっている。なお、以下の説
明では非線形素子として薄膜トランジスタを用いた場合
について説明を行う。
2. Description of the Related Art In recent years, as a display device for displaying an image on a display monitor such as a notebook personal computer or a portable terminal, a liquid crystal display device that drives a liquid crystal by an electric signal to display an image has been widely used. Active matrix type liquid crystal display devices capable of display have received great attention due to their excellent display performance. This active matrix type liquid crystal display device has a configuration in which a large number of pixel electrodes and a large number of non-linear elements such as thin film diodes and thin film transistors for driving each pixel electrode are arranged in a two-dimensional matrix on a transparent substrate. In the following description, a case where a thin film transistor is used as a nonlinear element will be described.

【0003】これまでのアクティブマトリクス型の液晶
表示装置では、まず初めに画素電極を形成し、その後に
走査線電極、薄膜トランジスタおよび信号線電極を形成
している。このような構成では、画素電極と走査線電極
及び信号線電極との短絡を防止するために、図3に示し
たように、画素電極8をフォト工程の合わせ精度に対応
した距離Xだけ走査線(ゲート)電極2及び信号線(ソ
ース)電極5より離して形成する必要があり、画像表示
部分の開口率を大きくすることができなかった。
In the conventional active matrix type liquid crystal display device, a pixel electrode is formed first, and then a scanning line electrode, a thin film transistor, and a signal line electrode are formed. In such a configuration, in order to prevent a short circuit between the pixel electrode, the scanning line electrode, and the signal line electrode, as shown in FIG. It was necessary to form the gate electrode 2 apart from the (gate) electrode 2 and the signal line (source) electrode 5, and it was not possible to increase the aperture ratio of the image display portion.

【0004】このため最近では、走査線電極2、薄膜ト
ランジスタTr及び信号線電極5と画素電極8との間に
厚さ数μmの層間絶縁膜を形成して、走査線電極2及び
信号線電極5と画素電極8との距離Xを小さくしても、
それらの間の短絡を層間絶縁膜によって防ぎ、表示部分
の開口率を大きくすることが考えられている。
For this reason, recently, an interlayer insulating film having a thickness of several μm is formed between the scanning line electrode 2, the thin film transistor Tr and the signal line electrode 5 and the pixel electrode 8, and the scanning line electrode 2 and the signal line electrode 5 are formed. Even if the distance X between the pixel electrode 8 and
It is considered that a short circuit between them is prevented by an interlayer insulating film to increase the aperture ratio of a display portion.

【0005】図4はアクティブマトリクス型の液晶表示
装置の一部分を示す断面図である。この液晶表示装置
は、透明基板上に走査線電極、薄膜トランジスタおよび
信号線電極を形成し、その上に層間絶縁膜を形成し、さ
らにその上に画素電極を形成しており、ガラスや石英な
どからなる透明基板1と走査線(ゲート)電極2、ゲー
ト絶縁膜3、半導体層4、信号線(ソース)電極5、ド
レイン電極6、層間絶縁膜7及び画素電極8により構成
されている。
FIG. 4 is a sectional view showing a part of an active matrix type liquid crystal display device. In this liquid crystal display device, a scanning line electrode, a thin film transistor, and a signal line electrode are formed on a transparent substrate, an interlayer insulating film is formed thereon, and a pixel electrode is further formed thereon. A transparent substrate 1 and a scanning line (gate) electrode 2, a gate insulating film 3, a semiconductor layer 4, a signal line (source) electrode 5, a drain electrode 6, an interlayer insulating film 7, and a pixel electrode 8 are formed.

【0006】このアクティブマトリクス型の液晶表示装
置は、透明基板1上に非線形素子である薄膜トランジス
タTrを形成した後に、層間絶縁膜7が形成されてい
る。層間絶縁膜7には、断面がV字状の勾配をもった開
口部9が設けられている。ここで開口部9の側面とドレ
イン電極6との間の角をテーパ角θとする。この後に、
画素電極8が形成され、開口部9を通じてドレイン電極
6と画素電極8とが電気的に接続される。
In this active matrix type liquid crystal display device, an interlayer insulating film 7 is formed after a thin film transistor Tr as a non-linear element is formed on a transparent substrate 1. The interlayer insulating film 7 is provided with an opening 9 having a V-shaped cross section. Here, the angle between the side surface of the opening 9 and the drain electrode 6 is defined as a taper angle θ. After this,
The pixel electrode 8 is formed, and the drain electrode 6 and the pixel electrode 8 are electrically connected through the opening 9.

【0007】上記の層間絶縁膜7としては、一般的に感
光性樹脂が用いられ、図5に示す工程により形成され
る。まず、ステップS1では、例えば感光性のアクリル
系樹脂が数μmの膜厚で塗布される。ステップS2で
は、塗布された樹脂膜に熱処理を施して樹脂膜内の溶媒
を蒸発させるプリベーク工程が行われる。次に、ステッ
プS3では、露光・現像工程によりパターニングが行わ
れ樹脂膜内に開口部9が形成される。そして、ステップ
S5では、ポストUV工程により紫外線を照射すること
によって脱色処理を行う。最後に、ステップS6では、
ポストベーク工程が行われ、再び熱処理を行い感光性の
アクリル系樹脂を硬化させて層間絶縁膜7を形成する。
The interlayer insulating film 7 is generally made of a photosensitive resin and is formed by the steps shown in FIG. First, in step S1, for example, a photosensitive acrylic resin is applied to a thickness of several μm. In step S2, a pre-bake step is performed in which a heat treatment is performed on the applied resin film to evaporate the solvent in the resin film. Next, in step S3, patterning is performed by an exposure / development process, and an opening 9 is formed in the resin film. Then, in step S5, a decoloring process is performed by irradiating ultraviolet rays in a post UV process. Finally, in step S6,
A post-baking step is performed, and heat treatment is again performed to cure the photosensitive acrylic resin, thereby forming the interlayer insulating film 7.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の製造方法における工程で、液晶表示装置内の
層間絶縁膜7を形成した場合には、上記の開口部9のテ
ーパー角θが大きく、その開口部9において画素電極8
にクラックが生じ、画素電極8とドレイン電極6とが電
気的に接続できない場合や良好なコンタクトが得られな
い場合があり、点欠陥の発生原因となって製品の歩留ま
りが低下するという重大な問題点を有していた。
However, when the interlayer insulating film 7 in the liquid crystal display device is formed in the above-described conventional manufacturing method, the taper angle θ of the opening 9 is large, The pixel electrode 8 in the opening 9
In some cases, cracks occur, and the pixel electrode 8 and the drain electrode 6 cannot be electrically connected or good contact cannot be obtained, which causes a point defect and lowers the product yield. Had a point.

【0009】また、さらには熱衝撃などによって画素電
極8とドレイン電極6との間の電気的接続が切れてしま
い、製品としての液晶表示装置の信頼性が低下するとい
った問題点をも有していた。
Further, there is another problem that the electrical connection between the pixel electrode 8 and the drain electrode 6 is broken due to thermal shock or the like, and the reliability of the liquid crystal display device as a product is reduced. Was.

【0010】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、画素電極とドレイン電極との間のコンタクト不良
による点欠陥の発生を抑制することができ、製品の歩留
まりを著しく向上することができるとともに、画素電極
とドレイン電極との接続部分での熱衝撃などにより電気
的接続が切れることを防止することができ、製品の信頼
性をも向上することができる液晶表示装置の製造方法お
よび液晶表示装置を提供する。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems. It is possible to suppress the occurrence of point defects due to poor contact between the pixel electrode and the drain electrode, and to significantly improve the product yield. A method of manufacturing a liquid crystal display device and a liquid crystal display device capable of preventing disconnection of electrical connection due to thermal shock or the like at a connection portion between a pixel electrode and a drain electrode and improving product reliability. A display device is provided.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装
置は、層間絶縁膜に対して画素電極とドレイン電極とを
電気的に接続するための開口部を形成する際に、画素電
極とドレイン電極との間で電気的に良好な接続特性が確
保できるような形状の開口部を形成する方法を確立し
て、その開口部の形成方法により、画素電極とドレイン
電極との間で電気的に良好な接続特性を確保することを
特徴とする。
According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a liquid crystal display device and a liquid crystal display device, wherein a pixel electrode and a drain electrode are electrically connected to an interlayer insulating film. A method for forming an opening having such a shape that electrical good connection characteristics can be secured between the pixel electrode and the drain electrode when forming the opening for forming the opening Thereby, electrically favorable connection characteristics are secured between the pixel electrode and the drain electrode.

【0012】以上により、画素電極とドレイン電極との
間のコンタクト不良による点欠陥の発生を抑制すること
ができ、製品の歩留まりを著しく向上することができる
とともに、画素電極とドレイン電極との接続部分での熱
衝撃などにより電気的接続が切れることを防止すること
ができ、製品の信頼性をも向上することができる。
As described above, it is possible to suppress the occurrence of point defects due to poor contact between the pixel electrode and the drain electrode, to significantly improve the product yield, and to improve the connection between the pixel electrode and the drain electrode. Disconnection of the electrical connection due to thermal shock or the like can be prevented, and the reliability of the product can be improved.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の液晶表
示装置の製造方法は、透明基板の上に遮光性物質からな
る走査線電極と信号線電極およびそれらの交点に非線形
素子をマトリクス状に形成し、その上に樹脂により薄膜
を形成しその樹脂膜中に断面がV字状の勾配をもった開
口部を設けて層間絶縁膜を形成し、さらにその上に前記
非線形素子の一つの電極と前記層間絶縁膜に設けた開口
部を通じて電気的に接続されるように画素電極を形成す
る液晶表示装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜の
形成工程が、少なくとも、前記層間絶縁膜を形成するた
めの樹脂を前記透明基板の上面側に塗布する工程と、前
記塗布された樹脂に熱処理を施してその溶媒を蒸発させ
前記樹脂膜を形成するためのプリベーク工程と、前記樹
脂膜に対してパターニングにより前記開口部を形成する
ための露光および現像工程と、前記樹脂膜に対して脱色
処理を行うための紫外線を照射するポストUV工程と、
前記脱色処理された樹脂膜を硬化させて前記層間絶縁膜
とするための熱処理を行うポストベーク工程とからな
り、前記ポストUV工程の前に、前記プリベーク工程お
よびポストベーク工程とは別の熱処理を行なうためのベ
ーク工程を有する方法とする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS According to a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention, a scanning line electrode and a signal line electrode made of a light-shielding substance are arranged on a transparent substrate, and a non-linear element is arranged at the intersection of the matrix and the non-linear element. , A thin film of resin is formed thereon, an opening having a V-shaped cross section is formed in the resin film, an interlayer insulating film is formed, and one of the nonlinear elements is further formed thereon. A method for forming a pixel electrode so as to be electrically connected to one electrode and an opening provided in the interlayer insulating film, wherein the step of forming the interlayer insulating film includes at least the interlayer insulating film. A step of applying a resin for forming a film on the upper surface side of the transparent substrate, a heat treatment of the applied resin to evaporate a solvent thereof, and a pre-bake step of forming the resin film; Putter against And exposing and developing process for forming the opening by training, and post-UV irradiating ultraviolet rays for performing decoloring processing on the resin film,
A post-bake step of performing a heat treatment for curing the decolorized resin film to form the interlayer insulating film.Before the post-UV step, a heat treatment different from the pre-bake step and the post-bake step is performed. The method includes a baking step for performing the baking step.

【0014】請求項2に記載の液晶表示装置の製造方法
は、請求項1に記載のポストUV工程の前に行うベーク
工程でのベーク温度t2が、プリベーク工程のベーク温
度t1以下である方法とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the baking temperature t2 in the baking step performed before the post-UV step according to the first aspect is equal to or lower than the baking temperature t1 in the pre-baking step. I do.

【0015】請求項3に記載の液晶表示装置は、請求項
1または請求項2に記載の液晶表示装置の製造方法にて
製造された液晶表示装置であって、層間絶縁膜に設けた
開口部の側面と非線型素子の1つの電極との間の角をテ
ーパー角θとするとθ≦50°であって、前記層間絶縁
膜を、その開口部の側面と前記層間絶縁膜の上面との交
点が曲線状となるように形成した構成とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device manufactured by the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the first or second aspect, wherein the opening provided in the interlayer insulating film is provided. If the angle between the side surface of the non-linear element and one electrode of the nonlinear element is a taper angle θ, θ ≦ 50 °, and the interlayer insulating film is defined by the intersection of the side surface of the opening and the upper surface of the interlayer insulating film. Is formed in a curved shape.

【0016】上記の方法および構成によると、層間絶縁
膜に対して画素電極とドレイン電極とを電気的に接続す
るための開口部を形成する際に、画素電極とドレイン電
極との間で電気的に良好な接続特性が確保できるような
形状の開口部を形成する方法を確立して、その開口部の
形成方法により、画素電極とドレイン電極との間で電気
的に良好な接続特性を確保する。
According to the above method and configuration, when forming an opening for electrically connecting the pixel electrode and the drain electrode to the interlayer insulating film, the electrical connection between the pixel electrode and the drain electrode is made. A method for forming an opening having such a shape that good connection characteristics can be ensured, and the method for forming the opening ensures electrically good connection characteristics between the pixel electrode and the drain electrode. .

【0017】以下、本発明の実施の形態を示す液晶表示
装置の製造方法および液晶表示装置について、図面を参
照しながら具体的に説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing a liquid crystal display device and a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

【0018】図4は一般的な液晶表示装置の概略構成を
示す部分断面図である。図4に示すように、ガラスや石
英などからなる透明基板1上に、例えばAlをスパッタ
リング、フォトリソグラフィー、エッチングにより走査
線(ゲート)電極2を形成する。次に、ゲート絶縁膜3
として、例えばプラズマCVD法によりSiNx、次い
で、半導体層4として、a−Siを連続的に堆積する。
次に、スパッタ法により例えばTiを堆積し、フォトリ
ソグラフィー、エッチングにより信号線(ソース)電極
5およびドレイン電極6を形成する。その上には層間絶
縁膜7を数μmの膜厚で形成する。
FIG. 4 is a partial sectional view showing a schematic structure of a general liquid crystal display device. As shown in FIG. 4, for example, a scanning line (gate) electrode 2 is formed on a transparent substrate 1 made of glass, quartz, or the like by sputtering, photolithography, or etching of Al. Next, the gate insulating film 3
For example, SiNx is successively deposited by a plasma CVD method, and then a-Si is deposited as the semiconductor layer 4.
Next, for example, Ti is deposited by a sputtering method, and a signal line (source) electrode 5 and a drain electrode 6 are formed by photolithography and etching. An interlayer insulating film 7 is formed thereon with a thickness of several μm.

【0019】この層間絶縁膜7は図1に示す工程フロー
にて形成する。詳しくは、ステップS1の塗布工程で、
信号線(ソース)電極5およびドレイン電極6を形成し
た上に、層間絶縁膜7を形成するための樹脂として例え
ば感光性のアクリル系樹脂を塗布する。次に、ステップ
S2のプリベーク工程で、加熱手段として例えばホット
プレートを用いて90℃の熱処理を施し、塗布されたア
クリル系樹脂内の溶媒を蒸発させる。次に、ステップS
3の露光・現像工程で、溶媒が蒸発したアクリル系樹脂
からなる樹脂膜に対してパターニングを行い、その樹脂
膜の断面にV字状の勾配をもった開口部9を形成する。
このステップS3の露光・現像工程終了後の開口部9に
おいては、そのテーパー角θは非常に大きく、典型的な
値としてはθ=70°程度である。
This interlayer insulating film 7 is formed according to the process flow shown in FIG. Specifically, in the coating process of step S1,
After forming the signal line (source) electrode 5 and the drain electrode 6, for example, a photosensitive acrylic resin is applied as a resin for forming the interlayer insulating film 7. Next, in the pre-bake step of step S2, a heat treatment at 90 ° C. is performed using, for example, a hot plate as a heating unit, and the solvent in the applied acrylic resin is evaporated. Next, step S
In the exposure / development step 3, patterning is performed on the resin film made of the acrylic resin from which the solvent has evaporated, and an opening 9 having a V-shaped gradient is formed in the cross section of the resin film.
At the opening 9 after the exposure / development step of step S3, the taper angle θ is very large, and a typical value is about θ = 70 °.

【0020】この後に、従来の液晶表示装置の製造方法
では、図5の工程フローに示したように、ステップS5
のポストUV工程で、紫外線を照射することにより樹脂
膜の脱色処理を行い、最後に、ステップS6のポストベ
ーク工程で、例えば220℃で90分間の熱処理行い、
感光性のアクリル系樹脂を硬化させる。
Thereafter, in the conventional method of manufacturing a liquid crystal display device, as shown in the process flow of FIG.
In the post-UV step, the resin film is decolorized by irradiating ultraviolet rays. Finally, in a post-bake step of step S6, a heat treatment is performed at, for example, 220 ° C. for 90 minutes.
The photosensitive acrylic resin is cured.

【0021】このような従来の液晶表示装置の製造方法
では、最終的な開口部9のテーパー角は、ステップS3
終了後のテーパー角とほぼ等しく、θ=70°程度であ
り非常に大きな角度となっている。このため、この後に
画素電極8として例えばITOをスパッタリングにより
形成すると、開口部9においてITOにクラックが生
じ、画素電極8とドレイン電極6との間が電気的に接続
できない場合や良好なコンタクトが得られない場合があ
り、点欠陥の発生原因となり歩留まりが低下するという
重大な問題点があった。
In such a conventional method for manufacturing a liquid crystal display device, the final taper angle of the opening 9 is determined in step S3.
It is almost equal to the taper angle after the end, and is about θ = 70 °, which is a very large angle. For this reason, if, for example, ITO is subsequently formed as the pixel electrode 8 by sputtering, cracks occur in the ITO in the opening 9, and when the pixel electrode 8 and the drain electrode 6 cannot be electrically connected or a good contact is obtained. In some cases, this may cause a point defect, which lowers the yield.

【0022】つまり、従来の液晶表示装置の製造方法で
は、ステップS5のポストUV工程で紫外線を照射して
いる間に基板表面温度が徐々に上昇するため、ステップ
S6のポストベーク工程で層間絶縁膜7がメルトせず、
開口部9のテーパー角θはステップS3終了後の状態で
保持されてしまう。
That is, in the conventional method of manufacturing a liquid crystal display device, the substrate surface temperature gradually rises during irradiation with ultraviolet rays in the post-UV step of step S5. 7 does not melt,
The taper angle θ of the opening 9 is maintained in the state after the end of step S3.

【0023】そこで、本実施の形態の製造方法において
は、図1に示すように、ステップS5のポストUV工程
の前に、ステップS4の工程としてベーク工程を行う。
詳しくは、ステップS3の露光・現像工程の後に、ステ
ップS4のベーク工程で、加熱手段として例えばホット
プレートを用いて135℃の熱処理を施す。
Therefore, in the manufacturing method of the present embodiment, as shown in FIG. 1, before the post UV step of step S5, a baking step is performed as a step S4.
More specifically, after the exposure / development step of step S3, in the baking step of step S4, a heat treatment at 135 ° C. is performed using, for example, a hot plate as a heating means.

【0024】図2に従来と本実施の形態の各製造方法に
おける開口部9のテーパー形状の概略図を示す。本実施
の形態の製造方法における層間絶縁膜の形成方法によれ
ば、従来の形成方法に比べ開口部9のテーパー角θが小
さくなるとともに、層間絶縁膜7がメルトすることによ
って、図中点線の○印で囲んだ部分が丸みを帯び、IT
Oのカバレッジが著しく向上し、開口部9におけるIT
Oのクラックを抑制することができる。
FIG. 2 is a schematic view showing the tapered shape of the opening 9 in each of the manufacturing methods according to the prior art and the present embodiment. According to the method of forming the interlayer insulating film in the manufacturing method of the present embodiment, the taper angle θ of the opening 9 is reduced and the interlayer insulating film 7 is melted as compared with the conventional forming method. ○ The part surrounded by a circle is rounded and IT
O coverage was significantly improved, and the IT
O cracks can be suppressed.

【0025】このように、ステップS4としてステップ
S5のポストUV工程の前にベーク工程を行うことによ
り、層間絶縁膜7に対して、画素電極8とドレイン電極
6との間に電気的に良好な接続特性が確保できるような
形状で、開口部9を形成することができる。
As described above, the baking step is performed as a step S4 before the post-UV step in the step S5, so that the interlayer insulating film 7 has a good electrical contact between the pixel electrode 8 and the drain electrode 6. The opening 9 can be formed in a shape that can secure connection characteristics.

【0026】したがって、画素電極8とドレイン電極6
のコンタクト不良による点欠陥の発生がなく、製品の歩
留まりを著しく向上することができる。
Therefore, the pixel electrode 8 and the drain electrode 6
There is no point defect due to poor contact, and the product yield can be significantly improved.

【0027】また、ステップS2のプリベーク工程のベ
ーク温度をt1、ステップS4のポストUV工程前のベ
ーク工程のベーク温度をt2とすると、t2>t1であ
る場合にはステップS5のポストUV工程での脱色の効
果が小さくなり、透過率が低下する。
Assuming that the baking temperature in the pre-baking step in step S2 is t1 and the baking temperature in the baking step before the post-UV step in step S4 is t2, if t2> t1, then the post-UV step in step S5 is performed. The effect of bleaching is reduced and the transmittance is reduced.

【0028】このため、ポストUV工程前のベーク工程
のベーク温度t2を、プリベーク工程のベーク温度t1
以下とした方が、層間絶縁膜7の透過率が向上し、高透
過率の液晶表示装置が得られ好ましい。
For this reason, the baking temperature t2 in the baking step before the post-UV step is changed to the baking temperature t1 in the pre-baking step.
The following is preferable because the transmittance of the interlayer insulating film 7 is improved and a liquid crystal display device with high transmittance is obtained.

【0029】次に、このような製造方法で作製したアレ
イ基板にポリイミド系配向膜を塗布し、ナイロン布など
を用いてラビングを行い配向処理を施した。この基板と
同様な配向処理を施したカラーフィルターおよび透明電
極付き基板を貼り合わせ、その間に例えばチッソ石油化
学製カイラル材CNを微量添加したメルク社製ネマティ
ック液晶ZLI−4792を充填し液晶表示装置を作製
した。
Next, a polyimide-based alignment film was applied to the array substrate manufactured by such a manufacturing method, and rubbing was performed using a nylon cloth or the like to perform an alignment process. A substrate with a color filter and a transparent electrode, which has been subjected to the same orientation treatment as this substrate, is bonded together, and between them, for example, a nematic liquid crystal ZLI-4792 manufactured by Merck with a small amount of chiral material CN manufactured by Chisso Petrochemical is filled, and a liquid crystal display device is formed. Produced.

【0030】このようにして得られた液晶表示装置で
は、画素電極8とドレイン電極6の良好なコンタクトが
得られており、画素電極8とドレイン電極6のコンタク
ト不良によって歩留まりが低下することがない。また、
例えば−30℃と+70℃の熱衝撃試験を行っても画素
電極8とドレイン電極6間の断線は生じず、接続抵抗値
の変化も見られなかった。このように本実施の形態の液
晶表示装置の製造方法によれば、熱衝撃などによって電
気的接続が切れることのない信頼性の高い液晶表示装置
を実現することができた。
In the liquid crystal display device thus obtained, good contact between the pixel electrode 8 and the drain electrode 6 is obtained, and the yield does not decrease due to poor contact between the pixel electrode 8 and the drain electrode 6. . Also,
For example, even when a thermal shock test at -30 ° C. and + 70 ° C. was performed, no disconnection occurred between the pixel electrode 8 and the drain electrode 6, and no change in the connection resistance was observed. As described above, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present embodiment, a highly reliable liquid crystal display device in which electrical connection is not broken due to thermal shock or the like can be realized.

【0031】なお、上記の実施の形態では、非線形素子
として薄膜トランジスタを用いたが、薄膜ダイオードや
MIMを用いても構わない。
Although a thin film transistor is used as the nonlinear element in the above embodiment, a thin film diode or MIM may be used.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、層間絶縁
膜に対して画素電極とドレイン電極とを電気的に接続す
るための開口部を形成する際に、画素電極とドレイン電
極との間で電気的に良好な接続特性が確保できるような
形状の開口部を形成する方法を確立することができ、そ
の開口部の形成方法により、画素電極とドレイン電極と
の間で電気的に良好な接続特性を確保することができ
る。
As described above, according to the present invention, when forming an opening for electrically connecting a pixel electrode and a drain electrode to an interlayer insulating film, the pixel electrode and the drain electrode are It is possible to establish a method of forming an opening having such a shape that electrical good connection characteristics can be secured between the pixel electrode and the drain electrode by the method of forming the opening. And excellent connection characteristics.

【0033】そのため、画素電極とドレイン電極との間
のコンタクト不良による点欠陥の発生を抑制することが
でき、製品の歩留まりを著しく向上することができると
ともに、画素電極とドレイン電極との接続部分での熱衝
撃などにより電気的接続が切れることを防止することが
でき、製品の信頼性をも向上することができる。
As a result, it is possible to suppress the occurrence of point defects due to a defective contact between the pixel electrode and the drain electrode, to significantly improve the yield of the product, and to improve the connection between the pixel electrode and the drain electrode. Disconnection of electrical connection due to thermal shock or the like can be prevented, and the reliability of the product can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の液晶表示装置の製造方法
における層間絶縁膜の形成工程を示すフローチャート
FIG. 1 is a flowchart showing a step of forming an interlayer insulating film in a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態の製造方法による液晶表示装置に
おける層間絶縁膜の開口部形状の従来との比較説明図
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a comparison between a conventional example and a conventional example of an opening shape of an interlayer insulating film in a liquid crystal display device according to the manufacturing method of the embodiment.

【図3】一般的な製造方法による液晶表示装置の概略構
成を示す平面図およびその部分拡大図
FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a liquid crystal display device according to a general manufacturing method and a partially enlarged view thereof.

【図4】一般的な製造方法による液晶表示装置の概略構
成を示す部分断面図
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a schematic configuration of a liquid crystal display device according to a general manufacturing method.

【図5】従来の液晶表示装置の製造方法における層間絶
縁膜の形成工程を示すフローチャート
FIG. 5 is a flowchart showing a step of forming an interlayer insulating film in a conventional method of manufacturing a liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明基板 2 走査線(ゲート)電極 3 ゲート絶縁膜 4 半導体層 5 信号線(ソース)電極 6 ドレイン電極 7 層間絶縁膜 8 画素電極 9 (層間絶縁膜の)開口部 X (画素電極と走査線電極または信号線電極との)
距離 Tr 薄膜トランジスタ θ (開口部の)テーパー角
Reference Signs List 1 transparent substrate 2 scanning line (gate) electrode 3 gate insulating film 4 semiconductor layer 5 signal line (source) electrode 6 drain electrode 7 interlayer insulating film 8 pixel electrode 9 opening (of interlayer insulating film) X (pixel electrode and scanning line) Electrode or signal line electrode)
Distance Tr Thin film transistor θ Taper angle (of opening)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板の上に遮光性物質からなる走査
線電極と信号線電極およびそれらの交点に非線形素子を
マトリクス状に形成し、その上に樹脂により薄膜を形成
しその樹脂膜中に断面がV字状の勾配をもった開口部を
設けて層間絶縁膜を形成し、さらにその上に前記非線形
素子の一つの電極と前記層間絶縁膜に設けた開口部を通
じて電気的に接続されるように画素電極を形成する液晶
表示装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜の形成工
程が、少なくとも、前記層間絶縁膜を形成するための樹
脂を前記透明基板の上面側に塗布する工程と、前記塗布
された樹脂に熱処理を施してその溶媒を蒸発させ前記樹
脂膜を形成するためのプリベーク工程と、前記樹脂膜に
対してパターニングにより前記開口部を形成するための
露光および現像工程と、前記樹脂膜に対して脱色処理を
行うための紫外線を照射するポストUV工程と、前記脱
色処理された樹脂膜を硬化させて前記層間絶縁膜とする
ための熱処理を行うポストベーク工程とからなり、前記
ポストUV工程の前に、前記プリベーク工程およびポス
トベーク工程とは別の熱処理を行なうためのベーク工程
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
1. A scanning line electrode and a signal line electrode made of a light-shielding substance and a non-linear element are formed in a matrix at intersections thereof on a transparent substrate, and a thin film is formed by a resin on the non-linear element. An opening having a slope having a V-shaped cross section is provided to form an interlayer insulating film, and further electrically connected to one electrode of the non-linear element through the opening provided in the interlayer insulating film. A method of manufacturing a liquid crystal display device in which a pixel electrode is formed as described above, wherein the step of forming the interlayer insulating film includes at least a step of applying a resin for forming the interlayer insulating film to an upper surface side of the transparent substrate. A pre-baking step for subjecting the applied resin to heat treatment to evaporate the solvent thereof to form the resin film, and an exposure and development step for forming the opening by patterning the resin film. And a post-UV step of irradiating the resin film with ultraviolet rays for performing a decolorizing treatment, and a post-baking step of performing a heat treatment for curing the decolorized resin film to form the interlayer insulating film. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising a bake step for performing a heat treatment different from the pre-bake step and the post-bake step before the post-UV step.
【請求項2】 ポストUV工程の前に行うベーク工程で
のベーク温度t2が、プリベーク工程のベーク温度t1
以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示
装置の製造方法。
2. A baking temperature t2 in a baking step performed before a post-UV step is equal to a baking temperature t1 in a pre-baking step.
2. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の液晶表
示装置の製造方法にて製造された液晶表示装置であっ
て、層間絶縁膜に設けた開口部の側面と非線型素子の1
つの電極との間の角をテーパー角θとするとθ≦50°
であって、前記層間絶縁膜を、その開口部の側面と前記
層間絶縁膜の上面との交点が曲線状となるように形成し
たことを特徴とする液晶表示装置。
3. A liquid crystal display device manufactured by the method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein a side surface of an opening provided in the interlayer insulating film and one of the non-linear elements are provided.
If the angle between the two electrodes is a taper angle θ, θ ≦ 50 °
A liquid crystal display device wherein the interlayer insulating film is formed such that an intersection between a side surface of the opening and an upper surface of the interlayer insulating film is curved.
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