JP2002328385A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2002328385A
JP2002328385A JP2001129852A JP2001129852A JP2002328385A JP 2002328385 A JP2002328385 A JP 2002328385A JP 2001129852 A JP2001129852 A JP 2001129852A JP 2001129852 A JP2001129852 A JP 2001129852A JP 2002328385 A JP2002328385 A JP 2002328385A
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記久雄 小野
Ryutaro Oke
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device which can avoid disturbance in an electric field owing to a color filter. SOLUTION: Of two mutually opposing substrates holding liquid crystal therebetween, in a pixel region on the liquid crystal side surface of one substrate, a laminated structure comprising a pixel electrode, an insulating film, and a counter electrode laminated in this order is formed on the liquid crystal. The counter electrode comprises a transparent conductive layer which covers nearly the whole pixel electrode. The pixel electrode comprises a plurality of electrodes, which are superimposed on the counter electrode, extend in one direction, and are disposed side by side in the direction crossing the one direction. The color filter is formed on the side of the one substrate relative to the laminated structure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、横電界型と称されるアクティブ・マトリクス
方式の液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display device called a lateral electric field type.

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、液晶を介して対向配置された透明基板のうち一
方の透明基板の液晶側の面に、そのx方向に延在しy方
向に並設されるゲート信号線とy方向に延在しx方向に
並設されるドレイン信号線とが形成され、これら各信号
線に囲まれた領域を画素領域としている。各画素領域に
は、片側のゲート信号線からの走査信号によって作動さ
れる薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介し
てドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
とが形成されている。そして、横電界型と称されるもの
は、前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
が、該画素電極が形成された透明基板側に形成され、該
電界のうち前記透明基板とほぼ平行な成分を有する電界
によって液晶の光透過率を制御させるようになってい
る。一方、液晶を介して対向配置された透明基板のうち
他方の透明基板の液晶側の面には、たとえばy方向に並
設される各画素領域に共通の色のカラーフィルタが形成
され、このカラーフィルタはx方向に並設される画素領
域にたとえば赤(G)、緑(G)、青(B)の順に順次
繰り返されて形成されている。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device is arranged on a liquid crystal side surface of one of transparent substrates opposed to each other via a liquid crystal, extending in the x direction and juxtaposed in the y direction. A gate signal line to be formed and a drain signal line extending in the y direction and juxtaposed in the x direction are formed, and a region surrounded by each of the signal lines is a pixel region. In each pixel region, a thin film transistor activated by a scanning signal from one gate signal line and a pixel electrode to which a video signal from a drain signal line is supplied via the thin film transistor are formed. And what is called a transverse electric field type is such that a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode is formed on the transparent substrate side on which the pixel electrode is formed. The light transmittance of the liquid crystal is controlled by an electric field having a parallel component. On the other hand, on the liquid crystal side surface of the other transparent substrate among the transparent substrates opposed to each other via the liquid crystal, for example, a color filter of a common color is formed in each pixel region juxtaposed in the y direction. The filter is formed by sequentially repeating, for example, red (G), green (G), and blue (B) in the pixel regions arranged in the x direction.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成から液晶表示装置において、前記カラーフィルタを前
記画素電極あるいは対向電極等が形成された前記一方の
透明基板側に形成することが試みられている。カラーフ
ィルタが他方の基板側に形成されている場合、一方との
基板との合わせの際に、その裕度が狭くなってしまうか
らである。しかし、カラーフィルタを一方の基板側に形
成した場合、該カラーフィルタが完全な絶縁体でない場
合には、液晶に印加される電界を乱す原因となることが
判明した。横電界型の液晶表示装置は、その液晶を駆動
させるために、画素電極と対向電極の間に発生する電界
のうち透明基板とほぼ平行な成分の僅かな電界を用いて
いる。そして、該電界は画素電極と対向電極が形成され
た一方の基板側でより強く形成される。したがって、前
記カラーフィルタが前記一方の基板上に形成された場
合、その電界の乱れを惹き起こす前記カラーフィルタの
存在は他方の基板に設ける場合より相対的に大きくなり
無視し得ないものとなる。本発明は、このような事情に
基づいてなされたもので、その目的は、カラーフィルタ
による電界の乱れを回避できる液晶表示装置を提供する
ことにある。
However, in such a configuration, in a liquid crystal display device, it has been attempted to form the color filter on the one of the transparent substrates on which the pixel electrodes or the counter electrodes are formed. I have. This is because, when the color filter is formed on the other substrate side, the margin becomes narrower at the time of alignment with one substrate. However, it has been found that when a color filter is formed on one substrate side, if the color filter is not a perfect insulator, it causes disturbance of the electric field applied to the liquid crystal. The lateral electric field type liquid crystal display device uses a small electric field of a component substantially parallel to the transparent substrate in the electric field generated between the pixel electrode and the counter electrode in order to drive the liquid crystal. Then, the electric field is formed stronger on one substrate side where the pixel electrode and the counter electrode are formed. Therefore, when the color filter is formed on the one substrate, the presence of the color filter that causes disturbance of the electric field is relatively larger than when the color filter is provided on the other substrate, and cannot be ignored. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can avoid disturbance of an electric field due to a color filter.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0005】手段1.本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から
構成されているとともに、前記画素電極は前記対向電極
と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向に並設
される複数の電極群から構成され、前記積層体に対して
前記一方の基板側にカラーフィルタが形成されているこ
とを特徴とするものである。
[0005] Means 1. According to the liquid crystal display device of the present invention, for example, a pixel electrode, an insulating film, and a counter electrode are laminated from the liquid crystal side to a pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. A body is formed, and the counter electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire area of the pixel region, and the pixel electrode overlaps with the counter electrode and extends in one direction to extend in the direction. It is composed of a plurality of electrode groups arranged side by side in a direction intersecting with each other, and a color filter is formed on the one substrate side with respect to the laminate.

【0006】手段2.本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域のほぼ
全域を被う透光性の導電層から構成されているととも
に、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向に延
在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極群か
ら構成され、前記積層体に対して前記一方の基板側にカ
ラーフィルタが形成されていることを特徴とするもので
ある。
Means 2. According to the liquid crystal display device of the present invention, for example, a pixel electrode, an insulating film, and a counter electrode are laminated from the liquid crystal side to a pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. And the opposing electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire pixel area over another adjacent pixel area, and the pixel electrode overlaps the opposing electrode. A plurality of electrode groups extending in one direction and juxtaposed in a direction intersecting the direction, wherein a color filter is formed on the one substrate side with respect to the laminate. It is.

【0007】手段3.本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から画
素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形成され、前記対
向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域のほぼ
全域を被う透光性の導電層から構成されているととも
に、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向に延
在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極群か
ら構成され、前記積層体に対して前記一方の基板側にカ
ラーフィルタが形成されているとともに、前記絶縁膜は
画素電極が形成された領域の膜厚は大きく形成され画素
電極が形成されていない領域の膜厚は小さく形成されて
いることを特徴とするものである。
Means 3. According to the liquid crystal display device of the present invention, for example, a pixel electrode, an insulating film, and a counter electrode are laminated from the liquid crystal side to a pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. And the opposing electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire pixel area over another adjacent pixel area, and the pixel electrode overlaps the opposing electrode. It is composed of a plurality of electrode groups extending in one direction and arranged in a direction intersecting the direction, and a color filter is formed on the one substrate side with respect to the laminate, and the insulating film is The thickness of the region where the pixel electrode is formed is large, and the thickness of the region where the pixel electrode is not formed is small.

【0008】手段4.本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、該液晶側から対
向電極、絶縁膜、画素電極の積層体が形成され、前記画
素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から
構成されているとともに、前記対向電極は前記画素電極
と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向に並設
される複数の電極群から構成され、前記積層体に対して
前記一方の基板側にカラーフィルタが形成されているこ
とを特徴とするものである。
Means 4. According to the liquid crystal display device of the present invention, for example, a counter electrode, an insulating film, and a pixel electrode are laminated from the liquid crystal side to the pixel region on the liquid crystal side of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. And the pixel electrode is formed of a light-transmitting conductive layer covering almost the entire pixel region, and the counter electrode extends in one direction so as to overlap the pixel electrode. It is composed of a plurality of electrode groups arranged side by side in a direction intersecting with each other, and a color filter is formed on the one substrate side with respect to the laminate.

【0009】手段5.本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記画素電極は前記対
向電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とするものである。
Means 5 According to the liquid crystal display device of the present invention, for example, a pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with liquid crystal interposed therebetween. From the one substrate side, at least a part of one gate signal line of the pair of gate signal lines is used as a gate electrode, and a drain electrode is connected to one drain signal line of the pair of drain signal lines. A thin film transistor, a protective film formed over the thin film transistor, a color filter, a counter electrode, an interlayer insulating film, and a pixel electrode connected to a source electrode of the thin film transistor through a through hole,
The counter electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire area of the pixel region, and the pixel electrode overlaps with the counter electrode and extends in one direction and is arranged in a direction intersecting the direction. It is characterized by comprising a plurality of electrode groups provided.

【0010】手段6.本発明による液晶表示装置によれ
は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成されていることを特徴とするものである。
Means 6 According to the liquid crystal display device according to the present invention, for example, a pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with liquid crystal interposed therebetween. From the one substrate side, at least a part of one gate signal line of the pair of gate signal lines is used as a gate electrode, and a drain electrode is connected to one drain signal line of the pair of drain signal lines. A thin film transistor, a protective film formed over the thin film transistor, a color filter, a counter electrode, an interlayer insulating film, and a pixel electrode connected to a source electrode of the thin film transistor through a through hole,
The counter electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire pixel region over another adjacent pixel region, and the pixel electrode extends in one direction so as to overlap the counter electrode. And a plurality of electrode groups arranged in parallel in a direction intersecting the direction.

【0011】手段7.本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、対向電
極、層間絶縁膜、スルーホールを介して前記薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続された画素電極が積層され、
前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成され、前記層間絶縁膜は画素電極が形成され
た領域の膜厚は大きく形成され画素電極が形成されてい
ない領域の膜厚は小さく形成されていることを特徴とす
るものである。
Means 7. According to the liquid crystal display device of the present invention, for example, a pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with liquid crystal interposed therebetween. From the one substrate side, at least a part of one gate signal line of the pair of gate signal lines is used as a gate electrode, and a drain electrode is connected to one drain signal line of the pair of drain signal lines. A thin film transistor, a protective film formed over the thin film transistor, a color filter, a counter electrode, an interlayer insulating film, and a pixel electrode connected to a source electrode of the thin film transistor through a through hole,
The counter electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire pixel region over another adjacent pixel region, and the pixel electrode extends in one direction so as to overlap the counter electrode. And a plurality of electrode groups arranged in parallel in a direction intersecting the direction, wherein the interlayer insulating film has a large film thickness in a region where the pixel electrode is formed and a film thickness in a region where the pixel electrode is not formed. Is characterized by being formed small.

【0012】手段8.本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、前記一方の基板
側から、少なくとも、前記一対のゲート信号線のうち一
方のゲート信号線の一部をゲート電極とし前記一対のド
レイン信号線のうち一方のドレイン信号線にドレイン電
極が接続された薄膜トランジスタ、この薄膜トランジス
タを被って形成される保護膜、カラーフィルタ、スルー
ホールを介して前記薄膜トランジスタのソース電極と接
続された画素電極、層間絶縁膜、対向電極が積層され、
前記画素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記対向電極は前記画
素電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とするものである。
Means 8. According to the liquid crystal display device of the present invention, for example, a pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with liquid crystal interposed therebetween. From the one substrate side, at least a part of one gate signal line of the pair of gate signal lines is used as a gate electrode, and a drain electrode is connected to one drain signal line of the pair of drain signal lines. A thin film transistor, a protective film formed over the thin film transistor, a color filter, a pixel electrode connected to a source electrode of the thin film transistor through a through hole, an interlayer insulating film, and a counter electrode are stacked;
The pixel electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire area of the pixel region, and the counter electrode overlaps with the pixel electrode and extends in one direction and is arranged in a direction intersecting the direction. It is characterized by comprising a plurality of electrode groups provided.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例1. 《液晶表示装置の全体構成》図2は、本発明による液晶
表示装置の全体の1実施例を示す等価回路図である。液
晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板SUB
1、SUB2があり、該液晶は一方の透明基板SUB1
に対する他方の透明基板SUB2の固定を兼ねるシール
材SLによって封入されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. << Overall Configuration of Liquid Crystal Display >> FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing one embodiment of the entire liquid crystal display according to the present invention. A pair of transparent substrates SUB arranged to face each other via a liquid crystal
1 and SUB2, and the liquid crystal is on one transparent substrate SUB1.
Is sealed by a sealing material SL which also serves to fix the other transparent substrate SUB2 to the substrate.

【0014】シール材SLによって囲まれた前記一方の
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのx方向に延在
しy方向に並設されたゲート信号線GLとy方向に延在
しy方向に並設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。
A liquid crystal side surface of the one transparent substrate SUB1 surrounded by the sealing material SL has a gate signal line GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction and y extending in the y direction. And drain signal lines DL arranged side by side in the direction.

【0015】各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線D
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。
Each gate signal line GL and each drain signal line D
L constitute a pixel region, and a matrix-like aggregate of these pixel regions is a liquid crystal display unit A.
R.

【0016】また、x方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線CLが形成されている。この対向電圧信号線
CLは各画素領域の後述する対向電極CTに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
In each of the pixel regions arranged in parallel in the x direction, a common counter voltage signal line CL running in each of the pixel regions is formed. The counter voltage signal line CL is a signal line for supplying a reference voltage for a video signal to a later-described counter electrode CT of each pixel region.

【0017】各画素領域には、その片側のゲート信号線
GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側
のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素
電極PXが形成されている。
Each pixel region has a thin film transistor TFT activated by a scanning signal from one of the gate signal lines GL and a pixel electrode to which a video signal from one of the drain signal lines DL is supplied via the thin film transistor TFT. PX is formed.

【0018】この画素電極PXは、基準となる電圧が供
給される対向電極CTとの間に電界を発生せしめ、この
電界のうち透明基板SUB1とほぼ平行な成分を有する
電界によって液晶の分子を回転させるようにし、その光
透過率を制御させるようになっている。
The pixel electrode PX generates an electric field between the pixel electrode PX and the counter electrode CT to which a reference voltage is supplied, and rotates the liquid crystal molecules by the electric field having a component substantially parallel to the transparent substrate SUB1 of the electric field. And the light transmittance thereof is controlled.

【0019】前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は
前記シール材SLを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Vの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Vの入
力端子は液晶表示装置の外部に配置されたプリント基板
からの信号が入力されるようになっている。
One end of each of the gate signal lines GL extends beyond the sealing material SL, and the extending end forms a terminal to which an output terminal of the vertical scanning drive circuit V is connected. . The input terminal of the vertical scanning drive circuit V is adapted to receive a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display device.

【0020】垂直走査駆動回路Vは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どうしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
The vertical scanning drive circuit V is composed of a plurality of semiconductor devices. A plurality of gate signal lines adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each group.

【0021】同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞ
れの一端は前記シール材SLを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Heの入力端子は液晶表示装置の外部に配置され
たプリント基板からの信号が入力されるようになってい
る。
Similarly, one end of each of the drain signal lines DL extends beyond the sealing material SL, and the extending end forms a terminal to which an output terminal of the video signal driving circuit He is connected. Has become. The input terminal of the video signal drive circuit He is adapted to receive a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display device.

【0022】この映像信号駆動回路Heも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
DLどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
The video signal driving circuit He also includes a plurality of semiconductor devices, and a plurality of drain signal lines DL adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each group. I have.

【0023】また、x方向に並設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線CLは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材SLを超えて延在さ
れ、その延在端において端子を構成している。この端子
からは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるよ
うになっている。
The counter voltage signal line CL common to the pixel regions arranged in parallel in the x direction is commonly connected at the right end in the drawing, and the connection line extends beyond the sealing material SL. , And constitute a terminal at its extending end. From this terminal, a reference voltage for the video signal is supplied.

【0024】前記各ゲート信号線は、前記垂直走査回路
Vからの走査信号によってその一つが順次選択されるよ
うになっている。また、前記各ドレイン信号線DLは、
前記映像信号駆動回路Heによって、前記ゲート信号線
GLの選択のタイミングに合わせて、映像信号が供給さ
れるようになっている。
One of the gate signal lines is sequentially selected by a scanning signal from the vertical scanning circuit V. Further, each of the drain signal lines DL is
The video signal drive circuit He supplies a video signal in accordance with the timing of selection of the gate signal line GL.

【0025】《画素の構成》図1は、前記画素領域の一
実施例を示した平面図を示し、図2の丸枠に示した部分
に相当している。なお、図1において、そのIII−III線
の断面を図3に、IV−IV線の断面を図4に示している。
<< Pixel Configuration >> FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the pixel region, and corresponds to a portion shown by a circle in FIG. In FIG. 1, a cross section taken along line III-III is shown in FIG. 3, and a cross section taken along line IV-IV is shown in FIG.

【0026】図1において、透明基板SUB1の液晶側
の面に、まず、x方向に延在しy方向に並設される一対
のゲート信号線GLが形成されている。これらゲート信
号線GLは後述の一対のドレイン信号線DLとともに矩
形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領
域として構成するようになっている。
In FIG. 1, a pair of gate signal lines GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction are formed on the surface of the transparent substrate SUB1 on the liquid crystal side. These gate signal lines GL surround a rectangular area together with a pair of drain signal lines DL described later, and this area is configured as a pixel area.

【0027】このようにゲート信号線GLが形成された
透明基板SUB1の表面にはたとえばSiNからなる絶
縁膜GIが該ゲート信号線GLをも被って形成されてい
る。この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線DLの形
成領域においては前記ゲート信号線GLに対する層間絶
縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタTFTの
形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、
後述の容量素子Cstgの形成領域においてはその誘電
体膜としての機能を有するようになっている。
On the surface of the transparent substrate SUB1 on which the gate signal lines GL are formed, an insulating film GI made of, for example, SiN is formed so as to cover the gate signal lines GL. The insulating film GI functions as an interlayer insulating film for the gate signal line GL in a region where a drain signal line DL described later is formed, and functions as a gate insulating film in a region where a thin film transistor TFT described later is formed.
In a region where a capacitive element Cstg described later is formed, it functions as a dielectric film.

【0028】そして、この絶縁膜GIの表面であって、
前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成され
ている。この半導体層ASは、薄膜トランジスタTFT
のそれであって、その上面にドレイン電極SD1および
ソース電極SD2を形成することにより、ゲート信号線
GLの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS型
トランジスタを構成することができる。
Then, on the surface of the insulating film GI,
A semiconductor layer AS made of, for example, amorphous Si is formed so as to overlap a part of the gate signal line GL. This semiconductor layer AS is a thin film transistor TFT
By forming the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 on the upper surface, an inverted staggered MIS transistor using a part of the gate signal line GL as a gate electrode can be formed.

【0029】なお、この実施例では、前記半導体層AS
は薄膜トランジスタTFTの形成領域ばかりでなく、近
傍のゲート信号線GLとドレイン信号線DLとの交差部
にまで延在されて形成されている。ゲート信号線GLと
ドレイン信号線DLとの交差部における層間絶縁膜とし
ての機能を強化せんがためである。
In this embodiment, the semiconductor layer AS
Are formed so as to extend not only to the formation region of the thin film transistor TFT but also to the intersection of the neighboring gate signal line GL and drain signal line DL. This is because the function as an interlayer insulating film at the intersection of the gate signal line GL and the drain signal line DL is enhanced.

【0030】前記薄膜トランジスタTFTのドレイン電
極SD1およびソース電極SD2はたとえばドレイン信
号線DLの形成の際に同時に形成されるようになってい
る。すなわち、y方向に延在されx方向に並設されるド
レイン信号線DLが形成され、その一部が前記薄膜トラ
ンジスタTFTの半導体層ASの上面にまで延在されて
ドレイン電極SD1が形成され、また、このドレイン電
極SD1と薄膜トランジスタTFTのチャネル長分だけ
離間されてソース電極SD2が形成されている。
The drain electrode SD1 and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT are formed at the same time, for example, when the drain signal line DL is formed. That is, a drain signal line DL is formed extending in the y direction and juxtaposed in the x direction, and a part thereof is extended to the upper surface of the semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT to form a drain electrode SD1. The source electrode SD2 is formed so as to be separated from the drain electrode SD1 by the channel length of the thin film transistor TFT.

【0031】このソース電極SD2は半導体層AS面か
ら画素領域側の絶縁膜GIの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の画素電極PXとの接続を図るためのコンタク
ト部が形成されている。
The source electrode SD2 slightly extends from the surface of the semiconductor layer AS to the upper surface of the insulating film GI on the pixel region side, and forms a contact portion for connection with a pixel electrode PX described later.

【0032】なお、半導体層ASとドレイン電極SD1
およびソース電極SD2との界面には高濃度の不純物
(たとえば燐)がドープされた薄い層が形成され、この
層はコンタクト層(図示せず)として機能するようにな
っている。
The semiconductor layer AS and the drain electrode SD1
At the interface with the source electrode SD2, a thin layer doped with a high concentration of impurity (for example, phosphorus) is formed, and this layer functions as a contact layer (not shown).

【0033】このコンタクト層は、たとえば半導体層A
Sの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極SD1
およびソース電極SD2のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
This contact layer is, for example, a semiconductor layer A
At the time of forming S, a high concentration impurity layer is already formed on the surface thereof, and the drain electrode SD1 formed on the upper surface thereof is formed.
And by etching the impurity layer exposed therefrom using the pattern of the source electrode SD2 as a mask.

【0034】このように薄膜トランジスタTFT、ドイ
レン信号線DL、ドレイン電極SD1、およびソース電
極SD2が形成された透明基板SUB1の表面にはたと
えばSiNからなる保護膜PSVが形成されている。こ
の保護膜PSVは前記薄膜トランジスタTFTの液晶L
Cとの直接の接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタ
TFTの特性劣化を防止せんとするようになっている。
A protective film PSV made of, for example, SiN is formed on the surface of the transparent substrate SUB1 on which the thin film transistor TFT, the drain signal line DL, the drain electrode SD1, and the source electrode SD2 are formed. This protective film PSV is the liquid crystal L of the thin film transistor TFT.
This film avoids direct contact with C, and prevents the deterioration of the characteristics of the thin film transistor TFT.

【0035】なお、保護膜PSVはチャネルプロテクト
型、すなわち薄膜トランジスタTFTのチャネル部上に
SiN等の無機保護膜が形成された構成、あるいはp−
Siを半導体層とするものには省略することも可能であ
る。
The protective film PSV is a channel protect type, that is, a structure in which an inorganic protective film such as SiN is formed on the channel portion of the thin film transistor TFT, or a p-type.
If Si is used as the semiconductor layer, it may be omitted.

【0036】そして、この保護膜PSVの上面にはカラ
ーフィルタFILが形成されている。このカラーフィル
タFILは当該画素領域において、たとえば赤、緑、青
のうちいずれかの色のフィルタからなり、たとえばその
色の顔料が含有された樹脂膜から構成されている。
The color filter FIL is formed on the upper surface of the protective film PSV. The color filter FIL is formed of, for example, a filter of any one of red, green, and blue in the pixel area, and is formed of, for example, a resin film containing a pigment of the color.

【0037】また、当該画素領域におけるカラーフィル
タFILは、当該画素領域を含んでy方向に並設される
画素領域群の各カラーフィルタFILと共通になってお
り(色が同一となる)、また、このようにして形成され
る帯状のカラーフィルタFILはx方向にたとえば赤、
緑、青、赤、……というように順次繰り返されて形成さ
れている。
The color filters FIL in the pixel region are common to the color filters FIL in the pixel region group including the pixel region and arranged in the y direction (the colors are the same). The band-shaped color filter FIL formed in this manner is, for example, red in the x direction.
Green, blue, red,... Are sequentially repeated.

【0038】なお、帯状の各カラーフィルタFILは隣
接する他のカラーフィルタFILとドレイン信号線DL
上で一部重ね合わされて形成されている。このカラーフ
ィルタFILの上面には、たとえばITO膜あるいはI
ZO膜等からなる透光性の導電膜からなる対向電極CT
が形成されている(図3、図4参照)。この対向電極C
Tは当該画素領域だけでなく上下、左右の隣接する他の
画素領域にまで及んで共通に形成されている。
Each band-shaped color filter FIL is connected to another adjacent color filter FIL and the drain signal line DL.
It is formed by partially overlapping the above. On the upper surface of the color filter FIL, for example, an ITO film or I
Counter electrode CT made of a light-transmitting conductive film made of a ZO film or the like
Are formed (see FIGS. 3 and 4). This counter electrode C
T is commonly formed not only in the pixel area but also in other adjacent pixel areas in the vertical and horizontal directions.

【0039】換言すれば、図2に示した液晶表示装置の
少なくとも液晶表示部ARの全域(後述する開口部を除
く)に形成され、このことから、ゲート信号線GL、ド
レイン信号線DL、薄膜トランジスタTFT等をも被っ
て形成されることになる。
In other words, it is formed at least over the entire area of the liquid crystal display part AR (excluding the opening described later) of the liquid crystal display device shown in FIG. 2, so that the gate signal line GL, the drain signal line DL, the thin film transistor It is formed to cover the TFT and the like.

【0040】図2に示した等価回路では、対向電極CT
は対向電圧信号線CLを介して基準電圧が供給されるこ
とになっているが、このように液晶表示部ARのほぼ全
域に形成された対向電極CTは前記対向電圧信号線CL
をその境界を区別できることなく含むもので、全体の抵
抗を低減させることができる。
In the equivalent circuit shown in FIG.
Is to be supplied with a reference voltage via the counter voltage signal line CL. In this manner, the counter electrode CT formed substantially over the entire area of the liquid crystal display part AR is connected to the counter voltage signal line CL.
Is included without any distinction between the boundaries, and the overall resistance can be reduced.

【0041】むろん、別個に対向電圧信号線CLを対向
電極CTの下層のいずれかの層に設け、対向電極CTと
対向電圧信号線CLを積層もしくはスルーホールで電気
的に接続するようにしてもよい。
Of course, the counter voltage signal line CL may be separately provided in any layer below the counter electrode CT, and the counter electrode CT and the counter voltage signal line CL may be electrically connected by lamination or through holes. Good.

【0042】また、このように液晶表示部ARのほぼ全
域に形成した対向電極CTは、シール材SLの外部から
数箇所にわたって基準電圧を供給できる構成とできるこ
とから、信号の波形歪みを低減させることができる。
The counter electrode CT formed in almost the entire area of the liquid crystal display part AR can supply a reference voltage from outside the sealing material SL at several points, thereby reducing signal waveform distortion. Can be.

【0043】そして、この対向電極CTの上面にはたと
えばアクリル系有機樹脂材料からなる層間絶縁膜LIが
形成されている。この層間絶縁膜LIはこの上面に形成
される画素電極PXと前記対向電極CTとの絶縁を図る
ための絶縁膜となるものである。
An interlayer insulating film LI made of, for example, an acrylic organic resin material is formed on the upper surface of the counter electrode CT. The interlayer insulating film LI serves as an insulating film for insulating the pixel electrode PX formed on the upper surface from the counter electrode CT.

【0044】層間絶縁膜LIの上面には画素電極PXが
形成され、この画素電極PXは前記対向電極CTと重畳
して、図中y方向に延在されx方向に並設された複数の
電極群(図では簡単のため2本としている)から構成さ
れている。
A pixel electrode PX is formed on the upper surface of the interlayer insulating film LI. The pixel electrode PX overlaps with the counter electrode CT, and extends in the y direction in FIG. It is composed of a group (two in the figure for simplicity).

【0045】これら複数の各画素電極PXは、その一端
側で互いに接続されたパターンとなっているとともに、
他端の少なくとも1つは、下層に位置づけられる層間絶
縁膜LI、カラーフィルタFIL、保護膜PSVに形成
されたコンタクトホールCHを通して薄膜トランジスタ
TFTのソース電極SD2に電気的に接続されている。
Each of the plurality of pixel electrodes PX has a pattern connected to each other at one end thereof.
At least one of the other ends is electrically connected to the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT through the interlayer insulating film LI, the color filter FIL, and the contact hole CH formed in the protective film PSV positioned below.

【0046】なお、この場合、前記コンタクトホールC
Hの形成部分における前記対向電極CTには開口が形成
されており、この対向電極CTと画素電極PXとの電気
的接触を回避した構成となっている。
In this case, the contact hole C
An opening is formed in the counter electrode CT in the portion where H is formed, so that electrical contact between the counter electrode CT and the pixel electrode PX is avoided.

【0047】また、画素電極PXの対向電極CTとの重
なり部分には、それらの間の層間絶縁膜LIを誘電体膜
とする容量素子Cstgが形成され、この容量素子Cs
tgによって、たとえば画素電極PXに供給された映像
信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるように
なっている。このとき、画素電極PXは金属で形成する
ことも可能であるが、透過率を向上するため、たとえば
ITO膜、IZO膜等の透明導電体で形成することが望
ましい。
Further, in a portion where the pixel electrode PX overlaps with the counter electrode CT, a capacitive element Cstg having an interlayer insulating film LI between them as a dielectric film is formed.
The tg has a function of, for example, accumulating a video signal supplied to the pixel electrode PX for a relatively long time. At this time, the pixel electrode PX can be formed of metal, but is preferably formed of a transparent conductor such as an ITO film or an IZO film in order to improve the transmittance.

【0048】そして、このように画素電極PXが形成さ
れた透明基板SUB1の主表面には該画素電極PXをも
被って配向膜ORI1が形成されている。この配向膜O
RI1は液晶LCと直接に当接する膜で、その表面に形
成されたラビングによって該液晶LCの分子の初期配向
方向を決定づけるようになっている。また、前記透明基
板SUB1の液晶と反対側の面には偏光板POL1が貼
付されている。
An alignment film ORI1 is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the pixel electrodes PX are formed as described above so as to cover the pixel electrodes PX. This alignment film O
RI1 is a film directly in contact with the liquid crystal LC, and determines the initial alignment direction of the molecules of the liquid crystal LC by rubbing formed on the surface thereof. A polarizing plate POL1 is attached to the surface of the transparent substrate SUB1 opposite to the liquid crystal.

【0049】前記液晶LCを介して透明基板SUB1と
対向して配置される透明基板SUB2の液晶側の面に
は、配向膜ORI2が形成され、この配向膜ORI2は
液晶LCと直接に当接する膜で、その表面に形成された
ラビングによって該液晶LCの分子の初期配向方向を決
定づけるようになっているまた、前記透明基板SUB2
の液晶と反対側の面には偏光板POL2が貼付されてい
る。
An alignment film ORI2 is formed on a liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB2 which is disposed to face the transparent substrate SUB1 via the liquid crystal LC, and the alignment film ORI2 is a film directly in contact with the liquid crystal LC. The rubbing formed on the surface determines the initial alignment direction of the molecules of the liquid crystal LC. The transparent substrate SUB2
A polarizing plate POL2 is attached to the surface opposite to the liquid crystal.

【0050】前記透明基板SUB1に形成される配向膜
ORI1および偏光板POL1、透明基板SUB2に形
成される配向膜ORI2および偏光板POL2は、液晶
の挙動を可視化するための光学手段であり、本実施例の
場合たとえば図5に示すように設定されている。
The alignment film ORI1 and the polarizing plate POL1 formed on the transparent substrate SUB1 and the alignment film ORI2 and the polarizing plate POL2 formed on the transparent substrate SUB2 are optical means for visualizing the behavior of the liquid crystal. In the case of the example, for example, it is set as shown in FIG.

【0051】各配向膜ORI1、ORI2のラビング方
向RDRは互いに平行(同じ向き)になっており、たと
えば画素電極PXと対向電極CTの間の電界の方向ED
Rに対して角度が75°となっている。
The rubbing directions RDR of the respective alignment films ORI1 and ORI2 are parallel to each other (the same direction). For example, the direction ED of the electric field between the pixel electrode PX and the counter electrode CT is ED.
The angle with respect to R is 75 °.

【0052】この場合、ラビング方向RDRと印加電界
方向EDRとのなす角度は、液晶の電異方性Δεが正で
あれば、45°以上90°未満であればよく、また、誘
電異方性Δεが負であれば、0°を超え45°以下であ
ればよい。
In this case, the angle between the rubbing direction RDR and the applied electric field direction EDR may be 45 ° or more and less than 90 ° as long as the liquid crystal has a positive electric anisotropy Δε. If Δε is negative, it may be more than 0 ° and 45 ° or less.

【0053】また、各配向膜のラビング方向RDRを互
いに平行(同じ向き)とすることにより、電極間および
電極上の表示に寄与する液晶の上下界面(基板との)の
液晶分子の初期プレチルト角がスプレイ状態となり、液
晶分子が互いに光学特性を補償し広い視野角特性を得る
ことができる。
By setting the rubbing directions RDR of the respective alignment films to be parallel to each other (to the same direction), the initial pretilt angle of liquid crystal molecules at the upper and lower interfaces (with the substrate) of the liquid crystal contributing to display between electrodes and on the electrodes. Are in a splay state, and the liquid crystal molecules compensate each other for optical characteristics, thereby obtaining a wide viewing angle characteristic.

【0054】偏光板POL1、POL2は、その一方の
偏光透過軸をラビング方向と一致させ、他方の偏光透過
軸をそれに直交されている。これにより、各電極に印加
させる電圧を増加させるにともない、透過率が上昇する
ノーマリクローズ特性を得ることができる。また、電圧
無印加時には良質な黒表示を得ることができる。
The polarizing plates POL1 and POL2 have one polarized light transmission axis coincident with the rubbing direction and the other polarized light transmission axis perpendicular to the rubbing direction. Thereby, it is possible to obtain a normally closed characteristic in which the transmittance increases as the voltage applied to each electrode increases. Further, when no voltage is applied, a high quality black display can be obtained.

【0055】対向電極CTと画素電極CTとの間には、
図4に示すように、電界Eが発生し、このうちの透明基
板SUB1とほぼ平行な成分の電界によって液晶の分子
LCMが該電界の強さに応じた角度で回転するようにな
っている。
Between the counter electrode CT and the pixel electrode CT,
As shown in FIG. 4, an electric field E is generated, and the electric field of a component substantially parallel to the transparent substrate SUB1 causes the molecules LCM of the liquid crystal to rotate at an angle corresponding to the intensity of the electric field.

【0056】この場合、対向電極CTは画素領域のほぼ
全域にわたって形成され、それがシールドになってそれ
より下層の電界は液晶側にまったく影響を与えない構成
となっている。このため、カラーフィルタFILは画素
電極PXおよび対向電極CTとの間に発生する電界の分
布に悪影響を与えることがなくなるという効果を奏す
る。
In this case, the counter electrode CT is formed over almost the entire area of the pixel region, and serves as a shield, so that the electric field below it does not affect the liquid crystal side at all. For this reason, the color filter FIL has an effect of not adversely affecting the distribution of the electric field generated between the pixel electrode PX and the counter electrode CT.

【0057】《製造方法》図6(a)ないし(j)は、
本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す
工程図であり、特に透明基板SUB1側における製造方
法を示している。
<< Manufacturing Method >> FIGS. 6 (a) to 6 (j)
FIG. 4 is a process chart showing one embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, and particularly shows a method for manufacturing a transparent substrate SUB1.

【0058】工程1.(図6(a)) 透明基板SUB1を用意し、その主表面にCrおよびC
r−Mo合金の積層膜を形成し、これをフォトリソグラ
フィ技術による選択エッチングをすることによりゲート
信号線GLを形成する。むろん、Al、もしくはAlを
含む合金、さらにはAlもしくはAlを含む合金と他の
金属もしくは合金との積層構造でもよい。
Step 1. (FIG. 6A) A transparent substrate SUB1 is prepared, and Cr and C are formed on the main surface thereof.
A gate signal line GL is formed by forming a laminated film of an r-Mo alloy and performing selective etching by a photolithography technique. Needless to say, a stacked structure of Al or an alloy containing Al, or Al or an alloy containing Al and another metal or alloy may be used.

【0059】工程2.(図6(b))ゲート信号線GL
が形成された透明基板SUB1の主表面に、SiN膜か
らなる絶縁膜GIおよびSiからなる半導体層を順次積
層し、この半導体層の表面にたとえばP(燐)を微量に
ドープして高濃度層d0を形成した後、この半導体層を
フォトリソグラフィ技術による選択エッチングをするこ
とにより半導体層ASを形成する。
Step 2. (FIG. 6B) Gate signal line GL
The insulating film GI made of a SiN film and the semiconductor layer made of Si are sequentially laminated on the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the semiconductor layer is formed. After the formation of d0, the semiconductor layer is selectively etched by photolithography to form a semiconductor layer AS.

【0060】工程3.(図6(c)) 半導体層ASが形成された透明基板SUB1の主表面
に、CrおよびCr−Mo合金の積層膜を形成し、これ
をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングをする
ことによりドレイン信号線DL、薄膜トランジスタTF
Tのドレイン電極SD1、ソース電極SD2を形成す
る。その後、ドレイン電極SD1およびソース電極SD
2をマスクとし、それから露出されている半導体層AS
上の高濃度層d0をエッチングして除去する。
Step 3. (FIG. 6C) A laminated film of Cr and a Cr—Mo alloy is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the semiconductor layer AS has been formed, and this is selectively etched by photolithography technology to form a drain signal line. DL, thin film transistor TF
A drain electrode SD1 and a source electrode SD2 of T are formed. Then, the drain electrode SD1 and the source electrode SD
2 as a mask, and the semiconductor layer AS
The upper high concentration layer d0 is removed by etching.

【0061】工程4.(図6(d)) ドレイン信号線DL、ドレイン電極SD1およびソース
電極SD2が形成された透明基板SUB1の主表面に、
たとえばSiNからなる保護膜PSVを形成し、これを
フォトリソグラフィ技術による選択エッチングをするこ
とにより前記ソース電極SD2の一部を露出させるコン
タクトホールCH1を形成する。なお、この場合、ドレ
イン信号線DLの各端子部およびゲート信号線の各端子
部を露出させるための穴あけも同時に行う。
Step 4. (FIG. 6D) On the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the drain signal line DL, the drain electrode SD1, and the source electrode SD2 are formed,
For example, a protective film PSV made of SiN is formed, and is selectively etched by photolithography to form a contact hole CH1 exposing a part of the source electrode SD2. In this case, a hole for exposing each terminal of the drain signal line DL and each terminal of the gate signal line is simultaneously formed.

【0062】工程5.(図6(e)) 保護膜PSVが形成された透明基板SUB1の主表面
に、顔料が混入された樹脂膜を形成し、これをフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチングをすることにより
カラーフィルタFILを形成する。この場合のエッチン
グの際には、前記ソース電極SD2の一部を露出させる
コンタクトホールCH2をも同時に形成される。このカ
ラーフィルタFILは赤、緑、青の各色からなり、それ
らの色毎にフォトリソグラフィ技術による選択エッチン
グがなされる。
Step 5. (FIG. 6E) A resin film containing a pigment is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the protective film PSV is formed, and the color film FIL is formed by subjecting the resin film to selective etching by photolithography. I do. At the time of etching in this case, a contact hole CH2 exposing a part of the source electrode SD2 is also formed at the same time. The color filter FIL is composed of each color of red, green, and blue, and is selectively etched by photolithography for each of those colors.

【0063】工程6.(図6(f)) カラーフィルタFILが形成された透明基板SUB1の
主表面に、たとえばITO(Indium Tin Oxide)、IZO
(Indium Zinc Oxide)等からなる透光性の導電膜を形成
し、前記ソース電極SD2の一部を露出させるコンタク
トホールCH3を形成するようにしてフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチングをすることにより対向電極
CTを形成する。この場合、対向電極CTは隣接する画
素領域にも及んで形成され、該隣接する画素領域の対向
電極CTと共通に形成される。
Step 6. (FIG. 6F) On the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the color filter FIL is formed, for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO
(Indium Zinc Oxide) or the like, a contact hole CH3 exposing a part of the source electrode SD2 is formed, and selective etching is performed by photolithography to form a counter electrode CT. To form In this case, the counter electrode CT is formed also over the adjacent pixel region, and is formed in common with the counter electrode CT of the adjacent pixel region.

【0064】工程7.(図6(g)) 対向電極CTが形成された透明基板SUB1の主表面
に、たとえばアクリル系有機樹脂からなる層間絶縁膜L
Iを形成し、前記ソース電極SD2の一部を露出させる
コンタクトホールCH4を形成するようにしてフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチングをする。
Step 7. (FIG. 6G) On the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the counter electrode CT is formed, an interlayer insulating film L made of, for example, an acrylic organic resin is formed.
I is formed, and selective etching by photolithography is performed so as to form a contact hole CH4 exposing a part of the source electrode SD2.

【0065】工程8.(図6(h)) 層間絶縁膜LIが形成された透明基板SUB1の主表面
に、たとえばITO(Indium Tin Oxide)等からなる透光
性の導電膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術に
よる選択エッチングをすることにより画素電極PXを形
成する。この画素電極PXは、たとえばy方向に延在し
x方向に並設される複数の電極群からなるもので、いわ
ゆる櫛歯状をなすパターンで形成される。そして、この
場合、この画素電極PXは、その一部がソース電極SD
2を露出させたコンタクトホール上に形成されるように
なっており、これにより該ソース電極SD2に電気的に
接続されるようになっている。
Step 8. (FIG. 6H) A light-transmitting conductive film made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the interlayer insulating film LI is formed, and this is selected by a photolithography technique. The pixel electrode PX is formed by etching. The pixel electrode PX includes, for example, a plurality of electrode groups extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction, and is formed in a so-called comb-like pattern. In this case, a part of the pixel electrode PX is part of the source electrode SD.
2 are formed on the contact holes exposing them, thereby electrically connecting to the source electrode SD2.

【0066】工程9.(図6(i)) 画素電極PXが形成された透明基板SUB1の主要面に
樹脂膜を形成し、その表面をラビング処理することによ
り配向膜ORI1を形成する。
Step 9. (FIG. 6 (i)) A resin film is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 on which the pixel electrodes PX are formed, and the surface is rubbed to form an alignment film ORI1.

【0067】工程10.(図6(j)) 透明基板SUB1の液晶と反対側の面に、偏光板POL
1、透光性の導電膜TI1を形成する。
Step 10. (FIG. 6 (j)) A polarizing plate POL is provided on the surface of the transparent substrate SUB1 opposite to the liquid crystal.
1. A light-transmitting conductive film TI1 is formed.

【0068】実施例2.図7、図8は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、それぞれ図
3、図4と対応した図となっている。図3、図4と異な
る構成は、画素電極PXが形成されている層間絶縁膜L
Iにあり、この層間絶縁膜LIは、前記画素電極PXが
形成されている領域においてその層厚が大きく形成さ
れ、該画素電極PXが形成されていない領域においてそ
の層厚が小さく形成されている。このような構成は、た
とえばパターン化して形成した該画素電極PXをマスク
として前記層間絶縁膜LIの表面をエッチングすること
によって形成される。このように構成された液晶表示装
置は、液晶を駆動させるに必要な画素電極PXと対向電
極CTとの間の電圧を小さくすることができる。画素電
極PXが形成されていない領域において層間絶縁膜LI
の膜厚が大きいとそれだけ画素電極PXと対向電極CT
の間に生じる電界の強度が減少してしまうからである。
したがって、本実施例では、低消費電力の液晶表示装置
を得ることができるようになる。
Embodiment 2 FIG. 7 and 8 are configuration diagrams showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and correspond to FIGS. 3 and 4, respectively. 3 and 4 is different from the interlayer insulating film L on which the pixel electrode PX is formed.
I, the interlayer insulating film LI has a large thickness in a region where the pixel electrode PX is formed, and has a small thickness in a region where the pixel electrode PX is not formed. . Such a configuration is formed, for example, by etching the surface of the interlayer insulating film LI using the patterned pixel electrode PX as a mask. In the liquid crystal display device configured as described above, the voltage between the pixel electrode PX and the counter electrode CT required for driving the liquid crystal can be reduced. In a region where the pixel electrode PX is not formed, the interlayer insulating film LI is formed.
Of the pixel electrode PX and the counter electrode CT
This is because the intensity of the electric field generated during the period decreases.
Therefore, in this embodiment, a liquid crystal display device with low power consumption can be obtained.

【0069】実施例3.図9、図10は、本発明による
液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、それぞれ図
3、図4と対応した図となっている。図3、図4と異な
る構成は、カラーフィルタFILにあり、それに形成さ
れたコンタクトホールCHの側壁面には層間絶縁膜LI
によって被われていない構成となっている。
Embodiment 3 FIG. 9 and 10 are configuration diagrams showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and correspond to FIGS. 3 and 4, respectively. 3 and 4 is in the color filter FIL, and the interlayer insulating film LI is formed on the side wall surface of the contact hole CH formed therein.
Is not covered by

【0070】すなわち、該コンタクトホールCH内に形
成される画素電極PXの薄膜トランジスタTFTのソー
ス電極SD2との接続部は該カラーフィルタFILと直
接に接触された構成となっている。カラーフィルタFI
Lは顔料が含有された樹脂膜で構成されているため、そ
れ自体はほぼ絶縁膜となっているからであり、画素電極
PXと対向電極CTの短絡には至らないためである。
That is, the connection between the pixel electrode PX formed in the contact hole CH and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT is in direct contact with the color filter FIL. Color filter FI
Since L is composed of a resin film containing a pigment, it is substantially an insulating film itself, and does not cause a short circuit between the pixel electrode PX and the counter electrode CT.

【0071】図11は、このような構成からなる液晶表
示装置の製造方法の一実施例を示す工程図で、図6と対
応した図となっている。図6と異なる部分は、その
(g)に示す部分で、層間絶縁膜LIにおけるコンタク
トホールCH4を形成する場合、その径をカラーフィル
タFILに形成されたコンタクトホールのそれとほぼ等
しくあるいはそれより大きく形成することにある。
FIG. 11 is a process diagram showing an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal display device having such a configuration, and corresponds to FIG. The portion different from FIG. 6 is the portion shown in FIG. 6 (g). When the contact hole CH4 in the interlayer insulating film LI is formed, the diameter thereof is substantially equal to or larger than that of the contact hole formed in the color filter FIL. Is to do.

【0072】上述した各実施例は、そのいずれも層間絶
縁膜LIの下層に形成された電極を対向電極とし、上層
に形成された電極を画素電極としたものである。しか
し、上述した構成において、層間絶縁膜LIの下層に形
成された電極を画素電極とし、上層に形成された電極を
対向電極とするようにしてもよいことはいうまでもな
い。
In each of the embodiments described above, the electrode formed in the lower layer of the interlayer insulating film LI is used as the counter electrode, and the electrode formed in the upper layer is used as the pixel electrode. However, in the above-described configuration, it goes without saying that an electrode formed in the lower layer of the interlayer insulating film LI may be used as a pixel electrode and an electrode formed in an upper layer may be used as a counter electrode.

【0073】この場合、該画素電極は、隣接する他の画
素領域の画素電極と電気的に分離されていなければなら
ないため、たとえばドレイン信号線DLおよびゲート信
号線GL上に形成されたスリットによってそれぞれ物理
的に分離されるようにして構成される。
In this case, since the pixel electrode must be electrically separated from the pixel electrodes in the other adjacent pixel regions, for example, the slits are formed on the drain signal line DL and the gate signal line GL, respectively. It is configured to be physically separated.

【0074】このように構成した場合でも、各画素領域
においてカラーフィルタFILの上方にそのほぼ全域に
わたって画素電極が形成されていることから、該カラー
フィルタFILが画素電極と対向電極との間に発生する
電界に悪影響を及ぼすことはなくなる。
Even in such a configuration, since the pixel electrode is formed over the color filter FIL in substantially the entire area above the color filter FIL in each pixel region, the color filter FIL is generated between the pixel electrode and the counter electrode. It does not adversely affect the applied electric field.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上、説明したことから明らかとなるよ
うに、本発明による液晶表示装置によれば、カラーフィ
ルタによる電界の乱れを回避できるようになる。
As is apparent from the above description, according to the liquid crystal display device of the present invention, the disturbance of the electric field due to the color filter can be avoided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a pixel of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
等価回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing one embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】 図1のIII−III線における断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.

【図4】 図1のIV−IV線における断面図であるFIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.

【図5】 本発明による液晶表示装置の電界の方向と配
向膜および偏光板との関係を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a relationship between a direction of an electric field of the liquid crystal display device according to the present invention and an alignment film and a polarizing plate.

【図6】 本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す工程図である。
FIG. 6 is a process chart showing one embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図で、図3に対応した図である。
FIG. 7 is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, corresponding to FIG.

【図8】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図で、図4に対応した図である。
8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and is a view corresponding to FIG.

【図9】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図で、図3に対応した図である。
FIG. 9 is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, corresponding to FIG.

【図10】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を
示す断面図で、図4に対応した図である。
FIG. 10 is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and is a view corresponding to FIG.

【図11】 本発明による液晶表示装置の製造方法の他
の実施例を示す工程図である。
FIG. 11 is a process chart showing another embodiment of the method of manufacturing the liquid crystal display device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SUB…透明基板、GL…ゲート信号線、DL…ドレイ
ン信号線、TFT…薄膜トランジスタ、AS…半導体
層、SD1…ドレイン電極、SD2…ソース電極、PX
…画素電極、CT…対向電極。
SUB: transparent substrate, GL: gate signal line, DL: drain signal line, TFT: thin film transistor, AS: semiconductor layer, SD1: drain electrode, SD2: source electrode, PX
... pixel electrode, CT ... counter electrode.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349B 9/35 9/35 (72)発明者 桶 隆太郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 2H091 FA02Y FD06 GA02 GA03 GA06 GA13 LA17 LA19 2H092 GA24 JA24 JB05 JB16 NA01 NA07 NA19 PA02 PA08 5C094 AA08 AA53 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 ED03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349B 9/35 9/35 (72) Inventor Ryutaro Oke Mobara-shi, Chiba 3300 Hayano F-term in Hitachi Display Group (reference) 2H091 FA02Y FD06 GA02 GA03 GA06 GA13 LA17 LA19 2H092 GA24 JA24 JB05 JB16 NA01 NA07 NA19 PA02 PA08 5C094 AA08 AA53 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 ED03

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、 該液晶側から画素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形
成され、前記対向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光
性の導電層から構成されているとともに、前記画素電極
は前記対向電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差
する方向に並設される複数の電極群から構成され、 前記積層体に対して前記一方の基板側にカラーフィルタ
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween, wherein a laminated body of a pixel electrode, an insulating film, and a counter electrode is formed from the liquid crystal side; The electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire region of the pixel region, and the pixel electrode overlaps with the counter electrode, extends in one direction, and is juxtaposed in a direction intersecting the direction. A liquid crystal display device comprising: a plurality of electrode groups; and a color filter formed on the one substrate side with respect to the laminate.
【請求項2】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、 該液晶側から画素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形
成され、前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで
画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成され
ているとともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳し
て一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される複
数の電極群から構成され、 前記積層体に対して前記一方の基板側にカラーフィルタ
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. A laminated body of a pixel electrode, an insulating film, and a counter electrode is formed from a liquid crystal side in a pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. The electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire pixel region over another adjacent pixel region, and the pixel electrode overlaps with the counter electrode and extends in one direction. A liquid crystal display device, comprising: a plurality of electrode groups arranged in parallel in a direction intersecting a direction, wherein a color filter is formed on the one substrate side with respect to the laminate.
【請求項3】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、 該液晶側から画素電極、絶縁膜、対向電極の積層体が形
成され、前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで
画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成され
ているとともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳し
て一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される複
数の電極群から構成され、 前記積層体に対して前記一方の基板側にカラーフィルタ
が形成されているとともに、前記絶縁膜は画素電極が形
成された領域の膜厚は大きく形成され画素電極が形成さ
れていない領域の膜厚は小さく形成されていることを特
徴とする液晶表示装置。
3. A laminate of a pixel electrode, an insulating film, and a counter electrode is formed in a pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. The electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire pixel region over another adjacent pixel region, and the pixel electrode overlaps with the counter electrode and extends in one direction. A plurality of electrode groups arranged side by side in a direction intersecting a direction, a color filter is formed on the one substrate side with respect to the laminate, and the insulating film is a region where a pixel electrode is formed. The liquid crystal display device is characterized in that the film thickness is formed large and the film thickness in a region where the pixel electrode is not formed is small.
【請求項4】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の画素領域に、 該液晶側から対向電極、絶縁膜、画素電極の積層体が形
成され、前記画素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光
性の導電層から構成されているとともに、前記対向電極
は前記画素電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差
する方向に並設される複数の電極群から構成され、 前記積層体に対して前記一方の基板側にカラーフィルタ
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
4. A laminated body of a counter electrode, an insulating film, and a pixel electrode is formed from a liquid crystal side in a pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. The electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire pixel region, and the counter electrode is overlapped with the pixel electrode, extends in one direction, and is juxtaposed in a direction intersecting the direction. A liquid crystal display device comprising: a plurality of electrode groups; and a color filter formed on the one substrate side with respect to the laminate.
【請求項5】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、 前記一方の基板側から、少なくとも、前記一対のゲート
信号線のうち一方のゲート信号線の一部をゲート電極と
し前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号
線にドレイン電極が接続された薄膜トランジスタ、この
薄膜トランジスタを被って形成される保護膜、カラーフ
ィルタ、対向電極、層間絶縁膜、スルーホールを介して
前記薄膜トランジスタのソース電極と接続された画素電
極が積層され、 前記対向電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記画素電極は前記対
向電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とする液晶表示装置。
5. A pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A thin film transistor in which at least a part of one of the pair of gate signal lines is used as a gate electrode and a drain electrode is connected to one of the pair of drain signal lines and the drain electrode is connected to the thin film transistor; A pixel electrode connected to a source electrode of the thin film transistor via a protective film, a color filter, a counter electrode, an interlayer insulating film, and a through hole to be formed is laminated, and the counter electrode covers substantially the entire pixel region. And a plurality of the pixel electrodes, which overlap with the counter electrode and extend in one direction and are arranged in a direction intersecting with the pixel electrode. The liquid crystal display device, characterized in that is composed of the electrode group.
【請求項6】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、 前記一方の基板側から、少なくとも、前記一対のゲート
信号線のうち一方のゲート信号線の一部をゲート電極と
し前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号
線にドレイン電極が接続された薄膜トランジスタ、この
薄膜トランジスタを被って形成される保護膜、カラーフ
ィルタ、対向電極、層間絶縁膜、スルーホールを介して
前記薄膜トランジスタのソース電極と接続された画素電
極が積層され、 前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
6. A pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A thin film transistor in which at least a part of one of the pair of gate signal lines is used as a gate electrode and a drain electrode is connected to one of the pair of drain signal lines and the drain electrode is connected to the thin film transistor; A pixel electrode connected to the source electrode of the thin film transistor via a protective film, a color filter, a counter electrode, an interlayer insulating film, and a through hole to be formed is laminated, and the counter electrode extends to another adjacent pixel region. The pixel electrode is formed of a light-transmitting conductive layer that covers substantially the entire region, and the pixel electrode overlaps with the counter electrode and extends in one direction. The liquid crystal display apparatus characterized by being composed of a plurality of electrode groups are arranged in parallel in the direction in which the difference.
【請求項7】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、 前記一方の基板側から、少なくとも、前記一対のゲート
信号線のうち一方のゲート信号線の一部をゲート電極と
し前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号
線にドレイン電極が接続された薄膜トランジスタ、この
薄膜トランジスタを被って形成される保護膜、カラーフ
ィルタ、対向電極、層間絶縁膜、スルーホールを介して
前記薄膜トランジスタのソース電極と接続された画素電
極が積層され、 前記対向電極は隣接する他の画素領域に及んで画素領域
のほぼ全域を被う透光性の導電層から構成されていると
ともに、前記画素電極は前記対向電極と重畳して一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される複数の電極
群から構成され、 前記層間絶縁膜は画素電極が形成された領域の膜厚は大
きく形成され画素電極が形成されていない領域の膜厚は
小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
7. A pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A thin film transistor in which at least a part of one of the pair of gate signal lines is used as a gate electrode and a drain electrode is connected to one of the pair of drain signal lines and the drain electrode is connected to the thin film transistor; A pixel electrode connected to the source electrode of the thin film transistor via a protective film, a color filter, a counter electrode, an interlayer insulating film, and a through hole to be formed is laminated, and the counter electrode extends to another adjacent pixel region. The pixel electrode is formed of a light-transmitting conductive layer covering substantially the entire region, and the pixel electrode overlaps with the counter electrode and extends in one direction to extend in the direction. The interlayer insulating film has a large thickness in a region where the pixel electrode is formed and a small thickness in a region where the pixel electrode is not formed. A liquid crystal display device comprising:
【請求項8】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の一対のゲート信号線と一対の
ドレイン信号線に囲まれた画素領域に、 前記一方の基板側から、少なくとも、前記一対のゲート
信号線のうち一方のゲート信号線の一部をゲート電極と
し前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号
線にドレイン電極が接続された薄膜トランジスタ、この
薄膜トランジスタを被って形成される保護膜、カラーフ
ィルタ、スルーホールを介して前記薄膜トランジスタの
ソース電極と接続された画素電極、層間絶縁膜、対向電
極が積層され、 前記画素電極は画素領域のほぼ全域を被う透光性の導電
層から構成されているとともに、前記対向電極は前記画
素電極と重畳して一方向に延在し該方向に交差する方向
に並設される複数の電極群から構成されていることを特
徴とする液晶表示装置。
8. A pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A thin film transistor in which at least a part of one of the pair of gate signal lines is used as a gate electrode and a drain electrode is connected to one of the pair of drain signal lines and the drain electrode is connected to the thin film transistor; A pixel electrode, an interlayer insulating film, and a counter electrode connected to the source electrode of the thin film transistor via a formed protective film, a color filter, and a through hole are laminated, and the pixel electrode covers substantially the entire pixel region. And a plurality of the counter electrodes overlap with the pixel electrodes, extend in one direction, and are arranged in a direction intersecting the direction. The liquid crystal display device, characterized in that is composed of the electrode group.
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