JP2000202759A - 半導体ウエハの研磨方法および研磨装置 - Google Patents
半導体ウエハの研磨方法および研磨装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハの全面を均一に研磨できる半導
体ウエハの研磨方法と研磨装置とを提供する。 【解決手段】 図１（ａ）に示すように、半導体ウエハ
２を保持具３にセットする。図１（ｂ）に示すように、
半導体ウエハ２を研磨パッド１に接触させる。図１
（ｃ）に示すように、半導体ウエハ２の反り量に応じて
加圧面内の加圧力を可変して半導体ウエハ２と研磨パッ
ド１とを均一に接触させて研磨する。
体ウエハの研磨方法と研磨装置とを提供する。 【解決手段】 図１（ａ）に示すように、半導体ウエハ
２を保持具３にセットする。図１（ｂ）に示すように、
半導体ウエハ２を研磨パッド１に接触させる。図１
（ｃ）に示すように、半導体ウエハ２の反り量に応じて
加圧面内の加圧力を可変して半導体ウエハ２と研磨パッ
ド１とを均一に接触させて研磨する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの研
磨方法およびこれに使用する研磨装置に関するものであ
る。
磨方法およびこれに使用する研磨装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハは、製造工程における配線
工程において発生する表面の配線段差を平坦化するため
に、その表面を研磨する必要がある。
工程において発生する表面の配線段差を平坦化するため
に、その表面を研磨する必要がある。
【０００３】図４は、従来の半導体ウエハの研磨装置を
用いた研磨工程を示す。
用いた研磨工程を示す。
【０００４】半導体ウエハの研磨装置は、研磨パッドを
載置した回転台と、半導体ウエハを保持する保持具とか
らなり、回転台と保持具とはそれぞれ回転自在に構成さ
れている。
載置した回転台と、半導体ウエハを保持する保持具とか
らなり、回転台と保持具とはそれぞれ回転自在に構成さ
れている。
【０００５】図４（ａ）に示すように、表面に微細加工
が施され凹凸が形成された半導体ウエハ２が、回転台４
に載置された研磨パッド１と対向するように保持具３に
セットされると、水平面に対する半導体ウエハ２の反り
が測定される。
が施され凹凸が形成された半導体ウエハ２が、回転台４
に載置された研磨パッド１と対向するように保持具３に
セットされると、水平面に対する半導体ウエハ２の反り
が測定される。
【０００６】測定が終了すると、図４（ｂ）に示すよう
に、研磨パッド１と半導体ウエハ２との間隔を所定の間
隔とする。このとき半導体ウエハ２の回転軸Ａと研磨パ
ッド１の回転軸Ｂとを水平移動してずらし、研磨パッド
１と半導体ウエハ２の間に半導体ウエハ２と化学反応を
起こすスラリー状の研磨剤５を供給しながら、半導体ウ
エハ２を保持した保持具３を矢印Ｃ方向に、研磨パッド
１を載置した回転台４を矢印Ｄ方向にそれぞれ回転させ
る。
に、研磨パッド１と半導体ウエハ２との間隔を所定の間
隔とする。このとき半導体ウエハ２の回転軸Ａと研磨パ
ッド１の回転軸Ｂとを水平移動してずらし、研磨パッド
１と半導体ウエハ２の間に半導体ウエハ２と化学反応を
起こすスラリー状の研磨剤５を供給しながら、半導体ウ
エハ２を保持した保持具３を矢印Ｃ方向に、研磨パッド
１を載置した回転台４を矢印Ｄ方向にそれぞれ回転させ
る。
【０００７】そして、図４（ｃ）に示すように、保持具
３を垂直下向きに移動して半導体ウエハ２を研磨パッド
１に接触させて垂直下向き方向に加圧すると、半導体ウ
エハ２の研磨パッド１との対向面が研磨される。この時
の加圧力Ｐ３は、予め測定した半導体ウエハ２の反り量
に応じて決定される。
３を垂直下向きに移動して半導体ウエハ２を研磨パッド
１に接触させて垂直下向き方向に加圧すると、半導体ウ
エハ２の研磨パッド１との対向面が研磨される。この時
の加圧力Ｐ３は、予め測定した半導体ウエハ２の反り量
に応じて決定される。
【０００８】上記のような半導体ウエハ２の研磨方法の
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）では、研
磨レート・均一性の決定要素として、研磨パッド１と半
導体ウエハ２との相対速度と半導体ウエハ２を加圧する
圧力とが挙げられる。
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）では、研
磨レート・均一性の決定要素として、研磨パッド１と半
導体ウエハ２との相対速度と半導体ウエハ２を加圧する
圧力とが挙げられる。
【０００９】すなわち、オフセット及び揺動させながら
半導体ウエハ２を研磨するに際し、半導体ウエハ２と研
磨パッド１とは上述のように互いに反対方向に回転して
いるため、半導体ウエハ２を研磨パッド１に押圧する
と、その相対速度差により半導体ウエハ２の研磨パッド
と対向する面が研磨される。
半導体ウエハ２を研磨するに際し、半導体ウエハ２と研
磨パッド１とは上述のように互いに反対方向に回転して
いるため、半導体ウエハ２を研磨パッド１に押圧する
と、その相対速度差により半導体ウエハ２の研磨パッド
と対向する面が研磨される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハ２を研磨パッド１で覆いつくされた上記の従来の
方法では、図４（ａ）に示す工程において、半導体ウエ
ハ２を保持具３にセットしたときに半導体ウエハ２に反
りが生じ、半導体ウエハ２の中心部は研磨パッド１の側
に凹になり、周辺部では研磨パッド１の側に凸となって
いる。
ウエハ２を研磨パッド１で覆いつくされた上記の従来の
方法では、図４（ａ）に示す工程において、半導体ウエ
ハ２を保持具３にセットしたときに半導体ウエハ２に反
りが生じ、半導体ウエハ２の中心部は研磨パッド１の側
に凹になり、周辺部では研磨パッド１の側に凸となって
いる。
【００１１】図４（ｃ）に示す工程では、半導体ウエハ
２を研磨パッド１と接触させて加圧力Ｐ３で押圧しなが
ら研磨を行なう。その際、半導体ウエハ２の周辺部は研
磨パッド１と接触しているため加圧力Ｐ３で押圧されな
がら研磨されるが、中心部では研磨パッド１との間に隙
間が生じているため、その加圧力はＰ３よりも小さくな
る。従って、半導体ウエハ２と研磨パッド１とを均一に
接触させて研磨することができず、半導体ウエハ２の全
面を精密な研磨精度で研磨することができないという問
題がある。
２を研磨パッド１と接触させて加圧力Ｐ３で押圧しなが
ら研磨を行なう。その際、半導体ウエハ２の周辺部は研
磨パッド１と接触しているため加圧力Ｐ３で押圧されな
がら研磨されるが、中心部では研磨パッド１との間に隙
間が生じているため、その加圧力はＰ３よりも小さくな
る。従って、半導体ウエハ２と研磨パッド１とを均一に
接触させて研磨することができず、半導体ウエハ２の全
面を精密な研磨精度で研磨することができないという問
題がある。
【００１２】本発明は、前記問題点を解決し、半導体ウ
エハ２の全面を均一に研磨できる半導体ウエハの研磨方
法と研磨装置とを提供することを目的とする。
エハ２の全面を均一に研磨できる半導体ウエハの研磨方
法と研磨装置とを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
半導体研磨方法は、半導体ウエハと研磨パッドとを均一
に接触させて研磨することを特徴とする。
半導体研磨方法は、半導体ウエハと研磨パッドとを均一
に接触させて研磨することを特徴とする。
【００１４】この本発明によると、半導体ウエハの全面
を均一に研磨でき、精密な研磨精度が得られる。
を均一に研磨でき、精密な研磨精度が得られる。
【００１５】また、本発明の半導体ウエハの研磨装置
は、半導体ウエハの加圧手段と制御手段とを設けたこと
を特徴とする。
は、半導体ウエハの加圧手段と制御手段とを設けたこと
を特徴とする。
【００１６】この本発明によると、半導体ウエハの精密
な研磨が容易に実現できる。
な研磨が容易に実現できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】請求項１記載の半導体ウエハの研
磨方法は、半導体ウエハを保持具にセットして前記半導
体ウエハを研磨パッドに接触させ、半導体ウエハの面を
研磨するに際し、半導体ウエハの反り量に応じて加圧面
内の加圧力を可変して半導体ウエハと研磨パッドとを均
一に接触させて研磨することを特徴とする。
磨方法は、半導体ウエハを保持具にセットして前記半導
体ウエハを研磨パッドに接触させ、半導体ウエハの面を
研磨するに際し、半導体ウエハの反り量に応じて加圧面
内の加圧力を可変して半導体ウエハと研磨パッドとを均
一に接触させて研磨することを特徴とする。
【００１８】この構成によると、半導体ウエハの全面を
均一に研磨でき、精密な研磨精度を得ることができる。
均一に研磨でき、精密な研磨精度を得ることができる。
【００１９】請求項２記載の半導体ウエハの研磨方法
は、請求項１において、保持具の半導体ウエハと対向す
る底面部分を可撓性のある材料にて形成し、保持具内へ
流体を送り込み、前記流体にて底面部分にかかる加圧力
を可変して半導体ウエハと研磨パッドとを均一に接触さ
せて研磨することを特徴とする。
は、請求項１において、保持具の半導体ウエハと対向す
る底面部分を可撓性のある材料にて形成し、保持具内へ
流体を送り込み、前記流体にて底面部分にかかる加圧力
を可変して半導体ウエハと研磨パッドとを均一に接触さ
せて研磨することを特徴とする。
【００２０】この構成によると、半導体ウエハを保持具
にセットした際に生じる反りに対し、研磨パッドの側に
凸になった部分に対しては圧力を低く、凹になった部分
には圧力を高くなるような圧力制御を容易に実現でき
る。
にセットした際に生じる反りに対し、研磨パッドの側に
凸になった部分に対しては圧力を低く、凹になった部分
には圧力を高くなるような圧力制御を容易に実現でき
る。
【００２１】請求項３記載の半導体ウエハの研磨方法
は、請求項１において、保持具の半導体ウエハと対向す
る底面部分を可撓性のある材料にて形成し、前記保持部
の底面部分に複数の圧電素子を設け、前記圧電素子のそ
れぞれに電圧をかけてその厚み方向に変化させ、保持具
の底面部分にかかる加圧力を可変して半導体ウエハと研
磨パッドとを均一に接触させることを特徴とする。
は、請求項１において、保持具の半導体ウエハと対向す
る底面部分を可撓性のある材料にて形成し、前記保持部
の底面部分に複数の圧電素子を設け、前記圧電素子のそ
れぞれに電圧をかけてその厚み方向に変化させ、保持具
の底面部分にかかる加圧力を可変して半導体ウエハと研
磨パッドとを均一に接触させることを特徴とする。
【００２２】この構成によっても、上記と同様の効果が
得られる。
得られる。
【００２３】請求項４記載の半導体ウエハの研磨装置
は、研磨パッドを載置し回転自在に構成された回転台
と、半導体ウエハを保持し回転自在に構成された保持具
と、前記保持具の内部に設けられ保持した半導体ウエハ
を加圧する加圧手段と、半導体ウエハの反り量に応じて
前記加圧手段の圧力を可変する圧力制御手段とを設けた
ことを特徴とする。
は、研磨パッドを載置し回転自在に構成された回転台
と、半導体ウエハを保持し回転自在に構成された保持具
と、前記保持具の内部に設けられ保持した半導体ウエハ
を加圧する加圧手段と、半導体ウエハの反り量に応じて
前記加圧手段の圧力を可変する圧力制御手段とを設けた
ことを特徴とする。
【００２４】この構成によると、制御性に優れ、再現性
の良い半導体ウエハの研磨が実現できる。
の良い半導体ウエハの研磨が実現できる。
【００２５】請求項５記載の半導体ウエハの研磨装置
は、請求項４において、加圧手段を、保持具内へ送り込
まれた流体または保持具の底面部分に複数設けられた圧
電素子にて半導体ウエハを加圧するように構成したこと
を特徴とする。
は、請求項４において、加圧手段を、保持具内へ送り込
まれた流体または保持具の底面部分に複数設けられた圧
電素子にて半導体ウエハを加圧するように構成したこと
を特徴とする。
【００２６】以下、本発明の実施の形態を図１〜図３を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００２７】なお、上記従来例を示す図４と同様をなす
ものについては、同一の符号を付けて説明する。
ものについては、同一の符号を付けて説明する。
【００２８】（実施の形態）図１は、本発明の（実施の
形態）の半導体ウエハの研磨方法を示し、図２と図３は
その具体例を示す。
形態）の半導体ウエハの研磨方法を示し、図２と図３は
その具体例を示す。
【００２９】この（実施の形態）では、従来の半導体ウ
エハの研磨方法よりも研磨精度を向上させるために、研
磨装置に半導体ウエハの加圧手段とこれを制御する圧力
制御手段を設けた点で異なるが、それ以外の基本的な構
成は上記従来例を示す図４とほぼ同様である。
エハの研磨方法よりも研磨精度を向上させるために、研
磨装置に半導体ウエハの加圧手段とこれを制御する圧力
制御手段を設けた点で異なるが、それ以外の基本的な構
成は上記従来例を示す図４とほぼ同様である。
【００３０】詳細には、図１（ａ），（ｂ）に示すよう
に、上記従来例を示す図４（ａ），（ｂ）と同様にして
半導体ウエハ２を保持具３にセットし、半導体ウエハ２
と研磨パッド１とを対向させ両者を互いに回転させる。
に、上記従来例を示す図４（ａ），（ｂ）と同様にして
半導体ウエハ２を保持具３にセットし、半導体ウエハ２
と研磨パッド１とを対向させ両者を互いに回転させる。
【００３１】図１（ｃ）に示す工程では、半導体ウエハ
２を研磨パッド１に対して垂直方向下向きに加圧して研
磨するが、上記従来例を示す図４（ｃ）とは異なり、保
持具３の内部に加圧手段とこれを制御する圧力制御手段
とを設け、保持具３の底面部３ａにかかる圧力Ｐを半導
体ウエハ２の反り量に応じて可変にし、半導体ウエハ２
と研磨パッド１とを均一に接触させて研磨する。
２を研磨パッド１に対して垂直方向下向きに加圧して研
磨するが、上記従来例を示す図４（ｃ）とは異なり、保
持具３の内部に加圧手段とこれを制御する圧力制御手段
とを設け、保持具３の底面部３ａにかかる圧力Ｐを半導
体ウエハ２の反り量に応じて可変にし、半導体ウエハ２
と研磨パッド１とを均一に接触させて研磨する。
【００３２】すなわち、研磨パッド１に対して凹になっ
た半導体ウエハ２の中央部は、周辺部に較べて高い圧力
にて加圧し、研磨パッド１に対して凸になった半導体ウ
エハ２の周辺部は、中央部よりも低い圧力にて加圧する
ように、圧力制御手段にて圧力Ｐを調整する。
た半導体ウエハ２の中央部は、周辺部に較べて高い圧力
にて加圧し、研磨パッド１に対して凸になった半導体ウ
エハ２の周辺部は、中央部よりも低い圧力にて加圧する
ように、圧力制御手段にて圧力Ｐを調整する。
【００３３】このように、保持具３にセットされた半導
体ウエハ２の反り、すなわち研磨パット１に対する凹凸
の状態に併せて加圧状態を制御することで、半導体ウエ
ハ２の全面が研磨パッド１と接触するようになり、精度
のよい研磨が実現できる。
体ウエハ２の反り、すなわち研磨パット１に対する凹凸
の状態に併せて加圧状態を制御することで、半導体ウエ
ハ２の全面が研磨パッド１と接触するようになり、精度
のよい研磨が実現できる。
【００３４】加圧手段と底面部３ａにかかる圧力Ｐを調
整する圧力調整手段としては、例えば図２に示すように
構成された研磨装置が用いられる。
整する圧力調整手段としては、例えば図２に示すように
構成された研磨装置が用いられる。
【００３５】保持具３の半導体ウエハ２と対向する底面
部分３ａは、可撓性のある材料にて形成されている。ま
た、保持具３の内部は、底面部３ａの側に凸形状に撓ん
だ可撓性のある仕切りにて２つの部屋に区別されてお
り、仕切りよりも上部にあり底面部３ａの中央部を加圧
するように構成された部屋１１と、仕切りよりも下部に
あり底面部３ａの外周部を加圧するように構成された部
屋１２とが設けられている。
部分３ａは、可撓性のある材料にて形成されている。ま
た、保持具３の内部は、底面部３ａの側に凸形状に撓ん
だ可撓性のある仕切りにて２つの部屋に区別されてお
り、仕切りよりも上部にあり底面部３ａの中央部を加圧
するように構成された部屋１１と、仕切りよりも下部に
あり底面部３ａの外周部を加圧するように構成された部
屋１２とが設けられている。
【００３６】部屋１１には、加圧手段として流体入口６
ａから圧力Ｐ１を有する流体７ａが供給され、部屋１２
には、加圧手段として流体入口６ｂから前記圧力Ｐ１よ
りも低い圧力Ｐ２を有する流体７ｂが供給される。
ａから圧力Ｐ１を有する流体７ａが供給され、部屋１２
には、加圧手段として流体入口６ｂから前記圧力Ｐ１よ
りも低い圧力Ｐ２を有する流体７ｂが供給される。
【００３７】そして、半導体ウエハ１の研磨パッド１の
側に凹となっている部分は圧力Ｐ１を有する液体７ａに
て加圧され、研磨パッド１の側に凸になっている部分は
前記圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ２を有する液体７ｂにて
加圧しながら半導体ウエハ２を研磨パッド１に押圧する
ことにより研磨が行なわれる。
側に凹となっている部分は圧力Ｐ１を有する液体７ａに
て加圧され、研磨パッド１の側に凸になっている部分は
前記圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ２を有する液体７ｂにて
加圧しながら半導体ウエハ２を研磨パッド１に押圧する
ことにより研磨が行なわれる。
【００３８】このようにそれぞれ異なった圧力を有する
流体を保持具３の内部に送り込み、底面部分３ａにかか
る加圧力を可変して半導体ウエハ２と研磨パッド１とを
均一に接触させて研磨することで、研磨精度の良い半導
体ウエハが得られる。
流体を保持具３の内部に送り込み、底面部分３ａにかか
る加圧力を可変して半導体ウエハ２と研磨パッド１とを
均一に接触させて研磨することで、研磨精度の良い半導
体ウエハが得られる。
【００３９】なお、上記図２では、加圧手段として圧力
の異なる２種類の流体７ａ，７ｂを用いたが、本発明は
これに限定されるものではなく、２種類以上の流体を用
いて圧力調整を行なっても良い。
の異なる２種類の流体７ａ，７ｂを用いたが、本発明は
これに限定されるものではなく、２種類以上の流体を用
いて圧力調整を行なっても良い。
【００４０】また、保持具３の底面部分３ａを加圧する
流体としては、特に限定されるものではなく、例えば、
水などの液体や、エアなどの高圧ガスなどが使用でき
る。
流体としては、特に限定されるものではなく、例えば、
水などの液体や、エアなどの高圧ガスなどが使用でき
る。
【００４１】保持部３の底面部３ａにかかる圧力Ｐの調
整は、例えば図３に示すように構成された研磨装置を用
いることによっても実現できる。
整は、例えば図３に示すように構成された研磨装置を用
いることによっても実現できる。
【００４２】保持具３の半導体ウエハ２と対向する底面
部分３ａを可撓性のある材料にて形成する。
部分３ａを可撓性のある材料にて形成する。
【００４３】保持具３の内部には、前記底面部分３ａと
対向する位置に複数の圧電素子８を設け、このそれぞれ
の圧電素子８には配線１０を介してドライバ９を接続す
る。
対向する位置に複数の圧電素子８を設け、このそれぞれ
の圧電素子８には配線１０を介してドライバ９を接続す
る。
【００４４】半導体ウエハ２の反り量に応じて制御した
電圧が圧電素子８にかかると、圧電素子８はその厚み方
向に変化し、その変位差によって保持具３の底面部分３
ａにかかる加圧力が可変される。
電圧が圧電素子８にかかると、圧電素子８はその厚み方
向に変化し、その変位差によって保持具３の底面部分３
ａにかかる加圧力が可変される。
【００４５】このような研磨装置を使用しても、半導体
ウエハ２と研磨パッド１とを均一に接触させながら研磨
することができ、半導体ウエハ２の全面に加圧がかかる
ように制御することができるため、均一で精度の良い研
磨が実現できる。
ウエハ２と研磨パッド１とを均一に接触させながら研磨
することができ、半導体ウエハ２の全面に加圧がかかる
ように制御することができるため、均一で精度の良い研
磨が実現できる。
【００４６】なお、上記（実施の形態）では、半導体ウ
エハ２を加圧するに際し、半導体ウエハ２を研磨パッド
１に対して垂直方向下向きに加圧して研磨するとした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、研磨パッ
ド１の側から半導体ウエハ２の面を加圧してもよいし、
あるいは両方の側から半導体ウエハ２を加圧しても良
い。
エハ２を加圧するに際し、半導体ウエハ２を研磨パッド
１に対して垂直方向下向きに加圧して研磨するとした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、研磨パッ
ド１の側から半導体ウエハ２の面を加圧してもよいし、
あるいは両方の側から半導体ウエハ２を加圧しても良
い。
【００４７】また、研磨パッド１と半導体ウエハ２との
間にスラリー状の研磨剤５を供給しながら互いに回転さ
せ、研磨パッド１の揺動運動を開始させてから研磨パッ
ド１を半導体ウエハ２に加圧させるとしたが、このタイ
ミングは同時でもよい。
間にスラリー状の研磨剤５を供給しながら互いに回転さ
せ、研磨パッド１の揺動運動を開始させてから研磨パッ
ド１を半導体ウエハ２に加圧させるとしたが、このタイ
ミングは同時でもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体ウエハの
研磨方法によれば、半導体ウエハの反り量に応じて加圧
面内の加圧力を可変して半導体ウエハと研磨パッドとを
均一に接触させて研磨することで、半導体ウエハの全面
を均一に研磨することができる。
研磨方法によれば、半導体ウエハの反り量に応じて加圧
面内の加圧力を可変して半導体ウエハと研磨パッドとを
均一に接触させて研磨することで、半導体ウエハの全面
を均一に研磨することができる。
【００４９】また、本発明の半導体ウエハの研磨装置に
よれば、保持具の内部に半導体ウエハの加圧手段とその
圧力制御手段とを設けることで、制御性に優れ、再現性
の良い半導体ウエハの研磨が実現できる。
よれば、保持具の内部に半導体ウエハの加圧手段とその
圧力制御手段とを設けることで、制御性に優れ、再現性
の良い半導体ウエハの研磨が実現できる。
【図１】（実施の形態）における研磨工程とこれに使用
する研磨装置の断面図
する研磨装置の断面図
【図２】（実施の形態）における研磨装置の具体例を示
す断面図
す断面図
【図３】（実施の形態）における別の研磨装置の具体例
を示す断面図
を示す断面図
【図４】従来の半導体ウエハの研磨工程とこれに使用す
る研磨装置の断面図
る研磨装置の断面図
１ 研磨パッド ２ 半導体ウエハ ３ 保持具 ４ 回転台 ５ 研磨剤 ７ａ，７ｂ 液体 ８ 圧電素子 ９ ドライバ
Claims (5)
- 【請求項１】半導体ウエハを保持具にセットして前記半
導体ウエハを研磨パッドに接触させ、半導体ウエハの面
を研磨するに際し、 半導体ウエハの反り量に応じて加圧面内の加圧力を可変
して半導体ウエハと研磨パッドとを均一に接触させて研
磨する半導体ウエハの研磨方法。 - 【請求項２】保持具の半導体ウエハと対向する底面部分
を可撓性のある材料にて形成し、保持具内へ流体を送り
込み、前記流体にて底面部分にかかる加圧力を可変して
半導体ウエハと研磨パッドとを均一に接触させて研磨す
る請求項１記載の半導体ウエハの研磨方法。 - 【請求項３】保持具の半導体ウエハと対向する底面部分
を可撓性のある材料にて形成し、前記保持部の底面部分
に複数の圧電素子を設け、前記圧電素子のそれぞれに電
圧をかけてその厚み方向に変化させ、保持具の底面部分
にかかる加圧力を可変して半導体ウエハと研磨パッドと
を均一に接触させる請求項１記載の半導体ウエハの研磨
方法。 - 【請求項４】研磨パッドを載置し回転自在に構成された
回転台と、 半導体ウエハを保持し回転自在に構成された保持具と、 前記保持具の内部に設けられ保持した半導体ウエハを加
圧する加圧手段と、 半導体ウエハの反り量に応じて前記加圧手段の圧力を可
変する圧力制御手段とを設けた半導体ウエハの研磨装
置。 - 【請求項５】加圧手段を、保持具内へ送り込まれた流体
または保持具の底面部分に複数設けられた圧電素子にて
半導体ウエハを加圧するように構成した請求項４記載の
半導体ウエハの研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP588799A JP2000202759A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 半導体ウエハの研磨方法および研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP588799A JP2000202759A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 半導体ウエハの研磨方法および研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000202759A true JP2000202759A (ja) | 2000-07-25 |
Family
ID=11623416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP588799A Pending JP2000202759A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 半導体ウエハの研磨方法および研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000202759A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009131950A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Noritake Co Ltd | スラブ研削方法およびスラブ研削装置の制御装置 |
| JP2011151151A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Showa Denko Kk | 半導体ウェーハの製造方法 |
| TWI790659B (zh) * | 2020-06-24 | 2023-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有壓電壓力控制的拋光承載頭 |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP588799A patent/JP2000202759A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009131950A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Noritake Co Ltd | スラブ研削方法およびスラブ研削装置の制御装置 |
| JP2011151151A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Showa Denko Kk | 半導体ウェーハの製造方法 |
| TWI790659B (zh) * | 2020-06-24 | 2023-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有壓電壓力控制的拋光承載頭 |
| US11890715B2 (en) | 2020-06-24 | 2024-02-06 | Applied Materials, Inc. | Polishing carrier head with piezoelectric pressure control |
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