JP2000199097A - 酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を使用した太陽電池の製造法 - Google Patents
酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を使用した太陽電池の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良質な酸化亜鉛膜を液相堆積法により効率的
に形成する方法を提供する。 【構成】 酸化亜鉛膜を水溶液から電析にて形成する方
法において、前記水溶液の液面と接するように該水溶液
よりも比重が小さく蒸気圧の低い非水溶性の液体を設け
ることを特徴とする。
に形成する方法を提供する。 【構成】 酸化亜鉛膜を水溶液から電析にて形成する方
法において、前記水溶液の液面と接するように該水溶液
よりも比重が小さく蒸気圧の低い非水溶性の液体を設け
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性基体上に酸化亜
鉛膜を電析により形成する酸化亜鉛膜の形成方法に関す
る。
鉛膜を電析により形成する酸化亜鉛膜の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】酸化亜鉛膜は透明導電膜として太陽光を
電気エネルギーに変換する光起電力素子、液晶ディスプ
レイなどに使われている。従来、水素化非晶質シリコ
ン、水素化非晶質シリコンゲルマニウム、水素化非晶質
シリコンカーバイド、微結晶シリコンまたは多結晶シリ
コンなどからなる光起電力素子においては、長波長領域
における光の収集効率を改善するために、裏面の反射層
が使用されている。かかる反射層は、半導体材料のバン
ド端に近くその吸収の小さくなる波長、即ち８００ｎｍ
から１２００ｎｍの波長の光について有効な反射特性を
示すのが好ましい。この条件を十分に満たす反射層は、
金、銀、銅などの金属で形成された金属層からなるもの
である。また、光閉じ込めとして知られる所定の波長範
囲で光学的に透明な凸凹層を設けることも行われてい
て、一般的には反射層としての前記金属層と半導体活性
層の間に設けて、反射光を有効に利用して短絡電流密度
Ｊｓｃを改善している。さらに、シャントパスによる特
性低下を防止するため、前記金属層と半導体層の間に導
電性を示す透光性の材料による層、即ち透明導電性層を
設けることが行われている。一般的にはこれらの層は、
真空蒸着やスパッタといった方法にて形成され、短絡電
流密度Ｊｓｃにして１ｍＡ／ｃｍ2以上の改善をするよ
うにしている。
電気エネルギーに変換する光起電力素子、液晶ディスプ
レイなどに使われている。従来、水素化非晶質シリコ
ン、水素化非晶質シリコンゲルマニウム、水素化非晶質
シリコンカーバイド、微結晶シリコンまたは多結晶シリ
コンなどからなる光起電力素子においては、長波長領域
における光の収集効率を改善するために、裏面の反射層
が使用されている。かかる反射層は、半導体材料のバン
ド端に近くその吸収の小さくなる波長、即ち８００ｎｍ
から１２００ｎｍの波長の光について有効な反射特性を
示すのが好ましい。この条件を十分に満たす反射層は、
金、銀、銅などの金属で形成された金属層からなるもの
である。また、光閉じ込めとして知られる所定の波長範
囲で光学的に透明な凸凹層を設けることも行われてい
て、一般的には反射層としての前記金属層と半導体活性
層の間に設けて、反射光を有効に利用して短絡電流密度
Ｊｓｃを改善している。さらに、シャントパスによる特
性低下を防止するため、前記金属層と半導体層の間に導
電性を示す透光性の材料による層、即ち透明導電性層を
設けることが行われている。一般的にはこれらの層は、
真空蒸着やスパッタといった方法にて形成され、短絡電
流密度Ｊｓｃにして１ｍＡ／ｃｍ2以上の改善をするよ
うにしている。
【０００３】例えば、「２９ｐ−ＭＦ−２２ステンレス
基体上のａ−ＳｉＧｅ太陽電池における光閉じ込め効
果」（１９９０年秋季）第５１回応用物理学会学術講演
会講演予稿集ｐ７４７（以下、文献１という）及び“Ｐ
−ＬＡ−１５ａ−ＳｉＣ／ａ−Ｓｉ／ａ−ＳｉＧｅ Ｍ
ｕｌｔｉ−Ｂａｎｄｇａｐ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｓｏｌａ
ｒ Ｃｅｌｌｓ Ｗｉｔｈ Ｂａｎｄｇａｐ Ｐｒｏｆ
ｉｌｉｎｇ ”、Ｓａｎｎｏｍｉｙａ ｅｔ ａｌ，．
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｈｅ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＰＶＳＥＣ−５，Ｋｙｏｔ
ｏ，Ｊａｐａｎ，ｐ３８１，１９９０（以下、文献２と
いう）においては、銀原子から構成される反射層につい
て反射率とテクスチャー構造について検討がなされ、反
射層を異なる基体温度で形成した銀の２層堆積とするこ
とで有効な凸凹を形成し、これと酸化亜鉛層とのコンビ
ネーションにて、光閉じ込め効果による短絡電流の増大
を達成できた旨記載されている。こうした光閉じ込め層
として用いられる所謂透明導電層は、抵抗加熱や電子ビ
ームによる真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、ＣＶＤ法などによって形成されるが、タ
ーゲット材料などの作製費が高いことや、使用する真空
装置の償却費の大きいことや、材料の利用効率が高くな
いことから、こうした技術を用いて得られる光電変換素
子の製造コストは高いものになってしまう。こうしたコ
スト高になってしまう問題を解決する手段として、Ｊ．
Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ，．“Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｌｙｔｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｃａｔ
ｈｏｄｉｃ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｏｘｉｄｅ Ｆｉｌ
ｍ”（以下、文献３という）には、亜鉛イオンと硝酸亜
鉛イオンを含有する水溶液から酸化亜鉛膜を作製する方
法が記載されている。また、特開平８−２１７４４３号
公報（以下、文献４という）には、酸化亜鉛膜を亜鉛イ
オンと硝酸イオンを含有する水溶液より作製した場合、
膜質が均一で膜厚制御が容易であり、光学的透明性に優
れたウルツ鉱型構造を得ることができる旨記載されてい
る。
基体上のａ−ＳｉＧｅ太陽電池における光閉じ込め効
果」（１９９０年秋季）第５１回応用物理学会学術講演
会講演予稿集ｐ７４７（以下、文献１という）及び“Ｐ
−ＬＡ−１５ａ−ＳｉＣ／ａ−Ｓｉ／ａ−ＳｉＧｅ Ｍ
ｕｌｔｉ−Ｂａｎｄｇａｐ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｓｏｌａ
ｒ Ｃｅｌｌｓ Ｗｉｔｈ Ｂａｎｄｇａｐ Ｐｒｏｆ
ｉｌｉｎｇ ”、Ｓａｎｎｏｍｉｙａ ｅｔ ａｌ，．
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｈｅ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＰＶＳＥＣ−５，Ｋｙｏｔ
ｏ，Ｊａｐａｎ，ｐ３８１，１９９０（以下、文献２と
いう）においては、銀原子から構成される反射層につい
て反射率とテクスチャー構造について検討がなされ、反
射層を異なる基体温度で形成した銀の２層堆積とするこ
とで有効な凸凹を形成し、これと酸化亜鉛層とのコンビ
ネーションにて、光閉じ込め効果による短絡電流の増大
を達成できた旨記載されている。こうした光閉じ込め層
として用いられる所謂透明導電層は、抵抗加熱や電子ビ
ームによる真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、ＣＶＤ法などによって形成されるが、タ
ーゲット材料などの作製費が高いことや、使用する真空
装置の償却費の大きいことや、材料の利用効率が高くな
いことから、こうした技術を用いて得られる光電変換素
子の製造コストは高いものになってしまう。こうしたコ
スト高になってしまう問題を解決する手段として、Ｊ．
Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ，．“Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｌｙｔｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｃａｔ
ｈｏｄｉｃ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｏｘｉｄｅ Ｆｉｌ
ｍ”（以下、文献３という）には、亜鉛イオンと硝酸亜
鉛イオンを含有する水溶液から酸化亜鉛膜を作製する方
法が記載されている。また、特開平８−２１７４４３号
公報（以下、文献４という）には、酸化亜鉛膜を亜鉛イ
オンと硝酸イオンを含有する水溶液より作製した場合、
膜質が均一で膜厚制御が容易であり、光学的透明性に優
れたウルツ鉱型構造を得ることができる旨記載されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した光閉じ込め用
の層として用いられる透明層は、抵抗加熱や電子ビーム
による真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、ＣＶＤ法などによって形成されているが、タ
ーゲット材料などの作製費が高いことや、真空装置の償
却費の大きいことや、材料の利用効率が高くないことか
ら、これらの技術を用いて得られる光起電力素子の製造
コストは高いものになってしまい、太陽電池を産業的に
応用しようとする上で大きなバリアとなっている。こう
した問題の解決策の一つとして、「水溶液電解によるＺ
ｎＯ膜の作製」（１９９５年秋季）第６５回応用物理学
会学術講演会講演予稿集ｐ４１０（以下、文献５とい
う）に記載されているような液相堆積法による酸化亜鉛
膜の形成技術を使用することが考えられる。しかしなが
ら、太陽電池の円滑な普及を達成するためには、その製
造コストを一層低減し且つその更なる高性能化が要求さ
れるところ、この要求を満足するについては文献５に記
載の酸化亜鉛膜の形成技術は不十分である。
の層として用いられる透明層は、抵抗加熱や電子ビーム
による真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、ＣＶＤ法などによって形成されているが、タ
ーゲット材料などの作製費が高いことや、真空装置の償
却費の大きいことや、材料の利用効率が高くないことか
ら、これらの技術を用いて得られる光起電力素子の製造
コストは高いものになってしまい、太陽電池を産業的に
応用しようとする上で大きなバリアとなっている。こう
した問題の解決策の一つとして、「水溶液電解によるＺ
ｎＯ膜の作製」（１９９５年秋季）第６５回応用物理学
会学術講演会講演予稿集ｐ４１０（以下、文献５とい
う）に記載されているような液相堆積法による酸化亜鉛
膜の形成技術を使用することが考えられる。しかしなが
ら、太陽電池の円滑な普及を達成するためには、その製
造コストを一層低減し且つその更なる高性能化が要求さ
れるところ、この要求を満足するについては文献５に記
載の酸化亜鉛膜の形成技術は不十分である。
【０００５】即ち、上述した酸化亜鉛膜の形成技術によ
れば、酸化亜鉛膜を導電性基板上に形成することは可能
であるものの、高速堆積を行った際に、膜の均質化が困
難であると共に、水溶液中のイオン濃度の分布または、
導電性基板の表面形状により、均一な膜とはならず、粉
状の堆積物が発生し、素子機能を阻害する程の異常堆積
物が形成されることがある。さらに、光起電力素子の半
導体層の光吸収を増大させるような適度な凹凸を有する
ような酸化亜鉛膜を得ることは困難である。また、前記
異常成長は、酸化亜鉛膜上に様々な半導体層、酸化膜層
を堆積し素子を作製した後に、しばしば素子の欠陥とし
て現れ、生産歩留まりを低下させる要因となる。更に、
比較的高温にしなければ良質な酸化亜鉛膜を堆積し難
い。その場合、水、揮発性の薬品などが大気中に蒸発
し、溶液の濃度管理が難しくなる。また、溶液の大気に
よる熱損失もかなりある。こうしたことが良質な酸化亜
鉛膜の効率的形成を難しくしている。
れば、酸化亜鉛膜を導電性基板上に形成することは可能
であるものの、高速堆積を行った際に、膜の均質化が困
難であると共に、水溶液中のイオン濃度の分布または、
導電性基板の表面形状により、均一な膜とはならず、粉
状の堆積物が発生し、素子機能を阻害する程の異常堆積
物が形成されることがある。さらに、光起電力素子の半
導体層の光吸収を増大させるような適度な凹凸を有する
ような酸化亜鉛膜を得ることは困難である。また、前記
異常成長は、酸化亜鉛膜上に様々な半導体層、酸化膜層
を堆積し素子を作製した後に、しばしば素子の欠陥とし
て現れ、生産歩留まりを低下させる要因となる。更に、
比較的高温にしなければ良質な酸化亜鉛膜を堆積し難
い。その場合、水、揮発性の薬品などが大気中に蒸発
し、溶液の濃度管理が難しくなる。また、溶液の大気に
よる熱損失もかなりある。こうしたことが良質な酸化亜
鉛膜の効率的形成を難しくしている。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、上述したような問題が
なくして良質な酸化亜鉛膜の効率的な形成を可能にする
液相堆積法による酸化亜鉛膜の形成方法を提供すること
にある。本発明の他の目的は、溶液の濃度管理及び温度
管理が容易であり、溶液の消費量を低減できて、良質な
酸化亜鉛膜の効率的形成を可能にする実用的な液相堆積
法による酸化亜鉛膜の形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、高性能の光起電力素子（太陽電
池）を低コストで製造することを可能にする液相堆積法
による酸化亜鉛膜の形成方法を提供することにある。本
発明の他の目的は、特に太陽電池における光反射増加層
の構成材料として有用であり、良好な特性を有する太陽
電池を安定して効率的に製造することを可能にする液相
堆積法による酸化亜鉛膜の形成方法を提供することにあ
る。
なくして良質な酸化亜鉛膜の効率的な形成を可能にする
液相堆積法による酸化亜鉛膜の形成方法を提供すること
にある。本発明の他の目的は、溶液の濃度管理及び温度
管理が容易であり、溶液の消費量を低減できて、良質な
酸化亜鉛膜の効率的形成を可能にする実用的な液相堆積
法による酸化亜鉛膜の形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、高性能の光起電力素子（太陽電
池）を低コストで製造することを可能にする液相堆積法
による酸化亜鉛膜の形成方法を提供することにある。本
発明の他の目的は、特に太陽電池における光反射増加層
の構成材料として有用であり、良好な特性を有する太陽
電池を安定して効率的に製造することを可能にする液相
堆積法による酸化亜鉛膜の形成方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の目的
は、酸化亜鉛膜を水溶液から電析にて形成する形成方法
において、前記水溶液面と接するように該水溶液よりも
比重の小さく蒸気圧の低い非水溶性の液体を設ける構成
を採用することにより達成される。前記非水溶性の液体
は主たる成分がロウからなるものである。また前記態様
は、長尺基板を前記水溶液中に導入し及び該水溶液中か
ら導出する部位に前記非水溶性の液体が混入しない手段
を設ける構成を包含する。
は、酸化亜鉛膜を水溶液から電析にて形成する形成方法
において、前記水溶液面と接するように該水溶液よりも
比重の小さく蒸気圧の低い非水溶性の液体を設ける構成
を採用することにより達成される。前記非水溶性の液体
は主たる成分がロウからなるものである。また前記態様
は、長尺基板を前記水溶液中に導入し及び該水溶液中か
ら導出する部位に前記非水溶性の液体が混入しない手段
を設ける構成を包含する。
【０００８】
【作用】上記酸化亜鉛膜の形成方法によれば、水溶液が
空気に直接触れなくなり、大気の対流による熱損失が抑
制され、水溶液の温度管理が容易になる。また、液面か
らの水、揮発性の成分の蒸発を防ぐことが可能となり、
液の濃度管理が容易となる。したがって、水、薬品の補
給量を減少させることができる。また、揮発性の成分の
中には、臭気をもつものや、人体に影響を及ぼすものも
考えられるので、環境維持コストが低減できる。蒸発を
防ぐことは、容器を密閉構造にしたり、プラスチックな
どのフロートを浮かべることによって可能であるが、密
閉構造は、溶液のメンテナンス性に劣る。また、フロー
トを浮かべる方法では、完全には液面を覆うことができ
ないので、液体で覆う方法よりも蒸発を防ぐ能力は低
い。本発明の方法においては、膜形条件の維持管理が容
易であり、均質にして良質の酸化亜鉛膜を効率的に形成
できる。本発明の方法によれば、良質な酸化亜鉛膜を長
期に亘って安定して形成でき、この上に太陽電池を形成
した場合、特性のばらつきが抑えられ、大面積における
変換効率の向上が得られる。また、温度などの条件の変
化によって、膜表面に異常な成長がおきて太陽電池の歩
留まりを落とすようなことが抑えられる。また、このよ
うな異常成長によって引き起こされる太陽電池の耐久性
の低下も抑えられる。
空気に直接触れなくなり、大気の対流による熱損失が抑
制され、水溶液の温度管理が容易になる。また、液面か
らの水、揮発性の成分の蒸発を防ぐことが可能となり、
液の濃度管理が容易となる。したがって、水、薬品の補
給量を減少させることができる。また、揮発性の成分の
中には、臭気をもつものや、人体に影響を及ぼすものも
考えられるので、環境維持コストが低減できる。蒸発を
防ぐことは、容器を密閉構造にしたり、プラスチックな
どのフロートを浮かべることによって可能であるが、密
閉構造は、溶液のメンテナンス性に劣る。また、フロー
トを浮かべる方法では、完全には液面を覆うことができ
ないので、液体で覆う方法よりも蒸発を防ぐ能力は低
い。本発明の方法においては、膜形条件の維持管理が容
易であり、均質にして良質の酸化亜鉛膜を効率的に形成
できる。本発明の方法によれば、良質な酸化亜鉛膜を長
期に亘って安定して形成でき、この上に太陽電池を形成
した場合、特性のばらつきが抑えられ、大面積における
変換効率の向上が得られる。また、温度などの条件の変
化によって、膜表面に異常な成長がおきて太陽電池の歩
留まりを落とすようなことが抑えられる。また、このよ
うな異常成長によって引き起こされる太陽電池の耐久性
の低下も抑えられる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の酸化亜鉛膜の形成方法をさらに詳しく説明する。図
１は本発明の酸化亜鉛膜の形成方法を実施するに適した
装置の一例を模式的に示す。図３は従来の酸化亜鉛膜の
形成方法を行うに適した装置の一例を模式的に示す。図
１及び図３において、１０１及び３０１は容器、１０２
及び３０２は対向電極、１０３及び３０３は被電析物
（基体）、１０４及び３０４は水溶液、１０５及び３０
５は撹拌装置、１０６及び３０６はヒーター、１０７及
び３０７は温度計、１０８は非水溶性液体、をそれぞれ
示す。図１に示すように、容器１０１には水溶液１０４
が満たされており、該水溶液には、亜鉛を含む溶剤、酸
化亜鉛として析出させるための助剤、添加物が溶かし込
んである。このような助剤としては、硝酸、酢酸、蟻
酸、シュウ酸、アンモニアなどが用いられる。さらに添
加物としては炭水化物などが用いられる。助剤の濃度に
より酸化亜鉛膜の堆積速度、配向性、表面形状が変化す
るので、助剤の濃度は一定であることが望ましい。水溶
液１０４は温度計１０７とヒーター１０６によって所定
の温度に維持される。この時、酸化亜鉛として堆積する
ためには溶液温度はおおむね５０℃以上である。また、
不図示の電源によって基体１０３（被電析物）と対向電
極１０２の間には所定の電流が印加される。水溶液１０
４の表面には該水溶液より比重の小さい蒸気圧の低い非
水溶性液体１０８が設けられている。この非水溶性液体
１０８は助剤と反応しないことが好ましい。その主たる
成分として、パラフィン類（ＣnＨ 2n+2）、オレフィン
類（ＣnＨ2n）、油脂、ロウなどが好ましい。具体的に
は、例えば、デカン、オクチレンなど、または、ミスチ
リン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リ
ノール酸、リノレン酸、カプリン酸、ラウリン酸などの
エステルが用いられる。特にロウが好ましい。非水溶性
液体１０８の厚さは、装置１０５による撹拌の度合いに
よるが水溶液１０４の撹拌によって混濁しない厚さとす
ることが好ましく、２ｍｍから５０ｍｍ程度が好まし
い。
明の酸化亜鉛膜の形成方法をさらに詳しく説明する。図
１は本発明の酸化亜鉛膜の形成方法を実施するに適した
装置の一例を模式的に示す。図３は従来の酸化亜鉛膜の
形成方法を行うに適した装置の一例を模式的に示す。図
１及び図３において、１０１及び３０１は容器、１０２
及び３０２は対向電極、１０３及び３０３は被電析物
（基体）、１０４及び３０４は水溶液、１０５及び３０
５は撹拌装置、１０６及び３０６はヒーター、１０７及
び３０７は温度計、１０８は非水溶性液体、をそれぞれ
示す。図１に示すように、容器１０１には水溶液１０４
が満たされており、該水溶液には、亜鉛を含む溶剤、酸
化亜鉛として析出させるための助剤、添加物が溶かし込
んである。このような助剤としては、硝酸、酢酸、蟻
酸、シュウ酸、アンモニアなどが用いられる。さらに添
加物としては炭水化物などが用いられる。助剤の濃度に
より酸化亜鉛膜の堆積速度、配向性、表面形状が変化す
るので、助剤の濃度は一定であることが望ましい。水溶
液１０４は温度計１０７とヒーター１０６によって所定
の温度に維持される。この時、酸化亜鉛として堆積する
ためには溶液温度はおおむね５０℃以上である。また、
不図示の電源によって基体１０３（被電析物）と対向電
極１０２の間には所定の電流が印加される。水溶液１０
４の表面には該水溶液より比重の小さい蒸気圧の低い非
水溶性液体１０８が設けられている。この非水溶性液体
１０８は助剤と反応しないことが好ましい。その主たる
成分として、パラフィン類（ＣnＨ 2n+2）、オレフィン
類（ＣnＨ2n）、油脂、ロウなどが好ましい。具体的に
は、例えば、デカン、オクチレンなど、または、ミスチ
リン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リ
ノール酸、リノレン酸、カプリン酸、ラウリン酸などの
エステルが用いられる。特にロウが好ましい。非水溶性
液体１０８の厚さは、装置１０５による撹拌の度合いに
よるが水溶液１０４の撹拌によって混濁しない厚さとす
ることが好ましく、２ｍｍから５０ｍｍ程度が好まし
い。
【００１０】図２は長尺の基体２０３を水溶液２０４中
に導入し及び該水溶液中から導出する部位に非水溶性液
体２０８が混入しない構成例を示す。図２に示すよう
に、送り出しローラー２１０、巻き取りローラー２０
９、搬送ローラー２１１によって、長尺の基体２０３
（長尺の被電析物）が搬送できるようになっている。図
２において、不図示の電源によって、被電析物２０３と
対向電極２０２の間には所定の電流が印加されている。
被電析物２０３を水溶液２０４中に導入し、または、該
水溶液中から導出する部位には、非水溶性液体２０８が
混入しない手段２１２が設けられている。該手段２１２
としては、たとえば、槽の固定された金属、樹脂などの
しきい、非水溶性液体を囲むように配されたフロートな
どが用いられる。該手段２１２は、水溶液の量が増減し
ても適用できるように十分な深さを持つことが好まし
い。本発明は上記の例に限定されるものではない。
に導入し及び該水溶液中から導出する部位に非水溶性液
体２０８が混入しない構成例を示す。図２に示すよう
に、送り出しローラー２１０、巻き取りローラー２０
９、搬送ローラー２１１によって、長尺の基体２０３
（長尺の被電析物）が搬送できるようになっている。図
２において、不図示の電源によって、被電析物２０３と
対向電極２０２の間には所定の電流が印加されている。
被電析物２０３を水溶液２０４中に導入し、または、該
水溶液中から導出する部位には、非水溶性液体２０８が
混入しない手段２１２が設けられている。該手段２１２
としては、たとえば、槽の固定された金属、樹脂などの
しきい、非水溶性液体を囲むように配されたフロートな
どが用いられる。該手段２１２は、水溶液の量が増減し
ても適用できるように十分な深さを持つことが好まし
い。本発明は上記の例に限定されるものではない。
【００１１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるも
のではない。
【００１２】
【実施例１】図１に示す装置を用いた。対向電極１０２
としては、厚さ１０ｍｍのステンレスに、チタンを２０
０ｎｍスパッタしたものを用い、基体１０３（被電析
物）にはステンレス４３０ＢＡ（厚さ０．８ｍｍ）を用
いた。水溶液は６５℃、０．０２５ｍｏｌ／ｌの酢酸亜
鉛の水溶液とし、印加電流は、１０ｍＡ／ｃｍ2（１Ａ
／ｄｍ2）とし、被電析物１０３が負となるようにし
た。水溶液の温度はヒーター１０６と温度計１０７で所
望の温度となるように制御した。非水溶性液体１０８と
して、大豆油を用いた。大豆油の厚さは１ｃｍとした。
このようにして、酸化亜鉛膜を１μｍ堆積した。
としては、厚さ１０ｍｍのステンレスに、チタンを２０
０ｎｍスパッタしたものを用い、基体１０３（被電析
物）にはステンレス４３０ＢＡ（厚さ０．８ｍｍ）を用
いた。水溶液は６５℃、０．０２５ｍｏｌ／ｌの酢酸亜
鉛の水溶液とし、印加電流は、１０ｍＡ／ｃｍ2（１Ａ
／ｄｍ2）とし、被電析物１０３が負となるようにし
た。水溶液の温度はヒーター１０６と温度計１０７で所
望の温度となるように制御した。非水溶性液体１０８と
して、大豆油を用いた。大豆油の厚さは１ｃｍとした。
このようにして、酸化亜鉛膜を１μｍ堆積した。
【００１３】
【実施例２】非水溶性液体１０８として、パラフィンロ
ウを用い、パラフィンロウの厚さは１ｃｍとした以外は
実施例１と同様にして酸化亜鉛膜を堆積した。
ウを用い、パラフィンロウの厚さは１ｃｍとした以外は
実施例１と同様にして酸化亜鉛膜を堆積した。
【００１４】
【比較例１】非水溶性液体１０８を設けなかった以外は
実施例１と同様に電解析出を行った。即ち、本比較例１
においては図３に示す装置を用いた。
実施例１と同様に電解析出を行った。即ち、本比較例１
においては図３に示す装置を用いた。
【００１５】実施例１及び２及び比較例１のそれぞれに
おいて、毎回、溶液の濃度、量、温度を調整し、２００
回電析を行ったときの特性のばらつきを比べた。結果を
表１に示す。即ち、それぞれについて以下の評価を行っ
た。 （１）目視により異常成長の確認を行った。 （２）自記分光光度計（日本分光Ｖ５７０）にて波長８
００ｎｍにおける反射率を測定した。 （３）干渉より膜厚を求めた。 （４）ヒーターの電力量の総計と投入した酢酸溶液量
（それぞれ実施例１との相対比較）。
おいて、毎回、溶液の濃度、量、温度を調整し、２００
回電析を行ったときの特性のばらつきを比べた。結果を
表１に示す。即ち、それぞれについて以下の評価を行っ
た。 （１）目視により異常成長の確認を行った。 （２）自記分光光度計（日本分光Ｖ５７０）にて波長８
００ｎｍにおける反射率を測定した。 （３）干渉より膜厚を求めた。 （４）ヒーターの電力量の総計と投入した酢酸溶液量
（それぞれ実施例１との相対比較）。
【００１６】表１の結果から、本発明を適用した実施例
１が温度維持が優れており、また、溶液の消費量も少な
いことが理解される。また、温度、溶液の濃度管理が容
易になった結果、特性のばらつきが減少したと思われ
る。また、実施例２のパラフィンロウは実施例１の大豆
油に比べ、変質が少なく、４００回電析を繰り返しても
酸化亜鉛膜の特性が維持されており、さらに良好であっ
た。
１が温度維持が優れており、また、溶液の消費量も少な
いことが理解される。また、温度、溶液の濃度管理が容
易になった結果、特性のばらつきが減少したと思われ
る。また、実施例２のパラフィンロウは実施例１の大豆
油に比べ、変質が少なく、４００回電析を繰り返しても
酸化亜鉛膜の特性が維持されており、さらに良好であっ
た。
【００１７】
【実施例３】本実施例では、図２に示す装置を用いた。
長尺基板は送り出しローラー２１０から送り出され、搬
送ローラー２１１によって水溶液２０４中に搬送され
て、巻き取りローラー２０９で巻き取られる。容器２０
１には非水溶性液体２０８が混入しない手段２１２が設
けられている。該手段２１２は、槽の固定された金属製
の環状のしきいで構成されている。対向電極２０２とし
ては、厚さ１０ｍｍの亜鉛電極（４Ｎ−Ｚｎ）を用い、
被電析物２０３にはステンレス４３０ＢＡ（厚さ０．１
２ｍｍ、幅３０ｃｍ、長さ１０００ｍ）の長尺基板を用
いた。水溶液２０４は７５℃、０．１５ｍｏｌ／ｌの硝
酸亜鉛の水溶液とし、印加電流は、２０ｍＡ／ｃｍ
2（２Ａ／ｄｍ2）とし、被電析物２０３が負となるよう
にした。水溶液２０４の温度はヒーター２０６と温度計
２０７で所望の温度となるように制御した。非水溶性液
体２０８として、パラフィンロウを用いた。パラフィン
ロウの厚さは１ｃｍとした。このようにして、酸化亜鉛
膜を１μｍ堆積した。
長尺基板は送り出しローラー２１０から送り出され、搬
送ローラー２１１によって水溶液２０４中に搬送され
て、巻き取りローラー２０９で巻き取られる。容器２０
１には非水溶性液体２０８が混入しない手段２１２が設
けられている。該手段２１２は、槽の固定された金属製
の環状のしきいで構成されている。対向電極２０２とし
ては、厚さ１０ｍｍの亜鉛電極（４Ｎ−Ｚｎ）を用い、
被電析物２０３にはステンレス４３０ＢＡ（厚さ０．１
２ｍｍ、幅３０ｃｍ、長さ１０００ｍ）の長尺基板を用
いた。水溶液２０４は７５℃、０．１５ｍｏｌ／ｌの硝
酸亜鉛の水溶液とし、印加電流は、２０ｍＡ／ｃｍ
2（２Ａ／ｄｍ2）とし、被電析物２０３が負となるよう
にした。水溶液２０４の温度はヒーター２０６と温度計
２０７で所望の温度となるように制御した。非水溶性液
体２０８として、パラフィンロウを用いた。パラフィン
ロウの厚さは１ｃｍとした。このようにして、酸化亜鉛
膜を１μｍ堆積した。
【００１８】
【比較例２】非水溶性液体２０８を設けなかった以外は
実施例３と同様に電解析出を行った。
実施例３と同様に電解析出を行った。
【００１９】実施例３及び比較例２のそれぞれにおい
て、１ロールの電析を行ったときの長手方向の特性のば
らつきを比べた。結果を表２に示す。即ち、それぞれに
ついて以下の評価を行った。 （１）目視により異常成長の確認を行った。 （２）自記分光光度計にて波長８００ｎｍにおける反射
率を測定した。 （３）干渉より膜厚を求めた。 （４）ヒーターの電力量の総計と投入した酢酸溶液量
（実施例３との相対比較）。
て、１ロールの電析を行ったときの長手方向の特性のば
らつきを比べた。結果を表２に示す。即ち、それぞれに
ついて以下の評価を行った。 （１）目視により異常成長の確認を行った。 （２）自記分光光度計にて波長８００ｎｍにおける反射
率を測定した。 （３）干渉より膜厚を求めた。 （４）ヒーターの電力量の総計と投入した酢酸溶液量
（実施例３との相対比較）。
【００２０】実施例３において、パラフィンロウの付着
は全く見られなかった。以上から、本発明を適用した実
施例３では、温度維持が優れており、また、溶液の消費
量も少ない。また、温度、溶液の濃度管理が容易になっ
た結果、特性のばらつきが減少したと思われる。
は全く見られなかった。以上から、本発明を適用した実
施例３では、温度維持が優れており、また、溶液の消費
量も少ない。また、温度、溶液の濃度管理が容易になっ
た結果、特性のばらつきが減少したと思われる。
【００２１】
【実施例４】本実施例では、図２に示す装置を用いた。
対向電極２０２としては、厚さ１０ｍｍの亜鉛電極（４
Ｎ−Ｚｎ）を用い、被電析物２０３にはステンレス４３
０ＢＡ（厚さ０．１２ｍｍ、幅３０ｃｍ、長さ１０００
ｍ）の上にロール・トゥ・ロール方式のスパッタ装置を
用いて連続してＡｇを０．２μｍ堆積した長尺基板を用
いた。水溶液２０４は７５℃、０．１５ｍｏｌ／ｌの硝
酸亜鉛の水溶液とし、印加電流は、２０ｍＡ／ｃｍ
2（２Ａ／ｄｍ2）とし、被電析物２０３が負となるよう
にした。水溶液２０４の温度はヒーター２０６と温度計
２０７で所望の温度となるように制御した。非水溶性液
体２０８として、パラフィンロウを用いた。パラフィン
ロウの厚さは１ｃｍとした。酸化亜鉛薄膜は１μｍ堆積
した。このように作製した基板に、ロール・トゥ・ロー
ル方式で水素化アモルファスシリコンからなるｎ型半導
体層、ｉ型半導体層、ｐ型半導体層、及び上部透明電極
を順次形成し、太陽電池を得た。得られた太陽電池を、
長手方向に１０ｍおきに５ｃｍ×５ｃｍで１００サンプ
ル作製した。さらに、同様にして、１０本のロールを作
製した。
対向電極２０２としては、厚さ１０ｍｍの亜鉛電極（４
Ｎ−Ｚｎ）を用い、被電析物２０３にはステンレス４３
０ＢＡ（厚さ０．１２ｍｍ、幅３０ｃｍ、長さ１０００
ｍ）の上にロール・トゥ・ロール方式のスパッタ装置を
用いて連続してＡｇを０．２μｍ堆積した長尺基板を用
いた。水溶液２０４は７５℃、０．１５ｍｏｌ／ｌの硝
酸亜鉛の水溶液とし、印加電流は、２０ｍＡ／ｃｍ
2（２Ａ／ｄｍ2）とし、被電析物２０３が負となるよう
にした。水溶液２０４の温度はヒーター２０６と温度計
２０７で所望の温度となるように制御した。非水溶性液
体２０８として、パラフィンロウを用いた。パラフィン
ロウの厚さは１ｃｍとした。酸化亜鉛薄膜は１μｍ堆積
した。このように作製した基板に、ロール・トゥ・ロー
ル方式で水素化アモルファスシリコンからなるｎ型半導
体層、ｉ型半導体層、ｐ型半導体層、及び上部透明電極
を順次形成し、太陽電池を得た。得られた太陽電池を、
長手方向に１０ｍおきに５ｃｍ×５ｃｍで１００サンプ
ル作製した。さらに、同様にして、１０本のロールを作
製した。
【００２２】
【比較例３】非水溶性液体２０８を設けなかった以外は
実施例４と同様に電解析出を行った後、太陽電池を作製
した。
実施例４と同様に電解析出を行った後、太陽電池を作製
した。
【００２３】実施例４及び比較例３で得られたサンプル
について以下の評価を行った。 （１）ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の擬似太陽光下
で、光電変換効率を測定し、ロール内での特性の分布、
ロール毎のばらつきを評価した。 （２）振動劣化試験を予め初期光電変換効率を測定して
おいた太陽電池を湿度５０％、温度２５℃の暗所に設置
し、振動周波数６０Ｈｚで振幅０．１ｍｍの振動を５０
０時間加えた後の、ＡＭ１．５光照射下での光電変換効
率の低下率（振動劣化試験後の光電変換効率／初期光電
変換効率）により行った。 （３）高温高湿逆バイアス試験は、予め初期光電変換効
率を測定しておいた太陽電池を湿度８５％、温度８５℃
の暗所に設置し、逆バイアス−０．８５Ｖを５００時間
加えた後の、リーク電流の増加率（高温高湿逆バイアス
試験後のリーク電流／初期のリーク電流）により行っ
た。 以上の評価結果を表３に示す。
について以下の評価を行った。 （１）ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の擬似太陽光下
で、光電変換効率を測定し、ロール内での特性の分布、
ロール毎のばらつきを評価した。 （２）振動劣化試験を予め初期光電変換効率を測定して
おいた太陽電池を湿度５０％、温度２５℃の暗所に設置
し、振動周波数６０Ｈｚで振幅０．１ｍｍの振動を５０
０時間加えた後の、ＡＭ１．５光照射下での光電変換効
率の低下率（振動劣化試験後の光電変換効率／初期光電
変換効率）により行った。 （３）高温高湿逆バイアス試験は、予め初期光電変換効
率を測定しておいた太陽電池を湿度８５％、温度８５℃
の暗所に設置し、逆バイアス−０．８５Ｖを５００時間
加えた後の、リーク電流の増加率（高温高湿逆バイアス
試験後のリーク電流／初期のリーク電流）により行っ
た。 以上の評価結果を表３に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【発明の効果】本発明の酸化亜鉛の形成法によれば、作
製条件の制御が容易になり、実用に適した低いコストで
ありながら、高い歩留まりで高品質の酸化亜鉛膜を形成
できる。さらに、本発明の形成法で作製した酸化亜鉛膜
を用いることによって太陽電池の効率、耐久性、歩留ま
りは改善される。
製条件の制御が容易になり、実用に適した低いコストで
ありながら、高い歩留まりで高品質の酸化亜鉛膜を形成
できる。さらに、本発明の形成法で作製した酸化亜鉛膜
を用いることによって太陽電池の効率、耐久性、歩留ま
りは改善される。
【図１】本発明の酸化亜鉛膜の形成方法を実施するに適
した装置の一例を模式的に示す図である。
した装置の一例を模式的に示す図である。
【図２】本発明の酸化亜鉛膜の形成方法を実施するに適
した装置の他の一例を模式的に示す図である。
した装置の他の一例を模式的に示す図である。
【図３】従来の酸化亜鉛膜形成装置の一例を模式的に示
す図である。
す図である。
１０１ 容器 １０２ 対向電極 １０３ 被電析物 １０４ 水溶液 １０５ 撹拌装置 １０６ ヒーター １０７ 温度計 １０８ 非水溶性液体 ２０１ 容器 ２０２ 対向電極 ２０３ 被電析物 ２０４ 水溶液 ２０５ 撹拌装置 ２０６ ヒーター ２０７ 温度計 ２０８ 非水溶性液体 ２０９ 巻き取りローラー ２１０ 送り出しローラー ２１１ 搬送ローラー ２１２ 非水溶性液体が混入しない手段 ３０１ 容器 ３０２ 対向電極 ３０３ 被電析物 ３０４ 水溶液 ３０５ 撹拌装置 ３０６ ヒーター ３０７ 温度計
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G047 AA02 AB02 AC03 AD02 4K024 AA00 AA05 AA17 BA04 BB12 BB27 BC01 CB01 CB03 CB19 CB26 GA16 5F051 BA14 BA17 CB15 CB27 FA02 GA02 5H032 AA06 AS16 BB07 EE02 EE18
Claims (4)
- 【請求項１】 酸化亜鉛膜を水溶液から電析にて導電性
基体上に形成する方法において、前記水溶液の液面と接
するように該水溶液よりも比重が小さく蒸気圧の低い非
水溶性の液体を設けることを特徴とする酸化亜鉛膜の形
成方法。 - 【請求項２】 前記非水溶性の液体は主な成分がロウか
らなることを特徴とする請求項１に記載の酸化亜鉛膜の
形成方法。 - 【請求項３】 長尺の導電性基体を前記水溶液中に導入
し及び該水溶液中から導出する部位に前記非水溶性の液
体が混入しない手段を設けることを特徴とする請求項１
に記載の酸化亜鉛膜の形成方法。 - 【請求項４】 導電性基体上に酸化亜鉛膜からなる下部
透明導電層を形成し、該透明導電層上に、半導体層を形
成することからなる太陽電池の製造方法において、前記
酸化亜鉛膜を水溶液から電析にて形成し、その際前記水
溶液の液面と接するように該水溶液よりも比重が小さく
蒸気圧の低い非水溶性の液体を設けることを特徴とする
太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10377714A JP2000199097A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を使用した太陽電池の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10377714A JP2000199097A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を使用した太陽電池の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000199097A true JP2000199097A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=18509098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10377714A Withdrawn JP2000199097A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を使用した太陽電池の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000199097A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002100416A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-04-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および光電池 |
| WO2002047175A2 (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Zno substrate for solar cells and manufacturing process |
| WO2007007617A1 (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Daikin Industries, Ltd. | 有機溶媒存在下での表面処理 |
| JP2008081363A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸化亜鉛粒子ならびに酸化亜鉛粒子膜及びそれらの作製方法 |
| WO2011067893A1 (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | パナソニック株式会社 | 基板およびその製造方法 |
| CN112975011A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-18 | 广东工业大学 | 一种高定域性微沟槽电解加工装置及方法 |
-
1998
- 1998-12-28 JP JP10377714A patent/JP2000199097A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002100416A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-04-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および光電池 |
| WO2002047175A2 (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Zno substrate for solar cells and manufacturing process |
| WO2002047175A3 (en) * | 2000-12-04 | 2003-02-20 | Canon Kk | Zno substrate for solar cells and manufacturing process |
| US6660931B2 (en) | 2000-12-04 | 2003-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for solar cell, solar cell having the same, and production process of solar cell |
| WO2007007617A1 (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Daikin Industries, Ltd. | 有機溶媒存在下での表面処理 |
| JP2008081363A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸化亜鉛粒子ならびに酸化亜鉛粒子膜及びそれらの作製方法 |
| WO2011067893A1 (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | パナソニック株式会社 | 基板およびその製造方法 |
| US8268153B2 (en) | 2009-12-04 | 2012-09-18 | Panasonic Corporation | Substrate and method for fabricating the same |
| US8663802B2 (en) | 2009-12-04 | 2014-03-04 | Panasonic Corporation | Substrate and method for fabricating the same |
| CN112975011A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-18 | 广东工业大学 | 一种高定域性微沟槽电解加工装置及方法 |
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