JP2000191887A

JP2000191887A - 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法

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Publication number: JP2000191887A
Application number: JP20821799A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Yamaguchi; 美穂山口; Hiroko Yamamoto; 裕子山本
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1998-07-22
Filing date: 1999-07-22
Publication date: 2000-07-11
Anticipated expiration: 2019-07-22
Also published as: JP4267769B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半田耐熱性，耐湿信頼性および難燃性に優れる
とともに、環境汚染等の問題も生じない半導体封止用樹
脂組成物を提供する。【解決手段】下記の（イ）〜（ハ）成分を含有する半導
体封止用樹脂組成物である。（イ）熱硬化性樹脂。（ロ）ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノール樹
脂および下記の一般式（Ｘ）で表されるフェノール樹脂
の少なくとも一方。【化１】（ハ）下記の一般式（１）で表される多面体形状の複合
化金属水酸化物。【化２】ｍ（Ｍ_aＯ_b）・ｎ（Ｑ_dＯ_e）・ｃＨ₂Ｏ …（１）〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VII
ａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素
である。また、ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは正数であ
って、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であ
ってもよい。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性、半田耐熱
性、耐湿信頼性および流動性に優れ、かつ環境問題等安
全性に関しても問題のない半導体封止用樹脂組成物およ
びそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子は、従来セラミック等によって封止され半導体装置
化されていたが、最近では、コスト，量産性の観点か
ら、プラスチックを用いた樹脂封止型の半導体装置が主
流になっている。この種の樹脂封止には、従来からエポ
キシ樹脂組成物が用いられており良好な成績を収めてい
る。しかし、半導体分野の技術革新によって集積度の向
上とともに素子サイズの大形化，配線の微細化が進み、
パッケージも小形化，薄形化する傾向にあり、これに伴
って封止材料に対してより以上の信頼性の向上が要望さ
れている。

【０００３】一方、半導体装置等の電子部品は、難燃性
の規格であるＵＬ９４Ｖ−０に適合することが必要不
可欠であり、従来から、半導体封止用樹脂組成物に難燃
作用を付与する方法として、臭素化エポキシ樹脂や酸化
アンチモン等のアンチモン化合物を添加する方法が一般
的に行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記難
燃化付与技術に関して２つの大きな問題があった。

【０００５】第１の問題点として、上記アンチモン化合
物自身の有害性，燃焼時に臭化水素，ブロム系ガス，臭
素化アンチモン等の発生による人体への有害性や環境汚
染が問題となったり、機器への腐食性が問題となってい
る。

【０００６】第２の問題点としては、上記難燃化付与技
術を採用した半導体装置を高温で長時間放置すると、遊
離した臭素の影響で半導体素子上のアルミニウム配線が
腐食し、半導体装置の故障の原因となり高温信頼性の低
下が問題となっている。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、半田耐熱性，耐湿信頼性および難燃性に優れる
とともに、環境汚染等の問題も生じない半導体封止用樹
脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体
装置の製法の提供を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の（イ）〜（ハ）成分を含有する半
導体封止用樹脂組成物を第１の要旨とする。（イ）エポキシ樹脂。（ロ）ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノール樹
脂および下記の一般式（Ｘ）で表されるフェノール樹脂
の少なくとも一方。

【化３】（ハ）下記の一般式（１）で表される多面体形状の複合
化金属水酸化物。

【化４】ｍ（Ｍ_aＯ_b）・ｎ（Ｑ_dＯ_e）・ｃＨ₂Ｏ …（１）〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VII
ａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素
である。また、ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは正数であ
って、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であ
ってもよい。〕

【０００９】また、本発明は、上記半導体封止用樹脂組
成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第
２の要旨とする。

【００１０】そして、本発明は、上記半導体封止用樹脂
組成物を用いトランスファー成形法により半導体素子を
樹脂封止して半導体装置を製造する半導体装置の製法、
また上記半導体封止用樹脂組成物からなるシート状封止
材料を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製法を
第３の要旨とする。

【００１１】なお、本発明の半導体封止用樹脂組成物に
おける（ハ）成分の、多面体形状の複合化金属水酸化物
とは、図２に示すような、六角板形状を有するもの、あ
るいは、鱗片状等のように、いわゆる厚みの薄い平板形
状の結晶形状を有するものではなく、縦，横とともに厚
み方向（ｃ軸方向）への結晶成長が大きい、例えば、板
状結晶のものが厚み方向（ｃ軸方向）に結晶成長してよ
り立体的かつ球状に近似させた粒状の結晶形状、例え
ば、略１２面体，略８面体，略４面体等の形状を有する
複合化金属水酸化物をいい、通常、これらの混合物であ
る。もちろん、上記多面体形状は、結晶の成長のしかた
以外にも、粉砕や摩砕等によっても多面体の形は変化
し、より立体的かつ球状に近似させうることができる。
この多面体形状の複合化金属水酸化物の結晶形状を表す
走査型電子顕微鏡写真（倍率５００００倍）の一例を図
１に示す。

【００１２】本発明の複合化金属水酸化物の形状につい
て、略８面体形状のものを例にしてさらに詳細に説明す
る。すなわち、本発明の複合化金属水酸化物の一例であ
る８面体形状のものは、平行な上下２面の基底面と外周
６面の角錐面とからなり、上記角錐面が上向き傾斜面と
下向き傾斜面とが交互に配設された８面体形状を呈して
いる。

【００１３】より詳しく説明すると、従来の厚みの薄い
平板形状の結晶形状を有するものは、例えば、結晶構造
としては六方晶系であり、図３に示すように、ミラー・
ブラベー指数において（００・１）面で表される上下２
面の基底面１０と、｛１０・０｝の型面に属する６面の
角筒面１１で外周が囲まれた六角柱状である。そして、
〔００１〕方向（ｃ軸方向）への結晶成長が少ないた
め、薄い六角柱状を呈している。

【００１４】これに対し、本発明の複合化金属水酸化物
は、図４に示すように、結晶成長時の晶癖制御により、
（００・１）面で表される上下２面の基底面１２と、
｛１０・１｝の型面に属する６面の角錘面１３で外周が
囲まれている。そして、上記角錘面１３は、（１０・
１）面等の上向き傾斜面１３ａと、（１０・−１）面等
の下向き傾斜面１３ｂとが交互に配設された特殊な晶癖
を有する８面体形状を呈している。また、ｃ軸方向への
結晶成長も従来のものに比べて大きい。図４に示すもの
は、板状に近い形状であるが、さらにｃ軸方向への結晶
成長が進み、晶癖が顕著に現れて等方的になったものを
図５に示す。このように、本発明の複合化金属水酸化物
は、正８面体に近い形状ものも含むのである。すなわ
ち、基底面の長軸径と基底面間の厚みとの比率（長軸径
／厚み）は、１〜９が好適である。この長軸径と厚みと
の比率の上限値としてより好適なのは、７である。な
お、上記ミラー・ブラベー指数において、「１バー」
は、「−１」と表示した。

【００１５】このように、本発明の複合化金属水酸化物
が、外周を囲む６つの面が、｛１０・１｝に属する角錘
面であることは、つぎのことからわかる。すなわち、本
発明の複合化金属水酸化物の結晶を、ｃ軸方向から走査
型電子顕微鏡で観察すると、この結晶は、ｃ軸を回転軸
とする３回回転対称を呈している。また、粉末Ｘ線回折
による格子定数の測定値を用いた（１０・１）面と｛１
０・１｝の型面との面間角度の計算値が、走査型電子顕
微鏡観察における面間角度の測定値とほぼ一致する。

【００１６】さらに、本発明の複合化金属水酸化物は、
粉末Ｘ線回折における（１１０）面のピークの半価幅Ｂ
₁₁₀と、（００１）面のピークの半価幅Ｂ₀₀₁との比
（Ｂ₁₁ ₀／Ｂ₀₀₁）が、１．４以上である。このことか
らも、ｃ軸方向への結晶性が良いことと、厚みが成長し
ていることが確認できる。すなわち、従来の水酸化マグ
ネシウム等の結晶では、ｃ軸方向への結晶が成長してお
らず、（００１）面のピークがブロードで半価幅Ｂ₀₀₁
も大きくなる。したがって（Ｂ₁₁₀／Ｂ₀₀₁）の価は、
小さくなる。これに対し、本発明の複合化金属水酸化物
では、ｃ軸方向の結晶性が良いために、（００１）面の
ピークが鋭く、細くなり、半価幅Ｂ₀₀₁も小さくなる。
したがって（Ｂ₁₁₀／Ｂ₀₀₁）の価が大きくなるのであ
る。

【００１７】すなわち、本発明者らは、半田耐熱性，耐
湿信頼性および難燃性に優れるとともに、環境汚染等の
問題も生じない半導体封止用樹脂組成物を得るために一
連の研究を重ねた。その結果、従来用いられている難燃
剤に代えて、上記多面体形状を有する複合化金属水酸化
物を用いるとともに、エポキシ樹脂の硬化剤として、ジ
シクロペンタジエン骨格を有するフェノール樹脂および
前記一般式（Ｘ）で表されるフェノール樹脂の少なくと
も一方を用いると、環境汚染等の問題が生じることな
く、優れた半田耐熱性，難燃性および耐湿信頼性が得ら
れることを見出し本発明に到達した。

【００１８】そして、上記多面体形状を有する複合化金
属水酸化物として、前記特定の粒度分布を有する、細か
な粒径の複合化金属水酸化物を用いることにより、非常
に優れた流動性の低下抑制がなされ、トランスファー成
形時等において問題が生じず、成形性の向上が実現する
ことを突き止めた。

【００１９】また、上記複合化金属水酸化物のアスペク
ト比が１〜８である場合には、樹脂組成物の粘度の低下
効果が発揮されて、さらなる成形性の向上が実現する。
そして、上記アスペクト比は１〜８の範囲のなかでも、
好適には１〜７、特に好適なのは１〜４である。

【００２０】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。

【００２１】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、エポ
キシ樹脂（イ成分）と、特定の硬化剤（ロ成分）と、特
定の粒度分布を有する多面体形状の複合化金属水酸化物
（ハ成分）を用いて得られるものであり、通常、粉末状
あるいはこれを打錠したタブレット状になっている。ま
たは、樹脂組成物を溶融混練した後、略円柱状等の顆粒
体に成形した顆粒状、さらにシート状に成形したシート
状の封止材料となっている。

【００２２】上記エポキシ樹脂（イ成分）としては、特
に限定するものではなく従来公知のものが用いられる。
例えば、ビスフェノールＡ型，フェノールノボラック
型，クレゾールノボラック型，ビフェニル型等があげら
れる。

【００２３】そして、上記エポキシ樹脂のうちビフェニ
ル型エポキシ樹脂は、下記の一般式（２）で表される。

【００２４】

【化５】

【００２５】上記一般式（２）中のＲ₁〜Ｒ₄で表され
る、−Ｈ（水素）または炭素数１〜５のアルキル基のう
ち、上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直鎖状また
は分岐状の低級アルキル基があげられ、特にメチル基が
好ましく、上記Ｒ₁〜Ｒ₄は互いに同一であっても異な
っていてもよい。なかでも、低吸湿性および反応性とい
う観点から、上記Ｒ₁〜Ｒ₄が全てメチル基である下記
の式（３）で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂
を用いることが特に好適である。

【００２６】

【化６】

【００２７】上記エポキシ樹脂（イ成分）とともに用い
られる特定の硬化剤（ロ成分）は、ジシクロペンタジエ
ン骨格を有するフェノール樹脂、下記の一般式（Ｘ）で
表されるフェノール樹脂であり、これらは単独でもしく
は２種併せて用いられる。

【００２８】

【化７】

【００２９】上記ジシクロペンタジエン骨格を有するフ
ェノール樹脂として、具体的な化合物としては、例え
ば、下記の一般式（４）で表されるものがあげられる。

【００３０】

【化８】

【００３１】一方、上記一般式（Ｘ）で表されるフェノ
ール樹脂の、式（Ｘ）において、繰り返し数ｍは１〜９
の整数であり、繰り返し数ｎは１〜９の整数であり、ｍ
＋ｎは２〜１０の整数である。さらに、上記式（Ｘ）に
おいて、繰り返し単位ｍと繰り返し単位ｎの重合形態
は、ランダムであっても、ブロックであっても、また交
互であってもよい。

【００３２】そして、上記エポキシ樹脂（イ成分）と、
ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノール樹脂およ
び上記一般式（Ｘ）で表されるフェノール樹脂の少なく
とも一方からなる特定の硬化剤（ロ成分）の配合割合
は、上記エポキシ樹脂（イ成分）中のエポキシ基１当量
当たり、上記特定の硬化剤（ロ成分）中の水酸基が０．
７〜１．３当量となるように設定することが好ましく、
なかでも０．９〜１．１当量となるよう設定することが
特に好ましい。

【００３３】上記熱硬化性樹脂（イ成分）および硬化剤
（ロ成分）とともに用いられる特定の粒度分布を有する
複合化金属水酸化物（ハ成分）は、下記の一般式（１）
で表され、かつ結晶形状が多面体形状を有するものであ
る。

【００３４】

【化９】ｍ（Ｍ_aＯ_b）・ｎ（Ｑ_dＯ_e）・ｃＨ₂Ｏ …（１）〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VII
ａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素
である。また、ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは正数であ
って、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であ
ってもよい。〕

【００３５】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物に関して、式（１）中の金属元素を示すＭとして
は、Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃ
ｕ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂ等があげられる。

【００３６】また、上記一般式（１）で表される複合化
金属水酸化物中のもう一つの金属元素を示すＱは、周期
律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VIIａ，VIII，Ｉｂ，IIｂか
ら選ばれた族に属する金属である。例えば、鉄，コバル
ト，ニッケル，パラジウム，銅，亜鉛等があげられ、単
独でもしくは２種以上併せて選択される。

【００３７】このような結晶形状が多面体形状を有する
複合化金属水酸化物は、例えば、複合化金属水酸化物の
製造工程における各種条件等を制御することにより、
縦，横とともに厚み方向（ｃ軸方向）への結晶成長が大
きい、所望の多面体形状、例えば、略１２面体，略８面
体，略４面体等の形状を有する複合化金属水酸化物を得
ることができる。

【００３８】本発明に用いられる多面体形状の複合化金
属水酸化物は、その一例として結晶外形が略８面体の多
面体構造を示し、アスペクト比が１〜８程度、好ましく
は１〜７、特に好ましくは１〜４に調整されたもので、
例えば、式（１）中の、Ｍ＝Ｍｇ，Ｑ＝Ｚｎの場合につ
いて述べると、つぎのようにして作製することができ
る。すなわち、まず、水酸化マグネシウム水溶液に硝酸
亜鉛化合物を添加し、原料となる部分複合化金属水酸化
物を作製する。ついで、この原料を、８００〜１５００
℃の範囲で、より好ましくは１０００〜１３００℃の範
囲で焼成することにより、複合化金属酸化物を作製す
る。この複合化金属酸化物は、ｍ（ＭｇＯ）・ｎ（Ｚｎ
Ｏ）の組成で示されるが、さらにカルボン酸、カルボン
酸の金属塩、無機酸および無機酸の金属塩からなる群か
ら選ばれた少なくとも一種が上記複合化金属酸化物に対
して約０．１〜６ｍｏｌ％共存する水媒体中の系で強攪
拌しながら４０℃以上の温度で水和反応させることによ
り、ｍ（ＭｇＯ）・ｎ（ＺｎＯ）・ｃＨ₂Ｏで示され
る、本発明の多面体形状を有する複合化金属水酸化物を
作製することができる。

【００３９】上記製法において、原料としては、上述し
た方法で得られる部分複合化金属水酸化物だけでなく、
例えば、共沈法によって得られる複合化金属水酸化物，
水酸化マグネシウムとＺｎの混合物，酸化マグネシウム
とＺｎ酸化物の混合物，炭酸マグネシウムとＺｎ炭酸塩
との混合物等も用いることができる。また、水和反応時
の攪拌は、均一性や分散性の向上、カルボン酸、カルボ
ン酸の金属塩、無機酸および無機酸の金属塩からなる群
から選ばれた少なくとも一種との接触効率向上等のた
め、強攪拌が好ましく、さらに強力な高剪断攪拌であれ
ばなお好ましい。このような攪拌は、例えば、回転羽根
式の攪拌機において、回転羽根の周速を５ｍ／ｓ以上と
して行うのが好ましい。

【００４０】上記カルボン酸としては、特に限定される
ものではないが、好ましくはモノカルボン酸、オキシカ
ルボン酸（オキシ酸）等があげられる。上記モノカルボ
ン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸等が
あげられ、上記オキシカルボン酸（オキシ酸）として
は、例えば、グリコール酸、乳酸、ヒドロアクリル酸、
α−オキシ酪酸、グリセリン酸、サリチル酸、安息香
酸、没食子酸等があげられる。また、上記カルボン酸の
金属塩としては、特に限定されるものではないが、好ま
しくは酢酸マグネシウム、酢酸亜鉛等があげられる。そ
して、上記無機酸としては、特に限定されるものではな
いが、好ましくは硝酸、塩酸等があげられる。また、上
記無機酸の金属塩としては、特に限定されるものではな
いが、好ましくは硝酸マグネシウム、硝酸亜鉛等があげ
られる。

【００４１】上記多面体形状を有する複合化金属水酸化
物の具体的な代表例としては、ｓＭｇＯ・（１−ｓ）Ｎ
ｉＯ・ｃＨ₂Ｏ〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕、ｓＭｇＯ
・（１−ｓ）ＺｎＯ・ｃＨ₂Ｏ〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦
１〕、ｓＡｌ₂Ｏ₃・（１−ｓ）Ｆｅ₂Ｏ₃・ｃＨ₂Ｏ
〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦３〕等があげられる。なかで
も、酸化マグネシウム・酸化ニッケルの水和物、酸化マ
グネシウム・酸化亜鉛の水和物が特に好ましく用いられ
る。

【００４２】そして、上記多面体形状を有する複合化金
属水酸化物（ハ成分）としては、下記に示す粒度分布
（Ａ）〜（Ｃ）を有することが好ましい。なお、下記に
示す粒度分布の測定には、レーザー式粒度測定機を使用
する。（Ａ）粒径１．３μｍ未満のものが１０〜３５重量％。（Ｂ）粒径１．３〜２．０μｍ未満のものが５０〜６５
重量％。（Ｃ）粒径２．０μｍ以上のものが１０〜３０重量％。

【００４３】上記粒度分布において、粒度分布（Ａ）の
粒径１．３μｍ未満のものが１０重量％未満の場合は、
難燃性の効果が乏しくなり、逆に３５重量％を超え多く
なると、流動性が損なわれる傾向がみられるようにな
る。また、粒度分布（Ｃ）の２．０μｍ以上のものが１
０重量％未満では、流動性が低下し、逆に３０重量％を
超え多くなると、難燃性の効果が乏しくなる傾向がみら
れる。なお、上記粒度分布（Ａ）における粒径の通常の
下限値は０．１μｍであり、上記粒度分布（Ｃ）におけ
る粒径の通常の上限値は１５μｍである。

【００４４】そして、上記（ハ）成分である多面体形状
の複合化金属水酸化物では、上記粒度分布（Ａ）〜
（Ｃ）に加えて、その最大粒径が１０μｍ以下であるこ
とが好ましい。特に好ましくは最大粒径が６μｍ以下で
ある。すなわち、最大粒径が１０μｍを超えると、難燃
性を有するために多くの量を必要とするようになる傾向
がみられるからである。

【００４５】さらに、上記（ハ）成分である多面体形状
の複合化金属水酸化物の比表面積が２．０〜４．０ｍ²
／ｇの範囲であることが好ましい。なお、上記（ハ）成
分の比表面積の測定は、ＢＥＴ吸着法により測定され
る。

【００４６】また、上記多面体形状を有する複合化金属
水酸化物（ハ成分）のアスペクト比は、通常１〜８、好
ましくは１〜７、特に好ましくは１〜４である。ここで
いうアスペクト比とは、複合化金属水酸化物の長径と短
径との比で表したものである。すなわち、アスペクト比
が８を超えると、この複合化金属水酸化物を含有する樹
脂組成物が溶融したときの粘度低下に対する効果が乏し
くなる。そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物の構
成成分として用いられる場合には、一般的に、アスペク
ト比が１〜４のものが用いられる。

【００４７】なお、本発明においては、上記（ハ）成分
である多面体形状の複合化金属水酸化物とともに従来の
薄平板形状の複合化金属水酸化物を併用することができ
る。そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物が溶融し
たときの粘度低下および流動性の効果の発現という点か
ら、用いられる複合化金属水酸化物全体（従来の薄平板
形状を含む）中の、多面体形状の複合化金属水酸化物の
占める割合を３０〜１００重量％の範囲に設定すること
が好ましい。すなわち、多面体形状の複合化金属水酸化
物の占める割合が３０重量％未満では樹脂組成物の粘度
低下の効果および流動性の向上効果が乏しくなる。

【００４８】上記多面体形状を有する複合化金属水酸化
物（ハ成分）を含む複合化金属水酸化物の含有量は、樹
脂組成物全体の１〜３０重量％、特には２〜２８重量％
の範囲に設定することが好ましく、この含有量の範囲内
でその優れた難燃化効果を発揮することができる。すな
わち、上記複合化金属水酸化物が１重量％未満では難燃
化効果が不充分となり、３０重量％を超えると、樹脂組
成物硬化体中の塩素イオン濃度が高くなるということか
ら耐湿信頼性が低下する傾向がみられるからである。

【００４９】そして、本発明に係る半導体封止用樹脂組
成物には、上記イ〜ハ成分、および場合により、従来の
薄平板形状の複合化金属水酸化物とともに無機質充填剤
を用いることができる。上記無機質充填剤としては、特
に限定するものではなく従来公知の各種充填剤があげら
れる。例えば、石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末、
アルミナ粉末、炭酸カルシウム、窒化ホウ素、窒化ケイ
素およびカーボンブラック粉末等があげられる。これら
は単独でもしくは２種以上併せて用いられる。そして、
上記無機質充填剤として、得られる硬化物の線膨張係数
を低減できるという点からシリカ粉末を用いることが好
ましい。なかでも、シリカ粉末として溶融シリカ粉末、
とりわけ球状溶融シリカ粉末を用いることが樹脂組成物
の良好な流動性という点から特に好ましい。また、上記
無機質充填剤において、その平均粒径が１０〜７０μｍ
の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０〜５
０μｍである。すなわち、先に述べたように、複合化金
属水酸化物が前記粒度分布（Ａ）〜（Ｃ）を有するとと
もに、無機質充填剤の平均粒径が上記範囲内であると、
樹脂組成物の良好な流動性が得られる。また、上記シリ
カ粉末としては、場合によりシリカ粉末を摩砕処理して
なる摩砕シリカ粉末を用いることもできる。

【００５０】上記無機質充填剤の含有量に関しては、こ
の無機質充填剤に複合化金属水酸化物（多面体形状を有
する複合化金属水酸化物および場合により使用される従
来の薄平板形状の複合化金属水酸化物）を加算した無機
物全体の合計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の６０
〜９２重量％となるよう設定することが好ましい。特に
好ましくは７０〜９０重量％である。すなわち、無機物
全体量が６０重量％を下回ると難燃性が低下する傾向が
みられるからである。

【００５１】さらに、前記多面体形状の複合化金属水酸
化物（ハ成分）を含む複合化金属水酸化物（ｘ）と、上
記無機質充填剤（ｙ）とを併用する場合の併用比率は、
重量比（ｘ／ｙ）で、ｘ／ｙ＝０．０１／１〜１／１の
範囲に設定することが好ましく、より好ましくはｘ／ｙ
＝０．０１／１〜０．７５／１である。

【００５２】そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物
としては、下記の方法に従って抽出された抽出水中の塩
素イオン濃度が上記樹脂組成物の硬化体１ｇあたり２０
０μｇ以下であることが好ましい。すなわち、熱硬化性
樹脂組成物硬化体の粉体化物５ｇと蒸留水５０ｃｃを専
用の抽出容器に入れ、この容器を１６０℃の乾燥機内に
２０時間放置して抽出水（ｐＨ６．０〜８．０）を抽出
する。そして、上記抽出水をイオンクロマト分析して塩
素イオン量（α）を測定する。この塩素イオン量（α）
は樹脂組成物硬化体中のイオン量を１０倍に希釈した値
であるため、下記に示す式により樹脂組成物硬化体１ｇ
あたりの塩素イオン量を算出する。なお、上記抽出水の
ｐＨは６．０〜８．０の範囲が好ましい。さらに、上記
熱硬化性樹脂組成物硬化体の作製にあたって、例えば、
エポキシ樹脂組成物硬化体の場合、その硬化体成形条件
は、１７５℃×２分間で加熱硬化による成形を行い、１
７５℃×５時間の後硬化に設定されることが好適であ
る。

【００５３】

【数１】

【００５４】すなわち、樹脂組成物硬化体の抽出水中に
含有される塩素イオン濃度が２００μｇを超えて高い
と、半導体素子，リードフレーム等の腐食が発生した
り、耐湿性が劣化する傾向がみられるようになる。

【００５５】なお、本発明に係る半導体封止用樹脂組成
物には、上記イ〜ハ成分および無機質充填剤以外に、硬
化促進剤、顔料、離型剤、表面処理剤、可撓性付与剤等
を必要に応じて適宜に添加することができる。

【００５６】上記硬化促進剤としては、従来公知のも
の、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）
ウンデセン−７、トリエチレンジアミン等の三級アミノ
類、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリ
フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテト
ラフェニルボレート等のリン系化合物等があげられる。

【００５７】上記顔料としては、カーボンブラック、酸
化チタン等があげられる。また、上記離型剤としては、
ポリエチレンワックス、パラフィンや脂肪酸エステル、
脂肪酸塩等があげられる。

【００５８】さらに、上記表面処理剤としては、シラン
カップリング剤等のカップリング剤があげられる。ま
た、上記可撓性付与剤としては、シリコーン樹脂やブタ
ジエン−アクリロニトリルゴム等があげられる。

【００５９】また、本発明に係る半導体封止用樹脂組成
物では、上記各成分に加えてさらに有機系難燃剤あるい
は赤リン系難燃剤を併用すると、上記多面体形状を有す
る複合化金属水酸化物（ハ成分）を含有する複合化金属
水酸化物の使用量を低減させることができ好ましい。上
記有機系難燃剤としては、含窒素有機化合物、含リン有
機化合物、ホスファゼン系化合物等があげられるが、特
に含窒素有機化合物が好ましく用いられる。

【００６０】上記含窒素有機化合物としては、例えば、
メラミン誘導体、シアヌレート誘導体、イソシアヌレー
ト誘導体等の複素環骨格を有する化合物があげられる。
これら有機系難燃剤は単独でもしくは２種以上併せて用
いられる。

【００６１】上記有機系難燃剤は、前記複合化金属水酸
化物と予め機械的に混合した後配合してもよいし、有機
系難燃剤を溶剤に溶解してこれに前記複合化金属水酸化
物を添加して脱溶剤し表面処理したものを用いてもよ
い。

【００６２】そして、上記有機系難燃剤の含有量は、前
記複合化金属水酸化物の使用量（多面体形状の複合化金
属水酸化物と場合により使用される従来の薄平板形状の
複合化金属水酸化物の合計量）の１〜１０重量％の範囲
に設定することが好ましい。特に好ましくは１〜５重量
％である。

【００６３】一方、上記赤リン系難燃剤としては、赤リ
ン粉末、あるいはこの赤リン粉末表面を各種有機物，無
機物で保護コートした赤リン粉末をあげることができ
る。そして、上記赤リン系難燃剤の含有量は、上記有機
系難燃剤の場合と同様、前記複合化金属水酸化物の使用
量（多面体形状の複合化金属水酸化物と場合により使用
される従来の薄平板形状の複合化金属水酸化物の合計
量）の１〜１０重量％の範囲に設定することが好まし
く、特に好ましくは１〜５重量％である。

【００６４】そして、本発明に係る半導体封止用樹脂組
成物において、前記イ〜ニ成分を含む各成分の好適な組
み合わせは、つぎのとおりである。すなわち、エポキシ
樹脂（イ成分）としては、流動性が良好であるという点
からビフェニル系エポキシ樹脂が好ましく、また特定の
硬化剤（ロ成分）としては、ジシクロペンタジエン骨格
を有するフェノール樹脂および前記一般式（Ｘ）で表さ
れるフェノール樹脂の少なくとも一方が好ましい。そし
て、前記多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ成分）と
ともに、無機質充填剤として溶融シリカ粉末を用いるこ
とが好ましい。さらに、これら各成分に加えて、上記の
ような複合化金属水酸化物を用いた場合、離型性が低下
する傾向がみられることから、ワックス類、特に酸価３
０以上（通常の上限値は２００）という高酸価のポリエ
チレン系ワックスまたはエステル系ワックスを用いるこ
とが好ましい。

【００６５】本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、
例えばつぎのようにして製造することができる。すなわ
ち、エポキシ樹脂（イ成分），特定の硬化剤（ロ成
分），多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ成分）およ
び無機質充填剤ならびに必要に応じて他の添加剤を所定
の割合で配合する。つぎに、この混合物をミキシングロ
ール機等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練し、これ
を室温に冷却する。そして、公知の手段によって粉砕
し、必要に応じて打錠するという一連の工程によって目
的とする半導体封止用樹脂組成物を製造することができ
る。

【００６６】あるいは、上記半導体封止用樹脂組成物の
混合物を混練機に導入して溶融状態で混練した後、これ
を略円柱状の顆粒体に連続的に成形するという一連の工
程によって顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を製造する
ことができる。

【００６７】さらに、上記半導体封止用樹脂組成物の混
合物をパレット上に受け入れし、これを冷却後、プレス
圧延，ロール圧延，あるいは溶媒を混合したものを塗工
してシート化する等の方法によりシート状の半導体封止
用樹脂組成物を製造することができる。

【００６８】このようにして得られる半導体封止用樹脂
組成物（粉末状，タブレット状，顆粒状等）を用いての
半導体素子の封止方法は、特に限定するものではなく、
通常のトランスファー成形等の公知の成形方法によって
行うことができる。

【００６９】また、上記シート状の半導体封止用樹脂組
成物を用いて、例えば、つぎのようにしてフリップチッ
プ実装による半導体装置を製造することができる。すな
わち、上記シート状半導体封止用樹脂組成物を、接合用
バンプを備えた半導体素子の電極面側に、あるいは、回
路基板のバンプ接合部側に配置し、上記半導体素子と回
路基板とをバンプ接合するとともに両者を樹脂封止によ
る接着封止を行うことによりフリップチップ実装して半
導体装置を製造することができる。

【００７０】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【００７１】まず、下記に示す各材料を準備した。

【００７２】〔エポキシ樹脂ａ〕クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９５）

【００７３】〔エポキシ樹脂ｂ〕前記式（３）で表され
るビフェニル系エポキシ樹脂〔式（２）中のＲ₁〜Ｒ₄
が全てメチル基：エポキシ当量１９５〕

【００７４】〔硬化剤ｃ〕前記一般式（４）で表される
ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノール樹脂〔水
酸基当量１６７、軟化点８９℃、式（４）中のＲはＨ〕

【００７５】〔硬化剤ｄ〕前記一般式（Ｘ）で表される
フェノール樹脂〔水酸基当量１６３、式（Ｘ）中、ｍ＋
ｎ＝１〜３（ｍ≧１）〕

【００７６】〔硬化剤ｅ〕ノボラックフェノール樹脂
（水酸基当量１０５）

【００７７】〔シリカ粉末〕平均粒径３０μｍの溶融シ
リカ粉末

【００７８】〔リン系硬化促進剤〕トリフェニルホスフ
ィン

【００７９】〔エステル系ワックス〕カルナバワックス
（酸価２〜１０）

【００８０】〔オレフィン系ワックス〕ポリエチレン系
ワックス（酸価１６０）

【００８１】つぎに、実施例に先立って下記の表１およ
び表２に示す各種複合化金属水酸化物を準備した。な
お、下記の表１および表２中の複合化金属水酸化物は、
先に述べた多面体形状の複合化金属水酸化物の製造方法
に準じて作製した。

【００８２】

【表１】

【００８３】

【表２】

【００８４】

【実施例１〜１２、比較例１〜３】ついで、下記の表３
〜表５に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシ
ングロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練を行
い、冷却固化した後粉砕して目的とする粉末状エポキシ
樹脂組成物を得た。

【００８５】

【表３】

【００８６】

【表４】

【００８７】

【表５】

【００８８】このようにして得られた実施例および比較
例のエポキシ樹脂組成物を用い、その硬化体の塩素イオ
ン濃度を測定した。なお、塩素イオン濃度の測定方法
は、前述の方法に従い、上記硬化体の成形条件は、１７
５℃×２分間、後硬化１７５℃×５時間に設定した。さ
らに、各エポキシ樹脂組成物を用いて厚み１／１６イン
チの試験片を成形し、ＵＬ９４Ｖ−０規格の方法に従
って難燃性を評価した。なお、合格とは９４−Ｖ０合格
を意味する。これらの測定・評価結果を後記の表６〜表
８に示す。

【００８９】つぎに、各エポキシ樹脂組成物を用い、下
記の方法に従ってスパイラルフロー値およびフローテス
ター粘度を測定した。

【００９０】〔スパイラルフロー値〕スパイラルフロー
測定用金型を用い、１７５±５℃にてＥＭＭＩ１−６
６に準じてスパイラルフロー値を測定した。

【００９１】〔フローテスター粘度〕上記各エポキシ樹
脂組成物を２ｇ精秤し、タブレット状に成形した。そし
て、これを高化式フローテスターのポット内に入れ、１
０ｋｇの荷重をかけて測定した。溶融したエポキシ樹脂
組成物がダイスの穴（直径１．０ｍｍ×１０ｍｍ）を通
過して押し出されるときのピストンの移動速度からサン
プルの溶融粘度を求めた。

【００９２】また、上記実施例および比較例で得られた
エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファ
ー成形（条件：１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間
で後硬化することにより半導体装置を得た。この半導体
装置は、８０ピンＱＦＰ（クワッドフラットパッケー
ジ、サイズ：２０×１４×２ｍｍ）であり、ダイパッド
サイズは８×８ｍｍである。

【００９３】このようにして作製した半導体装置を用い
て、超音波探傷装置を用い非破壊にて測定した。その測
定後、内部剥離の生じた個数（１０個中）をカウントし
た。そして、上記測定後、良品をつぎに示す半田試験に
供した。すなわち、良品の半導体装置を用いて、１２０
℃×１時間のプリベーク後、これを８５℃／８５％ＲＨ
×１６８時間吸湿させた後、２２０℃の赤外線（ＩＲ）
リフローで３０秒の評価試験（耐半田クラック性）を行
った。そして、クラックが発生した個数（１０個中）を
測定した。

【００９４】また、上記半導体装置を用いて、耐湿信頼
性試験としてプレッシャークッカーバイアス試験（ＰＣ
ＢＴ）を行い５０％不良発生時間を測定した。その結果
を下記の表６〜表８に併せて示す。なお、上記ＰＣＢＴ
の条件は、１３０℃×８５％ＲＨ×３０Ｖ（バイアス電
圧）とした。

【００９５】〔金ワイヤーの変形評価〕上記半導体装置
について、まず、軟Ｘ線装置により、パッケージ内部の
透過画像を観察することにより、金ワイヤーの変形等の
不良の発生を測定した。測定した結果、金ワイヤーの変
形が確認されたものを×、金ワイヤーの変形が確認され
ず良好なパッケージが得られたものを○として評価し表
示した。

【００９６】これらの評価結果を下記の表６〜表８に併
せて示す。

【００９７】

【表６】

【００９８】

【表７】

【００９９】

【表８】

【０１００】上記表６〜表８から、全ての実施例は高い
難燃性レベルを有するとともに、スパイラルフロー値が
高く、かつフローテスター粘度が低いことから流動性に
優れたものであることが明らかである。また、得られた
半導体装置の耐湿信頼性および耐半田性に関しても良好
な結果が得られた。そして、低応力性にも優れており、
環境汚染の問題も発生しないことが明らかである。

【０１０１】一方、比較例１〜３については、金ワイヤ
ーの変形が確認されたことから流動性に劣ることがわか
る。また、比較例２，３に関して、耐半田性に関しても
劣っていることがわかる。

【０１０２】さらに、前記実施例１における、エポキシ
樹脂成分を、前記式（２）中のＲ₁〜Ｒ₄が全て水素と
なるビフェニル型エポキシ樹脂と、前記式（２）中のＲ
₁〜Ｒ₄が全てメチル基となるビフェニル型エポキシ樹
脂を重量比率で１：１となるように配合した混合系のエ
ポキシ樹脂に代えた。それ以外は実施例１と同様の配合
割合に設定してエポキシ樹脂組成物を作製した。このエ
ポキシ樹脂組成物を用いて、前記と同様の測定・評価を
行った結果、上記実施例と略同様の良好な結果が得られ
た。

【０１０３】

【発明の効果】以上のように、本発明は、エポキシ樹脂
（イ成分）と、特定の硬化剤である、ジシクロペンタジ
エン骨格を有するフェノール樹脂および前記一般式
（Ｘ）で表されるフェノール樹脂の少なくとも一方（ロ
成分）と、前記一般式（１）で表される多面体形状の複
合化金属水酸化物（ハ成分）を含有する半導体封止用樹
脂組成物である。このように、上記特殊な複合化金属水
酸化物の使用により、優れた難燃性が付与されるととも
に従来の難燃剤である臭素化エポキシ樹脂やアンチモン
化合物の使用と比較すると臭素の影響がなく半導体素子
やアルミニウム配線の腐食等が生じず耐湿信頼性が向上
して長寿命になり、また、環境汚染等の問題が生じな
い。さらに、従来のような平板状の結晶形状ではなく前
記特殊な多面体の結晶形状を有するため、流動性に優れ
ており成形性が向上する。そして、上記難燃性，成形性
および環境汚染の発生防止効果に加えて、上記多面体形
状の複合化金属水酸化物（ハ成分）を用いると、上記多
面体形状の複合化金属水酸化物が半導体封止用樹脂組成
物中に均一に分散されることから、従来公知の金属水酸
化物等の難燃剤と比べて同等以上の難燃性が得られるた
め、その使用量が少量ですむ。その結果、吸水量が少な
くなるため、半田特性が向上する。また、本発明では、
上記多面体形状の複合化金属水酸化物を用いるため、従
来の薄板状または鱗片状の複合化金属水酸化物を用いる
場合に比べて、その使用量を少なくでき、したがって、
例えば、シリカ粉末を併用する場合、そのシリカ粉末量
を相対的に多く設定できることから、このような場合に
は、得られる半導体装置の線膨張係数を低くできるとと
もに機械的強度の向上が実現する。さらに、上記特定の
硬化剤（ロ成分）を用いることにより、上記効果に加え
て、半田耐熱性に優れたものが得られる。

【０１０４】さらに、上記結晶形状を有する特殊な複合
化金属水酸化物が、特定の粒度分布を有する場合には、
優れた難燃効果とともに非常に優れた流動性の低下抑制
がなされ、トランスファー成形時等において問題が生じ
ず、より一層の成形性の向上が実現する。

【０１０５】また、上記複合化金属水酸化物のアスペク
ト比が１〜８である場合には、樹脂組成物の粘度の低下
効果が発揮されて、さらなる成形性の向上が実現する。
そして、上記アスペクト比は１〜８の範囲のなかでも、
好適には１〜７、特に好適なのは１〜４である。

【０１０６】したがって、本発明の半導体封止用樹脂組
成物を用いて封止された半導体装置は、安全性に優れた
難燃化技術、および半導体装置の信頼性が格段に向上し
たものであり、しかも、上記半導体封止用樹脂組成物を
用いたトランスファー成形による半導体装置の製法、あ
るいは、シート状の半導体封止用樹脂組成物を用いてな
る半導体装置の製法においてはその成形性においても優
れており、半導体装置の中でも、特に薄型で大型化した
半導体装置に対して特に有効であり産業上の利用価値は
極めて高いものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で用いられる多面体形状の複合化金属水
酸化物の結晶形状の一例を示す走査型電子顕微鏡写真
（倍率５００００倍）である。

【図２】従来の複合化金属水酸化物の結晶形状の一つで
ある六角板状形状を示す斜視図である。

【図３】従来の複合化金属水酸化物の外形を示す説明図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。

【図４】本発明の複合化金属水酸化物の外形の一例を示
す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図であ
る。

【図５】本発明の複合化金属水酸化物の外形の他の例を
示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図で
ある。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記の（イ）〜（ハ）成分を含有するこ
とを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。（イ）エポキシ樹脂。（ロ）ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノール樹
脂および下記の一般式（Ｘ）で表されるフェノール樹脂
の少なくとも一方。【化１】（ハ）下記の一般式（１）で表される多面体形状の複合
化金属水酸化物。【化２】ｍ（Ｍ_aＯ_b）・ｎ（Ｑ_dＯ_e）・ｃＨ₂Ｏ …（１）〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VII
ａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素
である。また、ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは正数であ
って、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であ
ってもよい。〕
【請求項２】上記（ハ）成分が下記に示す粒度分布
（Ａ）〜（Ｃ）を有している請求項１記載の半導体封止
用樹脂組成物。（Ａ）粒径１．３μｍ未満のものが１０〜３５重量％。（Ｂ）粒径１．３〜２．０μｍ未満のものが５０〜６５
重量％。（Ｃ）粒径２．０μｍ以上のものが１０〜３０重量％。
【請求項３】上記一般式（１）で表される複合化金属
水酸化物中の金属元素を示すＭが、アルミニウム，マグ
ネシウム，カルシウム，ニッケル，コバルト，スズ，亜
鉛，銅，鉄，チタンおよびホウ素からなる群から選ばれ
た少なくとも一つの金属である請求項１または２記載の
半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】上記一般式（１）で表される複合化金属
水酸化物中の金属元素を示すＱが、鉄，コバルト，ニッ
ケル，パラジウム，銅および亜鉛からなる群から選ばれ
た少なくとも一つの金属である請求項１〜３のいずれか
一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項５】上記一般式（１）で表される複合化金属
水酸化物の平均粒径が０．５〜１０μｍである請求項１
記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項６】上記一般式（１）で表される複合化金属
水酸化物のアスペクト比が１〜８である請求項１〜５の
いずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項７】複合化金属水酸化物全体中の、上記一般
式（１）で表される多面体形状を有する複合化金属水酸
化物の占める割合が３０〜１００重量％の範囲である請
求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組
成物。
【請求項８】上記一般式（１）で表される複合化金属
水酸化物が、ｓＭｇＯ・（１−ｓ）ＮｉＯ・ｃＨ₂Ｏ
〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕である請求項１〜７のいず
れか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項９】上記一般式（１）で表される複合化金属
水酸化物が、ｓＭｇＯ・（１−ｓ）ＺｎＯ・ｃＨ₂Ｏ
〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕である請求項１〜７のいず
れか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１０】上記一般式（１）で表される複合化金
属水酸化物の含有量が、樹脂組成物全体の１〜３０重量
％の範囲に設定されている請求項１〜９のいずれか一項
に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１１】半導体封止用樹脂組成物硬化体の抽出
液のｐＨが６．０〜８．０の範囲であって、かつ、その
塩素イオン濃度が、樹脂組成物硬化体１ｇあたり２００
μｇ以下である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の
半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１２】半導体封止用樹脂組成物の硬化体が、
厚み１／１６インチでのＵＬ９４燃焼試験において、Ｖ
−０相当の難燃性を示すものである請求項１〜１１のい
ずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１３】上記（イ）成分であるエポキシ樹脂が
ノボラック型エポキシ樹脂である請求項１〜１２のいず
れか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１４】請求項１〜１３のいずれか一項に記載
の半導体封止用樹脂組成物であって、無機質充填剤を含
有してなる請求項１〜１３のいずれか一項に記載の半導
体封止用樹脂組成物。
【請求項１５】上記（ハ）成分である多面体形状の複
合化金属水酸化物を含有する複合化金属水酸化物と無機
質充填剤の合計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の６
０〜９２重量％である請求項１〜１４のいずれか一項に
記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１６】上記無機質充填剤がシリカ粉末である
請求項１４または１５記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１７】請求項１〜１６のいずれか一項に記載
の半導体封止用樹脂組成物であって、含窒素有機化合物
を含有してなる請求項１〜１６のいずれか一項に記載の
半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１８】請求項１〜１７のいずれか一項に記載
の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなる半導体装置。
【請求項１９】請求項１〜１７のいずれか一項に記載
の半導体封止用樹脂組成物を用いトランスファー成形法
により半導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造する
ことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項２０】請求項１〜１７のいずれか一項に記載
の半導体封止用樹脂組成物からなるシート状封止材料を
用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装
置の製法。