JP2000188388A5 - - Google Patents
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Description
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法では、半導体材料基板又は半導体材料層の所定位置に不純物を導入して不純物析出領域を形成し、前記不純物析出領域をマイクロマスクとして前記材料基板又は前記材料層に対して高選択比異方性エッチングを行い、前記材料基板又は前記材料層のエッチング露出面にマイクロマスク部分を頂点とする錐体を形成することを特徴とする。あるいは本発明にかかる微小突起の製造方法では、不純物析出領域をマイクロマスクとして高選択比異方性エッチングし、半導体材料基板又は半導体材料層のエッチング露出面にマイクロマスク部分を頂点とする微小突起を形成する。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法では、半導体材料基板又は半導体材料層の所定位置に不純物を導入して不純物析出領域を形成し、前記不純物析出領域をマイクロマスクとして前記材料基板又は前記材料層に対して高選択比異方性エッチングを行い、前記材料基板又は前記材料層のエッチング露出面にマイクロマスク部分を頂点とする錐体を形成することを特徴とする。あるいは本発明にかかる微小突起の製造方法では、不純物析出領域をマイクロマスクとして高選択比異方性エッチングし、半導体材料基板又は半導体材料層のエッチング露出面にマイクロマスク部分を頂点とする微小突起を形成する。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置では、半導体材料基板又は半導体材料層の所定位置に形成された不純物析出領域をマイクロマスクとして該材料基板又は材料層を高選択比異方性エッチングして形成した錐体が、前記不純物析出領域を頂点とし、かつ、先端付近の曲率半径が数ｎｍ〜十数ｎｍ又は先端付近の直径が概ね１０ｎｍ〜３０ｎｍで、アスペクト比がおよそ１０又はそれ以上の錐体形状を備えることを特徴とする。
また、本発明の他の態様では、微小突起の高さはマイクロマスクの形成位置からエッチング露出面までの距離にほぼ一致した高さの微小突起を得ることができる。
また本発明の他の態様では、複数の不純物析出領域をそれぞれマイクロマスクとして得られた複数の微小突起はそれぞれ錐体で、この複数の錐体が互いにほぼ相似形状とすることができる。
また、本発明に係る半導体装置では、半導体材料基板又は半導体材料層の所定位置に形成された不純物析出領域をマイクロマスクとして該材料基板又は材料層を高選択比異方性エッチングして形成した錐体が、前記不純物析出領域を頂点とし、かつ、先端付近の曲率半径が数ｎｍ〜十数ｎｍ又は先端付近の直径が概ね１０ｎｍ〜３０ｎｍで、アスペクト比がおよそ１０又はそれ以上の錐体形状を備えることを特徴とする。
また、本発明の他の態様では、微小突起の高さはマイクロマスクの形成位置からエッチング露出面までの距離にほぼ一致した高さの微小突起を得ることができる。
また本発明の他の態様では、複数の不純物析出領域をそれぞれマイクロマスクとして得られた複数の微小突起はそれぞれ錐体で、この複数の錐体が互いにほぼ相似形状とすることができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上示したように、本発明の半導体装置、微小突起又はその製造方法によれば、極めて鋭く細い錐体を形成することが可能となる。この錐体は、基板中などにマイクロマスクとなる析出領域を形成し異方性エッチングを行うことでこのマイクロマスクを頂点として形成されるため、例えばフォトリソグラフィなどの露光解像度の限界よりさらに小さいサイズの円錐等の錐体も容易に作製することが可能となる。
【発明の効果】
以上示したように、本発明の半導体装置、微小突起又はその製造方法によれば、極めて鋭く細い錐体を形成することが可能となる。この錐体は、基板中などにマイクロマスクとなる析出領域を形成し異方性エッチングを行うことでこのマイクロマスクを頂点として形成されるため、例えばフォトリソグラフィなどの露光解像度の限界よりさらに小さいサイズの円錐等の錐体も容易に作製することが可能となる。
Claims (7)
- 半導体材料基板又は半導体材料層の所定位置に不純物を導入して不純物析出領域を形成し、
前記不純物析出領域をマイクロマスクとして前記材料基板又は前記材料層に対して高選択比異方性エッチングを行い、前記材料基板又は前記材料層のエッチング露出面にマイクロマスク部分を頂点とする錐体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記析出領域は、
前記材料基板又は材料層の主成分材料と異なるエッチングレートを備え、
前記材料基板又は前記材料層の所定位置に導入した不純物を熱処理によって前記材料基板又は前記材料層の結晶中に析出させて形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体材料基板又は半導体材料層の所定位置に形成された不純物析出領域をマイクロマスクとして該材料基板又は材料層を高選択比異方性エッチングして形成した錐体が、
前記不純物析出領域を頂点とし、かつ、先端付近の曲率半径が数ｎｍ〜十数ｎｍ又は先端付近の直径が概ね１０ｎｍ〜３０ｎｍで、アスペクト比がおよそ１０又はそれ以上の錐体形状を備えることを特徴とする半導体装置。 - 不純物析出領域をマイクロマスクとして高選択比異方性エッチングし、
半導体材料基板又は半導体材料層のエッチング露出面にマイクロマスク部分を頂点とする微小突起を形成することを特徴とする微小突起の製造方法。 - 前記微小突起の高さはマイクロマスクの形成位置からエッチング露出面までの距離にほぼ一致していることを特徴とする請求項４に記載の微小突起の製造方法。
- 前記微小突起は錐体であり、円錐、楕円錘、多角錘のいずれかであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の微小突起の製造方法。
- 複数の前記不純物析出領域をそれぞれマイクロマスクとして得られた複数の前記微小突起はそれぞれ錐体であり、前記複数の錐体は互いにほぼ相似形状であることを特徴とする請求項４〜請求項６のいずれか一つに記載の微小突起の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29450999A JP3624283B2 (ja) | 1998-10-16 | 1999-10-15 | 半導体装置の製造方法及び微小突起の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31397698 | 1998-10-16 | ||
| JP10-313976 | 1998-10-16 | ||
| JP29450999A JP3624283B2 (ja) | 1998-10-16 | 1999-10-15 | 半導体装置の製造方法及び微小突起の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188388A JP2000188388A (ja) | 2000-07-04 |
| JP2000188388A5 true JP2000188388A5 (ja) | 2004-10-28 |
| JP3624283B2 JP3624283B2 (ja) | 2005-03-02 |
Family
ID=26559872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29450999A Expired - Lifetime JP3624283B2 (ja) | 1998-10-16 | 1999-10-15 | 半導体装置の製造方法及び微小突起の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3624283B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004088703A1 (ja) | 2003-03-28 | 2006-07-06 | 住友電気工業株式会社 | 冷極電子源と、これを用いたマイクロ波管及びその製造方法 |
| JP5082186B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2012-11-28 | 住友電気工業株式会社 | 炭素系材料突起の形成方法及び炭素系材料突起 |
| KR100749619B1 (ko) | 2006-08-24 | 2007-08-14 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치 형성 방법 |
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| JP2010278363A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Toyota Central R&D Labs Inc | 結晶欠陥検出方法 |
-
1999
- 1999-10-15 JP JP29450999A patent/JP3624283B2/ja not_active Expired - Lifetime
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