JP2000183137A - Method for inspecting contracting state between wafer holding tool and inspecting wafer, and inspecting wafer used therein - Google Patents
Method for inspecting contracting state between wafer holding tool and inspecting wafer, and inspecting wafer used thereinInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウェー
ハ熱処理用のウェーハ保持具の検査方法およびそれに用
いる検査用ウェーハに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of inspecting a wafer holder for heat treatment of a silicon wafer and an inspection wafer used for the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコンウェーハの製造工程で行われる
ウェーハの熱処理は、ウェーハを各種のウェーハ保持具
で保持して、これをそのまま炉中に搬入して熱処理が行
われる。この場合、ウェーハ保持具でのウェーハの保持
が均一に行われないと、熱処理されたウェーハの結晶に
欠陥を生じさせることがある。しかしながら、従来はウ
ェーハ保持具でのウェーハの保持状態を予め検査する簡
単な方法がなかったために、熱処理を終えたウェーハの
欠陥発生状況から、ウェーハ保持具とウェーハとの接触
状態の良否を判定し、その結果に基づいて必要に応じて
ウェーハ保持具の改善を行っていたのが現状であった。
即ち、従来のウェーハとウェーハ保持具との接触状態の
良否確認は、事後評価の方法でしかも実機による方法で
あった。2. Description of the Related Art In a heat treatment of a wafer performed in a process of manufacturing a silicon wafer, the wafer is held by various wafer holders, and is directly loaded into a furnace for heat treatment. In this case, if the wafer is not uniformly held by the wafer holder, a defect may occur in the crystal of the heat-treated wafer. However, conventionally, there was no simple method for inspecting the holding state of the wafer with the wafer holder in advance, and the quality of the contact state between the wafer holder and the wafer was determined based on the occurrence of defects in the heat-treated wafer. At present, the wafer holder has been improved as necessary based on the results.
That is, the conventional method of confirming the quality of the contact state between the wafer and the wafer holder is a post-evaluation method and a method using an actual machine.
【０００３】ウェーハとウェーハ保持具との接触状態の
良否を事前に確認して、熱処理での歩留まりを向上する
方法としては、計算機シュミレーションがあるが、ウェ
ーハの接触に関する微少な間隙寸法は、ウェーハおよび
ウェーハ保持具の寸法に比べて数桁小さく、解析の数値
精度の影響で殆ど評価不能の状態であった。従って、こ
の方法によると、ウェーハ保持具の設計および製造、ウ
ェーハの熱処理に大きなコストを要するといった問題が
あった。こうしたことから、ウェーハ保持具によるウェ
ーハ支持状態を事前に試験で検査する技術の提案が要求
されていた。[0003] As a method of checking the quality of the contact between the wafer and the wafer holder in advance and improving the yield in the heat treatment, there is a computer simulation. The size was several orders of magnitude smaller than the dimensions of the wafer holder, and was almost unevaluable due to the influence of the numerical accuracy of the analysis. Therefore, according to this method, there is a problem that a large cost is required for designing and manufacturing the wafer holder and heat treatment of the wafer. For this reason, there has been a demand for a proposal of a technique for inspecting a wafer support state of the wafer holder by a test in advance.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ウェーハ
保持具と検査用ウェーハとの接触部では、その接触状態
に応じて熱伝導に差異の生じることに着目し、ウェーハ
保持具の上に載置した検査用ウェーハの面内温度の差異
を感温液晶の色調の変化により調べ、これによってウェ
ーハ保持具と検査用ウェーハとの接触状態を事前に検査
しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention focuses on the fact that at the contact portion between a wafer holder and an inspection wafer, a difference in heat conduction occurs depending on the contact state, and places the wafer on the wafer holder. The difference in the in-plane temperature of the placed inspection wafer is examined based on the change in the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal, and the contact state between the wafer holder and the inspection wafer is to be inspected in advance.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明は、ウェーハ保
持具と検査用ウェーハとの接触状態を検査するに当た
り、表面に感温液晶層を設けた検査用ウェーハを保持す
るウェーハ保持具を、検査用ウェーハに設けた感温液晶
の変色温度範囲の下限未満でかつその温度範囲に近接し
た温度に加熱又は冷却し、他方、検査用ウェーハを該ウ
ェーハに設けた感温液晶の変色温度範囲の上限を超える
温度でかつその温度範囲に近接した温度に加熱又は冷却
し、この検査用ウェーハを前記ウェーハ保持具の上に載
置し、これによる熱伝導で生じる検査用ウェーハ表面の
感温液晶の色調の変化から、これらの接触状態を調べる
ことを特徴とするウェーハ保持具と検査用ウェーハとの
接触状態を検査する方法（請求項１）、ウェーハ保持具
と検査用ウェーハとの接触状態を検査するに当たり、表
面に感温液晶層を設けた検査用ウェーハを保持するウェ
ーハ保持具を、検査用ウェーハに設けた感温液晶の変色
温度範囲の上限を超えかつその温度範囲に近接した温度
に加熱又は冷却し、他方、検査用ウェーハを該ウェーハ
に設けた感温液晶の変色温度範囲の下限未満の温度範囲
でかつその温度範囲に近接した温度に加熱又は冷却し、
この検査用ウェーハを前記ウェーハ保持具の上に載置
し、これによる熱伝導で生じる検査用ウェーハ表面の感
温液晶の色調の変化から、これらの接触状態を調べるこ
とを特徴とするウェーハ保持具と検査用ウェーハとの接
触状態を検査する方法（請求項２）、表面にインク塗布
層を有し、その上に感温液晶層を有するウェーハ保持具
の検査用ウェーハ（請求項３）、ガススプレー法によっ
て検査用ウェーハの表面にインクを塗布する工程と、こ
の工程で塗布されたインクを乾燥する工程と、さらに乾
燥したインク塗布層の表面に感温液晶の懸濁液をスプレ
ーで塗布する工程と、この工程で塗布された感温液晶を
乾燥する工程とからなることを特徴とするウェーハ保持
具の検査用ウェーハの製造方法（請求項４）、インクが
水溶性インクであることを特徴とする請求項４に記載す
るウェーハ保持具の検査用ウェーハの製造方法（請求項
５）および感温液晶が０〜１００℃の温度範囲の指定さ
れた温度範囲で、その色調が連続的に変化するコレステ
ロール感温液晶であることを特徴とする請求項４に記載
するウェーハ保持具の検査用ウェーハの製造方法（請求
項６）である。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, when inspecting a contact state between a wafer holder and a wafer for inspection, a wafer holder for holding an inspection wafer having a temperature-sensitive liquid crystal layer on its surface is inspected. Heat or cool to a temperature below and close to the lower limit of the color change temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the test wafer, and, on the other hand, set the inspection wafer at the upper limit of the color change temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the wafer. Heating or cooling to a temperature exceeding the temperature range and close to the temperature range, placing the inspection wafer on the wafer holder, and causing a color tone of the temperature-sensitive liquid crystal on the inspection wafer surface caused by heat conduction. A method for inspecting the contact state between the wafer holder and the inspection wafer, wherein the contact state between the wafer holder and the inspection wafer is inspected based on the change of the wafer. When inspecting the contact state, the wafer holder that holds the inspection wafer with the temperature-sensitive liquid crystal layer on the surface exceeds the upper limit of the discoloration temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the inspection wafer and is close to the temperature range. Heating or cooling to the temperature, while heating or cooling the test wafer to a temperature in the temperature range less than the lower limit of the discoloration temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the wafer and close to the temperature range,
The inspection wafer is mounted on the wafer holder, and the state of contact between the wafer and the wafer is checked based on a change in the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal on the surface of the inspection wafer caused by heat conduction. Method for inspecting the contact state between a wafer and an inspection wafer (Claim 2), an inspection wafer for a wafer holder having an ink coating layer on the surface and a temperature-sensitive liquid crystal layer thereon (Claim 3), gas A step of applying ink to the surface of the inspection wafer by a spray method, a step of drying the ink applied in this step, and further applying a suspension of a temperature-sensitive liquid crystal to the surface of the dried ink coating layer by spraying A method of manufacturing a wafer for inspection of a wafer holder, wherein the ink is a water-soluble ink, comprising a step of drying the temperature-sensitive liquid crystal applied in this step. The method for manufacturing a wafer for inspection of a wafer holder according to claim 4, wherein the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal is continuous in a specified temperature range of 0 to 100 ° C. The method according to claim 4, wherein the liquid crystal is a cholesterol thermosensitive liquid crystal which changes gradually.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】この発明は、ウェーハ保持具と検
査用ウェーハとの接触状態を、接触部分と非接触部分と
の間で熱伝導に差のあることを利用して検査するもので
ある。即ち、ウェーハ保持具の上に検査用ウェーハを載
置した場合に、ウェーハ保持具と検査用ウェーハとの間
では、これらが互いに接触している部分では伝熱量は大
であるが、非接触の部分ではその間に気体層があるため
に伝熱量は小となり、熱伝導に相違が生じる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention is to inspect a contact state between a wafer holder and an inspection wafer by utilizing a difference in heat conduction between a contact portion and a non-contact portion. . That is, when the inspection wafer is placed on the wafer holder, a large amount of heat is transferred between the wafer holder and the inspection wafer in a portion where the wafer and the inspection wafer are in contact with each other. In the portion, the amount of heat transfer is small due to the presence of a gas layer between them, resulting in a difference in heat conduction.
【０００７】そのために、検査用ウェーハとして表面に
感温液晶を塗布した検査用ウェーハを用い、かつそのウ
ェーハ保持具を検査用ウェーハ表面に塗布した感温液晶
の温度範囲から外れた温度範囲に加熱又は冷却したのち
に、該検査用ウェーハをウェーハ保持具の上に載置する
と、これらの接触部と非接触部とで熱伝導に違いが生じ
ることになる。その結果、検査用ウェーハの感温液晶部
が熱影響を受けた部分で色調を変え、これによって検査
用ウェーハとウェーハ保持具との接触状態を簡単に判定
することが可能となるものである。To this end, a test wafer having a surface coated with a temperature-sensitive liquid crystal is used as the test wafer, and the wafer holder is heated to a temperature range outside the temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal applied to the test wafer surface. Alternatively, if the inspection wafer is placed on the wafer holder after cooling, a difference in heat conduction occurs between the contact portion and the non-contact portion. As a result, the temperature-sensitive liquid crystal part of the inspection wafer changes the color tone at the portion affected by the heat, whereby the contact state between the inspection wafer and the wafer holder can be easily determined.
【０００８】さらに具体的に説明すると、ウェーハ保持
具を、その上に載置する検査用ウェーハに設ける感温液
晶の変色温度範囲の下限未満で、かつその温度範囲に近
接した温度に加熱または冷却する。例えば、検査用ウェ
ーハに設ける感温液晶の変色温度範囲が２６〜２９℃で
ある場合は、感温液晶の変色温度範囲の下限未満で、か
つその温度範囲に近接した温度、例えばウェーハ保持具
を２５℃の温度に保持しておく。ウェーハ保持具の加熱
または冷却は適宜な手段で行えばよいが、加熱の場合は
例えばハロゲンランプで加熱すればよい。More specifically, the wafer holder is heated or cooled to a temperature lower than the lower limit of the color change temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the inspection wafer mounted thereon and close to the temperature range. I do. For example, when the color change temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the inspection wafer is 26 to 29 ° C., the temperature is lower than the lower limit of the color change temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal and is close to the temperature range, for example, a wafer holder. Keep at a temperature of 25 ° C. Heating or cooling of the wafer holder may be performed by appropriate means. In the case of heating, for example, heating may be performed by a halogen lamp.
【０００９】他方の検査用ウェーハは、下層にインク層
を設けその上に感温液晶の層を設けたものとする。これ
らはいずれもガススプレーによりウェーハの表面に塗布
される。ここで下層にインク層を設けた理由は、このイ
ンク層があることによってコントラストを上げて、感温
液晶の変色を一層強調することが出来るようになるから
である。The other inspection wafer has an ink layer as a lower layer and a temperature-sensitive liquid crystal layer thereon. These are all applied to the surface of the wafer by gas spray. Here, the reason why the ink layer is provided as the lower layer is that the presence of the ink layer makes it possible to increase the contrast and further enhance the discoloration of the temperature-sensitive liquid crystal.
【００１０】ここに用いるインクは水溶性インクが好ま
しい。感温液晶は、温度変化によってその色調を変える
ものであるが、この感温液晶の温度変化の範囲は、ウェ
ーハ保持具の加熱または冷却作業性の容易性から、０〜
１００℃の温度範囲の指定された温度範囲で、その色調
が変化するものが好ましい。さらに、感温液晶は、色調
が温度に応じて赤、緑、青の順で連続的に変化するコレ
ステロール感温液晶が好ましい。検査用ウェーハは、感
温液晶の変色温度範囲の上限を超える温度で、かつその
温度範囲に近接した温度に加熱または冷却する。例え
ば、検査用ウェーハに設ける感温液晶の変色温度範囲が
２６〜２９℃である場合は、例えば検査用ウェーハを３
０℃の温度に保持しておく。検査用ウェーハの加熱また
は冷却は適宜な手段で行えばよい。このように感温液晶
の変色温度範囲の下限未満の温度に加熱または冷却され
たウェーハ保持具の上に、同じ感温液晶の変色温度範囲
の上限を超える温度に加熱した検査用ウェーハを載置す
る。すると、ウェーハ保持具と接触している部分の検査
用ウェーハは、その熱がウェーハ保持具に伝わってその
温度が低下し、その部分で感温液晶が変色を始める。し
かし、ウェーハ保持具と接触していない部分の検査用ウ
ェーハは、ウェーハ保持具からの熱が伝わって来ないた
めに感温液晶の変色は直ぐに起こらず、接触部分よりも
遅れて温度が低下して色調の変化が生じることになる。
ウェーハ保持具と接触している部分の感温液晶の色調の
変化は、熱伝導の進行ととともに拡張してくるので、こ
れを観察することによって、ウェーハ保持具と検査用ウ
ェーハとの接触状態を知ることが可能である。The ink used here is preferably a water-soluble ink. The temperature-sensitive liquid crystal changes its color tone according to the temperature change. The range of the temperature change of the temperature-sensitive liquid crystal ranges from 0 to 0 due to the ease of heating or cooling work of the wafer holder.
It is preferable that the color tone changes in a specified temperature range of 100 ° C. Further, the thermosensitive liquid crystal is preferably a cholesterol thermosensitive liquid crystal whose color tone changes continuously in the order of red, green, and blue according to the temperature. The inspection wafer is heated or cooled to a temperature exceeding the upper limit of the color change temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal and close to the temperature range. For example, when the color change temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the inspection wafer is 26 to 29 ° C., the inspection wafer is
Keep at a temperature of 0 ° C. Heating or cooling of the inspection wafer may be performed by appropriate means. The inspection wafer heated to a temperature exceeding the upper limit of the discoloration temperature range of the same temperature-sensitive liquid crystal is placed on the wafer holder heated or cooled to a temperature below the lower limit of the discoloration temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal. I do. Then, the heat of the portion of the inspection wafer that is in contact with the wafer holder is transmitted to the wafer holder, the temperature of the wafer decreases, and the temperature-sensitive liquid crystal starts discoloring at that portion. However, since the heat from the wafer holder is not transmitted to the part of the inspection wafer that is not in contact with the wafer holder, discoloration of the temperature-sensitive liquid crystal does not occur immediately, and the temperature drops later than the contact part. This causes a change in color tone.
The change in the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal in the area that is in contact with the wafer holder expands with the progress of heat conduction. It is possible to know.
【００１１】請求項２の発明は、ウェーハ保持具と検査
用ウェーハとの温度差の関係を請求項１の発明と逆にし
たもので、その他は請求項１の発明と同じである。即
ち、ウェーハ保持具を、ウェーハに設けた感温液晶の変
色温度範囲の上限を超えかつその温度範囲に近接した温
度に加熱又は冷却し、他方、検査用ウェーハをその感温
液晶の変色温度範囲の下限未満の温度でかつその温度範
囲に近接した温度に加熱又は冷却するものである。この
場合は、検査用ウェーハに塗布された感温液晶の色調
は、上記とは逆に青、緑、赤の順で変化する。The second aspect of the invention is the same as the first aspect of the invention except that the relationship between the temperature difference between the wafer holder and the inspection wafer is reversed. That is, the wafer holder is heated or cooled to a temperature exceeding the upper limit of the discoloration temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the wafer and close to the temperature range, and, on the other hand, changing the inspection wafer to the discoloration temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal. Is heated or cooled to a temperature lower than the lower limit of the above and close to the temperature range. In this case, the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal applied to the inspection wafer changes in the order of blue, green, and red, contrary to the above.
【００１２】請求項３の発明は検査用ウェーハで、その
構成はウェーハの表面にインク塗布層を設け、その上に
感温液晶の層を設けたものたものである。ここにおける
インク層については既に説明した通りである。According to a third aspect of the present invention, there is provided an inspection wafer having a structure in which an ink coating layer is provided on the surface of the wafer, and a temperature-sensitive liquid crystal layer is provided thereon. The ink layer here is as described above.
【００１３】請求項４の発明は、ウェーハ保持具の保持
面の平滑性を検査するための検査具の製造方法である。
基材は予め表面が平滑に研磨されたウェーハである。最
初の工程は、この基材のウェーハの表面にガススプレー
法でインクを塗布するものである。次にこれを乾燥して
ここにインク層を形成する。ここに用いるインクは、既
に説明したように水溶性インクが好ましい。次に、この
乾燥されたインク層の表面に、感温液晶の懸濁液をスプ
レーで塗布してこれを乾燥する。ここで用いる感温液晶
は、感温液晶が０〜１００℃の温度範囲の指定された温
度範囲で、その色調が温度上昇に伴って連続的に赤、
緑、青の順で変化するコレステロール感温液晶が好まし
い。乾燥は、常温条件での自然乾燥法などで行われる。
インク層と感温液晶層は均一の厚さで塗布する必要があ
る。以下に、この発明の実施例をあげてさらに説明す
る。A fourth aspect of the present invention is a method for manufacturing an inspection tool for inspecting the smoothness of a holding surface of a wafer holder.
The base material is a wafer whose surface has been polished smooth in advance. The first step is to apply ink to the surface of the substrate wafer by a gas spray method. Next, this is dried to form an ink layer thereon. The ink used here is preferably a water-soluble ink as described above. Next, a suspension of the temperature-sensitive liquid crystal is applied to the surface of the dried ink layer by spraying and dried. The temperature-sensitive liquid crystal used here is such that the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal is continuously changed to red as the temperature rises in a specified temperature range of 0 to 100 ° C.
Cholesterol thermosensitive liquid crystals that change in the order of green and blue are preferred. Drying is performed by a natural drying method under normal temperature conditions.
The ink layer and the temperature-sensitive liquid crystal layer need to be applied with a uniform thickness. Hereinafter, the present invention will be further described with reference to examples.
【００１４】[0014]
【実施例】図４は、検査用ウェーハ１０の断面を示した
ものである。検査用ウェーハ１０の基材２０はシリコン
で、その片面に基材側から順次黒色のインキ層３０、感
温液晶層４０が形成されている。インキ層３０と感温液
晶層４０は、いずれもガススプレーによりウェーハ表面
に塗布することによって形成されている。このインキ層
３０の役割は、コントラストを上げて感温液晶の色調変
化を強調するものである。感温液晶にはコレステロール
感温液晶で、株式会社日本カプセルプロダックツ製サー
モクロミック液晶（商品コードＲＭ２７２９）を用い
た。この感温液晶の変色温度範囲は２６．５〜２９℃で
ある。さらに、この感温液晶は１５〜３０μｍの粒子
で、その表面は透明な樹脂で包囲されたマイクロカプセ
ルとなっている。FIG. 4 shows a cross section of an inspection wafer 10. As shown in FIG. The substrate 20 of the inspection wafer 10 is silicon, and a black ink layer 30 and a temperature-sensitive liquid crystal layer 40 are sequentially formed on one surface of the wafer 10 from the substrate side. Both the ink layer 30 and the temperature-sensitive liquid crystal layer 40 are formed by applying the gas spray to the wafer surface. The role of the ink layer 30 is to enhance the contrast and emphasize the color tone change of the temperature-sensitive liquid crystal. As the thermosensitive liquid crystal, a thermochromic liquid crystal (product code RM2729) manufactured by Nippon Capsule Products Co., Ltd. was used. The color change temperature range of this thermosensitive liquid crystal is 26.5 to 29 ° C. Further, the temperature-sensitive liquid crystal is particles having a size of 15 to 30 μm, and the surface thereof is a microcapsule surrounded by a transparent resin.
【００１５】図１は、ウェーハ保持具１と検査用ウェー
ハ１０との接触状態を測定する実験を示した説明図であ
る。ウェーハ保持具１は、シリコン単結晶の円盤状の板
である。このウェーハ保持具１は、図１に示すように台
座３の上で、上記ウェーハ保持具１は、図２に示すよう
に３点支持部４に相当する位置に配置してあるボールベ
アリング５の上に載置されている。図３（Ａ）は、これ
に検査用ウェーハ１０を載置したものを示した分解図で
ある。また、図３（Ｂ）はウェーハ保持具１の裏面を示
したものである。第５図は、この発明のウェーハ保持具
の上に載置された検査用ウェーハで、熱伝導の相違によ
って生じた感温液晶の変色の状態を模して示した説明図
である。FIG. 1 is an explanatory view showing an experiment for measuring a contact state between the wafer holder 1 and the inspection wafer 10. The wafer holder 1 is a disk-shaped plate of silicon single crystal. The wafer holder 1 has a ball bearing 5 disposed on a pedestal 3 as shown in FIG. 1 and a ball bearing 5 disposed at a position corresponding to a three-point support 4 as shown in FIG. Is placed on top. FIG. 3A is an exploded view showing the inspection wafer 10 placed thereon. FIG. 3B shows a back surface of the wafer holder 1. FIG. 5 is an explanatory view simulating a state of discoloration of a temperature-sensitive liquid crystal caused by a difference in heat conduction on an inspection wafer mounted on a wafer holder of the present invention.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ウェ
ーハ保持具と検査用ウェーハとの接触部での接触状態
を、ウェーハ保持具の上に載置した検査用ウェーハの表
面に形成した感温液晶の色調の変化を調べることによっ
て、事前にしかも簡単に検査することができるようにな
った。このために、ウェーハ保持具によるウェーハの支
持状態は、所望の状態になっているかを確認することが
でき、ウェーハの熱処理などでの欠陥の発生をさらに減
少させることができるようになった。As described above, according to the present invention, the contact state at the contact portion between the wafer holder and the inspection wafer is formed on the surface of the inspection wafer placed on the wafer holder. By examining the change in the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal, the inspection can be performed in advance and easily. For this reason, it is possible to confirm whether the state of supporting the wafer by the wafer holder is in a desired state, and it is possible to further reduce the occurrence of defects due to heat treatment of the wafer.
【図１】この発明の１実施例になるウェーハ保持具と検
査用ウェーハとの接触状態を検査する方法を示す説明
図。FIG. 1 is an explanatory view showing a method for inspecting a contact state between a wafer holder and an inspection wafer according to one embodiment of the present invention.
【図２】この発明の１実施例のウェーハ保持具の裏面を
示す正面図。FIG. 2 is a front view showing the back surface of the wafer holder according to one embodiment of the present invention.
【図３】この発明の１実施例のなるウェーハ保持具の分
解図。FIG. 3 is an exploded view of the wafer holder according to one embodiment of the present invention.
【図４】この発明の１実施例になる検査用ウェーハの断
面図。FIG. 4 is a sectional view of an inspection wafer according to one embodiment of the present invention.
【図５】この発明の１実施例になる検査用ウェーハの感
温液晶の色調変化を模して示した説明図。FIG. 5 is an explanatory view simulating a color tone change of a temperature-sensitive liquid crystal of a test wafer according to one embodiment of the present invention.
１…ウェーハ保持具、３…台座、４…支持部、５…ボー
ルベアリング、１０…検査用ウェーハ、２０…検査用ウ
ェーハの基材、３０…インキ層、４０…感温液晶層。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer holder, 3 ... Pedestal, 4 ... Support part, 5 ... Ball bearing, 10 ... Inspection wafer, 20 ... Inspection wafer base material, 30 ... Ink layer, 40 ... Temperature sensitive liquid crystal layer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M106 AA01 BA10 CA55 DH44 DH45 DJ32 5F031 CA02 CA11 DA13 HA08 HA09 JA08 JA27 MA28 MA30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4M106 AA01 BA10 CA55 DH44 DH45 DJ32 5F031 CA02 CA11 DA13 HA08 HA09 JA08 JA27 MA28 MA30
Claims (6)
触状態を検査するに当たり、表面に感温液晶層を設けた
検査用ウェーハを保持するウェーハ保持具を、検査用ウ
ェーハに設けた感温液晶の変色温度範囲の下限未満でか
つその温度範囲に近接した温度に加熱又は冷却し、他
方、検査用ウェーハを該ウェーハに設けた感温液晶の変
色温度範囲の上限を超える温度でかつその温度範囲に近
接した温度に加熱又は冷却し、この検査用ウェーハを前
記ウェーハ保持具の上に載置し、これによる熱伝導で生
じる検査用ウェーハ表面の感温液晶の色調の変化から、
これらの接触状態を調べることを特徴とするウェーハ保
持具と検査用ウェーハとの接触状態を検査する方法。When inspecting a contact state between a wafer holder and an inspection wafer, a wafer holder for holding an inspection wafer having a surface provided with a temperature-sensitive liquid crystal layer is provided on a wafer for inspection. Is heated or cooled to a temperature lower than the lower limit of the discoloration temperature range and close to the temperature range, while the inspection wafer is at a temperature higher than the upper limit of the discoloration temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the wafer and the temperature range. Heating or cooling to a temperature close to, placing the inspection wafer on the wafer holder, from the change in the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal on the inspection wafer surface caused by heat conduction by this,
A method for inspecting a contact state between a wafer holder and an inspection wafer, characterized by examining the contact state.
触状態を検査するに当たり、表面に感温液晶層を設けた
検査用ウェーハを保持するウェーハ保持具を、検査用ウ
ェーハに設けた感温液晶の変色温度範囲の上限を超えか
つその温度範囲に近接した温度に加熱又は冷却し、他
方、検査用ウェーハを該ウェーハに設けた感温液晶の変
色温度範囲の下限未満の温度範囲でかつその温度範囲に
近接した温度に加熱又は冷却し、この検査用ウェーハを
前記ウェーハ保持具の上に載置し、これによる熱伝導で
生じる検査用ウェーハ表面の感温液晶の色調の変化か
ら、これらの接触状態を調べることを特徴とするウェー
ハ保持具と検査用ウェーハとの接触状態を検査する方
法。2. A temperature-sensitive liquid crystal device, comprising: a wafer holder for holding an inspection wafer having a temperature-sensitive liquid crystal layer provided on a surface thereof, for inspecting a contact state between the wafer holder and the inspection wafer; Is heated or cooled to a temperature exceeding the upper limit of the discoloration temperature range of and close to the temperature range, while the inspection wafer is in a temperature range less than the lower limit of the discoloration temperature range of the temperature-sensitive liquid crystal provided on the wafer and at that temperature. Heat or cool to a temperature close to the range, place the inspection wafer on the wafer holder, and change the color tone of the temperature-sensitive liquid crystal on the surface of the inspection wafer caused by heat conduction due to this. A method for inspecting a contact state between a wafer holder and an inspection wafer, characterized by examining a state.
温液晶層を有するウェーハ保持具の検査用ウェーハ。3. A wafer for inspecting a wafer holder having an ink coating layer on a surface and a temperature-sensitive liquid crystal layer thereon.
の表面にインクを塗布する工程と、この工程で塗布され
たインクを乾燥する工程と、さらに乾燥したインク塗布
層の表面に感温液晶の懸濁液をスプレーで塗布する工程
と、この工程で塗布された感温液晶を乾燥する工程とか
らなることを特徴とするウェーハ保持具の検査用ウェー
ハの製造方法。4. A step of applying ink to the surface of the inspection wafer by a gas spray method, a step of drying the ink applied in this step, and a step of suspending the temperature-sensitive liquid crystal on the surface of the dried ink coating layer. A method for producing a wafer for inspection of a wafer holder, comprising: a step of applying a liquid by spraying; and a step of drying the temperature-sensitive liquid crystal applied in this step.
とする請求項４に記載するウェーハ保持具の検査用ウェ
ーハの製造方法。5. The method for producing a wafer for inspection of a wafer holder according to claim 4, wherein the ink is a water-soluble ink.
定された温度範囲で、その色調が連続的に変化するコレ
ステロール感温液晶であることを特徴とする請求項４に
記載するウェーハ保持具の検査用ウェーハの製造方法。6. The wafer according to claim 4, wherein the temperature-sensitive liquid crystal is a cholesterol temperature-sensitive liquid crystal whose color tone changes continuously in a specified temperature range of 0 to 100 ° C. Manufacturing method of wafer for inspection of holder.
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|---|---|---|---|
| JP35287598A JP2000183137A (en) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | Method for inspecting contracting state between wafer holding tool and inspecting wafer, and inspecting wafer used therein |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP35287598A JP2000183137A (en) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | Method for inspecting contracting state between wafer holding tool and inspecting wafer, and inspecting wafer used therein |
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Family Applications (1)
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| JP35287598A Pending JP2000183137A (en) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | Method for inspecting contracting state between wafer holding tool and inspecting wafer, and inspecting wafer used therein |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9995786B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-06-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Apparatus and method for evaluating semiconductor device |
| JP2020035817A (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社ディスコ | table |
| CN116364573A (en) * | 2023-05-24 | 2023-06-30 | 长鑫存储技术有限公司 | Semiconductor structure testing method and die using same |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP35287598A patent/JP2000183137A/en active Pending
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| US9995786B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-06-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Apparatus and method for evaluating semiconductor device |
| JP2020035817A (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社ディスコ | table |
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| CN116364573A (en) * | 2023-05-24 | 2023-06-30 | 长鑫存储技术有限公司 | Semiconductor structure testing method and die using same |
| CN116364573B (en) * | 2023-05-24 | 2023-11-10 | 长鑫存储技术有限公司 | Semiconductor structure testing method and die using same |
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