JP2000183011A - Substrate-rinsing method - Google Patents

Substrate-rinsing method

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JP2000183011A
JP2000183011A JP10353162A JP35316298A JP2000183011A JP 2000183011 A JP2000183011 A JP 2000183011A JP 10353162 A JP10353162 A JP 10353162A JP 35316298 A JP35316298 A JP 35316298A JP 2000183011 A JP2000183011 A JP 2000183011A
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JP
Japan
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substrate
washing
pure water
rinsing
water
Prior art date
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Application number
JP10353162A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Morita
明 森田
Tetsuo Kawakatsu
哲夫 川勝
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-rinsing method, wherein a substrate is washed with less amount of pure water which is used in a short time. SOLUTION: A plurality of substrates W processed in a chemical liquid at a chemical liquid process part are transferred to a rinsing process part 10D, the substrates W are rinsed in a shower, while being swung in the vertical direction so that most of the chemical liquid and particles sticking to the substrate W is rinsed and removed, then the substrate W is submerged into water for rinsing. Thus, while less amount of pure water is used, a substrate is rinsed in a short time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アンモニア水と過
酸化水素水との混合溶液、塩酸と過酸化水素水との混合
溶液、および硫酸と過酸化水素水との混合溶液などの薬
液によって薬液処理された複数の基板を一括して水洗処
理する基板水洗方法に関するものである。
The present invention relates to a chemical solution such as a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide, a mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, and a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. The present invention relates to a substrate water washing method for simultaneously performing a water washing process on a plurality of processed substrates.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置用の半導体ウエハや液
晶表示用のガラス基板などを用いた精密電子基板(以
下、単に「基板」という)の製造プロセスにおいては、
アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液、塩酸と過酸
化水素水との混合溶液、および硫酸と過酸化水素水との
混合溶液などの薬液によって基板に対して所定の薬液処
理を施した後、純水による水洗処理を行っている。この
基板水洗方法としては、従来より、純水がオーバーフロ
ーしている処理槽に基板を浸漬させて洗浄する方法、い
わゆるオーバーフロー方式の基板水洗方法が知られてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a manufacturing process of a precision electronic substrate (hereinafter, simply referred to as a “substrate”) using a semiconductor wafer for a semiconductor device, a glass substrate for a liquid crystal display, and the like,
After subjecting the substrate to a predetermined chemical treatment with a chemical such as a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide, a mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, and a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide And a water washing treatment with pure water. As a method of rinsing the substrate, a method of immersing the substrate in a treatment tank in which pure water is overflowing to wash the substrate, that is, a so-called overflow type substrate rinsing method is conventionally known.

【0003】図7はオーバーフロー方式の基板水洗装置
を示す図である。この基板水洗装置101では、純水1
02を貯留するための水洗槽103が設けられている。
この水洗槽103の底部には、水洗槽103内に純水1
02を供給する左右一対のノズル109が設けられ、さ
らに、これらのノズル109に図示を省略する純水供給
ユニットが接続されている。このため、基板104の水
洗処理時には、純水供給ユニットから純水が圧送されて
ノズル109の内管113から外管111を通じて水洗
槽103内に純水102が供給されるとともに、このよ
うな純水102の供給が継続的に行われることにより、
純水102が水洗槽103の上部開口部のオーバーフロ
ー面を介してオーバーフローするようになっている。
FIG. 7 is a view showing an overflow type substrate washing apparatus. In the substrate washing apparatus 101, pure water 1
A water washing tank 103 for storing 02 is provided.
At the bottom of the washing tank 103, pure water 1 is placed in the washing tank 103.
A pair of left and right nozzles 109 for supplying 02 are provided, and a pure water supply unit (not shown) is connected to these nozzles 109. For this reason, at the time of the water washing treatment of the substrate 104, the pure water is supplied from the pure water supply unit under pressure, and the pure water 102 is supplied from the inner pipe 113 of the nozzle 109 to the water washing tank 103 through the outer pipe 111, and the pure water 102 is supplied to the water. By the continuous supply of water 102,
The pure water 102 overflows through the overflow surface of the upper opening of the washing tank 103.

【0004】また、この装置101では、複数の基板1
04を3本のアーム部材107で保持しながら水洗槽1
03に対して昇降するハンドリング機構105が設けら
れている。したがって、このハンドリング機構105に
よって薬液処理が施された基板104を上記のようにし
てオーバーフロー状態にある水洗槽103に浸漬させる
と、基板104への付着物(薬液や薬液処理によって発
生した汚染物質(パーティクル)など)が基板104の
表面から純水中に脱落し、オーバーフロー面を越えてオ
ーバーフローして水洗槽103の外に排出されて複数の
基板104の水洗処理が一括して行われる。また、上記
のようにして水洗処理が完了すると、ハンドリング機構
105が上昇して、水洗処理が施された基板104が水
洗槽103から引き上げられる。
In this apparatus 101, a plurality of substrates 1
04 while being held by three arm members 107.
There is provided a handling mechanism 105 which moves up and down with respect to the third member 03. Therefore, when the substrate 104, which has been subjected to the chemical treatment by the handling mechanism 105, is immersed in the water washing tank 103 in the overflow state as described above, the substance adhering to the substrate 104 (contaminants generated by the chemical treatment or the chemical treatment ( Particles) drop into the pure water from the surface of the substrate 104, overflow over the overflow surface, are discharged out of the washing tank 103, and the plurality of substrates 104 are collectively washed with water. When the rinsing process is completed as described above, the handling mechanism 105 is raised, and the substrate 104 subjected to the rinsing process is pulled up from the rinsing tank 103.

【0005】ところで、複数の基板を一括して水洗処理
する方法としては、上記したオーバーフロー方式の基板
水洗方法以外に、オーバーフローと急速排液をシーケン
シャルに組み合わせた機能水洗方式の基板水洗方法が従
来より知られている。
As a method of collectively rinsing a plurality of substrates, in addition to the above-described overflow type substrate rinsing method, a functional rinsing type substrate rinsing method in which overflow and rapid drainage are sequentially combined has been conventionally used. Are known.

【0006】図8は機能水洗方式の基板水洗装置を示す
図である。この基板水洗装置201では、純水202を
貯留するための水洗槽203が設けられている。この水
洗槽203の底部では、その略中央部に純水202を供
給するための供給口208が設けられるとともに、側端
部に純水202を排液する排液口209が設けられてい
る。そして、これら供給口208および排液口209
に、図示を省略する給排液ユニットが接続されており、
この給排液ユニットによって供給口208を通じて水洗
槽203内に純水202が連続的に供給されると、純水
202が水洗槽203の上部開口部のオーバーフロー面
を介してオーバーフローするようになっている。また、
給排液ユニットによって排液口209を通じて水洗槽2
03内の純水202の排液を開始すると、純水202が
急速に水洗槽203の外に排液されるようになってい
る。
FIG. 8 is a diagram showing a functional water washing type substrate washing apparatus. In the substrate washing apparatus 201, a washing tank 203 for storing pure water 202 is provided. At the bottom of the washing tank 203, a supply port 208 for supplying the pure water 202 is provided at a substantially central portion thereof, and a drain port 209 for discharging the pure water 202 is provided at a side end. The supply port 208 and the drain port 209
Is connected to a supply / drainage unit, not shown.
When the pure water 202 is continuously supplied into the washing tank 203 through the supply port 208 by the supply / drainage unit, the pure water 202 overflows through the overflow surface of the upper opening of the washing tank 203. I have. Also,
Rinse tank 2 through drain port 209 by supply / drain unit
When the drainage of the pure water 202 in 03 starts, the pure water 202 is rapidly drained out of the washing tank 203.

【0007】また、この装置201では、先に説明した
オーバーフロー方式の基板水洗装置と同様に、複数の基
板204を3本のアーム部材207で保持しながら水洗
槽203に対して昇降するハンドリング機構205が設
けられており、このハンドリング機構205によって薬
液処理が施された基板204を上記のようにしてオーバ
ーフロー状態にある水洗槽203に浸漬させることで、
基板204への付着物(薬液や薬液処理によって発生し
た汚染物質(パーティクル)など)が基板104の表面
から純水202内に脱落される。そして、基板浸漬後、
純水202を急速排液して付着物を含む純水202を水
洗槽203の外に排出する。それに続いて、基板204
を水洗槽203内に位置させたままで、給排液ユニット
によって水洗槽203内に純水202を連続供給してオ
ーバーフローさせて基板204の表面から付着物を純水
202内に脱落させた後、再度、急速排液して脱落させ
た付着物を純水202とともに水洗槽203から排出す
る。このような一連の動作(オーバーフローおよび急速
排液)を数回繰り返して基板204への付着物を素早く
水洗除去する。
Further, in this apparatus 201, similarly to the overflow type substrate washing apparatus described above, a handling mechanism 205 which moves up and down with respect to the washing tank 203 while holding a plurality of substrates 204 with three arm members 207. By immersing the substrate 204, which has been subjected to the chemical treatment by the handling mechanism 205, into the water washing tank 203 in the overflow state as described above,
Deposits (such as a chemical solution or contaminants (particles) generated by the chemical solution treatment) on the substrate 204 are dropped from the surface of the substrate 104 into the pure water 202. And after immersing the substrate,
The pure water 202 is quickly drained, and the pure water 202 containing the deposit is discharged out of the washing tank 203. Subsequently, the substrate 204
After the pure water 202 is continuously supplied into the washing tank 203 by the supply / drainage unit and overflows while the liquid is kept in the washing tank 203 to remove the deposits from the surface of the substrate 204 into the pure water 202, Once again, the attached matter that has been rapidly drained and dropped is discharged from the washing tank 203 together with the pure water 202. Such a series of operations (overflow and rapid drainage) are repeated several times to quickly wash and remove deposits on the substrate 204.

【0008】また、上記のようにして急速排液した時、
基板204が一時的に空気中に曝され、部分的に乾燥す
るおそれがあるため、水洗槽203の上方左右側にシャ
ワーノズル210を配置し、急速排液時のみ、これらの
シャワーノズル210から純水を基板204に向けてシ
ャワー状に吐出させることで、基板204の乾燥を防止
している。なお、このシャワーノズル210から吐出さ
れる純水の水量は基板乾燥を防止するのに必要な程度に
止まり、かかる純水によって基板204の水洗処理は実
質的に行われていない。
Further, when the liquid is rapidly drained as described above,
Since the substrate 204 is temporarily exposed to the air and may be partially dried, the shower nozzles 210 are arranged on the left and right sides above the washing tank 203, and only when the liquid is rapidly drained, the shower nozzles 210 are purely removed. By discharging water in a shower shape toward the substrate 204, drying of the substrate 204 is prevented. The amount of pure water discharged from the shower nozzle 210 is limited to a level necessary to prevent the substrate from drying, and the substrate 204 is not substantially washed with the pure water.

【0009】なお、上記のようにして水洗処理が完了す
ると、ハンドリング機構205が上昇して、水洗処理が
施された基板204が水洗槽203から引き上げられ
る。
When the rinsing process is completed as described above, the handling mechanism 205 is raised, and the substrate 204 subjected to the rinsing process is lifted from the rinsing tank 203.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
では、薬液処理された複数の基板を一括して洗浄するた
めに、処理槽で純水をオーバーフローさせながら、当該
処理槽内に複数の基板を浸漬して基板への付着物を取り
除いている。このため、水洗処理のために多量の純水が
必要となるとともに、処理時間が長くなっていた。特
に、図8に示した機能水洗方式では、オーバーフローに
急速排液が組み合わされて、図7に示したオーバーフロ
ー方式の基板水洗方法に比べて処理時間が幾分短縮され
るものの、大幅に改善されるというものではなく、より
短時間で洗浄することができる基板水洗方法が従来より
望まれている。
As described above, conventionally, in order to collectively wash a plurality of substrates that have been treated with a chemical solution, a plurality of substrates are filled in the processing tank while overflowing pure water in the processing tank. The substrate is immersed to remove deposits on the substrate. For this reason, a large amount of pure water is required for the water washing treatment, and the treatment time is long. In particular, in the functional water washing method shown in FIG. 8, the overflow is combined with rapid drainage, and although the processing time is somewhat shortened as compared with the overflow water washing method shown in FIG. 7, it is greatly improved. However, there has been a demand for a method of washing a substrate which can be cleaned in a shorter time.

【0011】また、図8の機能水洗方式では、急速排液
時での基板乾燥を防止するために専用のシャワーノズル
210を設けているため、基板洗浄という目的以外に基
板乾燥防止用として余分な純水が必要となり、純水の使
用量を増大させて水洗処理コストの上昇の要因となって
いる。
In the functional water washing method shown in FIG. 8, a dedicated shower nozzle 210 is provided to prevent drying of the substrate at the time of rapid drainage. Pure water is required, and the amount of pure water used is increased, which causes a rise in the washing cost.

【0012】この発明は、上記のような問題に鑑みてな
されたものであり、より少ない純水使用量で、しかも短
時間で基板を洗浄することができる基板水洗方法を提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a method of washing a substrate with a smaller amount of pure water and in a shorter time. I do.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】この発明は、薬液によっ
て薬液処理された複数の基板を純水で洗浄する基板水洗
方法であって、上記目的を達成するため、複数の基板を
揺動させながら、純水をシャワー状に供給する揺動シャ
ワー水洗工程と、純水が貯留された水洗槽に複数の基板
を浸漬させて水洗する浸漬水洗工程とを備えている(請
求項1)。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method of washing a plurality of substrates which have been subjected to a chemical treatment with a chemical solution with pure water. An oscillating shower rinsing step of supplying pure water in the form of a shower, and an immersion rinsing step of immersing a plurality of substrates in a rinsing tank in which pure water is stored for rinsing.

【0014】なお、前記浸漬水洗工程を実行した後で、
前記揺動シャワー水洗工程を実行するようにしてもよい
(請求項2)。また、少なくとも薬液処理を完了するま
でに前記水洗槽への純水の貯留を完了する(請求項3)
ようにすれば、薬液処理後、直ちに水洗槽への基板浸漬
を行うことができ、水洗処理に要する時間を短縮するこ
とができる。さらに、前記水洗槽内において前記揺動シ
ャワー水洗工程を行うことで(請求項4)、水洗処理を
効率的に行うことができる。
After performing the immersion washing step,
The oscillating shower water washing step may be performed (claim 2). Further, the storage of the pure water in the washing tank is completed at least until the chemical solution treatment is completed (claim 3).
By doing so, the substrate can be immersed in the washing tank immediately after the chemical treatment, and the time required for the washing treatment can be reduced. Furthermore, by performing the oscillating shower rinsing step in the rinsing tank (claim 4), the rinsing process can be performed efficiently.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1は、この発明にかかる基板水
洗方法の一実施形態を適用可能な基板処理装置を示す平
面図である。この図に示す基板処理装置は、半導体ウエ
ハなどの基板を複数種類の処理液(薬液および純水)に
一括して浸漬させたり、純水をシャワー状に供給して水
洗したりする装置であって、基板の投入部2と、投入部
2によって投入された複数の基板に薬液処理や水洗処理
などの一連の各種処理を施す処理ユニット1と、処理ユ
ニット1による各種処理後の基板を取出す基板の取出部
3とを備えている。
FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus to which an embodiment of a substrate washing method according to the present invention can be applied. The substrate processing apparatus shown in this figure is an apparatus for immersing a substrate such as a semiconductor wafer or the like in a plurality of types of processing liquids (chemical solution and pure water) at one time, or for supplying pure water in a shower shape to wash the substrate. And a processing unit 1 for performing a series of various processes such as a chemical solution process and a water washing process on the plurality of substrates loaded by the loading unit 2, and a substrate for taking out the substrates after the various processes by the processing unit 1. And a take-out section 3.

【0016】基板の投入部2には、基板を収納したキャ
リアケースを受け入れて載置する受入部分4が設けられ
ており、図外の搬送装置によりこの受入部分4に基板を
収納したキャリアケースが搬入されるようになってい
る。なお、本実施形態では、1つのキャリアケースに2
5枚の基板を収納するようになっており、各基板は、キ
ャリアケース内にその面を対向させた状態で一列に並べ
られて収納されている。
A receiving portion 4 for receiving and placing a carrier case containing a substrate is provided in the substrate input section 2, and a carrier case containing the substrate in the receiving portion 4 by a transport device (not shown). It is to be brought in. In the present embodiment, two carrier cases are used.
Five substrates are housed, and each substrate is housed in a carrier case in a line with the surfaces thereof facing each other.

【0017】また、受入部分4の後側(同図では上側)
には、処理ユニット1に基板を搬入するまでの間キャリ
アケースを待機させる待機部分5が並べて設けられ、こ
れら受入部分4及び待機部分5の側方(同図では左側)
に移送ロボット6が配設されている。
The rear side of the receiving part 4 (upper side in the figure)
Are provided side by side with a standby portion 5 for holding the carrier case until the substrate is carried into the processing unit 1, and the receiving portion 4 and the standby portion 5 beside (left side in FIG. 1).
Is provided with a transfer robot 6.

【0018】移送ロボット6は、同図に破線で示すよう
に、受入部分4に対向するポジションPaと待機部分5
に対向するポジションPbとにわたって移動可能となっ
ており、受入部分4に搬入されたキャリアケースを待機
部分5へと移載するように構成されている。
The transfer robot 6 includes a position Pa facing the receiving portion 4 and a standby portion 5 as shown by a broken line in FIG.
, And is configured to be able to move the carrier case carried into the receiving portion 4 to the standby portion 5.

【0019】投入部2と処理ユニット1との間には、待
機部分5に対向して基板取出機構部12が配設され、こ
れら待機部分5と基板取出機構部12との間に移送ロボ
ット14が移動可能に配設されている。移送ロボット1
4は、待機部分5と基板取出機構部12との間に介在す
るポジションPdとシャトルロボット17の投入部2側
の移動端に対応するポジションPcとにわたって移動可
能となっており、待機部分5から基板取出機構部12
へ、また、基板取出機構部12からシャトルロボット1
7へとキャリアケースを受け渡すように構成されてい
る。
A substrate unloading mechanism 12 is disposed between the loading section 2 and the processing unit 1 so as to face the standby section 5, and a transfer robot 14 is provided between the standby section 5 and the substrate unloading mechanism 12. Are movably arranged. Transfer robot 1
4 is movable between a position Pd interposed between the standby portion 5 and the substrate unloading mechanism 12 and a position Pc corresponding to the moving end of the shuttle robot 17 on the loading unit 2 side. Substrate unloading mechanism 12
And the shuttle robot 1 from the substrate unloading mechanism 12
7 is configured to deliver the carrier case.

【0020】基板取出機構部12は、キャリアケースを
載置する二つの載置部を有し、これら載置部に、上端に
基板の支持部を具備したアーム部材をそれぞれ昇降可能
に備えている。そして、処理前の基板が収納されたキャ
リアケースが各載置部にセットされると、アーム部材が
キャリアケース底部に形成された開口部分を介して上昇
端位置まで変位し、これにより基板を一括支持してケー
ス上方に持ち上げるようになっている。
The substrate unloading mechanism 12 has two mounting portions on which the carrier case is mounted, and these mounting portions are provided with arm members having a substrate support at the upper end so as to be able to move up and down. . Then, when the carrier case in which the substrate before processing is stored is set on each mounting portion, the arm member is displaced to the rising end position through the opening formed in the bottom of the carrier case. It is designed to be supported and lifted above the case.

【0021】処理ユニット1には、複数の基板を搬送す
る搬送ロボット16aのチャックを純水で洗浄した後で
チャックを乾燥させるためのチャック水洗部10Aと、
基板に対して薬液および水洗処理の一連の処理を施すた
めの処理部10B〜10Gと、基板を乾燥させる乾燥部
10Hとが投入部2側の端部から順に並べて設けられる
とともに、これら処理部10A等の側方(同図では下
方)に、基板取出機構部12および処理部10A〜10
Fにアクセス可能な搬送ロボット16aと、処理部10
F〜10Hにアクセス可能な搬送ロボット16bと、処
理部10Hおよび基板収納機構部13にアクセス可能な
搬送ロボット16cとが配置されている。なお、この実
施形態では、処理部10B〜10Gを以下のように構成
している。
The processing unit 1 has a chuck washing section 10A for washing the chuck of the transfer robot 16a for transferring a plurality of substrates with pure water and then drying the chuck.
Processing units 10B to 10G for performing a series of processes of a chemical solution and a water washing process on the substrate, and a drying unit 10H for drying the substrate are provided in order from the end on the input unit 2 side. The substrate unloading mechanism 12 and the processing units 10A to 10A
Transfer robot 16a that can access the F
A transfer robot 16b that can access F to 10H and a transfer robot 16c that can access the processing unit 10H and the substrate storage mechanism unit 13 are arranged. In this embodiment, the processing units 10B to 10G are configured as follows.

【0022】処理部10B:第1の薬液処理部(CAR
O処理部) この処理部10Bには、薬液としての硫酸と過酸化水素
水との混合溶液(以下「CARO」という)を貯留する
処理槽(図示省略)が設けられており、搬送ロボット1
6aが基板取出機構部12においてキャリアケース上方
に持ち上げられた複数の基板を一括保持した後、この処
理槽に搬入すると、CAROによって複数の基板に対す
る薬液処理が一括して行われる。
Processing unit 10B: First chemical liquid processing unit (CAR
O processing unit) The processing unit 10B is provided with a processing tank (not shown) for storing a mixed solution of sulfuric acid and a hydrogen peroxide solution (hereinafter, referred to as “CARO”) as a chemical solution.
6a collectively holds the plurality of substrates lifted above the carrier case in the substrate unloading mechanism 12, and then carries the substrates into this processing tank, where the chemical solution processing for the plurality of substrates is performed collectively by CARO.

【0023】処理部10C:第2の薬液処理部(CAR
O処理部) この処理部10Cは上記処理部10Bと同一構成を有し
ており、搬送ロボット16aによって基板取出機構部1
2においてキャリアケース上方に持ち上げられた複数の
基板が処理部10Cに設けられた処理槽に搬入すると、
CAROによる薬液処理が行われる。このように、同一
の薬液処理を行う第1および第2の薬液処理部10B,
10Cを設けたのは、CAROによる薬液処理(CAR
O処理)が他の処理部10D〜10Gに比べて時間がか
かるため、処理時間を短縮すべく並行してCARO処理
を行うためである。
Processing section 10C: second chemical processing section (CAR
O processing section) The processing section 10C has the same configuration as the processing section 10B, and the substrate unloading mechanism section 1 is moved by the transfer robot 16a.
When the plurality of substrates lifted above the carrier case in 2 are carried into the processing tank provided in the processing unit 10C,
The chemical solution treatment by CARO is performed. Thus, the first and second chemical processing units 10B, which perform the same chemical processing,
10C was provided because of chemical treatment by CARO (CAR
O processing) takes longer time than the other processing units 10D to 10G, so that the CARO processing is performed in parallel to shorten the processing time.

【0024】処理部10D:水洗処理部 この処理部10Dは、この発明にかかる基板水洗方法を
用いた水洗処理部であり、複数の基板Wを揺動させなが
ら、純水をシャワー状に供給する揺動シャワー水洗工程
と、純水が貯留された水洗槽に複数の基板を浸漬させて
水洗する浸漬水洗工程とを組み合わせて、第1または第
2の薬液処理部10B,10Cで薬液処理された基板W
の洗浄処理を行っている。なお、この水洗処理部10D
で実行される基板水洗方法が本発明の特徴部であるた
め、この処理部10Dの構成およびその動作について
は、後で詳述する。
Processing section 10D: Rinse processing section This processing section 10D is a rinsing processing section using the substrate rinsing method according to the present invention, and supplies pure water in a shower shape while oscillating a plurality of substrates W. The oscillating shower rinsing step and the immersion rinsing step of immersing a plurality of substrates in a rinsing tank in which pure water is stored and rinsing with water are combined to perform the chemical treatment in the first or second chemical treatment units 10B and 10C. Substrate W
Cleaning process. In addition, this washing processing part 10D
Is a feature of the present invention, the configuration and operation of the processing unit 10D will be described later in detail.

【0025】処理部10E:第3の薬液処理部(HF−
1処理) この処理部10Eには、薬液としてのフッ酸(HF)を
貯留する処理槽(図示省略)が設けられており、搬送ロ
ボット16aが水洗処理部10Dから水洗処理された複
数の基板を搬出した後、この処理槽のハンドリング機構
(図示省略)に搬入すると、フッ酸によって複数の基板
に対する薬液処理(HF−1処理)が一括して行われ
る。
Processing section 10E: Third chemical processing section (HF-
1 Processing) The processing unit 10E is provided with a processing tank (not shown) for storing hydrofluoric acid (HF) as a chemical solution, and the transfer robot 16a removes a plurality of substrates that have been subjected to the rinsing processing from the rinsing processing unit 10D. After being carried out, when the substrate is carried into a handling mechanism (not shown) of the processing tank, a chemical solution process (HF-1 process) for a plurality of substrates is performed by hydrofluoric acid.

【0026】処理部10F:オーバーフロー方式水洗処
理部 この処理部10Fでは、図9で示したと同様に、純水を
貯留するための水洗槽が設けられるとともに、水洗槽の
底部側からその内部に向けて純水が供給されて、水洗槽
の上部開口部のオーバーフロー面を介してオーバーフロ
ーするようになっている。そして、搬送ロボット16a
が第3の薬液処理部10Eからフッ酸による薬液処理が
行われた複数の基板を搬出した後、この水洗槽のハンド
リング機構(図示省略)に搬送すると、基板表面上の付
着物(フッ酸およびフッ酸による薬液処理によって発生
した物質(パーティクル)など)が水洗除去される。
Processing section 10F: Overflow type water washing processing section In this processing section 10F, a water washing tank for storing pure water is provided, as shown in FIG. Pure water is supplied and overflows through the overflow surface of the upper opening of the washing tank. Then, the transfer robot 16a
Transports a plurality of substrates that have been subjected to chemical treatment with hydrofluoric acid from the third chemical treatment unit 10E, and transports the substrates to a handling mechanism (not shown) of the washing tank. Substances (particles, etc.) generated by the chemical treatment with hydrofluoric acid are washed away with water.

【0027】処理部10G:オーバーフロー方式の最終
水洗処理部 処理部10Gは、水洗処理部10Fと同様に、オーバー
フロー方式の水洗処理部となっており、水洗処理部10
Fでの水洗処理を受けた基板を別の搬送ロボット16b
が水洗処理部10Fから搬出した後、この水洗槽のハン
ドリング機構(図示省略)に搬送すると、処理部10H
での水洗処理によっても水洗除去できずに残っていた付
着物が水洗除去されて基板の精密水洗処理が行われる。
Processing section 10G: Overflow type final rinsing section The processing section 10G is an overflow type rinsing section, like the rinsing section 10F.
The transfer robot 16b transfers the substrate having been subjected to the rinsing process at F
Is transported to the handling mechanism (not shown) of the washing tank after being carried out of the washing section 10F.
The remaining deposits which could not be removed by the water washing process are washed away with water and the substrate is subjected to precision water washing process.

【0028】そして、上記のようにして一連の薬液およ
び水洗処理が完了すると、複数の基板は搬送ロボット1
6bによって最終水洗処理部10Gから搬出され、乾燥
部10Hに搬入されて乾燥された後、さらに別の搬送ロ
ボット16cによって乾燥部10Hから取出され、基板
収納機構部13上方にまで搬送される。
When a series of chemicals and water washing processes are completed as described above, the plurality of substrates are transferred to the transfer robot 1.
After being carried out of the final rinsing section 10G by 6b, carried into the drying section 10H and dried, it is further taken out of the drying section 10H by another transport robot 16c and transported above the substrate storage mechanism section 13.

【0029】このようにして基板が搬送されてきた基板
収納機構部13では、基板取出機構部12と同様に、キ
ャリアケースを載置する二つの載置部と、これら載置部
に設けられる昇降可能なアーム部材とが設けられてお
り、処理後の基板をキャリアケース内に収納するように
構成されている。具体的には、各載置部に空のキャリア
ケースがセットされた状態で搬送ロボット16cにより
処理後の基板が基板収納機構部13上方にセットされる
と、アーム部材が上昇端位置まで変位して基板を一括支
持し、その後、アーム部材が下降端位置まで変位するこ
とによって基板を各キャリアケースに収納するようにな
っている。
In the substrate storage mechanism 13 to which the substrate has been transported in this manner, like the substrate unloading mechanism 12, two mounting sections for mounting the carrier case, and the lifting and lowering sections provided on these mounting sections. A possible arm member is provided, and is configured to store the processed substrate in a carrier case. Specifically, when the processed substrate is set above the substrate storage mechanism 13 by the transfer robot 16c with an empty carrier case set in each mounting portion, the arm member is displaced to the rising end position. The substrates are collectively supported, and then the arm members are displaced to the lower end position to accommodate the substrates in the respective carrier cases.

【0030】移送ロボット15は、基板収納機構部13
に対向するポジションPfとシャトルロボット17の取
出部3側の移動端に対応するポジションPeとにわたっ
て移動可能となっており、基板収納機構部13から取出
部3へ、また、シャトルロボット17から基板収納機構
部13へとキャリアケースを受け渡すように構成されて
いる。
The transfer robot 15 includes a substrate storage mechanism 13
And a position Pe corresponding to the moving end of the shuttle robot 17 on the side of the take-out unit 3, and can move from the substrate storage mechanism unit 13 to the take-out unit 3 and from the shuttle robot 17 to the substrate storage unit. It is configured to deliver the carrier case to the mechanism unit 13.

【0031】基板の取出部3には、処理後の基板を収納
したキャリアケースを載置する送出部分7が設けられて
おり、この送出部分7が基板収納機構部13に対向して
配設されている。
The substrate take-out section 3 is provided with a sending portion 7 on which a carrier case containing the processed substrate is placed, and the sending portion 7 is provided so as to face the substrate storage mechanism 13. ing.

【0032】<第1実施形態>次に、本発明にかかる基
板水洗方法の第1実施形態を用いた水洗処理部10Dの
構成および動作について説明する。
<First Embodiment> Next, the configuration and operation of a water washing section 10D using the first embodiment of the substrate water washing method according to the present invention will be described.

【0033】図2は図1の水洗処理部10Dの概略構成
を示す模式図である。同図において、この水洗処理部1
0Dは、内部に貯留された純水中に複数の基板Wを浸漬
自在なように上方を開放した処理槽としての水洗槽21
と、この水洗槽21の内部にオーバーフロー用の純水を
供給する純水供給ユニット22と、複数の基板Wを保持
した状態で水洗槽21内の純水内に搬送する昇降手段と
してのリフタ24と、水洗槽21内で複数の基板Wにリ
ンス処理を施した処理済み溶液(本実施形態では純水に
処理部10B、10Cで使用した薬液が混じった溶液)
を槽外部に急速排液させる排液ユニット25と、純水を
基板Wに向けてシャワーするシャワーユニット26と、
排液ユニット25を制御して水洗槽21内の処理済み液
を排液させる前に、リフタ24を制御して水洗槽21内
の純水面外に基板Wの上側の一部を位置させるように上
昇させる制御部27とを有している。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the water washing section 10D of FIG. In FIG.
0D is a washing tank 21 as a processing tank whose upper side is opened so that a plurality of substrates W can be immersed in pure water stored therein.
A pure water supply unit 22 for supplying pure water for overflow into the washing tank 21; and a lifter 24 as a lifting / lowering means for transporting the plurality of substrates W into the pure water in the washing tank 21 while holding the plurality of substrates W. And a treated solution obtained by performing a rinsing process on a plurality of substrates W in the washing tank 21 (a solution in which pure water is mixed with a chemical solution used in the processing units 10B and 10C in the present embodiment).
A drain unit 25 for rapidly draining water to the outside of the tank, a shower unit 26 for showering pure water toward the substrate W,
Before draining the treated liquid in the washing tank 21 by controlling the drain unit 25, the lifter 24 is controlled so that the upper part of the substrate W is positioned outside the pure water surface in the washing tank 21. And a control unit 27 for raising.

【0034】この純水供給ユニット22は、水洗槽21
内の底部において対向して配設され、純水吐出用の複数
のノズル口(図示せず)が浸漬された基板Wの方向に向
けて配設された一対の筒状部材28と、これら一対の筒
状部材28に連結され純水を通す配管部材29と、その
配管部材29の途中に配設された流量調節用のバルブ部
材30とを有し、制御部27からの指令に応じてバルブ
部材30を開状態とすることで配管部材29さらに一対
の筒状部材28の複数のノズル口(図示せず)を介して
純水を水洗槽21に内に供給し続けて水洗槽21の上部
開口端21aから純水をオーバーフローさせ、薬液処理
時に基板Wの表面に付着した薬液やパーティクルを純水
と共に槽外に流し出すように構成している。
The pure water supply unit 22 includes a washing tank 21.
A pair of cylindrical members 28 disposed facing each other at the bottom of the inside and facing the direction of the substrate W in which a plurality of nozzle openings (not shown) for discharging pure water are immersed; A pipe member 29 connected to the tubular member 28 for passing pure water, and a valve member 30 for adjusting the flow rate provided in the middle of the pipe member 29. By opening the member 30, the pure water is continuously supplied into the washing tank 21 through the pipe member 29 and a plurality of nozzle ports (not shown) of the pair of cylindrical members 28, and the upper part of the washing tank 21 is maintained. Pure water overflows from the opening end 21a, and the chemical solution and particles attached to the surface of the substrate W during the chemical solution treatment are caused to flow out of the tank together with the pure water.

【0035】また、リフタ24は、複数の基板Wをそれ
ぞれ下方から3つのウエハガイド23の溝部分で所定間
隔(例えばハーフピッチP/2)毎に受けて保持した状
態で、水洗槽21内のリンス液である純水内に浸漬させ
て処理する水洗処理位置と、水洗槽21の上方位置で搬
送ロボット16aとの間で基板Wの受渡しを行う受渡位
置との間を上下に搬送可能となっている。
Further, the lifter 24 holds the plurality of substrates W in the groove portions of the three wafer guides 23 from below at predetermined intervals (for example, half pitch P / 2) and holds the plurality of substrates W. The wafer W can be vertically transferred between a rinsing processing position where the substrate W is immersed in pure water as a rinsing liquid and a transfer position where the substrate W is transferred between the rinsing tank 21 and the transfer robot 16a above the rinsing tank 21. ing.

【0036】また、排液ユニット25は、浸漬される複
数の基板Wの表面と対向した水洗槽21の側壁の最下部
分に配設された排液口31と、この排液口31に連結さ
れ処理済み液を排液するべく通す配管部材32と、この
配管部材32の途中に配設された流量調節用のバルブ部
材33とを有しており、急速排液時にはバルブ部材33
を開口することで水洗槽21内の処理済み液を短時間で
急速排液可能であり、また、基板Wの浸漬およびオーバ
ーフロー時にはバルブ部材33を閉止することで水洗槽
21内の処理済み液をオーバーフローさせて槽外に流し
出すようにしている。
The drain unit 25 is connected to the drain port 31 provided at the lowermost part of the side wall of the washing tank 21 facing the surfaces of the plurality of substrates W to be immersed. A pipe member 32 through which the processed liquid is discharged, and a valve member 33 for adjusting the flow rate disposed in the middle of the pipe member 32.
By opening the opening, the treated liquid in the washing tank 21 can be rapidly drained in a short time, and the valve member 33 is closed at the time of immersion and overflow of the substrate W so that the treated liquid in the washing tank 21 can be removed. It overflows and flows out of the tank.

【0037】また、シャワーユニット26は、水洗槽2
1の上部開口端21aの上方位置において互いに対向し
て配設され、純水吐出用の複数のノズル口(図示せず)
が斜め下方(基板Wの方向)に向けて配設された一対の
筒状部材34と、これら一対の筒状部材34に連結され
純水を通す配管部材35と、その配管部材35の途中に
配設された流量調節用のバルブ部材36とを有し、筒状
部材34の各ノズル口(図示せず)から純水を基板Wの
表面に向けてシャワーすることで、シャワー水洗した
り、急速排液時に基板Wの表面が部分的に空気中に晒さ
れるのを防止して基板Wの表面上への自然酸化膜の成長
を抑制するようになっている。
The shower unit 26 is provided with the washing tank 2.
A plurality of nozzle openings (not shown) for discharging pure water, which are disposed opposite to each other at a position above the upper opening end 21a of the first storage device 1
Are disposed diagonally downward (in the direction of the substrate W), a pair of cylindrical members 34, a piping member 35 connected to the pair of cylindrical members 34, and through which pure water passes, and in the middle of the piping member 35. And a valve member 36 for adjusting the flow rate, and pure water is showered from each nozzle port (not shown) of the tubular member 34 toward the surface of the substrate W, so that the shower water is washed. At the time of rapid drainage, the surface of the substrate W is partially prevented from being exposed to the air, and the growth of a natural oxide film on the surface of the substrate W is suppressed.

【0038】さらに、制御部27はシーケンサやマイク
ロコンピュータなどで構成されており、リフタ24のリ
フト駆動部(図示せず)および、バルブ部材30、3
3、36の電磁バルブ制御端子に接続されている。そし
て、シーケンサやマイクロコンピュータからの制御信号
でバルブ部材30,33,36をそれぞれ開閉制御する
と共に、リフタ24のリフト駆動部(図示せず)に対し
て上下動させることで、後述する一連の水洗処理を行う
ようになっている。
Further, the control unit 27 is constituted by a sequencer, a microcomputer, or the like, and includes a lift driving unit (not shown) of the lifter 24 and the valve members 30, 3
3, 36 are connected to the electromagnetic valve control terminals. The valve members 30, 33, and 36 are each controlled to open and close by a control signal from a sequencer or a microcomputer, and are moved up and down with respect to a lift drive unit (not shown) of the lifter 24, so that a series of water washing described later is performed. Processing is performed.

【0039】次に、上記構成のように構成された水洗処
理部10Dによる水洗処理動作について、図3および4
を参照しつつ説明する。まず、処理部10B、10Cで
薬液処理された基板Wは、搬送ロボット16a(図1)
で水洗処理部10Dに搬送され、リフタ24に受渡され
る(図3(a):基板搬入状態)。このとき、複数の基
板Wはそれぞれ下方から3つのウエハガイド23の溝部
分で所定間隔毎に受けて保持される。なお、前工程であ
る薬液処理部10B,10Cでの薬液処理が完了する前
に、制御部27からの制御信号に応じてバルブ部材30
は開放状態に制御されるとともに、バルブ部材33が閉
止状態に制御されて水洗槽21内の底部の両側に配設さ
れた純水供給部の一対の筒状部材28の各ノズル部(図
示せず)から純水が供給されて水洗槽21に貯留されて
おり、基板Wを水洗槽21に浸漬させることで直ちに浸
漬水洗処理を行うことができるように準備されている。
Next, the rinsing operation by the rinsing section 10D constructed as described above will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. First, the substrate W that has been subjected to the chemical treatment in the processing units 10B and 10C is transferred to the transfer robot 16a (FIG. 1).
Is transferred to the water washing section 10D and is delivered to the lifter 24 (FIG. 3A: substrate loaded state). At this time, the plurality of substrates W are received and held at predetermined intervals by the groove portions of the three wafer guides 23 from below. Before the chemical processing in the chemical processing sections 10B and 10C, which is the preceding step, is completed, the valve member 30 is controlled in accordance with a control signal from the control section 27.
Is controlled to be in an open state, and the valve member 33 is controlled to be in a closed state. ) Is stored in the washing tank 21 and is prepared so that the immersion washing processing can be immediately performed by immersing the substrate W in the washing tank 21.

【0040】基板搬入に続いて、制御部27からのリフ
ト下降指令に応じて、上記のように複数の基板Wをウエ
ハガイド23で支持した状態のままリフタ24を下降さ
せて基板Wをウエハガイド23とともにオーバーフロー
状態のままの水洗槽21内の純水中に浸漬する(図3
(b):浸漬水洗処理)。これによって、水洗槽21の
上部開口端21aから純水はオーバーフローし、薬液処
理時に基板Wの表面に付着した薬液、および薬液処理で
発生した物質(パーティクル)を純水で洗って槽外に流
し出す。
Subsequent to the loading of the substrate, the lifter 24 is lowered while the plurality of substrates W are supported by the wafer guide 23 as described above, and the 3 is immersed in pure water in the washing tank 21 in the overflow state (see FIG. 3).
(B): immersion water washing treatment). As a result, the pure water overflows from the upper opening end 21a of the washing tank 21, and the chemical liquid attached to the surface of the substrate W during the chemical liquid processing and substances (particles) generated by the chemical liquid processing are washed with pure water and flown out of the tank. put out.

【0041】制御部27は、基板Wの浸漬後、直ちに、
あるいは所定時間(例えば数秒間だけ)オーバーフロー
させるように制御した後に、バルブ部材30を閉止状態
に制御するとともに、バルブ部材33を開放状態に制御
して排液口31から処理済み液を急速排液するととも
に、バルブ部材36を開放状態に制御して、シャワーユ
ニット26の筒状部材34の各ノズル口(図示せず)か
ら純水を基板Wの表面に向けてシャワーする(図4
(a))。これによって、処理済み液の急速排液に伴っ
て、処理済み液の液面21aが徐々に低下する一方、基
板Wの表面が徐々に露出し、シャワーユニット26から
の純水がシャワー状に供給されてシャワー水洗処理が実
行される。このシャワー水洗処理は、図4(b)に示す
ように、水洗槽21内の処理済み液をすべて急速排液し
た後も、所定時間、例えば数分間継続されるが、この実
施形態では、このシャワー水洗処理と並行して、制御部
27はリフト上下揺動指令を与えてリフタ24を上下に
揺動させることで基板Wを上下に揺動させる(揺動シャ
ワー水洗処理)。なお、この実施形態では急速排液中に
基板Wを静止させているが、急速排液中も基板Wを上下
揺動させるようにしてもよい。
The controller 27 immediately after the immersion of the substrate W,
Alternatively, after controlling so as to overflow for a predetermined time (for example, only for a few seconds), the valve member 30 is controlled to be closed, and the valve member 33 is controlled to be opened to quickly drain the treated liquid from the drain port 31. At the same time, the valve member 36 is controlled to be open, and pure water is showered from each nozzle opening (not shown) of the tubular member 34 of the shower unit 26 toward the surface of the substrate W (FIG. 4).
(A)). With this, the liquid surface 21a of the processed liquid gradually decreases with the rapid drainage of the processed liquid, while the surface of the substrate W is gradually exposed, and pure water from the shower unit 26 is supplied in a shower shape. Then, the shower water washing process is performed. As shown in FIG. 4 (b), this shower rinsing process is continued for a predetermined time, for example, several minutes, even after all of the treated liquid in the rinsing tank 21 is rapidly drained. In parallel with the shower water washing process, the control unit 27 gives a lift up / down swing command to swing the lifter 24 up and down, thereby swinging the substrate W up and down (oscillating shower water washing process). In this embodiment, the substrate W is stationary during the quick drainage, but the substrate W may be swung up and down during the quick drainage.

【0042】このような2種類の水洗処理(浸漬水洗処
理および揺動シャワー水洗処理)を連続して行った後、
制御部27はバルブ部材36を閉止状態に制御してシャ
ワーユニット26による基板Wへの純水供給を停止させ
た後、リフト上昇指令を与えてリフタ24を搬送ロボッ
ト16aとの基板受渡位置まで上昇させて、一連の水洗
処理が施された基板Wを次の処理部10Eへ搬送可能と
する。
After these two types of water washing treatments (immersion water washing treatment and swing shower water washing treatment) are successively performed,
The control unit 27 controls the valve member 36 to be in the closed state to stop the supply of pure water to the substrate W by the shower unit 26, and then gives a lift-up command to raise the lifter 24 to the substrate transfer position with the transfer robot 16a. Thus, the substrate W that has been subjected to a series of rinsing processes can be transported to the next processing unit 10E.

【0043】なお、基板Wを水洗槽21から搬出した
後、制御部27はバルブ部材33を閉止状態に制御する
とともに、バルブ部材30を開放して水洗槽21への純
水貯留を開始する。こうして、前工程である薬液処理部
10B、10Cでの基板Wに対する薬液処理が完了する
までに水洗槽21に純水を貯留しておき次の基板Wに対
する浸漬水洗処理の準備を行っている。
After unloading the substrate W from the washing tank 21, the control unit 27 controls the valve member 33 to be closed and opens the valve member 30 to start storing pure water in the washing tank 21. In this manner, pure water is stored in the washing tank 21 before the chemical processing of the substrate W in the chemical processing units 10B and 10C, which is the previous process, is completed, and preparation for the immersion water cleaning processing for the next substrate W is performed.

【0044】以上のように構成された基板処理装置で
は、第1または第2の薬液処理部10B,10CでCA
ROにより薬液処理された複数の基板Wを水洗処理部1
0Dに搬送し、これらの基板Wに対して、まず浸漬水洗
処理を行って基板Wに付着している薬液およびパーティ
クルの大部分を水洗除去した後、さらに当該基板Wを上
下方向に揺動させながらシャワー水洗しているため、よ
り少ない純水使用量で、しかも短時間で基板を洗浄する
ことができる。その効果の顕著性については、後の実施
例において、具体例を示すとともに、オーバーフロー方
式(図7)および機能水洗方式(図8)の比較例と比較
しながら詳述する。
In the substrate processing apparatus configured as described above, the first or second chemical processing sections 10B and 10C use the CA.
A plurality of substrates W which have been subjected to chemical treatment by RO are washed with a water treatment unit 1
Then, the substrate W is first subjected to a immersion water washing process to wash and remove most of the chemical solution and particles attached to the substrate W, and then the substrate W is further swung up and down. Since the shower water washing is performed, the substrate can be washed with a smaller amount of pure water and in a shorter time. The remarkability of the effect will be described in detail in a later example while showing a specific example and comparing with a comparative example of an overflow method (FIG. 7) and a functional water washing method (FIG. 8).

【0045】なお、上記実施形態では、浸漬水洗処理を
行った後で揺動シャワー水洗処理を行っているが、この
順序を入れ替えてもよい。すなわち、図5および図6に
示すような処理工程で水洗処理部10Dによる水洗処理
を行うようにしても、上記実施形態と同様の効果が得ら
れる。以下、これらの図を参照しながら、他の実施形態
について説明する。
In the above embodiment, the oscillating shower rinsing is performed after the immersion rinsing, but the order may be changed. That is, the same effect as in the above embodiment can be obtained even when the water washing process is performed by the water washing processing unit 10D in the processing steps shown in FIGS. Hereinafter, another embodiment will be described with reference to these drawings.

【0046】<第2実施形態>この第2実施形態では、
まず、処理部10B、10Cで薬液処理された基板W
は、搬送ロボット16a(図1)で水洗処理部10Dに
搬送され、リフタ24に受渡される(図5(a):基板
搬入状態)。このとき、複数の基板Wはそれぞれ下方か
ら3つのウエハガイド23の溝部分で所定間隔毎に受け
て保持される。なお、前工程である薬液処理部10B,
10Cでの薬液処理が完了する前に、制御部27からの
制御信号に応じてバルブ部材33は開放状態に制御され
るとともに、バルブ部材30が閉止状態に制御されて水
洗槽21内を空にしておく。
<Second Embodiment> In the second embodiment,
First, the substrate W subjected to the chemical treatment in the processing units 10B and 10C
Is transported by the transport robot 16a (FIG. 1) to the rinsing section 10D and delivered to the lifter 24 (FIG. 5 (a): substrate loaded state). At this time, the plurality of substrates W are received and held at predetermined intervals by the groove portions of the three wafer guides 23 from below. It should be noted that the chemical processing section 10B, which is the previous step,
Before the chemical treatment at 10C is completed, the valve member 33 is controlled to be opened according to the control signal from the control unit 27, and the valve member 30 is controlled to be closed to empty the washing tank 21. Keep it.

【0047】基板搬入に続いて、制御部27は、バルブ
部材36を開放状態に制御して、シャワーユニット26
の筒状部材34の各ノズル口(図示せず)から純水を水
洗槽21内部に向けてシャワーするとともに、リフト下
降指令を与えて、上記のように複数の基板Wをウエハガ
イド23で支持した状態のままリフタ24を下降させて
基板Wをウエハガイド23とともに水洗槽21内に下降
させる。そして、ウエハガイド23が最下端位置に到達
すると、制御部27はリフト上下揺動指令を与えて、図
5(b)の白抜き矢印で示すように、リフタ24を上下
に揺動させることで、基板Wに対して純水をシャワー状
に供給しつつ基板Wを上下に揺動させる(揺動シャワー
水洗処理)。これによって、基板Wに対してシャワー供
給された純水は、薬液処理時に基板Wの表面に付着した
薬液、および薬液処理で発生した物質(パーティクル)
を洗って水洗槽21の最下部分に配設された排液口31
を介して槽外に流し出す。
Following the loading of the substrate, the control unit 27 controls the valve member 36 to be in the open state, and
Pure water is showered from the respective nozzle openings (not shown) of the cylindrical member 34 toward the inside of the washing tank 21 and a lift down command is given to support the plurality of substrates W with the wafer guide 23 as described above. In this state, the lifter 24 is lowered to lower the substrate W together with the wafer guide 23 into the washing tank 21. Then, when the wafer guide 23 reaches the lowermost position, the control unit 27 gives a lift up / down swing command to swing the lifter 24 up and down as shown by a white arrow in FIG. 5B. Then, the substrate W is swung up and down while supplying pure water to the substrate W in the form of a shower (oscillating shower water washing process). As a result, the pure water shower-supplied to the substrate W contains the chemical liquid attached to the surface of the substrate W during the chemical liquid processing and the substances (particles) generated by the chemical liquid processing.
And a drain port 31 provided at the bottom of the washing tank 21
Pour out of the tank through.

【0048】なお、この実施形態では、筒状部材34か
らの純水のシャワー供給開始と同時に、基板Wの水洗槽
21への下降を開始しているが、シャワー供給開始と基
板下降開始とのタイミングはこれに限定されるものでは
なく、シャワー供給を開始した後、しばらくしてから基
板Wを下降させたり、逆に基板Wの下降開始後、基板W
が最下端位置に下降する途中でシャワー供給したり、完
全に基板Wが最下端位置に位置した時点でシャワー供給
するようにしてもよい。
In this embodiment, the lowering of the substrate W into the washing tank 21 is started simultaneously with the start of the shower supply of pure water from the cylindrical member 34. The timing is not limited to this, and the substrate W is lowered after a while after the shower supply is started, or conversely, the substrate W is started after the lowering of the substrate W is started.
May be supplied while the wafer W is descending to the lowermost position, or may be supplied when the substrate W is completely located at the lowermost position.

【0049】このような揺動シャワー水洗処理を所定時
間、例えば数分間継続した後、制御部27は、シャワー
供給を継続する一方、リフタ24の上下揺動動作を停止
する。また、制御部27は、それと同時に、制御バルブ
部材30を開放状態に制御するとともに、バルブ部材3
3を閉止状態に制御することで、水洗槽21内の底部の
両側に配設された純水供給部の一対の筒状部材28の各
ノズル部(図示せず)から純水を供給して水洗槽21の
液面21aを徐々に上昇させる(図6(a))。そし
て、液面21aが基板Wより高くなった時点、あるいは
それ以降の任意の時点で、制御部27は、バルブ部材3
6を閉止状態に制御してシャワー供給を停止する。さら
に、液面21aが上昇してオーバーフロー状態となった
後、直ちに、あるいは所定時間(例えば数秒間だけ)オ
ーバーフローさせて揺動シャワー水洗処理によって洗い
流すことができなかった付着物(薬液やパーティクルな
ど)を槽外に流し出す(図6(b):浸漬水洗処理)。
After the swing shower water washing process is continued for a predetermined time, for example, several minutes, the control unit 27 stops the vertical swing operation of the lifter 24 while continuing the shower supply. At the same time, the control unit 27 controls the control valve member 30 to the open state,
By controlling the nozzle 3 to a closed state, pure water is supplied from each nozzle part (not shown) of the pair of cylindrical members 28 of the pure water supply part disposed on both sides of the bottom in the washing tank 21. The liquid level 21a of the washing tank 21 is gradually raised (FIG. 6A). Then, at the time when the liquid level 21a becomes higher than the substrate W, or at any time after that, the control unit 27
6 is controlled to a closed state to stop shower supply. Further, immediately after the liquid level 21a rises and becomes an overflow state, it is possible to overflow immediately or for a predetermined time (for example, only for a few seconds) and to adhere to the liquid (such as a chemical solution or particles) which cannot be washed away by the oscillating shower water washing process. (FIG. 6 (b): immersion water washing treatment).

【0050】このような2種類の水洗処理(揺動シャワ
ー水洗処理および浸漬水洗処理)を連続して行った後、
制御部27はリフト上昇指令を与えてリフタ24を搬送
ロボット16aとの基板受渡位置まで上昇させて、一連
の水洗処理が施された基板Wを次の処理部10Eへ搬送
可能とする。また、基板Wを水洗槽21から搬出した
後、制御部27はバルブ部材30を閉止状態に制御する
とともに、バルブ部材33を開放して水洗槽21からの
処理済み液の急速排液を開始する。こうして、前工程で
ある薬液処理部10B、10Cでの基板Wに対する薬液
処理が完了するまでに水洗槽21から処理済み液をすべ
て排出して水洗槽21を空状態にし、次の基板Wに対す
る揺動シャワー水洗処理の準備を行っている。
After performing these two types of water washing treatments (oscillating shower water washing treatment and immersion water washing treatment) continuously,
The control unit 27 gives a lift-up command to raise the lifter 24 to the substrate transfer position with the transfer robot 16a, so that the substrate W that has been subjected to a series of rinsing processes can be transferred to the next processing unit 10E. After unloading the substrate W from the washing tank 21, the control unit 27 controls the valve member 30 to a closed state and opens the valve member 33 to start rapid drainage of the treated liquid from the washing tank 21. . In this way, all the processed liquids are discharged from the washing tank 21 until the chemical processing of the substrate W in the chemical processing sections 10B and 10C, which is the previous process, is completed, and the washing tank 21 is emptied, and the next substrate W is shaken. We are preparing for a dynamic shower rinsing process.

【0051】以上のように構成された基板処理装置で
は、第1または第2の薬液処理部10B,10CでCA
ROにより薬液処理された複数の基板Wを水洗処理部1
0Dに搬送し、これらの基板Wに対して、まず当該基板
Wを上下方向に揺動させながらシャワー水洗して基板W
に付着している薬液およびパーティクルの大部分を水洗
除去した後、さらに当該基板Wに対して浸漬水洗処理を
行っているため、より少ない純水使用量で、しかも短時
間で基板を洗浄することができる。その効果の顕著性に
ついても、先の実施形態の場合と同様に、後の実施例に
おいて具体例を示すとともにオーバーフロー方式(図
7)および機能水洗方式(図8)の比較例と比較しなが
ら詳述する。
In the substrate processing apparatus configured as described above, the first or second chemical processing sections 10B and 10C use the CA.
A plurality of substrates W which have been subjected to chemical treatment by RO are washed with a water treatment unit 1
0D, and the substrate W is first washed with shower water while swinging the substrate W in the vertical direction.
After washing and removing most of the chemicals and particles adhering to the substrate, the substrate W is further subjected to immersion water washing, so that the substrate can be washed with less pure water and in a short time. Can be. As in the previous embodiment, the remarkability of the effect will be described in detail in a later example, while showing a specific example and comparing with a comparative example of an overflow method (FIG. 7) and a functional water washing method (FIG. 8). Will be described.

【0052】ところで、上記した2つの実施形態を比較
した場合、後述する実施例での「パーティクルレベル」
の欄を参照することから明らかなように水洗処理能力の
点では、第1実施形態(つまり、浸漬水洗処理を行った
後、揺動シャワー水洗処理する形態)にかかる基板水洗
方法が第2実施形態(揺動シャワー水洗処理を行った後
で、浸漬水洗処理する形態)にかかる基板水洗方法に比
べて優れている。
By the way, when comparing the two embodiments described above, the "particle level" in the embodiment described later will be described.
As can be seen from reference to the column, the substrate washing method according to the first embodiment (that is, a form in which the immersion washing process is performed, and then the oscillating shower washing process) is performed in the second embodiment. The method is superior to the substrate water washing method according to the embodiment (a mode in which the oscillating shower water washing process is performed and then the immersion water washing process is performed).

【0053】また、水洗能力のみならず、それ以外に処
理効率や水洗槽21の乾燥防止などの観点から考慮して
も、第1実施形態の方が優れているといえる。なんとな
れば、第1実施形では、浸漬水洗処理を完了した後、直
ちに(揺動)シャワー水洗処理を行うことができるのに
対し、第2実施形態では揺動シャワー水洗処理を行った
後、浸漬水洗処理を実行しようとしても、図6(a)に
示すように純水を水洗槽21全体に貯留するまでにある
程度、例えば数十秒程度の時間を要してしまい、純水量
も処理時間も増大してしまう(後の実施例における「水
洗処理時間」および「純水使用量の欄を参照」)。ま
た、第1実施形態では水洗槽21は常に純水で濡れた状
態に保たれているのに対し、第2実施形態では基板搬入
の際に、一時的に水洗槽21に純水が供給されていない
状態が存在し、水洗槽21の内部が乾いてパーティクル
が発生するおそれがあり、好ましくない。第2実施形態
において乾燥防止を図るためには、例えば浸漬水洗処理
が完了した後、次の基板Wを搬入するまでの間、純水を
貯留しておくことが有効な手段となるが、揺動シャワー
水洗処理をまず最初に行う第2実施形態では揺動シャワ
ー水洗処理を実行するのに先立って水洗槽21に貯留さ
れている純水を排液する必要があり、それにある程度、
例えば数十秒だけ時間を要して全体の処理時間がその分
だけ長くなるという別の問題を引き起こしてしまう。こ
の点、第1実施形態ではかかる問題は一切発生せず、よ
り好ましい実施形態であるといえる。
The first embodiment can be said to be superior from the viewpoint of not only the washing ability but also the processing efficiency and the prevention of drying of the washing tank 21. In the first embodiment, after the immersion rinsing process is completed, the (washing) shower rinsing process can be immediately performed, whereas in the second embodiment, the oscillating shower rinsing process is performed. 6A, it takes a certain time, for example, about several tens of seconds, to store pure water in the entire washing tank 21 as shown in FIG. 6A. (See “Washing treatment time” and “Pure water usage” in later examples). In the first embodiment, the washing tank 21 is always kept wet with pure water, whereas in the second embodiment, pure water is temporarily supplied to the washing tank 21 when a substrate is carried in. However, there is a possibility that particles may be generated due to the inside of the washing tank 21 being dried, which is not preferable. In order to prevent drying in the second embodiment, for example, storing pure water after completion of the immersion water washing process and before carrying in the next substrate W is an effective means. In the second embodiment in which the dynamic shower rinsing process is performed first, it is necessary to drain the pure water stored in the rinsing tank 21 prior to performing the swing shower rinsing process.
For example, another problem occurs that it takes time for several tens of seconds and the entire processing time becomes longer by that much. In this regard, in the first embodiment, such a problem does not occur at all, and it can be said that this is a more preferable embodiment.

【0054】<変形実施形態>なお、上記した実施形態
では、薬液としてCAROを使用して薬液処理した後に
浸漬水洗処理および揺動シャワー水洗処理を連続的に行
って基板表面に付着したCAROおよび当該薬液処理
(CARO処理)によって発生した物質(パーティク
ル)を水洗除去しているが、薬液としてはCAROに限
定されるものではなく、アンモニア水と過酸化水素水と
の混合溶液(SC−1)や、塩酸と過酸化水素水との混
合溶液(SC−2)などを使用して基板の薬液処理した
後で、一連の水洗処理(浸漬水洗処理+揺動シャワー水
洗処理)を行う基板処理方法においても同様の効果が得
られる。
<Modified Embodiment> In the above-described embodiment, CARO adhered to the substrate surface by performing immersion water washing and oscillating shower water washing successively after carrying out chemical treatment using CARO as a chemical, and The substance (particles) generated by the chemical treatment (CARO treatment) is washed away with water, but the chemical is not limited to CARO, and a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide (SC-1) or In a substrate processing method, a series of rinsing treatments (immersion rinsing treatment + oscillating shower rinsing treatment) is performed after a substrate is treated with a chemical solution using a mixed solution of hydrochloric acid and aqueous hydrogen peroxide (SC-2) or the like. Has the same effect.

【0055】また、上記実施形態では、揺動シャワー水
洗処理の際、基板Wを上下方向に揺動させているが、揺
動方向は上下方向に限定されるものではなく、任意の方
向に揺動させればよい。
In the above embodiment, the substrate W is swung up and down during the swing shower water washing process. However, the swinging direction is not limited to the up and down direction, and the swinging direction is not limited. Just move it.

【0056】また、上記実施形態では、浸漬水洗処理を
行うための水洗槽21で揺動シャワー水洗処理を併せて
行うようにしており、これによって本発明にかかる基板
水洗方法を適用可能な水洗処理部10Dの構造を簡素化
することができ、しかも、図8に示すような従来の機能
水洗処理装置に対して本発明をそのまま適用することが
できる。しかしながら、揺動シャワー水洗処理と浸漬水
洗処理とを同一の水洗槽で処理しなければならないとい
う訳ではなく、それぞれ異なる水洗槽を用意し、各水洗
槽で対応する水洗処理を行うようにしてもよいことはい
うまでもない。
In the above embodiment, the oscillating shower rinsing process is also performed in the rinsing bath 21 for performing the immersion rinsing process, whereby the substrate rinsing method according to the present invention is applicable. The structure of the portion 10D can be simplified, and the present invention can be applied as it is to a conventional functional washing apparatus as shown in FIG. However, it does not mean that the oscillating shower rinsing process and the immersion rinsing process have to be performed in the same rinsing bath, but different rinsing baths may be prepared and the corresponding rinsing processes may be performed in each rinsing bath. It goes without saying that it is good.

【0057】また、上記実施形態では、フッ酸(HF)
による薬液処理後に、オーバーフロー方式の水洗処理部
10Fによってオーバーフロー式水洗処理のみを行って
いるが、この水洗処理部10Fを処理部10Dと同様に
一連の水洗処理(浸漬水洗処理+揺動シャワー水洗処
理)を実行するようにしてもよく、揺動シャワー水洗処
理を付加することで処理部10Fでの純水使用量を低減
できるとともに、処理時間も短縮することができる。
In the above embodiment, hydrofluoric acid (HF)
After the chemical treatment, the overflow type water washing unit 10F performs only the overflow type water washing process, but this water washing unit 10F is subjected to a series of water washing processes (immersion water washing process + swing shower water washing process) in the same manner as the processing unit 10D. ) May be executed, and by adding the oscillating shower water washing process, the amount of pure water used in the processing unit 10F can be reduced, and the processing time can be shortened.

【0058】また、上記実施形態では、キャリアケース
から基板を取出し、搬送ロボット16a〜16cで複数
の基板を搬送する、いわゆるキャリアレス方式の基板処
理装置に本発明を適用しているが、本発明の適用対象は
このキャリアレス方式に限定されるものでなく、キャリ
アケースから基板を取出し、専用のキャリアに移し替え
当該キャリアとともに基板を各処理部に搬送する、いわ
ゆるキャリア方式の基板処理装置にも本発明を適用する
ことができる。また、処理ユニット1を構成する処理部
の種類や数も上記実施形態に限定されるものではなく、
薬液処理部における薬液処理が行われた後、基板を水洗
処理部に搬送して水洗する構成を有する基板処理装置全
般に本発明を適用することができ、この水洗処理部で浸
漬水洗処理と揺動シャワー水洗処理を連続して行うこと
で上記実施形態と同様の効果が得られる。
In the above embodiment, the present invention is applied to a so-called carrierless type substrate processing apparatus in which a substrate is taken out from a carrier case and a plurality of substrates are transported by the transport robots 16a to 16c. The object of application is not limited to the carrierless method, but is also applicable to a so-called carrier type substrate processing apparatus that takes out a substrate from a carrier case, transfers the substrate to a dedicated carrier, and transports the substrate with the carrier to each processing unit. The present invention can be applied. Further, the type and number of the processing units constituting the processing unit 1 are not limited to the above embodiment,
After the chemical processing in the chemical processing section is performed, the present invention can be applied to all substrate processing apparatuses having a configuration in which the substrate is transported to the rinsing processing section and washed with water. The same effect as in the above embodiment can be obtained by continuously performing the dynamic shower water washing process.

【0059】さらに、上記実施形態では、複数の処理部
を設けて搬送ロボットによって基板を順次処理部に搬送
しながら基板処理する装置に本発明を適用しているが、
同一の処理部で薬液処理および水洗処理する、いわゆる
ワンバス方式の基板処理装置にも本発明を適用すること
ができる。
Further, in the above-described embodiment, the present invention is applied to the apparatus in which a plurality of processing units are provided and the substrate is processed while the substrates are sequentially transferred to the processing units by the transfer robot.
The present invention can also be applied to a so-called one-bath type substrate processing apparatus in which a chemical processing and a water cleaning processing are performed in the same processing unit.

【0060】[0060]

【実施例】次に本発明の実施例を示すが、本発明はもと
より下記実施例によって制限を受けるものではなく、前
後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施
することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の
技術的範囲に含まれる。
EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described. However, the present invention is not limited by the following examples, and the present invention can be practiced with appropriate modifications within a range that can conform to the spirit of the preceding and following examples. Of course, it is possible, and all of them are included in the technical scope of the present invention.

【0061】実施例1(第1実施形態にかかる基板水洗
方法) 図1に示す基板処理装置の第1の薬液処理部(CARO
処理部)10BでCAROによる薬液処理を12インチ
の半導体ウエハ(基板)に施した後、水洗処理部10D
に搬送し、まずオーバーフロー状態の水洗槽21に浸漬
した後、直ちに水洗槽21内の処理済み液を急速排液し
ながら、30(リットル/分)の割合で、3分間、上下
方向に揺動する基板Wに対して純水をシャワー状に供給
した後、処理部10Dから引き上げ、乾燥部10Hで乾
燥させた後、粒径が0.12μm以上のパーティクルの
個数を調べた処、そのパーティクルレベルは「20」で
あった。
Example 1 (Method of Rinsing Substrate According to First Embodiment) The first chemical processing section (CARO) of the substrate processing apparatus shown in FIG.
Processing unit) After performing a chemical treatment by CARO on a 12-inch semiconductor wafer (substrate) in 10B, a water washing processing unit 10D
After being immersed in the overflowing washing tank 21, the treated liquid in the washing tank 21 is immediately drained and quickly swung up and down at a rate of 30 (liter / minute) for 3 minutes. After supplying pure water to the substrate W to be showered, the pure water is pulled up from the processing unit 10D, dried in the drying unit 10H, and the number of particles having a particle size of 0.12 μm or more is checked. Was "20".

【0062】実施例2(第2実施形態にかかる基板水洗
方法) 図1に示す基板処理装置の第1の薬液処理部(CARO
処理部)10BでCAROによる薬液処理を12インチ
の半導体ウエハ(基板)に施した後、水洗処理部10D
に搬送し、まず基板Wを揺動させながら、30(リット
ル/分)の割合で、5分間、純水をシャワー状に供給す
る揺動シャワー水洗処理を行った後、基板Wが浸漬する
まで水洗槽21に純水を供給して基板全体が浸漬した時
点で直ちに急速排液した後、処理部10Dから引き上
げ、乾燥部10Hで乾燥させた後、粒径が0.12μm
以上のパーティクルの個数を調べた処、そのパーティク
ルレベルは「25」であった。
Example 2 (Method of Rinsing Substrate According to Second Embodiment) The first chemical processing section (CARO) of the substrate processing apparatus shown in FIG.
Processing unit) After performing a chemical treatment by CARO on a 12-inch semiconductor wafer (substrate) in 10B, a water washing processing unit 10D
First, while oscillating the substrate W, an oscillating shower rinsing process of supplying pure water in a shower at a rate of 30 (liter / minute) for 5 minutes is performed, and then until the substrate W is immersed. Pure water was supplied to the washing tank 21, and immediately after the entire substrate was immersed, the liquid was quickly drained immediately, pulled up from the processing unit 10D, and dried in the drying unit 10H.
When the number of particles was examined, the particle level was "25".

【0063】比較例1 処理部10Dの位置に図7のオーバーフロー方式の基板
水洗装置を配置し、第1の薬液処理部(CARO処理
部)10BでCAROによる薬液処理を12インチの半
導体ウエハ(基板)に施した後、この基板水洗装置に搬
送し、次の手順で水洗処理した。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 The overflow type substrate washing apparatus of FIG. 7 is arranged at the position of the processing section 10D, and the first chemical processing section (CARO processing section) 10B performs the chemical processing by CARO on a 12-inch semiconductor wafer (substrate). ), The substrate was conveyed to this substrate washing apparatus, and washed with water in the following procedure.

【0064】30(リットル/分)の割合で水洗槽1
03に純水を供給し続ける、なお、スローリークについ
ては5(リットル/分)に設定している、 水洗槽103に純水が貯留され、オーバーフロー状態
になった後で、CARO処理が施された半導体ウエハを
水洗槽103に投入する、 30(リットル/分)の割合で、15分間、オーバー
フロー状態の水洗槽103内に浸漬させる。
Washing tank 1 at a rate of 30 (liter / min)
03 is supplied continuously. Note that the slow leak is set to 5 (liter / min). After the pure water is stored in the washing tank 103 and overflows, the CARO treatment is performed. The semiconductor wafer is put into the washing tank 103, and is immersed in the overflowing washing tank 103 at a rate of 30 (liter / min) for 15 minutes.

【0065】こうした一連の水洗処理が完了した後、水
洗槽103から半導体ウエハを引き上げ、乾燥部10H
で乾燥させた後、粒径が0.12μm以上のパーティク
ルの個数を調べた処、そのパーティクルレベルは「5
0」であった。
After the completion of the series of washing processes, the semiconductor wafer is lifted from the washing tank 103, and the drying unit 10H
After drying, the number of particles having a particle size of 0.12 μm or more was examined.
0 ".

【0066】比較例2 処理部10Dの位置に図10の機能水洗方式の基板水洗
装置を配置し、第1の薬液処理部(CARO処理部)1
0BでCAROによる薬液処理を12インチの半導体ウ
エハ(基板)に施した後、この基板水洗装置に搬送し、
次の手順で水洗処理した。
COMPARATIVE EXAMPLE 2 The substrate washing apparatus of the functional water washing system shown in FIG. 10 is arranged at the position of the processing section 10D, and the first chemical liquid processing section (CARO processing section) 1
After subjecting the 12 inch semiconductor wafer (substrate) to a chemical solution treatment by CARO at 0B, the wafer is transferred to the substrate washing apparatus,
Water washing was performed in the following procedure.

【0067】水洗槽203に純水を供給して水洗槽2
03に純水を貯留した後、さらに純水供給を続けてオー
バーフロー状態にする、 CARO処理が施された半導体ウエハを水洗槽203
に投入する、 30(リットル/分)の割合で、1分間、オーバーフ
ロー状態を継続する、 急速排液しながら、シャワーノズル210から15
(リットル/分)の割合で、純水を供給する、 水洗槽203から純水が排液されると、再度急速排液
を停止し、水洗槽203に純水を貯留した後、さらに純
水供給を続けてオーバーフロー状態にする、 上記〜の処理を5回繰り返す。
Pure water is supplied to the washing tank 203 and the washing tank 2 is supplied.
After the pure water is stored in the semiconductor wafer 03, the semiconductor wafer which has been subjected to the CARO treatment is further washed with the pure water supply to make the overflow state.
, At a rate of 30 (liter / min), and continue the overflow state for 1 minute.
When pure water is drained from the washing tank 203, the rapid drainage is stopped again, the pure water is stored in the washing tank 203, and then pure water is supplied. The supply is continued to make an overflow state. The above-mentioned processes (1) to (5) are repeated five times.

【0068】こうした一連の水洗処理が完了した後、水
洗槽203から半導体ウエハを引き上げ、乾燥部10H
で乾燥させた後、粒径が0.12μm以上のパーティク
ルの個数を調べた処、そのパーティクルレベルは「5
0」であった。
After such a series of washing processes are completed, the semiconductor wafer is lifted from the washing tank 203 and the drying unit 10H
After drying, the number of particles having a particle size of 0.12 μm or more was examined.
0 ".

【0069】上記した実施例1、実施例2、比較例1お
よび比較例2において基板投入から水洗処理完了までに
かかる処理時間、純水使用量および処理後のパーティク
ルレベルを表にまとめると、次の通りである。
In the above Examples 1, 2 and Comparative Examples 1 and 2, the processing time required from the loading of the substrate to the completion of the rinsing processing, the amount of pure water used, and the particle level after the processing are summarized in the following table. It is as follows.

【0070】[0070]

【表1】 [Table 1]

【0071】同表から明らかなように、実施例1および
2によれば、より少ない純水使用量で、しかも短時間で
半導体ウエハ(基板)を洗浄することができ、比較例1
および比較例2に対して優れた効果が得られる。また、
処理後のパーティクルレベルを比較しても、純水使用量
および処理時間も比較例よりも少ないにもかかわらず、
実施例1および2によれば、パーティクルレベルを低減
することができ、より精密な水洗効果が得られることが
明らかである。
As is clear from the table, according to Examples 1 and 2, the semiconductor wafer (substrate) can be cleaned with a smaller amount of pure water and in a shorter time.
Excellent effects can be obtained with respect to Comparative Example 2. Also,
Even when comparing the particle levels after the treatment, the amount of pure water used and the treatment time are smaller than those of the comparative example,
According to Examples 1 and 2, it is clear that the particle level can be reduced, and a more precise washing effect can be obtained.

【0072】また、同表中の実施例1および2を対比す
ることで、上記したように、第1実施形態にかかる基板
処理方法が、第2実施形態にかかる基板処理方法よりも
好適であることがわかる。
Further, by comparing Examples 1 and 2 in the same table, as described above, the substrate processing method according to the first embodiment is more preferable than the substrate processing method according to the second embodiment. You can see that.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上のように、この発明にかかる基板水
洗方法によれば、複数の基板を揺動させながら、純水を
シャワー状に供給する揺動シャワー水洗工程と、純水が
貯留された水洗槽に複数の基板を浸漬させて水洗する浸
漬水洗工程とを行って基板洗浄を行っているので、より
少ない純水使用量で、しかも短時間で基板を洗浄するこ
とができる。特に、浸漬水洗工程を行った後で、揺動シ
ャワー水洗工程を行うようにすれば、純水使用量および
処理時間を最も抑えることができ、より好適となる。
As described above, according to the substrate washing method of the present invention, a swing shower washing step of supplying pure water in the form of a shower while swinging a plurality of substrates, and storing the pure water. Since the substrate is cleaned by immersing a plurality of substrates in a rinsing bath and immersing the substrate in a rinsing step, the substrate can be cleaned with a smaller amount of pure water and in a shorter time. In particular, if the oscillating shower rinsing step is performed after the immersion rinsing step, the amount of pure water used and the processing time can be minimized, which is more preferable.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明にかかる基板水洗方法の一実施形態を
適用可能な基板処理装置を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus to which an embodiment of a substrate washing method according to the present invention can be applied.

【図2】図1の水洗処理部の概略構成を示す模式図であ
る。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a water washing section in FIG. 1;

【図3】図2の水洗処理部における基板水洗動作を模式
的に示す図である。
FIG. 3 is a view schematically showing a substrate rinsing operation in the rinsing processing section of FIG. 2;

【図4】図2の水洗処理部における基板水洗動作を模式
的に示す図である。
FIG. 4 is a view schematically showing a substrate rinsing operation in the rinsing processing section of FIG. 2;

【図5】第2実施形態にかかる基板水洗方法を模式的に
示す図である。
FIG. 5 is a view schematically showing a method for washing a substrate with water according to a second embodiment.

【図6】第2実施形態にかかる基板水洗方法を模式的に
示す図である。
FIG. 6 is a view schematically showing a method for washing a substrate with water according to a second embodiment.

【図7】オーバーフロー方式の基板水洗装置を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing an overflow type substrate washing apparatus.

【図8】機能水洗方式の基板水洗装置を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a functional water washing type substrate washing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10B,C…薬液処理部 10D…水洗処理部 21…水洗槽 22…純水供給ユニット 23…ウエハガイド 24…リフタ 25…排液ユニット 26…シャワーユニット 27…制御部 28…筒状部材 29…配管部材 30,33,36…バルブ部材 31…排液口 32…配管部材 33…バルブ部材 34…筒状部材 35…配管部材 36…バルブ部材 W…基板 10B, C: Chemical treatment unit 10D: Rinse treatment unit 21: Rinse tank 22 ... Pure water supply unit 23 ... Wafer guide 24 ... Lifter 25 ... Drain unit 26 ... Shower unit 27 ... Control unit 28 ... Cylindrical member 29 ... Piping Member 30, 33, 36 ... Valve member 31 ... Drainage port 32 ... Piping member 33 ... Valve member 34 ... Cylindrical member 35 ... Piping member 36 ... Valve member W ... Substrate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 薬液によって薬液処理された複数の基板
を純水で洗浄する基板水洗方法において、 複数の基板を揺動させながら、純水をシャワー状に供給
する揺動シャワー水洗工程と、純水が貯留された水洗槽
に複数の基板を浸漬させて水洗する浸漬水洗工程とを備
えたことを特徴とする基板水洗方法。
1. A substrate washing method for washing a plurality of substrates treated with a chemical solution with a chemical solution with pure water, comprising: a swing shower water washing step of supplying pure water in a shower shape while swinging the plurality of substrates; A immersion rinsing step of immersing a plurality of substrates in a rinsing tank in which water is stored and rinsing with water.
【請求項2】 前記浸漬水洗工程を実行した後で、前記
揺動シャワー水洗工程を実行する請求項1記載の基板水
洗方法。
2. The method according to claim 1, wherein the oscillating shower rinsing step is performed after the immersion rinsing step is performed.
【請求項3】 少なくとも薬液処理を完了するまでに前
記水洗槽への純水の貯留を完了しておく請求項2記載の
基板水洗方法。
3. The substrate washing method according to claim 2, wherein the storage of the pure water in the washing tank is completed at least until the chemical treatment is completed.
【請求項4】 前記水洗槽内において前記揺動シャワー
水洗工程を行う請求項1ないし3のいずれかに記載の基
板水洗方法。
4. The method according to claim 1, wherein the oscillating shower rinsing step is performed in the rinsing tank.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP7333724B2 (en) 2019-08-20 2023-08-25 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

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