JP2000181369A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、特に液晶表示装
置やプラズマディスプレイ装置などの表示装置に関する
ものである。The present invention relates to a display device such as a liquid crystal display device and a plasma display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の表示装置には、例えば、液晶表示
装置や、プラズマディスプレイ装置などがある。2. Description of the Related Art Conventional display devices include, for example, a liquid crystal display device and a plasma display device.
【0003】ここで、従来の表示装置として液晶表示装
置を具体的な一例として説明する。液晶表示装置は、C
RT(Cathode Ray Tube)などのディスプレイに比べ
て、低電力で軽量であるなどの優れた特徴を有してお
り、周辺技術の進歩により商品力が高まり、さまざまな
製品に使用されている。特に、スイッチング素子として
薄膜トランジスタ(以下TFTと呼ぶ)を表示領域の画
素毎に用いたアクティブ・マトリクス方式の液晶表示装
置では、クロストークのない鮮明な画像表示を得られる
ことから、パソコンのディスプレーや、カー・ナビゲー
ションのディスプレーの分野において多く用いられてい
る。Here, a liquid crystal display device will be described as a specific example as a conventional display device. The liquid crystal display device is C
Compared to displays such as RT (Cathode Ray Tube), it has excellent features such as low power and light weight, and its product power has been enhanced by advances in peripheral technology, and it has been used in various products. In particular, in an active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT) as a switching element for each pixel in a display area, a clear image display without crosstalk can be obtained. It is widely used in the field of car navigation displays.
【0004】一般に液晶表示装置では、液晶表示パネル
の表示領域の各画素を動作させる駆動回路を非表示領域
に形成する必要がある。その方法の一つに、駆動回路を
形成したICチップなどを液晶表示パネルを構成するガ
ラス基板に直接搭載する方法がある。この方法は、コン
パクトでかつ耐振動性も向上するため、液晶表示装置の
特徴である携帯性がさらに増すことになり、この形成方
法が主流になりつつある。この接続方法はガラス基板の
上に直接ICチップを搭載することから、COG(Chip
On Glass )方式と呼ばれている。In general, in a liquid crystal display device, it is necessary to form a drive circuit for operating each pixel in a display area of a liquid crystal display panel in a non-display area. As one of the methods, there is a method of directly mounting an IC chip or the like on which a drive circuit is formed on a glass substrate constituting a liquid crystal display panel. Since this method is compact and has improved vibration resistance, the portability, which is a characteristic of the liquid crystal display device, is further increased, and this forming method is becoming mainstream. In this connection method, since an IC chip is directly mounted on a glass substrate, COG (Chip)
On Glass) method.
【0005】ここで、COG方式により駆動回路を形成
した液晶表示装置を一例として、具体的に説明する。Here, a liquid crystal display device in which a driving circuit is formed by the COG method will be specifically described as an example.
【0006】この液晶表示装置は、図4に示すように、
液晶表示パネル1とモノリシック半導体集積回路等のI
Cチップ2と配線基板3とで構成されている。[0006] As shown in FIG.
The liquid crystal display panel 1 and a monolithic semiconductor integrated circuit
It is composed of a C chip 2 and a wiring board 3.
【0007】このICチップ2は、液晶表示パネル1の
表示領域4aの各画素に形成されたTFT(図示せず)
を制御して各画素を駆動させるものであり、非表示領域
4bにCOG実装されている。なお、このICチップ2
には、信号線用ICチップ2aと走査線用ICチップ2
bとがある。The IC chip 2 includes a TFT (not shown) formed in each pixel of the display area 4a of the liquid crystal display panel 1.
To drive each pixel, and is mounted on the non-display area 4b by COG. Note that this IC chip 2
Includes a signal line IC chip 2a and a scanning line IC chip 2a.
b.
【0008】図5に示すように、ICチップ2の出力端
子(図示せず)は表示領域4aの各TFTから非表示領
域4bに引き出された配線上の出力電極6に、ICチッ
プ2の入力端子(図示せず)は非表示領域4bに形成さ
れた入力電極7にそれぞれ接続されるように、このIC
チップ2はCOG実装されている。As shown in FIG. 5, an output terminal (not shown) of the IC chip 2 is connected to an output electrode 6 on a wiring extending from each TFT in the display area 4a to the non-display area 4b, and is connected to an input terminal of the IC chip 2. Terminals (not shown) are connected to the input electrodes 7 formed in the non-display area 4b so that the IC
The chip 2 is mounted by COG.
【0009】配線基板接続電極8は、液晶表示パネル上
で入力電極7とつながれており、配線基板3に形成され
た配線基板電極10と対向して接続するためのものであ
る。The wiring board connection electrode 8 is connected to the input electrode 7 on the liquid crystal display panel, and is used to face and connect to the wiring board electrode 10 formed on the wiring board 3.
【0010】配線基板3は、ICチップ2に各種の信号
や電源を供給するように非表示領域4bに形成された配
線基板接続電極8に接続するように形成された配線基板
電極10と、それぞれのICチップ2に信号を供給する
共通配線11が複数形成され多層構造の共通配線形成部
12とで構成されている。The wiring board 3 includes a wiring board electrode 10 formed to be connected to a wiring board connecting electrode 8 formed in the non-display area 4b so as to supply various signals and power to the IC chip 2. A plurality of common wirings 11 for supplying signals to the IC chip 2 are formed, and are configured with a common wiring forming section 12 having a multilayer structure.
【0011】また、配線基板3は、折曲げ可能となるよ
うにポリイミドフィルムなどの材質で形成されている。
これにより、配線基板3を液晶表示パネル1に接続した
後に、液晶表示パネル1の側へ折曲げることで液晶表示
装置の画面前面からの寸法を小さくし、COG方式の特
徴であるコンパクト性を保たせている。The wiring board 3 is formed of a material such as a polyimide film so that it can be bent.
Thus, after the wiring board 3 is connected to the liquid crystal display panel 1, it is bent toward the liquid crystal display panel 1 to reduce the size from the front of the screen of the liquid crystal display device, thereby maintaining the compactness characteristic of the COG method. I'm sorry.
【0012】配線基板3には、ICチップ2への電源、
基準電圧、各種転送クロック、コントロール信号等の配
線が形成されている。The wiring board 3 has a power supply to the IC chip 2,
Wirings for a reference voltage, various transfer clocks, control signals, and the like are formed.
【0013】図6は、液晶表示パネル1の表示領域4a
の各画素に形成されたTFT(図示せず)を動作させる
駆動回路を非表示領域4bに形成するもう一つの方法を
示したものであって、駆動回路を形成したICチップ2
をポリイミドフィルムなどの材質で形成されたフィルム
基板13に搭載したのち、液晶表示パネル1上に形成し
たフィルム基板接続電極14に接続する方法である。こ
の方法は、一般的にTCP(Tape Carrier Pacage )
方式と呼ばれている。FIG. 6 shows a display area 4a of the liquid crystal display panel 1.
Another method for forming a drive circuit for operating a TFT (not shown) formed in each pixel in the non-display area 4b is shown, wherein the IC chip 2 on which the drive circuit is formed is shown.
Is mounted on a film substrate 13 formed of a material such as a polyimide film, and then connected to a film substrate connection electrode 14 formed on the liquid crystal display panel 1. This method is generally used for TCP (Tape Carrier Pacage).
It is called a method.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の表示装置においては、以下に述べるような課題
がある。すなわち、COG方式とTCP方式と比べる
と、TCP方式では非表示領域4bにはフィルム基板接
続電極14を形成すればよいが、COG方式では非表示
領域4bにICチップ2と、配線基板接続電極8を形成
する領域が必要であり、ICチップ2の分だけはガラス
基板のサイズが大きくなってしまう。そのため、COG
方式ではガラス基板の取れ数の低下や、液晶表示装置に
した際の画面前面からの外形寸法が大きくなるという問
題がある。However, the above-mentioned conventional display device has the following problems. That is, as compared with the COG method and the TCP method, the film substrate connection electrode 14 may be formed in the non-display area 4b in the TCP method, but the IC chip 2 and the wiring board connection electrode 8 are formed in the non-display area 4b in the COG method. Is necessary, and the size of the glass substrate becomes large only for the IC chip 2. Therefore, COG
In the method, there are problems that the number of glass substrates to be removed is reduced and that the external dimensions of the liquid crystal display device from the front of the screen are increased.
【0015】一方、TCP方式では、COG方式に比べ
接続点数が多く、製造歩留まりの低下や、かつ、振動や
衝撃でフィルム基板が破断しやすく信頼性の低下等の課
題がある。なお、この液晶表示装置とは別のプラズマデ
ィスプレイ装置などの表示装置の場合でも、同様の構成
が用いられており、前述と同様の問題がある。On the other hand, the TCP system has a larger number of connection points than the COG system, and has problems such as a reduction in manufacturing yield, and a reduction in reliability because the film substrate is easily broken by vibration or impact. In the case of a display device such as a plasma display device other than the liquid crystal display device, the same configuration is used, and there is a similar problem as described above.
【0016】したがって、この発明の目的は、高い接続
信頼性を保ちつつ、ガラス基板の取れ数を減少がなく、
また、外形寸法の小さいCOG方式による液晶表示装置
を提供することである。Accordingly, it is an object of the present invention to reduce the number of glass substrates to be obtained while maintaining high connection reliability.
Another object of the present invention is to provide a COG liquid crystal display device having a small external dimension.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明の請求項1記載の請求項1記載の表示装置
は、表示パネル上に形成された電極と、表示パネルを表
示動作させるモノリシック半導体集積回路内の回路形成
面に形成された突起電極とを接続し、モノリシック半導
体集積回路に駆動電圧を供給する配線基板を備えた表示
装置であって、モノリシック半導体集積回路内を貫通す
るスルーホールを形成し、モノリシック半導体集積回路
の回路形成面と反対の面に、スルーホールを介してモノ
リシック半導体集積回路と接続された配線基板接続電極
を形成し、この配線基板接続電極に配線基板上に形成さ
れた配線基板電極を接続して、モノリシック半導体集積
回路に入力される信号もしくは電源を配線基板より供給
することを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a display device, comprising: an electrode formed on a display panel; and a display operation of the display panel. A display device comprising a wiring board for connecting a projecting electrode formed on a circuit forming surface in a monolithic semiconductor integrated circuit and supplying a driving voltage to the monolithic semiconductor integrated circuit, wherein the through-hole penetrates through the monolithic semiconductor integrated circuit. A hole is formed, and a wiring board connection electrode connected to the monolithic semiconductor integrated circuit via a through hole is formed on the surface opposite to the circuit formation surface of the monolithic semiconductor integrated circuit, and the wiring board connection electrode is formed on the wiring board. Connecting the formed wiring board electrodes and supplying a signal or power input to the monolithic semiconductor integrated circuit from the wiring board. That.
【0018】このように、モノリシック半導体集積回路
内を貫通するスルーホールを形成し、モノリシック半導
体集積回路の回路形成面と反対の面に、スルーホールを
介してモノリシック半導体集積回路と接続された配線基
板接続電極を形成し、この配線基板接続電極に配線基板
上に形成された配線基板電極を接続して、モノリシック
半導体集積回路に入力される信号もしくは電源を配線基
板より供給するので、配線基板接続電極がモノリシック
半導体集積回路上に形成されて表示パネルに配線基板を
接続するスペースが不要となり、その分表示パネルの非
表示領域を小さくすることができる。このため、ガラス
基板の取れ数を減らすことなく、外形寸法の小さいCO
G方式による液晶表示装置を提供することができる。ま
た、従来例のようなフィルム基板を用いないので接続点
数が多くなる、またフィルム基板が破断するといった問
題を解消でき信頼性が向上する。As described above, the through-hole penetrating through the monolithic semiconductor integrated circuit is formed, and the wiring board connected to the monolithic semiconductor integrated circuit via the through-hole on the surface opposite to the circuit forming surface of the monolithic semiconductor integrated circuit. A connection electrode is formed, a wiring board electrode formed on the wiring board is connected to the wiring board connection electrode, and a signal or power input to the monolithic semiconductor integrated circuit is supplied from the wiring board. Is formed on the monolithic semiconductor integrated circuit, so that a space for connecting the wiring board to the display panel is not required, and the non-display area of the display panel can be reduced accordingly. For this reason, without reducing the number of glass substrates, CO
A liquid crystal display device using the G method can be provided. Further, since a film substrate is not used as in the conventional example, the number of connection points is increased, and problems such as breakage of the film substrate can be solved, thereby improving reliability.
【0019】請求項2記載の液晶表示装置は、請求項1
において、表示パネルとモノリシック半導体集積回路、
およびモノリシック半導体集積回路と配線基板の接続
は、それぞれ有機系樹脂からなる接着剤で接続され、表
示パネルとモノリシック半導体集積回路との接続に用い
る有機系樹脂のガラス転移温度は、モノリシック半導体
集積回路と配線基板との接続温度より高い。The liquid crystal display device according to the second aspect is the first aspect.
, A display panel and a monolithic semiconductor integrated circuit,
The connection between the monolithic semiconductor integrated circuit and the wiring board is connected by an adhesive made of an organic resin, and the glass transition temperature of the organic resin used for connecting the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit is the same as that of the monolithic semiconductor integrated circuit. Higher than the connection temperature with the wiring board.
【0020】上記の構成において、表示パネルとモノリ
シック半導体集積回路の接続の方が電極間ピッチが細か
く、また、部材の平行性が要求されるため、接続順序
は、まず表示パネルとモノリシック半導体集積回路を接
続し、その次にモノリシック半導体集積回路と配線基板
を接続する。そのため、配線基板とモノリシック半導体
集積回路を接続する前に、モノリシック半導体集積回路
は液晶表示パネルとすでに接続されているため、配線基
板を接続する際の温度で表示パネルとモノリシック半導
体集積回路を接続する異方導電性接着剤がダメージを受
けないようにする必要がある。このため上記のように、
表示パネルとモノリシック半導体集積回路、およびモノ
リシック半導体集積回路と配線基板の接続は、それぞれ
有機系樹脂からなる接着剤で接続され、表示パネルとモ
ノリシック半導体集積回路との接続に用いる有機系樹脂
のガラス転移温度は、モノリシック半導体集積回路と配
線基板との接続温度より高くしたので、配線基板接続時
に表示パネルとモノリシック半導体集積回路との接続部
に影響を与えることがない。これにより、高い接続信頼
性を保持し、高品質の表示装置を得ることができる。In the above configuration, the connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit requires a finer electrode pitch and parallelism of the members is required. Are connected, and then the monolithic semiconductor integrated circuit and the wiring board are connected. Therefore, before connecting the wiring substrate and the monolithic semiconductor integrated circuit, the monolithic semiconductor integrated circuit is already connected to the liquid crystal display panel, so that the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit are connected at the temperature at which the wiring substrate is connected. It is necessary to prevent the anisotropic conductive adhesive from being damaged. Therefore, as described above,
The connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit, and the connection between the monolithic semiconductor integrated circuit and the wiring board are connected with an adhesive made of an organic resin, and the glass transition of the organic resin used for the connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit. Since the temperature is higher than the connection temperature between the monolithic semiconductor integrated circuit and the wiring board, the connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit is not affected when the wiring board is connected. Thus, a high-quality display device can be obtained while maintaining high connection reliability.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図1〜図
3に基づいて説明する。なお、ここでは表示装置として
の液晶表示装置を例に挙げて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, a liquid crystal display device as a display device will be described as an example.
【0022】図1はこの発明の実施の形態の液晶表示装
置の部分断面図、図2はその平面図、図3はその部分拡
大斜視図である。この液晶表示装置は、図2に示すよう
に、液晶表示パネル1とモノリシック半導体集積回路等
のICチップ2と配線基板3とで構成されている。ま
た、液晶表示パネル1上に形成された電極6と、液晶表
示パネル1を表示動作させるICチップ2内の回路形成
面20に形成された突起電極5とを接続した構成をと
り、配線基板3はICチップ2に信号、電源などの駆動
電圧を供給する。FIG. 1 is a partial sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is a partially enlarged perspective view thereof. As shown in FIG. 2, this liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel 1, an IC chip 2 such as a monolithic semiconductor integrated circuit, and a wiring board 3. In addition, the wiring board 3 has a configuration in which the electrodes 6 formed on the liquid crystal display panel 1 and the protruding electrodes 5 formed on the circuit forming surface 20 in the IC chip 2 for performing the display operation of the liquid crystal display panel 1 are connected. Supplies a driving voltage such as a signal and a power supply to the IC chip 2.
【0023】液晶表示パネル1の非表示領域4bには、
図1に示すように、液晶表示パネル1の表示領域4aの
各画素に形成されたTFT(図示せず)に接続し、非表
示領域4bに引き出された配線上にICチップ2の出力
端子(突起電極)5と対向させて接続する出力電極6を
形成する。このICチップ2は、液晶表示パネル1の表
示領域4aの各画素に形成されたTFT(図示せず)を
制御して各画素を駆動させて液晶表示パネル1を表示動
作させるものであり、非表示領域4bにCOG実装され
ている。なお、このICチップ2には、信号線用ICチ
ップ2aと走査線用ICチップ2bとがある(図2)。In the non-display area 4b of the liquid crystal display panel 1,
As shown in FIG. 1, the output terminal of the IC chip 2 is connected to a TFT (not shown) formed in each pixel of the display area 4a of the liquid crystal display panel 1 and is connected to a wiring drawn to the non-display area 4b. An output electrode 6 is formed so as to face and connect to the protruding electrode 5. The IC chip 2 controls a TFT (not shown) formed in each pixel of the display area 4a of the liquid crystal display panel 1 to drive each pixel to cause the liquid crystal display panel 1 to perform a display operation. COG is mounted on the display area 4b. The IC chip 2 includes a signal line IC chip 2a and a scanning line IC chip 2b (FIG. 2).
【0024】これら出力端子5及び出力電極6は非表示
領域4bの表示領域4aに近い辺に形成する。ICチッ
プ2の出力端子5と反対側の辺にはICチップ2を接続
する際にバランスを取るためにダミー端子9を形成し、
また液晶表示パネル上にもダミー電極16を形成する。
これら、非表示領域4bに形成する出力電極6、ダミー
電極16は、表示領域4aのTFTの形成に用いられる
導電性薄膜を流用し、TFTと同時に形成する。The output terminal 5 and the output electrode 6 are formed on the side of the non-display area 4b near the display area 4a. A dummy terminal 9 is formed on the side of the IC chip 2 on the side opposite to the output terminal 5 to balance when connecting the IC chip 2.
Also, a dummy electrode 16 is formed on the liquid crystal display panel.
The output electrode 6 and the dummy electrode 16 formed in the non-display area 4b are formed simultaneously with the TFT by diverting the conductive thin film used for forming the TFT in the display area 4a.
【0025】ICチップ2には、内部を貫通するスルー
ホール17が形成されている。また、ICチップ2の回
路形成面20と反対の面にICチップ2の回路に電源や
転送クロックを入力するための配線基板接続電極8を形
成する。この配線基板接続電極8はICチップ2を貫通
するスルーホール17でICチップ2の回路と接続され
ている。これらの形成方法は、半導体集積回路をICチ
ップ2に形成後、回路への入力部にエッチング処理し、
ICチップ2に縦穴を開ける。次にこの縦穴に金めっき
処理し縦穴の壁面を導通させる。その後縦穴を露出させ
るまで裏面からのラッピング処理を行う。その後、縦穴
の箇所を金めっき処理しスルーホール17を形成する。
スルーホール17をめっき形成する際に配線基板接続電
極8も形成する。この実施の形態では、スルーホール1
7の穴径を40μm、LSI厚みを130μmとした。
またICチップ2の材質は、ガリウムヒ素を用いた。The IC chip 2 has a through hole 17 penetrating therethrough. Further, a wiring board connection electrode 8 for inputting a power supply or a transfer clock to a circuit of the IC chip 2 is formed on a surface of the IC chip 2 opposite to the circuit forming surface 20. The wiring board connection electrode 8 is connected to a circuit of the IC chip 2 through a through hole 17 penetrating the IC chip 2. In these forming methods, after a semiconductor integrated circuit is formed on the IC chip 2, an input portion to the circuit is etched.
A vertical hole is made in the IC chip 2. Next, gold plating is applied to the vertical hole to make the wall surface of the vertical hole conductive. Thereafter, wrapping processing is performed from the back surface until the vertical holes are exposed. Then, the through holes 17 are formed by performing gold plating on the vertical holes.
When the through holes 17 are formed by plating, the wiring board connection electrodes 8 are also formed. In this embodiment, the through hole 1
The hole diameter of No. 7 was 40 μm, and the LSI thickness was 130 μm.
Gallium arsenide was used as the material of the IC chip 2.
【0026】配線基板3は、その配線基板電極10を配
線基板接続電極8に接続して、ICチップ2に入力され
る信号もしくは電源を供給する。この場合、配線基板3
はポリイミドフィルム等の折曲げ可能な材質を使用した
基材を用い、配線基板電極10を形成した部分は、ポリ
イミドフィルムの一層形状となっている。また、図3に
示すように、配線基板電極10は、それぞれの信号(電
源、転送クロックなど)毎に共通配線11から分岐され
ており、そのため、共通配線11を形成した部分の配線
基板12は多層化する。この実施の形態では、配線基板
電極10の形成部に厚み25μmのポリイミドフィルム
を用い、接続後の折曲げ性を向上させている。The wiring board 3 connects the wiring board electrode 10 to the wiring board connection electrode 8 to supply a signal or power input to the IC chip 2. In this case, the wiring board 3
Is made of a base material using a bendable material such as a polyimide film, and the portion where the wiring board electrode 10 is formed has a single-layer shape of the polyimide film. Also, as shown in FIG. 3, the wiring board electrode 10 is branched from the common wiring 11 for each signal (power supply, transfer clock, etc.). Multi-layer. In this embodiment, a 25-μm-thick polyimide film is used for the formation portion of the wiring board electrode 10 to improve the bendability after connection.
【0027】液晶表示パネル1とICチップ2、配線基
板3とICチップ2は、有機系樹脂中に樹脂ボールに金
めっきを施した導電粒子を分散させた異方導電性接着剤
(ACF:Anisotoropic Conductive Film)を介して接
続する。The liquid crystal display panel 1 and the IC chip 2 and the wiring board 3 and the IC chip 2 are made of an anisotropic conductive adhesive (ACF: Anisotoropic) in which conductive particles obtained by applying gold plating to resin balls are dispersed in an organic resin. Connect via Conductive Film).
【0028】接続の順序は、まず液晶表示パネル1とI
Cチップ2を接続し、その次に配線基板3とICチップ
2を接続する。これは、液晶表示パネル1とICチップ
2の接続の方が電極間ピッチが細かく、また、部材間の
平行性が要求されるためである。The order of connection is as follows.
The C chip 2 is connected, and then the wiring board 3 and the IC chip 2 are connected. This is because the connection between the liquid crystal display panel 1 and the IC chip 2 requires a finer electrode pitch and requires parallelism between members.
【0029】この際に液晶表示パネル1とICチップ2
に用いる異方導電性接着剤18と、配線基板3とICチ
ップ2を接続する異方導電性接着剤19とでは、接続す
る際の接続温度と熱硬化樹脂のガラス転移温度が異なる
有機系樹脂を用いる。この実施の形態においては、有機
系樹脂にエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂を用い、液晶表示
パネル1とICチップ2に用いる熱硬化エポキシ樹脂の
ガラス転移温度は、配線基板3とICチップ2を接続す
る際の温度より高い異方導電性接着剤を用いている。こ
れは、配線基板3とICチップ2を接続する前に、IC
チップ2は液晶表示パネル1とすでに接続されているた
め、配線基板3を接続する際の温度で液晶表示パネル1
とICチップ2を接続する異方導電性接着剤18がダメ
ージを受けないようにするためである。具体的には、液
晶表示パネル1とICチップ2の接続には、熱硬化エポ
キシ樹脂のガラス転移温度が137℃の異方導電性接着
剤を用い、配線基板3とICチップ2との接続には、接
続温度が110℃の異方導電性接着剤を用いた。At this time, the liquid crystal display panel 1 and the IC chip 2
Anisotropic conductive adhesive 18 used for connection and the anisotropic conductive adhesive 19 for connecting the wiring board 3 and the IC chip 2 have different connection temperatures and glass transition temperatures of the thermosetting resin at the time of connection. Is used. In this embodiment, a thermosetting resin such as an epoxy resin is used as the organic resin, and the glass transition temperature of the thermosetting epoxy resin used for the liquid crystal display panel 1 and the IC chip 2 is determined by connecting the wiring board 3 and the IC chip 2. An anisotropic conductive adhesive is used which is higher than the temperature at which the heat treatment is performed. This means that before connecting the wiring board 3 and the IC chip 2, the IC
Since the chip 2 is already connected to the liquid crystal display panel 1, the liquid crystal display panel 1 is connected at the temperature at which the wiring board 3 is connected.
This is to prevent the anisotropic conductive adhesive 18 connecting the IC chip 2 from being damaged. Specifically, the liquid crystal display panel 1 is connected to the IC chip 2 using an anisotropic conductive adhesive having a glass transition temperature of 137 ° C. of the thermosetting epoxy resin. Used an anisotropic conductive adhesive having a connection temperature of 110 ° C.
【0030】以上のようにこの実施の形態によれば、I
Cチップ2の回路形成面20と反対の面にICチップ2
の回路への電源や転送クロックを入力するための配線基
板電極8を形成し、この配線基板電極8に配線基板3に
形成した配線基板接続電極10を接続する構成としたた
め、液晶表示パネル1の非表示領域4bに配線基板接続
電極10を接続するスペースが不要となり、ガラス基板
の取れ数を減らすことなく、かつコンパクトな液晶表示
装置を得ることが出来る。As described above, according to this embodiment, I
IC chip 2 on the surface opposite to circuit forming surface 20 of C chip 2
The wiring board electrode 8 for inputting a power supply and a transfer clock to the circuit is formed, and the wiring board connection electrode 10 formed on the wiring board 3 is connected to the wiring board electrode 8. A space for connecting the wiring board connection electrode 10 to the non-display area 4b is not required, and a compact liquid crystal display device can be obtained without reducing the number of glass substrates to be taken.
【0031】また、液晶表示パネル1とICチップ2に
用いる異方導電性接着剤18の有機系樹脂のガラス転移
温度は、配線基板3とICチップ2を接続する際の温度
より高いため、配線基板3を接続する際の温度で液晶表
示パネル1とICチップ2を接続する有機系樹脂がダメ
ージを受けず、高品質の液晶表示装置を得ることが出来
る。The glass transition temperature of the organic resin of the anisotropic conductive adhesive 18 used for the liquid crystal display panel 1 and the IC chip 2 is higher than the temperature at which the wiring board 3 and the IC chip 2 are connected. The organic resin connecting the liquid crystal display panel 1 and the IC chip 2 is not damaged at the temperature at which the substrate 3 is connected, and a high quality liquid crystal display device can be obtained.
【0032】なおこの実施の形態では、液晶表示装置の
場合について説明しているが、プラズマディスプレイ装
置などの液晶表示装置以外の表示装置の場合であっても
同様の効果を有する。In this embodiment, the case of a liquid crystal display device has been described. However, similar effects can be obtained in the case of a display device other than a liquid crystal display device such as a plasma display device.
【0033】[0033]
【発明の効果】この発明の表示装置によれば、モノリシ
ック半導体集積回路内を貫通するスルーホールを形成
し、モノリシック半導体集積回路の回路形成面と反対の
面に、スルーホールを介してモノリシック半導体集積回
路と接続された配線基板接続電極を形成し、この配線基
板接続電極に配線基板上に形成された配線基板電極を接
続して、モノリシック半導体集積回路に入力される信号
もしくは電源を配線基板より供給するので、配線基板接
続電極がモノリシック半導体集積回路上に形成されて表
示パネルに配線基板を接続するスペースが不要となり、
その分表示パネルの非表示領域を小さくすることができ
る。このため、ガラス基板の取れ数を減らすことなく、
外形寸法の小さいCOG方式による液晶表示装置を提供
することができる。また、従来例のようなフィルム基板
を用いないので接続点数が多くなる、またフィルム基板
が破断するといった問題を解消でき信頼性が向上する。According to the display device of the present invention, a through-hole penetrating the inside of the monolithic semiconductor integrated circuit is formed, and the monolithic semiconductor integrated circuit is formed on the surface opposite to the circuit forming surface of the monolithic semiconductor integrated circuit via the through-hole. Form a wiring board connection electrode connected to the circuit, connect the wiring board electrode formed on the wiring board to this wiring board connection electrode, and supply a signal or power input to the monolithic semiconductor integrated circuit from the wiring board Therefore, the wiring board connection electrode is formed on the monolithic semiconductor integrated circuit, and the space for connecting the wiring board to the display panel becomes unnecessary.
The non-display area of the display panel can be reduced accordingly. Therefore, without reducing the number of glass substrates,
A liquid crystal display device using a COG method with small external dimensions can be provided. Further, since a film substrate is not used as in the conventional example, the number of connection points is increased, and problems such as breakage of the film substrate can be solved, thereby improving reliability.
【0034】請求項2では、上記の構成において、表示
パネルとモノリシック半導体集積回路の接続の方が電極
間ピッチが細かく、また、部材の平行性が要求されるた
め、接続順序は、まず表示パネルとモノリシック半導体
集積回路を接続し、その次にモノリシック半導体集積回
路と配線基板を接続する。そのため、配線基板とモノリ
シック半導体集積回路を接続する前に、モノリシック半
導体集積回路は液晶表示パネルとすでに接続されている
ため、配線基板を接続する際の温度で表示パネルとモノ
リシック半導体集積回路を接続する異方導電性接着剤が
ダメージを受けないようにする必要がある。このため、
表示パネルとモノリシック半導体集積回路、およびモノ
リシック半導体集積回路と配線基板の接続は、それぞれ
有機系樹脂からなる接着剤で接続され、表示パネルとモ
ノリシック半導体集積回路との接続に用いる有機系樹脂
のガラス転移温度は、モノリシック半導体集積回路と配
線基板との接続温度より高くしたので、配線基板接続時
に表示パネルとモノリシック半導体集積回路との接続部
に影響を与えることがない。これにより、高い接続信頼
性を保持し、高品質の表示装置を得ることができる。According to the second aspect of the present invention, in the above configuration, the connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit requires a finer electrode pitch and parallelism of the members is required. And the monolithic semiconductor integrated circuit, and then the monolithic semiconductor integrated circuit and the wiring board. Therefore, before connecting the wiring substrate and the monolithic semiconductor integrated circuit, the monolithic semiconductor integrated circuit is already connected to the liquid crystal display panel, so that the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit are connected at the temperature at which the wiring substrate is connected. It is necessary to prevent the anisotropic conductive adhesive from being damaged. For this reason,
The connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit, and the connection between the monolithic semiconductor integrated circuit and the wiring board are connected with an adhesive made of an organic resin, and the glass transition of the organic resin used for the connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit. Since the temperature is higher than the connection temperature between the monolithic semiconductor integrated circuit and the wiring board, the connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit is not affected when the wiring board is connected. Thus, a high-quality display device can be obtained while maintaining high connection reliability.
【図1】この発明の実施の形態の液晶表示装置の部分断
面図である。FIG. 1 is a partial sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施の形態の液晶表示装置の平面図
である。FIG. 2 is a plan view of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.
【図3】この発明の実施の形態の液晶表示装置の部分拡
大斜視図である。FIG. 3 is a partially enlarged perspective view of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.
【図4】従来の液晶表示装置の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a conventional liquid crystal display device.
【図5】従来の液晶表示装置の部分拡大斜視図である。FIG. 5 is a partially enlarged perspective view of a conventional liquid crystal display device.
【図6】従来のTCP方式の液晶表示装置の平面図であ
る。FIG. 6 is a plan view of a conventional TCP type liquid crystal display device.
1 液晶表示パネル 2 ICチップ 3 配線基板 4a 表示領域 4b 非表示領域 5 出力端子 6 出力電極 8 配線基板接続電極 10 配線基板電極 17 スルーホール 18 液晶表示パネルとICチップを接続する異方導電
性接着剤 19 配線基板とICチップを接続する異方導電性接着
剤 20 回路形成面DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display panel 2 IC chip 3 Wiring board 4a Display area 4b Non-display area 5 Output terminal 6 Output electrode 8 Wiring board connection electrode 10 Wiring board electrode 17 Through hole 18 Anisotropic conductive adhesive which connects a liquid crystal display panel and an IC chip Agent 19 Anisotropic conductive adhesive for connecting wiring board and IC chip 20 Circuit formation surface
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA48 GA50 GA55 GA59 HA25 JA24 JA46 NA15 NA27 NA29 5G435 AA14 AA18 BB12 EE37 EE42 EE47 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H092 GA48 GA50 GA55 GA59 HA25 JA24 JA46 NA15 NA27 NA29 5G435 AA14 AA18 BB12 EE37 EE42 EE47
Claims (2)
表示パネルを表示動作させるモノリシック半導体集積回
路内の回路形成面に形成された突起電極とを接続し、前
記モノリシック半導体集積回路に駆動電圧を供給する配
線基板を備えた表示装置であって、前記モノリシック半
導体集積回路内を貫通するスルーホールを形成し、前記
モノリシック半導体集積回路の回路形成面と反対の面
に、前記スルーホールを介して前記モノリシック半導体
集積回路と接続された配線基板接続電極を形成し、この
配線基板接続電極に前記配線基板上に形成された配線基
板電極を接続して、前記モノリシック半導体集積回路に
入力される信号もしくは電源を前記配線基板より供給す
ることを特徴とする表示装置。An electrode formed on a display panel is connected to a protruding electrode formed on a circuit forming surface in a monolithic semiconductor integrated circuit for performing a display operation of the display panel, and a driving voltage is applied to the monolithic semiconductor integrated circuit. A display device provided with a wiring substrate for supplying a monolithic semiconductor integrated circuit, wherein a through-hole penetrating through the monolithic semiconductor integrated circuit is formed, and a surface opposite to a circuit forming surface of the monolithic semiconductor integrated circuit is formed through the through-hole. Forming a wiring board connection electrode connected to the monolithic semiconductor integrated circuit, connecting a wiring board electrode formed on the wiring board to the wiring board connection electrode, a signal input to the monolithic semiconductor integrated circuit or A display device, wherein power is supplied from the wiring board.
路、および前記モノリシック半導体集積回路と配線基板
の接続は、それぞれ有機系樹脂からなる接着剤で接続さ
れ、前記表示パネルと前記モノリシック半導体集積回路
との接続に用いる有機系樹脂のガラス転移温度は、前記
モノリシック半導体集積回路と前記配線基板との接続温
度より高い請求項1記載の表示装置。2. A display panel and a monolithic semiconductor integrated circuit, and a connection between the monolithic semiconductor integrated circuit and a wiring board are connected by an adhesive made of an organic resin, respectively, and a connection between the display panel and the monolithic semiconductor integrated circuit is provided. 2. The display device according to claim 1, wherein a glass transition temperature of the organic resin used is higher than a connection temperature between the monolithic semiconductor integrated circuit and the wiring substrate. 3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35557498A JP2000181369A (en) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35557498A JP2000181369A (en) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | Display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000181369A true JP2000181369A (en) | 2000-06-30 |
Family
ID=18444688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP35557498A Pending JP2000181369A (en) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | Display device |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000181369A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008233701A (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Seiko Instruments Inc | Display device and manufacturing method of display device |
JP2014222341A (en) * | 2004-04-16 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Image display device, module and electronic apparatus |
-
1998
- 1998-12-15 JP JP35557498A patent/JP2000181369A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014222341A (en) * | 2004-04-16 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Image display device, module and electronic apparatus |
JP2008233701A (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Seiko Instruments Inc | Display device and manufacturing method of display device |
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