JP2000180802A - 光導波路型変調器の製造方法及び光導波路型変調器 - Google Patents
光導波路型変調器の製造方法及び光導波路型変調器Info
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- JP2000180802A JP2000180802A JP10354919A JP35491998A JP2000180802A JP 2000180802 A JP2000180802 A JP 2000180802A JP 10354919 A JP10354919 A JP 10354919A JP 35491998 A JP35491998 A JP 35491998A JP 2000180802 A JP2000180802 A JP 2000180802A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程数が少ない光導波路型変調器の製造方法
および光導波路型変調器を提供する。 【解決手段】 Ｃｒ膜２０とＡｕ膜とによって、電極の
中間層を構成する層と偏光子を構成する層とを同時に形
成する。
および光導波路型変調器を提供する。 【解決手段】 Ｃｒ膜２０とＡｕ膜とによって、電極の
中間層を構成する層と偏光子を構成する層とを同時に形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路型変調器
の製造方法及び光導波路型変調器に関し、特に、光通信
やセンサーなどに用いられる光導波路型変調器に関する
ものである。
の製造方法及び光導波路型変調器に関し、特に、光通信
やセンサーなどに用いられる光導波路型変調器に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の光通信システム等において使用さ
れる光導波路型変調器として、ニオブ酸リチウム（以
下、ＬＮと称す。）などの基板にＴｉ等を拡散して光導
波路を形成し、この光導波路に進行波型電極を組み合わ
せた構成の光導波路型変調器が知られている。
れる光導波路型変調器として、ニオブ酸リチウム（以
下、ＬＮと称す。）などの基板にＴｉ等を拡散して光導
波路を形成し、この光導波路に進行波型電極を組み合わ
せた構成の光導波路型変調器が知られている。
【０００３】そのようなＬＮ基板を使用して製造される
ＬＮ光導波路型変調器は、ＬＮ結晶の持つ大きな異方性
によって入射光に対して大きな偏光依存性を持つ。この
ため、ＬＮ光導波路型変調器には偏光子を組み込んで変
調器特性を安定し、特性を改善するいくつかの技術が提
案されている。この中で金属膜を光導波路に直接形成
し、金属膜の光の偏波方向に対する吸収効率の差を利用
した金属装荷型偏光子がよく知られている（末松他、Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．２１，Ｎｏ
６，ｐｐ．２９１−２９３，Ｓｅｐｔ．１９７２）。
ＬＮ光導波路型変調器は、ＬＮ結晶の持つ大きな異方性
によって入射光に対して大きな偏光依存性を持つ。この
ため、ＬＮ光導波路型変調器には偏光子を組み込んで変
調器特性を安定し、特性を改善するいくつかの技術が提
案されている。この中で金属膜を光導波路に直接形成
し、金属膜の光の偏波方向に対する吸収効率の差を利用
した金属装荷型偏光子がよく知られている（末松他、Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．２１，Ｎｏ
６，ｐｐ．２９１−２９３，Ｓｅｐｔ．１９７２）。
【０００４】図１２は、従来の金属装荷型偏光子を導入
した、高速ＬＮ光導波路型変調器の平面図である。この
高速ＬＮ光導波路型変調器は、図１３に示した工程で製
造される。
した、高速ＬＮ光導波路型変調器の平面図である。この
高速ＬＮ光導波路型変調器は、図１３に示した工程で製
造される。
【０００５】まず、基板上にＴｉを直線状に熱拡散して
光導波路１２を形成したＬＮ基板１０上の進行波型電極
を形成する領域に０．３〜０．５μｍ程度の膜厚のＳｉ
Ｏ2から成るバッファ層１４を成膜する（バッファ層の
形成３００）。
光導波路１２を形成したＬＮ基板１０上の進行波型電極
を形成する領域に０．３〜０．５μｍ程度の膜厚のＳｉ
Ｏ2から成るバッファ層１４を成膜する（バッファ層の
形成３００）。
【０００６】このバッファ層１４の膜厚は、進行波型電
極の特性インピーダンスを５０Ωに整合させるように、
かつ、進行波型電極に印加されるマイクロ波の実効屈折
率に近づけるように設定される。
極の特性インピーダンスを５０Ωに整合させるように、
かつ、進行波型電極に印加されるマイクロ波の実効屈折
率に近づけるように設定される。
【０００７】バッファ層１４形成後、ＬＮ基板１０表面
に電極用のレジストを塗布（電極用のレジスト塗布３０
２）し、リソグラフィ技術により進行波型電極のパター
ンを形成する（電極のパターンニング３０４）。その
後、中間層用のＣｒ膜を成膜（Ｃｒ膜の形成３０６）し
てから、Ａｕ膜２４を成膜（Ａｕ膜の形成３０８）し、
レジストを除去することにより（レジスト除去３１
０）、バッファ層１４上に進行波型電極を形成する。
に電極用のレジストを塗布（電極用のレジスト塗布３０
２）し、リソグラフィ技術により進行波型電極のパター
ンを形成する（電極のパターンニング３０４）。その
後、中間層用のＣｒ膜を成膜（Ｃｒ膜の形成３０６）し
てから、Ａｕ膜２４を成膜（Ａｕ膜の形成３０８）し、
レジストを除去することにより（レジスト除去３１
０）、バッファ層１４上に進行波型電極を形成する。
【０００８】電極材料として使用したＡｕは、高い導電
率を持ち且つ経時変化が極めて少ないので、マイクロ波
伝播損失を低く抑えられるという利点がある。尚、Ａｕ
は付着力が弱いため、中間層としてバッファ層とＡｕ層
との間に、Ｃｒ層を形成してＡｕ層の付着力を高めてい
る。
率を持ち且つ経時変化が極めて少ないので、マイクロ波
伝播損失を低く抑えられるという利点がある。尚、Ａｕ
は付着力が弱いため、中間層としてバッファ層とＡｕ層
との間に、Ｃｒ層を形成してＡｕ層の付着力を高めてい
る。
【０００９】進行波型電極形成後、偏光子用のレジスト
を塗布し（偏光子用のレジスト塗布３１２）、フォトリ
ソグラフィ技術等によりバッファ層が形成されていない
導波路上に偏光子パターンを形成した後（偏光子のパタ
ーンニング３１４）、例えば、真空蒸着等によりＡｌ膜
等の金属膜を成膜し（Ａｌ膜の形成３１６）、リフトオ
フまたはエッチングによってレジストを除去して（レジ
スト除去３１８）、偏光子３０を形成する。この偏光子
３０の光導波路に沿った長さは、用いる材料や偏光子に
求める性能によって変わるが、大体１mm〜１０mm程度で
ある。
を塗布し（偏光子用のレジスト塗布３１２）、フォトリ
ソグラフィ技術等によりバッファ層が形成されていない
導波路上に偏光子パターンを形成した後（偏光子のパタ
ーンニング３１４）、例えば、真空蒸着等によりＡｌ膜
等の金属膜を成膜し（Ａｌ膜の形成３１６）、リフトオ
フまたはエッチングによってレジストを除去して（レジ
スト除去３１８）、偏光子３０を形成する。この偏光子
３０の光導波路に沿った長さは、用いる材料や偏光子に
求める性能によって変わるが、大体１mm〜１０mm程度で
ある。
【００１０】また、偏光子３０を形成する材料として
は、導波光に対して吸収損失として作用するが、偏光子
を形成する金属膜に平行な偏光成分（ＴＥ光）より垂直
な偏光成分（ＴＭ光）の方を大きく吸収する性質を持つ
Ａｌが一般に使用されている。そのため、偏光子３０は
ＴＥパスの偏光子として作用する。なお、偏光子３０に
吸収されたＴＭ光は金属膜部分で熱として消費されるこ
ととなる。
は、導波光に対して吸収損失として作用するが、偏光子
を形成する金属膜に平行な偏光成分（ＴＥ光）より垂直
な偏光成分（ＴＭ光）の方を大きく吸収する性質を持つ
Ａｌが一般に使用されている。そのため、偏光子３０は
ＴＥパスの偏光子として作用する。なお、偏光子３０に
吸収されたＴＭ光は金属膜部分で熱として消費されるこ
ととなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の金属
装荷型偏光子を備えた光導波路型変調器では、変調用の
進行波型電極と偏光子の材料が異なり、また、電極を形
成する工程と偏光子とを形成する工程とが別々であるの
で工程数が多い。そのため、コストがかかり、製造効率
も悪いという難点がある。
装荷型偏光子を備えた光導波路型変調器では、変調用の
進行波型電極と偏光子の材料が異なり、また、電極を形
成する工程と偏光子とを形成する工程とが別々であるの
で工程数が多い。そのため、コストがかかり、製造効率
も悪いという難点がある。
【００１２】また、光導波路型変調器の小型化のため、
偏光子用の導波路部分のスペースが多く取れない場合で
は、偏光子を形成することができないので、金属装荷型
偏光子を備えた光導波路型変調器を製造することができ
ないという問題が生じている。
偏光子用の導波路部分のスペースが多く取れない場合で
は、偏光子を形成することができないので、金属装荷型
偏光子を備えた光導波路型変調器を製造することができ
ないという問題が生じている。
【００１３】以上のことから本発明は、工程数が少ない
光導波路型変調器の製造方法を提供することを第１の目
的とする。また、小型化により基板に形成される光導波
路長が短くなっても偏光子を形成できる光導波路型変調
器を提供することを第２の目的とする。
光導波路型変調器の製造方法を提供することを第１の目
的とする。また、小型化により基板に形成される光導波
路長が短くなっても偏光子を形成できる光導波路型変調
器を提供することを第２の目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達する為に、
請求項１の発明の光導波路型変調器の製造方法は、基板
表面に形成された光導波路上に形成する進行波型電極の
形成予定領域にバッファ層を形成した後、前記バッファ
層上に電極パターンを形成すると共に、基板表面の前記
バッファ層が形成されていない領域の光導波路が露出す
る位置に偏光子パターンを形成し、前記電極パターンと
前記偏光子パターンとが形成された面に金属材料を成膜
することにより、少なくとも電極の一部分を構成する層
と偏光子を構成する層とを同時に形成して光導波路型変
調器を製造する請求項１の発明では、少なくとも電極の
一部を構成する層と偏光子を構成する層とを同時に形成
するため、工程数が減り、その分コストが押えられると
共に製造効率及び信頼性が向上する。
請求項１の発明の光導波路型変調器の製造方法は、基板
表面に形成された光導波路上に形成する進行波型電極の
形成予定領域にバッファ層を形成した後、前記バッファ
層上に電極パターンを形成すると共に、基板表面の前記
バッファ層が形成されていない領域の光導波路が露出す
る位置に偏光子パターンを形成し、前記電極パターンと
前記偏光子パターンとが形成された面に金属材料を成膜
することにより、少なくとも電極の一部分を構成する層
と偏光子を構成する層とを同時に形成して光導波路型変
調器を製造する請求項１の発明では、少なくとも電極の
一部を構成する層と偏光子を構成する層とを同時に形成
するため、工程数が減り、その分コストが押えられると
共に製造効率及び信頼性が向上する。
【００１５】なお、請求項１において述べた「少なくと
も電極の一部を構成する層」とは、例えば、電極部をＡ
ｕで構成する場合に基板に対する付着力を高めるために
使用される中間層等のように電極の一部を構成する層
と、電極全体を構成する層とを含んでいる。
も電極の一部を構成する層」とは、例えば、電極部をＡ
ｕで構成する場合に基板に対する付着力を高めるために
使用される中間層等のように電極の一部を構成する層
と、電極全体を構成する層とを含んでいる。
【００１６】また、請求項２の発明の光導波路型変調器
の製造方法は、基板表面に形成された光導波路上に形成
する進行波型電極の形成予定領域に光導波路が露出する
ように電極パターンを形成し、前記電極パターンが形成
された面に金属材料を成膜することにより、少なくとも
電極の一部が光導波路に直接接触し、進行波型電極自体
が偏光子としても作用する電極を備えた光導波路型変調
器を製造する。
の製造方法は、基板表面に形成された光導波路上に形成
する進行波型電極の形成予定領域に光導波路が露出する
ように電極パターンを形成し、前記電極パターンが形成
された面に金属材料を成膜することにより、少なくとも
電極の一部が光導波路に直接接触し、進行波型電極自体
が偏光子としても作用する電極を備えた光導波路型変調
器を製造する。
【００１７】すなわち、請求項２の発明では、少なくと
も進行波型電極の一部を光導波路に直接接触するように
形成して偏光子としても作用するように構成しているた
め、電極の形成領域と別の領域に偏光子を形成する必要
がなくなるので、その分、光導波路型変調器全体として
小型化できる。
も進行波型電極の一部を光導波路に直接接触するように
形成して偏光子としても作用するように構成しているた
め、電極の形成領域と別の領域に偏光子を形成する必要
がなくなるので、その分、光導波路型変調器全体として
小型化できる。
【００１８】さらに、請求項３の光導波路型変調器は、
基板表面に光導波路が形成された基板上に、少なくとも
電極の一部が前記光導波路と直接接触して偏光子として
も作用する進行波型電極を備えている。
基板表面に光導波路が形成された基板上に、少なくとも
電極の一部が前記光導波路と直接接触して偏光子として
も作用する進行波型電極を備えている。
【００１９】すなわち、請求項３の発明は、少なくとも
進行波電極の一部を光導波路に直接接触させる構成とす
ることで、進行波型電極を偏光子としても作用させてい
る。これにより、電極の形成領域とは別の領域に偏光子
を形成する必要がなくなるので、その分基板を小さくす
ることが可能となり、より小型な光導波路型変調器とな
る。
進行波電極の一部を光導波路に直接接触させる構成とす
ることで、進行波型電極を偏光子としても作用させてい
る。これにより、電極の形成領域とは別の領域に偏光子
を形成する必要がなくなるので、その分基板を小さくす
ることが可能となり、より小型な光導波路型変調器とな
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施形態と
第２の実施形態とを図１から図１１を参照しながら説明
する。
第２の実施形態とを図１から図１１を参照しながら説明
する。
【００２１】（第１の実施の形態）図１は、第１の実施
の形態における光導波路型変調器の製造工程を示すフロ
ーチャートである。以下、図１を参照しながら第１の実
施の形態を説明する。
の形態における光導波路型変調器の製造工程を示すフロ
ーチャートである。以下、図１を参照しながら第１の実
施の形態を説明する。
【００２２】まず、Ｔｉを熱拡散させて基板表面に光導
波路１２を形成したニオブ酸リチウム基板（以後、ＬＮ
基板と称す。）１０の表面に、進行波型電極を形成する
予定の領域が露出するようにマスクを形成し、膜厚１μ
ｍのＳｉＯ2膜を形成した後、マスクを除去して、図２
に示すように、進行波型電極を形成する予定の領域にＳ
ｉＯ2よりなるバッファ層１４を形成する（バッファ層
の形成１００）。
波路１２を形成したニオブ酸リチウム基板（以後、ＬＮ
基板と称す。）１０の表面に、進行波型電極を形成する
予定の領域が露出するようにマスクを形成し、膜厚１μ
ｍのＳｉＯ2膜を形成した後、マスクを除去して、図２
に示すように、進行波型電極を形成する予定の領域にＳ
ｉＯ2よりなるバッファ層１４を形成する（バッファ層
の形成１００）。
【００２３】次に、図３に示すように、バッファ層１４
を形成したＬＮ基板１０の全面にレジスト１６を塗布す
る（レジスト塗布１０２）。その後、フォトリソグラフ
ィ技術によって、バッファ層１４が形成された領域のレ
ジスト１６には電極長が４０ｍｍの進行波型電極のパタ
ーンをパターン露光し、バッファ層１４が形成されてい
ない領域のレジスト１６には光導波路に沿った長さが５
ｍｍの偏光子パターンを光導波路にかかる位置にパター
ン露光する。
を形成したＬＮ基板１０の全面にレジスト１６を塗布す
る（レジスト塗布１０２）。その後、フォトリソグラフ
ィ技術によって、バッファ層１４が形成された領域のレ
ジスト１６には電極長が４０ｍｍの進行波型電極のパタ
ーンをパターン露光し、バッファ層１４が形成されてい
ない領域のレジスト１６には光導波路に沿った長さが５
ｍｍの偏光子パターンを光導波路にかかる位置にパター
ン露光する。
【００２４】その後、現像により露光された部分のレジ
スト１６を除去して、図４に示すように、進行波型電極
のパターンと偏光子パターンとをレジストが取り除かれ
た凹状部分により形成したレジストパターン１８をＬＮ
基板１０表面に形成する（電極および偏光子のパターン
ニング１０４）。
スト１６を除去して、図４に示すように、進行波型電極
のパターンと偏光子パターンとをレジストが取り除かれ
た凹状部分により形成したレジストパターン１８をＬＮ
基板１０表面に形成する（電極および偏光子のパターン
ニング１０４）。
【００２５】その後、図５に示すように、全面にＣｒ膜
２０を２００ｎｍ蒸着し（Ｃｒ膜の形成１０６）、さら
にその全面にＡｕ膜２２を１５０ｎｍ蒸着して（Ａｕ膜
の形成１０８）、二層構造の金属膜を形成する。さら
に、電解メッキにより進行波型電極を構成する金属膜の
表面にＡｕ膜２４を形成し、全体として厚さ１０μｍの
進行波型電極とする。
２０を２００ｎｍ蒸着し（Ｃｒ膜の形成１０６）、さら
にその全面にＡｕ膜２２を１５０ｎｍ蒸着して（Ａｕ膜
の形成１０８）、二層構造の金属膜を形成する。さら
に、電解メッキにより進行波型電極を構成する金属膜の
表面にＡｕ膜２４を形成し、全体として厚さ１０μｍの
進行波型電極とする。
【００２６】その後、レジストパターン１８を除去して
（レジスト除去１１０）、図６に示す構成の光導波路型
変調器を得る。
（レジスト除去１１０）、図６に示す構成の光導波路型
変調器を得る。
【００２７】得られた光導波路型変調器は、進行波型電
極の一部を構成する中間層部分と偏光子とが同じ材質の
金属層により構成されると共に、その特性も偏波消光比
が２０ｄＢ以上で良好なものとなった。
極の一部を構成する中間層部分と偏光子とが同じ材質の
金属層により構成されると共に、その特性も偏波消光比
が２０ｄＢ以上で良好なものとなった。
【００２８】以上のように本第１の実施の形態では、少
ない工程数で光導波路型変調器を製造することが可能で
あるので、製造コストが低く抑えられると共に、製造効
率及び信頼性が向上する。
ない工程数で光導波路型変調器を製造することが可能で
あるので、製造コストが低く抑えられると共に、製造効
率及び信頼性が向上する。
【００２９】（第２の実施の形態）図７は、第２の実施
の形態における光導波路型変調器の製造工程を示すフロ
ーチャートである。以下、図７を参照しながら第２の実
施の形態を説明する。
の形態における光導波路型変調器の製造工程を示すフロ
ーチャートである。以下、図７を参照しながら第２の実
施の形態を説明する。
【００３０】まず、Ｔｉを熱拡散させて基板表面に光導
波路１２を形成したＬＮ基板１０の全表面に、図８に示
すように、レジスト１６を塗布する（レジスト塗布２０
０）。
波路１２を形成したＬＮ基板１０の全表面に、図８に示
すように、レジスト１６を塗布する（レジスト塗布２０
０）。
【００３１】その後、フォトリソグラフィ技術によっ
て、電極長が４０ｍｍの進行波型電極のパターンを露光
する。パターン露光後、レジスト１６を除去して、図９
に示すように、進行波型電極のパターンをレジストが取
り除かれた凹状部分により形成したレジストパターン１
８をＬＮ基板１０表面に形成する（電極のパターンニン
グ２０２）。この進行波型電極のパターンは、光導波路
の入射側と出射側とのそれぞれにおいて基板表面の光導
波路が２．５ｍｍずつ露出するように形成される。
て、電極長が４０ｍｍの進行波型電極のパターンを露光
する。パターン露光後、レジスト１６を除去して、図９
に示すように、進行波型電極のパターンをレジストが取
り除かれた凹状部分により形成したレジストパターン１
８をＬＮ基板１０表面に形成する（電極のパターンニン
グ２０２）。この進行波型電極のパターンは、光導波路
の入射側と出射側とのそれぞれにおいて基板表面の光導
波路が２．５ｍｍずつ露出するように形成される。
【００３２】なお、ここでは、光導波路の入射側と出射
側とにおいて同じ長さ分、光導波路が露出するようにし
ているが、最終的に得る光導波路型変調器は、光導波路
の入射側と接触する電極部分の光導波路の長さと光導波
路の出射側と接触する電極部分の光導波路の長さとが同
じである必要はなく、光導波路の入射側と接触する電極
部分の光導波路の長さが光導波路の出射側と接触する電
極部分の光導波路の長さより長くても、また、その逆で
もかまわない。
側とにおいて同じ長さ分、光導波路が露出するようにし
ているが、最終的に得る光導波路型変調器は、光導波路
の入射側と接触する電極部分の光導波路の長さと光導波
路の出射側と接触する電極部分の光導波路の長さとが同
じである必要はなく、光導波路の入射側と接触する電極
部分の光導波路の長さが光導波路の出射側と接触する電
極部分の光導波路の長さより長くても、また、その逆で
もかまわない。
【００３３】次に、図１０に示すように、全面にＡｌ膜
２６を厚さ１０μｍとなるように形成した後（Ａｌ膜の
形成２０４）、レジストパターン１８を除去して（レジ
スト除去２０６）、図１１に示す構成の光導波路型変調
器を得る。
２６を厚さ１０μｍとなるように形成した後（Ａｌ膜の
形成２０４）、レジストパターン１８を除去して（レジ
スト除去２０６）、図１１に示す構成の光導波路型変調
器を得る。
【００３４】得られた光導波路型変調器は、進行波型電
極を構成するＡｌ膜２６が直接光導波路に接触した構成
であり、この光導波路と直接接触するＡｌ膜２６の長さ
部分（すなわち、電極の一部）が偏光子として作用し、
進行波型電極とは別に偏光子を形成する必要がない。し
たがって、偏光子を形成しない分だけ小型な光導波路型
変調器となる。
極を構成するＡｌ膜２６が直接光導波路に接触した構成
であり、この光導波路と直接接触するＡｌ膜２６の長さ
部分（すなわち、電極の一部）が偏光子として作用し、
進行波型電極とは別に偏光子を形成する必要がない。し
たがって、偏光子を形成しない分だけ小型な光導波路型
変調器となる。
【００３５】さらに、バッファ層を形成せず、直接基板
に電極が接触するように構成しているため、従来よりも
格段に少ない工程数で製造することができるので、製造
コストを低く抑えられるとともに効率よく製造できる。
に電極が接触するように構成しているため、従来よりも
格段に少ない工程数で製造することができるので、製造
コストを低く抑えられるとともに効率よく製造できる。
【００３６】本第2の実施の形態では、進行波型電極を
Ａｌにより形成したが、電極として使用できる金属であ
れば使用することができる。もちろん、上述した第１の
実施形態のように、中間層を備えた二層以上の膜より進
行波型電極を構成することもできる。
Ａｌにより形成したが、電極として使用できる金属であ
れば使用することができる。もちろん、上述した第１の
実施形態のように、中間層を備えた二層以上の膜より進
行波型電極を構成することもできる。
【００３７】また、第２の実施の形態では、バッファ層
を備えない構成の光導波路型変調器としたが、進行波型
電極が直接光導波路に接触していればバッファ層を備え
た構成の光導波路型変調器とすることもできる。
を備えない構成の光導波路型変調器としたが、進行波型
電極が直接光導波路に接触していればバッファ層を備え
た構成の光導波路型変調器とすることもできる。
【００３８】なお、上記第1の実施の形態及び第２の実
施の形態においてはＬＮ基板を使用した光導波路型変調
器を説明しているが、本発明はＬＮ基板を使用する光導
波路型変調器に限らず、例えば、Ｓｉや、石英、リチウ
ムタンタルなどからなる基板を用いた光導波路型変調器
とすることもできる。
施の形態においてはＬＮ基板を使用した光導波路型変調
器を説明しているが、本発明はＬＮ基板を使用する光導
波路型変調器に限らず、例えば、Ｓｉや、石英、リチウ
ムタンタルなどからなる基板を用いた光導波路型変調器
とすることもできる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、少ない工程数で光導波路型変調器を製造でき、
製造コストが低く抑えられるとともに、製造効率及び信
頼性が向上する、という効果が得られる。
よれば、少ない工程数で光導波路型変調器を製造でき、
製造コストが低く抑えられるとともに、製造効率及び信
頼性が向上する、という効果が得られる。
【００４０】また、請求項２及び請求項３の発明によれ
ば、少ない工程数で製造できると共に、従来よりも小型
な光導波路型変調器が得られる、という効果がある。
ば、少ない工程数で製造できると共に、従来よりも小型
な光導波路型変調器が得られる、という効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる光導波路型
変調器の製造工程の概略を示すフローチャートである。
変調器の製造工程の概略を示すフローチャートである。
【図２】（ａ）はＬＮ基板上にバッファ層を形成した状
態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。
態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。
【図３】（ａ）は図２に示した基板の全面にレジストを
塗布した状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ線断面図である。
塗布した状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ線断面図である。
【図４】（ａ）は図３に示した基板をパターン露光・現
像して電極パターンと偏光子パターンとを形成した状態
を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図
である。
像して電極パターンと偏光子パターンとを形成した状態
を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図
である。
【図５】（ａ）は図４に示した基板の全面にＣｒ膜とＡ
ｕ膜とを順に成膜した状態を示す平面図であり、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
ｕ膜とを順に成膜した状態を示す平面図であり、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】（ａ）は最終的に得られた光導波路型変調器を
示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図で
ある。
示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図で
ある。
【図７】本発明の第２の実施の形態にかかる光導波路型
変調器の製造工程の概略を示すフローチャートである。
変調器の製造工程の概略を示すフローチャートである。
【図８】（ａ）はＬＮ基板の全面にレジストを塗布した
状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断
面図である。
状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断
面図である。
【図９】（ａ）は図８に示した基板をパターン露光・現
像して電極パターンを形成した状態を示す平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
像して電極パターンを形成した状態を示す平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１０】（ａ）は図９に示した基板の全面にＡｌ膜を
成膜した状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線断面図である。
成膜した状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線断面図である。
【図１１】（ａ）は図１０に示した基板からレジストパ
ターンを取り除いて最終的に得られた光導波路型変調器
を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図
である。
ターンを取り除いて最終的に得られた光導波路型変調器
を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図
である。
【図１２】従来の光導波路型変調器の平面図である。
【図１３】従来の光導波路型変調器の製造工程の概略を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
１０ ＬＮ基板 １２ 光導波路 １４ バッファ層 １６ レジスト １８ レジストパターン ２０ Ｃｒ膜 ２２、２４ Ａｕ膜 ２６ Ａｌ膜
フロントページの続き (72)発明者 永田 裕俊 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新規技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 BA02 CA04 CA05 CA08 DA03 DA22 EA03 EB04 EB05 KA05 KA20
Claims (3)
- 【請求項１】 基板表面に形成された光導波路上に形成
する進行波型電極の形成予定領域にバッファ層を形成し
た後、 前記バッファ層上に電極パターンを形成すると共に、基
板表面の前記バッファ層が形成されていない領域の光導
波路が露出する位置に偏光子パターンを形成し、 前記電極パターンと前記偏光子パターンとが形成された
面に金属材料を成膜することにより、 少なくとも電極の一部分を構成する層と偏光子を構成す
る層とを同時に形成して光導波路型変調器を製造する光
導波路型変調器の製造方法。 - 【請求項２】 基板表面に形成された光導波路上に形成
する進行波型電極の形成予定領域に光導波路が露出する
ように電極パターンを形成し、 前記電極パターンが形成された面に金属材料を成膜する
ことにより、 少なくとも電極の一部が光導波路に直接接触し、進行波
型電極自体が偏光子としても作用する電極を備えた光導
波路型変調器を製造する光導波路型変調器の製造方法。 - 【請求項３】 基板表面に光導波路が形成された基板上
に、 少なくとも電極の一部が前記光導波路と直接接触して偏
光子としても作用する電極を備えた光導波路型変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354919A JP2000180802A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 光導波路型変調器の製造方法及び光導波路型変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354919A JP2000180802A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 光導波路型変調器の製造方法及び光導波路型変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000180802A true JP2000180802A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18440797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10354919A Pending JP2000180802A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 光導波路型変調器の製造方法及び光導波路型変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000180802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001061401A1 (fr) * | 2000-02-18 | 2001-08-23 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd | Guide d'ondes optiques et procede de realisation |
-
1998
- 1998-12-14 JP JP10354919A patent/JP2000180802A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001061401A1 (fr) * | 2000-02-18 | 2001-08-23 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd | Guide d'ondes optiques et procede de realisation |
| US6806113B2 (en) | 2000-02-18 | 2004-10-19 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide device and method for forming optical waveguide device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040318 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040803 |