JP2000178041A - 結晶化ガラス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高ヤング率であるとともに、高平坦、平滑性
であり、ステンレス鋼に近い高熱膨張率を有する結晶化
ガラス及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラスの成形体を再加熱して微細結晶の
主結晶としてディオプサイトをガラス中に析出させた結
晶化ガラスである。ガラス原料の主組成は、ＣａＯが１
０〜２０ｍｏｌ％、ＭｇＯが１０〜２０ｍｏｌ％、Ｓｉ
Ｏ₂が３７〜６２ｍｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃が１０〜１５ｍｏ
ｌ％、核形成剤が８〜１２ｍｏｌ％であり、ＳｉＯ
₂は、ディオプサイトの量論組成である結晶モル比（Ｃ
ａＯ：ＭｇＯ：ＳｉＯ₂＝１：１：２）よりも多く含有
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】 本発明は、主にコンピュー
タの情報記録媒体として使用されるハードディスク用の
基板材料である結晶化ガラス及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】 近年、コンピュータの普及が急激に進
み、コンピュータの操作性を左右するオペレーションシ
ステム等のＯＳソフトや、ＯＳ上で作動する種々のプロ
グラムソフト等のソフトウエアが大容量化する傾向にあ
り、更に、これらのプログラムを用いて作成されるデー
タも、大容量化する傾向にある。

【０００３】 これに伴い、このような大量の情報を高
速に記録／読出することのできる情報記録媒体としての
ハードディスクの開発においては、従来のアルミニウム
金属を用いた基板に変えて、硬度や平滑性に優れるガラ
ス基板を用いる動きが活発になっている。

【０００４】 上記のようなガラス基板に用いられるガ
ラス材料は、高速回転の際に生じるたわみを防止するた
め、高ヤング率であるとともに、ハードディスクの高密
度化のため、その表面が高平坦、平滑性であり、更にガ
ラス基板を固定する部品の材質であるステンレス鋼と同
程度の高熱膨張率を有することが要求される。

【０００５】 これを実現するために、酸素の一部を窒
素に置換し、結合力を強化したオキシナイトライドガラ
ス（酸窒化物ガラス）や、希土類等を加えて密度（充填
度）を上げた酸化物ガラス等を用いることが検討されて
いる。

【０００６】 しかしながら、希土類等を加えた酸化物
ガラスは、高ヤング率であるが、重量が増加しすぎるた
め、ハードディスク用のガラス基板には不適であり、希
土類を用いた場合、原料コストもかかるという問題点が
あった。尚、ガラスディスク特性の指標としてヤング率
（Ｅ）を比重（ρ）で割ったＥ／ρの値が使用されてお
り、上記希土類添加ガラスが不適であるのはこの値が小
さくなるためである。一方、オキシナイトライドガラス
は、ハードディスク用のガラス基板としては、最適であ
るが、溶融温度が高く、窒素雰囲気で溶融させなければ
ならないため、工業的に実用化することが困難であっ
た。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】 本発明は、このよう
な従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、ディオプサイト（ＣａＯ・Ｍ
ｇＯ・２ＳｉＯ₂）を主結晶として析出させることによ
り、高ヤング率であるとともに、高平坦、平滑性であ
り、ステンレス鋼に近い高熱膨張率を有する結晶化ガラ
ス及びその製造方法を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、ガラスの成形体を再加熱して微細結晶をガラス中
に析出させた結晶化ガラスであって、その主結晶がディ
オプサイトであることを特徴とする結晶化ガラスが提供
される。

【０００９】 このとき、本発明では、結晶化ガラスの
ヤング率（Ｅ）が１１０〜１５８ＧＰａ、ヤング率
（Ｅ）／比重（ρ）が、４０〜５０、表面粗さが５ｎｍ
以下、熱膨張率が６×１０^-6〜１０×１０^-6／Ｋ、結晶
粒径が２μｍ以下であることが好ましい。

【００１０】 また、本発明によれば、ガラスの成形体
を再加熱して微細結晶をガラス中に析出させた結晶化ガ
ラスの製造方法であって、ガラス原料の主組成が、Ｃａ
Ｏが１０〜２０ｍｏｌ％、ＭｇＯが１０〜２０ｍｏｌ
％、ＳｉＯ₂が３７〜６２ｍｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃が１０〜
１５ｍｏｌ％、核形成剤が８〜１２ｍｏｌ％であること
を特徴とする結晶化ガラスの製造方法が提供される。こ
のとき、ＳｉＯ₂は、ディオプサイトの量論組成である
結晶モル比（ＣａＯ：ＭｇＯ：ＳｉＯ₂＝１：１：２）
よりも多く含有されていることが好ましい。

【００１１】 更に、本発明によれば、ガラスの成形体
を再加熱して微細結晶をガラス中に析出させた結晶化ガ
ラスの製造方法であって、ガラス原料の主組成が、Ｃａ
Ｏが１０〜２０ｍｏｌ％、ＭｇＯが１０〜２０ｍｏｌ
％、ＳｉＯ₂が２０〜６２ｍｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃が１０〜
１５ｍｏｌ％、核形成剤が８〜１２ｍｏｌ％、残部がガ
ラス形成酸化物であることを特徴とする結晶化ガラスの
製造方法が提供される。このとき、ＳｉＯ₂は、ディオ
プサイトの量論組成である結晶モル比（ＣａＯ：Ｍｇ
Ｏ：ＳｉＯ₂＝１：１：２）以上含有されていることが
好ましい。

【００１２】 尚、本発明では、ガラスの成形体は、大
気中、７００〜８００℃で２時間以上熱処理した後、更
に９００〜１０００℃で０．５〜４時間熱処理すること
が好ましい。

【００１３】 また、本発明で用いる核形成剤は、Ｔｉ
Ｏ₂、ＺｒＯ₂、Ｐ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃、Ａｓ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅
からなる群より選択した１又は２以上の物質であること
が好ましく、本発明で用いるガラス形成酸化物は、Ｂ₂
Ｏ₃、Ｐ₂Ｏ₅，ＧｅＯ₂のいずれかであることが好まし
い。

【００１４】

【発明の実施の形態】 本発明の結晶化ガラスは、ガラ
スの成形体を再加熱して微細結晶をガラス中に析出させ
た結晶化ガラスであって、その主結晶がディオプサイト
（ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ₂）であるものである。こ
れにより、高ヤング率であるとともに、高平坦、平滑性
であり、ステンレス鋼と同程度の高熱膨張率を有する結
晶化ガラスを得ることができる。

【００１５】 すなわち、本発明の結晶化ガラスは、主
結晶をディオプサイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ₂）
にすることにより、ヤング率を１１０〜１５８ＧＰａ、
ヤング率（Ｅ）／比重（ρ）を４０〜５０にすることが
できるため、従来の結晶化ガラスよりも高速回転の際に
生じるたわみを確実に防止することができる。また、本
発明の結晶化ガラスは、結晶粒径を２μｍ以下にするこ
とにより、表面粗さを５ｎｍ以下（より好ましくは、
０．５ｎｍ以下）にすることができるため、磁気ヘッド
の浮上高（磁気メディアとヘッド間距離）を小さくする
（例えば、０．０７５μｍ以下にする）ことが可能とな
り、ハードディスクの高密度化に寄与することができ
る。更に、本発明の結晶化ガラスは、熱膨張率が６×１
０^-6〜１０×１０^-6／Ｋ程度であるため、ガラス基板を
固定する部品の材質であるステンレス鋼との相性がよ
い。

【００１６】 ここで、本発明の結晶化ガラスは、全結
晶相中のディオプサイトの結晶相の占める割合（ｆ）
が、少なくとも５０％以上であることが上記に示す特性
を発現させるために好ましい。

【００１７】 尚、全結晶中のそれぞれの結晶相の占め
る割合（ｆ）は、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折装置か
ら得られたそれぞれの結晶相のメインピークの積分強度
を用いて、以下に示す式により算出される。 ｆ(dio) =Ｉdio /［Ｉdio+Ｉspinel+Ｉrutile+ＩMAT］×100 （％） ｆ(spinel)=Ｉspinel/［Ｉdio+Ｉspinel+Ｉrutile+ＩMAT］×100 （％） ｆ(rutile)=Ｉrutile/［Ｉdio+Ｉspinel+Ｉrutile+ＩMAT］×100 （％） ｆ(MAT) =ＩMAT /［Ｉdio+Ｉspinel+Ｉrutile+ＩMAT］×100 （％） ここで、 Ｉdio ：Ｘ線回折パターンの（ｈ，ｋ，ｌ）＝（−
２，２，１）に相当するディオプサイト（ＣａＯ・Ｍｇ
Ｏ・２ＳｉＯ₂）のメインピークの積分強度 Ｉspinel：Ｘ線回折パターンの（ｈ，ｋ，ｌ）＝（３，
１，１）に相当するスピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）のメイン
ピークの積分強度 Ｉrutile：Ｘ線回折パターンの（ｈ，ｋ，ｌ）＝（１，
１，０）に相当するルチル（ＴｉＯ₂）のメインピーク
の積分強度 ＩMAT ：Ｘ線回折パターンの２５°付近に相当するＭ
ＡＴ（Ｍｇ−Ａｌ−Ｔｉ−Ｏ）のメインピークの積分強
度 を表したものである。

【００１８】 次に、本発明の結晶化ガラスの製造方法
について説明する。本発明の結晶化ガラスは、ガラスの
成形体を再加熱してガラス中に微細結晶としてディオプ
サイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ₂）を主に析出させ
たものである。このとき、主結晶であるディオプサイト
（ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ₂）は、ガラスの成形体の
表面から結晶化し析出する傾向があるため、内側のガラ
ス成分がガラスの表面に引っ張られ、結晶化ガラスの内
部が中空になり、機械的強度が著しく低下するという欠
点があった。

【００１９】 これを解消するために、本発明の結晶化
ガラスの主結晶となるディオプサイト（ＣａＯ・ＭｇＯ
・２ＳｉＯ₂）出発原料に、結晶化ガラス中のマトリッ
クスガラスを密にするため、加えられたものの一部が網
目を形成し、一部が修飾酸化物のように網目の間隙に入
って非架橋酸素を作るように作用するＡｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ
₂又はガラス形成酸化物を加えるとともに、微細なディ
オプサイトの結晶をマトリックスガラス中に均一に析出
させるため、結晶核の生成を促進や分相などを起こし結
晶化を促進させる核形成剤を加えたガラス原料を用いる
ことが、本発明のガラス基板の製造方法の最大の特徴で
ある。

【００２０】 以上のことから、上記のガラス原料の主
組成は、ＣａＯが１０〜２０ｍｏｌ％、ＭｇＯが１０〜
２０ｍｏｌ％、ＳｉＯ₂が３７〜６２ｍｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ
₃が１０〜１５ｍｏｌ％、核形成剤が８〜１２ｍｏｌ％
であることが好ましい。このとき、ＣａＯ及びＭｇＯの
組成範囲は１０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下であるこ
とが、本発明の結晶化ガラスの特性を発現させるために
必要である。尚、ＣａＯ及びＭｇＯの組成範囲が１０ｍ
ｏｌ％未満であると、ディオプサイトの析出量が減少
し、１１０ＧＰａ以上のヤング率を得ることができず、
一方、ＣａＯ及びＭｇＯの組成範囲が２０ｍｏｌ％より
大きいと表面結晶化が生じ、均一な結晶化ガラスを作製
することができない。更に、本発明では、ＳｉＯ₂をデ
ィオプサイトの量論組成である結晶モル比（ＣａＯ：Ｍ
ｇＯ：ＳｉＯ₂＝１：１：２）よりも多く含有すること
が重要である。尚、ディオプサイトの析出に使用されな
かったＳｉＯ₂は、結晶化ガラス中のマトリックスガラ
スを密にするため、加えられたものの一部が網目を形成
し、一部が修飾酸化物のように網目の間隙に入って非架
橋酸素を作るように作用するＡｌ₂Ｏ₃と同様な効果をも
たらす。

【００２１】 また、上記のガラス原料の主組成は、Ｃ
ａＯが１０〜２０ｍｏｌ％、ＭｇＯが１０〜２０ｍｏｌ
％、ＳｉＯ₂が２０〜６２ｍｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃が１０〜
１５ｍｏｌ％、核形成剤が８〜１２ｍｏｌ％、残部がガ
ラス形成酸化物であってもよい。このとき、ＣａＯ及び
ＭｇＯの組成範囲は１０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下
であることが、本発明の結晶化ガラスの特性を発現させ
るために必要である。尚、ＣａＯ及びＭｇＯの組成範囲
が１０ｍｏｌ％未満であると、ディオプサイトの析出量
が減少し、１１０ＧＰａ以上のヤング率を得ることがで
きず、一方、ＣａＯ及びＭｇＯの組成範囲が２０ｍｏｌ
％より大きいと表面結晶化が生じ、均一な結晶化ガラス
を作製することができない。更に、本発明では、ＳｉＯ
₂をディオプサイトの量論組成である結晶モル比（Ｃａ
Ｏ：ＭｇＯ：ＳｉＯ₂＝１：１：２）以上含有すること
が重要である。

【００２２】 次に、本発明の結晶化ガラスの製造方法
は、上記のガラス原料から作製されたガラスの成形体
を、大気中、７００〜８００℃で２時間以上熱処理した
後、更に９００〜１０００℃で０．５〜４時間熱処理す
ることが好ましい。これは、第１段階（７００〜８００
℃）の熱処理で、ガラス中に結晶核の生成を予め行った
後、第２段階（９００〜１０００℃）の熱処理で、結晶
化することにより、マトリックスガラス中に微細なディ
オプサイト結晶（ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ₂）を均一
に埋め込むことができるからである。尚、第１段階の熱
処理を行うにあたり、析出する結晶核の数が多いほど、
第２段階の熱処理後の結晶化ガラスの結晶粒径が小さく
なり、表面粗さも小さくなる傾向があるため、ガラス中
に結晶核を均一かつ多量に生成させることが重要であ
る。

【００２３】 本発明で用いる核形成剤は、ガラスから
微細な結晶を析出させるために、結晶核の生成を促進す
るものや分相などを起こし結晶化を促進する作用をもつ
ものであることが好ましく、例えば、ＴｉＯ₂、Ｚｒ
Ｏ₂、Ｐ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃、Ａｓ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅からなる群
より選択した１又は２以上の物質を好適に用いることが
できる。

【００２４】 また、本発明で用いるガラス形成酸化物
は、Ｚａｃｈａｒｉａｓｅｎのガラス形成条件（１個
の酸素は２個以上の陽イオンと連結しない。陽イオン
を取り囲む酸素は一般的に少ない。３または４である
陽イオンを中心とする酸素多面体は、互いにその隅（頂
点）で連結し、稜または面を共有しない。酸素多面体
は少なくともそれぞれ３つの隅で連結している。）を満
足してガラス形成能力がある酸化物であることが好まし
く、例えば、Ｂ₂Ｏ₃、Ｐ₂Ｏ₅及びＧｅＯ₂を好適に用い
ることができる。

【００２５】 以上のことから、結晶化ガラスの主結晶
がディオプサイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ₂）であ
り、その内部をマトリックスガラスで密にすることによ
り、高ヤング率であるとともに、高平坦、平滑性であ
り、ステンレス鋼に近い高熱膨張率を有する結晶化ガラ
スの製造を可能とした。

【００２６】

【実施例】 以下、本発明の実施例を示すが、本発明は
これに限定されるものではない。尚、各例によって得ら
れた結晶化ガラスは、以下に示す方法により特性を評価
した。

【００２７】（ヤング率の測定方法）ＪＩＳ Ｒ１６０
２に従い、歪ゲージ法で行った。

【００２８】（結晶粒径の測定方法）得られた結晶化ガ
ラスの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を画像解析装置
にかけて、結晶粒径を測定した。

【００２９】（表面粗さの測定方法）ＪＩＳ Ｂ０６０
１に従い、中心線平均粗さ（Ｒａ）を測定した。

【００３０】（微細構造の観測方法）得られた結晶化ガ
ラスを鏡面研磨し、５ｗｔ％ＨＦ水溶液（ＲＴ）で３分
間エッチングした後、蒸留水で超音波洗浄した試料を走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。

【００３１】（析出結晶相の測定方法）得られた結晶化
ガラスをアルミナ乳鉢で粉砕後、粉末Ｘ線回折法により
結晶相の同定を行った。尚、このときの測定条件は、５
０ｋＶ、３００ｍＡ、スキャンスピード：４°／ｍｉ
ｎ、スキャンステップ：０．０２°、走査範囲：１０〜
８０°であった。

【００３２】（実施例１〜３，比較例１〜４）表１〜２
に示す組成になるように粉砕混合されたガラス原料を１
４８０℃で溶融したものをカーボン板上に直接、溶融ガ
ラスを流し出し、上からステンレス板でプレスした後、
７００℃×１ｈｒの熱処理（アニール）を行い、その後
徐冷することにより、約１０ｍｍ程度の厚さのガラス基
板をそれぞれ作製した。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】

【００３５】 次に、表３に示す条件で上記のガラス基
板をそれぞれ熱処理することにより、結晶化ガラスをそ
れぞれ作製した（実施例１〜３、比較例１〜４）。それ
ぞれ得られた結晶化ガラスのヤング率、Ｅ／ρ、結晶粒
径、表面粗さ、熱膨張率の測定結果を表３に示す。ま
た、それぞれ得られた結晶化ガラスの微細構造の観察結
果と析出結晶相の測定結果を表４に示す。

【００３６】

【表３】

【００３７】

【表４】

【００３８】（比較例５〜７）現在、ハードディスク用
の基板材料として使用されている化学強化ガラス、結晶
化ガラス、アルミニウム合金のヤング率及び熱膨張率を
表５に示す。

【００３９】

【表５】

【００４０】（考察：実施例１〜３，比較例１〜７）本
発明の結晶化ガラス（実施例１〜３）は、表３に示すよ
うに、従来のハードディスク用の基板材料（比較例３〜
７）と比較して、ヤング率とＥ／ρを大幅に向上させる
ことができるため、ハードディスク用の基板材料として
用いた場合、高速回転の際に生じるたわみを確実に防止
することができると考えられる。また、本発明の結晶化
ガラス（実施例１〜３）は、結晶粒径を２μｍ以下にす
ることにより、表面粗さを５ｎｍ以下にすることができ
るため、ハードディスク用の基板材料として用いた場
合、磁気ヘッドの浮上高（磁気メディアとヘッド間距
離）を小さくすることが可能となり、ハードディスクの
高密度化が可能であると考えられる。更に、本発明の結
晶化ガラス（実施例１〜３）は、熱膨張率を６．０×１
０^-6〜６．４×１０^-6／Ｋ程度にすることができるた
め、ハードディスク用の基板材料として用いた場合、基
板を固定する部品であるステンレス鋼との相性がよいと
考えられる。

【００４１】 次に、本発明の結晶化ガラス（実施例１
〜３）は、表４に示すように、マトリックスガラス中に
多数の微細なディオプサイト結晶が均一に析出している
とともに、全結晶相中のディオプサイトの結晶相の占め
る割合（ｆ）が少なくとも５０％以上であることを確認
した。

【００４２】 一方、比較例１は、ヤング率が１１０Ｇ
Ｐａ未満、Ｅ／ρが４０未満、熱膨張率が６．０×１０
^-6／Ｋ未満であるため、ハードディスク用の基板材料と
して不適であった。比較例２は、ガラス材料の組成中に
十分なＳｉＯ₂又はガラス形成酸化物が含まれていない
ことから、結晶化ガラスの内部が中空となり、機械的強
度が著しく低下してしまうため、ヤング率及び熱膨張率
の測定ができなかった。

【００４３】

【発明の効果】 以上説明したように、本発明によれ
ば、ディオプサイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ₂）を
主結晶として析出させることにより、高ヤング率である
とともに、高平坦、平滑性であり、ステンレス鋼に近い
高熱膨張率を有する結晶化ガラスを得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G015 EA02 4G062 AA11 CC01 CC09 CC10 DA05 DA06 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DD01 DD02 DD03 DD04 DE01 DF01 EA01 EB01 EC01 ED04 EE04 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FB04 FC01 FC02 FC03 FC04 FD01 FD02 FD03 FD04 FE01 FF01 FG01 FH01 FH02 FH03 FH04 FJ01 FK01 FL01 GA01 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH08 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 MM29 NN29 NN33 QQ08

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラスの成形体を再加熱して微細結晶を
   ガラス中に析出させた結晶化ガラスであって、その主結
   晶がディオプサイトであることを特徴とする結晶化ガラ
   ス。
2. 【請求項２】 ヤング率が、１１０〜１５８ＧＰａであ
   る請求項１に記載の結晶化ガラス。
3. 【請求項３】 ヤング率（Ｅ）／比重（ρ）が、４０〜
   ５０である請求項１又は２に記載の結晶化ガラス。
4. 【請求項４】 表面粗さが、５ｎｍ以下である請求項１
   〜３のいずれか１項に記載の結晶化ガラス。
5. 【請求項５】 熱膨張率が、６×１０^-6〜１０×１０^-6
   ／Ｋである請求項１〜４のいずれか１項に記載の結晶化
   ガラス。
6. 【請求項６】 結晶粒径が、２μｍ以下である請求項１
   〜５のいずれか１項に記載の結晶化ガラス。
7. 【請求項７】 ガラスの成形体を再加熱して微細結晶を
   ガラス中に析出させた結晶化ガラスの製造方法であっ
   て、 ガラス原料の主組成が、ＣａＯが１０〜２０ｍｏｌ％、
   ＭｇＯが１０〜２０ｍｏｌ％、ＳｉＯ₂が３７〜６２ｍ
   ｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃が１０〜１５ｍｏｌ％、核形成剤が８
   〜１２ｍｏｌ％であることを特徴とする結晶化ガラスの
   製造方法。
8. 【請求項８】 ＳｉＯ₂が、ディオプサイトの量論組成
   である結晶モル比（ＣａＯ：ＭｇＯ：ＳｉＯ₂＝１：
   １：２）よりも多く含有されている請求項７に記載の結
   晶化ガラスの製造方法。
9. 【請求項９】 ガラスの成形体を、大気中、７００〜８
   ００℃で２時間以上熱処理した後、更に９００〜１００
   ０℃で０．５〜４時間熱処理する請求項７又は８に記載
   の結晶化ガラスの製造方法。
10. 【請求項１０】 核形成剤が、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｐ₂
    Ｏ₅、ＭｏＯ₃、Ａｓ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅からなる群より選択
    した１又は２以上の物質である請求項７〜９のいずれか
    １項に記載の結晶化ガラスの製造方法。
11. 【請求項１１】 ガラスの成形体を再加熱して微細結晶
    をガラス中に析出させた結晶化ガラスの製造方法であっ
    て、 ガラス原料の主組成が、ＣａＯが１０〜２０ｍｏｌ％、
    ＭｇＯが１０〜２０ｍｏｌ％、ＳｉＯ₂が２０〜６２ｍ
    ｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃が１０〜１５ｍｏｌ％、核形成剤が８
    〜１２ｍｏｌ％、残部がガラス形成酸化物であることを
    特徴とする結晶化ガラスの製造方法。
12. 【請求項１２】 ＳｉＯ₂が、ディオプサイトの量論組
    成である結晶モル比（ＣａＯ：ＭｇＯ：ＳｉＯ₂＝１：
    １：２）以上含有されている請求項１１に記載の結晶化
    ガラスの製造方法。
13. 【請求項１３】 ガラスの成形体を、大気中、７００〜
    ８００℃で２時間以上熱処理した後、更に９００〜１０
    ００℃で０．５〜４時間熱処理する請求項１１又は１２
    に記載の結晶化ガラスの製造方法。
14. 【請求項１４】 核形成剤が、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｍｏ
    Ｏ₃、Ａｓ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅からなる群より選択した１又
    は２以上の物質である請求項１１〜１３のいずれか１項
    に記載の結晶化ガラスの製造方法。
15. 【請求項１５】 ガラス形成酸化物が、Ｂ₂Ｏ₃、Ｐ₂Ｏ₅
    及びＧｅＯ₂のいずれかである請求項１１〜１４のいず
    れか１項に記載の結晶化ガラスの製造方法。
16. 【請求項１６】 核形成剤が、Ｐ₂Ｏ₅である請求項１１
    〜１３のいずれか１項に記載の結晶化ガラスの製造方
    法。
17. 【請求項１７】 ガラス形成酸化物が、Ｂ₂Ｏ₃又はＧｅ
    Ｏ₂である請求項１６に記載の結晶化ガラスの製造方
    法。