JPH10291835A - 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス及びその製造方法 - Google Patents
情報記録ディスク基板用結晶化ガラス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10291835A JPH10291835A JP11420997A JP11420997A JPH10291835A JP H10291835 A JPH10291835 A JP H10291835A JP 11420997 A JP11420997 A JP 11420997A JP 11420997 A JP11420997 A JP 11420997A JP H10291835 A JPH10291835 A JP H10291835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- weight
- information recording
- crystallized glass
- recording disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/16—Halogen containing crystalline phase
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面が平滑で、異方性や欠陥がなく、組織が
緻密かつ均質でしかも機械的強度や硬度が高い高密度記
録用の情報記録ディスク基板の製造に適した結晶化ガラ
スを提供すること。 【解決手段】 酸化物換算の重量基準でＳｉＯ2 １０〜
７５％、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜１０％、Ｂ2 Ｏ3 １０〜８０
％、ＢａＯ ２〜４５％、ＣａＯ ５〜２０％、Ｌｎ2
Ｏ3 （Ｌｎ：ランタン系希土類元素）０．１〜２０％並
びにＦ ０．３〜１０重量％及びＣｌ ０．１〜２０％
からなる各成分を必須成分として含有するガラス成分を
溶融、成形、ガラス化した後結晶化処理して得られた情
報記録ディスク基板用結晶化ガラス。
緻密かつ均質でしかも機械的強度や硬度が高い高密度記
録用の情報記録ディスク基板の製造に適した結晶化ガラ
スを提供すること。 【解決手段】 酸化物換算の重量基準でＳｉＯ2 １０〜
７５％、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜１０％、Ｂ2 Ｏ3 １０〜８０
％、ＢａＯ ２〜４５％、ＣａＯ ５〜２０％、Ｌｎ2
Ｏ3 （Ｌｎ：ランタン系希土類元素）０．１〜２０％並
びにＦ ０．３〜１０重量％及びＣｌ ０．１〜２０％
からなる各成分を必須成分として含有するガラス成分を
溶融、成形、ガラス化した後結晶化処理して得られた情
報記録ディスク基板用結晶化ガラス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスの溶解性、
成形性に優れ、磁気ディスクや光磁気ディスク、更には
ディジタルビデオディスクなどの情報記録ディスク用基
板材料に適した、微細結晶構造と研磨後の表面特性を有
する結晶化ガラス、及びその製造方法に関する。
成形性に優れ、磁気ディスクや光磁気ディスク、更には
ディジタルビデオディスクなどの情報記録ディスク用基
板材料に適した、微細結晶構造と研磨後の表面特性を有
する結晶化ガラス、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大型コンピューター、パーソナル
コンピューター等の外部録媒体として、磁気ディスクや
光磁気ディスク等の使用が増加している。更に今後の情
報化時代を迎え、高密度記録が可能な磁気ディスク、光
磁気ディスク、ディジタルビデオディスク等情報記録デ
ィスクの開発が強く要望されている。
コンピューター等の外部録媒体として、磁気ディスクや
光磁気ディスク等の使用が増加している。更に今後の情
報化時代を迎え、高密度記録が可能な磁気ディスク、光
磁気ディスク、ディジタルビデオディスク等情報記録デ
ィスクの開発が強く要望されている。
【０００３】高密度記録用の情報記録ディスク基板とし
ては、次のような特性が要求されている。即ち、 （１）ＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドの実用化に向け、ヘ
ッド浮上量を低下させて記録密度の向上を図る方向にあ
り、ディスク表面が平滑であること。特に基板の表面粗
度（Ｒａ）が２０Å以下、好ましくは１０Å以下である
ことが望ましい。 （２）基板材料に異方性や欠陥がなく、組織が緻密で均
質かつ微細であること。 （３）高速回転やヘッドの接触等に耐える機械的強度、
硬度を有すること。 （４）各種の薬品による洗浄やエッチングに耐える化学
耐久性を有すること。 （５）できるだけ軽量であること。 （６）ガラス材料を用いる場合、均一性、緻密性、熱膨
張係数及び結晶の大きさが変わらず、また量産性に優れ
ていること。 （７）情報記録の信頼性を向上させるために、ガラス材
料中での移動度の大きいＬｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金
属を含有しないこと、等である。
ては、次のような特性が要求されている。即ち、 （１）ＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドの実用化に向け、ヘ
ッド浮上量を低下させて記録密度の向上を図る方向にあ
り、ディスク表面が平滑であること。特に基板の表面粗
度（Ｒａ）が２０Å以下、好ましくは１０Å以下である
ことが望ましい。 （２）基板材料に異方性や欠陥がなく、組織が緻密で均
質かつ微細であること。 （３）高速回転やヘッドの接触等に耐える機械的強度、
硬度を有すること。 （４）各種の薬品による洗浄やエッチングに耐える化学
耐久性を有すること。 （５）できるだけ軽量であること。 （６）ガラス材料を用いる場合、均一性、緻密性、熱膨
張係数及び結晶の大きさが変わらず、また量産性に優れ
ていること。 （７）情報記録の信頼性を向上させるために、ガラス材
料中での移動度の大きいＬｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金
属を含有しないこと、等である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上述の
点に鑑み、従来技術の欠点を解消し、実質的にＬｉ、
Ｋ、Ｎａ等のアルカリ金属を含有せず、かつ析出する結
晶粒子のサイズを制御することにより研磨後の表面の平
滑性、機械強度等を満足し、これにより高密度記録に適
した磁気ディスク、光磁気ディスク、ディジタルビデオ
ディスク等の製造を可能とする結晶化ガラス基板を得る
ことにある。
点に鑑み、従来技術の欠点を解消し、実質的にＬｉ、
Ｋ、Ｎａ等のアルカリ金属を含有せず、かつ析出する結
晶粒子のサイズを制御することにより研磨後の表面の平
滑性、機械強度等を満足し、これにより高密度記録に適
した磁気ディスク、光磁気ディスク、ディジタルビデオ
ディスク等の製造を可能とする結晶化ガラス基板を得る
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物換算の
重量基準でＳｉＯ2 １０〜７５％、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜１０
％、Ｂ2 Ｏ3 １０〜８０％、ＢａＯ ２〜４５％、Ｓｒ
Ｏ ０〜５％、ＣａＯ５〜２０％、ＭｇＯ ０〜１０
％、ＺｎＯ ０〜１０％、Ｉｎ2 Ｏ3 ０〜１０％、Ｓｎ
Ｏ2 ０〜１０％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜１％、Ｔ
ｉＯ2 ０〜１０％、ＺｒＯ2 ０〜１０％、Ｎｂ2 Ｏ3 ０
〜５％、Ｌｎ2 Ｏ3 （Ｌｎ：ランタン系希土類元素 Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕ）０．１〜
２０％、Ｐ2 Ｏ5 ０〜１０％並びにフッ素（Ｆ）０．３
〜１０重量％及び塩素（Ｃｌ）０．１〜２０重量％から
なる各成分を含有するガラス原料を溶融、成形、ガラス
化した後、結晶化処理して得られたものであり、実質的
にアルカリ金属成分を含有しない情報記録ディスク基板
用結晶化ガラス及びその製造方法を要旨とするものであ
る。
重量基準でＳｉＯ2 １０〜７５％、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜１０
％、Ｂ2 Ｏ3 １０〜８０％、ＢａＯ ２〜４５％、Ｓｒ
Ｏ ０〜５％、ＣａＯ５〜２０％、ＭｇＯ ０〜１０
％、ＺｎＯ ０〜１０％、Ｉｎ2 Ｏ3 ０〜１０％、Ｓｎ
Ｏ2 ０〜１０％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜１％、Ｔ
ｉＯ2 ０〜１０％、ＺｒＯ2 ０〜１０％、Ｎｂ2 Ｏ3 ０
〜５％、Ｌｎ2 Ｏ3 （Ｌｎ：ランタン系希土類元素 Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕ）０．１〜
２０％、Ｐ2 Ｏ5 ０〜１０％並びにフッ素（Ｆ）０．３
〜１０重量％及び塩素（Ｃｌ）０．１〜２０重量％から
なる各成分を含有するガラス原料を溶融、成形、ガラス
化した後、結晶化処理して得られたものであり、実質的
にアルカリ金属成分を含有しない情報記録ディスク基板
用結晶化ガラス及びその製造方法を要旨とするものであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等のア
ルカリ金属を含有しないＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系
のスピノーダル分解型分相ガラスにＬｎ2 Ｏ3 を添加
し、スピノーダル波長とスピノーダル温度の関係から、
微細結晶核生成−成長過程を制御することを特徴とす
る。即ち、スピノーダル温度からの過冷却度により、ス
ピノーダル波長が決定され、分相が生成した状態で結晶
核が生成すると、分相の平均幅とその数に依存した微細
な結晶が多数発生することを利用している。Ｌｎ2 Ｏ3
はランタン系希土類元素の酸化物を表し、Ｌｎとしては
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕの一種又は
二種以上が使用される。
ルカリ金属を含有しないＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系
のスピノーダル分解型分相ガラスにＬｎ2 Ｏ3 を添加
し、スピノーダル波長とスピノーダル温度の関係から、
微細結晶核生成−成長過程を制御することを特徴とす
る。即ち、スピノーダル温度からの過冷却度により、ス
ピノーダル波長が決定され、分相が生成した状態で結晶
核が生成すると、分相の平均幅とその数に依存した微細
な結晶が多数発生することを利用している。Ｌｎ2 Ｏ3
はランタン系希土類元素の酸化物を表し、Ｌｎとしては
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕの一種又は
二種以上が使用される。
【０００７】ガラスの原料としては例えば前記各成分の
酸化物、炭化物、硝酸塩、ハロゲン化物、水酸化物、珪
酸塩、リン酸塩及びほう酸塩などの通常のものを用い
る。これら化合物の中から適宜選択して所定の比率で混
合し、１３５０〜１５５０℃の温度で溶融させる。フッ
素及び塩素は、前記化合物の１種又は２種以上の一部を
フッ化物及び塩化物で置換える形で添加される。溶解原
料は、プレス成形、金型によるキャスティング、圧延等
の方法で円盤状等所定形状に成形し、次いでガラス化さ
せる。その後まず５５０〜６５０℃に昇温して結晶核を
生成、更に６５０〜８５０℃で０．５〜３時間程度熱処
理を行って結晶化させる。
酸化物、炭化物、硝酸塩、ハロゲン化物、水酸化物、珪
酸塩、リン酸塩及びほう酸塩などの通常のものを用い
る。これら化合物の中から適宜選択して所定の比率で混
合し、１３５０〜１５５０℃の温度で溶融させる。フッ
素及び塩素は、前記化合物の１種又は２種以上の一部を
フッ化物及び塩化物で置換える形で添加される。溶解原
料は、プレス成形、金型によるキャスティング、圧延等
の方法で円盤状等所定形状に成形し、次いでガラス化さ
せる。その後まず５５０〜６５０℃に昇温して結晶核を
生成、更に６５０〜８５０℃で０．５〜３時間程度熱処
理を行って結晶化させる。
【０００８】核生成温度が、５５０℃より低いと結晶核
を生成しにくく、６５０℃を越えると核が不均一になる
ので望ましくない。又結晶化温度が６５０℃より低いと
望ましい結晶が成長せず、８５０℃を越えると析出結晶
のサイズが大きくなりすぎるため、表面が粗くなる。析
出相としては、α−ＳｉＯ2 、ＬａＢＯ3 、ＢａＺｒ
（ＢＯ3 ）2 及びＢａＡｌ2 Ｓｉ2 Ｏ3 （セルシアン）
などである。
を生成しにくく、６５０℃を越えると核が不均一になる
ので望ましくない。又結晶化温度が６５０℃より低いと
望ましい結晶が成長せず、８５０℃を越えると析出結晶
のサイズが大きくなりすぎるため、表面が粗くなる。析
出相としては、α−ＳｉＯ2 、ＬａＢＯ3 、ＢａＺｒ
（ＢＯ3 ）2 及びＢａＡｌ2 Ｓｉ2 Ｏ3 （セルシアン）
などである。
【０００９】ガラスの成分のうち、ＳｉＯ2 は１０％よ
り少ないと結晶が不安定になり、７５％を越えると溶融
温度が高くなり過ぎて好ましくない。ＭｇＯ、ＺｎＯは
溶解性の向上及び析出結晶の調整に効果があるが、配合
量が多すぎると所望の結晶が得られにくい。ＢａＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯも溶解性を改善するが、多すぎると所望の
結晶が得られにくくなり、又結晶粒が粗大化する。
り少ないと結晶が不安定になり、７５％を越えると溶融
温度が高くなり過ぎて好ましくない。ＭｇＯ、ＺｎＯは
溶解性の向上及び析出結晶の調整に効果があるが、配合
量が多すぎると所望の結晶が得られにくい。ＢａＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯも溶解性を改善するが、多すぎると所望の
結晶が得られにくくなり、又結晶粒が粗大化する。
【００１０】Ａｌ2 Ｏ3 はガラスの化学耐久性及び硬度
を向上させるが、１０％を越えると溶融温度が高くなり
過ぎて好ましくなく、更に分相サイズが小さくなりすぎ
る。Ｂ2 Ｏ3 は８０％を越えるか又は１０％より低いと
所望の結晶が得られない。Ｐ2 Ｏ5 はガラスの結晶核生
成剤であるが、１０％を越えると結晶が不安定化する。
を向上させるが、１０％を越えると溶融温度が高くなり
過ぎて好ましくなく、更に分相サイズが小さくなりすぎ
る。Ｂ2 Ｏ3 は８０％を越えるか又は１０％より低いと
所望の結晶が得られない。Ｐ2 Ｏ5 はガラスの結晶核生
成剤であるが、１０％を越えると結晶が不安定化する。
【００１１】ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ
3 は核生成剤、またＡＳ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 は清澄剤と
して使用される。ランタン系希土類元素は、結晶核生成
元素として添加され、更に化学耐久性の向上に寄与する
が、１０％を越えると経済性が低下し、又結晶粒が粗大
化するなど、所望の結晶が得られなくなる。Ｆ、Ｃｌは
溶融温度を下げるために添加するが、多すぎると所望の
結晶が得られず、又ガラスが不安定化する。
3 は核生成剤、またＡＳ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 は清澄剤と
して使用される。ランタン系希土類元素は、結晶核生成
元素として添加され、更に化学耐久性の向上に寄与する
が、１０％を越えると経済性が低下し、又結晶粒が粗大
化するなど、所望の結晶が得られなくなる。Ｆ、Ｃｌは
溶融温度を下げるために添加するが、多すぎると所望の
結晶が得られず、又ガラスが不安定化する。
【００１２】
実施例１ 酸化物換算の重量基準でＳｉＯ2 １７．５％、Ａｌ2 Ｏ
3 ４．６％、Ｂ2 Ｏ3４１．３％、ＢａＯ １１．３
％、ＳｒＯ ０．１％、ＣａＯ １１．２％、ＭｇＯ
１．０％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０．１％、ＴｉＯ2
５．４％、ＺｒＯ2 １．２％、Ｎｂ2 Ｏ3 ０．１％、Ｌ
ａ2 Ｏ3 ５．３％からなるガラス原料の合計１００％に
対してフッ素（Ｆ）１．０重量％及び塩素（Ｃｌ）１．
０重量％を添加したガラス原料を常法にしたがって混合
し、通常の溶解装置を用いて１４２０℃で溶融し、溶融
物を撹拌、均質化した後、円盤状に成形後、冷却してガ
ラス化させた。このガラスを約１０℃／分の昇温速度で
６００℃に昇温し、この温度で１時間保持した後、更に
約１０℃／分の昇温速度で６５０℃まで昇温し、１時間
保持して結晶化ガラスを得た。
3 ４．６％、Ｂ2 Ｏ3４１．３％、ＢａＯ １１．３
％、ＳｒＯ ０．１％、ＣａＯ １１．２％、ＭｇＯ
１．０％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０．１％、ＴｉＯ2
５．４％、ＺｒＯ2 １．２％、Ｎｂ2 Ｏ3 ０．１％、Ｌ
ａ2 Ｏ3 ５．３％からなるガラス原料の合計１００％に
対してフッ素（Ｆ）１．０重量％及び塩素（Ｃｌ）１．
０重量％を添加したガラス原料を常法にしたがって混合
し、通常の溶解装置を用いて１４２０℃で溶融し、溶融
物を撹拌、均質化した後、円盤状に成形後、冷却してガ
ラス化させた。このガラスを約１０℃／分の昇温速度で
６００℃に昇温し、この温度で１時間保持した後、更に
約１０℃／分の昇温速度で６５０℃まで昇温し、１時間
保持して結晶化ガラスを得た。
【００１３】結晶は主としてα−ＳｉＯ2 の他にＬａＢ
Ｏ3 、ＢａＺｒ（ＢＯ3 ）2 及びＢａＡｌ2 Ｓｉ2 Ｏ3
などが析出した。又得られた結晶化ガラス中に残存する
フッ素、塩素とも０．１重量％であった。得られた結晶
化ガラスの表面をＳＥＭで観察したところ、結晶の粒径
は平均で約０．３μｍであり、組織は緻密かつ均質で、
異方性や欠陥は見られなかった。研磨剤としてＣｅＯ2
を用いてこのガラスを研磨した結果、表面粗度（Ｒａ）
は約１０Åであった。尚、このガラスのヤング率は１
０，３４０ｋｇｆ・ｍｍ-2、曲げ強度７．５ｋｇｆ・ｍ
ｍ-2、ビッカース硬度５９０ｋｇｆ・ｍｍ-2であった。
結果を表１にまとめた。
Ｏ3 、ＢａＺｒ（ＢＯ3 ）2 及びＢａＡｌ2 Ｓｉ2 Ｏ3
などが析出した。又得られた結晶化ガラス中に残存する
フッ素、塩素とも０．１重量％であった。得られた結晶
化ガラスの表面をＳＥＭで観察したところ、結晶の粒径
は平均で約０．３μｍであり、組織は緻密かつ均質で、
異方性や欠陥は見られなかった。研磨剤としてＣｅＯ2
を用いてこのガラスを研磨した結果、表面粗度（Ｒａ）
は約１０Åであった。尚、このガラスのヤング率は１
０，３４０ｋｇｆ・ｍｍ-2、曲げ強度７．５ｋｇｆ・ｍ
ｍ-2、ビッカース硬度５９０ｋｇｆ・ｍｍ-2であった。
結果を表１にまとめた。
【００１４】実施例２ 配合組成を表１記載の通りとし、溶融温度を１４００℃
にした以外は実施例１と同様にして、結晶化ガラスを得
た。得られたガラスのビッカース硬度は６００ｋｇｆ・
ｍｍ-2であった。諸特性を表１に示す。 比較例１〜４ 表１中の各比較例の配合組成の原料を用いて、実施例１
と同様にしてガラスを製造し、結果を同じく表１にまと
めた。なお、機械的強度については、試験加工時に割れ
を生じて測定はできなかった。
にした以外は実施例１と同様にして、結晶化ガラスを得
た。得られたガラスのビッカース硬度は６００ｋｇｆ・
ｍｍ-2であった。諸特性を表１に示す。 比較例１〜４ 表１中の各比較例の配合組成の原料を用いて、実施例１
と同様にしてガラスを製造し、結果を同じく表１にまと
めた。なお、機械的強度については、試験加工時に割れ
を生じて測定はできなかった。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】本発明の結晶化ガラスは、実質的にアル
カリ金属を含まないので信頼性が高く、又径が０．５μ
ｍ以下の微細な結晶を析出するので、研磨後の表面粗度
（Ｒａ）が約２０Å以下の磁気ディスク用又は光磁気デ
ィスク用基板が製造できるものであり、高密度記録化に
対応可能な各ディスクの生産を容易にするものである。
カリ金属を含まないので信頼性が高く、又径が０．５μ
ｍ以下の微細な結晶を析出するので、研磨後の表面粗度
（Ｒａ）が約２０Å以下の磁気ディスク用又は光磁気デ
ィスク用基板が製造できるものであり、高密度記録化に
対応可能な各ディスクの生産を容易にするものである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年６月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【実施例】 実施例１ 酸化物換算の重量基準でＳｉＯ２１７．５％、Ａｌ２Ｏ
３４．６％、Ｂ２Ｏ３４１．３％、ＢａＯ １１．６
％、ＳｒＯ ０．１％、ＣａＯ １１．２％、ＭｇＯ
１．０％、Ｓｂ２Ｏ３０．１％、ＴｉＯ２５．４％、Ｚ
ｒＯ２１．２％、Ｎｂ２Ｏ３０．９％、Ｌａ２Ｏ３５．
３％からなるガラス原料の合計１００％に対してフッ素
（Ｆ）１．０重量％及び塩素（Ｃｌ）１．０重量％を添
加したガラス原料を常法にしたがって混合し、通常の溶
解装置を用いて１４２０℃で溶融し、溶融物を攪拌、均
質化した後、円盤状に成形後、冷却してガラス化させ
た。このガラスを約１０℃／分の昇温速度で６００℃に
昇温し、この温度で１時間保持した後、更に約１０℃／
分の昇温速度で６５０℃まで昇温し、１時間保持して結
晶化ガラスを得た。
３４．６％、Ｂ２Ｏ３４１．３％、ＢａＯ １１．６
％、ＳｒＯ ０．１％、ＣａＯ １１．２％、ＭｇＯ
１．０％、Ｓｂ２Ｏ３０．１％、ＴｉＯ２５．４％、Ｚ
ｒＯ２１．２％、Ｎｂ２Ｏ３０．９％、Ｌａ２Ｏ３５．
３％からなるガラス原料の合計１００％に対してフッ素
（Ｆ）１．０重量％及び塩素（Ｃｌ）１．０重量％を添
加したガラス原料を常法にしたがって混合し、通常の溶
解装置を用いて１４２０℃で溶融し、溶融物を攪拌、均
質化した後、円盤状に成形後、冷却してガラス化させ
た。このガラスを約１０℃／分の昇温速度で６００℃に
昇温し、この温度で１時間保持した後、更に約１０℃／
分の昇温速度で６５０℃まで昇温し、１時間保持して結
晶化ガラスを得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】
【表１】
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化物換算の重量基準でＳｉＯ2 １０〜
７５％、Ａｌ2 Ｏ3２〜１０％、Ｂ2 Ｏ3 １０〜８０
％、ＢａＯ ２〜４５％、ＳｒＯ ０〜５％、ＣａＯ
５〜２０％、ＭｇＯ ０〜１０％、ＺｎＯ ０〜１０
％、Ｉｎ2 Ｏ3 ０〜１０％、ＳｎＯ2 ０〜１０％、Ａｓ
2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜１％、ＴｉＯ2 ０〜１０％、Ｚ
ｒＯ2 ０〜１０％、Ｎｂ2 Ｏ3 ０〜５％、Ｌｎ2 Ｏ
3 （Ｌｎ：ランタン系希土類元素 Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕ）０．１〜２０％、Ｐ2 Ｏ5 ０
〜１０％並びにフッ素（Ｆ）０．３〜１０重量％及び塩
素（Ｃｌ）０．１〜２０重量％からなる各成分を含有す
るガラス原料を溶融、成形、ガラス化した後、結晶化処
理して得られた情報記録ディスク基板用結晶化ガラス。 - 【請求項２】 酸化物換算の重量基準でＳｉＯ2 １０〜
７５％、Ａｌ2 Ｏ3２〜１０％、Ｂ2 Ｏ3 １０〜８０
％、ＢａＯ ２〜４５％、ＳｒＯ ０〜５％、ＣａＯ
５〜２０％、ＭｇＯ ０〜１０％、ＺｎＯ ０〜１０
％、Ｉｎ2 Ｏ3 ０〜１０％、ＳｎＯ2 ０〜１０％、Ａｓ
2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜１％、ＴｉＯ2 ０〜１０％、Ｚ
ｒＯ2 ０〜１０％、Ｎｂ2 Ｏ3 ０〜５％、Ｌｎ2 Ｏ
3 （Ｌｎ：ランタン系希土類元素 Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕ）０．１〜２０％、Ｐ2 Ｏ5 ０
〜１０％並びにフッ素（Ｆ）０．３〜１０重量％及び塩
素（Ｃｌ）０．１〜２０重量％からなる各成分を含有す
るガラス原料を１３５０〜１５５０℃で溶融し、成形
後、冷却してガラス化させ、更に５５０〜６５０℃に昇
温して結晶核を生成させ、次いで６５０〜８５０℃で熱
処理を行って結晶化させて得られた情報記録ディスク基
板用結晶化ガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11420997A JPH10291835A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11420997A JPH10291835A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10291835A true JPH10291835A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14631949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11420997A Pending JPH10291835A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10291835A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007153735A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Schott Ag | ガラスセラミック |
| WO2014154874A2 (en) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Queen Mary And Westfield College University Of London | Chlorine-containing silicate glasses and glass ceramics |
| CN110342915A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-10-18 | 电子科技大学 | 一种高热膨胀钙硼硅基陶瓷封装材料及其制备方法 |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP11420997A patent/JPH10291835A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007153735A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Schott Ag | ガラスセラミック |
| WO2014154874A2 (en) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Queen Mary And Westfield College University Of London | Chlorine-containing silicate glasses and glass ceramics |
| WO2014154874A3 (en) * | 2013-03-28 | 2014-12-24 | Queen Mary And Westfield College University Of London | Chlorine-containing silicate glasses and glass ceramics |
| CN110342915A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-10-18 | 电子科技大学 | 一种高热膨胀钙硼硅基陶瓷封装材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6294490B1 (en) | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate | |
| US5391522A (en) | Glass-ceramic for magnetic disks and method for manufacturing the same | |
| JP5053948B2 (ja) | 結晶化ガラス | |
| US5567217A (en) | Method for manufacturing a crystalized glass magnetic disk substrate | |
| US5910459A (en) | Glass-ceramic containing a stabilized hexacelsian crystal structure | |
| US5804520A (en) | Crystallized glass for substrate of information-recording disk | |
| JP3140702B2 (ja) | 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク | |
| EP0626353B1 (en) | Glass-ceramic for a magnetic disk substrate and method for manufacturing the same | |
| JP3131138B2 (ja) | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 | |
| JPH07300340A (ja) | 情報記録ディスク用結晶化ガラス | |
| US7264894B2 (en) | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate | |
| KR20070038908A (ko) | 무기 조성물 | |
| US6372319B1 (en) | Nucleating agents for crystallized glasses, crystallized glasses, magnetic discs substrate and magnetic discs | |
| JPH10291835A (ja) | 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス及びその製造方法 | |
| US6458730B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
| US6642161B2 (en) | Glass composition for crystallized glass | |
| JP2002203309A (ja) | 情報記録媒体用の結晶化ガラス基板 | |
| JP2002145641A (ja) | 情報記録媒体用の結晶化ガラス基板 | |
| JP4214673B2 (ja) | 情報記録媒体用の結晶化ガラス基板 | |
| JP2002203310A (ja) | 情報記録媒体用の結晶化ガラス基板 | |
| US6596659B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
| JPH1160265A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板 | |
| JP2002203311A (ja) | 情報記録媒体用の結晶化ガラス基板 | |
| JP2000044279A (ja) | 情報記録ディスク基板 | |
| US6569791B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040412 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070605 |