JP2000174557A - ミクサ回路 - Google Patents
ミクサ回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】イメージ信号抑圧機能を有したミクサ回路を集
積する場合、イメージ信号抑圧インダクタにミクサ電流
が流れる構成では、インダクタの配線の電流密度制限に
より、大きなミクサ電流が流せない。 【解決手段】歪改善抵抗116,117間にイメージ抑
圧インダクタ118とミクサ電流調整抵抗119,12
0の直列接続体を接続するとともに、ミクサ電流調整抵
抗119と120の接続点をチョークコイル121によ
り接地することで、イメージ抑圧インダクタ118にミ
クサ電流が流れない構成とした。
積する場合、イメージ信号抑圧インダクタにミクサ電流
が流れる構成では、インダクタの配線の電流密度制限に
より、大きなミクサ電流が流せない。 【解決手段】歪改善抵抗116,117間にイメージ抑
圧インダクタ118とミクサ電流調整抵抗119,12
0の直列接続体を接続するとともに、ミクサ電流調整抵
抗119と120の接続点をチョークコイル121によ
り接地することで、イメージ抑圧インダクタ118にミ
クサ電流が流れない構成とした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はTV、CATV、衛
星放送、衛星通信やセルラ電話などの受信機と、それら
に用いられる高周波信号処理のためのミキサ回路に関す
る。
星放送、衛星通信やセルラ電話などの受信機と、それら
に用いられる高周波信号処理のためのミキサ回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図5にミクサ回路の従来例を示す。図の
ミクサ回路は、ダブルスーパ方式のCATVチューナの
アップコンバータ部の一例を示したものであり、図のミ
クサ回路のRF信号帯域は55〜860MHz、中間周
波信号周波数は1100Mhz、イメージ信号周波数帯
は2255〜3060MHzである。
ミクサ回路は、ダブルスーパ方式のCATVチューナの
アップコンバータ部の一例を示したものであり、図のミ
クサ回路のRF信号帯域は55〜860MHz、中間周
波信号周波数は1100Mhz、イメージ信号周波数帯
は2255〜3060MHzである。
【0003】図のミクサ回路は、電源端子103と、R
F信号(無線周波信号)入力端子101,102と、中間
周波出力端子108と、局部発振信号入力端子127,
128と、出力トランス109を有しており、さらに、
図のミクサ回路は周波数変換用トランジスタ110,1
11,112,113と増幅用トランジスタ(RFバッ
ファトランジスタ)114,115と、歪改善抵抗11
6,117と、イメージ信号抑圧インダクタ501,5
02と、ミクサ電流調整抵抗503と、チョークコイル
121と、ブリーダ抵抗104,105,123,12
4と、バイアス印加抵抗106,107,125,12
6と、電源接地容量122を有している。
F信号(無線周波信号)入力端子101,102と、中間
周波出力端子108と、局部発振信号入力端子127,
128と、出力トランス109を有しており、さらに、
図のミクサ回路は周波数変換用トランジスタ110,1
11,112,113と増幅用トランジスタ(RFバッ
ファトランジスタ)114,115と、歪改善抵抗11
6,117と、イメージ信号抑圧インダクタ501,5
02と、ミクサ電流調整抵抗503と、チョークコイル
121と、ブリーダ抵抗104,105,123,12
4と、バイアス印加抵抗106,107,125,12
6と、電源接地容量122を有している。
【0004】また、図のトランス109の出力側巻線に
は中間周波出力端子108が接続され、電源側巻線は接
地容量122で高周波接地された中間タップを有してお
り、電源側巻線の一方の入力には周波数変換用トランジ
スタ110のドレインと周波数変換用トランジスタ11
2のドレインが接続され、第1の中間周波信号を出力
し、電源側巻線の他方の入力には周波数変換用トランジ
スタ111のドレインと周波数変換用トランジスタ11
3のドレインが接続され、第2の中間周波信号を出力
し、出力巻線からは第1と第2の中間周波信号が合成さ
れて出力される。また、電源電圧は、電源側巻線の中間
タップを介し電源端子103より供給される。
は中間周波出力端子108が接続され、電源側巻線は接
地容量122で高周波接地された中間タップを有してお
り、電源側巻線の一方の入力には周波数変換用トランジ
スタ110のドレインと周波数変換用トランジスタ11
2のドレインが接続され、第1の中間周波信号を出力
し、電源側巻線の他方の入力には周波数変換用トランジ
スタ111のドレインと周波数変換用トランジスタ11
3のドレインが接続され、第2の中間周波信号を出力
し、出力巻線からは第1と第2の中間周波信号が合成さ
れて出力される。また、電源電圧は、電源側巻線の中間
タップを介し電源端子103より供給される。
【0005】そして、周波数変換用トランジスタ110
と111のソースと周波数変換用トランジスタ112と
113のソースはそれぞれ共通接続され、それぞれRF
バッファトランジスタ114と115のドレインに接続
される。また、RFバッファトランジスタ114と11
15のソースはそれぞれ歪改善抵抗116とイメージ信
号抑圧インダクタ501の直列接続体と、歪改善抵抗1
17とイメージ信号抑圧インダクタ502の直列接続体
を介し,ミクサ電流調整抵抗503とチョークコイル1
21の直列接続体により接地される。
と111のソースと周波数変換用トランジスタ112と
113のソースはそれぞれ共通接続され、それぞれRF
バッファトランジスタ114と115のドレインに接続
される。また、RFバッファトランジスタ114と11
15のソースはそれぞれ歪改善抵抗116とイメージ信
号抑圧インダクタ501の直列接続体と、歪改善抵抗1
17とイメージ信号抑圧インダクタ502の直列接続体
を介し,ミクサ電流調整抵抗503とチョークコイル1
21の直列接続体により接地される。
【0006】また、周波数変換用トランジスタ110と
113のゲートと周波数変換用トランジスタ111と1
12のゲートはそれぞれ共通接続され、それらの共通接
続点がそれぞれ局部発振信号入力端子127,128に
接続されるとともに、ブリーダ抵抗123,124によ
り分圧された電圧をバイアス印加抵抗125,126を
介し、それぞれ局部発振信号入力端子127,128に
印加される。また、RFバッファトランジスタ114,
115のゲートはそれぞれRF信号入力端子101,1
02に接続されるとともに、ブリーダ抵抗104,10
5により分圧された電圧がそれぞれバイアス印加抵抗1
06,107を介し印加される。
113のゲートと周波数変換用トランジスタ111と1
12のゲートはそれぞれ共通接続され、それらの共通接
続点がそれぞれ局部発振信号入力端子127,128に
接続されるとともに、ブリーダ抵抗123,124によ
り分圧された電圧をバイアス印加抵抗125,126を
介し、それぞれ局部発振信号入力端子127,128に
印加される。また、RFバッファトランジスタ114,
115のゲートはそれぞれRF信号入力端子101,1
02に接続されるとともに、ブリーダ抵抗104,10
5により分圧された電圧がそれぞれバイアス印加抵抗1
06,107を介し印加される。
【0007】以上のミクサ回路はRF信号入力端子10
1,102間に入力されたRF信号をRFバッファトラ
ンジスタ114,115で増幅した後、周波数変換用ト
ランジスタ110,111,112,113において、
局部発振信号入力端子127,128間に入力された局
部発振信号により中間周波信号に周波数変換し中間周波
出力端子108に出力する。また、チョークコイル12
1は、ミクサの変換利得低下を抑えるため、RF信号周
波数帯、局部発振信号周波数帯および中間周波信号周波
数帯でインピーダンスが非常に大きくなるインダクタン
ス値を選ぶとともに、RFバッファトランジスタ11
4,115のソースにそれぞれ歪改善抵抗116,11
7を挿入し帰還をかけることで、RFバッファトランジ
スタ114,115の線形の動作範囲を広げ、ミクサ回
路の歪特性改善を図っている。
1,102間に入力されたRF信号をRFバッファトラ
ンジスタ114,115で増幅した後、周波数変換用ト
ランジスタ110,111,112,113において、
局部発振信号入力端子127,128間に入力された局
部発振信号により中間周波信号に周波数変換し中間周波
出力端子108に出力する。また、チョークコイル12
1は、ミクサの変換利得低下を抑えるため、RF信号周
波数帯、局部発振信号周波数帯および中間周波信号周波
数帯でインピーダンスが非常に大きくなるインダクタン
ス値を選ぶとともに、RFバッファトランジスタ11
4,115のソースにそれぞれ歪改善抵抗116,11
7を挿入し帰還をかけることで、RFバッファトランジ
スタ114,115の線形の動作範囲を広げ、ミクサ回
路の歪特性改善を図っている。
【0008】また、以上のミクサ回路では、入力される
RF信号周波数に対し、中間周波信号の2倍の周波数だ
け高い信号はイメージ信号と呼ばれ、これがミクサに入
力されると中間周波信号と同じ周波数帯に変換されるた
めイメージ妨害と呼ばれる妨害が発生する。
RF信号周波数に対し、中間周波信号の2倍の周波数だ
け高い信号はイメージ信号と呼ばれ、これがミクサに入
力されると中間周波信号と同じ周波数帯に変換されるた
めイメージ妨害と呼ばれる妨害が発生する。
【0009】例えば、図のミクサ回路では55MHzの
RF信号受信時に55+2×1100=2255MHz
の信号が入力された場合、局部発振信号周波数が115
5MHzであるため,ミクサにおいて、2255MHz
−1155MHz=1100MHzの信号が生じ、これ
が中間周波信号と重なり、イメージ妨害となる。このた
め、図のミクサ回路では、RFバッファトランジスタ1
14,115のソース間にイメージ信号抑圧インダクタ
501,502を挿入することにより、RF信号帯に比
べ高い周波数帯であるイメージ信号帯で帰還量を大きく
し、RFバッファトランジスタ114,115のイメー
ジ信号帯での利得を下げることで、周波数変換トランジ
スタ110,111,112,113に入力されるイメ
ージ信号の抑圧を図っている。
RF信号受信時に55+2×1100=2255MHz
の信号が入力された場合、局部発振信号周波数が115
5MHzであるため,ミクサにおいて、2255MHz
−1155MHz=1100MHzの信号が生じ、これ
が中間周波信号と重なり、イメージ妨害となる。このた
め、図のミクサ回路では、RFバッファトランジスタ1
14,115のソース間にイメージ信号抑圧インダクタ
501,502を挿入することにより、RF信号帯に比
べ高い周波数帯であるイメージ信号帯で帰還量を大きく
し、RFバッファトランジスタ114,115のイメー
ジ信号帯での利得を下げることで、周波数変換トランジ
スタ110,111,112,113に入力されるイメ
ージ信号の抑圧を図っている。
【0010】さらに、以上のミクサ回路では、RFバッ
ファトランジスタ114,115において発生する雑音
のうち、イメージ信号帯の雑音が周波数変換用トランジ
スタ110,111,112,113に入力された場合
も、イメージ妨害の場合と同様に中間周波信号に変換さ
れるため、RFバッファトランジスタ114,115に
おいて発生する雑音レベルが、RF信号帯に比べイメー
ジ信号帯のほうが大きい場合、ミクサの雑音指数(NF)
が劣化する問題に対しても、RFバッファトランジスタ
114,115のソース間にイメージ抑圧インダクタ5
01,502を挿入することにより、周波数変換トラン
ジスタ110,111,112,113に入力されるイ
メージ信号帯の雑音レベルが抑圧されるため、NFの劣化
を抑える働きも兼ねている。
ファトランジスタ114,115において発生する雑音
のうち、イメージ信号帯の雑音が周波数変換用トランジ
スタ110,111,112,113に入力された場合
も、イメージ妨害の場合と同様に中間周波信号に変換さ
れるため、RFバッファトランジスタ114,115に
おいて発生する雑音レベルが、RF信号帯に比べイメー
ジ信号帯のほうが大きい場合、ミクサの雑音指数(NF)
が劣化する問題に対しても、RFバッファトランジスタ
114,115のソース間にイメージ抑圧インダクタ5
01,502を挿入することにより、周波数変換トラン
ジスタ110,111,112,113に入力されるイ
メージ信号帯の雑音レベルが抑圧されるため、NFの劣化
を抑える働きも兼ねている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で示すミ
クサ回路では、RFバッファトランジスタ114,11
5のソース間にイメージ信号抑圧インダクタ501,5
02を挿入することにより、RF信号帯に比べ高い周波
数帯であるイメージ信号帯での帰還量を大きくし、RF
バッファトランジスタ114,115のイメージ信号帯
の利得を下げることにより、イメージ信号妨害の改善を
図っているが、図の従来例のミクサ回路をイメージ信号
抑圧インダクタ501,502を含めて、GaAsやS
iなどのウエファ上に集積しようとした場合、インダク
タを形成する配線の信頼性の面から電流密度が制限され
るので、図の従来例で示した構成ではイメージ信号抑圧
インダクタ501,502にミクサ電流が流れるため、
ミクサに大きな電流が流せないという問題があった。
クサ回路では、RFバッファトランジスタ114,11
5のソース間にイメージ信号抑圧インダクタ501,5
02を挿入することにより、RF信号帯に比べ高い周波
数帯であるイメージ信号帯での帰還量を大きくし、RF
バッファトランジスタ114,115のイメージ信号帯
の利得を下げることにより、イメージ信号妨害の改善を
図っているが、図の従来例のミクサ回路をイメージ信号
抑圧インダクタ501,502を含めて、GaAsやS
iなどのウエファ上に集積しようとした場合、インダク
タを形成する配線の信頼性の面から電流密度が制限され
るので、図の従来例で示した構成ではイメージ信号抑圧
インダクタ501,502にミクサ電流が流れるため、
ミクサに大きな電流が流せないという問題があった。
【0012】さらにRFバッファトランジスタ114,
115のバラツキやイメージ信号抑圧インダクタ50
1,502のインダクタンス値のバラツキにより、RF
バッファトランジスタ114,115の各々の利得に差
が生じることで、周波数変換用トランジスタ110,1
11,112,113に入力されるRF信号のバランス
が崩れ、2次歪特性が劣化するという問題があった。
115のバラツキやイメージ信号抑圧インダクタ50
1,502のインダクタンス値のバラツキにより、RF
バッファトランジスタ114,115の各々の利得に差
が生じることで、周波数変換用トランジスタ110,1
11,112,113に入力されるRF信号のバランス
が崩れ、2次歪特性が劣化するという問題があった。
【0013】本発明の目的は、上記問題を解消し、集積
化に適したイメージ信号抑圧手段を有したミクサ回路を
提供するとともに、RFバッファトランジスタやイメー
ジ信号抑圧インダクタのバラツキによる2次歪特性の劣
化の少ないミクサ回路を提供することにある。
化に適したイメージ信号抑圧手段を有したミクサ回路を
提供するとともに、RFバッファトランジスタやイメー
ジ信号抑圧インダクタのバラツキによる2次歪特性の劣
化の少ないミクサ回路を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第1の手段は、RFバッファトランジスタの114,
115のソース間にそれぞれ歪改善抵抗116,117
を介し、イメージ信号抑圧インダクタを接続するととも
に、前記イメージ信号抑圧インダクタと並列に2つのミ
クサ電流調整抵抗を直列接続した接続体を接続し、前記
ミクサ電流調整抵抗間の接続点をチョークコイルにより
接地する構成とした。
の第1の手段は、RFバッファトランジスタの114,
115のソース間にそれぞれ歪改善抵抗116,117
を介し、イメージ信号抑圧インダクタを接続するととも
に、前記イメージ信号抑圧インダクタと並列に2つのミ
クサ電流調整抵抗を直列接続した接続体を接続し、前記
ミクサ電流調整抵抗間の接続点をチョークコイルにより
接地する構成とした。
【0015】以上の構成とすることにより、イメージ信
号抑圧インダクタとミクサ電流調整抵抗の並列接続体
は、RF信号帯に比べ高い周波数帯であるイメージ信号
帯で帰還量が大となり、RFバッファトランジスタ11
4,115のイメージ信号帯の利得が下がるので、周波
数変換トランジスタ110,111,112,113に
入力されるイメージ信号の抑圧が可能となるとともに、
イメージ信号抑圧インダクタの両端が同電位になるの
で、ミクサ電流はイメージ信号抑圧インダクタと並列接
続されたミクサ電流調整抵抗を介しチョークコイルに流
れるため、イメージ信号抑圧インダクタにミクサ電流は
流れない。
号抑圧インダクタとミクサ電流調整抵抗の並列接続体
は、RF信号帯に比べ高い周波数帯であるイメージ信号
帯で帰還量が大となり、RFバッファトランジスタ11
4,115のイメージ信号帯の利得が下がるので、周波
数変換トランジスタ110,111,112,113に
入力されるイメージ信号の抑圧が可能となるとともに、
イメージ信号抑圧インダクタの両端が同電位になるの
で、ミクサ電流はイメージ信号抑圧インダクタと並列接
続されたミクサ電流調整抵抗を介しチョークコイルに流
れるため、イメージ信号抑圧インダクタにミクサ電流は
流れない。
【0016】このため、ミクサ回路をイメージ信号抑圧
インダクタまで含めて集積化した場合にも、イメージ信
号抑圧インダクタの配線の太さを小さくできるので、大
電流のミクサ回路であってもイメージ信号抑圧インダク
タの集積化が可能となる。さらに、RFバッファトラン
ジスタ114,115のイメージ信号帯の利得が下がる
ことで、周波数変換トランジスタ110,111,11
2,113に入力されるRFバッファトランジスタ11
4,115で発生するイメージ信号帯の雑音も抑圧でき
るので、RFバッファトランジスタ114,115のイ
メージ信号帯のNFの劣化によるミクサ回路のNFの劣
化も抑えることができる。
インダクタまで含めて集積化した場合にも、イメージ信
号抑圧インダクタの配線の太さを小さくできるので、大
電流のミクサ回路であってもイメージ信号抑圧インダク
タの集積化が可能となる。さらに、RFバッファトラン
ジスタ114,115のイメージ信号帯の利得が下がる
ことで、周波数変換トランジスタ110,111,11
2,113に入力されるRFバッファトランジスタ11
4,115で発生するイメージ信号帯の雑音も抑圧でき
るので、RFバッファトランジスタ114,115のイ
メージ信号帯のNFの劣化によるミクサ回路のNFの劣
化も抑えることができる。
【0017】なお、イメージ信号抑圧インダクタと並列
にミクサ電流調整抵抗が接続されることで、高域でイメ
ージ信号抑圧インダクタにダンピングがかかり、イメー
ジ信号抑圧の劣化の恐れが考えられるが、この場合、ミ
クサ電流調整抵抗の値を大きくするとともに、ミクサ電
流調整抵抗の値が大きくなったことによる電圧降下の増
加分だけ、RFバッファトランジスタの114,115
のゲートに印加するバイアス電圧を高く設定すれば、イ
メージ信号抑圧の劣化を小さく抑えることができる。
にミクサ電流調整抵抗が接続されることで、高域でイメ
ージ信号抑圧インダクタにダンピングがかかり、イメー
ジ信号抑圧の劣化の恐れが考えられるが、この場合、ミ
クサ電流調整抵抗の値を大きくするとともに、ミクサ電
流調整抵抗の値が大きくなったことによる電圧降下の増
加分だけ、RFバッファトランジスタの114,115
のゲートに印加するバイアス電圧を高く設定すれば、イ
メージ信号抑圧の劣化を小さく抑えることができる。
【0018】さらに、上記課題を解決するための第2の
手段は、上記第1の手段に加え、RFバッファトランジ
スタの114,115のドレイン間にイメージ信号帯に
対しては低インピーダンスとなる第1の容量を付加する
構成とした。
手段は、上記第1の手段に加え、RFバッファトランジ
スタの114,115のドレイン間にイメージ信号帯に
対しては低インピーダンスとなる第1の容量を付加する
構成とした。
【0019】以上の構成とすることにより、イメージ信
号が入力された場合、RFバッファトランジスタの11
4,115のドレイン間に出力されるイメージ信号は低
インピーダンスであるRFバッファトランジスタのドレ
イン間の容量に流れるため、周波数変換用トランジスタ
110,111,112,113に入力されるイメージ
信号を抑えることができるので、上記第1の手段に加
え、さらなる改善が可能である。
号が入力された場合、RFバッファトランジスタの11
4,115のドレイン間に出力されるイメージ信号は低
インピーダンスであるRFバッファトランジスタのドレ
イン間の容量に流れるため、周波数変換用トランジスタ
110,111,112,113に入力されるイメージ
信号を抑えることができるので、上記第1の手段に加
え、さらなる改善が可能である。
【0020】さらに、上記課題を解決するための第3の
手段は、上記第1の手段に加え、RFバッファトランジ
スタの114,115のドレイン間に上記第2の手段の
ように単に容量を付加するのではなく等容量の第2、第
3の容量を直列接続した接続体を挿入するとともに、前
記第2、第3の容量の接続点を接地する構成とした。
手段は、上記第1の手段に加え、RFバッファトランジ
スタの114,115のドレイン間に上記第2の手段の
ように単に容量を付加するのではなく等容量の第2、第
3の容量を直列接続した接続体を挿入するとともに、前
記第2、第3の容量の接続点を接地する構成とした。
【0021】以上の構成とすることにより、イメージ信
号帯に対しては上記第2の手段と同様に、RFバッファ
トランジスタの114,115のドレイン間に出力され
るイメージ信号は低インピーダンスであるRFバッファ
トランジスタのドレイン間の第2、第3の容量の直列接
続体に流れるため、周波数変換用トランジスタ110,
111,112,113に入力されるイメージ信号を抑
えることができる。さらに、RFバッファトランジスタ
114,115や歪改善抵抗116,117などにバラ
ツキによる2次歪特性の劣化については、RFバッファ
トランジスタや歪改善抵抗のバラツキによりRF信号の
バランスが崩れた場合、RF信号のアンバランス成分が
第2の容量と第3の容量の接続点に生じるが、この接続
点が接地されていることで、RF信号のアンバランス成
分は接地側へ流れ、周波数変換用トランジスタ110,
111,112,113に入力されるRF信号のアンバ
ランス成分が抑えられるので、RFバッファトランジス
タ114,115や歪改善抵抗116,117のバラツ
キによる2次歪特性の劣化を抑えることができる。
号帯に対しては上記第2の手段と同様に、RFバッファ
トランジスタの114,115のドレイン間に出力され
るイメージ信号は低インピーダンスであるRFバッファ
トランジスタのドレイン間の第2、第3の容量の直列接
続体に流れるため、周波数変換用トランジスタ110,
111,112,113に入力されるイメージ信号を抑
えることができる。さらに、RFバッファトランジスタ
114,115や歪改善抵抗116,117などにバラ
ツキによる2次歪特性の劣化については、RFバッファ
トランジスタや歪改善抵抗のバラツキによりRF信号の
バランスが崩れた場合、RF信号のアンバランス成分が
第2の容量と第3の容量の接続点に生じるが、この接続
点が接地されていることで、RF信号のアンバランス成
分は接地側へ流れ、周波数変換用トランジスタ110,
111,112,113に入力されるRF信号のアンバ
ランス成分が抑えられるので、RFバッファトランジス
タ114,115や歪改善抵抗116,117のバラツ
キによる2次歪特性の劣化を抑えることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。
用いて説明する。
【0023】図1は本発明によるミクサ回路の第1の実
施の形態を示す回路図であって、118はイメージ信号
抑圧インダクタ、119,120はミクサ電流調整抵抗
であり、その他、図5に対応する部分には同一符号をつ
けて、重複する説明を省略する。
施の形態を示す回路図であって、118はイメージ信号
抑圧インダクタ、119,120はミクサ電流調整抵抗
であり、その他、図5に対応する部分には同一符号をつ
けて、重複する説明を省略する。
【0024】同図において、この第1の実施の形態では
RFバッファトランジスタ114,115のソース間に
それぞれ歪改善抵抗116,117を介し、イメージ信
号抑圧インダクタ118を接続することもに、イメージ
信号抑圧インダクタ118と並列にミクサ電流調整抵抗
119,120が直列接続された接続体を接続し、ミク
サ電流調整抵抗119,120の接続点をチョークコイ
ル121により接地しており、これ以外の構成は図5に
示した従来のミクサ回路と同様であり、また、その動作
も、図5に示した従来のミクサ回路と同様に、RF信号
入力端子101,102間に入力されたRF信号をRF
バッファトランジスタ114,115で増幅した後、周
波数変換用トランジスタ110,111,112,11
3において、局部発振信号入力端子127,128間に
入力された局部発振信号により中間周波信号に周波数変
換し、中間周波出力端子108に出力する。
RFバッファトランジスタ114,115のソース間に
それぞれ歪改善抵抗116,117を介し、イメージ信
号抑圧インダクタ118を接続することもに、イメージ
信号抑圧インダクタ118と並列にミクサ電流調整抵抗
119,120が直列接続された接続体を接続し、ミク
サ電流調整抵抗119,120の接続点をチョークコイ
ル121により接地しており、これ以外の構成は図5に
示した従来のミクサ回路と同様であり、また、その動作
も、図5に示した従来のミクサ回路と同様に、RF信号
入力端子101,102間に入力されたRF信号をRF
バッファトランジスタ114,115で増幅した後、周
波数変換用トランジスタ110,111,112,11
3において、局部発振信号入力端子127,128間に
入力された局部発振信号により中間周波信号に周波数変
換し、中間周波出力端子108に出力する。
【0025】以上の第1の実施の形態では、イメージ信
号抑圧インダクタ118とミクサ電流調整抵抗119,
120の並列接続体は、RF信号帯に比べ高い周波数帯
であるイメージ信号帯で帰還量が大となるので、RFバ
ッファトランジスタ114,115のイメージ信号帯の
利得が下がり、周波数変換トランジスタ110,11
1,112,113に入力されるイメージ信号の抑圧が
可能となるとともに、図5に示した従来のミクサ回路で
は、イメージ信号抑圧インダクタ501,502にはミ
クサ電流が流れていたのに対し、図1の第1の実施の形
態ではイメージ信号抑圧インダクタ118の両端が同電
位になるので、ミクサ電流はイメージ信号抑圧インダク
タ118と並列接続されたミクサ電流調整抵抗119,
120を介しチョークコイルに流れるため、イメージ信
号抑圧インダクタにミクサ電流は流れない。
号抑圧インダクタ118とミクサ電流調整抵抗119,
120の並列接続体は、RF信号帯に比べ高い周波数帯
であるイメージ信号帯で帰還量が大となるので、RFバ
ッファトランジスタ114,115のイメージ信号帯の
利得が下がり、周波数変換トランジスタ110,11
1,112,113に入力されるイメージ信号の抑圧が
可能となるとともに、図5に示した従来のミクサ回路で
は、イメージ信号抑圧インダクタ501,502にはミ
クサ電流が流れていたのに対し、図1の第1の実施の形
態ではイメージ信号抑圧インダクタ118の両端が同電
位になるので、ミクサ電流はイメージ信号抑圧インダク
タ118と並列接続されたミクサ電流調整抵抗119,
120を介しチョークコイルに流れるため、イメージ信
号抑圧インダクタにミクサ電流は流れない。
【0026】このため、ミクサ回路をイメージ信号抑圧
インダクタまで含めて集積化した場合、大電流のミクサ
回路であってもイメージ信号抑圧インダクタの配線の太
さを小さくできるので、イメージ信号抑圧インダクタの
集積化が可能となる。さらに、RFバッファトランジス
タ114,115のイメージ信号帯の利得が下がること
で、周波数変換トランジスタ110,111,112,
113に入力されるRFバッファトランジスタ114,
115で発生するイメージ信号帯の雑音も抑圧できるの
で、RFバッファトランジスタ114,115のイメー
ジ信号帯のNFの劣化によるミクサ回路のNFの劣化も
抑えることができる。
インダクタまで含めて集積化した場合、大電流のミクサ
回路であってもイメージ信号抑圧インダクタの配線の太
さを小さくできるので、イメージ信号抑圧インダクタの
集積化が可能となる。さらに、RFバッファトランジス
タ114,115のイメージ信号帯の利得が下がること
で、周波数変換トランジスタ110,111,112,
113に入力されるRFバッファトランジスタ114,
115で発生するイメージ信号帯の雑音も抑圧できるの
で、RFバッファトランジスタ114,115のイメー
ジ信号帯のNFの劣化によるミクサ回路のNFの劣化も
抑えることができる。
【0027】また、以上の第1の実施の形態図のミクサ
回路で用いた能動素子は、電界効果トランジスタに限ら
ずバイポーラトランジスタなどの他の能動素子であって
も同様な効果が得られる。
回路で用いた能動素子は、電界効果トランジスタに限ら
ずバイポーラトランジスタなどの他の能動素子であって
も同様な効果が得られる。
【0028】図2は本発明によるミクサ回路の第2の実
施の形態を示す回路図であって、201はイメージ信号
抑圧容量であり、図1および図5に対応する部分には同
一符号をつけて重複する説明を省略する。
施の形態を示す回路図であって、201はイメージ信号
抑圧容量であり、図1および図5に対応する部分には同
一符号をつけて重複する説明を省略する。
【0029】図のミクサ回路は図1の第1の実施の形態
を示す回路図と比較して、RFバッファトランジスタ1
14,115のドレイン間にイメージ信号帯に対し低イ
ンピーダンスとなる値のイメージ信号抑圧容量201が
挿入されている。
を示す回路図と比較して、RFバッファトランジスタ1
14,115のドレイン間にイメージ信号帯に対し低イ
ンピーダンスとなる値のイメージ信号抑圧容量201が
挿入されている。
【0030】以上の第2の実施の形態では、先の第1の
実施の形態と同様の効果が得られる上に、イメージ信号
に対しては低インピーダンスとなるイメージ信号抑圧容
量201によっても周波数変換用トランジスタ110,
111,112,113に入力されるイメージ信号が減
衰されるため、更なるイメージ信号抑圧を得ることがで
きる。
実施の形態と同様の効果が得られる上に、イメージ信号
に対しては低インピーダンスとなるイメージ信号抑圧容
量201によっても周波数変換用トランジスタ110,
111,112,113に入力されるイメージ信号が減
衰されるため、更なるイメージ信号抑圧を得ることがで
きる。
【0031】図3は本発明によるミクサ回路の第3の実
施の形態を示す回路図であって、301,302はイメ
ージ・2次歪改善容量であり、図1、図5に対応する部
分には同一符号をつけて重複する説明を省略する。
施の形態を示す回路図であって、301,302はイメ
ージ・2次歪改善容量であり、図1、図5に対応する部
分には同一符号をつけて重複する説明を省略する。
【0032】図のミクサ回路は図1の第1の実施の形態
を示す回路図と比較して、RFバッファトランジスタの
114,115のドレイン間に、イメージ・2次歪改善
容量301,302の直列接続体を挿入するとともに、
イメージ・2次歪改善容量301と302の接続点を接
地する構成とした。
を示す回路図と比較して、RFバッファトランジスタの
114,115のドレイン間に、イメージ・2次歪改善
容量301,302の直列接続体を挿入するとともに、
イメージ・2次歪改善容量301と302の接続点を接
地する構成とした。
【0033】以上の第3の実施の形態では、先の第1の
実施の形態と同様の効果が得られる上に、イメージ信号
に対しては低インピーダンスとなるイメージ・2次歪改
善容量301と302の直列接続体によっても周波数変
換用トランジスタ110,111,112,113に入
力されるイメージ信号が減衰されるため、第2の実施の
形態と同様、更なるイメージ信号抑圧が得られるほか
に、RFバッファトランジスタ114,115や歪改善
抵抗116,117などのバラツキにより発生するRF
信号のアンバランス成分が、イメージ・2次歪改善容量
301と302の接続点の接地側に流れるため、周波数
変換用トランジスタ110,111,112,113に
入力されるRF信号のアンバランス成分が抑圧できるの
で、RFバッファトランジスタ114,115や歪改善
抵抗116,117のバラツキによる2次歪特性の劣化
を抑えることができる。
実施の形態と同様の効果が得られる上に、イメージ信号
に対しては低インピーダンスとなるイメージ・2次歪改
善容量301と302の直列接続体によっても周波数変
換用トランジスタ110,111,112,113に入
力されるイメージ信号が減衰されるため、第2の実施の
形態と同様、更なるイメージ信号抑圧が得られるほか
に、RFバッファトランジスタ114,115や歪改善
抵抗116,117などのバラツキにより発生するRF
信号のアンバランス成分が、イメージ・2次歪改善容量
301と302の接続点の接地側に流れるため、周波数
変換用トランジスタ110,111,112,113に
入力されるRF信号のアンバランス成分が抑圧できるの
で、RFバッファトランジスタ114,115や歪改善
抵抗116,117のバラツキによる2次歪特性の劣化
を抑えることができる。
【0034】図4は本発明によるミクサ回路の第4の実
施の形態を示す回路図であって、401は電流源トラン
ジスタ、402はバラツキ吸収抵抗であり、図3に対応
する部分には同一符号をつけて重複する説明を省略す
る。
施の形態を示す回路図であって、401は電流源トラン
ジスタ、402はバラツキ吸収抵抗であり、図3に対応
する部分には同一符号をつけて重複する説明を省略す
る。
【0035】図のミクサ回路は図3の第3の実施の形態を
示す回路図と比較して、ミクサ電流調整抵抗119と1
20の接続点にはゲートが接地された電流源トランジス
タ401のドレインが接続されるとともに、電流源トラ
ンジスタ401のソースにはバラツキ吸収抵抗402より
接地されている。
示す回路図と比較して、ミクサ電流調整抵抗119と1
20の接続点にはゲートが接地された電流源トランジス
タ401のドレインが接続されるとともに、電流源トラ
ンジスタ401のソースにはバラツキ吸収抵抗402より
接地されている。
【0036】以上の第4の実施の形態では、先の第3の
実施の形態と同様の効果が得られる上に、ミクサ電流を
電流源トランジスタ401のバラツキ吸収抵抗402に
より調整できるので、先の第3の実施の形態のようにR
Fバッファトランジスタ114,115のバラツキや、
ミクサ電流調整抵抗119,120のバラツキによるミ
クサ電流のバラツキが抑えられるミクサ回路を得ること
ができる。
実施の形態と同様の効果が得られる上に、ミクサ電流を
電流源トランジスタ401のバラツキ吸収抵抗402に
より調整できるので、先の第3の実施の形態のようにR
Fバッファトランジスタ114,115のバラツキや、
ミクサ電流調整抵抗119,120のバラツキによるミ
クサ電流のバラツキが抑えられるミクサ回路を得ること
ができる。
【0037】以上の第4の実施の形態の効果は、第1の
実施の形態や第2の実施の形態の場合であっても同様の
効果が得られる。
実施の形態や第2の実施の形態の場合であっても同様の
効果が得られる。
【0038】次に、本発明の各実施の形態における効果
を、図6および図7を参照して説明する。図6に、図
1、図2、図3および図5に示すミクサ回路のイメージ
信号抑圧特性のシミュレーション結果を示し、図7に図
2および図3に示すミクサ回路の2次歪特性の実験結果
を示す。
を、図6および図7を参照して説明する。図6に、図
1、図2、図3および図5に示すミクサ回路のイメージ
信号抑圧特性のシミュレーション結果を示し、図7に図
2および図3に示すミクサ回路の2次歪特性の実験結果
を示す。
【0039】図6および図7においてのシミュレーショ
ンおよび実験は、入力RF信号周波数55〜860MH
zに対し、電源電圧を5V、入力信号レベルを−15d
Bm、局部発振信号周波数1155〜1960MHz、
出力中間周波信号周波数1100MHzとして計算およ
び測定した結果をそれぞれ示す。
ンおよび実験は、入力RF信号周波数55〜860MH
zに対し、電源電圧を5V、入力信号レベルを−15d
Bm、局部発振信号周波数1155〜1960MHz、
出力中間周波信号周波数1100MHzとして計算およ
び測定した結果をそれぞれ示す。
【0040】図6において、横軸にRF信号周波数を示
し、縦軸にイメージ信号抑圧度を示す。図6に示したよ
うに、図1、図2および図3に示したミクサ回路の構成
とすることにより、図5の従来技術で示したミクサ回路
と同様にイメージ信号を抑圧することができる。
し、縦軸にイメージ信号抑圧度を示す。図6に示したよ
うに、図1、図2および図3に示したミクサ回路の構成
とすることにより、図5の従来技術で示したミクサ回路
と同様にイメージ信号を抑圧することができる。
【0041】また、図7において、横軸にRF信号周波
数を示し、縦軸に2次歪抑圧比を示す。図7に示したよ
うに、図3に示したミクサ回路の構成とすることによ
り、従来技術で示したミクサ回路比べ、2次歪特性の劣
化を抑えることかできる。
数を示し、縦軸に2次歪抑圧比を示す。図7に示したよ
うに、図3に示したミクサ回路の構成とすることによ
り、従来技術で示したミクサ回路比べ、2次歪特性の劣
化を抑えることかできる。
【0042】次に、上述した実施の形態におけるミクサ
回路を用いた受信回路を図8を参照して説明する。図8
にケーブルテレビジョン(CATV)の受信回路のブロ
ック図を示す。図の受信回路は、RF信号入力端子80
1、バンドパスフィルタ802,808および814、
利得制御増幅回路803、アップコンバート用ミクサ8
04、アップコンバータ用局部発振回路807、中間周
波信号増幅回路809,815、ダウンコンバート用ミ
クサ810、ダウンコンバート用局部発振回路813、
ローパスフィルタ816、中間周波信号出力端子817
とを備える。
回路を用いた受信回路を図8を参照して説明する。図8
にケーブルテレビジョン(CATV)の受信回路のブロ
ック図を示す。図の受信回路は、RF信号入力端子80
1、バンドパスフィルタ802,808および814、
利得制御増幅回路803、アップコンバート用ミクサ8
04、アップコンバータ用局部発振回路807、中間周
波信号増幅回路809,815、ダウンコンバート用ミ
クサ810、ダウンコンバート用局部発振回路813、
ローパスフィルタ816、中間周波信号出力端子817
とを備える。
【0043】図8に示すアップコンバータ用ミクサ80
4は、RFバッファ805とミクサ806を有してお
り、ダウンコンバート用ミクサ810は、RFバッファ
811とミクサ812を有している。また、アップコン
バータ用ミクサ804は、図1、図2、図3もしくは図
4に示したミクサ回路を用いる。
4は、RFバッファ805とミクサ806を有してお
り、ダウンコンバート用ミクサ810は、RFバッファ
811とミクサ812を有している。また、アップコン
バータ用ミクサ804は、図1、図2、図3もしくは図
4に示したミクサ回路を用いる。
【0044】図の受信回路では、RF信号入力端子80
1に入力された約55〜860MHzのRF信号は、バ
ンドパスフィルタ802によりRF信号帯域以外の不要
帯域が減衰された後、利得制御増幅回路803により増
幅され、アップコンバータ用ミクサ804に入力され
る。このRF信号は、RFバッファ805により増幅さ
れた後、ミクサ806において、アップコンバート用局
部発振回路807からの局部発振信号により、RF信号
帯よりも高い1GHz帯の第1中間周波信号にアップコ
ンバートされる。
1に入力された約55〜860MHzのRF信号は、バ
ンドパスフィルタ802によりRF信号帯域以外の不要
帯域が減衰された後、利得制御増幅回路803により増
幅され、アップコンバータ用ミクサ804に入力され
る。このRF信号は、RFバッファ805により増幅さ
れた後、ミクサ806において、アップコンバート用局
部発振回路807からの局部発振信号により、RF信号
帯よりも高い1GHz帯の第1中間周波信号にアップコ
ンバートされる。
【0045】このアップコンバートされた第1中間周波
信号は、バンドパスフィルタ808により、選局された
受信チャネルを帯域選択した後、中間周波信号増幅回路
809により増幅され、ダウンコンバート用ミクサ81
0に入力される。ダウンコンバート用ミクサ810に入
力された第1中間周波信号は、RFバッファ811によ
り増幅された後、ミクサ812において、ダウンコンバ
ート用局部発振回路813からの局部発振信号により4
0〜50MHz帯の第2中間周波信号にダウンコンバー
トされる。
信号は、バンドパスフィルタ808により、選局された
受信チャネルを帯域選択した後、中間周波信号増幅回路
809により増幅され、ダウンコンバート用ミクサ81
0に入力される。ダウンコンバート用ミクサ810に入
力された第1中間周波信号は、RFバッファ811によ
り増幅された後、ミクサ812において、ダウンコンバ
ート用局部発振回路813からの局部発振信号により4
0〜50MHz帯の第2中間周波信号にダウンコンバー
トされる。
【0046】第2中間周波信号はバンドパスフィルタ8
14により不要帯域が減衰された後、中間周波信号増幅
回路815により増幅され、ローパスフィルタ816に
より第2中間周波信号より高い周波数が減衰された後、
第2中間周波信号出力端子817より出力される。また
図の受信回路では、RF信号入力端子801に入力され
るRF信号レベルに対して、第2中間周波信号出力端子
817より出力されるレベルが一定となるように利得制
御増幅回路803で利得制御を行う。
14により不要帯域が減衰された後、中間周波信号増幅
回路815により増幅され、ローパスフィルタ816に
より第2中間周波信号より高い周波数が減衰された後、
第2中間周波信号出力端子817より出力される。また
図の受信回路では、RF信号入力端子801に入力され
るRF信号レベルに対して、第2中間周波信号出力端子
817より出力されるレベルが一定となるように利得制
御増幅回路803で利得制御を行う。
【0047】図8に示すCATV受信回路では、アップ
コンバータ用ミクサ804を従来技術よるミクサ回路に
よりイメージ信号抑圧インダクタを含め集積化する場
合、イメージ信号抑圧インダクタにミクサ電流が流れる
ため大きなミクサ電流が流せない。しかし、本実施の形
態によるミクサ回路を用いれば、イメージ信号抑圧イン
ダクタにミクサ電流が流れない構成のため大きなミクサ
電流を流すことができる。
コンバータ用ミクサ804を従来技術よるミクサ回路に
よりイメージ信号抑圧インダクタを含め集積化する場
合、イメージ信号抑圧インダクタにミクサ電流が流れる
ため大きなミクサ電流が流せない。しかし、本実施の形
態によるミクサ回路を用いれば、イメージ信号抑圧イン
ダクタにミクサ電流が流れない構成のため大きなミクサ
電流を流すことができる。
【0048】さらに図のCATV受信回路では、55〜
860MHzの広い帯域に、数十チャネル以上の多チャ
ネルのRF信号が入力されるため、アップコンバータ用
ミクサは、広帯域で低歪特性なものが必要となる。この
ため、従来技術よるミクサ回路をアップコンバータ用ミ
クサ804に適用した場合、RFバッファトランジスタ
114,115やミクサ電流調整抵抗116,117等
のバラツキが大きい場合には、2次歪特性が劣化するた
め、RF信号入力部に挿入したバンドパスフィルタ80
2を2系統以上設け、これを受信チャネルに応じて切換
えるなどして、アップコンバータ用ミクサ804に入力
されるチャネル数を制限する必要がある。本実施の第3
の形態によるミクサ回路を用いれば、RFバッファトラ
ンジスタのバランスが改善されるので、2次歪特性が劣
化せずバンドパスフィルタ802を複数系統設ける必要
がないため、受信バンド切換えが不要なCATV受信回
路を得ることができる。
860MHzの広い帯域に、数十チャネル以上の多チャ
ネルのRF信号が入力されるため、アップコンバータ用
ミクサは、広帯域で低歪特性なものが必要となる。この
ため、従来技術よるミクサ回路をアップコンバータ用ミ
クサ804に適用した場合、RFバッファトランジスタ
114,115やミクサ電流調整抵抗116,117等
のバラツキが大きい場合には、2次歪特性が劣化するた
め、RF信号入力部に挿入したバンドパスフィルタ80
2を2系統以上設け、これを受信チャネルに応じて切換
えるなどして、アップコンバータ用ミクサ804に入力
されるチャネル数を制限する必要がある。本実施の第3
の形態によるミクサ回路を用いれば、RFバッファトラ
ンジスタのバランスが改善されるので、2次歪特性が劣
化せずバンドパスフィルタ802を複数系統設ける必要
がないため、受信バンド切換えが不要なCATV受信回
路を得ることができる。
【0049】
【発明の効果】本発明によれば、RF信号と局部発振信
号により中間周波信号を出力するイメージ信号抑圧機能
を有したミクサ回路において、イメージ信号抑圧インダ
クタにミクサ電流が流れない構成とすることにより、集
積化に適したイメージ信号抑圧機能を有したミクサ回路
を得ることができるとともに、RFバッファトランジス
タのバランスも改善されるので、RFバッファトランジ
スタのバラツキによる2次歪の劣化を抑えることができ
る。
号により中間周波信号を出力するイメージ信号抑圧機能
を有したミクサ回路において、イメージ信号抑圧インダ
クタにミクサ電流が流れない構成とすることにより、集
積化に適したイメージ信号抑圧機能を有したミクサ回路
を得ることができるとともに、RFバッファトランジス
タのバランスも改善されるので、RFバッファトランジ
スタのバラツキによる2次歪の劣化を抑えることができ
る。
【図1】本発明によるミクサ回路の第1の実施の形態を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図2】本発明によるミクサ回路の第2の実施の形態を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図3】本発明によるミクサ回路の第3の実施の形態を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図4】本発明によるミクサ回路の第4の実施の形態を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図5】従来のミクサ回路の一例を示す回路図である。
【図6】従来のミクサ回路と本発明によるミクサ回路の
イメージ信号抑圧度示す特性図である。
イメージ信号抑圧度示す特性図である。
【図7】本発明による第2の実施の形態のミクサ回路と
本発明による第3の実施の形態のミクサ回路の2次歪特
性の違いを示す特性図である。
本発明による第3の実施の形態のミクサ回路の2次歪特
性の違いを示す特性図である。
【図8】本発明の実施の形態を用いた受信回路の一例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
101、102…RF信号入力端子、103…電源端
子、108…中間周波出力端子、109…出力トラン
ス、110、111、112、113…周波数変換用ト
ランジスタ、114、115…RFバッファトランジス
タ、116、117…歪改善抵抗、118、501、5
02…イメージ信号抑圧インダクタ、119、120…
ミクサ電流調整抵抗、121…チョークコイル、122
…電源接地容量、127、128…局部発振信号入力端
子、201…イメージ信号抑圧容量、301、302…
イメージ・2次歪改善容量、401…電流源トランジス
タ、804…アップコンバータ用ミクサ、810…ダウ
ンコンバート用ミクサ。
子、108…中間周波出力端子、109…出力トラン
ス、110、111、112、113…周波数変換用ト
ランジスタ、114、115…RFバッファトランジス
タ、116、117…歪改善抵抗、118、501、5
02…イメージ信号抑圧インダクタ、119、120…
ミクサ電流調整抵抗、121…チョークコイル、122
…電源接地容量、127、128…局部発振信号入力端
子、201…イメージ信号抑圧容量、301、302…
イメージ・2次歪改善容量、401…電流源トランジス
タ、804…アップコンバータ用ミクサ、810…ダウ
ンコンバート用ミクサ。
Claims (5)
- 【請求項1】第1、第2のトランジスタのソースに共通
に第3のトランジスタのドレインが接続されてなる第1
の差動回路と、第4、第5のトランジスタのソースに共
通に第6のトランジスタのドレインが接続されてなる第
2の差動回路を有し、前記第1、第5のトランジスタの
ゲートを第1の入力端子に、前記第2、第4のトランジ
スタのゲートを第2の入力端子に接続して、前記第1、
第2の入力端子間から局部発振信号を入力し、前記第
3、第6のトランジスタのゲートをそれぞれ第3、第4
の入力端子に接続して、前記第3、第4の入力端子間か
ら無線周波信号を入力し、前記第1と第4のトランジス
タのドレインの接続点と、第2と第5のトランジスタの
ドレインの接続点間から前記無線周波信号を前記局部発
振信号により周波数変換して得られる中間周波信号を出
力するダブルバランス型のミクサ回路において、前記第
3のトランジスタのソースと第6のトランジスタのソー
ス間に少なくとも第1のインダクタを含む回路を接続
し、前記第1のインダクタの両端に第1、第2の抵抗の
直列接続体を接続するとともに、前記前記第1と第2の
抵抗の接続点には少なくとも第2のインダクタを含む回
路により接地して構成したことを特徴とするミクサ回
路。 - 【請求項2】入力された無線周波信号を局部発振信号に
より周波数変換し、中間周波信号を出力する請求項1記
載のダブルバランス型のミクサ回路において、第3のト
ランジスタのドレインと第6のトランジスタのドレイン
間に第1の容量を挿入したことを特徴とするミクサ回
路。 - 【請求項3】入力された無線周波信号を局部発振信号に
より周波数変換し、中間周波信号を出力する請求項1記
載のダブルバランス型のミクサ回路において、第3のト
ランジスタのドレインと第6のトランジスタのドレイン
間に第2と第3の容量からなる直列接続体を接続すると
ともに、前記第1と第2の容量の接続点を接地したこと
を特徴とするミクサ回路。 - 【請求項4】入力された無線周波信号を局部発振信号に
より周波数変換し、中間周波信号を出力する請求項1か
ら3のいずれか1項記載のダブルバランス型のミクサ回
路において、第3と第4の抵抗の接続点に第1の電流源
を接続したことを特徴とするミクサ回路。 - 【請求項5】受信信号を局部発振信号により周波数変換
し、中間周波信号を出力するミクサ回路を有する受信回
路であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1
項記載のミクサ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10348180A JP2000174557A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | ミクサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10348180A JP2000174557A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | ミクサ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000174557A true JP2000174557A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18395289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10348180A Pending JP2000174557A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | ミクサ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000174557A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180634A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Renesas Technology Corp | 直交ミキサ回路およびrf通信用半導体集積回路 |
WO2013001743A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | パナソニック株式会社 | 半導体受信装置 |
-
1998
- 1998-12-08 JP JP10348180A patent/JP2000174557A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180634A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Renesas Technology Corp | 直交ミキサ回路およびrf通信用半導体集積回路 |
JP4524460B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2010-08-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Rf通信用半導体集積回路 |
WO2013001743A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | パナソニック株式会社 | 半導体受信装置 |
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