JP2000172347A - ヒートパイプを利用した温度制御装置 - Google Patents

ヒートパイプを利用した温度制御装置

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JP2000172347A
JP2000172347A JP10344104A JP34410498A JP2000172347A JP 2000172347 A JP2000172347 A JP 2000172347A JP 10344104 A JP10344104 A JP 10344104A JP 34410498 A JP34410498 A JP 34410498A JP 2000172347 A JP2000172347 A JP 2000172347A
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heat
plate
heat exchange
temperature control
control device
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Tadayuki Hanamoto
忠幸 花本
Hironaga Akiba
浩永 秋葉
Kanichi Kadotani
▲かん▼一 門谷
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Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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    • F28D15/00Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D15/0275Arrangements for coupling heat-pipes together or with other structures, e.g. with base blocks; Heat pipe cores
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化を図ることが可能で、且つ、均熱性と
熱応答性の双方の向上を図ることが可能な温度制御装置
を提供する。 【解決手段】 ヒートプレート1には、円形プレート型
のヒートパイプが用いられる。その複数箇所には、ピン
9が夫々プレート1を貫通した状態で上下方向に移動可
能に設けられる。各ピン9の先端部に半導体ウエハ27
を載置する。ベ一キングやクーリングのプロセスでは、
各ピン9の先端部は、プレート1の上面から僅かに突出
した位置に位置決めされて駆動機構により保持される。
ウエハ27の保持される高さ位置は、プレート1の上面
から微小なエアギャップを隔てたプレート1の直上方の
位置になる。基本的な構成は、所定の作動液を封じ込め
た空間を内部に有したプレートであり、極めて高い熱伝
導性と小さい熱容量とを有する。プレート1の下面に接
触する複数の熱電モジュール3との間の熱交換を、ウエ
ハ27の全面に亘って略均一に、効率良く行えるように
する必要があるので、厚みが薄く、且つ、ピンフィン構
造を内蔵するものが用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の技術分野】本発明は、例えば半導体ウェハのよ
うな温度制御対象の温度を、ヒートパイプを利用して制
御するための温度制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、温度制御対象を加熱/冷却するた
めの手段として熱電モジュールを備えた温度制御装置が
知られている。この装置は、温度制御対象を載置するた
めのプレートと熱交換用のプレート(即ち、冷却用プレ
ート)との双方が、熱電モジュールを挟んで互いに対向
した状態で取付固定された構成となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
装置において、載置用プレートの上に温度制御対象とし
て載置される基板の熱は、熱電モジュールでのペルチェ
効果により上記熱電モジュールの載置用プレートとの接
触面で吸熱される。一方、その吸熱と並行して上記熱電
モジュールの冷却用プレートとの接触面に発生する熱
は、上記ペルチェ効果により冷却用プレート内の流体通
路を流れる冷却水により吸収される。このように、熱電
モジュールの冷却用プレートとの接触面に発生する熱
が、上記冷却水により継続的に吸収されることで、上記
熱電モジュールのペルチェ効果は良好な状態に保たれ
る。
【0004】しかし、上記装置では、上記基板を温度制
御対象とした場合、基板を加熱又は冷却するときの基板
に対する均熱性(つまり、基板の温度分布の均一化を図
ること)の要求度合いは極めて高い。例えば基板が半導
体ウエハの場合には、目標温度から摂氏±0.1度以下
の温度範囲内に上記半導体ウエハ全体の温度を均一化し
なければ、製品としての信頼性が損なわれる。そのた
め、上記装置では、均熱性を保つ方法の1つとして、載
置用プレート及び冷却用プレートの双方に、熱容量の大
きい部材が用いられている。しかし、載置用プレート及
び冷却用プレートは、一定の均熱性を確保する必要上
(つまり、一定の熱容量を確保する必要上)、或る程度
以上の厚みを持たざるを得ないため、その結果として上
記装置の大型化を招来するという問題が生じる。
【0005】また、上記装置では、基板に対する加熱又
は冷却を効率良く行うため、一定の熱応答性を確保する
必要もあるので、載置用プレート及び冷却用プレートの
熱伝導性を高めることが望ましいが、均熱性と熱応答性
の双方を共に良好な状態に保つことは困難であった。
【0006】従って、本発明の目的は、小型化を図るこ
とができ、且つ、均熱性と熱応答性の双方の向上を図る
ことができる温度制御装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の側面に従
う温度制御装置は、発熱又は吸熱を選択的に行う熱交換
デバイスと、各々が対向した状態で前記熱交換デバイス
を挟持するように配置されるプレート型ヒートパイプ、
及び冷却機構とを備え、ヒートパイプは、作動液の封入
された多数のパイプを有し、それら多数のパイプは連通
してパイプ網を形成し、且つ、ヒートパイプの略全面に
亘って実質的に均一な密度で配置されている。
【0008】上記構成によれば、ヒートパイプは、作動
液の封入された多数のパイプを有し、それら多数のパイ
プは連通してパイプ網を形成し、且つ、ヒートパイプの
略全面に亘って実質的に均一な密度で配置することとし
たので、装置の小型化を図ることができ、且つ、均熱性
と熱応答性の双方の向上を図ることができる。
【0009】本発明の第1の側面に係る好適な実施形態
では、多数のパイプの各々は、正多角形又は円形を呈す
るように構成されている。上述したパイプ網の網目はパ
イプ網の略全域に亘って実質的に均一の密度で配置され
ている。また、ヒートパイプにおける熱交換デバイスと
の接触面に対向する面は、平坦面に形成されている。熱
交換デバイスは、複数の熱電素子と、熱電素子の各々を
直列接続する電極と、熱電素子及び電極を挟む一対の絶
縁部材とを含んでいる。ヒートパイプと熱交換デバイ
ス、及び冷却機構と熱交換デバイスは、共に接着剤によ
って接着される。接着剤としては、例えばポリイミド樹
脂が用いられる。
【0010】本発明の第2の側面に従う温度制御装置
は、発熱又は吸熱を選択的に行う熱交換デバイスと、各
々が対向した状態で熱交換デバイスを挟持するように配
置されるプレート型ヒートパイプ、及び冷却機構とを備
え、ヒートパイプが複数の柱状放熱部材を有し、それら
の放熱部材がヒートパイプの略全面に亘って実質的に均
一な密度で配置されている。
【0011】本発明の第2の側面に係る好適な実施形態
では、ヒートパイプにおける熱交換デバイスとの接触面
に対向する面は、平坦面に形成される。熱交換デバイス
は、複数の熱電素子と、熱電素子の各々を直列接続する
電極と、熱電素子及び電極を挟む一対の絶縁部材とを含
んでいる。ヒートパイプと熱交換デバイス、及び冷却機
構と熱交換デバイスは、共に接着剤によって接着され
る。接着剤としては、例えばポリイミド樹脂が用いられ
る。また、複数の柱状放熱部材は、ヒートパイプ内部の
上下面に接している。
【0012】本発明の第3の側面に従う温度制御装置
は、発熱又は吸熱を選択的に行う熱交換デバイスと、各
々が対向した状態で熱交換デバイスを挟持するように配
置されるプレート型ヒートパイプ、及び冷却機構とを備
え、ヒートパイプは複数の薄肉の板状放熱部材を有し、
それらの放熱部材はヒートパイプの略全面に亘って実質
的に均一な密度で配置されている。
【0013】本発明の第3の側面に係る好適な実施形態
では、ヒートパイプにおける熱交換デバイスとの接触面
に対向する面は、平坦面に形成される。熱交換デバイス
は、複数の熱電素子と、熱電素子の各々を直列接続する
電極と、熱電素子及び電極を挟む一対の絶縁部材とを含
んでいる。ヒートパイプと熱交換デバイス、及び冷却機
構と熱交換デバイスは、共に接着剤によって接着され
る。接着剤としては、例えばポリイミド樹脂が用いられ
る。また、複数の薄肉の板状放熱部材は、ヒートパイプ
内部の上下面に接している。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、半導体製造工程での半導体
ウエハの温度制御に本発明を適用した実施形態を説明す
る。
【0015】半導体製造工程において、例えばレジスト
膜は、通常次のようなプロセスを経てウエハ表面に形成
される。
【0016】(1)ウエハ洗浄 (2)レジストコーティング (3)プリベーク+クーリング (4)露光 (5)現像 (6)リンス (7)ポストベーク+クーリング (8)エッチング ここで、プリベークでは、べ一キング温度は摂氏90〜
200度に設定され(プロセスによって異なる)、この
プリベークに後続するクーリングではその目標温度は摂
氏20度程度の室温に設定される。また、ポストベーク
では、ベーキング温度は摂氏100〜250度に設定さ
れ(プロセスによって異なる)、このポストベークに後
続するクーリングではその目標温度は摂氏20度程度の
室温に設定される。プリベーク+クーリング工程の次工
程は露光であり、またポストベーク+クーリング工程の
次工程はエッチングである。これら次工程にすぐに移行
できるよう、ウエハの温度分布にかなり厳しい条件が要
求される。
【0017】以下に示す実施形態は、プリベーク+クー
リング工程またはポストベーク+クーリング工程に用い
られるもので、最初にウエハを高温に加熱し(ベ一キン
グ)、その後このウエハを室温程度まで冷却する(クー
リング)というサイクルをウエハ単位に数10秒間隔で繰
り返す。従って、加熱の目標温度と冷却の目標という2
つの目標温度をもって、加熱と冷却を交互に繰り返す。
【0018】図1は、本発明の上述した実施形態に係る
温度制御装置の全体構成を示すブロック図である。
【0019】上記装置は、全体として略円筒形状を呈し
ている。上記装置は、図1に示すように、ヒートパイプ
(ヒートプレート)1と、複数の熱電モジュール3と、
冷却板5と、冷却水循環用配管系統(循環用配管系統)
7と、複数本の比較的細いピン9と、温度センサ11
と、チラー15と、ポンプ17と、バルブ機構19とを
備える。
【0020】ヒートプレート1は、全体として略円筒形
状を呈するよう、例えば円形プレート型のヒートパイプ
が採用されている。ヒートプレート1の複数箇所には、
上述したピン9が夫々ヒートプレート1を貫通した状態
で、図示しない駆動機構により上下方向に移動可能に設
けられる。上記複数本のピン9の先端部に、温度制御対
象である半導体ウエハ27を載置する。上述したベ一キ
ングやクーリングのプロセスにおいては、各ピン9の先
端部は、ヒートプレート1の上面から僅かに突出した位
置に位置決めされて上記駆動機構(図示しない)により
保持される。そのため、ウエハ27の保持される高さ位
置は、ヒートプレート1の上面から微小なエアギャップ
を隔てたヒートプレート1の直上方の位置になる。
【0021】ヒートプレート1の適宜箇所には、ヒート
プレート1の温度を検出するために上述した温度センサ
11が取付けられる。温度センサ11からの電気信号
は、温度検出信号として信号線(図示しない)を通じて熱
電モジュールコントローラ(図示しない)に出力される。
【0022】ここで、ヒートプレート1の基本的な構成
は、所定の作動液を封じ込めた空間を内部に有したプレ
ートであり、極めて高い熱伝導性と小さい熱容量とを有
する。ヒートプレート1は、その下面に接触する複数の
熱電モジュール3との間の熱交換を、ウエハ27の全面
に亘って略均一に、且つ、効率良く行えるようにする必
要がある。そのため、本実施形態では、ヒートプレート
1には厚みが薄く、且つ、ピンフィン構造を内蔵するも
のが用いられる。
【0023】冷却板5も、ヒートプレート1と同様に、
全体として略円筒形状を呈しており、冷却板5の内部に
は、図示のように、冷却水を収容するため略円柱状の空
間(冷却水収容室)29が形成されている。この冷却水
収容室29は、略円形状を呈する底板の中心部と、それ
を中心として底板上に描いた同一円周上の略等間隔の複
数の位置とに、夫々形成された複数の開口を有する。図
1では、図示と説明の都合上、底板の中心に位置する開
口は、符号29bで表し、円周上に位置する各々の開口
は、符号29a、29cで代表させることとした。収容
室29は、上記開口29a〜29cを通じて循環用配管
系統7に連通している。上記各開口の設置個数及び設置
箇所は、収容室29と循環用配管系統7との間を流れる
冷却水により熱電モジュール3からの熱を効率良く吸収
できるよう、選定されるものとする。
【0024】循環用配管系統7は、一端側が上記各開口
に夫々連通するよう図1の縦方向に延びる複数本の配管
と、これらの配管のうち、上述した中心部の開口に連通
する配管(中心配管)の他端側と、残り全部の配管の他
端側とを連通させるための図1の横方向に延びる複数本
の放射状配管とで構成される。
【0025】図1では、図示と説明の都合上、上記開口
29a〜29cに一端側が夫々接続する配管、つまり、
図1の縦方向に延びる複数の配管として、配管7a〜7
cを記載する。また、中心配管である配管7bの他端側
と、配管7a、7cの他端側とを夫々接続する複数の放
射状配管として、配管7dを記載する。
【0026】中心配管7bには、冷却機能を有するチラ
ー15、圧送機能を有するポンプ17、及び流量調整機
能と配管開閉機能とを有するバルブ機構19が夫々配置
される。各熱電モジュール3からの熱により暖められた
収容室29内の水は、ポンプ17の駆動により開口29
bから中心配管7bに導入され、チラー15により所定
値以下の水温にまで冷却された後、バルブ19及び放射
状配管7dを通じて配管7a、7cに流入し、開口29
a、29cを通じて収容室29に供給される。
【0027】各熱電モジュール3は、ヒートプレート1
の下面と冷却板5の上面との対向間隙に介設されるもの
で、複数対の接着剤シート22と、複数対の電極部材2
3と、複数個のP型熱電半導体素子及び複数個のN型熱
電半導体素子(共に熱電半導体素子として示す)25と
で構成される。
【0028】各接着剤シート22には、例えば銅電極箔
を電極部材23として担持したものが用いられ、冷却板
5の上面側に貼付される1又は複数枚の接着剤シート2
2と、ヒートプレート1の下面側に貼付される1又は複
数枚の接着剤シート22とで夫々対を構成する。冷却板
5側の各接着剤シート22は、銅電極箔23側を上面に
した状態で、冷却板5の上面に接着される。銅電極箔2
3の上面には、上記各熱電半導体素子25の一方の端面
が、夫々極めて薄い半田層(図示しない)により溶着さ
れて固定される。一方、ヒートプレート1側の各接着剤
シート22は、銅電極箔23側を下面にした状態で、ヒ
ートプレート1の下面に接着される。銅電極箔23の下
面には、上記各熱電半導体素子25の他方の端面が、夫
々極めて薄い半田層(図示しない)により溶着されて固
定される。各熱電半導体素子25と、各銅電極箔23と
でペルチェ効果による発熱又は吸熱を起こすためのπ型
直列回路を構成する。π型直列回路には、給電線(図示
しない)を通じて上述した熱電モジュールコントローラ
(図示しない)から、上記温度検出信号に基づいて制御さ
れた電流が供給される。
【0029】本実施形態において、各接着剤シート22
には、例えばポリイミド樹脂のような電気的絶縁性と耐
熱性とを有する接着剤を、薄膜状に形成したものが採用
される。各接着剤シート22は、摂氏200〜300度
程度の熱が供給されることにより、接触した物体に溶着
する性質を有する。また、上述した銅電極箔23は、各
接着剤シート22の表面に、略全面に亘って溶着した銅
箔に対しエッチングを施すことにより形成した配線パタ
ーンである。各接着剤シート22と、それに溶着される
銅電極箔23との厚みの合計値は、25μm〜1000
μm程度と薄く設定されている。
【0030】なお、本実施形態では、ヒートプレート1
を可能な限り均等に加熱/冷却するために、ヒートプレ
ート1と冷却板5との対向間隙において、上述した開口
29bを始めとする複数の開口29a、29cの設置位
置に対応するように、上記各々の熱電モジュール3が夫
々配置される。
【0031】図2は、図1に記載した冷却板5のA―A
線での断面図である。
【0032】図2に示すように、冷却板5の底板5aに
は、中心部に開口29bが形成されており、それを中心
とする同一円周上の略等間隔の複数の位置には、複数の
開口29a、 29cが形成されている。そして、夫々
破線で示すように複数の熱電モジュール3がヒートプレ
ート1と冷却板5との対向間隙に配置されている。
【0033】次に、ヒートプレート1が、例えば図1に
示した構成をとる場合の上記装置の動作を以下に説明す
る。
【0034】ウエハ27の温度を例えば摂氏150度に
して行うベーキングと、ウエハ27の温度を例えば摂氏
20度まで冷却するクーリングとが交互に実行される。
まず、レジストが塗布されたウエハ27がピン9上にヒ
ートプレート1上面から微小ギャップを介して載置さ
れ、ペルチェ効果により熱電モジュール3の上面が加熱
されてベーキングが開始される。熱電モジュール3上面
から発生する熱はヒートプレート1の下面に吸収され、
ヒートプレート1のフィン内を下面から上面へ高速に運
ばれ、ヒートプレート1の上面からウエハ27に伝達さ
れる。温度センサ11によってヒートプレート1の温度
が検出されており、その検出温度に基づいて各熱電半導
体素子25を流れる電流が調節されてウエハ27の温度
が目標温度の摂氏150度に制御される。
【0035】べ一キングが終了すると、次にクーリング
に入る。即ち、各熱電半導体素子25に、ベーキング時
とは逆方向に電流が流されるとともに、バルブ機構19
が開かれ、ポンプ17が始動して、チラー15から摂氏
20度近傍の温度の液体が開口29a、29cを通じて
収容室29に供給される。ヒートプレート1のフィンで
は上面から下面へ高速に熱が伝達され、ウエハ27の熱
がヒートプレート1に奪われる。ヒートプレート1に奪
われた熱は、熱電モジュール3上面の冷却作用により吸
収され、その際、熱電モジュール3下面に発生する熱
は、冷却板5内の収容室29を流れる液体により吸収さ
れる。冷却用の液体は熱電モジュール3下面の熱を吸収
しながら収容室29内を循環し、開口29bから配管7
bに流入する。以上のように熱電モジュール3下面に発
生する熱が冷却水により継続的に吸収されるため、π型
直列回路におけるペルチェ効果は良好な状態に維持され
る。更に、温度センサ11の検出温度に基づいて、π型
直列回路を流れる電流及び冷却用液体の温度が調節され
てウエハ27の温度が目標温度の摂氏20度に制御され
る。
【0036】クーリングが終了したウエハ27はヒート
プレート1上から取り去られ、次のレジストが塗布され
たウエハ27が同様にヒートプレート1上に置かれて、
ベーキングとクーリングの処理を受ける。
【0037】上述した一実施形態では、冷却板5として
内部に冷却水収容室29を有するものを用いることとし
たが、水冷式に限らず、空冷式の冷却板を用いることと
しても差支えない。また、冷却水収容室29及び循環配
管系統7内を流れる冷却用の液体としては水に限らず、
例えばエチレングリコールなどの要求される温度条件を
満足するものを用いても良い。また、ヒートプレート1
と各熱電モジュール3との間、及び各熱電モジュール3
と冷却板5との間を、上述した接着剤シート22と同様
の構成の接着剤シート(但し、銅電極箔23を担持して
いないもの)によって接着されるようにしても良い。
【0038】上述したヒートプレート1には、種々の構
成のものが採用し得る。以下に、その好適な構成例を説
明する。
【0039】図3は第1の構成例に係るヒートプレート
1の下面側から視た平面図、図4は図3のA−A線での
同ヒートプレート1の断面図である。
【0040】ヒートプレート1の外殻体は、概略的に、
例えば、熱伝導性の高いアルミニウムや銅などの材料の
2枚の薄板31、32を重ね合せ、両板間の所定の領域
に作動液の封入される空間(つまり、パイプ)33を形
成し、そのパイプ33以外の領域にて両板31、32を
接合したものである。図3では、ハッチングを付した領
域が接合された部分であり、ハッチングを付してない領
域がパイプ33の部分である。また、パイプ33は図4
Aに示すようにヒートプレートの片面側へ、又は図4B
に示すように両面側へ膨出しているが、その膨出したパ
イプ33の尾根を図3では一点鎖線で示している。パイ
プ33内には、所定の作動液が適当量だけ封入され、パ
イプの内壁には作動液を毛細管現象を利用して運ぶウィ
ック36が設けられている。
【0041】図3に示すように、ヒートプレート1の平
面視外形状は半導体ウエハのそれに合せて円形である
が、必ずしも円形である必要はなく、後述する他の構成
例がそうであるように、例えば正方形でもよい。要する
に、ヒートプレート1の平面外形は設計・製造に都合が
良く、且つ、ウエハ全体を均熱化するのに適したもので
あれば良い。
【0042】ヒートプレート1のパイプ33は、一点鎖
線で示した尾根の形状から分る通り、ハニカム断面のよ
うに小さい多数の正六角形パイプを繋いだ形のパイプ網
35を構成しており、ヒートプレート1の略全面に亘り
一定の密度で配置されている。なお、パイプ網35の目
(正六角形の接合部分)34は図3では一部しか図示し
てないが、実際には尾根に囲まれた全ての正六角形領域
の中心位置に存在する。目34は、ヒートプレート1の
機械的強度を高めるので、必要な機械的強度を維持しつ
つ板31、32を薄くしてヒートプレート1の熱容量を
小さくし、もって伝熱速度や均熱効果を高めるのに貢献
する。
【0043】図4Aに示すようにパイプ33が片面のみ
に膨出しているタイプのヒートプレートも、同図Bに示
すように両面に膨出しているタイプのヒートプレートも
採用できるが、望ましいのは図4Aに示す片面膨出タイ
プである。片面膨出タイプの方が機械的強度に優れると
共に、次の理由から均熱度も優れるからである。すなわ
ち、本実施形態では、片面膨出タイプのヒートプレート
1を、その平坦面を上面(ウエハ27が載置される
面)、パイプ膨出面を下面(熱電モジュール3と当たる
面)にして使用する。すると、ヒートプレート1の上面
とウエハ27との距離が一定であり、且つ、ヒートプレ
ート1の上面に沿った熱拡散性も方向や場所に左右され
ずに均一であるから、ヒートプレート1とウエハ27と
の間の熱交換が均一になり易い。また、ヒートプレート
1の高い強度も、ヒートプレート1の熱変形を抑制して
ウエハ27との距離を一定に保つのに貢献する。
【0044】ところで、ヒートプレート1のパイプ網3
5の目34の形状は必ずしも図示のように正六角形であ
る必要はなく、正方形や正三角形や円形などでもよい。
但し、高い均熱効果を得るには、パイプ33及び目34
の密度が方向や場所に左右されずにパイプ網35の全域
に亘って一定であることが望ましい。また、個々のヒー
トパイプが独立しているのではなく、パイプ網35内で
個々の場所のパイプ33は周囲の場所のパイプに連通し
ていることが望ましい。
【0045】図5は、第2の構成例に係るヒートプレー
ト1の下面側から視た平面図、図6は図5のA−A線で
の断面図である。
【0046】このヒートプレート1は、アルミニウム製
や銅製の2枚の板51、52を重ね合わせ、板51、5
2の周縁部を封止部材53で封止し、全面に亘って一定
ピッチで配列した多数の小さい点(スポット)54にて
両板51、52を接合したものである。上板51は下板
52より厚い平板であり、下板52は図6に示すように
スポット54の箇所だけ突出した形状に予め成形されて
いる。従って、両板51、52を接合すると、その略全
面に亘って、小さいスポット54を目とした均一密度の
木目細かいパイプ56の網が形成される。パイプ56内
にはウィック57が設けられ、作動液が封入されてい
る。スポット54はヒートプレート1の機械的強度を高
める役割を持つ。パイプ網の網目であるスポット54の
面積が小さいので、パイプ56の面積比が大きく、よっ
て熱拡散が速く優れた均熱効果が発揮できる。
【0047】図7は、第3の構成例に係るヒートプレー
ト1の平面図、図8は、図7のA−A線での断面図であ
る。
【0048】このヒートプレート1は、細管ヒートパイ
プと呼ばれるタイプの応用であり、ウィックは不要であ
る。図示のように、アルミニウム製や銅製の2枚の板6
1、62が間に薄い隔壁板63を挟んで接合されてい
る。2枚の板61、62の各々の接合面には、同面の略
全面に亘って一定の小さいピッチで互いに平行に走る多
数本の極めて細い溝64、65が削り込まれている。板
61の多数本の溝64は、隣接するもの同士が順次に異
なる側の端部で連結されて、全体として一本の蛇行した
溝68を形成している。板62の多数本の溝65も、同
様に連結されて全体として一本の蛇行溝69を形成して
いる。2枚の板61と62は、蛇行溝68と69が直交
する方向で接合されている。蛇行溝68と69は、隔壁
板63によってその開口が覆われるので、夫々極細の蛇
行パイプを形成する。この2本の蛇行パイプ68、69
はその両端部66、67において隔壁板63を貫通して
互いに連結され、全体として閉ループ状の蛇行パイプを
構成している。この直交し且つ連通した蛇行パイプ6
8、69も、一種のパイプ網ということができ、図7か
ら分るように、パネル面全体に亘って均一な密度でパイ
プが配置されている。
【0049】蛇行パイプ68、69内には作動液が封入
されている。蛇行パイプ68、69(溝64、65)の
内径は、作動液がその表面張力でその液層と蒸気泡とが
プラグのように蛇行パイプ68、69を塞ぐことができ
る程度の細さ(0.1mm〜数mm程度)である。
【0050】上記タイプのヒートプレート1は、図3〜
図6に示したタイプのヒートプレートとは異なる原理、
つまり、作動液とその蒸気泡の蛇行パイプ内での循環も
しくは軸方向振動によって熱を高速に輸送する。
【0051】図7、8に示したヒートプレートでは、配
列ピッチの小さい2つの蛇行パイプ68、69が互いに
直交するように重ね合わされて、パイプがパネル面全体
に亘って均一密度で木目細かく配置されたパイプ網を形
成しており、しかも、熱輸送を直交する両方向で行える
ので、優れた均熱効果が発揮できる。
【0052】図9は、ヒートプレート1の内部に設けら
れる種々のフィン構造を示す斜視図である。
【0053】図9(A)の実施例は、アルミニウム製や
銅製の薄板90が、断面四角形の波型に折り曲げられた
波型フィンである。この波型により形成される四角柱の
空間92には作動液が封入されている。波型の山93と
谷95とはヒートプレート1の外殻体の上下の内面に接
しており、薄板90がヒートプレート1を内部から支持
しているような構造になるので、ヒートプレート1の強
度が増すとともに、薄板90がヒートプレート1内面の
上下間で熱を伝える効果もあるので、ヒートプレート1
の熱伝導性が向上する。
【0054】図9(B)の実施例は、アルミニウム製や
銅製の薄板90が、断面三角形の波型に折り曲げられた
波型フィンである。この実施例においても、同図(A)
と同様に、波型の山96と谷97はヒートプレート1の
外殻体の上下の内面に接しており、その場合の効果は同
図(A)の説明で述べた効果と同様である。
【0055】なお、薄板90により形成される波型フィ
ンの断面は、同図(A)のような四角形や、同図(B)のよ
うな三角形に限らず、種々の多角形や、曲線で囲まれる
図形等、様々なバリエーションが考えられる(これは以
下の実施例、同図(C)〜(F)においても同様であ
る)。
【0056】図9(C)の実施例は、アルミニウム製や銅
製の薄板90が波型に折り曲げられ、更に、最初に折り
曲げられた波型とは違う方向に波型に折り曲げられた波
型フィンである。この実施例においても、波型フィンの
最も高い山91と最も低い谷94はヒートプレート1の
外殻体の上下の内面に接しており、その場合の効果は同
図(A)の説明で述べた効果と同様である。
【0057】図9(D)の実施例は、アルミニウム製や銅
製の薄板90を用いて波型に折り曲げられた、複数のベ
ルト状の波型フィンが、波型の山が互いにずれるように
配置されたものである。この実施例においても、同図
(A)と同様に、波型フィンの山93と谷95はヒート
プレート1の外殻体の内面に接しており、その場合の効
果は同図(A)の説明で述べた効果と同様である。
【0058】なお、図9(C)及び(D)の実施例では、作
動液は、波型の方向に拘らず、水平方向に自由に拡散す
ることが可能である。従って、より一層の均熱効果が期
待できる。
【0059】(E)の実施例は、波型を形成する薄板9
0に多数の微小の凹部98(または微小の突起または極
小の穴)が形成された波型フィンである。このような形
状とすることにより、熱伝導性及び均熱性が向上する。
この実施例は同図(A)〜(D)の実施例と併用されても
よい。
【0060】(F)の実施例は、波型を形成する薄板9
0にルーバ様の切れ込み99が形成された波形フィンで
ある。作動液は、この切れ込み99を通過してヒートプ
レート1内を自由に拡散することができる。この実施例
は同図(A)〜(D)の実施例と併用されてもよい。
【0061】図9(A)〜(F)の実施例の波型フィン
は、ヒートプレート1内にできるだけ均等に配置される
ことが望ましい。例えば、図10のように、薄板90が
形成する波型の尾根線が一定の方向に向くように配置さ
れてもよいし、また、図11のように、薄板90が形成
する波型の尾根線がヒートプレート1の中心からヒート
プレート1の外縁に向かっており、更に波型の山と山と
の間隔が広がるように配置されてもよい。ヒートプレー
ト1が四角形であれば図10のような配置が適している
であろうし、ヒートプレート1が円形であれば図11の
ような配置が適しているであろう。すなわち、ヒートプ
レート1の形状に都合が良く、且つ、ウエハ全体を均熱
化するのに適した配置であれば良い。なお、図9(A)〜
(F)のような波型フィンは、それ自体の製造やヒート
プレート1への取付が比較的容易であるという利点があ
る。
【0062】図9(G)では、 柱状放熱部材の好適な一
例であるアルミニウム製や銅製の多数のピン100が、
ヒートプレート1内に均等に配置されたものである。多
数のピン100とピン100の間は作動液で満たされ、
自由に拡散することができる。各ピン100の上端部1
01と下端部102は外殻体の上下の内面に接してお
り、多数のピン100がヒートプレート1を内部から支
持しているような構造になるので、ヒートプレート1の
強度が増すとともに、多数のピン100がヒートプレー
ト1の上下間で熱を伝える効果もあるので、ヒートプレ
ート1の熱伝導性が向上する。また、作動液はヒートプ
レート1内の空間を自由に拡散するため、ヒートプレー
ト1の上面に沿った熱拡散性も方向や場所に左右されず
に均一となり、その結果ヒートプレート1のとウエハ2
7間の熱交換が均一になり易い。なお、図9(A)〜
(G)の実施例においては、ウィックが設けられていて
も、設けられなくてもどちらでもよい。なお、図9〜図
11で示した各フィンは、ヒートプレート1内のみなら
ず、冷却板5内にも配置される。
【0063】以上のように、ヒートプレート1は、薄型
で、且つ、図3〜図9のような構造をとるため、熱応答
性及び均熱性がともに良好となる。
【0064】図12は、図11に記載した形状の薄板9
0を、ヒートプレート内に備える温度制御装置の全体構
成を示す部分破断斜視図である。
【0065】上記温度制御装置では、図12に示すよう
に、ヒートプレート1の内部に波型の尾根線を形成した
薄板90を、ヒートプレート1の中心からヒートプレー
ト1の外縁に向かうように、更に波型の山と山との間隔
が広がるように(即ち、放射状に)配置される。一方、
熱電モジュール3を挟んで冷却板5の内部にも、波型の
尾根線を形成した薄板90を、冷却板5の中心から冷却
板5の外縁に向かうように、更に波型の山と山との間隔
が広がるように(即ち、放射状に)配置される。その
他、熱電モジュール3及び循環用配管系統7の構成につ
いては、図1に示したものと同様であるので、説明を省
略する。
【0066】以上、本発明の好適な実施形態を説明した
が、本発明は上記の実施形態のみに限らず、他の種々の
形態でも実施することができるものである。例えば、こ
の温度制御装置は、上述の実施形態のような半導体ウェ
ハの処理装置だけでなく、その他各種の基板の処理装置
や、壁面やテーブル面の温度制御装置にも本発明を適用
することができる。
【0067】なお、図1に記載したヒートプレート1の
下面と冷却板5の上面との対向間隙において、冷却板5
の上面側に複数枚のセラミック板を載置し、それらの上
面に複数の熱電モジュール3を固定し、各熱電モジュー
ル3とヒートプレート1の下面との間に複数枚のセラミ
ック板を介在させる構成とすることもできる。
【0068】上記構成では、ヒートプレート1の下面及
び冷却板5の上面には、夫々グリースのような熱伝導性
の高い物質が略全面に亘って塗布され、且つ、複数本の
ボルトによる締付けによって、複数の熱電モジュール及
び複数枚のセラミック板を挟み込んだヒートプレート1
及び冷却板5が、圧接状態で固定される。このように、
複数本のボルトの締付けによって、ヒートプレート1、
各熱電モジュール3及び冷却板5が外部からかなり大き
な力を受けるため、これら各部には、ボルトの締付けに
耐え得る程度の強度を有するものを使用する必要があ
る。
【0069】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
小型化を図ることが可能き、且つ、均熱性と熱応答性の
双方の向上を図ることが可能な温度制御装置を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る温度制御装置の全体
構成を示すブロック図。
【図2】図1の冷却板のA―A線での断面図。
【図3】第1の構成例に係るヒートプレートの下面側か
ら視た平面図。
【図4】図3のA−A線でのヒートプレートの断面図。
【図5】第2の構成例に係るヒートプレートの下面側か
ら視た平面図。
【図6】図5のA−A線での断面図。
【図7】第3の構成例に係るヒートプレートの平面図。
【図8】図7のA−A線での断面図。
【図9】ヒートプレート内に設けられる種々のフィン構
造を示す斜視図。
【図10】波型フィンの形状の一例を示す斜視図。
【図11】波型フィンの形状の一例を示す斜視図。
【図12】図11に記載の薄板を、ヒートプレート内に
備える温度制御装置の全体構成を示す部分破断斜視図。
【符号の説明】
1 ヒートパイプ(ヒートプレート) 3 熱電モジュール 5 冷却板 7 冷却水循環用配管系統(循環用配管系統) 9 ピン 11 温度センサ 13 ボルト 15 チラー 17 ポンプ 19 バルブ 21 セラミック板 22 接着剤シート 23 銅電極箔 25 熱電半導体素子(P型、N型の双方の熱電半導体
素子を含む) 27 半導体ウエハ 29 冷却水収容室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 門谷 ▲かん▼一 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 Fターム(参考) 5F046 KA04 5H323 AA05 BB04 BB11 CA06 CB12 CB22 CB29 CB32 CB33 CB40 CB44 DA03 DB13 DB15

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発熱又は吸熱を選択的に行う熱交換デバ
    イスと、 各々が対向した状態で前記熱交換デバイスを挟持するよ
    うに配置されるプレート型ヒートパイプ、及び冷却機構
    とを備え、 前記ヒートパイプが、作動液の封入された多数のパイプ
    を有し、それら多数のパイプは連通してパイプ網を形成
    し、且つ、前記ヒートパイプの略全面に亘って実質的に
    均一な密度で配置されている温度制御装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のものにおいて、 前記多数のパイプの各々が、正多角形又は円形である温
    度制御装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のものにおいて、 前記パイプ網の網目が前記パイプ網の略全域に亘って実
    質的に均一の密度で配置されている温度制御装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載のものにおいて、 前記ヒートパイプにおける前記熱交換デバイスとの接触
    面に対向する面が、平坦面である温度制御装置。
  5. 【請求項5】 請求項1記載のものにおいて、 前記熱交換デバイスが、複数の熱電素子と、前記熱電素
    子の各々を直列接続する電極と、前記熱電素子及び前記
    電極を挟む一対の絶縁部材とを含む温度制御装置。
  6. 【請求項6】 請求項1記載のものにおいて、 前記ヒートパイプと前記熱交換デバイス、及び前記冷却
    機構と前記熱交換デバイスが、共に接着剤によって接着
    される温度制御装置。
  7. 【請求項7】 請求項6記載のものにおいて、 前記接着剤が、ポリイミド樹脂である温度制御装置。
  8. 【請求項8】 発熱又は吸熱を選択的に行う熱交換機構
    と、 各々が対向した状態で前記熱交換デバイスを挟持するよ
    うに配置されるプレート型ヒートパイプ、及び冷却機構
    とを備え、 前記ヒートパイプが複数の柱状放熱部材を有し、それら
    の放熱部材が前記ヒートパイプの略全面に亘って実質的
    に均一な密度で配置されている温度制御装置。
  9. 【請求項9】 請求項8記載のものにおいて、 前記ヒートパイプにおける前記熱交換デバイスとの接触
    面に対向する面が、平坦面である温度制御装置。
  10. 【請求項10】 請求項8記載のものにおいて、 前記熱交換デバイスが、複数の熱電素子と、前記熱電素
    子の各々を直列接続する電極と、前記熱電素子及び前記
    電極を挟む一対の絶縁部材とを含む温度制御装置。
  11. 【請求項11】 請求項8記載のものにおいて、 前記ヒートパイプと前記熱交換デバイス、及び前記冷却
    機構と前記熱交換デバイスが、共に接着剤によって接着
    される温度制御装置。
  12. 【請求項12】 請求項11記載のものにおいて、 前記接着剤が、ポリイミド樹脂である温度制御装置。
  13. 【請求項13】 請求項8記載のものにおいて、 前記複数の柱状放熱部材が、前記ヒートパイプ内部の上
    下面に接している温度制御装置。
  14. 【請求項14】 発熱又は吸熱を選択的に行う熱交換デ
    バイスと、 各々が対向した状態で前記熱交換デバイスを挟持するよ
    うに配置されるプレート型ヒートパイプ、及び冷却機構
    とを備え、 前記ヒートパイプが複数の薄肉の板状放熱部材を有し、
    それらの放熱部材が前記ヒートパイプの略全面に亘って
    実質的に均一な密度で配置されている温度制御装置。
  15. 【請求項15】 請求項14記載のものにおいて、 前記ヒートパイプにおける前記熱交換デバイスとの接触
    面に対向する面が、平坦面である温度制御装置。
  16. 【請求項16】 請求項14記載のものにおいて、 前記熱交換デバイスが、複数の熱電素子と、前記熱電素
    子の各々を直列接続する電極と、前記熱電素子及び前記
    電極を挟む一対の絶縁部材とを含む温度制御装置。
  17. 【請求項17】 請求項14記載のものにおいて、 前記ヒートパイプと前記熱交換デバイス、及び前記冷却
    機構と前記熱交換デバイスが、共に接着剤によって接着
    される温度制御装置。
  18. 【請求項18】 請求項17記載のものにおいて、 前記接着剤が、ポリイミド樹脂である温度制御装置。
  19. 【請求項19】 請求項14記載のものにおいて、 前記複数の薄肉の板状放熱部材が、前記ヒートパイプ内
    部の上下面に接している温度制御装置。
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