JP2000167573A - 染料を含む排水の処理方法およびその処理装置 - Google Patents
染料を含む排水の処理方法およびその処理装置Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02W10/30—Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies
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- Catalysts (AREA)
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- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】光触媒半導体粒子の強い還元力や酸化力を利用
した排水処理方法とその装置を提供する。 【解決手段】本発明の排水処理方法は、染料を含む排水
に光触媒半導体を添加し、それに太陽光および／または
紫外線を照射して排水の処理を行なう。また、他の態様
は、光触媒半導体を壁面にコーティングしてなる排水処
理槽に染料を含む排水を入れて太陽光および／または紫
外線を照射して排水の処理を行なう。本発明の排水処理
装置は、光触媒半導体を添加した排水を攪拌することが
できる攪拌手段３と該光触媒半導体と処理後の排水とを
区別することができる濾過分離手段５とを有する。ま
た、他の態様は、排水処理槽が光触媒半導体をコーティ
ングした壁面および／または整流板を有する。
した排水処理方法とその装置を提供する。 【解決手段】本発明の排水処理方法は、染料を含む排水
に光触媒半導体を添加し、それに太陽光および／または
紫外線を照射して排水の処理を行なう。また、他の態様
は、光触媒半導体を壁面にコーティングしてなる排水処
理槽に染料を含む排水を入れて太陽光および／または紫
外線を照射して排水の処理を行なう。本発明の排水処理
装置は、光触媒半導体を添加した排水を攪拌することが
できる攪拌手段３と該光触媒半導体と処理後の排水とを
区別することができる濾過分離手段５とを有する。ま
た、他の態様は、排水処理槽が光触媒半導体をコーティ
ングした壁面および／または整流板を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、染料を含む排水の
処理方法と処理装置に関する。
処理方法と処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】染色工場で排水処理する場合、人の目に
明らかである着色廃液が、常に環境問題の課題となって
おり、種々の対策を取りつつ現在に至っている。特に、
近年の合成染料・化学薬剤の発達により、製品の品質・
機能は格段に向上したものの、環境破壊につながる排出
物が増加しているのも事実であり、その対応に努力が注
がれている。
明らかである着色廃液が、常に環境問題の課題となって
おり、種々の対策を取りつつ現在に至っている。特に、
近年の合成染料・化学薬剤の発達により、製品の品質・
機能は格段に向上したものの、環境破壊につながる排出
物が増加しているのも事実であり、その対応に努力が注
がれている。
【０００３】染色工程から出る着色廃液は、通常、活性
汚泥処理装置、脱色装置、ｐＨ管理装置を通り河川へ排
出されている。
汚泥処理装置、脱色装置、ｐＨ管理装置を通り河川へ排
出されている。
【０００４】かかる着色廃液の色を消失させる消色装置
には、たとえば、過酸化水素、オゾン、硫酸銅、紫外線
などによって処理する方法が採用されているが、使用し
た薬剤やその薬剤から生じた化合物が被処理水中に残留
するなどといった問題があった。
には、たとえば、過酸化水素、オゾン、硫酸銅、紫外線
などによって処理する方法が採用されているが、使用し
た薬剤やその薬剤から生じた化合物が被処理水中に残留
するなどといった問題があった。
【０００５】一方、酸化チタンなどの光触媒半導体粒子
にそのバンドキャップ以上のエネルギーを持つ波長の光
を照射すると、光励起により伝導帯に電子を価電子帯に
正孔を生じるが、この光励起して生じた電子の持つ強い
還元力や正孔の持つ強い酸化力を利用して、特開平７−
１４８４３４号公報には、植物プランクトンの発生抑
止、カビ臭さの減退、魚類に有毒なＮＨ4、ＮＯ2の除去
などに利用する水の浄化方法が提案されているが、染料
を含む排水の効率的な処理方法およびその装置について
は何ら開示がされていない。
にそのバンドキャップ以上のエネルギーを持つ波長の光
を照射すると、光励起により伝導帯に電子を価電子帯に
正孔を生じるが、この光励起して生じた電子の持つ強い
還元力や正孔の持つ強い酸化力を利用して、特開平７−
１４８４３４号公報には、植物プランクトンの発生抑
止、カビ臭さの減退、魚類に有毒なＮＨ4、ＮＯ2の除去
などに利用する水の浄化方法が提案されているが、染料
を含む排水の効率的な処理方法およびその装置について
は何ら開示がされていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の問題
を解決し、光触媒半導体粒子の強い還元力や酸化力を利
用した排水処理方法とその装置を提供することを目的と
する。
を解決し、光触媒半導体粒子の強い還元力や酸化力を利
用した排水処理方法とその装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の排水処理方法の一態様は、染料を含む排水に光触媒
半導体を添加し、それに太陽光および／または紫外線を
照射する排水処理方法である。
明の排水処理方法の一態様は、染料を含む排水に光触媒
半導体を添加し、それに太陽光および／または紫外線を
照射する排水処理方法である。
【０００８】また、本発明の排水処理方法の他の態様
は、光触媒半導体を壁面にコーティングしてなる排水処
理槽に染料を含む排水を入れて太陽光および／または紫
外線を照射する排水処理方法である。
は、光触媒半導体を壁面にコーティングしてなる排水処
理槽に染料を含む排水を入れて太陽光および／または紫
外線を照射する排水処理方法である。
【０００９】本発明の排水処理装置の一態様は、光触媒
半導体を添加した排水を攪拌することができる攪拌手
段、太陽光および／または紫外線を照射することができ
る光源、および該光触媒半導体と処理後の排水とを区別
することができる濾過分離手段とを有する排水処理装置
である。
半導体を添加した排水を攪拌することができる攪拌手
段、太陽光および／または紫外線を照射することができ
る光源、および該光触媒半導体と処理後の排水とを区別
することができる濾過分離手段とを有する排水処理装置
である。
【００１０】また、本発明の排水処理方法の他の態様
は、太陽光および／または紫外線を照射することができ
る光源、および排水処理槽が光触媒半導体をコーティン
グした壁面および／または整流板を有する排水処理装置
である。
は、太陽光および／または紫外線を照射することができ
る光源、および排水処理槽が光触媒半導体をコーティン
グした壁面および／または整流板を有する排水処理装置
である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】図１は本発明の一例を示す排水処理装置の
模式図であり、１は着色排水が調整槽から流れてくる入
り口であり、２は排水が処理された後に排出される出口
である。
模式図であり、１は着色排水が調整槽から流れてくる入
り口であり、２は排水が処理された後に排出される出口
である。
【００１３】本発明に用いられる排水は、主として染色
加工場から排出される、染料を含む排水である。
加工場から排出される、染料を含む排水である。
【００１４】排水は、入り口１から入り、ある量貯水し
た後で、光触媒半導体の粒体を添加する。
た後で、光触媒半導体の粒体を添加する。
【００１５】本発明において、光触媒とは、光により励
起され強い酸化、還元力によって有機物、染料などを酸
化分解する特性を有するものであり、具体的には、アナ
ターゼ型、ルチル型と呼ばれる結晶型の構造を持つもの
をいう。優れた光触媒活性を有する点からアナターゼ型
が好ましい。
起され強い酸化、還元力によって有機物、染料などを酸
化分解する特性を有するものであり、具体的には、アナ
ターゼ型、ルチル型と呼ばれる結晶型の構造を持つもの
をいう。優れた光触媒活性を有する点からアナターゼ型
が好ましい。
【００１６】本発明で用いる光触媒半導体は、チタンと
ケイ素の複合酸化物、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｒＴｉＯ3、
ＣｄＳ、ＣｄＯ、ＣａＰ、ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｏ3、ＣａＡ
ｓ、ＢａＴｉＯ3、Ｋ2ＮｂＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、
ＷＯ3、ＳｂＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ2Ｏ、Ｓｉ
Ｃ、ＳｉＯ2、ＭｏＳ2、ＭｏＳ3、ＩｎＰｂ、ＲｕＯ2お
よびＣｅＯ2から選ばれた少なくとも１種または２種以
上を組み合わせて用いることができる。特に、高い光触
媒作用を有し、化学的に安定であり、かつ、無害である
酸化チタン系化合物がより好ましい。かかる酸化チタン
系化合物とは、いわゆる酸化チタンのほか、チタンとケ
イ素の複合酸化物、含水酸化チタン、水和酸化チタン、
水酸化チタン、メタチタン酸およびオルトチタン酸から
選ばれた少なくとも１種を使用することができる。
ケイ素の複合酸化物、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｒＴｉＯ3、
ＣｄＳ、ＣｄＯ、ＣａＰ、ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｏ3、ＣａＡ
ｓ、ＢａＴｉＯ3、Ｋ2ＮｂＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、
ＷＯ3、ＳｂＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ2Ｏ、Ｓｉ
Ｃ、ＳｉＯ2、ＭｏＳ2、ＭｏＳ3、ＩｎＰｂ、ＲｕＯ2お
よびＣｅＯ2から選ばれた少なくとも１種または２種以
上を組み合わせて用いることができる。特に、高い光触
媒作用を有し、化学的に安定であり、かつ、無害である
酸化チタン系化合物がより好ましい。かかる酸化チタン
系化合物とは、いわゆる酸化チタンのほか、チタンとケ
イ素の複合酸化物、含水酸化チタン、水和酸化チタン、
水酸化チタン、メタチタン酸およびオルトチタン酸から
選ばれた少なくとも１種を使用することができる。
【００１７】かかる光触媒半導体の粒子径は、大きすぎ
たり、比表面積が小さすぎたりすると、有機物、特に細
菌に対する分解速度が低下する傾向があるので、粒子径
としては、２０ｎｍ以下で比表面積が１００〜３００ｍ
2／ｇであるものが好ましく使用される。ここでいう光
触媒半導体の粒子径は、粉末Ｘ線解析で得られるピーク
の反値幅より下記のシェーラーの式を用いて求められる
ものである。
たり、比表面積が小さすぎたりすると、有機物、特に細
菌に対する分解速度が低下する傾向があるので、粒子径
としては、２０ｎｍ以下で比表面積が１００〜３００ｍ
2／ｇであるものが好ましく使用される。ここでいう光
触媒半導体の粒子径は、粉末Ｘ線解析で得られるピーク
の反値幅より下記のシェーラーの式を用いて求められる
ものである。
【００１８】Ｌｃ＝０．９λ／（Ｗ・ｃｏｓθ） （Ｌｃは粒子径（ｎｍ）であり、λはＸ線の波長（ｎ
ｍ）であり、Ｗはピークの反値幅（ｒａｄ）であり、θ
はピーク位置の角度である。） 光触媒半導体の排水に対する含有量は、少なすぎると染
料などの有機物の分解速度が低下し、十分な性能が得ら
れなかったり、また、多すぎると光触媒自体の回収が困
難となり、実用的でなくなるため、排水に対する含有量
は、好ましくは０．１０〜１０ｇ／ｌ、より好ましくは
０．２〜０．５ｇ／ｌの範囲である。
ｍ）であり、Ｗはピークの反値幅（ｒａｄ）であり、θ
はピーク位置の角度である。） 光触媒半導体の排水に対する含有量は、少なすぎると染
料などの有機物の分解速度が低下し、十分な性能が得ら
れなかったり、また、多すぎると光触媒自体の回収が困
難となり、実用的でなくなるため、排水に対する含有量
は、好ましくは０．１０〜１０ｇ／ｌ、より好ましくは
０．２〜０．５ｇ／ｌの範囲である。
【００１９】また、かかる光触媒半導体に、鉄、コバル
ト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、銀、金、白金などの他金属あるいは他金属の化
合物を含有させてもよく、特に好ましくは酸化亜鉛およ
び／または水酸化亜鉛を担持した酸化チタン系化合物
が、有害物質に吸着能力と光触媒作用による分解能力を
併せもった優れた効果を有するものである。
ト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、銀、金、白金などの他金属あるいは他金属の化
合物を含有させてもよく、特に好ましくは酸化亜鉛およ
び／または水酸化亜鉛を担持した酸化チタン系化合物
が、有害物質に吸着能力と光触媒作用による分解能力を
併せもった優れた効果を有するものである。
【００２０】光触媒半導体の粒体を排水に添加した後、
プロペラ式の攪拌装置３により光触媒半導体を均一に分
散させ、太陽光および／または紫外線を照射できるラン
プ４を用いて光を照射させる。
プロペラ式の攪拌装置３により光触媒半導体を均一に分
散させ、太陽光および／または紫外線を照射できるラン
プ４を用いて光を照射させる。
【００２１】本発明における攪拌装置３は特に限定され
ず、粒子径が１〜２０ｎｍである粒体を均一に分散でき
るものであればよい。
ず、粒子径が１〜２０ｎｍである粒体を均一に分散でき
るものであればよい。
【００２２】紫外線を照射できるランプ４は、たとえ
ば、蛍光灯、ブラックランプ、キセノンフラッシュラン
プ、水銀灯などの光が挙げられる。特に、３００〜４０
０nmの近紫外線を含有した光が望ましい。
ば、蛍光灯、ブラックランプ、キセノンフラッシュラン
プ、水銀灯などの光が挙げられる。特に、３００〜４０
０nmの近紫外線を含有した光が望ましい。
【００２３】かかる処理をした後、被処理水と光触媒半
導体の流体を区分するために濾過装置５を通して次の槽
へと移す。
導体の流体を区分するために濾過装置５を通して次の槽
へと移す。
【００２４】図２は、本発明の他の一例を示す排水処理
装置の模式図である。
装置の模式図である。
【００２５】図２においては、光触媒半導体の粒体が壁
面６および整流板７にコーティングされており、排水を
貯水した後、ランプ４を用いて光を照射させる。処理し
た後は、排水を出口２を通って次の槽へと移す。
面６および整流板７にコーティングされており、排水を
貯水した後、ランプ４を用いて光を照射させる。処理し
た後は、排水を出口２を通って次の槽へと移す。
【００２６】壁面または整流板へのコーティング方法
は、特に限定されないが、排水処理装置の壁面および整
流板に酸化チタンゾルを塗布あるいは吹き付けて焼成す
ればよい。この焼成により光触媒半導体を壁面に強固に
接着させることができる。焼成は１００℃以上、好まし
くは２００〜１０００℃、特に好ましくは４５０〜８０
０℃の温度で行う。
は、特に限定されないが、排水処理装置の壁面および整
流板に酸化チタンゾルを塗布あるいは吹き付けて焼成す
ればよい。この焼成により光触媒半導体を壁面に強固に
接着させることができる。焼成は１００℃以上、好まし
くは２００〜１０００℃、特に好ましくは４５０〜８０
０℃の温度で行う。
【００２７】紫外線を含有した光の照射量や照射時間な
どは被処理水の染料の濃度により適宜設定することがで
きる。
どは被処理水の染料の濃度により適宜設定することがで
きる。
【００２８】
【実施例】以下に染料を含む排水の処理方法をモデル的
に実施したものを示す。 （吸光度の測定方法）株式会社日立製作所製Ｕ−３４０
０形磁気分光光度計を用いて測定した。 （染料と光触媒の混合液の調合）５００ｍｌビーカに染
料として分散染料（ダイアニックス レッド ＢＮ−Ｓ
Ｅ）を０．０１ｇ／ｌの濃度になるように入れた。次
に、光触媒機能性のあるチタンとケイ素の複合酸化物
（ＳＸ−Ｔ１（日本触媒（株）製））を、０．２５ｇ／
ｌになるように入れ、全量を３００ｍｌに調合し、これ
を排水とみなした。
に実施したものを示す。 （吸光度の測定方法）株式会社日立製作所製Ｕ−３４０
０形磁気分光光度計を用いて測定した。 （染料と光触媒の混合液の調合）５００ｍｌビーカに染
料として分散染料（ダイアニックス レッド ＢＮ−Ｓ
Ｅ）を０．０１ｇ／ｌの濃度になるように入れた。次
に、光触媒機能性のあるチタンとケイ素の複合酸化物
（ＳＸ−Ｔ１（日本触媒（株）製））を、０．２５ｇ／
ｌになるように入れ、全量を３００ｍｌに調合し、これ
を排水とみなした。
【００２９】実施例１ 前記混合液を太陽光の下、静置した。
【００３０】実施例２ 前記混合液を紫外線ランプの下、静置した。
【００３１】実施例３ 前記混合液をマグネットスターラーにより、攪拌しなが
ら太陽光の下に放置した。その後、濾過吸引装置を用い
て光触媒半導体を取り除いた。
ら太陽光の下に放置した。その後、濾過吸引装置を用い
て光触媒半導体を取り除いた。
【００３２】実施例４ 前記した混合液をマグネットスターラーにより、攪拌し
ながら紫外線ランプの下に放置した。その後、濾過吸引
装置を用いて光触媒半導体を取り除いた。
ながら紫外線ランプの下に放置した。その後、濾過吸引
装置を用いて光触媒半導体を取り除いた。
【００３３】比較例１ 染料だけを調合し、マグネットスターラーにより、攪拌
しながら太陽光の下に放置した。
しながら太陽光の下に放置した。
【００３４】比較例２ 染料だけを調合し、マグネットスターラーにより、攪拌
しながら紫外線ランプの下に放置した。
しながら紫外線ランプの下に放置した。
【００３５】表から明らかなように、実施例１〜４のも
のは、比較例１，２のものに比べて光触媒機能により染
料が分解され、消色された。また、実施例１、２のもの
と実施例３、４のものを比べると後者の方が消色効果と
して優れていることがわかる。
のは、比較例１，２のものに比べて光触媒機能により染
料が分解され、消色された。また、実施例１、２のもの
と実施例３、４のものを比べると後者の方が消色効果と
して優れていることがわかる。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、光触媒半導体の機能性
により染料を分解し消色することができる。これにより
従来のオゾンや塩素などを使用する方法よりも安全性に
優れ、かつ、染料だけでなく適応できる有害物質の範囲
が広く、廃棄しても環境を汚さないため、産業的に極め
て有用なものである。
により染料を分解し消色することができる。これにより
従来のオゾンや塩素などを使用する方法よりも安全性に
優れ、かつ、染料だけでなく適応できる有害物質の範囲
が広く、廃棄しても環境を汚さないため、産業的に極め
て有用なものである。
【図１】本発明の染料排水処理装置の一例を示す模式断
面図
面図
【図２】本発明の染料排水処理装置の一例を示す模式断
面図
面図
１：排水の入り口 ２：出口 ３：攪拌装置 ４：紫外線を照射できるランプ ５：濾過装置 ６：壁面 ７：整流板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０２Ｆ 1/58 ＣＣＲ Ｃ０２Ｆ 1/58 ＣＣＲＤ Ｆターム(参考） 4D037 AA13 AB05 BA18 BB09 CA02 4D038 AA08 AB03 BA02 BB07 BB17 4D050 AA13 AB03 BC04 BC06 BC09 BD02 CA15 4G069 AA01 AA08 BA04A BA04B BA48A BC03A BC09A BC12A BC13A BC18A BC21A BC25A BC26A BC27A BC31A BC35A BC36A BC43A BC55A BC56A BC59A BC60A BC66A BC68A BC70A BD04A BD05A BD07A BD08A CA05 CA11 EB18X EC22X FB23
Claims (12)
- 【請求項１】染料を含む排水に光触媒半導体を添加し、
それに太陽光および／または紫外線を照射することを特
徴とする排水処理方法。 - 【請求項２】光触媒半導体を壁面にコーティングしてな
る排水処理槽に染料を含む排水を入れて太陽光および／
または紫外線を照射することを特徴とする排水処理方
法。 - 【請求項３】該光触媒半導体が、チタンとケイ素からな
る複合酸化物、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｒＴｉＯ3、Ｃｄ
Ｓ、ＣｄＯ、ＣａＰ、ＩｎＰ、Ｉｎ2Ｏ3、ＣａＡｓ、Ｂ
ａＴｉＯ3、Ｋ2ＮｂＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＷＯ3、
ＳｂＯ2、Ｂｉ2Ｏ 3、ＮｉＯ、Ｃｕ2Ｏ、ＳｉＣ、ＳｉＯ
2、ＭｏＳ2、ＭｏＳ3、ＩｎＰｂ、ＲｕＯ2およびＣｅＯ
2から選ばれた少なくとも１種である請求項１または２
に記載の排水処理方法。 - 【請求項４】該光触媒半導体が酸化チタン系化合物であ
る請求項１〜３いずれかに記載の排水処理方法。 - 【請求項５】該光触媒半導体がアナターゼ型結晶形を有
するものである請求項１〜４いずれかに記載の排水処理
方法。 - 【請求項６】該光触媒半導体の微粒子の粒子径が１〜２
０ｎｍである請求項１〜５いずれかに記載の排水処理方
法。 - 【請求項７】光触媒半導体を添加した排水を攪拌するこ
とができる攪拌手段、太陽光および／または紫外線を照
射することができる光源、および該光触媒半導体と処理
後の排水とを区別することができる濾過分離手段とを有
することを特徴とする排水処理装置。 - 【請求項８】太陽光および／または紫外線を照射するこ
とができる光源、および排水処理槽が光触媒半導体をコ
ーティングした壁面および／または整流板を有すること
を特徴とする排水処理装置。 - 【請求項９】染料を含む排水の消色をすることを特徴と
する請求項７または８記載の排水処理装置。 - 【請求項１０】該光触媒半導体が酸化チタン系化合物で
ある請求項７〜９いずれかに記載の排水処理装置。 - 【請求項１１】該光触媒半導体がアナターゼ型結晶形を
有するものである請求項７〜１０いずれかに記載の排水
処理装置。 - 【請求項１２】該光触媒半導体の微粒子の粒子径が１〜
２０ｎｍである請求項７〜１１いずれかに記載の排水処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34606098A JP2000167573A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 染料を含む排水の処理方法およびその処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34606098A JP2000167573A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 染料を含む排水の処理方法およびその処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000167573A true JP2000167573A (ja) | 2000-06-20 |
Family
ID=18380875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34606098A Pending JP2000167573A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 染料を含む排水の処理方法およびその処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000167573A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102513141A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-06-27 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种光催化剂及其制备方法和应用 |
| WO2013090518A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Xylem Ip Holdings Llc | Waste water installation and method for reducing high content of harmful fluids in waste water |
| CN110787619A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-14 | 耒阳金悦科技发展有限公司 | 一种化工生产的污水处理设备 |
| CN114849739A (zh) * | 2021-02-03 | 2022-08-05 | 威水星空（北京）环境技术有限公司 | 一种铁硼硫化钼复合多孔催化剂及其制备方法与应用 |
-
1998
- 1998-12-04 JP JP34606098A patent/JP2000167573A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102513141A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-06-27 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种光催化剂及其制备方法和应用 |
| WO2013090518A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Xylem Ip Holdings Llc | Waste water installation and method for reducing high content of harmful fluids in waste water |
| CN110787619A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-14 | 耒阳金悦科技发展有限公司 | 一种化工生产的污水处理设备 |
| CN110787619B (zh) * | 2019-11-22 | 2021-11-12 | 湖南衡兴环保科技开发有限公司 | 一种化工生产的污水处理设备 |
| CN114849739A (zh) * | 2021-02-03 | 2022-08-05 | 威水星空（北京）环境技术有限公司 | 一种铁硼硫化钼复合多孔催化剂及其制备方法与应用 |
| CN114849739B (zh) * | 2021-02-03 | 2023-08-18 | 威水星空（北京）环境技术有限公司 | 一种铁硼硫化钼复合多孔催化剂及其制备方法与应用 |
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