JP2000165174A - チューナ回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、特定周波数より低いローエンド付近
では、そのゲインを減衰させるダンピングレベルが少な
く、又、前記特定の周波数より高いハイエンド付近で
は、そのゲインを減衰させるダンピングレベルが大きく
なるようなダンピング効果を働かせることができる帯域
通過フィルタを備えたチューナ回路を提供することを目
的とする。 【解決手段】コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１を直列に接続し
て構成された回路を、そのコンデンサＣ１側の一端をコ
イルＬ１，Ｌ２の接続点に接続し、その抵抗Ｒ１側の他
端をコイルＬ２の他端に接続することによって、周波数
特性を持ったダンピング回路を帯域通過フィルタ内に形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放送局から送信さ
れる放送を受信する受信機及びそのチューナ回路に関す
るもので、特にテレビ放送を受信するテレビジョン受信
機やビデオテープレコーダ等の電子機器及び該電子機器
に内蔵されるチューナ回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より使用されているチューナ回路の
内部構造及びその動作について、図面を参照にして説明
する。図１は、チューナ回路の内部構成を示すブロック
図である。図４は、該チューナ回路内の帯域通過フィル
タ（ＢＰＦ：Band Pass Filter）となる可変同調回路の
回路構成を示す回路図である。

【０００３】図１のチューナ回路は、アンテナ回路（不
図示）で受信した信号が入力される入力端子１と、該入
力端子１と接続されるＨＰＦ（High Pass Filter）２及
びＬＰＦ（Low Pass Filter）３と、ＨＰＦ２，ＬＰＦ
３のそれぞれに接続される可変同調回路であるＢＰＦ
（Band Pass Filter）４，５と、ＢＰＦ４，５のそれぞ
れに接続されるアンプ回路６，７と、アンプ回路６，７
のそれぞれに接続されるＢＰＦ８，９と、ＢＰＦ８，９
と接続されるとともにＢＰＦ８又はＢＰＦ９の出力と局
部発振回路１１からの出力を合成するミキサ回路１０
と、該ミキサ回路１０の出力を増幅するアンプ回路１２
と、該アンプ回路１２と接続されるＢＰＦ１３と、該Ｂ
ＰＦ１３から出力される信号を中間周波数信号（ＩＦ信
号）として出力する出力端子１４とから構成される。

【０００４】アンテナ回路によって同調された高周波信
号（ＲＦ信号）のうち、周波数帯の低いＶＨＦ周波数帯
域の信号と周波数帯の高いＵＨＦ周波数帯域の信号が、
それぞれＨＰＦ２，ＬＰＦ３によって分けられる。この
ようにして分けられたＵＨＦ周波数帯域の信号及びＶＨ
Ｆ周波数帯域の信号は、それぞれＢＰＦ４，５を通るこ
とによって使用者の希望するチャンネルの周波数帯のＲ
Ｆ信号が選択されるとともに、アンプ回路６，７によっ
てそのレベルが増幅される。このようにアンプ回路６，
７によってそれぞれレベルが増幅された前記ＵＨＦ周波
数帯域の信号及び前記ＶＨＦ周波数帯域の信号は、再び
ＢＰＦ８，９を通ることによって更にその選択される信
号が制限される。

【０００５】このように使用者の希望するチャンネルの
周波数帯が選択されたＵＨＦ周波数帯域の信号及びＶＨ
Ｆ周波数帯域の信号は、ミキサ回路１０で局部発振回路
１１から入力される信号と合成されてＩＦ信号として出
力される。このＩＦ信号が更にアンプ回路１２で増幅さ
れるとともに、ＢＰＦ１３によって更にその周波数帯が
制限されたＩＦ信号として出力端子１４を介して出力さ
れる。

【０００６】このようなチューナ回路に設けられた複数
のＢＰＦのうち、ＶＨＦ周波数帯域の信号が入力される
ＢＰＦ５，９の回路図を図４に示し、この回路図をもと
に従来使用されているチューナ回路内のＢＰＦについて
説明する。

【０００７】図４に示すＢＰＦは、入力端子２１と、Ｖ
ＨＦ周波数帯域の信号のうち低い周波数帯域であるＶＬ
バンド内のチャンネルが選択されたときにＨｉｇｈ信号
が入力されるＶＬ端子２２と、ＶＨＦ周波数帯域の信号
のうち高い周波数帯域であるＶＨバンド内のチャンネル
が選択されたときにＨｉｇｈ信号が入力されるＶＨ端子
２３と、入力端子２１に接続されたコイルＬ１，Ｌ３
と、コイルＬ１と直列に接続されるコイルＬ２と、コイ
ルＬ３と直列に接続されるＬ４と、コイルＬ１，Ｌ２の
接続点Ａに一端が接続されるとともに他端がコイルＬ
３，Ｌ４の接続点Ｂと接続された抵抗Ｒａと、一端がコ
イルＬ４と接続されるとともに他端が接地されたコンデ
ンサＣ２と、一端がコイルＬ４と接続されるとともに他
端がＶＬ端子２２と接続される抵抗Ｒ２と、接続点Ａに
カソードが接続されるダイオードＤ１と、接続点Ｂにカ
ソードが接続されるダイオードＤ２とを有している。

【０００８】更に、このようなＢＰＦは、ダイオードＤ
１，Ｄ２のアノードの接続点に一端が接続されるととも
に他端がＶＨ端子２３と接続される抵抗Ｒ３と、コイル
Ｌ２と一端が接続されるとともに他端が出力端子２５と
接続されるコンデンサＣ４と、コイルＬ２とコンデンサ
Ｃ４の接続部に接続されるコンデンサＣ３と、カソード
がコンデンサＣ３と接続されるとともにアノードが接地
される可変容量バリキャップダイオードＤ３と、ダイオ
ードＤ３の容量を変化させるために同調電圧ＶＴが入力
される端子２４と、一端がコンデンサＣ３とダイオード
Ｄ３の接続部に接続されるとともに他端が端子２４と接
続される抵抗Ｒ４とから構成されている。

【０００９】上記のように構成されたＢＰＦは、ＶＬバ
ンド内のチャンネルが選択されたとき、ＶＬ端子２２に
Ｈｉｇｈの信号が、ＶＨ端子２３にＬｏｗの信号が、そ
れぞれ入力される。よって、ダイオードＤ１，Ｄ２は導
通せず、抵抗Ｒａがダンピング抵抗として動作する。こ
こで、ダンピング抵抗Ｒａについて、図面を参照にして
簡単に説明する。尚、コンデンサＣ２〜Ｃ４は、直流成
分及びノイズをカットするために接続される。このよう
なＢＰＦにおいて、そのゲイン特性は図９のような特性
を示す。図９よりわかるように、ＶＬバンドのゲイン
は、ＶＨバンド及びＵＨＦ周波数帯域におけるゲインと
比べて大きい。

【００１０】又、図１０は、ＶＬバンドの受信周波数帯
におけるＢＰＦのゲイン特性を表した図である。この図
から明らかなように、ダンピング抵抗を設けていないと
き周波数が高くなるとともにそのゲインが増加している
ことがわかるとともに、図４のようにダンピング抵抗と
なる抵抗Ｒａをその回路内に設けたときゲインが抑制さ
れることがわかる。このように、ダンピング抵抗は、周
波数が高いＶＬバンドにおけるゲインを抑制して、ＶＨ
バンド及びＵＨＦ周波数帯域におけるゲインとのそのゲ
イン偏差を小さくすることを目的に使用される。

【００１１】逆に、ＶＨバンド内のチャンネルが選択さ
れたとき、ＶＬ端子２２にＬｏｗの信号が、ＶＨ端子２
３にＨｉｇｈの信号が、それぞれ入力される。よって、
ダイオードＤ１，Ｄ２は導通し、抵抗Ｒａに電流が流れ
なくなるとともにコイルＬ１，Ｌ３が並列に接続された
図１１のような状態となる。よって、コイルのインダク
タンスがＶＬバンド内のチャンネルを選択したときのコ
イルのインダクタンスよりも小さくなり、高い周波数帯
にあるＶＨバンドの信号が選択される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなダンピング抵抗Ｒａを使用したＢＰＦにおいて
も、図１０より明らかなようにＶＬバンド全域でダンピ
ング抵抗Ｒａによる効果が一定のものとして働くので、
ＶＬバンドにおいて周波数の低いローエンド付近のゲイ
ンまで下げるとともに、周波数の高いハイエンド付近に
おけるゲインは未だ大きい。そのため、このＶＬバンド
全域で、雑音指数及びイメージ妨害比などの劣化をまね
くことになった。

【００１３】よって、本発明は、特定周波数より低いロ
ーエンド付近では、そのゲインを減衰させるダンピング
レベルが少なく、又、前記特定の周波数より高いハイエ
ンド付近では、そのゲインを減衰させるダンピングレベ
ルが大きくなるようなダンピング効果を働かせることが
できるダンピング回路を有する可変同調回路、該可変同
調回路を備えたチューナ回路、及び該チューナ回路を備
えた電子機器を提供することを目的とする。

【００１４】又、従来使用されている局部発振回路にお
いては、前記ダンピング回路に当たるような回路が設け
られていなかったため、ＶＬバンド及びＶＨバンドのハ
イエンド付近における局部発振回路から発振される信号
のレベルが、ＶＬバンド及びＶＨバンドのそれぞれのロ
ーエンド付近における信号のレベルに比べて大きなもの
となる傾向があった。

【００１５】よって、本発明は、特定周波数より低いロ
ーエンド付近では、その発振レベルを減衰させるダンピ
ングレベルが少なく、又、前記特定の周波数より高いハ
イエンド付近では、その発振レベルを減衰させるダンピ
ングレベルが大きくなるようなダンピング効果を働かせ
ることができるダンピング回路のような効果をもつ発振
レベル補償回路を有する局部発振回路、該局部発振回路
を備えたチューナ回路、及び該チューナ回路を備えた電
子機器を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の可変同
調回路は、映像信号受信機のチューナ内に設けられる可
変同調回路において、使用者が選択するチャンネルの周
波数帯に同調するためのコイル及びコンデンサによって
構成されたフィルタと、前記コイルと並列に接続される
とともに周波数特性を持ったダンピング回路と、を有す
ることを特徴とする。

【００１７】請求項２に記載の可変同調回路は、映像信
号受信機のチューナ内に設けられる可変同調回路におい
て、映像信号が入力される入力端子に接続される第１、
第２インダクタンスコイルと、第１インダクタンスコイ
ルと一端が接続されるとともに他端が出力端子と接続さ
れる第３インダクタンスコイルと、第２インダクタンス
コイルと一端が接続されるとともに他端が基準電位点に
接続される第４インダクタンスコイルと、前記出力端子
と一端が接続されるとともに他端が基準電位点に接続さ
れる可変容量素子と、一端が前記第１インダクタンスコ
イルと前記第３インダクタンスコイルの接続点に接続さ
れ、他端が前記第２インダクタンスコイルと前記第４イ
ンダクタンスコイルの接続点に接続されるとともに、周
波数特性を持ったダンピング回路と、を有することを特
徴とする。

【００１８】請求項３に記載の可変同調回路は、請求項
１又は請求項２に記載の可変同調回路において、前記ダ
ンピング回路が抵抗とコンデンサから構成されているこ
とを特徴とする。

【００１９】請求項４に記載の可変同調回路は、請求項
１又は請求項２に記載の可変同調回路において、前記ダ
ンピング回路が抵抗とコンデンサとコイルから構成され
ていることを特徴とする。

【００２０】請求項５に記載の局部発振回路は、映像信
号受信機のチューナ内に設けられる局部発振回路におい
て、インダクタンスコイルと可変容量素子によって構成
される共振回路を有し、可変容量素子とインダクタンス
コイルの接続点に一端が接続されるとともに他端が基準
電位点に接続され、特定の周波数帯における発振レベル
を抑制して、該特定の周波数帯における発振レベルと他
の周波数帯における発振レベルの差が大きくならないよ
うにするために、周波数特性を持った発振レベル補償回
路が設けられたことを特徴とする。

【００２１】請求項６に記載の局部発振回路は、映像信
号受信機のチューナ内に設けられる局部発振回路におい
て、第１、第２インダクタンスコイルと可変容量素子に
よって構成される共振回路を有し、前記第１インダクタ
ンスコイルと所定の周波数よりも低い周波数帯の信号が
チューナに入力されたときのみ動作を行う前記第２イン
ダクタンスコイルの接続点に一端が接続されるとともに
他端が基準電位点に接続され、特定の周波数帯における
発振レベルを抑制して、該特定の周波数帯における発振
レベルと他の周波数帯における発振レベルの差が大きく
ならないようにするために、周波数特性を持った発振レ
ベル補償回路が設けられたことを特徴とする。

【００２２】請求項７に記載の局部発振回路は、請求項
５又は請求項６に記載の局部発振回路において、前記発
振レベル補償回路が抵抗とコンデンサで構成されること
を特徴とする。

【００２３】請求項８に記載の局部発振回路は、請求項
５又は請求項６に記載の局部発振回路において、前記発
振レベル補償回路が抵抗とコンデンサとコイルで構成さ
れることを特徴とする。

【００２４】請求項９に記載のチューナ回路は、請求項
１〜４のいずれかに記載の可変同調回路を有することを
特徴とする。

【００２５】請求項１０に記載のチューナ回路は、請求
項５〜８のいずれかに記載の局部発振回路を有すること
を特徴とする。

【００２６】請求項１１に記載のチューナ回路は、請求
項１〜４のいずれかに記載の可変同調回路と、請求項５
〜８のいずれかに記載の局部発振回路とを有することを
特徴とする。

【００２７】請求項１２に記載の電子機器は、請求項９
〜１１のいずれかに記載のチューナ回路を有することを
特徴とする。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態につい
て、図面を参照にして説明する。図２は、図１のような
チューナ回路においてＶＨＦ周波数帯域内の信号が入力
される可変同調回路（以下、ＢＰＦと呼ぶ。）の構成を
示す回路図である。尚、図２に示すＢＰＦにおいて、図
４に示したＢＰＦと同様の目的で使用される抵抗、コン
デンサ及びコイルには、図４に用いた記号と同じ記号を
付して、その詳細な説明は省略し、構成上変更した部分
とそれによって変化した点について説明する。

【００２９】図２に示すＢＰＦにおいて、コイルＬ１，
Ｌ２の接続点とコイルＬ３，Ｌ４の接続点との間に、直
列に接続された抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１が、コンデン
サＣ１がコイルＬ１，Ｌ２の接続点に接続されるように
接続され、このように接続されたコンデンサＣ１と抵抗
Ｒ１が該ＢＰＦのダンピング回路として働く。該ダンピ
ング回路は、従来使用されている図４のようなＢＰＦ内
のダンピング抵抗Ｒａと同様、ＶＨバンド内のチャンネ
ルを選択したとき、ダイオードＤ１，Ｄ２が導通して前
記ダンピング回路は無効となるので、ＶＬバンド内のチ
ャンネルを選択したときのみ有効となる。

【００３０】ここで、所定の周波数ｆ１（ＭＨｚ）によ
って、ＶＬバンドの周波数帯域をダンピングをかける周
波数帯域とダンピングをかけない周波数帯域に分割す
る。このとき、前記ダンピング回路のインピーダンスを
Ｚ１とすると、（１）式のように表されるこのインピー
ダンスＺ１が周波数ｆ１において、従来のＢＰＦ内のダ
ンピング抵抗Ｒａの値と同じ大きさになるように抵抗Ｒ
１及びコンデンサＣ１を設定する。

【００３１】

【数１】

【００３２】このように、前記ダンピング回路を構成す
る抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１を設定すると、周波数ｆ１
より低い周波数帯域では、前記インピーダンスＺ１の値
が大きくなるので、ＢＰＦのゲインを減衰させるダンピ
ングレベルの影響が小さくなり、ＢＰＦのゲインが図１
０のようにダンピング回路がないＢＰＦのゲインに近づ
く。逆に、周波数ｆ１より高い周波数帯域では、前記イ
ンピーダンスＺ１の値が小さくなるので、ＢＰＦのゲイ
ンを減衰させるダンピングレベルの影響が大きくなり、
ＢＰＦのゲインが図１０のように従来のＢＰＦのゲイン
よりもその値が小さくなる。

【００３３】本発明の第２の実施形態について、図面を
参照にして説明する。図３は、図１のようなチューナ回
路においてＶＨＦ周波数帯域内の信号が入力されるＢＰ
Ｆの構成を示す回路図である。尚、図３に示すＢＰＦに
おいて、図２に示したＢＰＦと同様の目的で使用される
抵抗、コンデンサ及びコイルには、図２に用いた記号と
同じ記号を付して、その詳細な説明は省略し、構成上変
更した部分とそれによって変化した点について説明す
る。

【００３４】図３に示すＢＰＦにおいて、コイルＬ１，
Ｌ２の接続点と抵抗Ｒ１の間にコンデンサＣ５とコイル
Ｌ５が抵抗Ｒ１にコイルＬ５が接続されるように直列に
接続され、このように接続されたコイルＬ５と抵抗Ｒ１
が該ＢＰＦのダンピング回路として働くとともに、コン
デンサＣ５が直流成分をカットする。このとき、第１の
実施形態と同様にして、所定の周波数ｆ２（ＭＨｚ）に
よって、ＶＬバンドの周波数帯域をダンピングをかける
周波数帯域とダンピングをかけない周波数帯域に分割す
る。前記ダンピング回路のインピーダンスをＺ２とする
と、（２）式のように表されるこのインピーダンスＺ２
が周波数ｆ２において、従来のＢＰＦ内のダンピング抵
抗Ｒａの値と同じ大きさになるように抵抗Ｒ１及びコイ
ルＬ５を設定する。

【００３５】

【数２】

【００３６】このように、前記ダンピング回路を構成す
る抵抗Ｒ１とコイルＬ１を設定すると、第１の実施形態
とは逆に、周波数ｆ２より低い周波数帯域では、前記イ
ンピーダンスＺ２の値が小さくなるのでＢＰＦのゲイン
を減衰させるダンピングレベルの影響が大きくなり、
又、周波数ｆ２より高い周波数帯域では、前記インピー
ダンスＺ２の値が大きくなるのでＢＰＦのゲインを減衰
させるダンピングレベルの影響が小さくなる。即ち、第
１の実施形態と逆の特性を有するダンピング回路を構成
することができる。

【００３７】第３の実施形態について、図面を参照にし
て説明する。図５は、図１に示すチューナ回路に使用さ
れる局部発振回路の構成を示す回路図で、図６は、本実
施形態で使用する局部発振回路の共振回路を抜粋した回
路図である。

【００３８】図５に示す局部発振回路は、ＮＰＮ型トラ
ンジスタＴｒ１と、該トランジスタＴｒ１のベースと接
続される抵抗Ｒ５１，Ｒ５３及びコンデンサＣ５１，Ｃ
５２と、前記トランジスタＴｒ１のエミッタに接続され
るコンデンサＣ５３，Ｃ５４及び抵抗Ｒ５４と、前記ト
ランジスタＴｒ１のコレクタに接続される抵抗Ｒ５２及
びコンデンサＣ５５と、該コンデンサＣ５５と接続され
る共振回路１５とによって構成される。又、抵抗Ｒ５
１，Ｒ５２の他端にそれぞれ電源電位がかけられるとと
もに、抵抗Ｒ５３，Ｒ５４及びコンデンサＣ５１，Ｃ５
４の他端がそれぞれ接地され、コンデンサＣ５２の他端
がエミッタと接続されるとともにコンデンサＣ５３の他
端がコレクタと接続される。

【００３９】このような構成の局部発振回路において、
共振回路１５に図６のような共振回路１５ａを用いる。
該共振回路１５ａは、直流成分をカットするためのコン
デンサＣ５５を介してトランジスタＴｒ１（図５）のコ
レクタと接続されたコンデンサＣ６１、抵抗Ｒ６２及び
コイルＬ６１と、コンデンサＣ６１の他端に接続された
抵抗Ｒ６１及び可変容量バリキャップダイオードＤ６１
と、一端が抵抗Ｒ６２の他端に接続されるとともに他端
が接地されたコンデンサＣ６２と、コイルＬ６１の他端
と接続されたコイルＬ６２と、コイルＬ６１，Ｌ６２の
接続点にカソードが接続されたダイオードＤ６２と、該
ダイオードＤ６２のアノードに接続されたコンデンサＣ
６３及び抵抗Ｒ６３と、コイルＬ６２の他端に接続され
たコンデンサＣ６４及び抵抗Ｒ６４とから構成される。

【００４０】又、このような共振回路１５ａは、アノー
ドが接地されたダイオードＤ６１の容量を変えるために
抵抗Ｒ６１の他端に同調電圧ＶＴを印加させるための端
子６１と、抵抗Ｒ６３の他端に接続されたＶＨ端子６２
と、抵抗Ｒ６４の他端に接続されたＶＬ端子６３とを有
し、コンデンサＣ６３，Ｃ６４が接地されている。この
とき、コンデンサＣ６２及び抵抗Ｒ６２は、局部発振回
路のゲインを減衰させるダンピング回路として働く。

【００４１】このような共振回路１５ａを有する局部発
振回路において、ＶＨバンドのチャンネルが使用者によ
って選択されたとき、ＶＨ端子６２にＨｉｇｈの信号
が、ＶＬ端子６３にＬｏｗの信号が入力されるため、コ
イルＬ６２のインダクタンスによる影響がなくなり、そ
の発振周波数及びゲインがコイルＬ６１のインダクタン
スのみに影響される局部発振回路回路となる。又、ＶＬ
バンドのチャンネルが使用者によって選択されたとき、
ＶＬ端子６３にＨｉｇｈの信号が、ＶＨ端子６２にＬｏ
ｗの信号が入力されるため、その発振周波数及びゲイン
がコイルＬ６１，Ｌ６２両方のコイルのインダクタンス
に影響される共振回路となる。

【００４２】ところで、ＶＨバンド選んだときは、前記
ダンピング回路が、キャパシタンスとして働くダイオー
ドＤ６１及びインダクタンスとして働くコイルＬ６１と
並列に接続された状態になり、又、ＶＬバンドを選んだ
ときは、前記ダンピング回路が、キャパシタンスとして
働くダイオードＤ６１及び直列に接続されるとともにイ
ンダクタンスとして働くコイルＬ６１，Ｌ６２と並列に
接続された状態になる。このとき、前記ダンピング回路
は、第１の実施形態と同様に、そのインピーダンスが
（１）式のＣ１，Ｒ１にＣ６２，Ｒ６２がそれぞれ代入
された式で表される。よって、前記ダンピング回路のイ
ンピーダンスは、周波数が高くなると小さくなることが
わかる。

【００４３】このように、周波数が高くなると、前記ダ
ンピング回路のインピーダンスが小さくなるので、ダン
ピング回路が並列に接続された共振回路１５ａのインピ
ーダンスが小さくなる。このようにして共振回路１５ａ
のインピーダンスを小さくすることによって、ＶＨバン
ド、ＶＬバンドのそれぞれにおいて、その周波数の高い
ハイエンド付近で、局部発振回路の発振レベルを落とす
ことができる。

【００４４】第４の実施形態について、図面を参照にし
て説明する。図７は、本実施形態で使用する局部発振回
路の共振回路を抜粋した回路図である。尚、図７に示す
共振回路において、図６に示した共振回路と同様の目的
で使用される抵抗、コンデンサ及びコイルには、図６に
用いた記号と同じ記号を付して、その詳細な説明は省略
し、構成上変更した部分とそれによって変化した点につ
いて説明する。

【００４５】本実施形態においても、第３の実施形態と
同様、図５に示す局部発振回路を使用する。このような
局部発振回路の共振回路１５に、図７に示す共振回路１
５ｂを用いる。該共振回路１５ｂは、一端が接地された
コンデンサＣ７１と抵抗Ｒ７１が直列に接続された第３
の実施形態で使用したダンピング回路と同様の構成を成
すダンピング回路が、第３の実施形態と違い、コイルＬ
６１，Ｌ６２の接続点に接続される。

【００４６】このような構成の共振回路１５ｂを有する
局部発振回路において、ＶＨバンドのチャンネルが使用
者によって選択されたとき、ＶＨ端子６２にＨｉｇｈの
信号が、ＶＬ端子６３にＬｏｗの信号が入力されるた
め、コイルＬ６２のインダクタンスによる影響がなくな
り、その発振周波数及びゲインがコイルＬ６１のインダ
クタンスのみに影響される局部発振回路回路となるとと
もに、前記ダンピング回路も動作しない。又、ＶＬバン
ドのチャンネルが使用者によって選択されたとき、ＶＬ
端子６３にＨｉｇｈの信号が、ＶＨ端子６２にＬｏｗの
信号が入力されるため、その発振周波数及びゲインがコ
イルＬ６１，Ｌ６２両方のコイルのインダクタンスに影
響される共振回路となる。

【００４７】よって、ＶＬバンドが選択されたときの
み、局部発振回路の発振レベルは前記ダンピング回路の
影響を受ける。該ダンピング回路は、第１の実施形態と
同様に、そのインピーダンスが（１）式のＣ１，Ｒ１に
Ｃ７１，Ｒ７１がそれぞれ代入された式で表される。よ
って、第３の実施形態と同様に、前記ダンピング回路の
インピーダンスは、周波数が高くなると小さくなること
がわかる。

【００４８】このように、周波数を高くするとダンピン
グ回路のインピーダンスが小さくなり、共振回路１５ｂ
のインピーダンスも小さくなる。このようにして共振回
路１５ｂのインピーダンスを小さくすることによって、
ＶＬバンドにおいて、その周波数の高いハイエンド付近
で、局部発振回路の発振レベルを落とすことができる。

【００４９】第５の実施形態について、図面を参照にし
て説明する。図８は、本実施形態で使用する局部発振回
路の共振回路を抜粋した回路図である。尚、図８に示す
共振回路において、図６に示した共振回路と同様の目的
で使用される抵抗、コンデンサ及びコイルには、図６に
用いた記号と同じ記号を付して、その詳細な説明は省略
し、構成上変更した部分とそれによって変化した点につ
いて説明する。

【００５０】本実施形態においても、第３の実施形態と
同様、図５に示す局部発振回路を使用する。このような
局部発振回路の共振回路１５に、図８に示す共振回路１
５ｃを用いる。該共振回路１５ｃは、一端が接地された
コイルＬ８１と抵抗Ｒ８１とコンデンサＣ８１が直列に
接続されて構成されたダンピング回路が、第４の実施形
態で使用したダンピング回路と同様に、コイルＬ６１，
Ｌ６２の接続点に接続される。尚、ダンピング回路は、
接地側からコイルＬ８１、抵抗Ｒ８１、コンデンサＣ８
１の順で直列に接続されることによって構成される。

【００５１】このような構成の共振回路１５ｃを有する
局部発振回路において、ＶＨバンドのチャンネル及びＶ
Ｌバンドのチャンネルが使用者によって選択されたとき
のダンピング回路以外の動作は、第４の実施形態で述べ
た動作と同様であるので、詳細な説明は省略する。

【００５２】上記のような局部発振回路において、ダン
ピング回路が動作するのは、第４の実施形態と同様に、
ＶＬバンドのチャンネルが選択されたときである。この
とき、コンデンサＣ８１は、直流成分をカットするため
の素子としての役割を果たす。よって、該ダンピング回
路のインピーダンスは、第２の実施形態と同様に、その
インピーダンスが（２）式のＬ５，Ｒ１にＬ８１，Ｒ８
１がそれぞれ代入された式で表される。よって、第２の
実施形態と同様に、前記ダンピング回路のインピーダン
スは、周波数が低くなると小さくなることがわかる。よ
って、第４の実施形態とは逆に、ＶＬバンドのにおい
て、その周波数の低いローエンド付近で、局部発振回路
の発振レベルを落とすことができる。

【００５３】尚、第３〜第５の実施形態におけるダンピ
ング回路とは、特許請求の範囲における発振レベル補償
回路のことである。

【００５４】

【発明の効果】請求項１に記載の可変同調回路による
と、周波数特性を持ったダンピング回路を備えているの
で、任意の周波数に合わせて、そのゲインのレベルを変
化させることができ、ゲインの偏差がより少なくなるよ
うに改善することができる。

【００５５】請求項２に記載の可変同調回路によると、
テレビなどの画像受信機に使用されるＶＨＦチューナ回
路に使用される可変同調回路において周波数特性を持る
とともにＶＬバンドが選択されたときに使用されるダン
ピング回路を備えることによって、ＶＬバンドにおける
該可変同調回路のゲインを任意の周波数に合わせて、そ
のゲインのレベルを変化させることができ、ＶＬバンド
とＶＨバンド及びＵＨＦ周波数帯域との間におけるゲイ
ンの偏差がより少なくなるように改善することができ
る。

【００５６】請求項３に記載の可変同調回路によると、
ダンピング回路がコンデンサと抵抗で構成されるため、
選択されるチャンネルの周波数がある特定の周波数より
高くなったときに、可変同調回路によるゲインのレベル
を落とすことができる。よって、該可変同調回路のゲイ
ンの偏差を改善することができる。又、選択されるチャ
ンネルの周波数が前記ある特定の周波数より低くなった
とき、ダンピング回路のインピーダンスが大きくなり、
可変同調回路のゲインへの影響が小さくなるため、雑音
指数及びイメージ妨害比も改善することができる。

【００５７】請求項４に記載の可変同調回路によると、
請求項３に記載の可変同調回路内のダンピング回路と逆
の特性のダンピング回路を有する可変同調回路を構成す
ることができる。

【００５８】請求項５及び請求項６に記載の局部発振回
路によると、周波数特性を持った発振レベル補償回路を
備えているので、任意の周波数に合わせて、その発振レ
ベルを変化させることができ、その出力の偏差がより少
なくなるように改善することができる。

【００５９】請求項７に記載の局部発振回路によると、
発振レベル補償回路がコンデンサと抵抗で構成されるた
め、選択されるチャンネルの周波数がある特定の周波数
より高くなったときに、その発振レベルを落とすことが
できる。よって、局部発振回路の出力の偏差を改善する
ことができる。

【００６０】請求項８に記載の局部発振回路によると、
請求項７に記載の局部発振回路内の発振レベル補償回路
と逆の特性の発振レベル補償回路を有する可変同調回路
を構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】テレビ用チューナ回路の内部構成を示すブロッ
ク図。

【図２】第１の実施形態で使用するＢＰＦの回路図。

【図３】第２の実施形態で使用するＢＰＦの回路図。

【図４】従来使用されているＢＰＦの回路図。

【図５】本発明で使用する局部発振回路の回路図。

【図６】第３の実施形態で使用する局部発振回路内の共
振回路の回路図。

【図７】第４の実施形態で使用する局部発振回路内の共
振回路の回路図。

【図８】第５の実施形態で使用する局部発振回路内の共
振回路の回路図。

【図９】従来のＢＰＦを使用したときの受信帯域全域に
対するゲイン量を示すグラフ。

【図１０】ダンピング回路が設けられていないＢＰＦ、
従来のＢＰＦ、及び本発明におけるＢＰＦ使用したとき
のＶＬバンド領域に対するそれぞれのゲイン量を示すグ
ラフ。

【図１１】ＶＨバンドが選択されたときのＢＨＦの等価
回路図。

【符号の説明】

１ 入力端子 ２ ＨＰＦ ３ ＬＰＦ ４，５，８，９，１３ ＢＰＦ ６，７，１２ アンプ回路 １０ ミキサ回路 １１ 局部発振回路 １４ 出力端子 １５ 共振回路 ２１ 入力端子 ２２，６３ ＶＬ端子 ２３，６２ ＶＨ端子 ２４，６１ 端子 ２５ 出力端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C025 AA25 BA18 BA24 5J024 AA10 BA19 CA17 CA20 5J081 AA03 BB07 BB09 CC23 DD03 EE02 EE03 EE18 FF02 FF21 FF24 KK02 KK09 KK22 LL05 MM01 MM04 5K058 AA15 AA18 BA02 CA05 CA15 DA14 GA04 GA11

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 映像信号受信機のチューナ内に設けられ
   る可変同調回路において、 使用者が選択するチャンネルの周波数帯に同調するため
   のコイル及びコンデンサによって構成されたフィルタ
   と、 前記コイルと並列に接続されるとともに周波数特性を持
   ったダンピング回路と、 を有することを特徴とする可変同調回路。
2. 【請求項２】 映像信号受信機のチューナ内に設けられ
   る可変同調回路において、 映像信号が入力される入力端子に接続される第１、第２
   インダクタンスコイルと、 第１インダクタンスコイルと一端が接続されるとともに
   他端が出力端子と接続される第３インダクタンスコイル
   と、 第２インダクタンスコイルと一端が接続されるとともに
   他端が基準電位点に接続される第４インダクタンスコイ
   ルと、 前記出力端子と一端が接続されるとともに他端が基準電
   位点に接続される可変容量素子と、 一端が前記第１インダクタンスコイルと前記第３インダ
   クタンスコイルの接続点に接続され、他端が前記第２イ
   ンダクタンスコイルと前記第４インダクタンスコイルの
   接続点に接続されるとともに、周波数特性を持ったダン
   ピング回路と、 を有することを特徴とする可変同調回路。
3. 【請求項３】 前記ダンピング回路が抵抗とコンデンサ
   から構成されていることを特徴とする請求項１又は請求
   項２に記載の可変同調回路。
4. 【請求項４】 前記ダンピング回路が抵抗とコンデンサ
   とコイルから構成されていることを特徴とする請求項１
   又は請求項２に記載の可変同調回路。
5. 【請求項５】 映像信号受信機のチューナ内に設けられ
   る局部発振回路において、 インダクタンスコイルと可変容量素子によって構成され
   る共振回路を有し、 可変容量素子とインダクタンスコイルの接続点に一端が
   接続されるとともに他端が基準電位点に接続され、特定
   の周波数帯における発振レベルを抑制して、該特定の周
   波数帯における発振レベルと他の周波数帯における発振
   レベルの差が大きくならないようにするために、周波数
   特性を持った発振レベル補償回路が設けられたことを特
   徴とする局部発振回路。
6. 【請求項６】 映像信号受信機のチューナ内に設けられ
   る局部発振回路において、 第１、第２インダクタンスコイルと可変容量素子によっ
   て構成される共振回路を有し、 前記第１インダクタンスコイルと所定の周波数よりも低
   い周波数帯の信号がチューナに入力されたときのみ動作
   を行う前記第２インダクタンスコイルの接続点に一端が
   接続されるとともに他端が基準電位点に接続され、特定
   の周波数帯における発振レベルを抑制して、該特定の周
   波数帯における発振レベルと他の周波数帯における発振
   レベルの差が大きくならないようにするために、周波数
   特性を持った発振レベル補償回路が設けられたことを特
   徴とする局部発振回路。
7. 【請求項７】 前記発振レベル補償回路が抵抗とコンデ
   ンサで構成されることを特徴とする請求項５又は請求項
   ６に記載の局部発振回路。
8. 【請求項８】 前記発振レベル補償回路が抵抗とコンデ
   ンサとコイルで構成されることを特徴とする請求項５又
   は請求項６に記載の局部発振回路。
9. 【請求項９】 請求項１〜４のいずれかに記載の可変同
   調回路を有することを特徴とするチューナ回路。
10. 【請求項１０】 請求項５〜８のいずれかに記載の局部
    発振回路を有することを特徴とするチューナ回路。
11. 【請求項１１】 請求項１〜４のいずれかに記載の可変
    同調回路と、請求項５〜８のいずれかに記載の局部発振
    回路とを有することを特徴とするチューナ回路。
12. 【請求項１２】 請求項９〜１１のいずれかに記載のチ
    ューナ回路を有することを特徴とする電子機器。