JP2000164943A - Substrate for thermoelectric module and its manufacture, and the thermoelectric module - Google Patents
Substrate for thermoelectric module and its manufacture, and the thermoelectric moduleInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、熱エネルギーを電
力に変換する熱電モジュール用基板、その製造方法及び
熱電モジュールに関し、特に熱サイクルに強い熱電モジ
ュール用基板、その製造方法及び熱電モジュールに関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermoelectric module substrate for converting thermal energy into electric power, a method for manufacturing the same, and a thermoelectric module. More particularly, the present invention relates to a thermoelectric module substrate that is resistant to heat cycles, a method for manufacturing the same, and a thermoelectric module.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、熱電モジュールとしては、特開平
１０−１４４９７０号公報に開示されているものが知ら
れている。図１７は、従来の熱電モジュールを示す断面
図である。2. Description of the Related Art Conventionally, a thermoelectric module disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-144970 is known. FIG. 17 is a sectional view showing a conventional thermoelectric module.
【０００３】図１７に示すように、この従来の熱電モジ
ュール１００は、セラミックス層１０２をコーティング
した金属板１０１に、必要な箇所にねじ穴が穿設された
基板と、この基板に挟持され、ねじ穴と対応する雌ねじ
が形成されている電極１０５が両端に形成された熱電素
子１０４と、を有している。この基板を一対使用して、
金属セグメント１０３を介して、熱電素子１０４を、絶
縁性の固定ねじ１０６により固定している。As shown in FIG. 17, a conventional thermoelectric module 100 comprises a metal plate 101 on which a ceramic layer 102 is coated, a substrate having screw holes formed in necessary places, and a substrate sandwiched between the substrates. A thermoelectric element 104 formed at both ends with an electrode 105 having a female screw corresponding to the hole. Using this pair of substrates,
The thermoelectric element 104 is fixed via an insulating fixing screw 106 via the metal segment 103.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の特開平
１０−１４４９７０号公報に開示されている熱電モジュ
ール１００は、Ｃｕ又はＡｌ等で形成された金属板１０
１とセラミックス層１０２との熱膨張係数が異なるため
に、熱サイクル又は熱衝撃等が加わると、熱応力によ
り、金属板１０１とセラミックス層１０２との界面に剥
離が生じてしまうという問題点がある。However, the conventional thermoelectric module 100 disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-144970 has a metal plate 10 made of Cu or Al.
1 and the ceramic layer 102 have different thermal expansion coefficients, so that when a thermal cycle or thermal shock is applied, the interface between the metal plate 101 and the ceramic layer 102 is separated due to thermal stress. .
【０００５】また、従来の特開平１０−１４４９７０号
公報に開示されている熱電モジュール１００は、熱電素
子１０４を絶縁性の固定ねじ１０６で固定しなければな
らず、組み立て性に難点があるという問題点がある。Further, in the thermoelectric module 100 disclosed in the conventional Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-144970, the thermoelectric element 104 must be fixed with the insulating fixing screw 106, and there is a problem in that the assemblability is difficult. There is a point.
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、金属基板に凹凸を形成し、また、金属基板
と絶縁膜との間に応力緩和膜を形成し、更に、絶縁膜及
び応力緩和膜を分割して形成することにより、熱サイク
ル又は熱衝撃等が加わっても、金属基板と絶縁膜との界
面に剥離が生じることを防止することができる熱電モジ
ュール用基板、その製造方法及び熱電モジュールを提供
することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has an unevenness formed on a metal substrate, a stress relaxation film formed between the metal substrate and an insulating film, and Substrate for a thermoelectric module capable of preventing separation at the interface between a metal substrate and an insulating film even when a thermal cycle or thermal shock is applied thereto by forming a stress relaxation film in a divided manner, and a method of manufacturing the same And a thermoelectric module.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本願第１発明に係る熱電
モジュール用基板は、表面に凹凸が形成された金属基板
と、前記金属基板の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁
膜の上に形成された電極と、を有することを特徴とす
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a thermoelectric module substrate comprising: a metal substrate having an uneven surface; an insulating film formed on the metal substrate; And an electrode formed on the substrate.
【０００８】本願第２発明に係る熱電モジュール用基板
は、金属基板と、前記金属基板の上に形成される応力緩
和膜と、前記応力緩和膜の上に形成された絶縁膜と、前
記絶縁膜の上に形成された電極とを有することを特徴と
する。A thermoelectric module substrate according to a second aspect of the present invention includes a metal substrate, a stress relaxation film formed on the metal substrate, an insulating film formed on the stress relaxation film, and the insulating film. And an electrode formed thereon.
【０００９】本願第３発明に係る熱電モジュール用基板
は、１又は複数の電極形成領域毎に溝が形成されて区画
された金属基板と、前記金属基板の上に形成された絶縁
膜と、前記絶縁膜の上に形成された電極と、を有するこ
とを特徴とする。A thermoelectric module substrate according to a third aspect of the present invention includes a metal substrate partitioned by forming a groove in each of one or a plurality of electrode formation regions; an insulating film formed on the metal substrate; And an electrode formed on the insulating film.
【００１０】本発明においては、前記金属基板は、表面
に凹凸が形成されていることが好ましい。In the present invention, it is preferable that the metal substrate has an uneven surface.
【００１１】また、本発明においては、前記金属基板及
び応力緩和膜は、表面に夫々凹凸が形成することが好ま
しい。In the present invention, it is preferable that the metal substrate and the stress relieving film have irregularities on their surfaces.
【００１２】更に、本発明においては、１又は複数の電
極形成領域毎に前記金属基板にまで到達する溝により区
画されていることが好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that each of the one or a plurality of electrode forming regions is defined by a groove reaching the metal substrate.
【００１３】更にまた、前記金属基板が、Ａｌであり、
前記絶縁膜がアルマイトであることが好ましい。Still further, the metal substrate is Al,
Preferably, the insulating film is alumite.
【００１４】また、本発明においては、前記金属基板
は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金からなる群から選
択された１種であることが好ましい。また、前記絶縁膜
は、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＴｉＯ2、ＣｒＯ3、ＣａＯ、Ｍ
ｇＯ、ＳｉＯ2、Ｃｒ3Ｃ2、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｓｉ
3Ｎ4、ＷＣ、Ｙ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｒＯ2からなる群から
選択された１種又は２種以上の混合膜若しくは多層膜で
あることが好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that the metal substrate is one selected from the group consisting of Al, an Al alloy, Cu, and a Cu alloy. The insulating film is made of Al 2 O 3 , AlN, TiO 2 , CrO 3 , CaO, M
gO, SiO 2 , Cr 3 C 2 , SiC, TiC, Si
3 N 4, WC, Y 2 O 3, NiO, is preferably one or more mixed film or a multilayer film selected from the group consisting of ZrO 2.
【００１５】本願第４発明に係る熱電モジュール用基板
の製造方法は、金属基板の表面に凹凸を形成する工程
と、前記金属基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜の上に電極を形成する工程と、を有することを
特徴とする。The method for manufacturing a thermoelectric module substrate according to a fourth aspect of the present invention includes a step of forming irregularities on the surface of the metal substrate, a step of forming an insulating film on the surface of the metal substrate, and a step of forming an insulating film on the insulating film. Forming an electrode.
【００１６】本願第５発明に係る熱電モジュール用基板
の製造方法は、金属基板の表面にマスクをして１又は複
数の電極形成予定領域毎に凹凸を形成する工程と、前記
１又は複数の電極形成予定領域毎に絶縁膜を形成する工
程と、前記絶縁膜の上にマスクをして電極を形成する工
程と、を有することを特徴とする。A method for manufacturing a thermoelectric module substrate according to a fifth aspect of the present invention comprises the steps of: forming a mask on the surface of a metal substrate to form irregularities in each of one or more electrode formation regions; A step of forming an insulating film for each region to be formed; and a step of forming an electrode by using a mask on the insulating film.
【００１７】本願第６発明に係る熱電モジュール用基板
の製造方法は、金属基板の上に、１又は複数の電極形成
予定領域毎に応力緩和膜を形成する工程と、前記応力緩
和膜の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に
電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a thermoelectric module substrate, comprising: forming a stress relaxation film on each of one or more electrode formation regions on a metal substrate; A step of forming an insulating film; and a step of forming an electrode on the insulating film.
【００１８】本願第７発明に係る熱電モジュール用基板
の製造方法は、金属基板の表面にマスクをして１又は複
数の電極形成予定領域毎に凹凸を形成する工程と、前記
１又は複数の電極形成予定領域毎に応力緩和膜を形成す
る工程と、前記応力緩和膜の上にマスクをして前記１又
は複数の電極形成予定領域毎に絶縁膜を形成する工程
と、前記絶縁膜の上にマスクをして電極を形成する工程
と、を有することを特徴とする。A method for manufacturing a thermoelectric module substrate according to a seventh aspect of the present invention comprises the steps of: forming a concave and convex in each of one or a plurality of electrode formation regions by using a mask on a surface of a metal substrate; A step of forming a stress relaxation film for each region to be formed; a step of forming an insulating film for each of the one or more electrode formation regions by using a mask on the stress relaxation film; Forming an electrode using a mask.
【００１９】本願第８発明に係る熱電モジュールは、前
記請求項１乃至１０のいずれか１項に記載された１対の
熱電モジュール用基板の間に、前記電極に接触するよう
に熱電素子を設けたことを特徴とする。[0021] In a thermoelectric module according to an eighth aspect of the present invention, a thermoelectric element is provided between the pair of thermoelectric module substrates according to any one of claims 1 to 10 so as to contact the electrodes. It is characterized by having.
【００２０】本発明においては、前記金属基板の表面に
応力緩和膜を形成する工程の後に、前記応力緩和膜の表
面に凹凸を形成する工程を、有することが好ましい。In the present invention, preferably, after the step of forming the stress relaxation film on the surface of the metal substrate, a step of forming irregularities on the surface of the stress relaxation film is provided.
【００２１】また、本発明においては、前記絶縁膜を形
成する工程の後に、前記絶縁膜に絶縁樹脂を含浸させる
工程を有することが好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that the method further includes a step of impregnating the insulating film with an insulating resin after the step of forming the insulating film.
【００２２】更に、本発明においては、前記電極は、溶
射により形成されていることが好ましい。また、前記絶
縁膜は、溶射により形成されていることが好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that the electrode is formed by thermal spraying. Further, it is preferable that the insulating film is formed by thermal spraying.
【００２３】本発明においては、金属基板の表面に凹凸
を形成することにより、この表面に形成される絶縁膜と
の密着力をあげることにより、熱サイクル又は熱衝撃等
の熱応力が作用した場合において、金属基板と絶縁膜と
の界面の剥離を防止することができる。In the present invention, by forming irregularities on the surface of the metal substrate to increase the adhesion to the insulating film formed on the surface, a thermal stress such as a thermal cycle or thermal shock acts on the surface. In this case, separation at the interface between the metal substrate and the insulating film can be prevented.
【００２４】また、本発明においては、金属基板と絶縁
膜との間に応力緩和膜を形成することにより、熱サイク
ル又は熱衝撃等の熱応力が作用した場合において、応力
緩和膜が熱応力を緩和して金属基板と絶縁膜との界面の
剥離を防止することができる。Further, in the present invention, by forming a stress relaxation film between the metal substrate and the insulating film, when a thermal stress such as a thermal cycle or thermal shock acts, the stress relaxation film reduces the thermal stress. This can be relaxed to prevent separation at the interface between the metal substrate and the insulating film.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発
明の第１実施例に係る熱電モジュール用基板を示す断面
図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
This will be specifically described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a thermoelectric module substrate according to a first embodiment of the present invention.
【００２６】本発明の第１実施例の熱電モジュール用基
板１においては、表面３に凹凸を形成した金属基板２の
上に絶縁膜４が形成されている。更に、絶縁膜４の上に
電極６が形成されている。In the thermoelectric module substrate 1 according to the first embodiment of the present invention, an insulating film 4 is formed on a metal substrate 2 having an uneven surface 3. Further, an electrode 6 is formed on the insulating film 4.
【００２７】上述のように、金属基板２の表面３に凹凸
を形成することにより、表面積を拡大して金属基板２と
絶縁膜４との密着力を高めて、耐ヒートサイクル性を向
上させることができる。As described above, by forming irregularities on the surface 3 of the metal substrate 2, the surface area is increased, the adhesion between the metal substrate 2 and the insulating film 4 is increased, and the heat cycle resistance is improved. Can be.
【００２８】次に、本発明の第１実施例に係る熱電モジ
ュールの製造方法について図１及び図２に基づいて説明
する。図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１実施例に
係る熱電モジュール用基板の製造方法を工程順に示す断
面図である。先ず、図２（ａ）に示すように、例えば、
サンドブラスト化学エッチングにより、金属基板２の表
面３に凹凸を形成する。Next, a method for manufacturing a thermoelectric module according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a thermoelectric module substrate according to the first embodiment of the present invention in the order of steps. First, for example, as shown in FIG.
Irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2 by sandblast chemical etching.
【００２９】次に、図２（ｂ）に示すように、凹凸が形
成された金属基板２の表面３の上に、絶縁膜４として、
例えば、Ａｌ2Ｏ3膜を形成する。Next, as shown in FIG. 2B, an insulating film 4 is formed on the surface 3 of the metal substrate 2 on which the unevenness is formed.
For example, an Al 2 O 3 film is formed.
【００３０】次に、マスクをして、この絶縁膜４の上の
電極６形成予定領域に電極６として例えば、溶射により
Ｃｕ溶射膜を形成する。そして、図１に示すように、熱
電モジュール用基板１が形成される。Next, using a mask, a Cu sprayed film is formed as an electrode 6 on the insulating film 4 in a region where the electrode 6 is to be formed by, for example, thermal spraying. Then, as shown in FIG. 1, the thermoelectric module substrate 1 is formed.
【００３１】上述のように、金属基板２の表面３に凹凸
を形成することにより、表面積が増し密着力の高い絶縁
膜４を形成することができる。As described above, by forming irregularities on the surface 3 of the metal substrate 2, the insulating film 4 having an increased surface area and a high adhesion can be formed.
【００３２】次に、本発明の第２実施例について図３を
参照して具体的に説明する。なお、図１及び図２に示す
第１実施例と同一構成物には、同一符号を付しその詳細
な説明は省略する。図３は、本発明の第２実施例に係る
熱電モジュール用基板の断面図である。Next, a second embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIG. The same components as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 3 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a second embodiment of the present invention.
【００３３】本実施例は、第１実施例と比較して、電極
６形成領域だけに絶縁膜４が形成されている点で異な
り、それ以外は、第１実施例と同一構成である。The present embodiment is different from the first embodiment in that the insulating film 4 is formed only in the region where the electrode 6 is formed, and the rest is the same as the first embodiment.
【００３４】上述のように、電極６形成領域だけに絶縁
膜４を形成することにより、絶縁膜４と金属基板２との
接触面積が小さくなり、熱応力が作用した場合には、熱
電モジュール用基板１全体が受ける熱応力を軽減するこ
とができる。As described above, by forming the insulating film 4 only in the region where the electrode 6 is formed, the contact area between the insulating film 4 and the metal substrate 2 is reduced. Thermal stress applied to the entire substrate 1 can be reduced.
【００３５】次に、本実施例の熱電モジュールの製造方
法について説明する。先ず、金属基板２の表面３の全面
に亘り、例えば、サンドブラスト化学エッチングによ
り、凹凸を形成する。Next, a method for manufacturing the thermoelectric module of this embodiment will be described. First, unevenness is formed over the entire surface 3 of the metal substrate 2 by, for example, sandblast chemical etching.
【００３６】次に、凹凸が形成された電極６形成予定領
域の表面３に、マスクをして、この表面３の上に絶縁膜
４として、例えば、Ａｌ2Ｏ3膜を形成する。Next, a mask is formed on the surface 3 of the region where the electrode 6 is to be formed on which the irregularities are formed, and an Al 2 O 3 film, for example, is formed as an insulating film 4 on the surface 3.
【００３７】次に、この絶縁膜４の上にマスクをして、
電極６として、例えば、溶射によりＣｕ溶射膜を形成す
る。そして、図３に示すように、熱電モジュール用基板
１が形成される。これにより、材料コストが削減され
る。Next, a mask is formed on the insulating film 4 and
As the electrode 6, for example, a Cu sprayed film is formed by spraying. Then, as shown in FIG. 3, the thermoelectric module substrate 1 is formed. This reduces material costs.
【００３８】本実施例においては、絶縁膜４は、電極６
形成領域だけに形成する構成としたが、本発明は、特に
これに限定されるものではなく、複数の電極６形成領域
を含む領域に亘って絶縁膜４を形成する構成とすること
ができる。In this embodiment, the insulating film 4 is
Although the configuration is formed only in the formation region, the present invention is not particularly limited to this, and a configuration in which the insulating film 4 is formed over a region including a plurality of electrode 6 formation regions can be adopted.
【００３９】次に、本発明の第３実施例について図４を
参照して具体的に説明する。なお、図１及び図２に示す
第１実施例と同一構成物には、同一符号を付しその詳細
な説明は省略する。図４は、本発明の第３実施例に係る
熱電モジュール用基板の断面図である。Next, a third embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIG. The same components as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 4 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a third embodiment of the present invention.
【００４０】本実施例は、第１実施例と比較して、電極
６形成領域だけ、金属基板２の表面３に凹凸が形成さ
れ、それ以外の金属基板２の表面３は、平坦化されてい
る。この凹凸が形成された金属基板２の表面３上に絶縁
膜４が形成されている点で異なり、それ以外は、第１実
施例と同一構成である。In this embodiment, as compared with the first embodiment, irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2 only in the region where the electrode 6 is formed, and the other surfaces 3 of the metal substrate 2 are flattened. I have. The difference is that the insulating film 4 is formed on the surface 3 of the metal substrate 2 on which the unevenness is formed, and the other structure is the same as that of the first embodiment.
【００４１】上述のように、電極６形成領域だけに金属
基板２の表面３に凹凸を形成し、それ以外の金属基板２
の表面３を平坦化することにより、表面３に凹凸を形成
する時に、金属基板２に不要な残留応力が発生しないた
め、金属基板２の変形を抑制することができる。また、
絶縁膜４と金属基板２との接触面積が小さくなり、熱応
力が作用した場合に、熱電モジュール用基板１が受ける
熱応力が軽減されるために、耐ヒートサイクル性が向上
する。As described above, irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2 only in the region where the electrode 6 is formed, and the other metal substrate 2
By flattening the surface 3 of the metal substrate 2, unnecessary uneven stress is not generated in the metal substrate 2 when forming irregularities on the surface 3, so that deformation of the metal substrate 2 can be suppressed. Also,
When the contact area between the insulating film 4 and the metal substrate 2 is reduced and the thermal stress is applied, the thermal stress applied to the thermoelectric module substrate 1 is reduced, so that the heat cycle resistance is improved.
【００４２】次に、本実施例の熱電モジュールの製造方
法について説明する。先ず、金属基板２にマスクをし
て、電極６形成予定領域の金属基板２の表面３だけに、
例えば、サンドブラスト化学エッチングにより、凹凸を
形成する。Next, a method for manufacturing the thermoelectric module of this embodiment will be described. First, the metal substrate 2 is masked, and only the surface 3 of the metal substrate 2 in the region where the electrode 6 is to be formed is formed.
For example, irregularities are formed by sandblast chemical etching.
【００４３】次に、表面３にマスクをして、凹凸が形成
された電極６形成予定領域の表面３上に、絶縁膜４とし
て、例えば、Ａｌ2Ｏ3膜を形成する。Next, a mask is applied to the surface 3 to form, for example, an Al 2 O 3 film as the insulating film 4 on the surface 3 of the region where the electrode 6 is to be formed, on which the irregularities are formed.
【００４４】次に、マスクをして、この絶縁膜４の上に
電極６として例えば、溶射によりＣｕ溶射膜を形成す
る。そして、図４に示すように、熱電モジュール用基板
１が形成される。絶縁膜４が電極６形成領域だけに形成
されていることにより、金属基板２の表面３上の全面に
亘って絶縁膜４が形成されている場合よりも、金属基板
２と絶縁膜４との界面に発生する応力が小さくなり、耐
ヒートサイクル性が増す。また、材料コストが削減され
る。Next, using a mask, a Cu sprayed film is formed as an electrode 6 on the insulating film 4 by, for example, thermal spraying. Then, as shown in FIG. 4, the thermoelectric module substrate 1 is formed. Since the insulating film 4 is formed only in the region where the electrode 6 is formed, the distance between the metal substrate 2 and the insulating film 4 is smaller than when the insulating film 4 is formed over the entire surface 3 of the metal substrate 2. The stress generated at the interface is reduced, and the heat cycle resistance is increased. Also, material costs are reduced.
【００４５】本実施例においては、電極６形成領域だ
け、金属基板２の表面３に凹凸が形成される構成とした
が、本発明は、これに特に限定されるものではなく、金
属基板２の表面３を平坦にする構成とすることもでき
る。In this embodiment, the configuration is such that the surface 3 of the metal substrate 2 has irregularities only in the area where the electrode 6 is formed. However, the present invention is not particularly limited to this. The surface 3 may be configured to be flat.
【００４６】次に、本発明の第４実施例について図５を
参照して具体的に説明する。なお、図１及び図２に示す
第１実施例と同一構成物には、同一符号を付しその詳細
な説明は省略する。図５は、本発明の第４実施例に係る
熱電モジュール用基板の断面図である。Next, a fourth embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIG. The same components as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 5 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a fourth embodiment of the present invention.
【００４７】本実施例は、第１実施例と比較して、電極
６形成領域だけ、金属基板２の表面３に凹凸が形成さ
れ、それ以外の金属基板２の表面３には、金属基板２ま
で到達する溝７が形成されて区画されている。この凹凸
が形成された金属基板２の表面３上に絶縁膜４が形成さ
れている点で異なり、それ以外は、第１実施例と同一構
成である。In this embodiment, as compared with the first embodiment, irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2 only in the region where the electrode 6 is formed, and the surface 3 of the other metal substrate 2 is A groove 7 is formed and reached. The difference is that the insulating film 4 is formed on the surface 3 of the metal substrate 2 on which the unevenness is formed, and the other structure is the same as that of the first embodiment.
【００４８】上述のように、電極６形成領域毎に金属基
板２まで到達する溝７を形成することにより、金属基板
２に発生する残留応力が更に一層少なくなり、金属基板
２の変形が抑制される。また、金属基板２に熱が加わっ
た場合には、溝７により熱が放出されて熱電モジュール
用基板１が受ける熱応力が軽減されるために、耐ヒート
サイクル性が向上する。As described above, by forming the groove 7 reaching the metal substrate 2 for each electrode 6 formation region, the residual stress generated in the metal substrate 2 is further reduced, and the deformation of the metal substrate 2 is suppressed. You. Further, when heat is applied to the metal substrate 2, the heat is released by the groove 7 and the thermal stress applied to the thermoelectric module substrate 1 is reduced, so that the heat cycle resistance is improved.
【００４９】次に、本実施例の熱電モジュールの製造方
法について説明する。先ず、金属基板２にマスクをし
て、電極６形成予定領域の金属基板２の表面３上だけ
に、例えば、サンドブラスト化学エッチングにより、凹
凸を形成する。そして、凹凸が形成されている以外の金
属基板２には、溝７を切削により形成する。Next, a method for manufacturing the thermoelectric module of this embodiment will be described. First, a mask is formed on the metal substrate 2, and irregularities are formed only on the surface 3 of the metal substrate 2 in the region where the electrode 6 is to be formed, for example, by sandblast chemical etching. Then, grooves 7 are formed in the metal substrate 2 other than those having the irregularities by cutting.
【００５０】次に、マスクをして、凹凸が形成された電
極６形成予定領域の表面３に、絶縁膜４として、例え
ば、Ａｌ2Ｏ3膜を形成する。Next, using a mask, an Al 2 O 3 film, for example, is formed as an insulating film 4 on the surface 3 of the region where the electrode 6 is to be formed, on which the unevenness is formed.
【００５１】次に、マスクをして、この絶縁膜４の上に
電極６として例えば、溶射によりＣｕ溶射膜を形成す
る。そして、図５に示すように、熱電モジュール用基板
１が形成される。これにより、材料コストが削減され
る。Next, using a mask, a Cu sprayed film is formed as an electrode 6 on the insulating film 4 by, for example, thermal spraying. Then, as shown in FIG. 5, the thermoelectric module substrate 1 is formed. This reduces material costs.
【００５２】本実施例においては、溝７を切削により形
成したが、特にこれに限定されるものではなく、予め溝
７が形成された金属基板２を使用することもできる。In this embodiment, the grooves 7 are formed by cutting. However, the present invention is not limited to this, and a metal substrate 2 in which the grooves 7 are formed in advance may be used.
【００５３】また、本実施例においては、金属基板２の
表面３に凹凸を形成し、更に、それ以外の金属基板２の
表面３に、電極６形成領域毎に金属基板２まで到達する
溝７を形成する構成としたが、本発明は、これに特に限
定されるものではなく、複数の電極６形成領域に亘っ
て、溝７を形成する構成とすることもできる。更に、金
属基板２の表面３を平坦にする構成とすることもでき
る。Further, in this embodiment, irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2, and the grooves 7 reaching the metal substrate 2 are formed on the other surfaces 3 of the metal substrate 2 in every electrode 6 forming region. However, the present invention is not particularly limited to this, and the groove 7 may be formed over a plurality of electrode 6 forming regions. Further, the surface 3 of the metal substrate 2 may be made flat.
【００５４】次に、本発明の第５実施例について図６及
び図７を参照して具体的に説明する。なお、図１及び図
２に示す第１実施例と同一構成物には、同一符号を付し
その詳細な説明は省略する。図６は、本発明の第５実施
例に係る熱電モジュール用基板の断面図である。図７
（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第５実施例に係る熱電モ
ジュール用基板の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. The same components as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 6 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a fifth embodiment of the present invention. FIG.
(A) thru | or (c) are sectional drawings which show the manufacturing method of the board | substrate for thermoelectric modules concerning 5th Example of this invention in order of a process.
【００５５】本実施例は、第１実施例と比較して、金属
基板２と絶縁膜４との間に応力緩和膜５が形成されてい
る点で異なり、それ以外は、第１実施例と同一構成であ
る。This embodiment is different from the first embodiment in that a stress relaxation film 5 is formed between the metal substrate 2 and the insulating film 4. They have the same configuration.
【００５６】上述のように、金属基板２と絶縁膜４との
間に応力緩和膜５を形成することにより、絶縁膜４及び
電極６と金属基板２との間で生じる熱応力を緩和し、金
属基板２と絶縁膜４との剥離を防止することができるた
めに、耐ヒートサイクル性が更に向上する。As described above, by forming the stress relaxation film 5 between the metal substrate 2 and the insulating film 4, the thermal stress generated between the metal film 2 and the insulating film 4 and the electrode 6 is relaxed. Since the separation between the metal substrate 2 and the insulating film 4 can be prevented, the heat cycle resistance is further improved.
【００５７】次に、本実施例の熱電モジュールの製造方
法について説明する。先ず、図７（ａ）に示すように、
金属基板２の表面３に例えば、サンドブラスト化学エッ
チングにより、凹凸を形成する。Next, a method for manufacturing the thermoelectric module of this embodiment will be described. First, as shown in FIG.
Irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2 by, for example, sandblast chemical etching.
【００５８】次に、図７（ｂ）に示すように、この凹凸
が形成された金属基板２の表面３の上に、応力緩和膜５
として、例えば、Ｎｉ80Ｃｒ20膜を形成する。Next, as shown in FIG. 7B, a stress relaxation film 5 is formed on the surface 3 of the metal substrate 2 on which the unevenness is formed.
For example, a Ni 80 Cr 20 film is formed.
【００５９】次に、図７（ｃ）に示すように、応力緩和
膜５の上に、絶縁膜４として、例えば、Ａｌ2Ｏ3膜を形
成する。Next, as shown in FIG. 7C, an Al 2 O 3 film, for example, is formed as the insulating film 4 on the stress relaxation film 5.
【００６０】次に、マスクをして、この絶縁膜４の上の
電極６形成予定領域に電極６として例えば、溶射により
Ｃｕ溶射膜を形成する。そして、図６に示すように、熱
電モジュール用基板１が形成される。Next, using a mask, a Cu sprayed film is formed as an electrode 6 in the region where the electrode 6 is to be formed on the insulating film 4 by, for example, thermal spraying. Then, as shown in FIG. 6, the thermoelectric module substrate 1 is formed.
【００６１】上述のように、応力緩和膜５を介して金属
基板２と絶縁膜４とを形成することにより、金属基板２
と絶縁膜４との間の熱応力を緩和することができるため
に、熱サイクルに強い熱電モジュール用基板１を形成す
ることができる。As described above, by forming the metal substrate 2 and the insulating film 4 via the stress relaxation film 5, the metal substrate 2
Since the thermal stress between the substrate and the insulating film 4 can be reduced, the thermoelectric module substrate 1 that is resistant to thermal cycles can be formed.
【００６２】本実施例においては、金属基板２の表面３
だけに凹凸を形成したが、応力緩和膜５の表面にも凹凸
を形成して表面積を拡大させて絶縁膜４との密着力を更
に向上させることができる。In this embodiment, the surface 3 of the metal substrate 2
However, the unevenness is also formed on the surface of the stress relieving film 5 so that the surface area can be increased and the adhesion to the insulating film 4 can be further improved.
【００６３】次に、本発明の第６実施例について図８を
参照して具体的に説明する。なお、図６及び図７に示す
第５実施例と同一構成物には、同一符号を付しその詳細
な説明は省略する。図８は、本発明の第６実施例に係る
熱電モジュール用基板の断面図である。Next, a sixth embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIG. The same components as those in the fifth embodiment shown in FIGS. 6 and 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 8 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a sixth embodiment of the present invention.
【００６４】本実施例は、第５実施例と比較して、電極
６形成領域だけに絶縁膜４と応力緩和膜５とが形成され
ている点で異なり、それ以外は、第５実施例と同一構成
である。This embodiment is different from the fifth embodiment in that the insulating film 4 and the stress relaxation film 5 are formed only in the region where the electrode 6 is formed. They have the same configuration.
【００６５】上述のように、電極６形成領域だけに絶縁
膜４と応力緩和膜５とを形成することにより、熱応力が
作用した場合には、絶縁膜４の形成面積が少ないため
に、熱電モジュール用基板１全体が受ける熱応力が軽減
されると共に、その熱応力は、応力緩和膜５により緩和
することができる。As described above, by forming the insulating film 4 and the stress relieving film 5 only in the region where the electrode 6 is formed, when a thermal stress is applied, the area for forming the insulating film 4 is small. The thermal stress applied to the entire module substrate 1 is reduced, and the thermal stress can be reduced by the stress relaxation film 5.
【００６６】次に、本実施例の熱電モジュールの製造方
法について説明する。先ず、金属基板２の表面３の全面
に亘り、例えば、サンドブラスト化学エッチングによ
り、凹凸を形成する。Next, a method for manufacturing the thermoelectric module of this embodiment will be described. First, unevenness is formed over the entire surface 3 of the metal substrate 2 by, for example, sandblast chemical etching.
【００６７】次に、マスクをして、電極６形成予定領域
の凹凸が形成された表面３に、応力緩和膜５を形成す
る。この応力緩和膜５の上に、絶縁膜４として例えば、
Ａｌ2Ｏ3膜を形成する。Next, using a mask, a stress relaxation film 5 is formed on the surface 3 where the irregularities of the region where the electrode 6 is to be formed are formed. On this stress relieving film 5, as the insulating film 4, for example,
An Al 2 O 3 film is formed.
【００６８】次に、マスクをして、この絶縁膜４の上の
電極６形成予定領域に電極６として例えば、溶射により
Ｃｕ溶射膜を形成する。そして、図８に示すように、熱
電モジュール用基板１が形成される。これにより、材料
コストが削減される。Next, using a mask, a Cu sprayed film is formed as an electrode 6 in the region where the electrode 6 is to be formed on the insulating film 4 by, for example, thermal spraying. Then, as shown in FIG. 8, the thermoelectric module substrate 1 is formed. This reduces material costs.
【００６９】本実施例においては、金属基板２の表面３
だけに凹凸を形成したが、応力緩和膜５の表面３にも凹
凸を形成して表面積を拡大させて絶縁膜４との密着力を
更に向上させることができる。In this embodiment, the surface 3 of the metal substrate 2
However, the unevenness is also formed on the surface 3 of the stress relieving film 5 so that the surface area can be increased and the adhesion to the insulating film 4 can be further improved.
【００７０】また、本実施例においては、絶縁膜４及び
応力緩和膜５は、電極６形成領域だけに形成する構成と
したが、本発明は、特にこれに限定されるものではな
く、複数の電極６形成領域を含む領域に亘って絶縁膜４
及び応力緩和膜５を形成する構成とすることができる。In this embodiment, the insulating film 4 and the stress relieving film 5 are formed only in the region where the electrode 6 is formed. However, the present invention is not limited to this. The insulating film 4 covers the region including the region where the electrode 6 is formed.
And a structure in which the stress relaxation film 5 is formed.
【００７１】次に、本発明の第７実施例について図９を
参照して具体的に説明する。なお、図６及び図７に示す
第５実施例と同一構成物には、同一符号を付しその詳細
な説明は省略する。図９は、本発明の第７実施例に係る
熱電モジュール用基板の断面図である。Next, a seventh embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIG. The same components as those in the fifth embodiment shown in FIGS. 6 and 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 9 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a seventh embodiment of the present invention.
【００７２】本実施例は、第５実施例と比較して、電極
６形成領域だけ、金属基板２の表面３に凹凸が形成さ
れ、それ以外の金属基板２の表面３は、平坦化されてい
る。この凹凸が形成された金属基板２の表面３に応力緩
和膜５が形成され、その上に絶縁膜４が形成されている
点で異なり、それ以外は、第５実施例と同一構成であ
る。In this embodiment, as compared with the fifth embodiment, irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2 only in the region where the electrode 6 is formed, and the other surfaces 3 of the metal substrate 2 are flattened. I have. The structure is the same as that of the fifth embodiment except that a stress relaxation film 5 is formed on the surface 3 of the metal substrate 2 on which the unevenness is formed, and an insulating film 4 is formed thereon.
【００７３】上述のように、電極６形成領域だけに金属
基板２の表面３に凹凸が形成され、それ以外の金属基板
２の表面３を平坦化することにより、金属基板２の表面
３に凹凸が形成されている領域が少ないために、金属基
板２に生じる残留応力が少なくなり、金属基板２の変形
を抑制することができる。更に、熱応力が作用した場合
には、絶縁膜４の形成面積が少ないために、熱電モジュ
ール用基板１全体が受ける熱応力が軽減されると共に、
その熱応力は、応力緩和膜５により緩和されるために、
耐ヒートサイクル性が向上する。As described above, unevenness is formed on the surface 3 of the metal substrate 2 only in the region where the electrode 6 is formed, and the other surface 3 of the metal substrate 2 is flattened, so that the unevenness is formed on the surface 3 of the metal substrate 2. Since there are few regions in which the metal substrate 2 is formed, residual stress generated in the metal substrate 2 is reduced, and deformation of the metal substrate 2 can be suppressed. Further, when a thermal stress acts, the thermal stress applied to the entire thermoelectric module substrate 1 is reduced because the formation area of the insulating film 4 is small.
Since the thermal stress is relieved by the stress relieving film 5,
Heat cycle resistance is improved.
【００７４】次に、本実施例の熱電モジュールの製造方
法について説明する。先ず、金属基板２の表面３にマス
クをして、電極６形成領域だけに、例えば、サンドブラ
スト化学エッチングにより、凹凸を形成する。Next, a method for manufacturing the thermoelectric module of this embodiment will be described. First, a mask is formed on the surface 3 of the metal substrate 2, and unevenness is formed only in the region where the electrode 6 is formed, for example, by sandblasting chemical etching.
【００７５】次に、マスクをして、凹凸が形成された電
極６形成予定領域の表面３に、応力緩和膜５を形成す
る。この応力緩和膜５の上に、絶縁膜４として例えば、
Ａｌ2Ｏ3膜を形成する。Next, with the use of a mask, a stress relaxation film 5 is formed on the surface 3 of the region where the electrode 6 is to be formed, on which the unevenness is formed. On this stress relieving film 5, as the insulating film 4, for example,
An Al 2 O 3 film is formed.
【００７６】次に、マスクをして、この絶縁膜４の上に
電極６として例えば、溶射によりＣｕ溶射膜を形成す
る。そして、図９に示すように、熱電モジュール用基板
１が形成される。これにより、材料コストが削減され
る。Next, using a mask, a Cu sprayed film is formed on the insulating film 4 as the electrode 6 by, for example, thermal spraying. Then, as shown in FIG. 9, the thermoelectric module substrate 1 is formed. This reduces material costs.
【００７７】本実施例においては、金属基板２の表面３
だけに凹凸を形成したが、応力緩和膜５の表面にも凹凸
を形成して絶縁膜４との密着力を向上させることができ
る。In this embodiment, the surface 3 of the metal substrate 2
The unevenness is formed only on the surface, but the unevenness can also be formed on the surface of the stress relieving film 5 to improve the adhesion to the insulating film 4.
【００７８】次に、本発明の第８実施例について図１０
を参照して具体的に説明する。なお、図６及び図７に示
す第５実施例と同一構成物には、同一符号を付しその詳
細な説明は省略する。図１０は、本発明の第８実施例に
係る熱電モジュール用基板の断面図である。Next, an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be specifically described with reference to FIG. The same components as those in the fifth embodiment shown in FIGS. 6 and 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 10 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to an eighth embodiment of the present invention.
【００７９】本実施例は、第５実施例と比較して、電極
６形成領域だけ、金属基板２の表面３に凹凸が形成さ
れ、それ以外の金属基板２の表面３には、金属基板２ま
で到達する溝７が形成されて区画されている。この凹凸
が形成された金属基板２の表面３上に応力緩和膜５が形
成され、その上に絶縁膜４が形成されている点で異な
り、それ以外は、第５実施例と同一構成である。In this embodiment, as compared with the fifth embodiment, irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2 only in the region where the electrode 6 is formed, and the surface 3 of the other metal substrate 2 is A groove 7 is formed and reached. The structure is the same as that of the fifth embodiment except that a stress relaxation film 5 is formed on the surface 3 of the metal substrate 2 on which the unevenness is formed, and an insulating film 4 is formed thereon. .
【００８０】上述のように、電極６形成領域毎に金属基
板２の表面３に凹凸を形成し、それ以外の金属基板２の
表面３には、金属基板２まで到達する溝７を形成するこ
とにより、金属基板２の表面３に凹凸を形成する場合
に、金属基板２に発生する残留応力が更に一層少ないた
めに、金属基板２の変形を抑制することができる。ま
た、金属基板２に熱が加わった場合には、溝７により熱
が放出されて熱電モジュール用基板１が受ける熱応力が
軽減されると共に、応力緩和膜５により、熱応力を緩和
することができる。As described above, irregularities are formed on the surface 3 of the metal substrate 2 for each electrode 6 formation region, and grooves 7 reaching the metal substrate 2 are formed on the other surfaces 3 of the metal substrate 2. Accordingly, when the unevenness is formed on the surface 3 of the metal substrate 2, the residual stress generated in the metal substrate 2 is further reduced, so that the deformation of the metal substrate 2 can be suppressed. Further, when heat is applied to the metal substrate 2, the heat is released by the groove 7 to reduce the thermal stress applied to the thermoelectric module substrate 1, and the thermal stress is reduced by the stress relaxation film 5. it can.
【００８１】次に、本実施例の熱電モジュールの製造方
法について説明する。先ず、金属基板２の表面３に、マ
スクをして、例えば、サンドブラスト化学エッチングに
より、電極６形成領域だけ凹凸を形成する。凹凸が形成
されている領域以外は、溝７を形成する。Next, a method for manufacturing the thermoelectric module of this embodiment will be described. First, a mask is formed on the surface 3 of the metal substrate 2, and unevenness is formed only in the electrode 6 formation region by, for example, sandblast chemical etching. The groove 7 is formed in a region other than the region where the unevenness is formed.
【００８２】次に、マスクをして、凹凸が形成された電
極６形成予定領域の表面３に、応力緩和膜５の上に、絶
縁膜４として例えば、Ａｌ2Ｏ3を形成する。Next, using a mask, for example, Al 2 O 3 is formed as an insulating film 4 on the stress relaxing film 5 on the surface 3 of the region where the electrode 6 is to be formed, on which the irregularities are formed.
【００８３】次に、マスクをして、この絶縁膜４の上に
電極６として例えば、溶射によりＣｕ溶射膜を形成す
る。そして、図１０に示すように、熱電モジュール用基
板１が形成される。これにより、材料コストが削減され
る。Next, using a mask, a Cu sprayed film is formed as an electrode 6 on the insulating film 4 by, for example, thermal spraying. Then, as shown in FIG. 10, the thermoelectric module substrate 1 is formed. This reduces material costs.
【００８４】本実施例においては、金属基板２の表面３
だけに凹凸を形成したが、応力緩和膜５の表面３にも凹
凸を形成して表面積を拡大して絶縁膜４との密着力を更
に向上させることができる。In this embodiment, the surface 3 of the metal substrate 2
However, the unevenness is also formed on the surface 3 of the stress relieving film 5 so that the surface area can be increased and the adhesion to the insulating film 4 can be further improved.
【００８５】上述のいずれの実施例においても、電極６
を溶射法により、形成したが、本発明は、特にこれに限
定されるものではなく、金属ペーストを焼成して電極６
を形成することができる。図１１は、本発明の熱電モジ
ュール用基板に係る焼成による電極形成を示す断面図で
ある。図１１に示すように、電極６形成予定領域に例え
ば、Ｃｕ又はＡｇペーストを積膜して焼成し、電極６を
形成することができる。このとき、Ｃｕペーストの場合
には、絶縁膜４は、ペーストとの密着力を助けるＳｉＯ
2を含むＡｌ2Ｏ3であることが望ましい。In any of the above embodiments, the electrode 6
Was formed by a thermal spraying method, but the present invention is not particularly limited to this.
Can be formed. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the formation of electrodes by firing according to the thermoelectric module substrate of the present invention. As shown in FIG. 11, for example, the electrode 6 can be formed by depositing and firing a Cu or Ag paste in a region where the electrode 6 is to be formed. At this time, in the case of the Cu paste, the insulating film 4 is made of SiO 2 which helps the adhesive strength with the paste.
It is preferable 2 is Al 2 O 3 containing.
【００８６】また、メッキにより電極６を形成すること
もできる。図１２は、本発明の熱電モジュール用基板に
係るメッキによる電極形成を示す断面図である。図１２
に示すように、絶縁膜４の上に電極６形成予定領域以外
を、マスク８で覆う。そして、電極６形成予定領域の絶
縁膜４の上に例えば、Ｐｄ膜を形成し、Ｎｉメッキ及び
Ｃｕメッキと順番にメッキを重ねていくことにより、電
極６を形成することができる。Further, the electrodes 6 can be formed by plating. FIG. 12 is a sectional view showing the formation of electrodes by plating according to the thermoelectric module substrate of the present invention. FIG.
As shown in FIG. 2, the mask 8 covers the area other than the area where the electrode 6 is to be formed on the insulating film 4. Then, the electrode 6 can be formed by forming, for example, a Pd film on the insulating film 4 in the region where the electrode 6 is to be formed, and repeating the plating in the order of Ni plating and Cu plating.
【００８７】更に、接着により電極６を形成することが
できる。図１３は、本発明の熱電モジュール用基板に係
る接着による電極６形成を示す断面図である。図１３に
示すように、電極６形成予定領域に、例えば、エポキシ
樹脂からなる接着材９によりＣｕ板を張り付けることに
より、電極６を形成することができる。Further, the electrode 6 can be formed by bonding. FIG. 13 is a cross-sectional view showing the formation of the electrodes 6 by adhesion according to the thermoelectric module substrate of the present invention. As shown in FIG. 13, the electrode 6 can be formed by attaching a Cu plate to an area where the electrode 6 is to be formed with an adhesive 9 made of, for example, epoxy resin.
【００８８】また、上述のいずれの実施例においても、
絶縁膜４は、溶射法により形成されているが、本発明
は、特にこれに限定されるものではなく、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法又はゾル−ゲル法等により
形成することができる。In each of the above embodiments,
The insulating film 4 is formed by a thermal spraying method, but the present invention is not particularly limited thereto, and can be formed by a sputtering method, a CVD method, a vacuum evaporation method, a sol-gel method, or the like.
【００８９】更に、上述のいずれの実施例においても、
金属基板２は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ又はＣｕ合金のい
ずれかを選択的に使用することができる。また、絶縁膜
４はＡｌ2Ｏ3膜に限定されるものではなく、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＯ2、ＣｒＯ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｃｒ
3Ｃ2、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＷＣ、Ｙ2Ｏ3、Ｎｉ
Ｏ及びＺｒＯ2のいずれかを選択的に使用することがで
きる。また、絶縁膜４は、これらの混合膜又は多層膜と
することもできる。Further, in any of the above embodiments,
The metal substrate 2 can selectively use any of Al, an Al alloy, Cu, and a Cu alloy. Further, the insulating film 4 is not limited to the Al 2 O 3 film, but includes AlN, T
iO 2 , CrO 3 , CaO, MgO, SiO 2 , Cr
3 C 2 , SiC, TiC, Si 3 N 4 , WC, Y 2 O 3 , Ni
Either O or ZrO 2 can be selectively used. Further, the insulating film 4 may be a mixed film or a multilayer film thereof.
【００９０】更にまた、上述のいずれの実施例において
も、絶縁膜４に、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン又
はＳｉＯ2等の有機系又は無機系材料を含浸させること
により、絶縁特性を向上させることができる。Further, in any of the above-described embodiments, the insulating characteristics can be improved by impregnating the insulating film 4 with an organic or inorganic material such as epoxy resin, silicone or SiO 2. it can.
【００９１】次に、本発明の第９実施例について図１４
を参照して具体的に説明する。図１４は、本発明の第９
実施例に係る熱電モジュール用基板の断面図である。Next, a ninth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be specifically described with reference to FIG. FIG. 14 shows a ninth embodiment of the present invention.
It is a sectional view of a substrate for thermoelectric modules concerning an example.
【００９２】本実施例においては、金属基板２として、
例えば、Ａｌ又はＡｌ合金を使用する。この金属基板２
の上に絶縁膜４として、アルマイト膜１０を形成する。
このアルマイト膜１０の上に電極６が形成されている。In this embodiment, the metal substrate 2 is
For example, Al or an Al alloy is used. This metal substrate 2
An alumite film 10 is formed thereon as an insulating film 4.
The electrode 6 is formed on the alumite film 10.
【００９３】これにより、金属基板２と絶縁膜４との密
着力が向上する。Thus, the adhesion between the metal substrate 2 and the insulating film 4 is improved.
【００９４】次に、本実施例の熱電モジュールの製造方
法について説明する。金属基板２の上にアルマイト膜１
０を形成する。次に、マスクをして、このアルマイト膜
１０の上にアルマイト膜１０を破壊しないように電極６
を形成する。Next, a method for manufacturing the thermoelectric module of this embodiment will be described. Alumite film 1 on metal substrate 2
0 is formed. Next, using a mask, the electrodes 6 are formed on the alumite film 10 so that the alumite film 10 is not broken.
To form
【００９５】これにより、溶射法を使用するのは、電極
６を形成する場合だけなので、コストを低減することが
できる。Thus, since the thermal spraying method is used only when the electrode 6 is formed, the cost can be reduced.
【００９６】上述のいずれの実施例においても、絶縁膜
５又は電極６を溶射法により整形したが、この溶射法
は、プラズマ溶射法を適用することが多い。しかし、本
発明は、特にこれに限定されるものではなく、アーク溶
射法、線爆溶射法、電熱爆発溶射法、レーザ溶射法、減
圧プラズマ溶射法、レーザ複合溶射法、フレーム溶射法
又は爆発溶射法等の溶射法が適宜使用可能である。ま
た、絶縁膜４を電極６毎に分割して形成する場合は、電
極６の大きさよりも大きく形成することにより、絶縁性
の信頼性が向上する。In each of the above-described embodiments, the insulating film 5 or the electrode 6 is shaped by a thermal spraying method. In this thermal spraying method, a plasma spraying method is often applied. However, the present invention is not particularly limited to this, and arc spraying, line explosion spraying, electrothermal explosion spraying, laser spraying, reduced pressure plasma spraying, laser combined spraying, flame spraying, or explosive spraying A spraying method such as a spraying method can be used as appropriate. When the insulating film 4 is formed separately for each electrode 6, by forming the insulating film 4 larger than the size of the electrode 6, the reliability of insulation is improved.
【００９７】次に、本発明の第１０実施例について図１
５を参照して具体的に説明する。なお、図１及び図２に
示す第１実施例と同一構成物には、同一符号を付しその
詳細な説明は省略する。図１５は、本発明の第１０実施
例に係る熱電モジュールの斜視図である。Next, a tenth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be specifically described with reference to FIG. The same components as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 15 is a perspective view of a thermoelectric module according to a tenth embodiment of the present invention.
【００９８】本発明の第１０実施例に係る熱電モジュー
ルにおいては、表面３に凹凸を形成した金属基板２の上
に絶縁膜４が形成され、更に、絶縁膜４の上に電極が形
成されている熱電モジュール用基板１と、この１対の電
モジュール用基板１により挟持される複数の熱電素子１
１と、を有する。いずれの熱電素子１１も、熱電素子１
１の素子単位Ａ毎に電極６と当接されている。In the thermoelectric module according to the tenth embodiment of the present invention, an insulating film 4 is formed on a metal substrate 2 having an uneven surface 3 and electrodes are further formed on the insulating film 4. Thermoelectric module substrate 1 and a plurality of thermoelectric elements 1 sandwiched between the pair of electric module substrates 1
And 1. Each thermoelectric element 11 is a thermoelectric element 1
Each element A is in contact with the electrode 6.
【００９９】これにより、ねじ等で固定する必要がな
く、組立てが容易になる。また、熱電モジュール用基板
１が熱サイクル等に対して強いために、熱電モジュール
の耐熱サイクル性の特性が優れる。[0099] This eliminates the need for fixing with screws or the like, and facilitates assembly. In addition, since the thermoelectric module substrate 1 is resistant to thermal cycling or the like, the thermoelectric module has excellent heat cycle resistance.
【０１００】本実施例においては、熱電モジュール用基
板は、特にこれに限定されるものではなく、例えば、電
極６形成領域以外においては、電極６毎又は複数の電極
６毎に区画された溝７を形成する構成とすることもでき
る。また、絶縁膜４、応力緩和膜５及び溝７は、１つの
電極６毎に形成される構成に限定されるものではなく、
複数の電極６に亘って形成する構成とすることもでき
る。更に、上記いずれの実施例の熱電モジュール用基板
１であってもよい。In the present embodiment, the substrate for the thermoelectric module is not particularly limited to this. For example, in a region other than the region where the electrode 6 is formed, the groove 7 defined for each electrode 6 or for each of the plurality of electrodes 6 is formed. May be formed. Further, the insulating film 4, the stress relaxation film 5 and the groove 7 are not limited to the configuration formed for each electrode 6,
It may be configured to be formed over a plurality of electrodes 6. Furthermore, the substrate 1 for a thermoelectric module of any of the above embodiments may be used.
【０１０１】[0101]
【実施例】以下、本発明に係る熱電モジュール用基板の
実施例について、本発明の範囲から外れる比較例と比較
してその効果を具体的に説明する。図１６は、本発明の
実施例に係る熱電モジュールを示す断面図である。EXAMPLES The effects of the examples of the thermoelectric module substrate according to the present invention will be specifically described below in comparison with comparative examples that are out of the scope of the present invention. FIG. 16 is a sectional view showing a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention.
【０１０２】先ず、表１乃至６に示す熱電モジュール用
基板１を使用して、図１６に示すように、１対の熱電モ
ジュール用基板１により複数の熱電素子１１が挟持さ
れ、いずれの熱電素子１１も熱電素子１１の素子単位Ａ
毎に電極６と接触するように熱電モジュールを作成し
た。なお、基板の大きさは、縦が４０ｍｍ、横が４０ｍ
ｍ、厚さが１ｍｍとした。また、基板材料として、Ａ
ｌ、Ａｌ合金（ＳＯＳ２）、アルマイト処理Ａｌ及びＣ
ｕを使用し、熱電素子の大きさは、縦が１．４ｍｍ、横
が１．４ｍｍ、高さが１．６ｍｍとし、その熱電素子を
１２７対使用した。更に、封止材料としては、エポキシ
樹脂、シリコーン又はＳｉＯ2とした。First, using the thermoelectric module substrates 1 shown in Tables 1 to 6, as shown in FIG. 16, a plurality of thermoelectric elements 11 are sandwiched between a pair of thermoelectric module substrates 1 and any thermoelectric element is used. 11 is the element unit A of the thermoelectric element 11
A thermoelectric module was prepared so as to be in contact with the electrode 6 every time. The size of the substrate is 40 mm long and 40 m wide.
m, and the thickness was 1 mm. In addition, as a substrate material, A
1, Al alloy (SOS2), anodized Al and C
u, the size of the thermoelectric element was 1.4 mm in length, 1.4 mm in width, and 1.6 mm in height, and 127 thermoelectric elements were used. Further, an epoxy resin, silicone or SiO 2 was used as a sealing material.
【０１０３】次に、作成した熱電モジュールを使用して
ヒートサイクル試験をした。ヒートサイクル試験Ａは、
温度を−４０℃として１５分保持した後に、８５℃まで
温度を上げて１５分保持し、これを２０サイクル繰り返
した。ヒートサイクル試験Ｂは、温度を−４０℃として
１５分保持した後に、８５℃まで温度を上げて１５分保
持し、これを４０サイクル繰り返した。Next, a heat cycle test was performed using the prepared thermoelectric module. Heat cycle test A is
After maintaining the temperature at −40 ° C. for 15 minutes, the temperature was raised to 85 ° C. and maintained for 15 minutes, and this was repeated 20 cycles. In the heat cycle test B, the temperature was maintained at −40 ° C. for 15 minutes, then the temperature was raised to 85 ° C. and maintained for 15 minutes, and this cycle was repeated 40 cycles.
【０１０４】ヒートサイクル試験Ａ及びＢの評価は、試
験終了後に金属基板２と絶縁基板との界面を観察し、亀
裂のないものを○、亀裂があるものを×とした。また、
熱電モジュール内の導通がなくなった場合も×とした。
これらの評価結果を表７乃至９に示す。In the heat cycle tests A and B, after the test was completed, the interface between the metal substrate 2 and the insulating substrate was observed. Also,
When the conduction in the thermoelectric module was lost, it was also evaluated as x.
Tables 7 to 9 show the evaluation results.
【０１０５】[0105]
【表１】 [Table 1]
【０１０６】[0106]
【表２】 [Table 2]
【０１０７】[0107]
【表３】 [Table 3]
【０１０８】[0108]
【表４】 [Table 4]
【０１０９】[0109]
【表５】 [Table 5]
【０１１０】[0110]
【表６】 [Table 6]
【０１１１】[0111]
【表７】 [Table 7]
【０１１２】[0112]
【表８】 [Table 8]
【０１１３】[0113]
【表９】 [Table 9]
【０１１４】上記表７乃至９に示すように、本発明の範
囲内にある実施例は、ヒートサイクル試験において、従
来の比較例と同等以上の結果を得ることができた。一
方、本発明の範囲から外れる比較例は、良好な結果を得
ることができなかった。As shown in the above Tables 7 to 9, in the examples within the scope of the present invention, in the heat cycle test, a result equal to or more than that of the conventional comparative example could be obtained. On the other hand, in Comparative Examples outside the scope of the present invention, good results could not be obtained.
【０１１５】実施例No.１及び２は、電極をねじ止めで
はなく、溶射又はメッキで電極を形成し、金属基板と一
体化した構成としても、ねじ止めと同等の耐ヒートサイ
クル性を得ることができた。In Examples Nos. 1 and 2, even if the electrodes were formed by spraying or plating instead of screwing, and were integrated with the metal substrate, the same heat cycle resistance as screwing could be obtained. Was completed.
【０１１６】実施例No.３乃至６は、金属基板と絶縁膜
との間に応力緩和膜であるＮｉＣｒ合金を形成すること
により、耐ヒートサイクル性が向上した。これは、金属
基板と絶縁膜との熱膨張率係数の差に起因する熱応力を
この応力緩和膜で緩和すると共に、金属基板自体との密
着力が絶縁膜よりも高いためである。In Examples 3 to 6, the heat cycle resistance was improved by forming a NiCr alloy as a stress relaxation film between the metal substrate and the insulating film. This is because the thermal stress caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the metal substrate and the insulating film is reduced by the stress relieving film, and the adhesion to the metal substrate itself is higher than that of the insulating film.
【０１１７】実施例No.７は、下地の金属基板の凹凸形
成領域、絶縁膜及び応力緩和膜であるＮｉＣｒ膜まで熱
電素子領域毎に分割している。下地の金属面の凹凸形成
時に生じる残留応力による金属基板のそりを防止するこ
とができる。また、金属基板全面に絶縁膜を成膜するよ
りも発生する熱応力を小さくすることができる。In Example No. 7, the thermoelectric element region is divided into the unevenness forming region of the underlying metal substrate, the insulating film and the NiCr film which is the stress relaxation film. It is possible to prevent the warpage of the metal substrate due to the residual stress generated when forming the irregularities on the metal surface of the base. Further, thermal stress generated can be reduced as compared with the case where an insulating film is formed on the entire surface of the metal substrate.
【０１１８】実施例No.８は、アルマイト膜を絶縁膜と
して使用し、このアルマイト膜を破壊しないように、溶
射法で電極を形成したものである。溶射が１度だけなの
で低コスト化することができる。In Example No. 8, an alumite film was used as an insulating film, and electrodes were formed by a thermal spraying method so as not to destroy the alumite film. Since thermal spraying is performed only once, the cost can be reduced.
【０１１９】実施例No.９乃至２３は、各種セラミック
スを金属基板に絶縁材料を溶射した基板を使用してい
る。絶縁膜としては、Ａｌ2Ｏ3膜が代表的であるが、他
の種類のセラミックスでもよく、また、複数のセラミッ
クスからなる複合セラミックスであってもよい。In Examples 9 to 23, various ceramics were used by spraying an insulating material on a metal substrate. As the insulating film, an Al 2 O 3 film is typical, but other types of ceramics may be used, or a composite ceramic comprising a plurality of ceramics may be used.
【０１２０】実施例No.２４及び２５は、通常、溶射膜
は、ポーラスであるため、微細な穴が空いている。絶縁
特性を向上させるために、エポキシ樹脂、シリコーン又
はＳｉＯ2等の有機系又は無機系材料により充填し、封
止処理すれば、絶縁性に優れ、高い信頼性を得ることが
できる。In Examples Nos. 24 and 25, since the sprayed film is usually porous, fine holes are formed. If the material is filled with an organic or inorganic material such as epoxy resin, silicone, or SiO 2 and sealed to improve the insulating properties, excellent insulation and high reliability can be obtained.
【０１２１】比較例No.１及び２は、ねじ止めにより熱
電モジュールが固定されているために、金属基板と絶縁
膜との界面で剥離を生じた。In Comparative Examples Nos. 1 and 2, peeling occurred at the interface between the metal substrate and the insulating film because the thermoelectric module was fixed by screwing.
【０１２２】[0122]
【発明の効果】以上詳述したように本発明においては、
金属基板の表面に凹凸を形成することにより、この表面
に形成される絶縁膜との密着力をあげることができるた
め、熱サイクル又は熱衝撃等の熱応力が作用した場合に
おいて、金属基板と絶縁膜との界面の剥離を防止するこ
とができる。As described in detail above, in the present invention,
By forming irregularities on the surface of the metal substrate, the adhesion to the insulating film formed on the surface can be increased, so that when a thermal stress such as a thermal cycle or a thermal shock acts, the metal substrate is insulated. Separation of the interface with the film can be prevented.
【０１２３】また、本発明においては、金属基板と絶縁
膜との間に応力緩和膜を形成することにより、熱サイク
ル又は熱衝撃等の熱応力が作用した場合において、応力
緩和膜が熱応力を緩和して金属基板と絶縁膜との界面の
剥離を防止することができる。更に、絶縁膜を金属基板
の１又は複数の電極形成領域毎に分割して、形成するこ
とにより耐ヒートサイクル性を向上させることができ
る。Further, in the present invention, by forming a stress relaxation film between the metal substrate and the insulating film, when a thermal stress such as a thermal cycle or thermal shock acts, the stress relaxation film reduces the thermal stress. The relaxation can prevent separation at the interface between the metal substrate and the insulating film. Furthermore, heat cycle resistance can be improved by dividing and forming the insulating film for each of one or a plurality of electrode forming regions of the metal substrate.
【図１】本発明の第１実施例に係る熱電モジュール用基
板を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a thermoelectric module substrate according to a first embodiment of the present invention.
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１実施例に係
る熱電モジュール用基板の製造方法を工程順に示す断面
図である。FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a thermoelectric module substrate according to a first embodiment of the present invention in the order of steps.
【図３】本発明の第２実施例に係る熱電モジュール用基
板の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３実施例に係る熱電モジュール用基
板の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第４実施例に係る熱電モジュール用基
板の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a thermoelectric module substrate according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第５実施例に係る熱電モジュール用基
板の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第５実施例に係
る熱電モジュール用基板の製造方法を工程順に示す断面
図である。FIGS. 7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a thermoelectric module substrate according to a fifth embodiment of the present invention in the order of steps.
【図８】本発明の第６実施例に係る熱電モジュール用基
板の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a sixth embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第７実施例に係る熱電モジュール用基
板の断面図である。FIG. 9 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a seventh embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第８実施例に係る熱電モジュール用
基板の断面図である。FIG. 10 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to an eighth embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の熱電モジュール用基板に係る焼成に
よる電極形成を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the formation of electrodes by firing according to the thermoelectric module substrate of the present invention.
【図１２】本発明の熱電モジュール用基板に係るメッキ
による電極形成を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating the formation of electrodes by plating according to the thermoelectric module substrate of the present invention.
【図１３】本発明の熱電モジュール用基板に係る接着に
よる電極６形成を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing the formation of an electrode 6 by bonding according to the thermoelectric module substrate of the present invention.
【図１４】本発明の第９実施例に係る熱電モジュール用
基板の断面図である。FIG. 14 is a sectional view of a thermoelectric module substrate according to a ninth embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の第１０実施例に係る熱電モジュール
の斜視図である。FIG. 15 is a perspective view of a thermoelectric module according to a tenth embodiment of the present invention.
【図１６】本発明の実施例に係る熱電モジュールを示す
断面図である。FIG. 16 is a sectional view showing a thermoelectric module according to an example of the present invention.
【図１７】従来の熱電モジュールを示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a conventional thermoelectric module.
１；熱電モジュール用基板、 ２、１０１；金属基板、
３；表面、 ４；絶縁膜、 ５；応力緩和膜、６、１
０５；電極、 ７；平坦部、 ８；マスク、９；接着
剤、 １０；アルマイト膜、 １１、１０４；熱電素
子、１００；熱電モジュール、 １０２；セラミックス
層、 １０３、金属セグメント、 １０６；固定ねじ、
Ａ；素子単位1; substrate for thermoelectric module 2, 101; metal substrate,
3; surface, 4; insulating film, 5; stress relaxation film, 6, 1
05; electrode; 7; flat portion; 8; mask; 9; adhesive; 10; alumite film; 11, 104; thermoelectric element, 100; thermoelectric module; 102; ceramic layer, 103; metal segment;
A: Element unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星 俊治 静岡県浜松市中沢町10番１号 ヤマハ株式 会社内 (72)発明者 飯島 健三郎 静岡県浜松市中沢町10番１号 ヤマハ株式 会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shunji Hoshi 10-1 Nakazawa-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka Prefecture Inside the Yamaha Corporation (72) Inventor Kensaburo Iijima 10-1 Nakazawa-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka Prefecture Yamaha Corporation
Claims (19)
記金属基板の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上
に形成された電極と、を有することを特徴とする熱電モ
ジュール用基板。1. A thermoelectric module comprising: a metal substrate having an uneven surface, an insulating film formed on the metal substrate, and an electrode formed on the insulating film. Substrate.
れる応力緩和膜と、前記応力緩和膜の上に形成された絶
縁膜と、前記絶縁膜の上に形成された電極と、を有する
ことを特徴とする熱電モジュール用基板。A metal substrate, a stress relaxation film formed on the metal substrate, an insulation film formed on the stress relaxation film, and an electrode formed on the insulation film. A substrate for a thermoelectric module, comprising:
ていることを特徴とする請求項２に記載の熱電モジュー
ル用基板。3. The thermoelectric module substrate according to claim 2, wherein the metal substrate has an uneven surface.
夫々凹凸が形成されていることを特徴とする請求項２に
記載の熱電モジュール用基板。4. The substrate for a thermoelectric module according to claim 2, wherein the metal substrate and the stress relieving film each have irregularities formed on the surface.
基板にまで到達する溝により区画されていることを特徴
とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱電モジ
ュール用基板。5. The substrate for a thermoelectric module according to claim 1, wherein each of one or a plurality of electrode forming regions is defined by a groove reaching the metal substrate.
されて区画された金属基板と、前記金属基板の上に形成
された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成された電極と、
を有することを特徴とする熱電モジュール用基板。6. A metal substrate partitioned by forming a groove for each of one or a plurality of electrode formation regions, an insulating film formed on the metal substrate, and an electrode formed on the insulating film. ,
A substrate for a thermoelectric module, comprising:
ｕ、Ｃｕ合金からなる群から選択された１種であること
を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の熱
電モジュール用基板。7. The metal substrate is made of Al, Al alloy, C
The thermoelectric module substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate is one selected from the group consisting of u and Cu alloys.
膜がアルマイトであることを特徴とする請求項１乃至６
のいずれか１項に記載の熱電モジュール用基板。8. The method according to claim 1, wherein the metal substrate is made of Al, and the insulating film is made of alumite.
The thermoelectric module substrate according to any one of the above.
Ｏ2、ＣｒＯ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｃｒ3Ｃ2、
ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＷＣ、Ｙ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｚ
ｒＯ2からなる群から選択された１種又は２種以上の混
合膜若しくは多層膜であることを特徴とする請求項１乃
至６のいずれか１項に記載の熱電モジュール用基板。9. The method according to claim 1, wherein the insulating film is made of Al 2 O 3 , AlN, Ti
O 2 , CrO 3 , CaO, MgO, SiO 2 , Cr 3 C 2 ,
SiC, TiC, Si 3 N 4 , WC, Y 2 O 3 , NiO, Z
thermoelectric module substrate according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the one or more mixed film or a multilayer film selected from the group consisting of and rO 2.
と、前記金属基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜の上に電極を形成する工程と、を有することを
特徴とする熱電モジュール用基板の製造方法。10. The method according to claim 1, further comprising a step of forming irregularities on the surface of the metal substrate, a step of forming an insulating film on the surface of the metal substrate, and a step of forming an electrode on the insulating film. Of manufacturing a thermoelectric module substrate.
複数の電極形成予定領域毎に凹凸を形成する工程と、前
記１又は複数の電極形成予定領域毎に絶縁膜を形成する
工程と、前記絶縁膜の上にマスクをして電極を形成する
工程と、を有することを特徴とする熱電モジュール用基
板の製造方法。11. A step of forming irregularities in each of one or a plurality of electrode formation regions by using a mask on a surface of a metal substrate, and a step of forming an insulating film in each of the one or a plurality of electrode formation regions. Forming a mask on the insulating film to form an electrode.
成予定領域毎に応力緩和膜を形成する工程と、前記応力
緩和膜の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上
に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする熱
電モジュール用基板の製造方法。12. A step of forming a stress relaxation film on each of one or more electrode formation regions on a metal substrate, a step of forming an insulation film on the stress relaxation film, Forming an electrode on the thermoelectric module substrate.
と、前記金属基板の表面に応力緩和膜を形成する工程
と、前記応力緩和膜の上に絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜の上に電極を形成する工程と、を有することを
特徴とする熱電モジュール用基板の製造方法。13. A step of forming irregularities on a surface of a metal substrate, a step of forming a stress relaxation film on the surface of the metal substrate, a step of forming an insulation film on the stress relaxation film, and a step of forming the insulation film. Forming an electrode on the substrate, a method for manufacturing a thermoelectric module substrate.
複数の電極形成予定領域毎に凹凸を形成する工程と、前
記１又は複数の電極形成予定領域毎に応力緩和膜を形成
する工程と、前記応力緩和膜の上にマスクをして前記１
又は複数の電極形成予定領域毎に絶縁膜を形成する工程
と、前記絶縁膜の上にマスクをして電極を形成する工程
と、を有することを特徴とする熱電モジュール用基板の
製造方法。14. A step of forming irregularities in each of one or a plurality of electrode forming regions by using a mask on a surface of a metal substrate, and a step of forming a stress relaxation film in each of the one or a plurality of electrode forming regions. Masking the stress relaxation film and
Alternatively, a method for manufacturing a thermoelectric module substrate, comprising: a step of forming an insulating film for each of a plurality of electrode formation planned regions; and a step of forming an electrode by using a mask on the insulating film.
成する工程の後に、前記応力緩和膜の表面に凹凸を形成
する工程を、有することを特徴とする請求項１３又は１
４に記載の熱電モジュール用基板の製造方法。15. The method according to claim 13, further comprising the step of forming irregularities on the surface of the stress relaxation film after the step of forming the stress relaxation film on the surface of the metal substrate.
5. The method for manufacturing a thermoelectric module substrate according to item 4.
記絶縁膜に絶縁樹脂を含浸させる工程を有することを特
徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の熱
電モジュール用基板の製造方法。16. The thermoelectric module substrate according to claim 11, further comprising, after the step of forming the insulating film, a step of impregnating the insulating film with an insulating resin. Production method.
ることを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項
に記載の熱電モジュール用基板の製造方法。17. The method for manufacturing a thermoelectric module substrate according to claim 11, wherein the electrodes are formed by thermal spraying.
いることを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１
項に記載の熱電モジュール用基板の製造方法。18. The method according to claim 11, wherein the insulating film is formed by thermal spraying.
Item 13. The method for producing a thermoelectric module substrate according to item 9.
に記載された１対の熱電モジュール用基板の間に、前記
電極に接触するように熱電素子を設けたことを特徴とす
る熱電モジュール。19. A thermoelectric module, wherein a thermoelectric element is provided between a pair of thermoelectric module substrates according to claim 1 so as to contact said electrode. .
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