JP2000164767A - Wiring board and manufacture thereof - Google Patents

Wiring board and manufacture thereof

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JP2000164767A
JP2000164767A JP10338126A JP33812698A JP2000164767A JP 2000164767 A JP2000164767 A JP 2000164767A JP 10338126 A JP10338126 A JP 10338126A JP 33812698 A JP33812698 A JP 33812698A JP 2000164767 A JP2000164767 A JP 2000164767A
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via hole
insulating layer
layer
wiring board
adhesive layer
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board which is equipped with a via hole conductor of high connection reliability. SOLUTION: An insulating film that contains organic resin is formed as thick as t, a releasing film 6 and an adhesive layer 7 are formed 0.15 t larger in thickness than t on one surface of the insulating layer, a sheet or a plate 11 which reflects a laser beam is provided on the underside of the insulating film, the insulating film is irradiated with a laser beam through the intermediary of the releasing film 6 and the adhesive layer 7, a via hole is bored by the incident and reflected light of the laser beam, conductive material is filled into the via hole, the releasing film 6 and the adhesive layer 7 are peeled off, and a conductor circuit layer is formed on the surface of the insulating layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素子
収納用パッケージなどの配線基板およびその製造方法に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board such as a package for accommodating a semiconductor device and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来技術および発明が解決しようとする課題】近年、
携帯情報端末の発達やコンピューターを持ち込んで操作
するいわゆるモバイルコンピューティングの普及によっ
て、小型、薄型且つ高精細の配線基板が求められる傾向
にある。
BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years,
With the development of portable information terminals and the spread of so-called mobile computing in which a computer is brought in and operated, a small, thin, and high-definition wiring board tends to be required.

【0003】従来より、例えば半導体素子を収納するパ
ッケージに使用される配線基板として、高密度の配線が
可能であるセラミック基板が多用されている。この多層
セラミック配線基板は、アルミナなどの絶縁基板と、そ
の表面に形成されたWやMoなどの高融点金属からなる
配線導体とから構成されるもので、この絶縁基板の一部
に設けた凹部に半導体素子が収納され、この凹部を蓋体
によって気密に封止するものである。
Conventionally, as a wiring substrate used for a package for housing a semiconductor element, for example, a ceramic substrate capable of high-density wiring has been widely used. This multilayer ceramic wiring board is composed of an insulating substrate such as alumina, and a wiring conductor made of a high melting point metal such as W or Mo formed on the surface thereof. The semiconductor element is housed in the housing, and the recess is hermetically sealed by a lid.

【0004】ところが、このようなセラミック配線基板
の絶縁基板を構成するセラミックスは、硬くて脆い性質
を有することから、製造工程または搬送工程において、
セラミックスの欠けや割れなどが発生しやすく、半導体
素子の封止の気密性が損なわれることがあり、製造歩留
まりが低いなどの問題があった。また、高温での焼成に
よって焼成収縮が生じるために、得られる基板に反りな
どの変形や寸法のばらつきなどが発生しやすいという問
題もあった。
[0004] However, since the ceramics constituting the insulating substrate of such a ceramic wiring board has a hard and brittle property, it is difficult to use the ceramics in a manufacturing process or a transporting process.
Chipping and cracking of the ceramics are liable to occur, and the hermeticity of the sealing of the semiconductor element may be impaired, resulting in problems such as low production yield. Further, since firing shrinkage is caused by firing at a high temperature, there is also a problem that deformation such as warpage or dimensional variation is likely to occur in the obtained substrate.

【0005】そこで、最近では、銅箔を接着した有機樹
脂を含む絶縁基板の表面にエッチング法で微細な回路を
形成し、しかる後にこの基板を積層して多層化したプリ
ント基板や、銅などの金属粉末を含むペーストを絶縁層
に印刷して配線層を形成した後にこれを積層し、あるい
は積層後に所望位置にマイクロドリルやパンチングなど
によりビアホールを形成して、そのビア壁内にメッキ法
により金属を付着させて配線層を接続して多層化したプ
リント配線基板が提案されている。
Therefore, recently, a fine circuit is formed by etching on the surface of an insulating substrate containing an organic resin to which a copper foil is adhered, and thereafter, this substrate is laminated to form a multilayered printed circuit board, such as copper or the like. A paste containing metal powder is printed on an insulating layer to form a wiring layer, and then laminated, or after lamination, a via hole is formed at a desired position by microdrilling or punching, and a metal is formed in the via wall by plating. There has been proposed a printed wiring board having a multilayer structure by attaching wiring layers and connecting wiring layers.

【0006】このようなプリント配線基板においては、
その強度を高めるために有機樹脂に対して球状あるいは
繊維状の無機材料を分散させた絶縁基板も提案されてい
る。また、配線基板を小型化するために、ビアホール導
体の径を小径化すること、ビアホール導体を任意の位置
に配置すること、あるいは配線の微細化や多層化が求め
られている。
In such a printed wiring board,
To increase the strength, an insulating substrate in which a spherical or fibrous inorganic material is dispersed in an organic resin has also been proposed. Further, in order to reduce the size of the wiring board, it is required to reduce the diameter of the via-hole conductor, to arrange the via-hole conductor at an arbitrary position, or to make the wiring finer or multilayer.

【0007】このようなプリント配線基板に対する要求
に対応して、最近では、各絶縁層に対してビアホールを
形成し、そのビアホール内に低抵抗金属粉末を含む導体
ペーストを充填してビアホール導体として多層配線化し
た配線基板が試作されている。
In response to such demands for printed wiring boards, recently, via holes have been formed in each of the insulating layers, and the via holes have been filled with a conductive paste containing a low-resistance metal powder to form multilayered via hole conductors. A wiring board with wiring has been prototyped.

【0008】しかしながら、マイクロドリルやパンチン
グを用いて孔を開ける方法では、ドリル径あるいはパン
チ径は最小でも0.15mm程度であり、要求される微
細加工には適していなかった。特に、有機樹脂に対して
繊維状の無機材料を分散させた絶縁層に対してマイクロ
ドリルやパンチングを用いて孔を開ける場合、ビアホー
ルの径が小さくなると穴あけ加工中にドリルまたはパン
チング用ピンが繊維間に入り込んで折れてしまうという
問題があった。
However, in the method of forming a hole using a microdrill or punching, the diameter of the drill or the punch is at least about 0.15 mm, which is not suitable for required fine processing. In particular, when micro-drilling or punching is used to make holes in an insulating layer in which a fibrous inorganic material is dispersed in an organic resin, if the diameter of the via hole becomes smaller, the drill or punching pins may be used during drilling. There was a problem that it broke in between and broke.

【0009】また、レーザー光を照射してビアホールを
形成することも提案されている。レーザー光を照射して
ビアホールを形成する場合、レーザー光の光径を制御す
ることにより、その径を任意に調整できる点で微細なビ
アホールの形成には非常に有利である。
It has also been proposed to form a via hole by irradiating a laser beam. When a via hole is formed by irradiating a laser beam, the diameter of the laser beam can be arbitrarily adjusted by controlling the diameter of the laser beam, which is very advantageous for forming a fine via hole.

【0010】ところが、レーザー光を照射する場合、レ
ーザー光をf−θレンズなどで集光して配線基板へ照射
するために、ビアホールの形状はレーザー光の入射側の
絶縁層表面の穴径が大きく、出射側の穴径が小さくな
る。すなわち、絶縁層の両面におけるビアホールの穴径
に大きな差が生じることになる。このようなビアホール
へ導電性物質を充填する場合において、出射側の穴径を
設計値に合わせると、入射側の穴径が設計値より大きく
なり、場合によっては近接するビアホール導体間で短絡
が発生し、回路パターン間の短絡不良の原因になるとい
う問題があった。一方、入射側の穴径を設計値に合わせ
ると、出射側の穴径が小さくなり、配線層との接触面積
が小さくなり、抵抗増加、導通不良の原因になるという
問題があった。
However, when irradiating a laser beam, since the laser beam is condensed by an f-θ lens or the like and irradiates the wiring substrate, the shape of the via hole is such that the hole diameter on the surface of the insulating layer on the laser beam incident side is small. It is large and the hole diameter on the emission side is small. That is, a large difference occurs between the diameters of the via holes on both surfaces of the insulating layer. When filling the via hole with a conductive substance, if the hole diameter on the emission side is adjusted to the design value, the hole diameter on the incidence side will be larger than the design value, and in some cases, a short circuit will occur between adjacent via hole conductors. However, there is a problem that a short circuit between circuit patterns may be caused. On the other hand, when the diameter of the hole on the incident side is adjusted to the design value, the diameter of the hole on the emission side is reduced, the contact area with the wiring layer is reduced, and there is a problem that the resistance increases and the conduction is poor.

【0011】また、絶縁層が繊維やガラスクロスなどで
複合されている場合、これらの複合物質の絶縁層内での
粗密によってビアホールの穴径や形状が大きく左右さ
れ、均一なビアホールが形成できない。このようなビア
ホールへ導電性物質を充填すると、穴径の小さい部分で
は導電性物質の充填不良や配線層との接触不良の原因に
なり、穴径が大きすぎると近接するビアホール間での短
絡不良の原因になるという問題があった。
When the insulating layer is composited with fibers, glass cloth, or the like, the hole diameter and shape of the via hole are greatly affected by the density of the composite material in the insulating layer, and a uniform via hole cannot be formed. Filling such a via hole with a conductive substance causes poor filling of the conductive substance or poor contact with the wiring layer in a portion with a small hole diameter, and a short circuit between adjacent via holes if the hole diameter is too large. There was a problem that caused.

【0012】したがって、本発明は絶縁層に形成される
ビアホールの寸法精度を高め、微細配線が可能で信頼性
に優れる携帯情報端末やモバイルコンピューターに最適
な小型、薄型且つ高精細の配線基板およびその製造方法
を提供するものである。
Therefore, the present invention improves the dimensional accuracy of via holes formed in an insulating layer, enables fine wiring and is highly reliable, and is suitable for a portable information terminal or a mobile computer. It is intended to provide a manufacturing method.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記のよう
な課題について鋭意検討した結果、レーザー光照射によ
りビアホールを形成する工程において、絶縁層のレーザ
ー光出射側に金属などのレーザー光を反射する材質でで
きたシートまたは板を敷いてレーザー光をこのシートま
たは板で反射させて絶縁層の裏面側へ反射光を照射し、
もってビアホール形状を鼓状に加工することにより、ビ
アホール形状にばらつきがなく、導体材料との接触不良
や短絡不良などがない信頼性の高いビアホールが形成さ
れることを見出し、本発明に至った。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies on the above-mentioned problems, the present inventor has found that in the step of forming a via hole by irradiating a laser beam, a laser beam of metal or the like is applied to the laser beam emitting side of the insulating layer. Lay a sheet or plate made of a reflective material and reflect the laser light on this sheet or plate to irradiate the reflected light to the back side of the insulating layer,
The present inventors have found that by processing the via hole shape in a drum shape, a highly reliable via hole having no variation in the via hole shape and no contact failure or short circuit failure with the conductive material is formed, and the present invention has been accomplished.

【0014】すなわち、本発明の配線基板は、少なくと
も有機樹脂を含有する絶縁層にビアホールを形成すると
共に、このビアホール内に導電性物質を充填してビアホ
ール導体とし、このビアホール導体に電気的に接続され
るように前記絶縁層表面に導体回路層を形成した配線基
板において、前記ビアホールを鼓状に形成したことを特
徴とするものである。
That is, in the wiring board of the present invention, a via hole is formed in an insulating layer containing at least an organic resin, and a conductive substance is filled in the via hole to form a via hole conductor, and the via hole conductor is electrically connected to the via hole conductor. The via hole is formed in a drum shape in a wiring board having a conductive circuit layer formed on the surface of the insulating layer as described above.

【0015】また、本発明の配線基板の製造方法は、少
なくとも有機樹脂を含有する厚みtの絶縁層の一方の表
面に、離型性フィルムと接着層とをその合計の厚みが前
記絶縁層の厚みtの0.15t以上となるように形成す
る工程と、前記絶縁層の下面にレーザー光を反射するシ
ートまたは板を敷いて前記離型性フィルムおよび接着層
を介して前記絶縁層にレーザー光を照射して、このレー
ザー光の入射光および反射光でビアホールを形成する工
程と、前記ビアホール内に導電性物質を充填する工程
と、前記離型性フィルムおよび接着層を剥離する工程
と、前記絶縁層の表面に導体回路層を形成することを特
徴とするものである。
Further, in the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a release film and an adhesive layer are provided on at least one surface of an insulating layer containing an organic resin and having a thickness t so that the total thickness of the insulating layer is Forming a sheet having a thickness t of 0.15 t or more, laying a sheet or plate reflecting laser light on the lower surface of the insulating layer, and forming a laser beam on the insulating layer via the release film and the adhesive layer. Irradiating, the step of forming a via hole with the incident light and reflected light of the laser light, the step of filling a conductive substance in the via hole, the step of peeling off the release film and the adhesive layer, A conductor circuit layer is formed on the surface of the insulating layer.

【0016】さらに、前記レーザー光を反射するシート
または板が銅、銀、アルミニウム、またはステンレスの
うちのいずれか1種から成ることが望ましい。
Further, it is desirable that the sheet or plate reflecting the laser beam is made of any one of copper, silver, aluminum and stainless steel.

【0017】さらにまた、前記接着層の厚みが2〜30
μmで、前記離型性フィルムと接着層との合計厚みが1
2〜130μmであることが望ましい。
Further, the thickness of the adhesive layer is 2 to 30.
μm, the total thickness of the release film and the adhesive layer is 1
Desirably, it is 2 to 130 μm.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図1により説明す
る。図1は、本発明における配線基板の一例を示す概略
図である。本発明の配線基板1は、図1に示すように、
少なくとも有機樹脂を含有する絶縁層2にビアホール8
を形成すると共に、このビアホール8内に導電性物質を
充填してビアホール導体4とし、このビアホール導体4
に電気的に接続されるように絶縁層2の表面に導体回路
層3を形成したものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a wiring board according to the present invention. As shown in FIG.
Via holes 8 are formed in insulating layer 2 containing at least an organic resin.
And a conductive substance is filled in the via hole 8 to form the via hole conductor 4.
A conductive circuit layer 3 is formed on the surface of an insulating layer 2 so as to be electrically connected to the insulating layer 2.

【0019】絶縁層2を構成する材料としては、少なく
とも有機樹脂を含有するもので、エポキシ系樹脂、トリ
アジン系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、フェノール系樹
脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂など一般に回路基
板に使用される樹脂が用いられるが、特にPPE(ポリ
フェニレンエーテル)、BTレジン(ビスマレイミドト
リアジン)、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹
脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド樹脂が
望ましく、とりわけ原料として室温でワニス状になる熱
硬化性樹脂であることが望ましい。
The insulating layer 2 is made of a material containing at least an organic resin, such as an epoxy resin, a triazine resin, a polybutadiene resin, a phenol resin, a fluorine resin, or a polyimide resin. The resin to be used is used. In particular, PPE (polyphenylene ether), BT resin (bismaleimide triazine), epoxy resin, polyimide resin, fluororesin, phenol resin, and polyamide bismaleimide resin are desirable. It is desirable that the thermosetting resin be as follows.

【0020】また、上記有機樹脂にガラス繊維を補強材
として含浸させた有機樹脂も好適に用いられる。この
時、ガラス繊維は織布または不織布として含有されるこ
とが望ましい。特に、均一なビアホール8を形成するた
めに、織布の繊維の一部をほぐし織布の厚さを均一にす
る解繊を施したものが望ましい。また、絶縁層中にガラ
ス繊維が30〜70体積%の割合で含まれることが望ま
しい。
An organic resin obtained by impregnating the above organic resin with glass fiber as a reinforcing material is also preferably used. At this time, the glass fiber is desirably contained as a woven or nonwoven fabric. In particular, in order to form a uniform via hole 8, it is preferable that a part of fibers of the woven fabric is loosened and defibration is performed to make the thickness of the woven fabric uniform. Further, it is desirable that glass fibers be contained in the insulating layer at a ratio of 30 to 70% by volume.

【0021】さらに、絶縁層2の強度を高めるために、
上記有機樹脂に無機質フィラーを添加することもでき
る。無機質フィラーとしては、SiO2 、Al2 3
AlNなどが好適に用いられる。フィラーの形状は平均
粒径が20μm以下、特に10μm以下、最適には7μ
m以下の略球状の粉末が用いられる。また、場合によっ
ては、高誘電率のフィラーを用いることによって、絶縁
層2の誘電率を高めることも可能である。さらに、有機
樹脂と無機質フィラーの体積比率を85:15〜15:
85の比率で適宜配合することにより、絶縁層2の熱膨
張係数を調整することができる。
Further, in order to increase the strength of the insulating layer 2,
An inorganic filler can be added to the organic resin. As the inorganic filler, SiO 2 , Al 2 O 3 ,
AlN or the like is preferably used. The filler has an average particle diameter of 20 μm or less, particularly 10 μm or less, and optimally 7 μm or less.
An approximately spherical powder of m or less is used. In some cases, the dielectric constant of the insulating layer 2 can be increased by using a filler having a high dielectric constant. Further, the volume ratio of the organic resin and the inorganic filler is set to 85:15 to 15:
The thermal expansion coefficient of the insulating layer 2 can be adjusted by appropriately mixing them at a ratio of 85.

【0022】本発明の配線基板1では、ビアホール8の
両側の端面のホール径を中心より大きくすることが重要
である。この条件は、厚み50μm以上、特に100μ
m以上、更には150μm以上の絶縁層2に対しても寸
法精度のよいビアホール8を形成でき、また、径90μ
m以下、特に80μm以下のビアホール8を形成する場
合においても寸法精度のよいビアホールを形成できる。
In the wiring board 1 of the present invention, it is important to make the hole diameters of the end faces on both sides of the via hole 8 larger than the center. The condition is that the thickness is 50 μm or more, especially 100 μm.
The via hole 8 having high dimensional accuracy can be formed even in the insulating layer 2 having a diameter of 90 μm or more, and even 150 μm or more.
Even when forming a via hole 8 of not more than m, particularly not more than 80 μm, a via hole with good dimensional accuracy can be formed.

【0023】このように、ビアホール8の両端面のビア
ホール径を中心部より大きくすることにより、ビアホー
ル8の端面と導体回路層3が接触する面積が大きくな
り、回路パターンの短絡不良が減少する。また、導体材
料の充填不良も少なくなる。これらにより、配線回路の
信頼性が向上するとともに、ビアホール8のピッチを狭
くすることができ、微細配線が可能となる。
As described above, by increasing the diameter of the via hole at both end surfaces of the via hole 8 from the central portion, the area where the end surface of the via hole 8 contacts the conductive circuit layer 3 is increased, and the short circuit failure of the circuit pattern is reduced. In addition, poor filling of the conductive material is reduced. As a result, the reliability of the wiring circuit is improved, the pitch of the via holes 8 can be reduced, and fine wiring can be achieved.

【0024】ビアホール導体4は、例えば銅、アルミニ
ウム、金、銀などから選ばれる少なくとも1種または2
種以上の合金を主体とする低抵抗金属粉末を含む導体か
ら形成される。低抵抗金属としては、特に銅または銅を
含む合金が望ましく、充填される低抵抗金属粉末は平均
粒径が0.1〜10μmのものが望ましい。
The via-hole conductor 4 is made of at least one selected from, for example, copper, aluminum, gold, silver and the like.
It is formed from a conductor containing a low-resistance metal powder mainly composed of at least one kind of alloy. As the low-resistance metal, copper or an alloy containing copper is particularly desirable, and the low-resistance metal powder to be filled preferably has an average particle diameter of 0.1 to 10 μm.

【0025】また、場合によっては、上記金属以外にも
回路の抵抗調整のためにNi−Cr合金などの高抵抗の
金属を混合または合金化したものを用いてもよい。さら
に、低抵抗化のために、前記低抵抗金属よりも低融点の
金属、例えば半田や錫などの低融点金属を導体組成物中
に含んでもよい。また、ビアホール導体中には上記の低
抵抗金属以外に、金属粉末間の結合材あるいは金属粉末
の充填性を向上させるために結合剤および溶剤が添加さ
れる。
In some cases, in addition to the above-mentioned metals, a material obtained by mixing or alloying a high-resistance metal such as a Ni—Cr alloy for adjusting the resistance of the circuit may be used. Further, in order to reduce the resistance, the conductor composition may include a metal having a lower melting point than the low-resistance metal, for example, a low-melting metal such as solder or tin. In addition, a binder and a solvent are added to the via-hole conductor, in addition to the low-resistance metal described above, in order to improve a filling material between metal powders or metal powder.

【0026】導体回路層3は、銅などの低抵抗金属から
なる金属箔や銅、アルミニウム、金、銀などの低抵抗金
属粉末を含む導体から形成される。低抵抗化の上では、
金属箔から構成されることが望ましい。
The conductive circuit layer 3 is formed of a metal foil made of a low-resistance metal such as copper, or a conductor containing a low-resistance metal powder such as copper, aluminum, gold, or silver. On lowering the resistance,
It is desirable to be composed of metal foil.

【0027】さらに、絶縁層2を積層して多層配線基板
とすることもできる。多層配線基板の構成としては、ガ
ラス繊維含有絶縁層を用いることが基板の強度向上の点
で望ましいが、その場合、内部層にガラス繊維含有有機
樹脂を配置し、その最外層に有機樹脂または無機質フィ
ラー添加有機樹脂を用いることが望ましい。
Further, the insulating layer 2 can be laminated to form a multilayer wiring board. As for the configuration of the multilayer wiring board, it is desirable to use a glass fiber-containing insulating layer from the viewpoint of improving the strength of the board. In this case, an organic resin or an inorganic It is desirable to use a filler-added organic resin.

【0028】これはガラス繊維含浸有機樹脂の吸水率が
0.2%であり、アラミド繊維を含浸したものの吸水率
が2〜3%であるのに対して耐吸湿性は高いが、ガラス
繊維含浸有機樹脂を多湿雰囲気で長時間保持するとガラ
ス繊維と樹脂との界面に水分が拡散し、導体回路層3が
酸化されるため、最外層としては水分の進入を防止する
有機樹脂または無機質フィラー添加有機樹脂を用いるこ
とが望ましい。なお、この最外層の厚みは10〜300
μm、特に40〜100μmであることが望ましい。
This is because the glass fiber impregnated organic resin has a water absorption of 0.2% and the water impregnated with aramid fiber has a water absorption of 2 to 3%. When the organic resin is held in a humid atmosphere for a long time, moisture diffuses into the interface between the glass fiber and the resin, and the conductive circuit layer 3 is oxidized. It is desirable to use a resin. The thickness of the outermost layer is 10 to 300.
μm, particularly preferably 40 to 100 μm.

【0029】次に、本発明の配線基板の製造方法を図2
に基づいて説明する。まず、前述した有機樹脂からなる
絶縁層2の未硬化状態または半硬化状態(Bステージ状
態)であるプリプレグ5(図2(a))の片方の表面
に、接着層7を介して離型性フィルム6を接着する(図
2(b))。Bステージ状態のプリプレグ5に対してレ
ーザー加工を行なうのは、樹脂成分が未硬化状態の方が
分解しやすくレーザー加工を容易に行なうことができる
ためである。また、離型性フィルムの効果を高める上で
は、プリプレグ5のレーザー照射による分解温度が離型
性フィルムのレーザー照射による分解温度よりも低くな
るように、プリプレグ5の硬化度を設定することが望ま
しい。
Next, a method of manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG.
It will be described based on. First, the adhesive layer 7 is provided on one surface of the prepreg 5 (FIG. 2A) in the uncured state or semi-cured state (B-stage state) of the insulating layer 2 made of the organic resin described above. The film 6 is adhered (FIG. 2B). The reason why the laser processing is performed on the prepreg 5 in the B-stage state is that the resin component in the uncured state is more easily decomposed and the laser processing can be easily performed. In order to enhance the effect of the release film, it is desirable to set the degree of cure of the prepreg 5 such that the decomposition temperature of the prepreg 5 by laser irradiation is lower than the decomposition temperature of the release film by laser irradiation. .

【0030】ガラス繊維含浸プリプレグ5を形成する場
合、前述した有機樹脂に、トルエン、酢酸ブチル、メチ
ルエチルケトン、イソプロピルアルコール、メタノール
などの溶媒を添加して100〜3000ポイズの粘度を
有する有機樹脂スラリーを作製する。作製した有機樹脂
スラリーに、例えばEガラスやSガラスの織布または不
織布を浸し、ガラスに有機樹脂を含浸させる。その後、
40〜100℃で0.5〜5時間加熱乾燥する。また、
レーザー加工時に、ガラス繊維と樹脂の分解、蒸発温度
が異なるために、孔の形状が不均一になることを防止す
るには、プリプレグ5中のガラス繊維の分散性が高いこ
とが望ましい。また、プリプレグ5には市販のプリプレ
グを使用してもよい。
When forming the glass fiber impregnated prepreg 5, a solvent such as toluene, butyl acetate, methyl ethyl ketone, isopropyl alcohol, or methanol is added to the above-mentioned organic resin to prepare an organic resin slurry having a viscosity of 100 to 3000 poise. I do. A woven or non-woven fabric of, for example, E glass or S glass is immersed in the produced organic resin slurry to impregnate the glass with the organic resin. afterwards,
Heat and dry at 40-100 ° C for 0.5-5 hours. Also,
It is desirable that the glass fibers in the prepreg 5 have high dispersibility in order to prevent the hole shape from becoming non-uniform due to different decomposition and evaporation temperatures of the glass fiber and the resin during laser processing. Further, a commercially available prepreg may be used for the prepreg 5.

【0031】また、無機フィラーを含む有機樹脂シート
でプリプレグ5を形成する場合、有機樹脂または有機樹
脂と無機フィラーとからなる組成物を混錬機や3本ロー
ルなどの手段によって充分に混合し、これを圧延法、押
し出し法、射出法、ドクターブレード法などによってシ
ート状に成形した後、有機樹脂を半硬化させる。半硬化
には、有機樹脂が熱可塑性樹脂の場合には、加熱下で混
合したものを冷却し、熱硬化性樹脂の場合には、完全硬
化するに充分な温度よりも低い温度に加熱すればよい。
When the prepreg 5 is formed from an organic resin sheet containing an inorganic filler, the organic resin or a composition comprising the organic resin and the inorganic filler is sufficiently mixed by means such as a kneader or a three-roll machine. This is formed into a sheet by a rolling method, an extrusion method, an injection method, a doctor blade method or the like, and then the organic resin is semi-cured. For semi-curing, if the organic resin is a thermoplastic resin, cool the mixture mixed under heating, and if it is a thermosetting resin, heat it to a temperature lower than the temperature sufficient for complete curing. Good.

【0032】離型性フィルム6は、PET、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、アクリルなどのようにシート状
に形成できるものが使用できる。特に、PETとポリエ
チレンが好適に使用できる。
As the release film 6, a film that can be formed into a sheet, such as PET, polyethylene, polycarbonate, and acrylic, can be used. In particular, PET and polyethylene can be suitably used.

【0033】接着層7は、アクリル系、エポキシ系など
通常糊となるもの、および紫外光を照射することにより
粘着性を失うタイプの接着剤が使用できる。また、接着
層7の厚みは2〜30μmであることが望ましい。これ
は、接着層7がないかもしくは2μmより薄い場合、絶
縁層2と離型性フィルム6の密着性が悪くなり、密着の
悪い部分にレーザー光が照射されると、絶縁層表面近傍
のレーザー照射部の周辺部分に変質および変形(スミ
ア)が生じるためである。また、接着層7の厚みが30
μm以上になると、離型性フィルム6を絶縁層2から剥
離する時に絶縁層2上に接着層7が部分的に残り、樹脂
を硬化する際に残留した接着層7がカーボンとして残留
し、配線基板を多層化する場合、積層不良の原因になる
からである。
The adhesive layer 7 may be an ordinary adhesive such as an acrylic or epoxy adhesive, or a type of adhesive that loses its tackiness when irradiated with ultraviolet light. Further, the thickness of the adhesive layer 7 is desirably 2 to 30 μm. This is because if the adhesive layer 7 is absent or thinner than 2 μm, the adhesion between the insulating layer 2 and the release film 6 deteriorates. This is because deterioration and deformation (smear) occur in the peripheral part of the irradiation part. Further, the thickness of the adhesive layer 7 is 30
When the thickness is greater than or equal to μm, the adhesive layer 7 partially remains on the insulating layer 2 when the release film 6 is peeled from the insulating layer 2, and the adhesive layer 7 remaining when the resin is cured remains as carbon, and This is because, when the substrate is multilayered, it causes lamination failure.

【0034】離型性フィルム6と接着層7の合計厚みは
12〜130μmであることが望ましい。厚みが12μ
mより薄いと、レーザー加工時に離型性フィルムの効果
が充分に発揮されないためであり、また厚みが130μ
mより厚くなると離型性フィルム6および7に孔を開け
ることが困難となるためである。なお、生産性を向上さ
せる上では、離型性フィルム6と接着層7の合計厚みは
100μm以下、さらには50μm以下であることが望
ましい。
The total thickness of the release film 6 and the adhesive layer 7 is desirably 12 to 130 μm. 12μ thick
If the thickness is less than m, the effect of the release film is not sufficiently exhibited during laser processing.
If the thickness is larger than m, it is difficult to form holes in the release films 6 and 7. In order to improve the productivity, the total thickness of the release film 6 and the adhesive layer 7 is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less.

【0035】次に、離型性フィルム6を接着したプリプ
レグ5に対して、レーザー加工により直径0.05〜
0.3mm程度のビアホール8を形成する(図2
(c))。レーザー加工を行なう際に、図3に示すよう
に、予め試料支持体9にビアホールの1〜6倍程度大き
い孔10を開けた後、ビアホール8を形成する位置が孔
10の直上となるようにプリプレグ5を載置する。この
支持体9の下にレーザー光を反射する材質で構成された
シートまたは板11を敷く。この反射板11により穿孔
されたビアホールを通過したレーザービームを反射させ
ることにより、プリプレグ5の裏面側についても加工が
ほどこされ、裏面側の穴径が表面側の0.8〜1.0倍
で中心部が窪んだ鼓状のビアホール8が形成できる。
Next, the prepreg 5 to which the release film 6 has been adhered has a diameter of 0.05 to
A via hole 8 of about 0.3 mm is formed (FIG. 2).
(C)). At the time of performing the laser processing, as shown in FIG. 3, a hole 10 which is about 1 to 6 times larger than the via hole is previously formed in the sample support 9, and the position where the via hole 8 is formed is directly above the hole 10. The prepreg 5 is placed. A sheet or plate 11 made of a material that reflects laser light is laid under the support 9. By reflecting the laser beam that has passed through the via hole formed by the reflecting plate 11, the backside of the prepreg 5 is also processed, and the hole diameter on the backside is 0.8 to 1.0 times that of the front side. A drum-shaped via hole 8 having a concave central portion can be formed.

【0036】前記レーザー光を反射させるシートまたは
板11は銅、アルミニウム、ステンレス、銀、または金
などのうちの1種であることが望ましく、レーザーの反
射光率、経済性から銅、アルミニウム、またはステンレ
スを好適に使用できる。
The sheet or plate 11 for reflecting the laser beam is desirably one of copper, aluminum, stainless steel, silver, gold and the like. Stainless steel can be suitably used.

【0037】また、ビアホール8の形成に使用されるレ
ーザーは、炭酸ガスレーザー、YAGレーザ一あるいは
エキシマレーザーなどの公知のレーザーが使用できる
が、特に金属により反射された時に反射光が絶縁層2を
加工することのできる充分なエネルギーを有している炭
酸ガスレーザーが好適である。
As a laser used for forming the via hole 8, a known laser such as a carbon dioxide laser, a YAG laser, or an excimer laser can be used. In particular, when reflected by a metal, the reflected light passes through the insulating layer 2. A carbon dioxide laser having sufficient energy to be processed is preferable.

【0038】次に、同図(d)に示すように、形成した
ビアホール8に対して、導体ペーストを充填してビアホ
ール導体4を形成する。導体ペーストは、前述した低抵
抗金属粉末100重量部に対して、エポキシ、セルロー
スなどの有機樹脂を0.1〜5重量部、酢酸ブチル、イ
ソプロピルアルコール、オクタノール、テルピネオー
ル、トルエン、キシレンなどの溶剤を4〜10重量部の
組成からなることが望ましい。場合によっては、ビアホ
ール導体4を充填した後、60〜140℃で加熱処理を
行ない、ペースト中の溶剤および樹脂分を分解、揮散除
去することもできる。
Next, as shown in FIG. 5D, the via holes 8 thus formed are filled with a conductive paste to form via-hole conductors 4. The conductor paste is prepared by adding 0.1 to 5 parts by weight of an organic resin such as epoxy or cellulose, and a solvent such as butyl acetate, isopropyl alcohol, octanol, terpineol, toluene, or xylene to 100 parts by weight of the low-resistance metal powder described above. It is desirable that the composition be 4 to 10 parts by weight. In some cases, after filling the via-hole conductor 4, a heat treatment may be performed at 60 to 140 ° C. to decompose and volatilize and remove the solvent and resin components in the paste.

【0039】次に、同図(e)に示すように、プリプレ
グ5から離型性フィルム6および接着層7を剥離する。
この時、離型性フィルム6および接着層7部分に埋め込
まれた導体も離型性フィルム6および接着層7とともに
剥離する。
Next, as shown in FIG. 4E, the release film 6 and the adhesive layer 7 are peeled from the prepreg 5.
At this time, the conductor embedded in the release film 6 and the adhesive layer 7 also peels off together with the release film 6 and the adhesive layer 7.

【0040】次に、同図(f)に示すように、プリプレ
グ5の表面に、導体回路層3を形成する。導体回路層3
の形成には、銅などの金属箔を絶縁層12に接着剤で貼
り付けた後に、回路パターンのレジストを形成して酸な
どによって不要な部分の金属をエッチング除去するか、
予め打ち抜きした金属箔を貼りつけるなどの方法があ
る。他の方法としては、絶縁層12の表面に導体ペース
トを回路パターンにスクリーン印刷や、フォトレジスト
法などによって形成して乾燥した後、加圧して配線回路
を絶縁層表面に埋め込みプリプレグ5に密着させること
で形成できる。特に、配線回路をフィルム、ガラス、金
属板上にメッキ、金属箔を形成し、これをエッチングし
て回路パターンを形成し、プリプレグ5上に加圧しなが
ら転写することにより配線回路を絶縁層表面に埋め込ん
で形成することができる。この方法は、特に多層化時、
積層時の導体回路層による積層不良を防止できる点で有
効である。
Next, as shown in FIG. 2F, a conductive circuit layer 3 is formed on the surface of the prepreg 5. Conductor circuit layer 3
To form a resist, after attaching a metal foil such as copper to the insulating layer 12 with an adhesive, a resist of a circuit pattern is formed, and unnecessary metal is removed by etching with an acid or the like.
There is a method of attaching a metal foil punched in advance. As another method, a conductor paste is formed on the surface of the insulating layer 12 by screen printing or a photoresist method on a circuit pattern, dried, and then pressed to embed the wiring circuit on the insulating layer surface and adhere to the prepreg 5. Can be formed. In particular, the wiring circuit is plated on a film, glass, or metal plate, a metal foil is formed, the circuit pattern is formed by etching the metal circuit, and the wiring circuit is transferred onto the prepreg 5 while being pressed, so that the wiring circuit is formed on the surface of the insulating layer. It can be formed by embedding. This method is especially useful for multi-layer
This is effective in that lamination failure due to the conductor circuit layer during lamination can be prevented.

【0041】最後に、同図(g)に示すように、150
〜300℃の硬化温度で加熱して絶縁層の有機樹脂を完
全に硬化させる。また、多層配線基板とする場合は、
(e)の工程のプリプレグ5を所望の枚数位置合わせし
た後に積層し硬化処理を行えばよい。この時、プリプレ
グ5の積層方法としては、前述の通り内部層をガラス樹
脂含有プリプレグとし、最外層を有機樹脂または無機質
フィラー添加プリプレグとすることが望ましい。絶縁基
板の内部層と最外層とは、いずれも半硬化状態で接着さ
れ、且つ同時に硬化されるために、ガラスを含まない最
外層が、内部層から剥離することはなく、多層配線基板
を作製することができる。
Finally, as shown in FIG.
Heat at a curing temperature of about 300 ° C. to completely cure the organic resin of the insulating layer. In the case of a multilayer wiring board,
After the desired number of prepregs 5 in the step (e) are aligned, the layers may be laminated and cured. At this time, as a method of laminating the prepreg 5, as described above, it is preferable that the inner layer is a prepreg containing a glass resin and the outermost layer is a prepreg containing an organic resin or an inorganic filler. Since the inner layer and the outermost layer of the insulating substrate are both bonded in a semi-cured state and are simultaneously cured, the outermost layer containing no glass does not peel off from the inner layer, and a multilayer wiring board is produced. can do.

【0042】[0042]

【実施例】PPE(ポリフェニレンエーテル)樹脂(熱
膨張率測定によるガラス転移点165〜185℃)を含
むスラリー(溶媒トルエン)をガラス織布に含浸させた
後、乾燥させ、表1に示す厚みのガラス繊維含浸プリプ
レグを準備した。なお、含有比率は、PPE樹脂50体
積%、ガラスの織布50体積%とした。このプリプレグ
の片面に、表1に示す厚みのアクリル系粘着層(厚みt
2)を介してPETフィルム(厚みt1)を接着した。
EXAMPLE A glass woven fabric was impregnated with a slurry (solvent toluene) containing a PPE (polyphenylene ether) resin (glass transition point of 165 to 185 ° C. as measured by coefficient of thermal expansion), dried, and dried to a thickness shown in Table 1. A glass fiber impregnated prepreg was prepared. The content ratio was 50% by volume of PPE resin and 50% by volume of glass woven fabric. On one side of this prepreg, an acrylic pressure-sensitive adhesive layer having a thickness shown in Table 1 (thickness t)
The PET film (thickness t1) was bonded via 2).

【0043】このプリプレグをレーザーによるビア加工
するために、装置のテーブル上に厚み1mmの銅箔を敷
き、その上に厚み3mmのアクリル板を置き、プリプレ
グに加工するのと同じパターンで100μmφの孔を開
けた。
In order to process the prepreg with a laser via, a 1 mm thick copper foil is laid on the table of the apparatus, an acrylic plate having a thickness of 3 mm is placed on the copper foil, and a hole of 100 μmφ is formed in the same pattern as the prepreg is processed. Was opened.

【0044】そして、このアクリル板上にプリプレグを
置き、このプリプレグに炭酸ガスレーザーを用い、表1
に示すレーザー照射条件で70μmのビアホールを形成
し、そのホール内に銀をメッキした銅粉末を含む銅ペー
ストを充填してビアホール導体を形成後、前記PETフ
ィルムおよびアクリル系粘着層を剥離した。
Then, a prepreg was placed on the acrylic plate, and a carbon dioxide laser was used for the prepreg.
After forming a via hole of 70 μm under the laser irradiation conditions shown in (1) and filling the hole with a copper paste containing copper powder plated with silver to form a via hole conductor, the PET film and the acrylic adhesive layer were peeled off.

【0045】一方、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)樹脂からなる転写シートの表面に接着剤を塗布して
粘着性をもたせ、厚さ12μm、表面粗さ0.8μmの
銅箔を一面に接着した。その後、フォトレジストを塗布
し露光現像を行った後、これを塩化第二鉄溶液中に浸漬
して非パターン部をエッチング除去して導体回路層を形
成した。なお、作製した導体回路層は、線幅が30μ
m、配線と配線との間隔を30μmとした。
On the other hand, polyethylene terephthalate (PE)
T) An adhesive was applied to the surface of a transfer sheet made of a resin to impart tackiness, and a copper foil having a thickness of 12 μm and a surface roughness of 0.8 μm was adhered to one surface. Thereafter, a photoresist was applied and exposed and developed, and then immersed in a ferric chloride solution to remove non-pattern portions by etching to form a conductor circuit layer. The produced conductor circuit layer has a line width of 30 μm.
m, and the distance between the wirings was 30 μm.

【0046】そして、プリプレグの表面に配線パターン
を形成した転写シートを重ね合わせて圧着し、転写シー
トのみを剥離して導体回路層を転写し、導体回路層をプ
リプレグ表面に埋め込んだ。
Then, a transfer sheet having a wiring pattern formed on the surface of the prepreg was overlapped and pressed, and only the transfer sheet was peeled off to transfer the conductive circuit layer, and the conductive circuit layer was embedded in the prepreg surface.

【0047】得られたプリプレグについて、200℃で
1時間、20kg/cm2 の荷重をかけた状態で加熱し
て完全硬化させて配線基板を作製した。
The obtained prepreg was heated at 200 ° C. for 1 hour under a load of 20 kg / cm 2 and completely cured to produce a wiring board.

【0048】得られた配線基板について、実体顕微鏡を
用いて変形や変質の有無の確認およびビアホールの一方
の端面側のホール径d1および他方の端面側のホール径
d2(d1≧d2)の測定を行った。その結果を表1に
示す。
For the obtained wiring board, the presence or absence of deformation or alteration and the measurement of the hole diameter d1 on one end face side and the hole diameter d2 (d1 ≧ d2) on the other end face side of the via hole are checked using a stereo microscope. went. Table 1 shows the results.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【0050】表1の結果から明らかなように、ビアホー
ルを形成する場合に反射板を用いずにすり鉢状に形成し
たものは接続不良が発生するものの、本発明のようにビ
アホールを反射板を用いて鼓状に形成したものは、スミ
アが若干発生する程度で接続信頼性の高いビアホールが
形成できた。
As is clear from the results of Table 1, when a via hole is formed in a mortar shape without using a reflector, a connection failure occurs, but as in the present invention, a via hole is formed using a reflector. In the drum-shaped one, a via hole with high connection reliability was formed to the extent that smear was slightly generated.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明の配線基板
によれば、ビアホールを鼓状に形成したことから、均一
な形状を有するビアホールが形成でき、導電性物質の充
填不良や配線層との接触不良を防止することができ、ま
た近接するビアホール間での短絡不良を防止することが
できる。
As described above in detail, according to the wiring board of the present invention, since the via holes are formed in a drum shape, the via holes having a uniform shape can be formed, and the filling of the conductive material with the wiring layer and the formation of the wiring layer can be prevented. Can be prevented, and a short circuit between adjacent via holes can be prevented.

【0052】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、離型性フィルムおよび接着層を介して絶縁層にレー
ザー光の入射光と反射光でビアホールを形成することか
ら、鼓状のビアホールを正確かつ容易に形成することが
でき、接続信頼性の高いビアホールが形成できる。
According to the method of manufacturing a wiring board of the present invention, the via hole is formed by the incident light and the reflected light of the laser beam on the insulating layer via the release film and the adhesive layer. Can be formed accurately and easily, and a via hole with high connection reliability can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の配線基板の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a wiring board of the present invention.

【図2】本発明の配線基板の製造方法を説明するための
図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method for manufacturing a wiring board according to the present invention.

【図3】本発明の配線基板のビアホール形成時の磁器の
支持方法を示すための図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of supporting porcelain when forming a via hole in a wiring board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:配線基板、2:絶縁層、3:導体回路層、4:ビア
ホール導体、5:プリプレグ、6:離型性フィルム、
7:接着層、8:ビアホール、9:支持体、10:孔、
11:反射板、12:転写シート
1: wiring board, 2: insulating layer, 3: conductor circuit layer, 4: via hole conductor, 5: prepreg, 6: release film,
7: adhesive layer, 8: via hole, 9: support, 10: hole,
11: reflector, 12: transfer sheet

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年9月17日(1999.9.1
7)
[Submission Date] September 17, 1999 (1999.9.1)
7)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0014[Correction target item name] 0014

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0014】すなわち、本発明の配線基板は、少なくと
も有機樹脂を含有する絶縁層にビアホールを形成すると
共に、このビアホール内に低抵抗金属粉末を含む導電性
物質を充填してビアホール導体とし、このビアホール導
体と電気的に接続されるように前記絶縁層表面に導体回
路層を形成した配線基板において、前記ビアホールを鼓
状に形成するとともに、前記配線回路層を前記絶縁層表
面に埋め込んで形成してなることを特徴とするものであ
る。
That is, according to the wiring board of the present invention, a via hole is formed in an insulating layer containing at least an organic resin, and a conductive material containing a low-resistance metal powder is filled in the via hole to form a via-hole conductor. In a wiring board having a conductor circuit layer formed on the surface of the insulating layer so as to be electrically connected to a conductor, the via hole is formed in a drum shape, and the wiring circuit layer is formed by being embedded in the surface of the insulating layer. It is characterized by becoming.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0015[Correction target item name] 0015

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0015】また、本発明の配線基板の製造方法は、少
なくとも有機樹脂を含有する厚みtの未硬化状態または
半硬化状態の絶縁層の一方の表面に、離型性フィルムと
接着層とをその合計厚みが前記絶縁層の厚みtの0.1
5t以上となるように形成する工程と、前記絶縁層の下
面にレーザー光を反射するシートまたは板を敷いて前記
離型性フィルムおよび接着層を介して前記絶縁層にレー
ザー光を照射して、このレーザー光の入射光および反射
光でビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に
低抵抗金属粉末を含む導体ペーストを充填する工程と、
前記離型性フィルムおよび接着層を剥離する工程と、前
記絶縁層の表面に転写法によって導体回路層を前記絶縁
層表面に埋め込んで形成することを特徴とするものであ
る。
Further, in the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a release film and an adhesive layer are formed on one surface of an uncured or semi-cured insulating layer having a thickness t containing at least an organic resin. The total thickness is 0.1 of the thickness t of the insulating layer.
A step of forming so as to be 5t or more, and irradiating the insulating layer with laser light via the release film and the adhesive layer by laying a sheet or plate reflecting laser light on the lower surface of the insulating layer, A step of forming a via hole with the incident light and the reflected light of the laser light, and a step of filling a conductive paste containing a low-resistance metal powder in the via hole,
The method is characterized in that a step of peeling off the release film and the adhesive layer and a step of embedding a conductor circuit layer in the surface of the insulating layer on the surface of the insulating layer by a transfer method.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも有機樹脂を含有する絶縁層に
ビアホールを形成すると共に、このビアホール内に導電
性物質を充填してビアホール導体とし、このビアホール
導体に電気的に接続されるように前記絶縁層表面に導体
回路層を形成した配線基板において、前記ビアホールを
鼓状に形成したことを特徴とする配線基板。
1. A via hole is formed in an insulating layer containing at least an organic resin, and a conductive substance is filled in the via hole to form a via hole conductor, and the insulating layer is electrically connected to the via hole conductor. A wiring board, wherein the via hole is formed in a drum shape on a wiring board having a conductive circuit layer formed on a surface thereof.
【請求項2】 少なくとも有機樹脂を含有する厚みtの
絶縁層の一方の表面に、離型性フィルムと接着層とをそ
の合計厚みが前記絶縁層の厚みtの0.15t以上とな
るように形成する工程と、前記絶縁層の下面にレーザー
光を反射するシートまたは板を敷いて前記離型性フィル
ムおよび接着層を介して前記絶縁層にレーザー光を照射
して、このレーザー光の入射光および反射光でビアホー
ルを形成する工程と、前記ビアホール内に導電性物質を
充填する工程と、前記離型性フィルムおよび接着層を剥
離する工程と、前記絶縁層の表面に導体回路層を形成す
る工程とを具備する配線基板の製造方法。
2. A release film and an adhesive layer are formed on at least one surface of an insulating layer containing an organic resin and having a thickness t such that the total thickness thereof is 0.15 t or more of the thickness t of the insulating layer. Forming and irradiating the insulating layer with laser light via the release film and the adhesive layer by laying a sheet or plate reflecting laser light on the lower surface of the insulating layer, and the incident light of the laser light Forming a via hole with reflected light, filling the via hole with a conductive material, removing the release film and the adhesive layer, and forming a conductive circuit layer on the surface of the insulating layer. And a method for manufacturing a wiring board.
【請求項3】 前記レーザー光を反射するシートまたは
板が銅、銀、アルミニウム、またはステンレスのうちの
いずれか1種から成ることを特徴とする請求項2に記載
の配線基板の製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the sheet or plate that reflects the laser light is made of one of copper, silver, aluminum, and stainless steel.
【請求項4】 前記接着層の厚みが2〜30μmで、前
記離型性フィルムと接着層との合計厚みが12〜130
μmであることを特徴とする請求項2に記載の配線基板
の製造方法。
4. The thickness of the adhesive layer is 2 to 30 μm, and the total thickness of the release film and the adhesive layer is 12 to 130.
The method of claim 2, wherein the thickness is μm.
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