JP2000156537A - 光源装置 - Google Patents
光源装置Info
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- JP2000156537A JP2000156537A JP10346604A JP34660498A JP2000156537A JP 2000156537 A JP2000156537 A JP 2000156537A JP 10346604 A JP10346604 A JP 10346604A JP 34660498 A JP34660498 A JP 34660498A JP 2000156537 A JP2000156537 A JP 2000156537A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不要なフレア光束等を除去する。
【解決手段】 レーザーホルダ４３には半導体レーザー
光源４１が保持されており、レーザー光Ｌの光路となる
円筒部５１内に遮蔽壁５２が設けられており、この遮蔽
壁５２の半導体レーザー光源４１側と反対側の面には半
導体レーザー光源４１の反対側に拡開するテーパ穴５３
が形成されており、テーパ穴５３の中心には小径のピン
ホール５４が形成されている。更に前方にはコリメート
レンズ４４が設けられている。半導体レーザー光源４１
から出射されたレーザー光は、遮蔽壁５２のピンホール
５４のみを通過したものが、コリメートレンズ４４に入
射するので、フレアが混在する可能性は少ない。
光源４１が保持されており、レーザー光Ｌの光路となる
円筒部５１内に遮蔽壁５２が設けられており、この遮蔽
壁５２の半導体レーザー光源４１側と反対側の面には半
導体レーザー光源４１の反対側に拡開するテーパ穴５３
が形成されており、テーパ穴５３の中心には小径のピン
ホール５４が形成されている。更に前方にはコリメート
レンズ４４が設けられている。半導体レーザー光源４１
から出射されたレーザー光は、遮蔽壁５２のピンホール
５４のみを通過したものが、コリメートレンズ４４に入
射するので、フレアが混在する可能性は少ない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザービームプ
リンタ、レーザーファクシミリ等の画像記録装置や光デ
ィスクのピックアップユニット等に用いられる光源装置
に関するものである。
リンタ、レーザーファクシミリ等の画像記録装置や光デ
ィスクのピックアップユニット等に用いられる光源装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光源装置１は図６に示す
ような光学箱２の壁面に取り付けられている。この光源
装置１から出射されたレーザー光Ｌはシリンドリカルレ
ンズ３を透過し、ポリゴンミラー４の反射面に照射され
る。更に、このポリゴンミラー４により偏向走査された
レーザー光Ｌは結像レンズ５を透過して折返しミラー６
により反射され、図示しない感光ドラムに入射する。ポ
リゴンミラー４の回転よる主走査及び感光ドラムの回転
による副走査により感光ドラム上に静電潜像を形成す
る。更に、結像レンズ５の端部を透過したレーザー光Ｌ
の一部は検出ミラー７により走査開始信号検出器８に入
射され、走査開始信号検出器８の出力信号により、光源
装置１における半導体レーザー出力装置の書き込み変調
が開始される。
ような光学箱２の壁面に取り付けられている。この光源
装置１から出射されたレーザー光Ｌはシリンドリカルレ
ンズ３を透過し、ポリゴンミラー４の反射面に照射され
る。更に、このポリゴンミラー４により偏向走査された
レーザー光Ｌは結像レンズ５を透過して折返しミラー６
により反射され、図示しない感光ドラムに入射する。ポ
リゴンミラー４の回転よる主走査及び感光ドラムの回転
による副走査により感光ドラム上に静電潜像を形成す
る。更に、結像レンズ５の端部を透過したレーザー光Ｌ
の一部は検出ミラー７により走査開始信号検出器８に入
射され、走査開始信号検出器８の出力信号により、光源
装置１における半導体レーザー出力装置の書き込み変調
が開始される。
【０００３】図７は光源装置１の断面図を示しており、
光源装置１は半導体レーザー光源１１、レーザーホルダ
１２、コリメートレンズ１３が内蔵されたレンズホルダ
１４及び回路基板１５から構成されており、光学箱２の
壁面に設けられた嵌合孔１６に圧入されている。複数の
リードピン１７を有する半導体レーザー光源１１は円筒
部１８の内周面１８ａに圧入保持されている。また、半
導体レーザー光源１１を駆動するＩＣを有する回路基板
１５は螺子１９を介して基板固定部２０に固定され、レ
ーザーホルダ１２は螺子２１、ホルダ固定部２２を介し
て光学箱２に固定されている。
光源装置１は半導体レーザー光源１１、レーザーホルダ
１２、コリメートレンズ１３が内蔵されたレンズホルダ
１４及び回路基板１５から構成されており、光学箱２の
壁面に設けられた嵌合孔１６に圧入されている。複数の
リードピン１７を有する半導体レーザー光源１１は円筒
部１８の内周面１８ａに圧入保持されている。また、半
導体レーザー光源１１を駆動するＩＣを有する回路基板
１５は螺子１９を介して基板固定部２０に固定され、レ
ーザーホルダ１２は螺子２１、ホルダ固定部２２を介し
て光学箱２に固定されている。
【０００４】また、レンズホルダ１４はレンズ保持部２
３及び円筒部２４から成り、円筒部２４の内周面２４ａ
はレーザーホルダ１２の円筒部１８に外嵌している。更
に、レンズ保持部２３の取付穴２５にはコリメートレン
ズ１３が嵌合され、このコリメートレンズ１３の後方に
はレーザー光Ｌを所定のスポット形状に絞るための光学
絞り２６が設けられている。
３及び円筒部２４から成り、円筒部２４の内周面２４ａ
はレーザーホルダ１２の円筒部１８に外嵌している。更
に、レンズ保持部２３の取付穴２５にはコリメートレン
ズ１３が嵌合され、このコリメートレンズ１３の後方に
はレーザー光Ｌを所定のスポット形状に絞るための光学
絞り２６が設けられている。
【０００５】また、レーザーホルダ１２及びレンズホル
ダ１４は、円筒部２４の内周面２４ａと円筒部１８の外
周面１８ｂの径方向の隙間範囲において、レーザー光Ｌ
とコリメートレンズ１３の光軸合わせを行い、レンズホ
ルダ１４を光軸方向に移動することにより、コリメート
レンズ１３の合焦調整を行った後に、レンズホルダ１４
とレーザーホルダ１２を接着固定等により一体化し光源
装置１とされている。
ダ１４は、円筒部２４の内周面２４ａと円筒部１８の外
周面１８ｂの径方向の隙間範囲において、レーザー光Ｌ
とコリメートレンズ１３の光軸合わせを行い、レンズホ
ルダ１４を光軸方向に移動することにより、コリメート
レンズ１３の合焦調整を行った後に、レンズホルダ１４
とレーザーホルダ１２を接着固定等により一体化し光源
装置１とされている。
【０００６】図８は半導体レーザー光源１１の拡大断面
図を示しており、ステム３１にはフォトダイオード３
２、発光部３３が配置され、出射開口部３４を有する保
護キャップ３５により保護されている。また、この出射
開口部３４の内側にはガラス板３６が接着されている。
図を示しており、ステム３１にはフォトダイオード３
２、発光部３３が配置され、出射開口部３４を有する保
護キャップ３５により保護されている。また、この出射
開口部３４の内側にはガラス板３６が接着されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザー光源１１から出射したレーザー光Ｌには、図９
に示すように正規のスポット形状を形成する主ビーム光
束Ｌ１と、任意の面で反射し正規のスポット形成に不要
な所謂フレア光束Ｌ２が存在することがある。特に、レ
ーザー光Ｌの放射角度が大きい方向では出射開口部３４
のエッジ面等において反射し、このエッジ面が二次的な
光源となり上述したようなフレア光束Ｌ２が発生するこ
とになる。
レーザー光源１１から出射したレーザー光Ｌには、図９
に示すように正規のスポット形状を形成する主ビーム光
束Ｌ１と、任意の面で反射し正規のスポット形成に不要
な所謂フレア光束Ｌ２が存在することがある。特に、レ
ーザー光Ｌの放射角度が大きい方向では出射開口部３４
のエッジ面等において反射し、このエッジ面が二次的な
光源となり上述したようなフレア光束Ｌ２が発生するこ
とになる。
【０００８】このフレア光束Ｌ２はポリゴンミラーやそ
の周囲面において反射し、結像レンズを介して感光ドラ
ム面まで到達することがあり、フレア光束Ｌ２の結像状
態、光量状態によっては、感光ドラム上にこの潜像が形
成されて画像に影響を及ぼすことがある。
の周囲面において反射し、結像レンズを介して感光ドラ
ム面まで到達することがあり、フレア光束Ｌ２の結像状
態、光量状態によっては、感光ドラム上にこの潜像が形
成されて画像に影響を及ぼすことがある。
【０００９】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
高精度で安定的な画像を得ることができる光源装置を提
供することにある。
高精度で安定的な画像を得ることができる光源装置を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本出願に係る光源装置は、半導体レーザー光源を保持
するレーザーホルダと、前記半導体レーザー光源から出
射するビームレーザー光を所定のビーム形状に成形する
コリメータレンズを保持するレンズホルダとから成り、
該レーザーホルダはレーザー光を通す筒状の光路内に中
心に小径のピンホールを有する遮蔽壁を設けたことを特
徴とする。
の本出願に係る光源装置は、半導体レーザー光源を保持
するレーザーホルダと、前記半導体レーザー光源から出
射するビームレーザー光を所定のビーム形状に成形する
コリメータレンズを保持するレンズホルダとから成り、
該レーザーホルダはレーザー光を通す筒状の光路内に中
心に小径のピンホールを有する遮蔽壁を設けたことを特
徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明を図１〜図５に図示の実施
例に基づいて詳細に説明する。図１は第１の実施例にお
ける光源装置の断面図を示しており、光源装置は半導体
レーザー光源４１、レーザーホルダ４３、コリメートレ
ンズ４４、レンズホルダ４５、回路基板４６から構成さ
れており、レーザーホルダ４３は光学箱４７の壁面に設
けられた嵌合孔４８に圧入されている。レーザーホルダ
４３にはリードピン４９が設けられた半導体レーザー光
源４１が、取付部５０に圧入保持されている。また、レ
ーザーホルダ４３にはレーザー光Ｌの光路となる円筒部
５１内に遮蔽壁５２が設けられており、この遮蔽壁５２
の半導体レーザー光源４１側と反対側の面には半導体レ
ーザー光源４１の反対側に拡開するテーパ穴５３が形成
されており、テーパ穴５３の中心には小径のピンホール
５４が形成されている。更に、半導体レーザー光源４１
を駆動するためのＩＣを有する回路基板４６は、螺子５
５を介して基板固定部５６に固定され、レーザーホルダ
４３は螺子５７、ホルダ固定部５８を介して光学箱４７
に固定されている。
例に基づいて詳細に説明する。図１は第１の実施例にお
ける光源装置の断面図を示しており、光源装置は半導体
レーザー光源４１、レーザーホルダ４３、コリメートレ
ンズ４４、レンズホルダ４５、回路基板４６から構成さ
れており、レーザーホルダ４３は光学箱４７の壁面に設
けられた嵌合孔４８に圧入されている。レーザーホルダ
４３にはリードピン４９が設けられた半導体レーザー光
源４１が、取付部５０に圧入保持されている。また、レ
ーザーホルダ４３にはレーザー光Ｌの光路となる円筒部
５１内に遮蔽壁５２が設けられており、この遮蔽壁５２
の半導体レーザー光源４１側と反対側の面には半導体レ
ーザー光源４１の反対側に拡開するテーパ穴５３が形成
されており、テーパ穴５３の中心には小径のピンホール
５４が形成されている。更に、半導体レーザー光源４１
を駆動するためのＩＣを有する回路基板４６は、螺子５
５を介して基板固定部５６に固定され、レーザーホルダ
４３は螺子５７、ホルダ固定部５８を介して光学箱４７
に固定されている。
【００１２】レンズホルダ４５はレンズ保持部５９と円
筒部６０から成り、円筒部６０はレーザーホルダ４３の
円筒部５１に外嵌されている。また、レンズ保持部５９
に設けられた取付孔６１にはコリメートレンズ４４が嵌
合され、接着或いは熱溶着等により固定されている。こ
のコリメートレンズ４４のレーザー光源４１側には、レ
ーザー光を所定のスポット形状に絞るための光学絞り６
２が設けられている。
筒部６０から成り、円筒部６０はレーザーホルダ４３の
円筒部５１に外嵌されている。また、レンズ保持部５９
に設けられた取付孔６１にはコリメートレンズ４４が嵌
合され、接着或いは熱溶着等により固定されている。こ
のコリメートレンズ４４のレーザー光源４１側には、レ
ーザー光を所定のスポット形状に絞るための光学絞り６
２が設けられている。
【００１３】レーザーホルダ４３とレンズホルダ４５
は、円筒部５１と円筒部６０の径方向の隙間範囲におい
て、半導体レーザー光源４１のレーザー光Ｌとコリメー
トレンズ４４の光軸合わせを行い、レンズホルダ４５の
光軸方向に移動することにより、コリメートレンズ４４
の合焦調整を行う。この合焦調整を行った後に、レンズ
ホルダ４５とレーザーホルダ４３を接着固定等により一
体化する。
は、円筒部５１と円筒部６０の径方向の隙間範囲におい
て、半導体レーザー光源４１のレーザー光Ｌとコリメー
トレンズ４４の光軸合わせを行い、レンズホルダ４５の
光軸方向に移動することにより、コリメートレンズ４４
の合焦調整を行う。この合焦調整を行った後に、レンズ
ホルダ４５とレーザーホルダ４３を接着固定等により一
体化する。
【００１４】図２は半導体レーザー光源４２の光路図を
示しており、半導体レーザー光源４１のステム７１には
フォトダイオード７２、発光部７３が配置され、出射開
口部７４を有する保護キャップ７５により保護されてい
る。また、この出射開口部７４の内側にはガラス板７６
が接着されている。また、出射開口部７４から前方に間
隔Ｄだけ離れた位置に遮蔽壁５２が配置されている。
示しており、半導体レーザー光源４１のステム７１には
フォトダイオード７２、発光部７３が配置され、出射開
口部７４を有する保護キャップ７５により保護されてい
る。また、この出射開口部７４の内側にはガラス板７６
が接着されている。また、出射開口部７４から前方に間
隔Ｄだけ離れた位置に遮蔽壁５２が配置されている。
【００１５】ピンホール５４の半径Ｒｐは、エッジ面を
二次的光源とするフレア光束Ｌ２を確実に遮蔽するため
に、出射開口部７４の半径Ｒｃよりも小径で、主ビーム
光束Ｌ１を確実に通過させる寸法とされ、組立加工精度
による位置公差を考慮して決められている。
二次的光源とするフレア光束Ｌ２を確実に遮蔽するため
に、出射開口部７４の半径Ｒｃよりも小径で、主ビーム
光束Ｌ１を確実に通過させる寸法とされ、組立加工精度
による位置公差を考慮して決められている。
【００１６】本実施例における光源装置は、上述したよ
うな形状に成形することにより、フレア光束Ｌ２を遮蔽
壁５２により遮光できる。主ビーム光束Ｌ１はピンホー
ル５４を通過させて射出し、テーパ孔５３によってフレ
アとなることもなく、コリメートレンズ４４に入射させ
ることができる。また、遮蔽壁５２をレーザーホルダ４
３と一体的に構成できるため、容易かつ安価に作製で
き、しかも遮蔽壁５２がレーザーホルダ４３の一定位置
に構成できるため、フレア光束Ｌ２を安定的に遮蔽でき
画質の劣化を防止できる。
うな形状に成形することにより、フレア光束Ｌ２を遮蔽
壁５２により遮光できる。主ビーム光束Ｌ１はピンホー
ル５４を通過させて射出し、テーパ孔５３によってフレ
アとなることもなく、コリメートレンズ４４に入射させ
ることができる。また、遮蔽壁５２をレーザーホルダ４
３と一体的に構成できるため、容易かつ安価に作製で
き、しかも遮蔽壁５２がレーザーホルダ４３の一定位置
に構成できるため、フレア光束Ｌ２を安定的に遮蔽でき
画質の劣化を防止できる。
【００１７】図３は第２の実施例における光源装置の断
面図を示しており、第１の実施例と同一の部材には同一
の符号を付している。遮蔽壁５２の半導体レーザー光源
４１側の遮蔽面５２ｂには反射防止処理が施されてい
る。この反射防止処理手段としては、例えば反射防止用
の黒色つや消し塗料の塗布やショットブラスト吹付けに
よる粗面化等により行われている。
面図を示しており、第１の実施例と同一の部材には同一
の符号を付している。遮蔽壁５２の半導体レーザー光源
４１側の遮蔽面５２ｂには反射防止処理が施されてい
る。この反射防止処理手段としては、例えば反射防止用
の黒色つや消し塗料の塗布やショットブラスト吹付けに
よる粗面化等により行われている。
【００１８】半導体レーザー光源４１からの主ビーム光
束Ｌ１以外のフレア光束Ｌ２は、反射防止処理が施こさ
れた遮蔽面５２ｂに照射されるが、この遮蔽面５２ｂに
おける反射光は少なく、出射開口部７４に再入射し所謂
戻り光として半導体レーザー光源４１の特性に影響を及
ぼすことを抑制できる。従って、遮蔽面５２ｂに照射さ
れたフレア光束Ｌ２による散乱や反射の影響を制限する
ことができる。
束Ｌ１以外のフレア光束Ｌ２は、反射防止処理が施こさ
れた遮蔽面５２ｂに照射されるが、この遮蔽面５２ｂに
おける反射光は少なく、出射開口部７４に再入射し所謂
戻り光として半導体レーザー光源４１の特性に影響を及
ぼすことを抑制できる。従って、遮蔽面５２ｂに照射さ
れたフレア光束Ｌ２による散乱や反射の影響を制限する
ことができる。
【００１９】図４は第３の実施例における光源装置の断
面図を示し、遮蔽壁５２にはテーパ穴５３が形成されて
いると共に、半導体レーザー光源４１側の遮蔽面５２ｂ
は半導体レーザー光源４１に向かって突出した円錐形状
とされている。
面図を示し、遮蔽壁５２にはテーパ穴５３が形成されて
いると共に、半導体レーザー光源４１側の遮蔽面５２ｂ
は半導体レーザー光源４１に向かって突出した円錐形状
とされている。
【００２０】この実施例においては、図５に示すように
半導体レーザー光源４１からの主ビーム光束Ｌ１以外の
フレア光束Ｌ２は遮蔽面５２ｂにおいて反射し反射光Ｌ
３となる。この反射光Ｌ３は遮蔽面５２ｂが円錐形状と
されているために、出射開口部７４に戻らずに散乱す
る。
半導体レーザー光源４１からの主ビーム光束Ｌ１以外の
フレア光束Ｌ２は遮蔽面５２ｂにおいて反射し反射光Ｌ
３となる。この反射光Ｌ３は遮蔽面５２ｂが円錐形状と
されているために、出射開口部７４に戻らずに散乱す
る。
【００２１】なお、この第３の実施例において第２の実
施例の反射防止手段を併用して、反射による影響低減の
効果を向上することができる。また、レーザーホルダ４
３が亜鉛やアルミニウム等の反射効率が大きい鋳造成形
で構成される場合においても、遮蔽面５２ｂによる反射
による影響を低減できる。
施例の反射防止手段を併用して、反射による影響低減の
効果を向上することができる。また、レーザーホルダ４
３が亜鉛やアルミニウム等の反射効率が大きい鋳造成形
で構成される場合においても、遮蔽面５２ｂによる反射
による影響を低減できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光源装
置は、安価で容易な手段によってフレア光を遮蔽するこ
とができ、画質向上の効果がある。また、フレア光の遮
蔽で新たに生ずる反射光の画質への影響や戻り光の発生
を抑制し画質劣化防止の効果がある。
置は、安価で容易な手段によってフレア光を遮蔽するこ
とができ、画質向上の効果がある。また、フレア光の遮
蔽で新たに生ずる反射光の画質への影響や戻り光の発生
を抑制し画質劣化防止の効果がある。
【図１】第１の実施例の光源装置の断面図である。
【図２】第１の実施例における要部断面図である。
【図３】第２の実施例におけるレーザーホルダの断面図
である。
である。
【図４】第３の実施例におけるレーザーホルダの断面図
である。
である。
【図５】第４の実施例における要部断面図である。
【図６】従来の走査光学装置の斜視図である。
【図７】従来の光源装置の断面図である。
【図８】従来の光源装置の断面図である。
【図９】従来のレーザー光の光路説明図である。
４２ 半導体レーザー光源 ４３ レーザーホルダ ４４ コリメータレンズ ４５ レンズホルダ ５１、５９ 円筒部 ５２ 遮蔽壁 ５４ ピンホール ７１ ステム ７２ フォトダイオード ７３ 発光部 ７４ 出射開口部 ７５ 保護キャップ ７６ ガラス板 Ｌ１ 主ビーム光束 Ｌ２ フレア光 Ｌ３ 反射光
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体レーザー光源を保持するレーザー
ホルダと、前記半導体レーザー光源から出射するビーム
レーザー光を所定のビーム形状に成形するコリメータレ
ンズを保持するレンズホルダとから成り、該レーザーホ
ルダはレーザー光を通す筒状の光路内に中心に小径のピ
ンホールを有する遮蔽壁を設けたことを特徴とする光源
装置。 - 【請求項２】 前記遮蔽壁の前記半導体レーザー光源側
の面に反射防止処理を施した請求項１に記載の光源装
置。 - 【請求項３】 前記遮蔽壁の前記半導体レーザー光源側
と反対側の面に前記半導体レーザー光源の進行方向に向
けて拡開するテーパ穴を形成した請求項１又は請求項２
に記載の光源装置。 - 【請求項４】 前記遮蔽壁の前記半導体レーザー光源側
の面は前記半導体レーザー光源に向けて突出する円錐状
とした請求項１又は２に記載の光源装置。 - 【請求項５】 前記半導体レーザー光源のキャップ面か
ら前記遮蔽壁までの距離Ｌ、前記遮蔽壁のピンホールの
半径Ｒｐは主レーザー光束を確実に通過させかつフレア
光を遮蔽するような大きさとした請求項１に記載の光源
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10346604A JP2000156537A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10346604A JP2000156537A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000156537A true JP2000156537A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18384564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10346604A Pending JP2000156537A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000156537A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418880B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-02-19 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
| JP2010210918A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nikon Corp | ピンホールおよび光学機器 |
| JP6779393B1 (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置 |
-
1998
- 1998-11-19 JP JP10346604A patent/JP2000156537A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418880B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-02-19 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
| JP2010210918A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nikon Corp | ピンホールおよび光学機器 |
| JP6779393B1 (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置 |
| US11264771B1 (en) | 2019-05-09 | 2022-03-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser device |
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