JP2000152645A - 電力変換装置 - Google Patents
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- JP2000152645A JP2000152645A JP10318146A JP31814698A JP2000152645A JP 2000152645 A JP2000152645 A JP 2000152645A JP 10318146 A JP10318146 A JP 10318146A JP 31814698 A JP31814698 A JP 31814698A JP 2000152645 A JP2000152645 A JP 2000152645A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 中性点クランプ式電力変換装置において、ス
イッチング素子と各クランプダイオードに設置するスナ
バ回路を改良して、部品点数を削減する。 【解決手段】 中性点クランプ式電力変換装置におい
て、スイッチング素子Q2と各クランプダイオードD5
を近接して構成すると共に、スイッチング素子Q1〜Q
4やクランプダイオードD5に各設置するスナバコンデ
ンサC1,C2、ダイオードDS1、放電用抵抗R1の
回路部品を適切に配置することにより、各スナバ回路部
品を共通化し、また本来のサージ吸収機能を損なうこと
なく回路を構成して装置全体のスナバ回路部品点数を削
減する。
イッチング素子と各クランプダイオードに設置するスナ
バ回路を改良して、部品点数を削減する。 【解決手段】 中性点クランプ式電力変換装置におい
て、スイッチング素子Q2と各クランプダイオードD5
を近接して構成すると共に、スイッチング素子Q1〜Q
4やクランプダイオードD5に各設置するスナバコンデ
ンサC1,C2、ダイオードDS1、放電用抵抗R1の
回路部品を適切に配置することにより、各スナバ回路部
品を共通化し、また本来のサージ吸収機能を損なうこと
なく回路を構成して装置全体のスナバ回路部品点数を削
減する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、中性点クランプ式
電力変換装置に関する。
電力変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、中性点クランプ式電力変換装
置と称する、直流電源の高電位点と低電位点のほかに、
これらの高電位点と低電位点との中間電位を設け、スイ
ッチング素子群の選択的なオン/オフにより、高電位
点、低電位点又は中間電位点の3レベルの電位を選択的
に交流出力端に導出するように構成し、PWMスイッチ
ング周波数を見かけ上高めることによって、高調波含有
率の少ない交流出力を得るインバータが広く知られてい
る。
置と称する、直流電源の高電位点と低電位点のほかに、
これらの高電位点と低電位点との中間電位を設け、スイ
ッチング素子群の選択的なオン/オフにより、高電位
点、低電位点又は中間電位点の3レベルの電位を選択的
に交流出力端に導出するように構成し、PWMスイッチ
ング周波数を見かけ上高めることによって、高調波含有
率の少ない交流出力を得るインバータが広く知られてい
る。
【0003】このような電力変換装置を構成するスイッ
チング素子に設けられるスナバ回路方式例として、特開
平7−213076号公報に記載されたものがある。
チング素子に設けられるスナバ回路方式例として、特開
平7−213076号公報に記載されたものがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、鉄道車両用
VVVFインバータなどの比較的大容量の電力変換装置
においては、装置自体を小型軽量に構成する必要がある
ことから、部品点数を削減して小型軽量化を図ることが
重要である。
VVVFインバータなどの比較的大容量の電力変換装置
においては、装置自体を小型軽量に構成する必要がある
ことから、部品点数を削減して小型軽量化を図ることが
重要である。
【0005】しかしながら、中性点クランプ式電力変換
装置では、最少単位で4個の主スイッチング素子と2個
のクランプダイオード素子が必要となり、また、上記の
公報に記載された電力変換装置のように各素子ごとにス
ナバ回路を設置した場合、部品点数が多くなり、装置が
大型化する問題点があった。
装置では、最少単位で4個の主スイッチング素子と2個
のクランプダイオード素子が必要となり、また、上記の
公報に記載された電力変換装置のように各素子ごとにス
ナバ回路を設置した場合、部品点数が多くなり、装置が
大型化する問題点があった。
【0006】この発明は、このような従来の問題点を解
決するためになされたものであって、スイッチング素子
と各クランプダイオードに設置するスナバ回路を改良し
て、部品点数を削減した中性点クランプ式の電力変換装
置を提供することを目的とする。
決するためになされたものであって、スイッチング素子
と各クランプダイオードに設置するスナバ回路を改良し
て、部品点数を削減した中性点クランプ式の電力変換装
置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、直流
電圧源の正電位側と負電位側との間に1個ずつ又は複数
個ずつのスイッチング素子Q1〜Q4を順次直列に接続
し、前記スイッチング素子Q1とQ2の接続点と前記直
流電圧源の中間電位点との間に第1のクランプダイオー
ドを接続し、前記スイッチング素子Q3とQ4を接続点
と前記直流電圧源の中間電位点との間に第2のクランプ
ダイオードを接続し、前記スイッチング素子Q2とQ3
の接続点から交流出力を取り出すようにした電力変換装
置において、前記スイッチング素子Q2と第1のクラン
プダイオードとを近接して配置すると共に、前記スイッ
チング素子Q2と第1のクランプダイオードとの共通接
続点にスナバダイオードのアノード端子を接続し、か
つ、このスナバダイオードのカソード端子に第1のスナ
バコンデンサと第2のスナバコンデンサの各一端を接続
し、前記第1のスナバコンデンサの他端を前記直流電圧
源の中間電位点に接続し、第2のスナバコンデンサの他
端を前記スイッチング素子Q2の交流出力側の一端に接
続し、前記スナバダイオードと並列に前記第1、第2の
スナバコンデンサに対する放電用抵抗を接続したもので
ある。
電圧源の正電位側と負電位側との間に1個ずつ又は複数
個ずつのスイッチング素子Q1〜Q4を順次直列に接続
し、前記スイッチング素子Q1とQ2の接続点と前記直
流電圧源の中間電位点との間に第1のクランプダイオー
ドを接続し、前記スイッチング素子Q3とQ4を接続点
と前記直流電圧源の中間電位点との間に第2のクランプ
ダイオードを接続し、前記スイッチング素子Q2とQ3
の接続点から交流出力を取り出すようにした電力変換装
置において、前記スイッチング素子Q2と第1のクラン
プダイオードとを近接して配置すると共に、前記スイッ
チング素子Q2と第1のクランプダイオードとの共通接
続点にスナバダイオードのアノード端子を接続し、か
つ、このスナバダイオードのカソード端子に第1のスナ
バコンデンサと第2のスナバコンデンサの各一端を接続
し、前記第1のスナバコンデンサの他端を前記直流電圧
源の中間電位点に接続し、第2のスナバコンデンサの他
端を前記スイッチング素子Q2の交流出力側の一端に接
続し、前記スナバダイオードと並列に前記第1、第2の
スナバコンデンサに対する放電用抵抗を接続したもので
ある。
【0008】請求項2の発明は、直流電圧源の正電位側
と負電位側との間に1個ずつ又は複数個ずつのスイッチ
ング素子Q1〜Q4を順次直列に接続し、前記スイッチ
ング素子Q1とQ2との接続点と前記直流電圧源の中間
電位点との間に第1のクランプダイオードを接続し、前
記スイッチング素子Q3とQ4の接続点と前記直流電圧
源の中間電位点との間に第2のクランプダイオードを接
続し、前記スイッチング素子Q2とQ3の接続点から交
流出力を得るようにした電力変換装置において、前記ス
イッチング素子Q3と第2のクランプダイオードとを近
接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q3と第
2のクランプダイオードの共通接続点にスナバダイオー
ドのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダイオー
ドのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第2のス
ナバコンデンサの各一端を接続し、前記第1のスナバコ
ンデンサの他端を前記直流電圧源の中間電位点に接続
し、前記第2のスナバコンデンサの他端を前記スイッチ
ング素子Q3の前記交流出力側の一端に接続し、前記ス
ナバダイオードと並列に前記第1、第2のスナバコンデ
ンサに対する放電用抵抗を接続したものである。
と負電位側との間に1個ずつ又は複数個ずつのスイッチ
ング素子Q1〜Q4を順次直列に接続し、前記スイッチ
ング素子Q1とQ2との接続点と前記直流電圧源の中間
電位点との間に第1のクランプダイオードを接続し、前
記スイッチング素子Q3とQ4の接続点と前記直流電圧
源の中間電位点との間に第2のクランプダイオードを接
続し、前記スイッチング素子Q2とQ3の接続点から交
流出力を得るようにした電力変換装置において、前記ス
イッチング素子Q3と第2のクランプダイオードとを近
接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q3と第
2のクランプダイオードの共通接続点にスナバダイオー
ドのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダイオー
ドのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第2のス
ナバコンデンサの各一端を接続し、前記第1のスナバコ
ンデンサの他端を前記直流電圧源の中間電位点に接続
し、前記第2のスナバコンデンサの他端を前記スイッチ
ング素子Q3の前記交流出力側の一端に接続し、前記ス
ナバダイオードと並列に前記第1、第2のスナバコンデ
ンサに対する放電用抵抗を接続したものである。
【0009】請求項3の発明は、直流電圧の正電位側と
負電位側との間に1個ずつ又は複数個ずつのスイッチン
グ素子Q1〜Q4を順次直列に接続し、前記スイッチン
グ素子Q1とQ2の接続点と前記直流電圧源の中間電位
点との間に第1のクランプダイオードを接続し、前記ス
イッチング素子Q3とQ4との接続点と前記直流電圧源
の中間電位点との間に第2のクランプダイオードを接続
し、前記スイッチング素子Q2とQ3の接続点から交流
出力を取り出すようにした電力変換装置において、前記
スイッチング素子Q2と第1のクランプダイオードを近
接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q2と第
1のクランプダイオードの共通接続点にスナバダイオー
ドのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダイオー
ドのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第2のス
ナバコンデンサの各一端を接続し、前記第1のスナバコ
ンデンサの他端を前記直流電圧源の中間電位点に接続
し、前記第2のスナバコンデンサの他端を前記スイッチ
ング素子Q2の前記交流出力側の一端に接続し、前記ス
ナバダイオードのカソード側を放電用抵抗及びダイオー
ドを介して前記直流電圧源の正電位側に接続したもので
ある。
負電位側との間に1個ずつ又は複数個ずつのスイッチン
グ素子Q1〜Q4を順次直列に接続し、前記スイッチン
グ素子Q1とQ2の接続点と前記直流電圧源の中間電位
点との間に第1のクランプダイオードを接続し、前記ス
イッチング素子Q3とQ4との接続点と前記直流電圧源
の中間電位点との間に第2のクランプダイオードを接続
し、前記スイッチング素子Q2とQ3の接続点から交流
出力を取り出すようにした電力変換装置において、前記
スイッチング素子Q2と第1のクランプダイオードを近
接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q2と第
1のクランプダイオードの共通接続点にスナバダイオー
ドのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダイオー
ドのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第2のス
ナバコンデンサの各一端を接続し、前記第1のスナバコ
ンデンサの他端を前記直流電圧源の中間電位点に接続
し、前記第2のスナバコンデンサの他端を前記スイッチ
ング素子Q2の前記交流出力側の一端に接続し、前記ス
ナバダイオードのカソード側を放電用抵抗及びダイオー
ドを介して前記直流電圧源の正電位側に接続したもので
ある。
【0010】請求項4の発明は、直流電圧の正電位側と
負電位側との間に1個ずつ又は複数個ずつのスイッチン
グ素子Q1〜Q4を順次直列に接続し、前記スイッチン
グ素子Q1とQ2の接続点と前記直流電圧源の中間電位
点との間に第1のクランプダイオードを接続し、前記ス
イッチング素子Q3とQ4との接続点と前記直流電圧源
の中間電位点との間に第2のクランプダイオードを接続
し、前記スイッチング素子Q2とQ3の接続点から交流
出力を取り出すようにした電力変換装置において、前記
スイッチング素子Q3と第2のクランプダイオードを近
接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q3と第
2のクランプダイオードの共通接続点にスナバダイオー
ドのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダイオー
ドのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第2のス
ナバコンデンサの各一端を接続し、前記第1のスナバコ
ンデンサの他端を前記直流電圧源の中間電位点に接続
し、前記第2のスナバコンデンサの他端を交流出力側の
スイッチング素子Q3の一端に接続し、前記スナバダイ
オードのアノード側を放電用抵抗及びダイオードを介し
て前記直流電圧源の負電位側に接続したものである。
負電位側との間に1個ずつ又は複数個ずつのスイッチン
グ素子Q1〜Q4を順次直列に接続し、前記スイッチン
グ素子Q1とQ2の接続点と前記直流電圧源の中間電位
点との間に第1のクランプダイオードを接続し、前記ス
イッチング素子Q3とQ4との接続点と前記直流電圧源
の中間電位点との間に第2のクランプダイオードを接続
し、前記スイッチング素子Q2とQ3の接続点から交流
出力を取り出すようにした電力変換装置において、前記
スイッチング素子Q3と第2のクランプダイオードを近
接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q3と第
2のクランプダイオードの共通接続点にスナバダイオー
ドのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダイオー
ドのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第2のス
ナバコンデンサの各一端を接続し、前記第1のスナバコ
ンデンサの他端を前記直流電圧源の中間電位点に接続
し、前記第2のスナバコンデンサの他端を交流出力側の
スイッチング素子Q3の一端に接続し、前記スナバダイ
オードのアノード側を放電用抵抗及びダイオードを介し
て前記直流電圧源の負電位側に接続したものである。
【0011】請求項1〜請求項4の発明の電力変換装置
では、スイッチング素子Q2,Q3と各クランプダイオ
ードを近接して構成すると共に、スイッチング素子やク
ランプダイオードに各設置するスナバコンデンサ、ダイ
オード、放電用抵抗の回路部品を適切に配置することに
より、各スナバ回路部品を共通化することを可能にし、
また本来のサージ吸収機能を損なうことなく回路構成し
て電力変換装置全体のスナバ回路部品点数を削減する。
では、スイッチング素子Q2,Q3と各クランプダイオ
ードを近接して構成すると共に、スイッチング素子やク
ランプダイオードに各設置するスナバコンデンサ、ダイ
オード、放電用抵抗の回路部品を適切に配置することに
より、各スナバ回路部品を共通化することを可能にし、
また本来のサージ吸収機能を損なうことなく回路構成し
て電力変換装置全体のスナバ回路部品点数を削減する。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて詳説する。図1は本発明の第1の実施の形態の
回路構成を示している。この第1の実施の形態は、直流
側を2分割して、3レベルの交流出力電圧を得る電力変
換装置である。図1において、11は直流電圧源、12
は分圧コンデンサ、13は中性点クランプ式電力変換装
置の1相分のスイッチングユニットである。
基づいて詳説する。図1は本発明の第1の実施の形態の
回路構成を示している。この第1の実施の形態は、直流
側を2分割して、3レベルの交流出力電圧を得る電力変
換装置である。図1において、11は直流電圧源、12
は分圧コンデンサ、13は中性点クランプ式電力変換装
置の1相分のスイッチングユニットである。
【0013】このスイッチングユニット13において、
Q1〜Q4はGTOやIGBTなど自己消弧可能なスイ
ッチング素子、D1〜D4はスイッチング素子Q1〜Q
4各々に逆並列接続したダイオード、D5,D6はクラ
ンプダイオードである。
Q1〜Q4はGTOやIGBTなど自己消弧可能なスイ
ッチング素子、D1〜D4はスイッチング素子Q1〜Q
4各々に逆並列接続したダイオード、D5,D6はクラ
ンプダイオードである。
【0014】一方のクランプダイオードD5は交流出力
点Taに接続するスイッチング素子Q2の近傍に配置し
て、スイッチング素子Q1,Q2の接続点に一端を接続
し、他端を直流電圧源11の中間電位点Oに接続してあ
る。他方のクランプダイオードD6は、交流出力点Ta
に接続する他方のスイッチング素子Q3の近傍に配置し
て、スイッチング素子Q3,Q4の接続点に一端を接続
し、他端を中間電位点Oに接続してある。
点Taに接続するスイッチング素子Q2の近傍に配置し
て、スイッチング素子Q1,Q2の接続点に一端を接続
し、他端を直流電圧源11の中間電位点Oに接続してあ
る。他方のクランプダイオードD6は、交流出力点Ta
に接続する他方のスイッチング素子Q3の近傍に配置し
て、スイッチング素子Q3,Q4の接続点に一端を接続
し、他端を中間電位点Oに接続してある。
【0015】DS1はスイッチング素子Q2とクランプ
ダイオードD5の共通のスナバダイオードであり、各ス
ナバコンデンサC1,C2を介してクランプダイオード
D5とスイッチング素子Q2のサージ吸収回路を成して
いる。またR1は各スナバコンデンサC1,C2の放電
用抵抗である。
ダイオードD5の共通のスナバダイオードであり、各ス
ナバコンデンサC1,C2を介してクランプダイオード
D5とスイッチング素子Q2のサージ吸収回路を成して
いる。またR1は各スナバコンデンサC1,C2の放電
用抵抗である。
【0016】次に、上記構成の電力変換装置の動作を説
明する。いま、このような中性点クランプ式電力変換装
置において、スイッチング素子Q1がオフ状態で、負荷
電流がO点からクランプダイオードD5、スイッチング
素子Q2を介して交流出力点Taに流れているとする。
明する。いま、このような中性点クランプ式電力変換装
置において、スイッチング素子Q1がオフ状態で、負荷
電流がO点からクランプダイオードD5、スイッチング
素子Q2を介して交流出力点Taに流れているとする。
【0017】この状態で、スイッチング素子Q1がオン
すると、クランプダイオードD5を流れていた負荷電流
はスイッチング素子Q1に転流し、P点からスイッチン
グ素子Q1、スイッチング素子Q2を介して交流出力点
Taに流れる。ここで、スイッチング素子Q1がオンす
れば、クランプダイオードD5が逆阻止能力を回復した
時にその両端にサージ電圧が発生するが、スナバダイオ
ードDS1とスナバコンデンサC1によってそのサージ
電圧を抑制することができる。スナバダイオードDS1
と並列に接続した抵抗R1は、スナバコンデンサC1の
放電用の保護抵抗として働く。
すると、クランプダイオードD5を流れていた負荷電流
はスイッチング素子Q1に転流し、P点からスイッチン
グ素子Q1、スイッチング素子Q2を介して交流出力点
Taに流れる。ここで、スイッチング素子Q1がオンす
れば、クランプダイオードD5が逆阻止能力を回復した
時にその両端にサージ電圧が発生するが、スナバダイオ
ードDS1とスナバコンデンサC1によってそのサージ
電圧を抑制することができる。スナバダイオードDS1
と並列に接続した抵抗R1は、スナバコンデンサC1の
放電用の保護抵抗として働く。
【0018】他方、スイッチング素子Q1がオフ状態
で、負荷電流がO点からクランプダイオードD5、スイ
ッチング素子Q2を介して交流出力点Taに流れている
状態から、スイッチング素子Q2がオフする場合、負荷
電流はN点からダイオードD3,D4を介して交流出力
点Taに流れる。この場合、スイッチング素子Q2がオ
フする時点でスイッチング素子Q2の両端には配線イン
ダクタンスによりサージ電圧が発生するが、配線インダ
クタンスのエネルギはスナバダイオードDS1を介して
スナバコンデンサC2に充電されてサージ電圧が抑制さ
れる。
で、負荷電流がO点からクランプダイオードD5、スイ
ッチング素子Q2を介して交流出力点Taに流れている
状態から、スイッチング素子Q2がオフする場合、負荷
電流はN点からダイオードD3,D4を介して交流出力
点Taに流れる。この場合、スイッチング素子Q2がオ
フする時点でスイッチング素子Q2の両端には配線イン
ダクタンスによりサージ電圧が発生するが、配線インダ
クタンスのエネルギはスナバダイオードDS1を介して
スナバコンデンサC2に充電されてサージ電圧が抑制さ
れる。
【0019】このように、クランプダイオードD5の転
流時に発生するクランプダイオードD5の両端のサージ
電圧及びスイッチング素子Q2のオフ時もしくは、ここ
では説明しなかったが、ダイオードD2の転流時に発生
するスイッチング素子Q2の両端のサージ電圧の両者の
サージ電圧に対して、スナバダイオードDS1及び放電
用抵抗R1が共通に機能し、またスナバコンデンサC
1,C2がスイッチング素子Q2及びクランプダイオー
ドD5に対して個別に作用することができるので、十分
なサージ電圧吸収能力が維持できる。
流時に発生するクランプダイオードD5の両端のサージ
電圧及びスイッチング素子Q2のオフ時もしくは、ここ
では説明しなかったが、ダイオードD2の転流時に発生
するスイッチング素子Q2の両端のサージ電圧の両者の
サージ電圧に対して、スナバダイオードDS1及び放電
用抵抗R1が共通に機能し、またスナバコンデンサC
1,C2がスイッチング素子Q2及びクランプダイオー
ドD5に対して個別に作用することができるので、十分
なサージ電圧吸収能力が維持できる。
【0020】次に、本発明の第2の実施の形態を図2に
基づいて説明する。第2の実施の形態は、直流側を2分
割して、3レベルの交流出力電圧を得る電力変換装置に
あって、図1に示した第1の実施の形態とは反対に、中
間電位点Oと負電位側Nとの間にスナバ回路素子を設け
たことを特徴とする。なお、図2において、図1と対応
する構成要素には同じ符号を付し、その詳しい説明は省
略する。
基づいて説明する。第2の実施の形態は、直流側を2分
割して、3レベルの交流出力電圧を得る電力変換装置に
あって、図1に示した第1の実施の形態とは反対に、中
間電位点Oと負電位側Nとの間にスナバ回路素子を設け
たことを特徴とする。なお、図2において、図1と対応
する構成要素には同じ符号を付し、その詳しい説明は省
略する。
【0021】第2の実施の形態の電力変換装置を示す図
2において、DS2はスイッチング素子Q3とクランプ
ダイオードD6の共通のスナバダイオードで、各スナバ
コンデンサC3,C4を介してクランプダイオードD6
とスイッチング素子Q3のサージ吸収回路を成してい
る。R2は各スナバコンデンサC3,C4の放電用抵抗
である。
2において、DS2はスイッチング素子Q3とクランプ
ダイオードD6の共通のスナバダイオードで、各スナバ
コンデンサC3,C4を介してクランプダイオードD6
とスイッチング素子Q3のサージ吸収回路を成してい
る。R2は各スナバコンデンサC3,C4の放電用抵抗
である。
【0022】次に、上記の第2の実施の形態の電力変換
装置の動作を説明する。いま、スイッチング素子Q4が
オフ状態で、負荷電流が交流出力点Taからスイッチン
グ素子Q3、クランプダイオードD6を介して中間電位
点Oに流れているとする。
装置の動作を説明する。いま、スイッチング素子Q4が
オフ状態で、負荷電流が交流出力点Taからスイッチン
グ素子Q3、クランプダイオードD6を介して中間電位
点Oに流れているとする。
【0023】この状態で、スイッチング素子Q4がオン
すると、クランプダイオードD6を流れていた負荷電流
はスイッチング素子Q4に転流して、交流出力点Taか
らスイッチング素子Q3、スイッチング素子Q4を介し
て直流電圧負ラインのN点に流れる。ここで、スイッチ
ング素子Q4がオンすれば、クランプダイオードD6が
逆阻止能力を回復した時にクランプダイオードD6の両
端にサージ電圧が発生するが、スナバダイオードDS2
とスナバコンデンサC4によりサージ電圧を抑制するこ
とができる。スナバダイオードDS2と並列に接続した
抵抗R2はスナバコンデンサC4の放電用の保護抵抗と
して働く。
すると、クランプダイオードD6を流れていた負荷電流
はスイッチング素子Q4に転流して、交流出力点Taか
らスイッチング素子Q3、スイッチング素子Q4を介し
て直流電圧負ラインのN点に流れる。ここで、スイッチ
ング素子Q4がオンすれば、クランプダイオードD6が
逆阻止能力を回復した時にクランプダイオードD6の両
端にサージ電圧が発生するが、スナバダイオードDS2
とスナバコンデンサC4によりサージ電圧を抑制するこ
とができる。スナバダイオードDS2と並列に接続した
抵抗R2はスナバコンデンサC4の放電用の保護抵抗と
して働く。
【0024】他方、スイッチング素子Q4がオフ状態
で、負荷電流が交流出力点Taからスイッチング素子Q
3、クランプダイオードD6を介して中間電位点Oに流
れている状態から、スイッチング素子Q3がオフする場
合、負荷電流は出力点TaからダイオードD2,D1を
介して直流正ラインのP点に流れる。この場合、スイッ
チング素子Q3がオフする時点でスイッチング素子Q3
の両端には、配線インダクタンスによりサージ電圧が発
生するが、配線インダクタンスのエネルギはスナバダイ
オードDS2を介してスナバコンデンサC3に充電され
てサージ電圧は抑制される。
で、負荷電流が交流出力点Taからスイッチング素子Q
3、クランプダイオードD6を介して中間電位点Oに流
れている状態から、スイッチング素子Q3がオフする場
合、負荷電流は出力点TaからダイオードD2,D1を
介して直流正ラインのP点に流れる。この場合、スイッ
チング素子Q3がオフする時点でスイッチング素子Q3
の両端には、配線インダクタンスによりサージ電圧が発
生するが、配線インダクタンスのエネルギはスナバダイ
オードDS2を介してスナバコンデンサC3に充電され
てサージ電圧は抑制される。
【0025】このように、クランプダイオードD6の転
流時に発生するその両端のサージ電圧及びスイッチング
素子Q3のオフ時もしくは、ここでは説明しなかった
が、ダイオードD3の転流時に発生するスイッチング素
子Q3の両端のサージ電圧の両者のサージ電圧に対し
て、スナバダイオードDS2及び放電用抵抗R2が共通
に機能し、またスナバコンデンサC3,C4がスイッチ
ング素子Q3及びクランプダイオードD6に対して個別
に作用することができるので、十分なサージ電圧吸収能
力が維持できる。
流時に発生するその両端のサージ電圧及びスイッチング
素子Q3のオフ時もしくは、ここでは説明しなかった
が、ダイオードD3の転流時に発生するスイッチング素
子Q3の両端のサージ電圧の両者のサージ電圧に対し
て、スナバダイオードDS2及び放電用抵抗R2が共通
に機能し、またスナバコンデンサC3,C4がスイッチ
ング素子Q3及びクランプダイオードD6に対して個別
に作用することができるので、十分なサージ電圧吸収能
力が維持できる。
【0026】次に、本発明の第3の実施の形態を図3に
基づいて説明する。第3の実施の形態は、図1に示した
第1の実施の形態に対して、放電用抵抗R1の接続位置
を変更して、ダイオードD7を介して直流正ラインPに
接続した点に特徴を有する。その他の構成は、図1の第
1の実施の形態と同様であり、同一の構成要素には同一
の符号を付して示してある。
基づいて説明する。第3の実施の形態は、図1に示した
第1の実施の形態に対して、放電用抵抗R1の接続位置
を変更して、ダイオードD7を介して直流正ラインPに
接続した点に特徴を有する。その他の構成は、図1の第
1の実施の形態と同様であり、同一の構成要素には同一
の符号を付して示してある。
【0027】この第3の実施の形態では、スナバコンデ
ンサC1の充電電圧が直流電圧源11の電圧を分圧コン
デンサ12で分圧したP−O間電圧よりも高い状態でス
ナバコンデンサC1が放電し、常時はP−O間電圧を維
持する。クランプダイオードD5の両端にサージ電圧が
発生した場合、サージ電圧がP−O間電圧よりも高くな
ると、スナバダイオードDS1が導通してサージ電圧を
吸収する。
ンサC1の充電電圧が直流電圧源11の電圧を分圧コン
デンサ12で分圧したP−O間電圧よりも高い状態でス
ナバコンデンサC1が放電し、常時はP−O間電圧を維
持する。クランプダイオードD5の両端にサージ電圧が
発生した場合、サージ電圧がP−O間電圧よりも高くな
ると、スナバダイオードDS1が導通してサージ電圧を
吸収する。
【0028】この第3の実施の形態では、スナバコンデ
ンサC1の充電電圧をすべて放電することなく、一部を
直流回路に帰還させるので、スナバ回路損失を低減する
ことができる。
ンサC1の充電電圧をすべて放電することなく、一部を
直流回路に帰還させるので、スナバ回路損失を低減する
ことができる。
【0029】次に、本発明の第4の実施の形態を図4に
基づいて説明する。第4の実施の形態は、図2に示した
第2の実施の形態に対して、放電用抵抗R2の接続位置
を変更して、ダイオードD8を介して直流負ラインNに
接続した点に特徴を有する。その他の構成は、図2の第
2の実施の形態と同様であり、同一の構成要素には同一
の符号を付して示してある。
基づいて説明する。第4の実施の形態は、図2に示した
第2の実施の形態に対して、放電用抵抗R2の接続位置
を変更して、ダイオードD8を介して直流負ラインNに
接続した点に特徴を有する。その他の構成は、図2の第
2の実施の形態と同様であり、同一の構成要素には同一
の符号を付して示してある。
【0030】この第4の実施の形態では、スナバコンデ
ンサC4の充電電圧が直流電圧源11の電圧を分圧コン
デンサ12で分圧したO−N間電圧よりも高い状態でス
ナバコンデンサC4が放電し、常時はO−N間電圧を維
持する。クランプダイオードD6の両端にサージ電圧が
発生した場合、サージ電圧がO−N間電圧よりも高くな
ると、スナバダイオードDS2が導通してサージ電圧を
吸収する。
ンサC4の充電電圧が直流電圧源11の電圧を分圧コン
デンサ12で分圧したO−N間電圧よりも高い状態でス
ナバコンデンサC4が放電し、常時はO−N間電圧を維
持する。クランプダイオードD6の両端にサージ電圧が
発生した場合、サージ電圧がO−N間電圧よりも高くな
ると、スナバダイオードDS2が導通してサージ電圧を
吸収する。
【0031】この第4の実施の形態では、スナバコンデ
ンサC4の充電電圧をすべて放電することなく、一部を
直流回路に帰還させるので、スナバ回路損失を低減する
ことができる。
ンサC4の充電電圧をすべて放電することなく、一部を
直流回路に帰還させるので、スナバ回路損失を低減する
ことができる。
【0032】
【発明の効果】以上のように請求項1〜請求項4の発明
によれば、中性点クランプ式電力変換装置のスイッチン
グ素子Q2,Q3それぞれと各クランプダイオードを近
接して構成すると共に、スイッチング素子やクランプダ
イオードに各設置するスナバコンデンサ、ダイオード、
放電用抵抗の回路部品を適切に配置することにより、各
スナバ回路部品を共通化することを可能にし、また本来
のサージ吸収機能を損なうことなく回路を構成すること
ができて電力変換装置全体のスナバ回路部品点数を削減
することができる。
によれば、中性点クランプ式電力変換装置のスイッチン
グ素子Q2,Q3それぞれと各クランプダイオードを近
接して構成すると共に、スイッチング素子やクランプダ
イオードに各設置するスナバコンデンサ、ダイオード、
放電用抵抗の回路部品を適切に配置することにより、各
スナバ回路部品を共通化することを可能にし、また本来
のサージ吸収機能を損なうことなく回路を構成すること
ができて電力変換装置全体のスナバ回路部品点数を削減
することができる。
【図1】本発明の第1の実施の形態の回路図。
【図2】本発明の第2の実施の形態の回路図。
【図3】本発明の第3の実施の形態の回路図。
【図4】本発明の第4の実施の形態の回路図。
11 直流電圧源 12 分圧コンデンサ 13 スイッチングユニット Q1〜Q4 スイッチング素子 D1〜D4 ダイオード D5,D6 クランプダイオード D7,D8 ダイオード DS1,DS2 スナバダイオード C1〜C4 スナバコンデンサ R1,R2 放電用抵抗 O 分圧点 P 直流正ライン N 直流負ライン Ta 交流出力端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 幸夫 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東芝 府中工場内 Fターム(参考) 5H007 AA06 BB06 CA05 CB05 CC04 CC07 CD08 FA01 FA20
Claims (4)
- 【請求項1】 直流電圧源の正電位側と負電位側との間
に1個ずつ又は複数個ずつのスイッチング素子Q1〜Q
4を順次直列に接続し、前記スイッチング素子Q1とQ
2の接続点と前記直流電圧源の中間電位点との間に第1
のクランプダイオードを接続し、前記スイッチング素子
Q3とQ4を接続点と前記直流電圧源の中間電位点との
間に第2のクランプダイオードを接続し、前記スイッチ
ング素子Q2とQ3の接続点から交流出力を取り出すよ
うにした電力変換装置において、 前記スイッチング素子Q2と第1のクランプダイオード
とを近接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q
2と第1のクランプダイオードとの共通接続点にスナバ
ダイオードのアノード端子を接続し、かつ、このスナバ
ダイオードのカソード端子に第1のスナバコンデンサと
第2のスナバコンデンサの各一端を接続し、 前記第1のスナバコンデンサの他端を前記直流電圧源の
中間電位点に接続し、第2のスナバコンデンサの他端を
前記スイッチング素子Q2の交流出力側の一端に接続
し、 前記スナバダイオードと並列に前記第1、第2のスナバ
コンデンサに対する放電用抵抗を接続したこと特徴とす
る電力変換装置。 - 【請求項2】 直流電圧源の正電位側と負電位側との間
に1個ずつ又は複数個ずつのスイッチング素子Q1〜Q
4を順次直列に接続し、前記スイッチング素子Q1とQ
2との接続点と前記直流電圧源の中間電位点との間に第
1のクランプダイオードを接続し、前記スイッチング素
子Q3とQ4の接続点と前記直流電圧源の中間電位点と
の間に第2のクランプダイオードを接続し、前記スイッ
チング素子Q2とQ3の接続点から交流出力を得るよう
にした電力変換装置において、 前記スイッチング素子Q3と第2のクランプダイオード
とを近接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q
3と第2のクランプダイオードの共通接続点にスナバダ
イオードのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダ
イオードのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第
2のスナバコンデンサの各一端を接続し、 前記第1のスナバコンデンサの他端を前記直流電圧源の
中間電位点に接続し、 前記第2のスナバコンデンサの他端を前記スイッチング
素子Q3の前記交流出力側の一端に接続し、 前記スナバダイオードと並列に前記第1、第2のスナバ
コンデンサに対する放電用抵抗を接続したことを特徴と
する電力変換装置。 - 【請求項3】 直流電圧の正電位側と負電位側との間に
1個ずつ又は複数個ずつのスイッチング素子Q1〜Q4
を順次直列に接続し、前記スイッチング素子Q1とQ2
の接続点と前記直流電圧源の中間電位点との間に第1の
クランプダイオードを接続し、前記スイッチング素子Q
3とQ4との接続点と前記直流電圧源の中間電位点との
間に第2のクランプダイオードを接続し、前記スイッチ
ング素子Q2とQ3の接続点から交流出力を取り出すよ
うにした電力変換装置において、 前記スイッチング素子Q2と第1のクランプダイオード
を近接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q2
と第1のクランプダイオードの共通接続点にスナバダイ
オードのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダイ
オードのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第2
のスナバコンデンサの各一端を接続し、 前記第1のスナバコンデンサの他端を前記直流電圧源の
中間電位点に接続し、 前記第2のスナバコンデンサの他端を前記スイッチング
素子Q2の前記交流出力側の一端に接続し、 前記スナバダイオードのカソード側を放電用抵抗及びダ
イオードを介して前記直流電圧源の正電位側に接続した
ことを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項4】 直流電圧の正電位側と負電位側との間に
1個ずつ又は複数個ずつのスイッチング素子Q1〜Q4
を順次直列に接続し、前記スイッチング素子Q1とQ2
の接続点と前記直流電圧源の中間電位点との間に第1の
クランプダイオードを接続し、前記スイッチング素子Q
3とQ4との接続点と前記直流電圧源の中間電位点との
間に第2のクランプダイオードを接続し、前記スイッチ
ング素子Q2とQ3の接続点から交流出力を取り出すよ
うにした電力変換装置において、 前記スイッチング素子Q3と第2のクランプダイオード
を近接して配置すると共に、前記スイッチング素子Q3
と第2のクランプダイオードの共通接続点にスナバダイ
オードのアノード端子を接続し、かつ、このスナバダイ
オードのカソード端子に第1のスナバコンデンサと第2
のスナバコンデンサの各一端を接続し、 前記第1のスナバコンデンサの他端を前記直流電圧源の
中間電位点に接続し、 前記第2のスナバコンデンサの他端を交流出力側のスイ
ッチング素子Q3の一端に接続し、 前記スナバダイオードのアノード側を放電用抵抗及びダ
イオードを介して前記直流電圧源の負電位側に接続した
ことを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10318146A JP2000152645A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10318146A JP2000152645A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000152645A true JP2000152645A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18096014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10318146A Pending JP2000152645A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000152645A (ja) |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP10318146A patent/JP2000152645A/ja active Pending
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