JP2000151006A - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JP2000151006A
JP2000151006A JP10317418A JP31741898A JP2000151006A JP 2000151006 A JP2000151006 A JP 2000151006A JP 10317418 A JP10317418 A JP 10317418A JP 31741898 A JP31741898 A JP 31741898A JP 2000151006 A JP2000151006 A JP 2000151006A
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semiconductor laser
pedestal
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chips
laser light
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JP10317418A
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Japanese (ja)
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Nobumasa Ono
信正 小野
Akira Ariyoshi
章 有吉
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Sharp Corp
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    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize miniaturization and cost reduction by installing a reflecting surface reflecting the laser light outputted from at least one out of a plurality of semiconductor laser chips on a pedestal, in such a manner that the respective optical axes of the laser light outputted from a plurality of the semiconductor laser chips are parallel and made to approach with each other. SOLUTION: A semiconductor laser chip 3 outputs a laser light L11 upward. A laser light L21 which is outputted from a semiconductor laser chip 5 in a horizontal direction toward a step-difference part 21 of a first protruding part 2a is reflected upward by a side surface 23 as a reflecting surface of the step- difference part 21 of the first protruding part 2a. The optical axis of the reflected laser light L21 is parallel with the optical axis of the laser light L11 outputted upward from the semiconductor laser chip 3, and these two axes are made to approach each other and made almost one axis. As a result, a plurality of laser lights whose axes are made to approach each other can be outputted from a plurality of semiconductor laser chips accommodated in one package, and a small-sizeded optical pickup of low cost can be realized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスクメデ
ィア等の情報記憶媒体から情報を読み取る光ピックアッ
プに用いられる半導体レーザ装置であって、複数の半導
体レーザチップを１つのパッケージに収めた半導体レー
ザ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device used for an optical pickup for reading information from an information storage medium such as an optical disk medium, and more particularly to a semiconductor laser device in which a plurality of semiconductor laser chips are housed in one package. .

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＤＶＤ(デジタル・ビデオ・ディスク)と
ＣＤ−Ｒ(コンパクト・ディスク・レコーダブル)との両
方を読み取る光ピックアップの場合、ＤＶＤとＣＤ-Ｒ
それぞれに波長が異なる半導体レーザ装置が必要とな
る。すなわち、ＤＶＤでは、読み取り信号である微小な
ピットに対応するために波長６５０ｎｍのレーザ光が必
要であり、ＣＤ-Ｒでは、その色素の光の波長による吸
収性より波長７８０ｎｍのレーザ光が必要である。この
ため、従来の光ピックアップでは、２つの半導体レーザ
チップがそれぞれ別のパッケージに収められた半導体レ
ーザ装置を使用している。2. Description of the Related Art In the case of an optical pickup for reading both a DVD (Digital Video Disc) and a CD-R (Compact Disc Recordable), a DVD and a CD-R are required.
Semiconductor laser devices having different wavelengths from each other are required. That is, a DVD needs a laser beam having a wavelength of 650 nm in order to correspond to minute pits which are read signals, and a CD-R requires a laser beam having a wavelength of 780 nm due to the absorption of the dye by the wavelength of the light. is there. For this reason, a conventional optical pickup uses a semiconductor laser device in which two semiconductor laser chips are housed in separate packages.

【０００３】従来、上記２つのパッケージの半導体レー
ザ装置を使用する光ピックアップとしては、次の(１),
(２)の２種類がある。Conventionally, as an optical pickup using a semiconductor laser device of the above two packages, the following (1),
There are two types (2).

【０００４】(１) ２つの光学系を有する光ピックアッ
プ 図５は上記２つの光学系を有する光ピックアップの要部
の構成を示しており、この光ピックアップは、２つの半
導体レーザ装置５１,５２と、２つのコリメートレンズ
５３,５４と、反射ミラー５５と、ビーム整形プリズム
５６と、対物レンズ５８,５９が取り付けられたレンズ
アクチュエータ５７とを備えている。上記光ピックアッ
プは、コリメートレンズ５３,５４と反射ミラー５５お
よびプリズム５６とを用いて、半導体レーザ装置５１,
５２から出射された波長の異なるレーザ光の光軸を重ね
合わせ、レンズアクチュエータ５７を可動させて、対物
レンズ５８,５９を切り換えることによって、半導体レ
ーザ装置５１,５２から出射された異なる波長のレーザ
光がＤＶＤまたはＣＤ−Ｒの記録面に夫々収束する。(1) Optical Pickup Having Two Optical Systems FIG. 5 shows the structure of the main part of an optical pickup having the above two optical systems. This optical pickup has two semiconductor laser devices 51 and 52 and A collimating lens 53, 54, a reflecting mirror 55, a beam shaping prism 56, and a lens actuator 57 to which objective lenses 58, 59 are attached. The optical pickup uses the collimating lenses 53 and 54, the reflection mirror 55 and the prism 56, and the semiconductor laser device 51,
The laser beams of different wavelengths emitted from the semiconductor laser devices 51 and 52 are switched by overlapping the optical axes of the laser beams having different wavelengths emitted from the semiconductor laser devices 51 and 52 by moving the lens actuator 57 and switching the objective lenses 58 and 59. Converge on the recording surface of the DVD or CD-R, respectively.

【０００５】(２) １つの光学系を有する光ピックアッ
プ 図６は１つの光学系を有する光ピックアップの要部の構
成を示しており、この光ピックアップは、２つの半導体
レーザ装置６１,６２と、ホログラム６３と、プリズム
６４と、コリメートレンズ６５と、立ち上げミラー６６
と、偏光ホログラム６７と、１／４波長板６８と、対物
レンズ６９とを備えている。上記光ピックアップは、プ
リズム６４を用いて、半導体レーザ装置６１,６２から
出射された波長の異なるレーザ光の光軸を重ね合わせ、
コリメートレンズ６５を可動させて、半導体レーザ装置
６１,６２から出射された異なる波長のレーザ光がＤＶ
Ｄ７０またはＣＤ−Ｒ７１の記録面に夫々収束する。(2) Optical Pickup Having One Optical System FIG. 6 shows a configuration of a main part of an optical pickup having one optical system. This optical pickup comprises two semiconductor laser devices 61 and 62, Hologram 63, prism 64, collimating lens 65, rising mirror 66
, A polarization hologram 67, a 波長 wavelength plate 68, and an objective lens 69. The optical pickup uses a prism 64 to superimpose the optical axes of laser beams having different wavelengths emitted from the semiconductor laser devices 61 and 62,
By moving the collimating lens 65, the laser beams of different wavelengths emitted from the semiconductor laser devices 61 and 62 are
It converges on the recording surface of D70 or CD-R71, respectively.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記別々の
パッケージに収められた波長の異なる２つの半導体レー
ザ装置では、上記(１)の光ピックアップにおいて、光学
系が２種類必要であり、光学系の部品点数が２倍となっ
て光学系のサイズも２倍になるため、小型化ができず、
コストが高くつくという問題がある。However, in the two semiconductor laser devices of different wavelengths housed in the above-mentioned separate packages, the optical pickup of the above (1) requires two types of optical systems. Since the number of parts is doubled and the size of the optical system is doubled, miniaturization cannot be achieved.
There is a problem that the cost is high.

【０００７】また、上記別々のパッケージに収められた
波長の異なる２つの半導体レーザ装置では、上記(２)の
光ピックアップにおいて、可動させる機構が必要なた
め、小型化ができず、コストが高くつくという問題があ
る。In the two semiconductor laser devices having different wavelengths housed in the separate packages, the optical pickup of the above (2) requires a moving mechanism, so that the size cannot be reduced and the cost is high. There is a problem.

【０００８】そこで、この発明の目的は、１つのパッケ
ージに収められた複数の半導体レーザチップから互いの
光軸が近接した複数のレーザ光を出射でき、小型で安価
な光ピックアップを実現できる半導体レーザ装置を提供
することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser capable of emitting a plurality of laser beams whose optical axes are close to each other from a plurality of semiconductor laser chips contained in one package and realizing a small and inexpensive optical pickup. It is to provide a device.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の半導体レーザ装置は、複数の半導体レー
ザチップと、上記複数の半導体レーザチップが固定され
る台座とを備えた半導体レーザ装置において、上記複数
の半導体レーザチップから出射されるレーザ光の各光軸
が平行かつ互いに近接するように、上記複数の半導体レ
ーザチップのうちの少なくとも１つから出射されるレー
ザ光を反射する反射面を上記台座に設けたことを特徴と
している。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser device comprising: a plurality of semiconductor laser chips; and a pedestal to which the plurality of semiconductor laser chips are fixed. A reflection surface that reflects laser light emitted from at least one of the plurality of semiconductor laser chips so that the optical axes of the laser light emitted from the plurality of semiconductor laser chips are parallel and close to each other. Is provided on the pedestal.

【００１０】上記請求項１の半導体レーザ装置によれ
ば、上記複数の半導体レーザチップを固定する台座に反
射面を設け、その反射面に上記複数の半導体レーザチッ
プのうちの少なくとも１つから出射されるレーザ光を反
射させる。この反射されたレーザ光が他の半導体レーザ
チップから出射されたレーザ光と平行かつ互いに近接す
るように、各半導体レーザチップを配置することによっ
て、各レーザ光の光軸を略一致させることが可能とな
る。したがって、１つのパッケージに収められた複数の
半導体レーザチップから互いの光軸が近接した複数のレ
ーザ光を出射でき、小型で安価な光ピックアップを実現
できる。According to the semiconductor laser device of the first aspect, a reflecting surface is provided on a pedestal for fixing the plurality of semiconductor laser chips, and the reflecting surface emits light from at least one of the plurality of semiconductor laser chips. Reflected laser light. By arranging each semiconductor laser chip such that the reflected laser light is parallel to and close to the laser light emitted from another semiconductor laser chip, it is possible to make the optical axes of the respective laser lights substantially coincide with each other. Becomes Therefore, a plurality of laser beams whose optical axes are close to each other can be emitted from a plurality of semiconductor laser chips contained in one package, and a small and inexpensive optical pickup can be realized.

【００１１】また、請求項２の半導体レーザ装置は、請
求項１の半導体レーザ装置において、上記台座の反射面
は、その台座に設けられた段部の側面であることを特徴
としている。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor laser device of the first aspect, the reflection surface of the pedestal is a side surface of a step provided on the pedestal.

【００１２】上記請求項２の半導体レーザ装置によれ
ば、上記台座に設けられた段部の側面をメッキ処理等に
より鏡面仕上げとすることによって、上記レーザ光を反
射させる反射面を容易に設けることができる。According to the semiconductor laser device of the present invention, the side surface of the step provided on the pedestal is mirror-finished by plating or the like, so that the reflection surface for reflecting the laser light can be easily provided. Can be.

【００１３】また、請求項３の半導体レーザ装置は、請
求項１の半導体レーザ装置において、上記台座の反射面
は、その台座に設けられた斜面であることを特徴として
いる。According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser device of the first aspect, the reflecting surface of the pedestal is a slope provided on the pedestal.

【００１４】上記請求項３の半導体レーザ装置によれ
ば、上記台座に設けられた斜面をメッキ処理等により鏡
面仕上げとすることによって、上記レーザ光を反射させ
る反射面を容易に設けることができる。According to the semiconductor laser device of the third aspect, the reflecting surface for reflecting the laser light can be easily provided by making the slope provided on the pedestal a mirror finish by plating or the like.

【００１５】また、請求項４の半導体レーザ装置は、請
求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置におい
て、上記台座は金属製ステムと一体に成形されているこ
とを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device of any one of the first to third aspects, the pedestal is formed integrally with a metal stem.

【００１６】上記請求項４の半導体レーザ装置によれ
ば、上記台座を金属製ステムと一体に成形することによ
って、位置精度が要求される台座の取付工程を省略でき
る。According to the semiconductor laser device of the fourth aspect, since the pedestal is formed integrally with the metal stem, the mounting step of the pedestal which requires positional accuracy can be omitted.

【００１７】また、請求項５の半導体レーザ装置は、請
求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置におい
て、上記台座は金属メッキされた樹脂製ステムと一体に
成形されていることを特徴としている。According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects, the pedestal is formed integrally with a metal-plated resin stem. I have.

【００１８】上記請求項５の半導体レーザ装置によれ
ば、上記台座を樹脂製ステムと一体に成形することによ
って、台座の成形が容易にできると共に、位置精度が要
求される台座の取付工程を省略できる。According to the semiconductor laser device of the fifth aspect, by molding the pedestal integrally with the resin stem, the pedestal can be easily formed, and the step of mounting the pedestal which requires positional accuracy is omitted. it can.

【００１９】また、請求項６の半導体レーザ装置は、請
求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置におい
て、上記台座は、金属製ステムに固定された金属製サブ
マウントであることを特徴としている。According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device of any one of the first to third aspects, the pedestal is a metal submount fixed to a metal stem. I have.

【００２０】上記請求項６の半導体レーザ装置によれ
ば、上記金属製ステムに固定する前に、上記金属製サブ
マウントに予め上記半導体レーザチップを所定の固定す
ることができる。According to the semiconductor laser device of the sixth aspect, the semiconductor laser chip can be fixed to the metal submount in advance before being fixed to the metal stem.

【００２１】また、請求項７の半導体レーザ装置は、請
求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置におい
て、上記台座は、上記複数の半導体レーザチップのうち
の上記反射面によって反射されないレーザ光を出射する
半導体レーザチップが固定された上記反射面を有する第
１の台座と、上記複数の半導体レーザチップのうちの上
記第１の台座の上記反射面によって反射されるレーザ光
を出射する半導体レーザチップが固定された上記反射面
を有しない第２の台座とを有することを特徴としてい
る。According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects, the pedestal is a laser beam which is not reflected by the reflecting surface of the plurality of semiconductor laser chips. A first pedestal having the reflection surface to which a semiconductor laser chip that emits light is fixed, and a semiconductor laser that emits a laser beam reflected by the reflection surface of the first pedestal of the plurality of semiconductor laser chips And a second pedestal not having the reflection surface to which the chip is fixed.

【００２２】上記請求項７の半導体レーザ装置によれ
ば、上記複数の半導体レーザチップのうちの上記第１の
台座の反射面によって反射されるレーザ光を出射する半
導体レーザチップを、上記反射面を有しない第２の台座
に固定しているので、上記第１の台座と第２の台座との
間の距離を調整することによって、複数の半導体レーザ
チップから出射されるレーザ光の光路長の差を調整でき
る。特に、上記第１の台座と第２の台座の少なくとも一
方を上記ステム上に接着等により固定する場合、その台
座の位置を容易に調整できる。According to the semiconductor laser device of the present invention, the semiconductor laser chip for emitting the laser beam reflected by the reflecting surface of the first pedestal among the plurality of semiconductor laser chips is replaced with the reflecting surface. Since it is fixed to the second pedestal not provided, by adjusting the distance between the first pedestal and the second pedestal, the difference between the optical path lengths of the laser beams emitted from the plurality of semiconductor laser chips is adjusted. Can be adjusted. Particularly, when at least one of the first pedestal and the second pedestal is fixed on the stem by bonding or the like, the position of the pedestal can be easily adjusted.

【００２３】また、請求項８の半導体レーザ装置は、請
求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置におい
て、上記複数の半導体レーザチップのうちの上記台座の
反射面によって反射されないレーザ光を出射する半導体
レーザチップは、上記台座に固定される面近傍に、上記
台座の面に対してレーザ光を平行に出射する発光点を有
することを特徴としている。According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects, a laser beam not reflected by the reflecting surface of the pedestal of the plurality of semiconductor laser chips is emitted. The semiconductor laser chip has a light emitting point near the surface fixed to the pedestal for emitting a laser beam in parallel to the surface of the pedestal.

【００２４】上記請求項８の半導体レーザ装置によれ
ば、上記複数の半導体レーザチップのうちの上記台座の
反射面によって反射されないレーザ光を出射する半導体
レーザチップの発光点を台座の面近傍にすることによっ
て、台座の面に平行かつ近接するようにレーザ光が出射
される。そうすることによって、上記台座の面に平行か
つ近接するレーザ光の光軸を上記台座の反射面で反射さ
れるレーザ光の光軸にできるだけ近づけることができ
る。According to the semiconductor laser device of the eighth aspect, the light emitting point of the semiconductor laser chip which emits laser light not reflected by the reflecting surface of the pedestal among the plurality of semiconductor laser chips is set near the surface of the pedestal. Thereby, the laser light is emitted so as to be parallel and close to the surface of the pedestal. By doing so, it is possible to make the optical axis of the laser light parallel and close to the surface of the pedestal as close as possible to the optical axis of the laser light reflected by the reflection surface of the pedestal.

【００２５】[0025]

【発明の実施の形態】以下、この発明の半導体レーザ装
置を図示の実施の形態により詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a semiconductor laser device according to the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.

【００２６】（第１実施形態）図１はこの発明の第１実
施形態の半導体レーザ装置の斜視図であり、１は円板形
状の金属製ステム、２は上記金属製ステム１上に設けら
れた台座としての略直方体形状の突出部である。上記突
出部２は、金属製ステム１と一体に成形されている。ま
た、上記突出部２を有するステム１は、Ｆｅ,Ｃｕまた
はそれらの合金をベースとし、その金属製のベースにＣ
ｕ,Ｎｉ等の下地メッキを施し、その下地メッキ上にＡ
ｕメッキを施している。(First Embodiment) FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention, wherein 1 is a disk-shaped metal stem and 2 is provided on the metal stem 1. It is a substantially rectangular parallelepiped projection as a base. The protrusion 2 is formed integrally with the metal stem 1. The stem 1 having the protruding portion 2 is based on Fe, Cu or an alloy thereof, and the metal base has C
u, Ni, etc., and apply A
u-plated.

【００２７】また、図２は上記ステム１の突出部２の拡
大斜視図を示している。図２に示すように、上記突出部
２の側面の１つに、上方のコーナー部の一方から略中央
に向かって延びる段部２１を有し、側方に向かって突出
する台形状の第１の凸部２aを設けている。また、上記
突出部２の第１の凸部２aが設けられた側面の上方のコ
ーナー部の他方に、上記第１の凸部２aの段部２１に平
行な段部２２を有し、側方に向かって突出する直角三角
形状の第2の凸部２bを設けている。そして、上記第１の
凸部２aの側面かつ段部２１近傍に、上下方向にレーザ
光を出射するように半導体レーザチップ３をＩnまたは
導電性のペースト等により接着して固定している。上記
半導体レーザチップ３の下方のステム１上に、ＰＩＮフ
ォトダイオード４をＩnまたは導電性のペースト等によ
り接着して固定している。また、上記突出部２の側面か
つ上記第１の凸部２aの段部２１と第２の凸部２bの段部
２２の間に、水平方向にレーザ光を出射するように半導
体レーザチップ５をＩnまたは導電性のペースト等によ
り接着して固定している。上記半導体レーザチップ５の
第２の凸部２b側に出射され、段部２２の反射面で下方
に反射されたレーザ光をモニタ可能なステム１上の位置
に、ＰＩＮフォトダイオード６をＩnまたは導電性のペ
ースト等により接着して固定している。なお、上記突出
部２の上面に受光素子７をＩnまたは導電性のペースト
等により接着して固定している。また、図１に示すよう
に、上記半導体レーザチップ３,５とＰＩNフォトダイオ
ード４,５を、夫々に対応する外部接続用端子１１に金
線１２により接続している。FIG. 2 is an enlarged perspective view of the protruding portion 2 of the stem 1. As shown in FIG. 2, one of the side surfaces of the protruding portion 2 has a step portion 21 extending from one of the upper corner portions to substantially the center, and a trapezoidal first protruding sideways. Are provided. Further, a step 22 parallel to the step 21 of the first protrusion 2a is provided on the other of the upper corners of the side surface on which the first protrusion 2a of the protrusion 2 is provided. A second projection 2b in the shape of a right triangle protruding toward is provided. The semiconductor laser chip 3 is bonded and fixed to the side surface of the first convex portion 2a and the vicinity of the step portion 21 with In or a conductive paste so as to emit a laser beam in a vertical direction. On the stem 1 below the semiconductor laser chip 3, a PIN photodiode 4 is bonded and fixed with In or a conductive paste. Further, the semiconductor laser chip 5 is disposed between the step 21 of the first protrusion 2a and the step 22 of the second protrusion 2b so as to emit laser light in the horizontal direction. It is fixed by bonding with In or a conductive paste or the like. At the position on the stem 1 where the laser light emitted to the second convex portion 2b side of the semiconductor laser chip 5 and reflected downward by the reflection surface of the step portion 22 can be monitored, the PIN photodiode 6 is set to In or conductive. It is adhered and fixed with a conductive paste or the like. The light receiving element 7 is fixed to the upper surface of the protrusion 2 by bonding with In or a conductive paste. As shown in FIG. 1, the semiconductor laser chips 3, 5 and the PIN photodiodes 4, 5 are connected to corresponding external connection terminals 11 by gold wires 12.

【００２８】上記構成の半導体レーザ装置において、図
２に示すように、半導体レーザチップ３は、上方に向か
ってレーザ光Ｌ11を出射する。一方、上記半導体レーザ
チップ５から水平方向かつ第１の凸部２aの段部２１に
向かって出射されたレーザ光Ｌ21は、第１の凸部２aの
段部２１の反射面としての側面２３で上方に反射され、
反射されたレーザ光Ｌ21の光軸は、半導体レーザチップ
３から上方に出射されたレーザ光Ｌ11の光軸と平行かつ
互いに近接して略同一となる。なお、半導体レーザチッ
プ３は、下方のＰＩNフォトダイオード４に向かってレ
ーザ光Ｌ12を出射する。一方、上記半導体レーザチップ
５から水平方向かつ第２の凸部２bの段部２２に向かっ
てレーザ光Ｌ22を出射し、段部２２の反射面としての側
面２４で下方に反射され、反射されたレーザ光Ｌ22は、
下方のＰＩNフォトダイオード４に入射される。[0028] In the semiconductor laser device of the above construction, as shown in FIG. 2, the semiconductor laser chip 3 emits laser light L 11 upward. On the other hand, the semiconductor laser chip 5 laser light L 21 emitted toward the stepped portion 21 in the horizontal direction and the first convex portion 2a from the side of the reflecting surface of the stepped portion 21 of the first convex portion 2a 23 Reflected upwards at
The optical axis of the reflected laser beam L 21 is made substantially the same from the semiconductor laser chip 3 in parallel and close to each other and the optical axis of the laser beam L 11 emitted upward. The semiconductor laser chip 3 emits laser light L 12 toward the lower side of the PIN photodiode 4. On the other hand, the semiconductor laser chip 5 toward the stepped portion 22 in the horizontal direction and the second convex portion 2b emits a laser beam L 22 is reflected downward by the side surface 24 of the reflecting surface of the step portion 22, it is reflected the laser beam L 22 was is,
The light is incident on the lower PIN photodiode 4.

【００２９】このように、上記半導体レーザチップ３,
５から出射された波長の異なる２つのレーザ光Ｌ11,Ｌ
21の光軸を近接した状態で供給することが可能となるの
で、半導体レーザ装置は１つでよく、コリメートレンズ
も１つでよくなると共に、２つのレーザ光の光軸を重ね
合わせるプリズム等が不要になる。したがって、１つの
パッケージに収められた２つの半導体レーザチップから
互いの光軸が近接した波長の異なる２つのレーザ光を出
射でき、小型で安価な光ピックアップを実現できる半導
体レーザ装置を提供することができる。As described above, the semiconductor laser chip 3,
5, two laser beams L 11 and L having different wavelengths
Since it is possible to supply 21 optical axes in close proximity, only one semiconductor laser device and one collimating lens are required, and a prism or the like that superimposes the optical axes of the two laser beams is unnecessary. become. Therefore, it is possible to provide a semiconductor laser device which can emit two laser beams having different wavelengths whose optical axes are close to each other from two semiconductor laser chips contained in one package and realizing a small and inexpensive optical pickup. it can.

【００３０】また、上記突出部２に設けられた段部２
１,２２の側面をメッキ処理により鏡面仕上げとするこ
とによって、レーザ光を反射させる反射面を容易に設け
ることができる。The stepped portion 2 provided on the projecting portion 2
By making the side surfaces of the first and the second mirror-finished by plating, it is possible to easily provide a reflection surface for reflecting the laser light.

【００３１】また、上記突出部２を金属製ステム１と一
体に成形することによって、位置精度が要求される台座
の取付工程を省略することができる。Further, by forming the protruding portion 2 integrally with the metal stem 1, it is possible to omit the step of mounting the pedestal which requires positional accuracy.

【００３２】また、上記半導体レーザチップ３は、接着
面近傍に発光点を設けることによって、２つのレーザ光
Ｌ11,Ｌ21の光軸をできる限り近づけることができ、光
路差を最小にできる。Further, in the semiconductor laser chip 3, by providing a light emitting point near the bonding surface, the optical axes of the two laser beams L 11 and L 21 can be made as close as possible, and the optical path difference can be minimized.

【００３３】上記第１実施形態では、台座としての突出
部２を金属製ステム１と一体に成形したが、台座は樹脂
製ステムと一体に成形してもよい。この場合、樹脂製ベ
ースにＣｕ,Ｎｉ等の下地メッキを施し、その下地メッ
キ上にＡｕメッキを施す。そうすることによって、台座
の成形が容易にできると共に、位置精度が要求される台
座の取付工程を省略することができる。In the first embodiment, the projection 2 as a pedestal is formed integrally with the metal stem 1, but the pedestal may be formed integrally with the resin stem. In this case, a base plate made of Cu, Ni or the like is applied to the resin base, and Au plating is applied on the base plate. By doing so, it is possible to easily form the pedestal, and it is possible to omit the pedestal mounting step which requires positional accuracy.

【００３４】また、上記第１実施形態では、半導体レー
ザチップ６,５が固定される台座としての突出部２はス
テム１と一体に成形していたが、台座は、金属製サブマ
ウントをＩnまたは導電性のペースト等によりステムに
接着して固定してもよい。この場合、金属製ステムに固
定する前に、台座としての金属製サブマウントに予め半
導体レーザチップを所定の位置に固定しておくことがで
きる。In the first embodiment, the projection 2 as a pedestal to which the semiconductor laser chips 6 and 5 are fixed is formed integrally with the stem 1, but the pedestal is formed by mounting a metal submount to In or In. The stem may be adhered and fixed with a conductive paste or the like. In this case, before fixing to the metal stem, the semiconductor laser chip can be fixed to a predetermined position on a metal submount as a pedestal in advance.

【００３５】（第２実施形態）図３はこの発明の第２実
施形態の半導体レーザ装置の斜視図であり、３１は円板
形状の金属製ステム、３２は上記金属製ステム１上にＩ
nまたは導電性のペースト等により接着されて固定され
た第１の台座、３３は上記ステム１上にＩnまたは導電
性のペースト等により接着されて固定された第２の台座
である。上記ステム３１は、Ｆｅ,Ｃｕまたはそれらの
合金をベースとして、金属製のベースにＣｕ,Ｎｉ等の
下地メッキを施し、その下地メッキ上にＡｕメッキを施
している。また、上記第１,第２の台座３２,３３は、金
属製サブマウントであって、ステム３１と同様にメッキ
処理が施されている。(Second Embodiment) FIG. 3 is a perspective view of a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention. Reference numeral 31 denotes a disk-shaped metal stem, and 32 denotes a metal stem on the metal stem 1.
Reference numeral 33 denotes a second pedestal adhered and fixed with n or a conductive paste or the like, and a second pedestal 33 adhered and fixed on the stem 1 with In or a conductive paste or the like. The stem 31 is based on Fe, Cu or an alloy thereof, and is formed by plating a metal base with a base plating of Cu, Ni or the like, and plating the base plating with Au. The first and second pedestals 32 and 33 are metal submounts, and are plated similarly to the stem 31.

【００３６】また、図４は上記ステム３１に固定された
第１,第２の台座３２,３３の拡大斜視図を示している。
図４に示すように、上記第１の台座３２は、厚板状の基
部３２aとその基部３２aの一端から上方に延びる凸部３
２bとを有し、上記凸部３２bの先端かつ基部３２aの他
端側の角に斜面３８を設けている。上記第１の台座３２
の側面かつ基部３２aの他端側に、レーザ光を上下方向
に出射する半導体レーザチップ３４をＩnまたは導電性
のペースト等により接着して固定している。また、上記
第１の台座３２の基部３２a上かつ凸部３２b近傍に、半
導体レーザチップ３４の出力をモニタするためのＰＩN
フォトダイオード３５をＩnまたは導電性のペースト等
により接着して固定している。また、上記第２の台座３
３の側面かつ上方のコーナー部近傍に、ＰＩＮフォトダ
イオード３７をＩnまたは導電性のペースト等により接
着して固定している。そして、上記ＰＩＮフォトダイオ
ード３７上に、水平方向にレーザ光を出射するように半
導体レーザチップ３６をＩnまたは導電性のペースト等
により接着して固定している。なお、図３に示すよう
に、上記半導体レーザチップ３４,３６とＰＩNフォトダ
イオード３５,３７を、夫々に対応する外部接続用端子
４１に金線４２により接続している。FIG. 4 is an enlarged perspective view of the first and second pedestals 32 and 33 fixed to the stem 31.
As shown in FIG. 4, the first pedestal 32 has a thick plate-like base 32a and a projection 3 extending upward from one end of the base 32a.
2b, and a slope 38 is provided at the tip of the projection 32b and at the other end of the base 32a. The first pedestal 32
A semiconductor laser chip 34 that emits laser light in the vertical direction is fixed to the side surface of the substrate 32 and the other end of the base 32a by bonding with In or a conductive paste. A PIN for monitoring the output of the semiconductor laser chip 34 is provided on the base 32a of the first pedestal 32 and in the vicinity of the protrusion 32b.
The photodiode 35 is fixed by bonding with In or a conductive paste. In addition, the second pedestal 3
A PIN photodiode 37 is adhered and fixed to the side face and the upper corner near the corner portion 3 by using In or a conductive paste. A semiconductor laser chip 36 is fixed on the PIN photodiode 37 by using In or a conductive paste or the like so as to emit laser light in the horizontal direction. As shown in FIG. 3, the semiconductor laser chips 34 and 36 and the PIN photodiodes 35 and 37 are connected to corresponding external connection terminals 41 by gold wires 42, respectively.

【００３７】上記構成の半導体レーザ装置において、図
４に示すように、半導体レーザチップ３４は、上方に向
かってレーザ光Ｌ31を出射する。一方、上記半導体レー
ザチップ３６から水平方向かつ第１の台座３２の斜面３
８に向かって出射されたレーザ光Ｌ41は、第１の台座３
２の斜面３８で上方に向かって反射され、反射されたレ
ーザ光Ｌ41の光軸は、半導体レーザチップ３４から上方
に出射されたレーザ光Ｌ31の光軸と平行かつ互いに近接
して略同一となる。なお、上記半導体レーザチップ３４
は、下方のＰＩNフォトダイオード３５に向かってレー
ザ光Ｌ32を出射する。[0037] In the semiconductor laser device of the above construction, as shown in FIG. 4, the semiconductor laser chip 34 emits the laser beam L 31 upward. On the other hand, the slope 3 of the first pedestal 32 in the horizontal direction from the semiconductor laser chip 36.
The laser beam L 41 emitted toward the first pedestal 3
The optical axis of the laser light L 41 reflected upward by the second inclined surface 38 and reflected is parallel to the optical axis of the laser light L 31 emitted upward from the semiconductor laser chip 34, and is substantially the same as each other. Becomes The semiconductor laser chip 34
Emits a laser beam L 32 toward the lower side of the PIN photodiode 35.

【００３８】このように、上記半導体レーザチップ３
４,３６から出射された波長の異なる２つのレーザ光Ｌ
31,Ｌ41の光軸を近接した状態で供給することが可能と
なるので、光ピックアップにおいて、半導体レーザ装置
は１つでよく、コリメートレンズも１つでよくなると共
に、２つのレーザ光の光軸を重ね合わせるプリズム等が
不要になる。したがって、１つのパッケージに収められ
た２つの半導体レーザチップから互いの光軸が近接した
波長の異なる２つのレーザ光を出射でき、小型で安価な
光ピックアップを実現できる半導体レーザ装置を提供す
ることができる。As described above, the semiconductor laser chip 3
Two laser beams L having different wavelengths emitted from the light sources 4 and 36
31, since is possible to supply in close proximity to the optical axis of the L 41 allows, in the optical pickup, the semiconductor laser device may one, with also a collimating lens better one, the optical axes of the two laser beams A prism or the like that superimposes the images becomes unnecessary. Therefore, it is possible to provide a semiconductor laser device which can emit two laser beams having different wavelengths whose optical axes are close to each other from two semiconductor laser chips contained in one package and realizing a small and inexpensive optical pickup. it can.

【００３９】また、上記第１の台座３２に設けられた斜
面３８をメッキ処理により鏡面仕上げとすることによっ
て、レーザ光を反射させる反射面を容易に設けることが
できる。Further, by making the slope 38 provided on the first pedestal 32 a mirror finish by plating, it is possible to easily provide a reflection surface for reflecting laser light.

【００４０】また、上記第１の台座３２の斜面３８によ
って反射されるレーザ光を出射する半導体レーザチップ
３６を第２の台座３３に固定しているので、第１の台座
３２と第２の台座３３との距離を調整することによっ
て、半導体レーザチップ３４,３６から出射されるレー
ザ光の光路長の差を調整することができる。Since the semiconductor laser chip 36 for emitting the laser beam reflected by the slope 38 of the first pedestal 32 is fixed to the second pedestal 33, the first pedestal 32 and the second pedestal 32 are fixed. By adjusting the distance from the semiconductor laser chip 33, the difference in the optical path length of the laser light emitted from the semiconductor laser chips 34 and 36 can be adjusted.

【００４１】また、上記半導体レーザチップ３４は、接
着面近傍に発光点を設けることによって、２本のレーザ
光Ｌ31,Ｌ41の光軸をできる限り近づけることができ、
光路差を最小にできる。Further, the semiconductor laser chip 34 can provide the light emitting point near the bonding surface so that the optical axes of the two laser beams L 31 and L 41 can be made as close as possible.
Optical path difference can be minimized.

【００４２】上記第１実施形態では、ステム３１は、Ｆ
ｅ,Ｃｕまたはそれらの合金をベースとしたが、ステム
は樹脂をベースとして、樹脂製ベースにＣｕ,Ｎｉ等の
下地メッキを施し、その下地メッキ上にＡｕメッキを施
してもよい。In the first embodiment, the stem 31 is
Although the base is made of e, Cu or an alloy thereof, the stem may be made of a resin, and a base made of a resin, such as Cu or Ni, may be plated with Au, and the base may be plated with Au.

【００４３】また、上記第２実施形態では、上記ステム
３１に別体の金属製サブマウントである第１,第２の台
座３２,３３を夫々固定したが、少なくとも１つの台座
が金属製ステムと一体に成形されたものでもよい。ま
た、上記台座を樹脂製ステムと一体に成形してもよい。
その場合、樹脂製ベースにＣｕ,Ｎｉ等の下地メッキを
施し、その下地メッキ上にＡｕメッキを施す。そうする
ことによって、台座の成形が容易にできると共に、位置
精度が要求される台座の取付工程を省略することができ
る。In the second embodiment, the first and second pedestals 32 and 33, which are separate metal submounts, are fixed to the stem 31, respectively. However, at least one pedestal is connected to the metal stem. It may be formed integrally. Further, the pedestal may be formed integrally with the resin stem.
In that case, a base made of Cu, Ni or the like is applied to the resin base, and Au is applied on the base. By doing so, it is possible to easily form the pedestal, and it is possible to omit the pedestal mounting step which requires positional accuracy.

【００４４】[0044]

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザチップ
と、上記複数の半導体レーザチップが固定される台座と
を備えた半導体レーザ装置において、上記複数の半導体
レーザチップから出射されるレーザ光の各光軸が平行か
つ互いに近接するように、複数の半導体レーザチップの
うちの少なくとも１つから出射されるレーザ光を反射す
る反射面を上記台座に設けたものである。As is apparent from the above description, the semiconductor laser device according to the first aspect of the present invention is a semiconductor laser device including a plurality of semiconductor laser chips and a pedestal to which the plurality of semiconductor laser chips are fixed. The pedestal is configured to reflect the laser beam emitted from at least one of the plurality of semiconductor laser chips so that the optical axes of the laser beams emitted from the plurality of semiconductor laser chips are parallel and close to each other. It is provided in.

【００４５】したがって、請求項１の発明の半導体レー
ザ装置によれば、上記反射面に上記複数の半導体レーザ
チップのうちの少なくとも１つから出射されるレーザ光
を反射させて、反射されたレーザ光の光軸と他の半導体
レーザチップからのレーザ光の光軸とを略一致させるこ
とが可能となる。したがって、１つのパッケージに収め
られた複数の半導体レーザチップから互いの光軸が近接
した複数のレーザ光を出射でき、小型で安価な光ピック
アップを実現することができる。Therefore, according to the semiconductor laser device of the first aspect of the present invention, the laser light emitted from at least one of the plurality of semiconductor laser chips is reflected on the reflecting surface, and the reflected laser light is reflected. And the optical axis of the laser beam from another semiconductor laser chip can be made substantially coincident with each other. Therefore, a plurality of laser beams whose optical axes are close to each other can be emitted from a plurality of semiconductor laser chips contained in one package, and a small and inexpensive optical pickup can be realized.

【００４６】また、請求項２の発明の半導体レーザ装置
は、請求項１の半導体レーザ装置において、上記台座の
反射面は、その台座に設けられた段部の側面であるの
で、上記台座に設けられた段部の側面をメッキ処理等に
より鏡面仕上げとすることによって、上記レーザ光を反
射させる反射面を容易に設けることができる。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor laser device of the first aspect, since the reflection surface of the pedestal is a side surface of a step provided on the pedestal, the reflection surface is provided on the pedestal. By making the side surfaces of the stepped portions mirror-finished by plating or the like, it is possible to easily provide a reflection surface for reflecting the laser light.

【００４７】また、請求項３の発明の半導体レーザ装置
は、請求項１の半導体レーザ装置において、上記台座の
反射面は、その台座に設けられた斜面であるので、上記
台座に設けられた斜面をメッキ処理等により鏡面仕上げ
とすることによって、上記レーザ光を反射させる反射面
を容易に設けることができる。According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser device of the first aspect, since the reflecting surface of the pedestal is a slope provided on the pedestal, the slope provided on the pedestal is provided. Can be easily provided with a reflecting surface for reflecting the laser light by making the surface mirror-finished by plating or the like.

【００４８】また、請求項４の発明の半導体レーザ装置
は、請求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置
において、上記台座は金属製ステムと一体に成形されて
いるので、位置精度が要求される台座の取付工程を省略
することができる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects, wherein the pedestal is formed integrally with a metal stem. The mounting step of the pedestal to be performed can be omitted.

【００４９】また、請求項５の発明の半導体レーザ装置
は、請求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置
において、上記台座は金属メッキされた樹脂製ステムと
一体に成形されているので、台座の成形が容易にできる
と共に、位置精度が要求される台座の取付工程を省略す
ることができる。According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects, the pedestal is formed integrally with a metal-plated resin stem. The pedestal can be easily formed, and the step of mounting the pedestal that requires positional accuracy can be omitted.

【００５０】また、請求項６の発明の半導体レーザ装置
は、請求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置
において、上記台座は、金属製ステムに固定された金属
製サブマウントであるので、上記金属製ステムに固定す
る前に、金属製サブマウントに予め上記半導体レーザチ
ップを所定の固定することができる。According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects, the base is a metal submount fixed to a metal stem. Before fixing to the metal stem, the semiconductor laser chip can be fixed to the metal submount in advance.

【００５１】また、請求項７の発明の半導体レーザ装置
は、請求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置
において、上記反射面を有する第１の台座に、上記複数
の半導体レーザチップのうちの上記反射面によって反射
されないレーザ光を出射する半導体レーザチップを固定
し、上記反射面を有しない第２の台座に、上記複数の半
導体レーザチップのうちの第１の台座の反射面によって
反射されるレーザ光を出射する半導体レーザチップを固
定しているので、上記第１の台座と第２の台座との間の
距離を調整することによって、複数の半導体レーザチッ
プから出射されるレーザ光の光路長の差を調整すること
ができる。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects, wherein the first pedestal having the reflecting surface is provided with the plurality of semiconductor laser chips. A semiconductor laser chip that emits laser light that is not reflected by the reflective surface is fixed to a second pedestal that does not have the reflective surface, and is reflected by a reflective surface of a first pedestal of the plurality of semiconductor laser chips. Since the semiconductor laser chip that emits the laser beam is fixed, the distance between the first pedestal and the second pedestal is adjusted to adjust the optical path of the laser light emitted from the plurality of semiconductor laser chips. The length difference can be adjusted.

【００５２】また、請求項８の発明の半導体レーザ装置
は、請求項１乃至３のいずれか１つの半導体レーザ装置
において、上記複数の半導体レーザチップのうちの上記
台座の反射面によって反射されないレーザ光を出射する
半導体レーザチップは、上記台座の面に対してレーザ光
を平行に出射する発光点を上記台座に固定される面近傍
に有するので、上記台座の面に平行かつ近接するレーザ
光の光軸が、他の半導体レーザチップから出射され、台
座の反射面で反射されるレーザ光の光軸にできるだけ近
づけることができ、光路差を最小にすることができる。According to a eighth aspect of the present invention, there is provided the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects, wherein the laser beam not reflected by the reflecting surface of the pedestal of the plurality of semiconductor laser chips. The semiconductor laser chip that emits laser light has a light emitting point for emitting laser light in parallel to the surface of the pedestal in the vicinity of the surface fixed to the pedestal. The axis can be made as close as possible to the optical axis of the laser light emitted from another semiconductor laser chip and reflected by the reflection surface of the pedestal, and the optical path difference can be minimized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 図１はこの発明の第１実施形態の半導体レー
ザ装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】 図２は上記半導体レーザ装置の要部拡大図で
ある。FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the semiconductor laser device.

【図３】 図３はこの発明の第２実施形態の半導体レー
ザ装置の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention.

【図４】 図４は上記半導体レーザ装置の要部拡大図で
ある。FIG. 4 is an enlarged view of a main part of the semiconductor laser device.

【図５】 図５は従来の半導体レーザ装置を用いた光ピ
ックアップの要部構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a main part of an optical pickup using a conventional semiconductor laser device.

【図６】 図６は従来の半導体レーザ装置を用いた他の
光ピックアップの要部構成図である。FIG. 6 is a main part configuration diagram of another optical pickup using a conventional semiconductor laser device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１,３１…ステム、 ２…突出部、 ３,５,３４,３６…半導体レーザチップ、 ４,６,３５,３７…ＰＩNフォトダイオード、 １１,４１…外部接続用端子、 １２,４２…金線、 ２１,２２…段部、 ３２…第１の台座、 ３３…第２の台座、 ３８…斜面。 1, 31 ... stem, 2 ... projecting part, 3, 5, 34, 36 ... semiconductor laser chip, 4, 6, 35, 37 ... PIN photodiode, 11, 41 ... terminal for external connection, 12, 42 ... gold wire , 21,22 ... stepped part, 32 ... first pedestal, 33 ... second pedestal, 38 ... slope.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 複数の半導体レーザチップと、上記複数
の半導体レーザチップが固定される台座とを備えた半導
体レーザ装置において、 上記複数の半導体レーザチップから出射されるレーザ光
の各光軸が平行かつ互いに近接するように、上記複数の
半導体レーザチップのうちの少なくとも１つから出射さ
れるレーザ光を反射する反射面を上記台座に設けたこと
を特徴とする半導体レーザ装置。1. A semiconductor laser device comprising: a plurality of semiconductor laser chips; and a pedestal to which the plurality of semiconductor laser chips are fixed, wherein each optical axis of laser light emitted from the plurality of semiconductor laser chips is parallel. A semiconductor laser device, wherein a reflection surface for reflecting laser light emitted from at least one of the plurality of semiconductor laser chips is provided on the pedestal so as to be close to each other. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記台座の反射面は、その台座に設けられた段部の側面
であることを特徴とする半導体レーザ装置。2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the reflection surface of the pedestal is a side surface of a step provided on the pedestal. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記台座の反射面は、その台座に設けられた斜面である
ことを特徴とする半導体レーザ装置。3. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the reflection surface of the pedestal is a slope provided on the pedestal. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置において、 上記台座は金属製ステムと一体に成形されていることを
特徴とする半導体レーザ装置。4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the pedestal is formed integrally with a metal stem. 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置において、 上記台座は金属メッキされた樹脂製ステムと一体に成形
されていることを特徴とする半導体レーザ装置。5. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said pedestal is formed integrally with a metal-plated resin stem. 【請求項６】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置において、 上記台座は、金属製ステムに固定された金属製サブマウ
ントであることを特徴とする半導体レーザ装置。6. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said pedestal is a metal submount fixed to a metal stem. 【請求項７】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置において、 上記台座は、 上記複数の半導体レーザチップのうちの上記反射面によ
って反射されないレーザ光を出射する半導体レーザチッ
プが固定された上記反射面を有する第１の台座と、 上記複数の半導体レーザチップのうちの上記第１の台座
の上記反射面によって反射されるレーザ光を出射する半
導体レーザチップが固定された上記反射面を有しない第
２の台座とを有することを特徴とする半導体レーザ装
置。7. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the pedestal emits a laser beam that is not reflected by the reflection surface of the plurality of semiconductor laser chips. A first pedestal having the reflection surface to which the semiconductor laser chip that emits laser light reflected by the reflection surface of the first pedestal of the plurality of semiconductor laser chips is fixed. And a second pedestal having no reflection surface. 【請求項８】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
半導体レーザ装置において、 上記複数の半導体レーザチップのうちの上記台座の反射
面によって反射されないレーザ光を出射する半導体レー
ザチップは、上記台座に固定される面近傍に、上記台座
の面に対してレーザ光を平行に出射する発光点を有する
ことを特徴とする半導体レーザ装置。8. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein, of the plurality of semiconductor laser chips, a semiconductor laser chip that emits laser light that is not reflected by a reflecting surface of the pedestal is: A semiconductor laser device having, near a surface fixed to the pedestal, a light emitting point for emitting laser light in parallel to the surface of the pedestal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784464B2 (en) 2000-03-14 2004-08-31 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and wire bonding method capable of easily performing reliable wire bonding
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JP2006053116A (en) * 2004-08-13 2006-02-23 Sei Tsunezo Optics system structure for coupling plurality of laser beams
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