JP2000150753A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JP2000150753A JP2000150753A JP32303698A JP32303698A JP2000150753A JP 2000150753 A JP2000150753 A JP 2000150753A JP 32303698 A JP32303698 A JP 32303698A JP 32303698 A JP32303698 A JP 32303698A JP 2000150753 A JP2000150753 A JP 2000150753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- pellet
- wedge
- semiconductor device
- mold resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
- H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特にペレットを搭載するリードフレームが放熱板と
して利用されるパワーデバイス等の半導体装置のリード
フレーム構造に関する。The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a lead frame structure of a semiconductor device such as a power device in which a lead frame on which a pellet is mounted is used as a heat sink.
【０００２】[0002]
【従来の技術】パワーデバイス等の半導体装置では、半
導体素子から発生する熱を効率よく放出し、かつ、半導
体素子を外部環境から保護するために、半導体素子をリ
ードフレームに半田等の熱良導体で固定し、樹脂等のモ
ールド材で封止するという方法が用いられている。この
種の半導体装置の信頼性を高めるには、モールド材が半
導体素子から発生する熱のサイクルによってもリードフ
レームと密着性を保つ必要があり、そのために従来はリ
ードフレームのペレット搭載エリアの周辺部に溝や突起
を形成して密着性の向上を図っていた。2. Description of the Related Art In a semiconductor device such as a power device, in order to efficiently release heat generated from a semiconductor element and to protect the semiconductor element from an external environment, the semiconductor element is connected to a lead frame by a good conductor such as solder. A method of fixing and sealing with a mold material such as resin is used. In order to increase the reliability of this type of semiconductor device, it is necessary for the molding material to maintain close contact with the lead frame by the heat cycle generated from the semiconductor element. Grooves and protrusions are formed on the substrate to improve the adhesion.
【０００３】このような従来の半導体装置の例について
図３を参照して説明する。図３は、従来のリードフレー
ムの構造を説明するための図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はペレット搭載部周辺の断面図である。図３に示
すように、従来のリードフレーム１は半田材３等の熱良
導体を用いてペレット２をリードフレーム１に搭載した
後、図示していないが、ペレット２とリードフレーム１
とをボンディングワイヤーで接続し、更に全体を覆うよ
うに樹脂からなるモールド材を注入して形成している。
ここで従来は、リードフレーム１のペレット２搭載部周
辺に溝５を形成して、モールド材とリードフレーム１の
密着性を向上させていた。An example of such a conventional semiconductor device will be described with reference to FIG. 3A and 3B are views for explaining the structure of a conventional lead frame, wherein FIG.
(B) is a cross-sectional view around the pellet mounting portion. As shown in FIG. 3, in the conventional lead frame 1, after the pellet 2 is mounted on the lead frame 1 using a good conductor such as a solder material 3, the pellet 2 and the lead frame 1
Are connected by a bonding wire, and a molding material made of resin is injected so as to cover the whole.
Here, conventionally, a groove 5 is formed around the pellet 2 mounting portion of the lead frame 1 to improve the adhesion between the molding material and the lead frame 1.
【０００４】また、実開昭６２−１１４４５０号公報に
は、リードフレームの半導体素子実装面の反対面（主放
熱面）にモールド樹脂の注入方向に沿った切り込み溝を
形成してリードフレームとモールド材の密着性を向上す
る技術が記載されている。この技術は、主放熱面に斜め
格子状パターンの溝を形成した従来の方法では、トラン
スファ成型の際に注入される樹脂の流れを阻害し、樹脂
をキャビティ内に円滑に注入することができないために
樹脂の充填が不完全となり、ボイドが発生するという問
題を解決するために考案されたものである。Japanese Utility Model Laid-Open Publication No. Sho 62-114450 discloses that a cut groove is formed in a surface (main heat radiation surface) of a lead frame opposite to a surface on which a semiconductor element is mounted so as to extend along a mold resin injection direction. A technique for improving the adhesion of materials is described. According to this technique, the flow of the resin injected during the transfer molding is hindered by the conventional method in which the grooves of the oblique lattice pattern are formed on the main heat dissipation surface, and the resin cannot be smoothly injected into the cavity. In order to solve the problem that the resin is not completely filled and voids are generated.
【０００５】また、特開平７−１３０９１５号公報に
は、リードフレームの一部に突起を設けてモールド樹脂
の密着性を向上させた技術が記載されている。この技術
は、リードフレームが平坦な場合、樹脂の食いつきが悪
く、リードフレームと樹脂との密着性の向上が悪くなる
と言う問題を解決するためのものである。Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-130915 describes a technique in which a protrusion is provided on a part of a lead frame to improve the adhesion of a mold resin. This technique is intended to solve the problem that when the lead frame is flat, the bite of the resin is poor and the adhesion between the lead frame and the resin is not improved.
【０００６】更に、実開昭６１−９６５４２号公報に
は、リードフレームのペレット搭載部に多数の尖鋭突起
を設けて、ペレットとリードフレームの密着性を向上さ
せた技術が記載されている。この技術は、ペレットとリ
ードフレームの間に介在する半田層の厚さが均一でない
と、ペレットとリードフレームの熱膨張係数の差に起因
する熱応力が半田層に加わり、熱サイクルによる半田層
の疲労によってペレットの剥離が生じるという問題を解
決するために考案されたものである。Further, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 61-96542 discloses a technique in which a large number of sharp projections are provided on a pellet mounting portion of a lead frame to improve the adhesion between the pellet and the lead frame. With this technology, if the thickness of the solder layer interposed between the pellet and the lead frame is not uniform, thermal stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the pellet and the lead frame is applied to the solder layer, and the solder layer is subjected to thermal cycling. It has been devised to solve the problem of peeling of pellets caused by fatigue.
【０００７】このように、パワーデバイス等の半導体装
置においては、ペレットをリードフレームに密着させる
ことや、リードフレームとモールド樹脂の密着性を向上
させることは、装置の信頼性を向上させるために必要不
可欠な技術である。従って、リードフレームに形成する
溝や突起としてストライプ状、ディンプル状等の種々の
形状が提案されており、形状の差異によってその効果が
著しく異なるものである。As described above, in a semiconductor device such as a power device, it is necessary to bring the pellet into close contact with the lead frame and to improve the adhesion between the lead frame and the molding resin in order to improve the reliability of the device. Indispensable technology. Therefore, various shapes such as stripes and dimples have been proposed as grooves and projections formed on the lead frame, and the effects thereof are significantly different depending on the difference in shape.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置では、リードフレームとペレットと
モールド樹脂の密着性を十分に保つことはできない。例
えば、実開昭６２−１１４４５０号公報や実開昭６１−
９６５４２号公報に記載された技術では、主放熱面に注
入した樹脂のボイドを抑制したり、リードフレームとペ
レットの密着性を向上させることはできるが、ペレット
搭載面のリードフレームとモールド樹脂の密着性を保つ
ことはできない。However, in the above-mentioned conventional semiconductor device, it is not possible to sufficiently maintain the adhesion between the lead frame, the pellet, and the molding resin. For example, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 62-114450 and Japanese Utility Model Application
According to the technique described in Japanese Patent Application Publication No. 96542, it is possible to suppress the void of the resin injected into the main heat radiation surface and to improve the adhesion between the lead frame and the pellet, You can't maintain sex.
【０００９】また、特開平７−１３０９１５号公報に記
載された技術では、モールド樹脂の食いつきを改善する
ことはできるが、一つの突起はペレット面側に傾斜し、
別の突起はリードフレーム側面に形成されているため
に、モールド樹脂が収縮した場合、ペレット面側に傾斜
している突起では樹脂がリードフレームから剥離する方
向に力が働いてしまい、また、リードフレーム側面に形
成されている突起では、ペレットをリードフレームに押
圧することはできない。In the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-130915, it is possible to improve the bite of the mold resin, but one protrusion is inclined toward the pellet surface,
Since another protrusion is formed on the side surface of the lead frame, when the mold resin shrinks, a force acts on the protrusion inclined to the pellet surface in the direction in which the resin peels off from the lead frame. The pellet formed on the side surface of the frame cannot press the pellet against the lead frame.
【００１０】従って、従来のリードフレームの構造で
は、半導体装置から発生する熱サイクルにより、モール
ド樹脂とリードフレーム１との間に隙間が生じ、モール
ド樹脂の膨張、収縮によりペレット２に加わる圧力が均
等でなくなったり、半導体素子等のペレット２とリード
フレーム１とを接続する半田材３に不均等な応力が加わ
って亀裂が入り、ペレット２を十分に冷却することがで
きずに特性が劣化してしまうという問題が生じる。Therefore, in the structure of the conventional lead frame, a gap is formed between the mold resin and the lead frame 1 due to the thermal cycle generated from the semiconductor device, and the pressure applied to the pellet 2 due to expansion and contraction of the mold resin is uniform. In addition, uneven stress is applied to the solder material 3 connecting the pellet 2 such as a semiconductor element and the lead frame 1 to the lead frame 1, causing cracks, and the pellet 2 cannot be cooled sufficiently and the characteristics deteriorate. The problem arises.
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、パワーデバイス等の半
導体素子から発生する熱によるストレスが加わった場合
においても、モールド樹脂とリードフレームとの密着性
を保ち、ペレットとリードフレームの接続部に加わる応
力を緩和し、高い信頼性を保持することができる半導体
装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a main object of the present invention is to provide a molding resin and a lead frame that can be used even when stress due to heat generated from a semiconductor element such as a power device is applied. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of maintaining high adhesion, relaxing stress applied to a connection portion between a pellet and a lead frame, and maintaining high reliability.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、第１の視点において、半導体素子等のペ
レットをリードフレームに搭載、接続し、モールド樹脂
で被覆するモールド成形のパワーデバイス半導体装置に
おいて、前記リードフレームの前記ペレットが載置され
る領域周辺の上面に、外側上方に向かって突出する楔状
の突起を複数設けたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided, in a first aspect, a molded power device in which a pellet such as a semiconductor element is mounted on a lead frame, connected, and covered with a molding resin. In the semiconductor device, a plurality of wedge-shaped protrusions protruding outward and upward are provided on an upper surface around a region where the pellet is placed on the lead frame.
【００１３】また、本発明は第２の視点において、半導
体素子等のペレットをリードフレームに搭載、接続し、
モールド樹脂で被覆するモールド成形のパワーデバイス
半導体装置において、前記リードフレームの前記ペレッ
トが載置される領域周辺の上面に、外側上方に向かって
突出する楔状の突起と、内側上方に向かって突出する楔
状の突起とを交互に複数設けたものである。According to a second aspect of the present invention, a pellet such as a semiconductor element is mounted on a lead frame and connected,
In a molded power device semiconductor device covered with a mold resin, a wedge-shaped protrusion protruding outward and upward, and a protrusion protruding inward and upward are formed on an upper surface around an area where the pellet of the lead frame is mounted. A plurality of wedge-shaped projections are provided alternately.
【００１４】本発明は、第３の視点において、前記モー
ルド樹脂が収縮、膨張するに際し、該モールド樹脂が、
前記楔状の突起に食い込むことにより、前記ペレットを
前記リードフレームに密着させるように均等に押圧する
ものである。According to a third aspect of the present invention, in the third aspect, when the mold resin contracts and expands,
By digging into the wedge-shaped projections, the pellets are evenly pressed so as to be in close contact with the lead frame.
【００１５】本発明においては、前記楔状の突起の突出
方向が、該突起と前記ペレット中央部とを結ぶ方向に沿
っていることが好ましく、前記楔状の突起が、リードフ
レーム表面から５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲の高
さで突出している構成とすることもできる。In the present invention, it is preferable that a projecting direction of the wedge-shaped projection is along a direction connecting the projection and the center of the pellet, and the wedge-shaped projection is not less than 50 μm and not more than 200 μm from a lead frame surface. It can also be configured to protrude at a height in the range.
【００１６】本発明は上記構成により、楔状突起がペレ
ット搭載後の樹脂封止時に食い込むため、リードフレー
ムと樹脂の密着性が向上し、熱ストレスによる剥離を防
止してパワーサイクル等の信頼性を向上させることがで
きる。According to the present invention, since the wedge-shaped projections bite in the resin sealing after mounting the pellets, the adhesion between the lead frame and the resin is improved, the separation due to thermal stress is prevented, and the reliability of the power cycle and the like is improved. Can be improved.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置は、その
好ましい一実施の形態において、半導体素子等のペレッ
ト（図１の２）をリードフレーム（図１の１）に搭載、
接続し、モールド樹脂で被覆するモールド成形のパワー
デバイス半導体装置において、リードフレーム上面のペ
レット搭載領域周辺に、外側上方に向かって放射状に突
出する楔状の突起（図１の４）を複数設け、モールド樹
脂の収縮に際し、モールド樹脂が楔状の突起に食い込む
ことによってペレットをリードフレーム側に押圧し、強
固にペレットとリードフレームを接続する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In a preferred embodiment of a semiconductor device according to the present invention, a pellet (2 in FIG. 1) such as a semiconductor element is mounted on a lead frame (1 in FIG. 1).
In a molded power device semiconductor device which is connected and covered with a mold resin, a plurality of wedge-shaped projections (4 in FIG. 1) projecting radially outward and upward are provided around a pellet mounting area on the upper surface of a lead frame. When the resin shrinks, the molding resin cuts into the wedge-shaped projections to press the pellets toward the lead frame, thereby firmly connecting the pellets to the lead frame.
【００１８】[0018]
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;
【００１９】［実施例１］まず、本発明の第１の実施例
について、図１を参照して以下に説明する。図１は、本
発明の第１の実施例に係るリードフレームの構造を説明
するための図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はペレッ
ト搭載部周辺の断面図である。なお、本実施例では、リ
ードフレームとしてＴＯ−２２０系パッケージを例に取
り上げて説明する。Embodiment 1 First, a first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 1A and 1B are views for explaining a structure of a lead frame according to a first embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a top view, and FIG. 1B is a cross-sectional view around a pellet mounting portion. In this embodiment, a TO-220 system package will be described as an example of a lead frame.
【００２０】本実施例のリードフレーム１は、パワーデ
バイス等の半導体素子からなるペレット２を半田材３等
の熱良導体で固定した後、図示していないが、ペレット
２とリードフレーム１をボンディングワイヤーで接続
し、全体を覆うようにエポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂か
らなるモールド材で被覆したものであるが、本実施例で
は、リードフレーム１とモールド材の密着性を向上させ
るためにリードフレーム１のペレット２搭載部周辺に楔
状の突起５を設けたことを特徴としている。In the lead frame 1 of the present embodiment, after a pellet 2 made of a semiconductor element such as a power device is fixed with a good conductor such as a solder material 3, although not shown, the pellet 2 and the lead frame 1 are bonded with a bonding wire. Are connected with each other, and are covered with a molding material made of a thermosetting resin such as an epoxy resin so as to cover the entirety. In this embodiment, however, in order to improve the adhesion between the lead frame 1 and the molding material, the lead frame is used. 1 is characterized in that a wedge-shaped projection 5 is provided around the pellet 2 mounting portion.
【００２１】すなわち、図１（ａ）に示すように、リー
ドフレーム１のペレット２搭載エリアの周辺部に楔状突
起４を放射状に形成している。この楔状突起４の高さ
は、搭載するペレットの厚み等を考慮すると約５０μｍ
〜２００μｍ程度が好ましく、楔状突起４は外側に向け
て突出するように形成している。リードフレーム１にこ
のような楔状突起４を設けることによって、エポキシ樹
脂等からなるモールド材が硬化する時の収縮によって、
放射状に配置されたリードフレーム１上の楔状突起４が
樹脂に食い込み、ペレット２をリードフレーム１側に押
圧するように力が加わるため、リードフレーム１とペレ
ット２とモールド材の密着性を向上させることができ
る。That is, as shown in FIG. 1A, wedge-shaped projections 4 are formed radially on the periphery of the mounting area of the pellet 2 of the lead frame 1. The height of the wedge-shaped projection 4 is about 50 μm in consideration of the thickness of the pellet to be mounted and the like.
The wedge-shaped projection 4 is formed so as to protrude outward. By providing such a wedge-shaped projection 4 on the lead frame 1, shrinkage when the molding material made of epoxy resin or the like is hardened,
Since the wedge-shaped protrusions 4 on the radially arranged lead frame 1 bite into the resin and apply a force to press the pellet 2 toward the lead frame 1, the adhesion between the lead frame 1, the pellet 2 and the molding material is improved. be able to.
【００２２】［実施例２］次に、本発明の第２の実施例
について、図２を参照して以下に説明する。図２は、本
発明の第２の実施例に係るリードフレームの構造を説明
するための図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はペレッ
ト搭載部周辺の断面図である。Embodiment 2 Next, a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 2A and 2B are views for explaining the structure of a lead frame according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a top view, and FIG. 2B is a cross-sectional view around a pellet mounting portion.
【００２３】本実施例のリードフレーム１は、前記した
第１の実施例と同様に、パワーデバイス等の半導体素子
からなるペレット２を半田材３等の熱良導体で固定した
後、ペレット２とリードフレーム１をボンディングワイ
ヤーで接続し、全体を覆うようにエポキシ樹脂等の熱硬
化型樹脂からなるモールド材で被覆したものであるが、
本実施例では、リードフレーム１のペレット２搭載部周
辺に設ける楔状の突起５の突出方向を互いに隣り合う突
起間で逆になるようにしたものである。In the lead frame 1 of the present embodiment, similarly to the first embodiment, after a pellet 2 made of a semiconductor device such as a power device is fixed with a good conductor such as a solder material 3, the lead 2 The frame 1 is connected with a bonding wire, and is covered with a molding material made of a thermosetting resin such as an epoxy resin so as to cover the whole.
In this embodiment, the projecting directions of the wedge-shaped projections 5 provided around the pellet 2 mounting portion of the lead frame 1 are reversed between the adjacent projections.
【００２４】すなわち、図２（ａ）に示すように、リー
ドフレーム１のペレット２搭載エリアの周辺部に楔状突
起４ａ及び４ｂを交互に放射状に配列している。なお、
楔状突起４ａは外側に向けて突出するように形成し、楔
状突起４ｂは内側（ペレット２の中心側）に向けて突出
するように形成している。That is, as shown in FIG. 2A, wedge-shaped projections 4a and 4b are alternately arranged radially around the area where the pellet 2 is mounted on the lead frame 1. In addition,
The wedge-shaped projection 4a is formed so as to protrude outward, and the wedge-shaped projection 4b is formed so as to protrude inward (toward the center of the pellet 2).
【００２５】この楔状突起４ａ及び４ｂの高さは前記し
た第１の実施例と同様に、搭載するペレット２の厚さ等
を考慮すると約５０μｍ〜２００μｍ程度が好ましく、
リードフレーム１にこのような楔状突起４を設けること
によって、モールド材収縮の時は外側に向けて突出する
ように形成した楔状突起４ａにより、また、膨張の時は
内側に向けて突出するように形成した楔状突起４ｂによ
って、モールド樹脂がペレット２をリードフレーム１側
に押圧するように力が加わり、リードフレーム１とペレ
ット２と樹脂の密着性を向上させることができる。The height of the wedge-shaped projections 4a and 4b is preferably about 50 μm to 200 μm in consideration of the thickness of the pellet 2 to be mounted, as in the first embodiment.
By providing such a wedge-shaped projection 4 on the lead frame 1, the wedge-shaped projection 4a formed so as to protrude outward when the molding material contracts, and to protrude inward when the molding material expands. By the formed wedge-shaped projections 4b, a force is applied so that the molding resin presses the pellet 2 toward the lead frame 1, and the adhesion between the lead frame 1, the pellet 2 and the resin can be improved.
【００２６】以上説明した実施例では、突起部の形状を
楔状にした例について説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、ペレット搭載部周辺に放射
状に突出する突起であればよい。従って、例えば、連続
する波形の突起を設けることによっても上記実施例と同
様の効果を奏することができる。In the embodiment described above, an example in which the shape of the projection is wedge-shaped is described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and any protrusion that radially projects around the pellet mounting portion may be used. I just need. Therefore, for example, the same effect as in the above embodiment can be obtained by providing a projection having a continuous waveform.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
楔状突起によって樹脂とリードフレームとの密着性を向
上させることができるため、熱ストレスによってモール
ド樹脂とリードフレームとの剥離が生じることが無く、
ペレットへの圧縮力が持続するため、パワーサイクル等
の信頼性寿命を向上させることができるという効果を奏
する。As described above, according to the present invention,
Since the adhesiveness between the resin and the lead frame can be improved by the wedge-shaped projection, there is no occurrence of separation between the mold resin and the lead frame due to thermal stress,
Since the compressive force on the pellets is maintained, there is an effect that the reliability life such as a power cycle can be improved.
【００２８】その理由は、本発明の半導体装置は、ペレ
ット搭載部周辺に外側に向かって突出する放射状の楔状
突起を設け、又は外側に向かって突出する楔状突起と内
側に向かって突出する楔状突起とを交互に放射状に設け
ているため、エポキシ樹脂等からなるモールド材が硬化
する時の収縮や熱サイクルによる膨張によって、放射状
に配置されたリードフレーム上の楔状突起が樹脂に食い
込み、ペレットをリードフレーム側に押圧する方向に力
が加わるため、ペレットとリードフレームとモールド材
の密着性を向上させることができるからである。The reason is that the semiconductor device of the present invention is provided with a radial wedge-like projection protruding outward around the pellet mounting portion, or a wedge-like projection protruding outward and a wedge-like projection protruding inward. Are alternately provided in a radial pattern, so that the wedge-shaped protrusions on the radially arranged lead frame bite into the resin due to shrinkage when the molding material made of epoxy resin or the like is hardened or expansion due to thermal cycling, leading to pellets This is because a force is applied in the direction of pressing the frame, so that the adhesion between the pellet, the lead frame, and the molding material can be improved.
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体装置のリー
ドフレームの構造を説明するための図であり、（ａ）は
上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図で
ある。FIGS. 1A and 1B are diagrams for explaining the structure of a lead frame of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a top view and FIG. 1B is a line AA ′ of FIG. FIG.
【図２】本発明の第２の実施例に係る半導体装置のリー
ドフレームの構造を説明するための図であり、（ａ）は
上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図で
ある。FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining the structure of a lead frame of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a top view and FIG. 2B is a line AA ′ of FIG. FIG.
【図３】従来のリードフレームを説明するための図であ
り、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線にお
ける断面図である。3A and 3B are views for explaining a conventional lead frame, in which FIG. 3A is a top view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
１ リードフレーム ２ ペレット ３ 半田材 ４ 楔状突起 ４ａ 外側に向かって突出した楔状突起 ４ｂ 内側に向かって突出した楔状突起 ５ 溝 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Pellet 3 Solder material 4 Wedge-shaped projection 4a Wedge-shaped projection protruded to the outside 4b Wedge-shaped projection protruded to the inside 5 Groove
Claims (6)
に搭載、接続し、モールド樹脂で被覆するモールド成形
のパワーデバイス半導体装置において、 前記リードフレームの前記ペレットが載置される領域周
辺の上面に、外側上方に向かって突出する楔状の突起を
複数設けたことを特徴とする半導体装置。1. A molded power device semiconductor device in which a pellet such as a semiconductor element is mounted on a lead frame, connected thereto, and covered with a mold resin. A semiconductor device comprising a plurality of wedge-shaped protrusions protruding outward and upward.
に搭載、接続し、モールド樹脂で被覆するモールド成形
のパワーデバイス半導体装置において、 前記リードフレームの前記ペレットが載置される領域周
辺の上面に、外側上方に向かって突出する楔状の突起
と、内側上方に向かって突出する楔状の突起とを交互に
複数設けたことを特徴とする半導体装置。2. A molded power device semiconductor device in which a pellet such as a semiconductor element is mounted on a lead frame, connected thereto, and covered with a molding resin. A semiconductor device, wherein a plurality of wedge-shaped protrusions protruding outward and upward and a plurality of wedge-shaped protrusions protruding upward and inward are provided alternately.
ールド樹脂が、前記楔状の突起に食い込むことにより、
前記ペレットを前記リードフレームに密着させるように
均等に押圧する、ことを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。3. When the mold resin shrinks, the mold resin bites into the wedge-shaped projections,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the pellet is pressed evenly so as to be in close contact with the lead frame.
し、該モールド樹脂が、前記楔状の突起に食い込むこと
により、前記ペレットを前記リードフレームに密着させ
るように均等に押圧する、ことを特徴とする請求項２記
載の半導体装置。4. When the mold resin shrinks and expands, the mold resin bites into the wedge-shaped projections, thereby uniformly pressing the pellet so as to be in close contact with the lead frame. The semiconductor device according to claim 2.
記ペレット中央部とを結ぶ方向に沿っている、ことを特
徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装
置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein a projection direction of the wedge-shaped projection is along a direction connecting the projection and a center of the pellet.
ら５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲の高さで突出して
いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記
載の半導体装置。6. The semiconductor device according to claim 1, wherein said wedge-shaped projection projects from a lead frame surface at a height in a range of 50 μm to 200 μm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32303698A JP3065045B2 (en) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32303698A JP3065045B2 (en) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150753A true JP2000150753A (en) | 2000-05-30 |
| JP3065045B2 JP3065045B2 (en) | 2000-07-12 |
Family
ID=18150405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32303698A Expired - Lifetime JP3065045B2 (en) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3065045B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031736A (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2003264265A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor device |
| JP2008140944A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device, and its manufacturing method |
| JP2011114190A (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor package |
| JP2012023233A (en) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| JP2018163962A (en) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 株式会社東芝 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-11-13 JP JP32303698A patent/JP3065045B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031736A (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2003264265A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor device |
| JP2008140944A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device, and its manufacturing method |
| JP2011114190A (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor package |
| JP2012023233A (en) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| JP2018163962A (en) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 株式会社東芝 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3065045B2 (en) | 2000-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6903457B2 (en) | Power semiconductor device | |
| US20060043553A1 (en) | Chip package having a heat spreader and method for packaging the same | |
| TW533516B (en) | A method of manufacturing a semiconductor device | |
| US20020137257A1 (en) | Substrate of semiconductor package | |
| JP2006510221A (en) | Micro mold lock for heat sink or flag for overmolded plastic package | |
| JP3065045B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2012033884A (en) | Package for semiconductor device, manufacturing method of the same and semiconductor device | |
| JPH0685132A (en) | Semiconductor device | |
| JP2003249510A (en) | Method for sealing semiconductor | |
| JPS6249742B2 (en) | ||
| JPH043450A (en) | Resin sealed semiconductor device | |
| US6046506A (en) | Semiconductor device with package | |
| US8377753B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device having a resin with warpage compensated structures | |
| JP4010860B2 (en) | Hybrid integrated circuit device and manufacturing method thereof | |
| JP2004335493A (en) | Packaging structure of semiconductor device | |
| JPH0642343Y2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2002100722A (en) | Semiconductor device | |
| JP2836219B2 (en) | Resin-sealed semiconductor package | |
| JPH09275155A (en) | Semiconductor device | |
| JP2003249509A (en) | Method for sealing semiconductor and sealed semiconductor | |
| KR100225597B1 (en) | Method for making a heat sink of semiconductor package | |
| JP2004273946A (en) | Semiconductor device | |
| JPS62229949A (en) | Manufacture of resin-sealed semiconductor | |
| JP7224545B1 (en) | Power semiconductor device and its manufacturing method | |
| JPS587639Y2 (en) | resin mold mold |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000411 |