JP2000150569A - Ｉｃチップの接続方法 - Google Patents
Ｉｃチップの接続方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】生産性に優れた新規なＩＣチップの接続方法を
提供すること。 【解決手段】接着剤を用いてフェースダウンでＩＣチッ
プを基板上に接続する方法において、ダイシングフィル
ム上のＩＣウエハをダイシングして個々のＩＣチップに
分割する工程、ＩＣチップの素子面に接着剤層を設ける
工程、ダイシングフィルムを延伸し個々のＩＣチップ間
の間隔を広げる工程、ダイシングフィルム上のＩＣチッ
プをダイシングフィルムから基板上に転写する工程、Ｉ
Ｃチップをフェースダウンで基板上に接続する工程から
なる。
提供すること。 【解決手段】接着剤を用いてフェースダウンでＩＣチッ
プを基板上に接続する方法において、ダイシングフィル
ム上のＩＣウエハをダイシングして個々のＩＣチップに
分割する工程、ＩＣチップの素子面に接着剤層を設ける
工程、ダイシングフィルムを延伸し個々のＩＣチップ間
の間隔を広げる工程、ダイシングフィルム上のＩＣチッ
プをダイシングフィルムから基板上に転写する工程、Ｉ
Ｃチップをフェースダウンで基板上に接続する工程から
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は接着剤を用いて、フ
ェースダウンでＩＣチップを基板上に接続する方法に関
する。
ェースダウンでＩＣチップを基板上に接続する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器や電子部品の小型薄型化に伴
い、ベアＩＣチップを直接基板に実装する方法が用いら
れるようになってきている。このＩＣチップの実装方法
の一つに、接着剤を用いてフェースダウンでＩＣチップ
を接続する方法があり、接着剤として液状あるいはフィ
ルム状の接着剤が用いられている。また、これらの接着
剤には、適量の導電性粒子を均一に分散し、導電性や接
続信頼性を向上した異方導電性接着剤も広く用いられて
いる。異方導電性接着剤に関する先行技術としては、例
えば特開昭５１−２１１９２号公報に開示されているよ
うに、導電粒子を非導電性ベースにより互いに接触しな
い状態に保持した混合体を、導電粒子の大きさにほぼ等
しい厚さのシート状に成形し、導電粒子を介してシート
状の厚み方向にのみ導電性を有する構造としたものがあ
る。
い、ベアＩＣチップを直接基板に実装する方法が用いら
れるようになってきている。このＩＣチップの実装方法
の一つに、接着剤を用いてフェースダウンでＩＣチップ
を接続する方法があり、接着剤として液状あるいはフィ
ルム状の接着剤が用いられている。また、これらの接着
剤には、適量の導電性粒子を均一に分散し、導電性や接
続信頼性を向上した異方導電性接着剤も広く用いられて
いる。異方導電性接着剤に関する先行技術としては、例
えば特開昭５１−２１１９２号公報に開示されているよ
うに、導電粒子を非導電性ベースにより互いに接触しな
い状態に保持した混合体を、導電粒子の大きさにほぼ等
しい厚さのシート状に成形し、導電粒子を介してシート
状の厚み方向にのみ導電性を有する構造としたものがあ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の接着剤を用いた
ＩＣチップの接続工程は、基板上に接着剤層を設ける工
程、接着剤上にＩＣチップを載置する工程、接着剤を硬
化する工程からなる。この従来工程では、接続する個々
のＩＣチップ毎に上記の３工程が必要であり、一つのチ
ップを接続するためにかかる時間を短くし、生産性を向
上するのが困難であるという問題があった。本発明はか
かる状況に鑑みて成されたもので、生産性に優れた新規
なＩＣチップの接続方法を提供せんとするものである。
ＩＣチップの接続工程は、基板上に接着剤層を設ける工
程、接着剤上にＩＣチップを載置する工程、接着剤を硬
化する工程からなる。この従来工程では、接続する個々
のＩＣチップ毎に上記の３工程が必要であり、一つのチ
ップを接続するためにかかる時間を短くし、生産性を向
上するのが困難であるという問題があった。本発明はか
かる状況に鑑みて成されたもので、生産性に優れた新規
なＩＣチップの接続方法を提供せんとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、接着剤を用い
てフェースダウンでＩＣチップを基板上に接続する方法
において、ダイシングフィルム上のＩＣウエハをダイシ
ングして個々のＩＣチップに分割する工程、ＩＣチップ
の素子面に接着剤層を設ける工程、ダイシングフィルム
を延伸し個々のＩＣチップ間の間隔を広げる工程、ＩＣ
チップをフェースダウンで基板上に接続する工程を含む
ＩＣチップの接続方法に関する。また、本発明は、接着
剤を用いてフェースダウンでＩＣチップを基板上に接続
する方法において、ダイシングフィルム上のＩＣウエハ
をダイシングして個々のＩＣチップに分割する工程、Ｉ
Ｃチップの素子面に接着剤層を設ける工程、ダイシング
フィルムを延伸し個々のＩＣチップ間の間隔を広げる工
程、ダイシングフィルム上のＩＣチップをダイシングフ
ィルムから基板上に転写する工程、ＩＣチップをフェー
スダウンで基板上に接続する工程を含むＩＣチップの接
続方法に関する。
てフェースダウンでＩＣチップを基板上に接続する方法
において、ダイシングフィルム上のＩＣウエハをダイシ
ングして個々のＩＣチップに分割する工程、ＩＣチップ
の素子面に接着剤層を設ける工程、ダイシングフィルム
を延伸し個々のＩＣチップ間の間隔を広げる工程、ＩＣ
チップをフェースダウンで基板上に接続する工程を含む
ＩＣチップの接続方法に関する。また、本発明は、接着
剤を用いてフェースダウンでＩＣチップを基板上に接続
する方法において、ダイシングフィルム上のＩＣウエハ
をダイシングして個々のＩＣチップに分割する工程、Ｉ
Ｃチップの素子面に接着剤層を設ける工程、ダイシング
フィルムを延伸し個々のＩＣチップ間の間隔を広げる工
程、ダイシングフィルム上のＩＣチップをダイシングフ
ィルムから基板上に転写する工程、ＩＣチップをフェー
スダウンで基板上に接続する工程を含むＩＣチップの接
続方法に関する。
【０００５】請求項１記載の発明においては、ダイシン
グフィルム上のＩＣウエハをダイシングして個々のＩＣ
チップに分割する工程の後、１ウエハ分の多数のＩＣチ
ップの素子面に一括して接着剤層を設けることにより、
従来は１チップ分ごとに接着剤を基板上に設ける必要が
なくなり、生産性を著しく向上することができる。従来
は、各ＩＣチップの接続工程で接着剤を基板上に設ける
ための時間、ＩＣチップを接着剤が設けられた基板上に
載置するための時間、接着剤を硬化し接続するため時間
の３工程の合計時間を各１個ずつのＩＣ毎に繰り返し必
要とされる。本発明の接続方法では、接続工程とは別の
工程で多数のＩＣチップに一括して、接着剤を設ける工
程を包含する。したがって、各ＩＣチップの接続工程
は、接着剤が設けられたＩＣチップを基板上に載置する
ための時間、接着剤を硬化し接続するための時間の２工
程の合計時間を各１個ずつのＩＣ毎に繰り返し行うだけ
でよい。また、一度に多数のＩＣチップに一括して接着
剤を設けることにより、接着剤を個々のＩＣ毎に設ける
必要がない。また、１ウェハ分の多数のＩＣチップの素
子面に一括して接着剤層を設けた後、ダイシングフィル
ムを延伸して個々のＩＣチップ間の間隔を広げる工程に
より、接着剤は個々のＩＣ毎に切り離され、接着剤付き
のＩＣチップが得られる。このＩＣチップをダイシング
フィルム上からピックアップし、フェースダウンで基板
上に接続する。接続工程は、チップを基板上に押圧した
状態で、熱あるいは光を加え接着剤を硬化することによ
り行われる。
グフィルム上のＩＣウエハをダイシングして個々のＩＣ
チップに分割する工程の後、１ウエハ分の多数のＩＣチ
ップの素子面に一括して接着剤層を設けることにより、
従来は１チップ分ごとに接着剤を基板上に設ける必要が
なくなり、生産性を著しく向上することができる。従来
は、各ＩＣチップの接続工程で接着剤を基板上に設ける
ための時間、ＩＣチップを接着剤が設けられた基板上に
載置するための時間、接着剤を硬化し接続するため時間
の３工程の合計時間を各１個ずつのＩＣ毎に繰り返し必
要とされる。本発明の接続方法では、接続工程とは別の
工程で多数のＩＣチップに一括して、接着剤を設ける工
程を包含する。したがって、各ＩＣチップの接続工程
は、接着剤が設けられたＩＣチップを基板上に載置する
ための時間、接着剤を硬化し接続するための時間の２工
程の合計時間を各１個ずつのＩＣ毎に繰り返し行うだけ
でよい。また、一度に多数のＩＣチップに一括して接着
剤を設けることにより、接着剤を個々のＩＣ毎に設ける
必要がない。また、１ウェハ分の多数のＩＣチップの素
子面に一括して接着剤層を設けた後、ダイシングフィル
ムを延伸して個々のＩＣチップ間の間隔を広げる工程に
より、接着剤は個々のＩＣ毎に切り離され、接着剤付き
のＩＣチップが得られる。このＩＣチップをダイシング
フィルム上からピックアップし、フェースダウンで基板
上に接続する。接続工程は、チップを基板上に押圧した
状態で、熱あるいは光を加え接着剤を硬化することによ
り行われる。
【０００６】また請求項２記載の発明においては、接着
剤つきのＩＣチップをダイシングフィルム上からピック
アップすることなく、ダイシングフィルムから直接基板
上に転写しフェースダウンで基板上に接続する。従来は
ＩＣチップをダイシングフィルムからピックアップする
動作とフェースダウン接続のために、ＩＣチップの裏面
を保持し直す持ち替え動作が必要であったが、この方法
により、ＩＣチップをピックアップして搬送したり持ち
替えたりする時間がなく、短時間でＩＣチップを基板上
に載置できる。また、ピックアップするための装置も不
要で、ＩＣチップのハンドリング時に起こるＩＣチップ
の保持不具合等で生産が停止することもない。さらに、
従来はＩＣチップをピックアップするときに接着剤が付
いたＩＣチップの動作面側で保持することになるため、
接着剤表面の汚染の可能性があった。本方法では、接着
剤面を保持することがなくなるので前記事項に起因する
不具合は発生しない。接続工程は、チップを基板上に押
圧した状態で、熱あるいは光を加え接着剤を硬化するこ
とにより行われる。
剤つきのＩＣチップをダイシングフィルム上からピック
アップすることなく、ダイシングフィルムから直接基板
上に転写しフェースダウンで基板上に接続する。従来は
ＩＣチップをダイシングフィルムからピックアップする
動作とフェースダウン接続のために、ＩＣチップの裏面
を保持し直す持ち替え動作が必要であったが、この方法
により、ＩＣチップをピックアップして搬送したり持ち
替えたりする時間がなく、短時間でＩＣチップを基板上
に載置できる。また、ピックアップするための装置も不
要で、ＩＣチップのハンドリング時に起こるＩＣチップ
の保持不具合等で生産が停止することもない。さらに、
従来はＩＣチップをピックアップするときに接着剤が付
いたＩＣチップの動作面側で保持することになるため、
接着剤表面の汚染の可能性があった。本方法では、接着
剤面を保持することがなくなるので前記事項に起因する
不具合は発生しない。接続工程は、チップを基板上に押
圧した状態で、熱あるいは光を加え接着剤を硬化するこ
とにより行われる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において接着剤は、絶縁性
の接着剤のみの場合や金属粒子や金属めっきプラスチッ
ク粒子等の導電性粒子を絶縁性の接着剤中に分散したも
のを用いることができる。接着剤の硬化は、エポキシ樹
脂等の熱硬化性樹脂やアクリレート等の光硬化性樹脂を
用いることで、熱あるいは光を単独または併用して与え
ることで硬化可能である。接着剤の性状は液状のものや
フィルム状のものが使用できるが、液状であればダイシ
ングしたＩＣチップ上に塗布または印刷し、フィルム状
であればＩＣチップ上に載置すればよい。また、支持フ
ィルムと接着剤フィルムが一体となっている場合には、
押圧しながら多少加熱することで接着剤のみをＩＣチッ
プ上に転写することも可能である。液状の接着剤は、使
用する塗布装置を洗浄したり、ピックアップするために
接着剤の粘着性を調整する等の必要性があるが、フィル
ム状の接着剤ではこれらの必要が無く、かつ接着剤厚さ
を各チップで均一にできる等の利点がある。
の接着剤のみの場合や金属粒子や金属めっきプラスチッ
ク粒子等の導電性粒子を絶縁性の接着剤中に分散したも
のを用いることができる。接着剤の硬化は、エポキシ樹
脂等の熱硬化性樹脂やアクリレート等の光硬化性樹脂を
用いることで、熱あるいは光を単独または併用して与え
ることで硬化可能である。接着剤の性状は液状のものや
フィルム状のものが使用できるが、液状であればダイシ
ングしたＩＣチップ上に塗布または印刷し、フィルム状
であればＩＣチップ上に載置すればよい。また、支持フ
ィルムと接着剤フィルムが一体となっている場合には、
押圧しながら多少加熱することで接着剤のみをＩＣチッ
プ上に転写することも可能である。液状の接着剤は、使
用する塗布装置を洗浄したり、ピックアップするために
接着剤の粘着性を調整する等の必要性があるが、フィル
ム状の接着剤ではこれらの必要が無く、かつ接着剤厚さ
を各チップで均一にできる等の利点がある。
【０００８】また、ダイシングフィルムを延伸し個々の
ＩＣチップ間の間隔を広げる工程この後、レーザーや刃
物によってＩＣチップ間の接着剤を切り離す工程を設け
ると、ダイシングフィルムを延伸した時に同時に接着剤
が延伸されてしまう場合には、個々のＩＣチップを確実
にピックアップできるようになる。個々のＩＣチップ毎
に接着剤が切断されていない場合には、複数のＩＣチッ
プをピックアップをしてしまう不具合が発生することが
ある。。さらに、この切断工程を刃物によって行う場
合、接着剤の粘着性により刃先に接着剤が粘着して、Ｉ
Ｃチップの配列を乱してしまう等の不具合を発生するこ
とがある。この場合には、レーザー等の非接触で接着剤
を切断する方法を用いることにより、確実に個々のＩＣ
チップ毎に接着剤を切り離すことが可能となる。
ＩＣチップ間の間隔を広げる工程この後、レーザーや刃
物によってＩＣチップ間の接着剤を切り離す工程を設け
ると、ダイシングフィルムを延伸した時に同時に接着剤
が延伸されてしまう場合には、個々のＩＣチップを確実
にピックアップできるようになる。個々のＩＣチップ毎
に接着剤が切断されていない場合には、複数のＩＣチッ
プをピックアップをしてしまう不具合が発生することが
ある。。さらに、この切断工程を刃物によって行う場
合、接着剤の粘着性により刃先に接着剤が粘着して、Ｉ
Ｃチップの配列を乱してしまう等の不具合を発生するこ
とがある。この場合には、レーザー等の非接触で接着剤
を切断する方法を用いることにより、確実に個々のＩＣ
チップ毎に接着剤を切り離すことが可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。本実
施例と比較例に使用した材料と評価方法を以下に示す。
接着剤は５０μｍの厚さのポリエステルフィルム上に、
エポキシ接着剤を塗布したフィルム状の接着剤（日立化
成工業（株）製、ＦＣ−１１０Ａ）を用いた。ダイシン
グフィルムは、日立化成工業（株）製の日立ダイシング
テープＨＡＥ−１５０３を用い、１０ｍｍ角のＩＣチッ
プ間が１５ｍｍ間隔で配列するように延伸した。ＩＣチ
ップ間の接着剤の切断は、（株）東芝製のＣＯ２レーザ
ーを用いた。 実施例１ 本実施例では、図１に示したフローチャートに従い接続
実験を行い、１００チップ接続に要した接続時間を測定
し、１チップ接続あたりの接続時間として評価した。 実施例２ 本実施例では、図２に示したフローチャートに従い接続
実験を行い、１００チップ接続に要した接続時間を測定
し、１チップ接続あたりの接続時間として評価した。 比較例 比較例では、図３に示したフローチャートに従い接続実
験を行い、１００チップ接続に要した接続時間を測定
し、１チップ接続あたりの接続時間として評価した。実
施例と比較例の１チップ接続あたりの接続時間を表１に
示した。
するが、本発明はこれに限定されるものではない。本実
施例と比較例に使用した材料と評価方法を以下に示す。
接着剤は５０μｍの厚さのポリエステルフィルム上に、
エポキシ接着剤を塗布したフィルム状の接着剤（日立化
成工業（株）製、ＦＣ−１１０Ａ）を用いた。ダイシン
グフィルムは、日立化成工業（株）製の日立ダイシング
テープＨＡＥ−１５０３を用い、１０ｍｍ角のＩＣチッ
プ間が１５ｍｍ間隔で配列するように延伸した。ＩＣチ
ップ間の接着剤の切断は、（株）東芝製のＣＯ２レーザ
ーを用いた。 実施例１ 本実施例では、図１に示したフローチャートに従い接続
実験を行い、１００チップ接続に要した接続時間を測定
し、１チップ接続あたりの接続時間として評価した。 実施例２ 本実施例では、図２に示したフローチャートに従い接続
実験を行い、１００チップ接続に要した接続時間を測定
し、１チップ接続あたりの接続時間として評価した。 比較例 比較例では、図３に示したフローチャートに従い接続実
験を行い、１００チップ接続に要した接続時間を測定
し、１チップ接続あたりの接続時間として評価した。実
施例と比較例の１チップ接続あたりの接続時間を表１に
示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【発明の効果】表１に示す結果から明らかなように、請
求項１記載の接続方法は、生産性の高い接続が得られる
のに好適である。請求項２記載の接続方法は、請求項１
記載の効果を奏し、より簡便な接続が得られる点が優れ
る。請求項３記載の接続方法は、請求項１乃至２記載の
効果を奏し、延伸性の接着剤においても適用できる点が
優れる。請求項４記載の接続装置は、請求項３記載の効
果を奏し、より簡便で生産性に優れた接続が得られる。
求項１記載の接続方法は、生産性の高い接続が得られる
のに好適である。請求項２記載の接続方法は、請求項１
記載の効果を奏し、より簡便な接続が得られる点が優れ
る。請求項３記載の接続方法は、請求項１乃至２記載の
効果を奏し、延伸性の接着剤においても適用できる点が
優れる。請求項４記載の接続装置は、請求項３記載の効
果を奏し、より簡便で生産性に優れた接続が得られる。
【図１】 本発明にかかる接続方法のフローチャート。
【図２】 本発明にかかる他の接続方法のフローチャー
ト。
ト。
【図３】 従来の接続方法のフローチャート。
１ ＩＣチップ ２ ダイシングテ
ープ ３ 接着剤 ４ ポリエステル
フィルム ５ レーザー ６ 基板 ７ 加圧加熱ヘッド
ープ ３ 接着剤 ４ ポリエステル
フィルム ５ レーザー ６ 基板 ７ 加圧加熱ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 和也 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮工場内 (72)発明者 小島 実 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮工場内 Ｆターム(参考） 5F044 LL09 LL11 NN05 PP15
Claims (5)
- 【請求項１】接着剤を用いてフェースダウンでＩＣチッ
プを基板上に接続する方法において、ダイシングフィル
ム上のＩＣウエハをダイシングして個々のＩＣチップに
分割する工程、ＩＣチップの素子面に接着剤層を設ける
工程、ダイシングフィルムを延伸し個々のＩＣチップ間
の間隔を広げる工程、ＩＣチップをフェースダウンで基
板上に接続する工程を含むＩＣチップの接続方法。 - 【請求項２】接着剤を用いてフェースダウンでＩＣチッ
プを基板上に接続する方法において、ダイシングフィル
ム上のＩＣウエハをダイシングして個々のＩＣチップに
分割する工程、ＩＣチップの素子面に接着剤層を設ける
工程、ダイシングフィルムを延伸し個々のＩＣチップ間
の間隔を広げる工程、ダイシングフィルム上のＩＣチッ
プをダイシングフィルムから基板上に転写する工程、Ｉ
Ｃチップをフェースダウンで基板上に接続する工程を含
むＩＣチップの接続方法。 - 【請求項３】接着剤がフィルム状接着剤であり、ＩＣチ
ップの素子面にフィルム状接着剤を転写する工程を含む
請求項１または２に記載のＩＣチップの接続方法。 - 【請求項４】ダイシングフィルムを延伸し個々のＩＣチ
ップ間の間隔を広げる工程の後、ＩＣチップ間の接着剤
を切り離す工程を含む請求項１乃至３のいずれかに記載
のＩＣチップの接続方法。 - 【請求項５】接着剤を切り離す手段がレーザーによるも
のである請求項４に記載のＩＣチップの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31460898A JP4045674B2 (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | Ｉｃチップの接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31460898A JP4045674B2 (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | Ｉｃチップの接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150569A true JP2000150569A (ja) | 2000-05-30 |
| JP4045674B2 JP4045674B2 (ja) | 2008-02-13 |
Family
ID=18055354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31460898A Expired - Fee Related JP4045674B2 (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | Ｉｃチップの接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4045674B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475829B2 (en) | 2001-03-21 | 2002-11-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1998
- 1998-11-05 JP JP31460898A patent/JP4045674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475829B2 (en) | 2001-03-21 | 2002-11-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4045674B2 (ja) | 2008-02-13 |
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