JP2000149816A - 陰極線管用抵抗体、その製造方法、陰極線管およびｆｅｄ - Google Patents
陰極線管用抵抗体、その製造方法、陰極線管およびｆｅｄInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼成することなしに高抵抗が得られる陰極線
管用抵抗体を得る。 【解決手段】 陰極線管用抵抗体は、金属伝導性酸化物
と遷移金属との少なくとも１つと絶縁性酸化物との混合
体から成る。
管用抵抗体を得る。 【解決手段】 陰極線管用抵抗体は、金属伝導性酸化物
と遷移金属との少なくとも１つと絶縁性酸化物との混合
体から成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子源を利用する
映像画像表示装置、特に陰極線管、電界放出型ディスプ
レイ（フィールドエミッションディスプレイ、ＦＥ
Ｄ）、陰極線管の電子銃部分またはファンネル内面用に
用いられる高抵抗の陰極線管用抵抗体およびその製造方
法に関するものである。
映像画像表示装置、特に陰極線管、電界放出型ディスプ
レイ（フィールドエミッションディスプレイ、ＦＥ
Ｄ）、陰極線管の電子銃部分またはファンネル内面用に
用いられる高抵抗の陰極線管用抵抗体およびその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のカラー表示用陰極線管６
００の概略断面図である。この陰極線管６００は、図６
に示すように、蛍光体スクリーン面となるフェースプレ
ート６０１、ネック部６０２を持ち、そのネック部６０
２内にカソード６０３と電子レンズ系６０７が設けられ
ている。
００の概略断面図である。この陰極線管６００は、図６
に示すように、蛍光体スクリーン面となるフェースプレ
ート６０１、ネック部６０２を持ち、そのネック部６０
２内にカソード６０３と電子レンズ系６０７が設けられ
ている。
【０００３】電子レンズ系６０７は、トライオード部６
０４と複数の金属円筒６０５Ａおよび６０５Ｂより成る
主電子レンズ部６０５に分けられている。この電子レン
ズ系６０７はカソード６０３から出射した電子ビームの
クロスオーバ像を主電子レンズ部６０５により蛍光体ス
クリーン面（フェースプレート６０１）に結像させる構
造になっている。又６０６は、内蔵分割抵抗体である。
０４と複数の金属円筒６０５Ａおよび６０５Ｂより成る
主電子レンズ部６０５に分けられている。この電子レン
ズ系６０７はカソード６０３から出射した電子ビームの
クロスオーバ像を主電子レンズ部６０５により蛍光体ス
クリーン面（フェースプレート６０１）に結像させる構
造になっている。又６０６は、内蔵分割抵抗体である。
【０００４】このような電子レンズ系６０７において、
電子光学的倍率Ｍと球面収差係数ＣＳ０を用いて、蛍光
体スクリーン面上のスポット径ＤＳを求めると、スポッ
ト径ＤＳは下記式（１）となる。
電子光学的倍率Ｍと球面収差係数ＣＳ０を用いて、蛍光
体スクリーン面上のスポット径ＤＳを求めると、スポッ
ト径ＤＳは下記式（１）となる。
【０００５】 ＤＳ＝［（Ｍ・ｄｘ＋（１／２）Ｍ・ＣＳ０・α０3）2＋ＤＳＣ2］1/2・・・ 式（１） ここで、ｄｘは仮想クロスオーバ径，α０はビームの発
散角，ＤＳＣは空間電荷の反発効果によるビームの拡が
り成分である。
散角，ＤＳＣは空間電荷の反発効果によるビームの拡が
り成分である。
【０００６】近年、蛍光体スクリーン面上のスポット径
ＤＳを小さくすることで、高精細の画像を得ようとし
て、主電子レンズ部の球面収差係数ＣＳ０を小さくする
努力がなされている。
ＤＳを小さくすることで、高精細の画像を得ようとし
て、主電子レンズ部の球面収差係数ＣＳ０を小さくする
努力がなされている。
【０００７】その一つの方法として、内蔵分割抵抗体方
法（例えば特開昭６１−１４７４４２号公報）と、従来
の集束電極である複数の金属円筒から成る主電子レンズ
に代り、陰極線管中のネック部分に螺旋状の抵抗体で構
成された集束電極を設けることにより、球面収差係数Ｃ
Ｓ０を小さくする方法が公開されている（例えば、特開
昭６０−２０８０２７号公報，特開平２−２７６１３８
号公報）。
法（例えば特開昭６１−１４７４４２号公報）と、従来
の集束電極である複数の金属円筒から成る主電子レンズ
に代り、陰極線管中のネック部分に螺旋状の抵抗体で構
成された集束電極を設けることにより、球面収差係数Ｃ
Ｓ０を小さくする方法が公開されている（例えば、特開
昭６０−２０８０２７号公報，特開平２−２７６１３８
号公報）。
【０００８】従来、この分割抵抗体や螺旋状抵抗体の製
造は、水酸化ルテニウムＲｕ（ＯＨ）3とガラス粒子と
を結合剤を含有しない安定な懸濁液を用いて、ディッピ
ング法によりガラス管（例えばガラスの軟化点が６４０
℃の鉛ガラス）の内面に膜を形成し、乾燥後この膜を機
械的に螺旋状に切削加工し、その後焼成して酸化ルテニ
ウム（ＲｕＯ2）を含有する抵抗体を形成することによ
り行われていた（例えば、特開昭６１−２２４４０２号
公報，特開平６−２７５２１１号公報）。
造は、水酸化ルテニウムＲｕ（ＯＨ）3とガラス粒子と
を結合剤を含有しない安定な懸濁液を用いて、ディッピ
ング法によりガラス管（例えばガラスの軟化点が６４０
℃の鉛ガラス）の内面に膜を形成し、乾燥後この膜を機
械的に螺旋状に切削加工し、その後焼成して酸化ルテニ
ウム（ＲｕＯ2）を含有する抵抗体を形成することによ
り行われていた（例えば、特開昭６１−２２４４０２号
公報，特開平６−２７５２１１号公報）。
【０００９】一方、陰極線管用の高抵抗体として、上述
した水酸化ルテニウムＲｕ（ＯＨ） 3とガラス粒子から
なる懸濁液から製造する抵抗体以外に、酸化ルテニウム
ＲｕＯ2とガラス粒子とからなる抵抗体が用いられてき
た（例えば、特開昭６１−１４７４４２号公報，特開昭
５５−１４６２７号公報，特開平６−２７５２１１号公
報）。
した水酸化ルテニウムＲｕ（ＯＨ） 3とガラス粒子から
なる懸濁液から製造する抵抗体以外に、酸化ルテニウム
ＲｕＯ2とガラス粒子とからなる抵抗体が用いられてき
た（例えば、特開昭６１−１４７４４２号公報，特開昭
５５−１４６２７号公報，特開平６−２７５２１１号公
報）。
【００１０】この酸化ルテニウムＲｕＯ2とガラス粒子
とからなる抵抗体は、分圧抵抗器としてアルミナＡｌ2
Ｏ3基板上にスクリーン印刷法にてジグザグパターン状
に形成され、その全抵抗値は、３００〜１０００ＭΩで
あった。
とからなる抵抗体は、分圧抵抗器としてアルミナＡｌ2
Ｏ3基板上にスクリーン印刷法にてジグザグパターン状
に形成され、その全抵抗値は、３００〜１０００ＭΩで
あった。
【００１１】この酸化ルテニウムＲｕＯ2とガラス粒子
とからなる抵抗体は、基板にアルミナＡｌ2Ｏ3（熱膨張
係数７５×１０-7／℃、融点２０５０℃）が用いられ
る。陰極線管では高電圧（３０ＫＶ程度）や電子線に対
して信頼性の高い抵抗体が必要なことから、酸化ルテニ
ウムＲｕＯ2とガラス粒子とからなる抵抗体は７５０℃
〜８５０℃の比較的高温度で焼成されている。
とからなる抵抗体は、基板にアルミナＡｌ2Ｏ3（熱膨張
係数７５×１０-7／℃、融点２０５０℃）が用いられ
る。陰極線管では高電圧（３０ＫＶ程度）や電子線に対
して信頼性の高い抵抗体が必要なことから、酸化ルテニ
ウムＲｕＯ2とガラス粒子とからなる抵抗体は７５０℃
〜８５０℃の比較的高温度で焼成されている。
【００１２】又、一方酸化ルテニウムＲｕＯ2と低融点
ガラス（例えばＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスでＰ
ｂＯを６５重量％以上含有するガラス）とからなる抵抗
体で、低融点ガラスの軟化点が６００℃以下の抵抗体が
考えられている（例えば、特願平７−３０９２８２
号）。
ガラス（例えばＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスでＰ
ｂＯを６５重量％以上含有するガラス）とからなる抵抗
体で、低融点ガラスの軟化点が６００℃以下の抵抗体が
考えられている（例えば、特願平７−３０９２８２
号）。
【００１３】又、一方、スポット径を小さくし、しかも
偏向動力を低減するために、ネック部分に螺旋状の抵抗
体を形成したり、ジグザグパターンの抵抗体を形成する
代わりに、ファンネル部分に高抵抗層を形成して、電子
レンズ系を形成するダブルアノード型の陰極線管も開発
されていた。
偏向動力を低減するために、ネック部分に螺旋状の抵抗
体を形成したり、ジグザグパターンの抵抗体を形成する
代わりに、ファンネル部分に高抵抗層を形成して、電子
レンズ系を形成するダブルアノード型の陰極線管も開発
されていた。
【００１４】これらの陰極線管の電子レンズ系に使用さ
れる抵抗体はアノード電圧とフォーカス電圧の間に電位
分布を与えるものであるから、スパーキングとアーク放
電とを防止するために、陰極線管の抵抗体は電流がほと
んど流れない高抵抗（１ＧΩ〜１００ＧΩ（１０9Ω〜
１０11Ω））が必要である。
れる抵抗体はアノード電圧とフォーカス電圧の間に電位
分布を与えるものであるから、スパーキングとアーク放
電とを防止するために、陰極線管の抵抗体は電流がほと
んど流れない高抵抗（１ＧΩ〜１００ＧΩ（１０9Ω〜
１０11Ω））が必要である。
【００１５】電子源を利用するＦＥＤ等のディスプレイ
においても、スパーキングとアーク放電とを防止するた
めに、アノードとカソードとの間に高い面積抵抗値を有
する抵抗体が必要である。
においても、スパーキングとアーク放電とを防止するた
めに、アノードとカソードとの間に高い面積抵抗値を有
する抵抗体が必要である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術の欄で前述
したように、螺旋状抵抗体またはジグザグ抵抗体を作成
する一つの方法は、水酸化ルテニウムＲｕ（ＯＨ）3、
低融点ガラス（６００℃以下で軟化するガラス）粉体お
よび結合剤（有機バインダー）を含有しない懸濁液を用
いる方法である（例えば、特開昭６１−２２４４０２号
公報）。
したように、螺旋状抵抗体またはジグザグ抵抗体を作成
する一つの方法は、水酸化ルテニウムＲｕ（ＯＨ）3、
低融点ガラス（６００℃以下で軟化するガラス）粉体お
よび結合剤（有機バインダー）を含有しない懸濁液を用
いる方法である（例えば、特開昭６１−２２４４０２号
公報）。
【００１７】その方法では、絶縁体であるＲｕ（ＯＨ）
3が焼成時（４００〜６００℃）に熱分解して、導電体
であるＲｕＯ2を析出すると同時に低融点ガラスが流動
して、ガラス粒子のまわりに０．０１〜０．０３μｍの
非常に細いＲｕＯ2粒子が析出して抵抗体を形成する。
3が焼成時（４００〜６００℃）に熱分解して、導電体
であるＲｕＯ2を析出すると同時に低融点ガラスが流動
して、ガラス粒子のまわりに０．０１〜０．０３μｍの
非常に細いＲｕＯ2粒子が析出して抵抗体を形成する。
【００１８】そのため、５ＧΩ〜２０ＧΩという高抵抗
（面積抵抗値は、１〜４ＭΩ／□）を得ようとすると、
抵抗値の焼成温度依存性が大きくなる（焼成温度が少し
変動しただけで抵抗値が大幅に変化する）こと、および
抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が負方向に大きくなり、し
かも長時間の負荷特性が良くないという問題があった。
（面積抵抗値は、１〜４ＭΩ／□）を得ようとすると、
抵抗値の焼成温度依存性が大きくなる（焼成温度が少し
変動しただけで抵抗値が大幅に変化する）こと、および
抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が負方向に大きくなり、し
かも長時間の負荷特性が良くないという問題があった。
【００１９】螺旋状抵抗体またはジグザグ形状抵抗体を
作成できる他の方法は、同じく従来の技術の欄で前述し
たように、従来から抵抗体作成に用いられてきたＲｕＯ
2 −ガラス系（高融点のガラス）からなるグレーズ抵抗
体を用いる方法である（例えば、特開昭５５−１４６２
７号公報，特開昭６１−１４７４４２号公報）。
作成できる他の方法は、同じく従来の技術の欄で前述し
たように、従来から抵抗体作成に用いられてきたＲｕＯ
2 −ガラス系（高融点のガラス）からなるグレーズ抵抗
体を用いる方法である（例えば、特開昭５５−１４６２
７号公報，特開昭６１−１４７４４２号公報）。
【００２０】しかしながら、この従来の抵抗体は、焼成
温度が７５０℃〜８５０℃と高いため、陰極線管用の低
融点ガラス（ガラスの軟化点が６４０℃）の内面にこの
抵抗体を形成することが出来ないという問題があった。
温度が７５０℃〜８５０℃と高いため、陰極線管用の低
融点ガラス（ガラスの軟化点が６４０℃）の内面にこの
抵抗体を形成することが出来ないという問題があった。
【００２１】又一方、特願平７−３０９２８２号におい
て示されている低融点ガラス組成と酸化ルテニウム（Ｒ
ｕＯ2）を用いると、陰極線管の内面に４４０℃〜５２
０℃の低温で抵抗体を形成することが可能であるが、こ
の方法で作成した抵抗体は、長時間（５０００時間）の
真空中における負荷特性（１０-7Ｔｏｒｒの真空中７０
℃において、抵抗体に３０ＫＶ印加する）による抵抗値
変化が大きく、また抵抗値の温度係数が負のため蛍光体
スクリーン面上のスポット径が負荷後大きくなるという
問題点があった。
て示されている低融点ガラス組成と酸化ルテニウム（Ｒ
ｕＯ2）を用いると、陰極線管の内面に４４０℃〜５２
０℃の低温で抵抗体を形成することが可能であるが、こ
の方法で作成した抵抗体は、長時間（５０００時間）の
真空中における負荷特性（１０-7Ｔｏｒｒの真空中７０
℃において、抵抗体に３０ＫＶ印加する）による抵抗値
変化が大きく、また抵抗値の温度係数が負のため蛍光体
スクリーン面上のスポット径が負荷後大きくなるという
問題点があった。
【００２２】又電子管用の高抵抗材料として、タングス
テン−酸化アルミニウム系のサーメット抵抗体が開発さ
れている（例えば、特公昭５６−１５７１２号公報）
が、１０9Ωｃｍ以上の高い抵抗値が得られないこと
や、抵抗値の温度係数が負で大きいという課題があっ
た。
テン−酸化アルミニウム系のサーメット抵抗体が開発さ
れている（例えば、特公昭５６−１５７１２号公報）
が、１０9Ωｃｍ以上の高い抵抗値が得られないこと
や、抵抗値の温度係数が負で大きいという課題があっ
た。
【００２３】もち論、陰極線管用抵抗体として、抵抗体
の面積抵抗値が１ＧΩ／□〜１００ＧΩ／□が得られれ
ば、螺旋状またはジグザグパターン状に加工をすること
が必要はなくなる。しかし、従来例の高抵抗材料では面
積抵抗値は低く、１ＭΩ／□〜１００ＭΩ／□の範囲で
あったため、抵抗体の加工が必要であるという課題もあ
った。
の面積抵抗値が１ＧΩ／□〜１００ＧΩ／□が得られれ
ば、螺旋状またはジグザグパターン状に加工をすること
が必要はなくなる。しかし、従来例の高抵抗材料では面
積抵抗値は低く、１ＭΩ／□〜１００ＭΩ／□の範囲で
あったため、抵抗体の加工が必要であるという課題もあ
った。
【００２４】又、一方、螺旋状に加工せずに高抵抗体セ
ラミック円筒を用いて、電子レンズ系を構成する試みも
なされている（例えば、特開平６−２７５２１１号公
報、第１４回インターナショナルディスプレー リサー
チコンファレンス予稿集 ＰＰ２２９〜２３２ １９９
４年）。
ラミック円筒を用いて、電子レンズ系を構成する試みも
なされている（例えば、特開平６−２７５２１１号公
報、第１４回インターナショナルディスプレー リサー
チコンファレンス予稿集 ＰＰ２２９〜２３２ １９９
４年）。
【００２５】この電子レンズ系に用いられている抵抗材
料は、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）やＡｌ2
Ｏ3−ＭｎＯ2−Ｆｅ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ3系の抵抗材料であ
り、比抵抗値は１０11Ωｃｍ（２．４ＧΩ〜２４０Ｇ
Ω）であるが、抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が負である
ためにＴＶセットの消費電力が増大した場合には、抵抗
材料を流れる電流が急増大して、熱暴走をおこすおそれ
が指摘されている。
料は、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）やＡｌ2
Ｏ3−ＭｎＯ2−Ｆｅ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ3系の抵抗材料であ
り、比抵抗値は１０11Ωｃｍ（２．４ＧΩ〜２４０Ｇ
Ω）であるが、抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が負である
ためにＴＶセットの消費電力が増大した場合には、抵抗
材料を流れる電流が急増大して、熱暴走をおこすおそれ
が指摘されている。
【００２６】本発明は、上記従来の技術の問題点を解決
することを課題とする。本発明の目的は、焼成すること
なしに高い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体を得る
ことにある。
することを課題とする。本発明の目的は、焼成すること
なしに高い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体を得る
ことにある。
【００２７】本発明の他の目的は、従来技術よりも真空
中での長時間負荷特性が高い陰極線管用抵抗体を得るこ
とにある。
中での長時間負荷特性が高い陰極線管用抵抗体を得るこ
とにある。
【００２８】本発明の他の目的は、温度特性（抵抗値の
温度特性）が正である信頼性の高い陰極線管用抵抗体を
得ることにある。
温度特性）が正である信頼性の高い陰極線管用抵抗体を
得ることにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る陰極線管用
抵抗体は、金属伝導性酸化物と遷移金属との少なくとも
１つと絶縁性酸化物との混合体から成り、そのことによ
り上記目的が達成される。
抵抗体は、金属伝導性酸化物と遷移金属との少なくとも
１つと絶縁性酸化物との混合体から成り、そのことによ
り上記目的が達成される。
【００３０】前記陰極線管用抵抗体は、溶射法で形成さ
れてもよい。
れてもよい。
【００３１】前記溶射法は、プラズマ溶射法を含んでも
よい。
よい。
【００３２】前記溶射法は、レーザ溶射法を含んでもよ
い。
い。
【００３３】前記金属伝導性酸化物は、チタン酸化物、
レニウム酸化物、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化
物、バナジウム酸化物、ロジウム酸化物、オスミウム酸
化物、ＬａＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、Ｎ
ｂＯ、の少なくとも１つを含んでもよい。
レニウム酸化物、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化
物、バナジウム酸化物、ロジウム酸化物、オスミウム酸
化物、ＬａＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、Ｎ
ｂＯ、の少なくとも１つを含んでもよい。
【００３４】前記金属伝導性酸化物は、ＴｉＯ、ＲｅＯ
3、ＩｒＯ2、ＲｕＯ2、ＶＯ、ＲｈＯ2、ＯｓＯ2、Ｌａ
ＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、ＮｂＯ、の少
なくとも１つを含んでもよい。
3、ＩｒＯ2、ＲｕＯ2、ＶＯ、ＲｈＯ2、ＯｓＯ2、Ｌａ
ＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、ＮｂＯ、の少
なくとも１つを含んでもよい。
【００３５】前記遷移金属は、チタン（Ｔｉ）、レニウ
ム（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）の
少なくとも１つを含んでもよい。
ム（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）の
少なくとも１つを含んでもよい。
【００３６】前記絶縁性酸化物は、アルミナ、シリコン
酸化物、ジルコニウム酸化物、マグネシウム酸化物の少
なくとも１つを含んでもよい。
酸化物、ジルコニウム酸化物、マグネシウム酸化物の少
なくとも１つを含んでもよい。
【００３７】前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯの少なくとも１つを含んでもよ
い。
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯの少なくとも１つを含んでもよ
い。
【００３８】前記金属伝導性酸化物は、ＴｉＯを含み、
前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3を含んでもよい。
前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3を含んでもよい。
【００３９】前記陰極線管用抵抗体は、少なくとも１Ｇ
Ω以上の面積抵抗値を有してもよい。
Ω以上の面積抵抗値を有してもよい。
【００４０】本発明に係る陰極線管は、本発明に係る陰
極線管用抵抗体を用い、そのことにより上記目的が達成
される。
極線管用抵抗体を用い、そのことにより上記目的が達成
される。
【００４１】本発明に係る陰極線管用抵抗体の製造方法
は、アルミナ基板、ガラス基板およびガラス管上のいず
れかに電極を形成するステップと、金属伝導性酸化物と
遷移金属との少なくとも１つと絶縁性酸化物との混合体
を溶射法で溶射して、前記混合体を前記アルミナ基板、
前記ガラス基板および前記ガラス管上のいずれかに堆積
させるステップとを包含し、そのことにより上記目的が
達成される。
は、アルミナ基板、ガラス基板およびガラス管上のいず
れかに電極を形成するステップと、金属伝導性酸化物と
遷移金属との少なくとも１つと絶縁性酸化物との混合体
を溶射法で溶射して、前記混合体を前記アルミナ基板、
前記ガラス基板および前記ガラス管上のいずれかに堆積
させるステップとを包含し、そのことにより上記目的が
達成される。
【００４２】本発明に係るフィールドエミッションディ
スプレイは、アノードと、カソードと、前記アノードと
前記カソードとの間に配置される抵抗体とを備え、前記
抵抗体は、金属伝導性酸化物と遷移金属との少なくとも
１つと絶縁性酸化物との混合体から成り、前記抵抗体
は、溶射法で形成され、前記抵抗体は、少なくとも１Ｇ
Ω以上の面積抵抗値を有し、そのことにより上記目的が
達成される。
スプレイは、アノードと、カソードと、前記アノードと
前記カソードとの間に配置される抵抗体とを備え、前記
抵抗体は、金属伝導性酸化物と遷移金属との少なくとも
１つと絶縁性酸化物との混合体から成り、前記抵抗体
は、溶射法で形成され、前記抵抗体は、少なくとも１Ｇ
Ω以上の面積抵抗値を有し、そのことにより上記目的が
達成される。
【００４３】前記フィールドエミッションディスプレイ
は、前記アノードと前記カソードとの間に設けられる支
柱をさらに備え、前記抵抗体は、前記支柱を被覆しても
よい。
は、前記アノードと前記カソードとの間に設けられる支
柱をさらに備え、前記抵抗体は、前記支柱を被覆しても
よい。
【００４４】前記支柱は、ガラスとアルミナとの少なく
とも１つを含んでもよい。
とも１つを含んでもよい。
【００４５】前記金属伝導性酸化物は、チタン酸化物、
レニウム酸化物、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化
物、バナジウム酸化物、ロジウム酸化物、オスミウム酸
化物、ＬａＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、Ｎ
ｂＯ、の少なくとも１つを含んでもよい。
レニウム酸化物、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化
物、バナジウム酸化物、ロジウム酸化物、オスミウム酸
化物、ＬａＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、Ｎ
ｂＯ、の少なくとも１つを含んでもよい。
【００４６】前記金属伝導性酸化物は、ＴｉＯ、ＲｅＯ
3、ＩｒＯ2、ＲｕＯ2、ＶＯ、ＲｈＯ2、ＯｓＯ2、Ｌａ
ＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、ＮｂＯ、の少
なくとも１つを含んでもよい。
3、ＩｒＯ2、ＲｕＯ2、ＶＯ、ＲｈＯ2、ＯｓＯ2、Ｌａ
ＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、ＮｂＯ、の少
なくとも１つを含んでもよい。
【００４７】前記遷移金属は、チタン（Ｔｉ）、レニウ
ム（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）の
少なくとも１つを含んでもよい。
ム（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）の
少なくとも１つを含んでもよい。
【００４８】前記絶縁性酸化物は、アルミナ、シリコン
酸化物、ジルコニウム酸化物、マグネシウム酸化物の少
なくとも１つを含んでもよい。
酸化物、ジルコニウム酸化物、マグネシウム酸化物の少
なくとも１つを含んでもよい。
【００４９】前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯの少なくとも１つを含んでもよ
い。
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯの少なくとも１つを含んでもよ
い。
【００５０】前記金属伝導性酸化物は、ＴｉＯを含み、
前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3を含んでもよい。
前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3を含んでもよい。
【００５１】本発明のある局面に従えば、抵抗体の焼成
工程を経ることなしに高い面積抵抗値を有し、しかも真
空中負荷特性や、抵抗値の温度特性（ＴＣＲ）が正の安
定した抵抗体が得られる。
工程を経ることなしに高い面積抵抗値を有し、しかも真
空中負荷特性や、抵抗値の温度特性（ＴＣＲ）が正の安
定した抵抗体が得られる。
【００５２】即ち、ＴｉＯ，ＲｅＯ3，ＩｒＯ2，ＭｏＯ
2，ＷＯ2，ＲｕＯ2，ＬａＴｉＯ3等の電気伝導の良好な
電気伝導性酸化物粒子あるいはＴｉ、Ｒｅ、Ｖ、Ｎｂの
遷移金属とＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2，ＭｇＯ等の絶
縁性酸化物粒子の混合体をプラズマトーチ、またはレー
ザ光を用いた溶射法で溶射して基板上に吹き付けて、高
い面積抵抗値を有する抵抗体を基板を加熱することなし
に得ようとするものである。
2，ＷＯ2，ＲｕＯ2，ＬａＴｉＯ3等の電気伝導の良好な
電気伝導性酸化物粒子あるいはＴｉ、Ｒｅ、Ｖ、Ｎｂの
遷移金属とＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2，ＭｇＯ等の絶
縁性酸化物粒子の混合体をプラズマトーチ、またはレー
ザ光を用いた溶射法で溶射して基板上に吹き付けて、高
い面積抵抗値を有する抵抗体を基板を加熱することなし
に得ようとするものである。
【００５３】金属伝導性酸化物粒子と絶縁性酸化物とが
混合され、溶射法で形成される陰極線管用抵抗体は、金
属伝導性酸化物粒子が絶縁性酸化物粒子間に分散された
状態となっており、高い面積抵抗値が得られしかも抵抗
値の温度係数が正で安定である。
混合され、溶射法で形成される陰極線管用抵抗体は、金
属伝導性酸化物粒子が絶縁性酸化物粒子間に分散された
状態となっており、高い面積抵抗値が得られしかも抵抗
値の温度係数が正で安定である。
【００５４】発明者らは、金属伝導性酸化物粒子、遷移
金属および絶縁性酸化物粒子の種類、配合比率および溶
射条件を変えることによって、面積抵抗値が１ＧΩ〜１
００ＧΩの高抵抗値を有する陰極線管用抵抗体が得られ
る事、得られた陰極線管用抵抗体が従来技術よりも良好
な長時間負荷特性を有する事、および得られた陰極線管
用抵抗体の抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が小さく安定な
事を見出した。
金属および絶縁性酸化物粒子の種類、配合比率および溶
射条件を変えることによって、面積抵抗値が１ＧΩ〜１
００ＧΩの高抵抗値を有する陰極線管用抵抗体が得られ
る事、得られた陰極線管用抵抗体が従来技術よりも良好
な長時間負荷特性を有する事、および得られた陰極線管
用抵抗体の抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が小さく安定な
事を見出した。
【００５５】すなわち、面積抵抗値が１ＧΩ〜１００Ｇ
Ω（１ＧΩ／□〜１００ＧΩ／□）でＴＣＲが正の陰極
線管用抵抗体が得られるため、螺旋状やジグザグ状に抵
抗体を加工することなく、アルミナ基板やファンネル内
面に高い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体を形成す
ることが出来ることを見出した。
Ω（１ＧΩ／□〜１００ＧΩ／□）でＴＣＲが正の陰極
線管用抵抗体が得られるため、螺旋状やジグザグ状に抵
抗体を加工することなく、アルミナ基板やファンネル内
面に高い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体を形成す
ることが出来ることを見出した。
【００５６】
【発明の実施の形態】以下本発明の最良の実施の形態を
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００５７】（実施の形態１）実施の形態１では、プラ
ズマ溶射法による陰極線管用抵抗体の形成について、図
１Ａ、図１Ｂおよび図２を用いて説明する。
ズマ溶射法による陰極線管用抵抗体の形成について、図
１Ａ、図１Ｂおよび図２を用いて説明する。
【００５８】図１Ａは、実施の形態１に係る陰極線管用
抵抗体を形成する際に用いるプラズマ溶射装置１００の
概略図である。図１Ｂは、実施の形態１に係る陰極線管
用抵抗体の製造方法を示すフローチャートである。
抵抗体を形成する際に用いるプラズマ溶射装置１００の
概略図である。図１Ｂは、実施の形態１に係る陰極線管
用抵抗体の製造方法を示すフローチャートである。
【００５９】図１Ａにおいて、１０１は陰極，１０２は
陽極，１０３は電源，１０４は直流アーク，１０５は作
動ガス，１０６はアークプラズマジェット，１０７はノ
ズル，１０８は溶射される抵抗体材料，１０９は抵抗体
材料１０８を供給する粉末供給ポート，１１０はアルミ
ナ基板（またはガラス基板），１１１は電極，１１２は
抵抗体である。
陽極，１０３は電源，１０４は直流アーク，１０５は作
動ガス，１０６はアークプラズマジェット，１０７はノ
ズル，１０８は溶射される抵抗体材料，１０９は抵抗体
材料１０８を供給する粉末供給ポート，１１０はアルミ
ナ基板（またはガラス基板），１１１は電極，１１２は
抵抗体である。
【００６０】図１Ａおよび図１Ｂを参照して、先づアル
ミナ基板１１０上に、例えば銀ペーストをスクリーン印
刷法にて印刷し、その後焼成することにより、電極１１
１（フォーカス電極，アノード電極等）を形成する（Ｓ
１０１）。
ミナ基板１１０上に、例えば銀ペーストをスクリーン印
刷法にて印刷し、その後焼成することにより、電極１１
１（フォーカス電極，アノード電極等）を形成する（Ｓ
１０１）。
【００６１】次に、プラズマ溶射装置１００の陰極１０
１と陽極１０２との間に電源１０３を用いて電界を印加
しながら直流アーク１０４を発生させ、作動ガス（例え
ば、アルゴン−水素，窒素−水素混合ガス）１０５を流
してアークプラズマジェット１０６を生成させる（Ｓ１
０２）。
１と陽極１０２との間に電源１０３を用いて電界を印加
しながら直流アーク１０４を発生させ、作動ガス（例え
ば、アルゴン−水素，窒素−水素混合ガス）１０５を流
してアークプラズマジェット１０６を生成させる（Ｓ１
０２）。
【００６２】次に抵抗体材料１０８（例えば、ＴｉＯ
（酸化チタン）３０重量％，Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）７０
重量％の混合体粉末）を粉末供給ポート１０９から供給
し、基板１１０上に溶射ノズル１０７を移動させながら
抵抗体材料１０８を２０μｍの厚みで溶射して、ＴｉＯ
−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２を形成する（Ｓ１０３）。な
お、減圧雰囲気中（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）で抵抗体材
料１０８を溶射する場合は、プラズマ溶射装置１００全
体を減圧チャンバー内に入れて行う。
（酸化チタン）３０重量％，Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）７０
重量％の混合体粉末）を粉末供給ポート１０９から供給
し、基板１１０上に溶射ノズル１０７を移動させながら
抵抗体材料１０８を２０μｍの厚みで溶射して、ＴｉＯ
−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２を形成する（Ｓ１０３）。な
お、減圧雰囲気中（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）で抵抗体材
料１０８を溶射する場合は、プラズマ溶射装置１００全
体を減圧チャンバー内に入れて行う。
【００６３】次にこの上に電極１１１上は除き、Ａｌ2
Ｏ3のみを４０μｍの厚みで溶射し、保護膜（図示せ
ず）を形成する。保護膜（図示せず）が形成されると、
ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２とアルミナ基板１１０
と電極１１１とから形成される抵抗部１１３が完成す
る。
Ｏ3のみを４０μｍの厚みで溶射し、保護膜（図示せ
ず）を形成する。保護膜（図示せず）が形成されると、
ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２とアルミナ基板１１０
と電極１１１とから形成される抵抗部１１３が完成す
る。
【００６４】ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２は、１Ｇ
Ω以上の高い面積抵抗値を有する。ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系
抵抗体１１２は、後述する実施例に示すように、良好な
耐熱負荷特性を有する。ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１
２の温度係数（ＴＣＲ）は、正で安定である。
Ω以上の高い面積抵抗値を有する。ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系
抵抗体１１２は、後述する実施例に示すように、良好な
耐熱負荷特性を有する。ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１
２の温度係数（ＴＣＲ）は、正で安定である。
【００６５】図２は、実施の形態１に係るＴｉＯ−Ａｌ
2Ｏ3系抵抗体１１２を用いた陰極線管２００の概略断面
図である。従来の技術で前述した陰極線管６００の構成
要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付してい
る。これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
2Ｏ3系抵抗体１１２を用いた陰極線管２００の概略断面
図である。従来の技術で前述した陰極線管６００の構成
要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付してい
る。これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００６６】陰極線管２００は、抵抗部１１３を備え
る。抵抗部１１３は、ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２
とアルミナ基板１１０と電極１１１とから形成される。
る。抵抗部１１３は、ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２
とアルミナ基板１１０と電極１１１とから形成される。
【００６７】以上のように実施の形態１によれば、焼成
工程なしで高い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体１
１２およびこれを用いた陰極線管２００を得ることがで
きる。
工程なしで高い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体１
１２およびこれを用いた陰極線管２００を得ることがで
きる。
【００６８】なお、実施の形態１では焼成工程なしで高
い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体としてＴｉＯ−
Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２を例に挙げて説明したが、本発
明はこれに限定されない。ＴｉＯは、金属伝導性酸化物
と遷移金属との少なくとも１つであればよい。Ａｌ2Ｏ3
は、絶縁性酸化物であればよい。
い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体としてＴｉＯ−
Ａｌ2Ｏ3系抵抗体１１２を例に挙げて説明したが、本発
明はこれに限定されない。ＴｉＯは、金属伝導性酸化物
と遷移金属との少なくとも１つであればよい。Ａｌ2Ｏ3
は、絶縁性酸化物であればよい。
【００６９】（実施の形態２）実施の形態２では、レー
ザ溶射法による陰極線管用抵抗体の形成について、図３
Ａ、図３Ｂおよび図４を用いて説明する。
ザ溶射法による陰極線管用抵抗体の形成について、図３
Ａ、図３Ｂおよび図４を用いて説明する。
【００７０】図３Ａは、実施の形態２に係る陰極線管用
抵抗体を形成する際に用いるレーザ溶射装置３００の概
略図である。図３Ｂは、実施の形態２に係る陰極線管用
抵抗体の製造方法を示すフローチャートである。
抵抗体を形成する際に用いるレーザ溶射装置３００の概
略図である。図３Ｂは、実施の形態２に係る陰極線管用
抵抗体の製造方法を示すフローチャートである。
【００７１】図３Ａにおいて、２０１は溶射ノズル，２
０２は抵抗体材料供給ポート，２０３はレーザ光，２０
４はレーザ光集光レンズ系，２０５は陰極線管のガラス
管、２０６は電極，２０７は抵抗体である。
０２は抵抗体材料供給ポート，２０３はレーザ光，２０
４はレーザ光集光レンズ系，２０５は陰極線管のガラス
管、２０６は電極，２０７は抵抗体である。
【００７２】図３Ａおよび図３Ｂを参照して、先づ陰極
線管のガラス管２０５の内面に電極２０６（アノード電
極、フォーカス電極）を形成する（Ｓ３０１）。電極の
形成方法および電極の材料は、実施の形態１で前述した
プラズマ溶射法による陰極線管用抵抗体の形成における
電極１１１の形成方法および電極の材料と同じである。
線管のガラス管２０５の内面に電極２０６（アノード電
極、フォーカス電極）を形成する（Ｓ３０１）。電極の
形成方法および電極の材料は、実施の形態１で前述した
プラズマ溶射法による陰極線管用抵抗体の形成における
電極１１１の形成方法および電極の材料と同じである。
【００７３】次に、レーザ光２０３をレンズ系２０４で
集光させておき（Ｓ３０２）、溶射ノズル２０１上にあ
る溶射粉末供給ポート２０２から抵抗体材料（例えば、
ＴｉＯ、１０重量％，Ａｌ2Ｏ3、９０重量％の混合体粉
末）を供給し、ガラス管２０５上に溶射ノズル２０１を
移動させながら２０μｍの厚みで抵抗体材料を溶射し、
ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体２０７を形成する（Ｓ３０
３）。なお、陰極線管のガラス管の内面に抵抗体を形成
する場合は、実施の形態１のように保護膜を形成する必
要がない。
集光させておき（Ｓ３０２）、溶射ノズル２０１上にあ
る溶射粉末供給ポート２０２から抵抗体材料（例えば、
ＴｉＯ、１０重量％，Ａｌ2Ｏ3、９０重量％の混合体粉
末）を供給し、ガラス管２０５上に溶射ノズル２０１を
移動させながら２０μｍの厚みで抵抗体材料を溶射し、
ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体２０７を形成する（Ｓ３０
３）。なお、陰極線管のガラス管の内面に抵抗体を形成
する場合は、実施の形態１のように保護膜を形成する必
要がない。
【００７４】図４は、実施の形態２に係るＴｉＯ−Ａｌ
2Ｏ3系抵抗体２０７を用いた陰極線管４００の概略側面
図である。
2Ｏ3系抵抗体２０７を用いた陰極線管４００の概略側面
図である。
【００７５】陰極線管４００は、ガラス管２０５の内面
に形成されたＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体２０７と電極２
０６とを備える。陰極線管の内面部４０１には、グラフ
ァイト，ＲｕＯ２ ペースト等を塗布する。
に形成されたＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体２０７と電極２
０６とを備える。陰極線管の内面部４０１には、グラフ
ァイト，ＲｕＯ２ ペースト等を塗布する。
【００７６】以上のように実施の形態２によれば、焼成
工程なしで高い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体２
０７およびこれを用いた陰極線管４００を得ることがで
きる。
工程なしで高い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体２
０７およびこれを用いた陰極線管４００を得ることがで
きる。
【００７７】なお、実施の形態２では焼成工程なしで高
い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体としてＴｉＯ−
Ａｌ2Ｏ3系抵抗体２０７を例に挙げて説明したが、本発
明はこれに限定されない。ＴｉＯは、金属伝導性酸化物
と遷移金属との少なくとも１つであればよい。Ａｌ2Ｏ3
は、絶縁性酸化物であればよい。
い面積抵抗値を有する陰極線管用抵抗体としてＴｉＯ−
Ａｌ2Ｏ3系抵抗体２０７を例に挙げて説明したが、本発
明はこれに限定されない。ＴｉＯは、金属伝導性酸化物
と遷移金属との少なくとも１つであればよい。Ａｌ2Ｏ3
は、絶縁性酸化物であればよい。
【００７８】（実施の形態３）実施の形態３では、本発
明に係る陰極線管用抵抗体を備えたフィールドエミッシ
ョンディスプレイ（ＦＥＤ）を、図５Ａおよび図５Ｂを
参照して説明する。
明に係る陰極線管用抵抗体を備えたフィールドエミッシ
ョンディスプレイ（ＦＥＤ）を、図５Ａおよび図５Ｂを
参照して説明する。
【００７９】図５Ａは、実施の形態３に係るフィールド
エミッションディスプレイ５００の斜視図である。図５
Ｂは、実施の形態３に係るフィールドエミッションディ
スプレイ５００の断面図である。
エミッションディスプレイ５００の斜視図である。図５
Ｂは、実施の形態３に係るフィールドエミッションディ
スプレイ５００の断面図である。
【００８０】図５Ａおよび図５Ｂを参照して、フィール
ドエミッションディスプレイ５００は、アノード５０１
とカソード５０２とを備える。カソード５０２にはＦＥ
Ｄアレイ５０３が形成される。カソード５０２は、カソ
ード引き出し電極５０４を有する。アノード５０１は、
アノード引き出し電極５０５を有する。アノード５０１
には蛍光体５０８が塗布される。フィールドエミッショ
ンディスプレイ５００は、電源５０７を備える。
ドエミッションディスプレイ５００は、アノード５０１
とカソード５０２とを備える。カソード５０２にはＦＥ
Ｄアレイ５０３が形成される。カソード５０２は、カソ
ード引き出し電極５０４を有する。アノード５０１は、
アノード引き出し電極５０５を有する。アノード５０１
には蛍光体５０８が塗布される。フィールドエミッショ
ンディスプレイ５００は、電源５０７を備える。
【００８１】アノード５０１とカソード５０２との間に
は、支柱５０６が設けられる。支柱５０６は、真空中で
のアノード５０１とカソード５０２との接触を防止す
る。支柱５０６は、ガラスその他の絶縁体で形成され
る。
は、支柱５０６が設けられる。支柱５０６は、真空中で
のアノード５０１とカソード５０２との接触を防止す
る。支柱５０６は、ガラスその他の絶縁体で形成され
る。
【００８２】カソード引き出し電極５０４とアノード引
き出し電極５０５との間に高電圧（数ｋＶ〜数１０ｋ
Ｖ）を印加すると、支柱５０６は絶縁体で形成されるた
め、電子が支柱５０６に溜まる。電子が支柱５０６に溜
まると、支柱５０６からアークやスパークが発生し、画
面が乱れたり、蛍光体５０８がダメージを受ける。
き出し電極５０５との間に高電圧（数ｋＶ〜数１０ｋ
Ｖ）を印加すると、支柱５０６は絶縁体で形成されるた
め、電子が支柱５０６に溜まる。電子が支柱５０６に溜
まると、支柱５０６からアークやスパークが発生し、画
面が乱れたり、蛍光体５０８がダメージを受ける。
【００８３】実施の形態３に係るフィールドエミッショ
ンディスプレイ５００では、実施の形態１および２で前
述した高抵抗を有するＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体が、支
柱５０６を被覆する。ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体で被覆
された支柱５０６にわずかな電流を流すと、帯電した電
子を支柱５０６から取り除く事ができる。このため、電
子が支柱５０６に溜まることがなく、支柱５０６からア
ークやスパークが発生することを防止することができ
る。
ンディスプレイ５００では、実施の形態１および２で前
述した高抵抗を有するＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体が、支
柱５０６を被覆する。ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体で被覆
された支柱５０６にわずかな電流を流すと、帯電した電
子を支柱５０６から取り除く事ができる。このため、電
子が支柱５０６に溜まることがなく、支柱５０６からア
ークやスパークが発生することを防止することができ
る。
【００８４】
【実施例】本実施例では、実施の形態１〜３で前述した
ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体のＴｉＯとＡｌ2Ｏ3の比率を
変えて陰極線管用又はＦＥＤ用の抵抗体を作成する。さ
らに、他の金属伝導性酸化物または遷移金属（例えば、
ＲｅＯ3，ＩｒＯ2，ＭｏＯ 2，ＷＯ2，ＲｕＯ2，ＬａＴ
ｉＯ3、ＴｉＯ2-x：０＜ｘ＜１）と絶縁性酸化物（例え
ば、ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＭｇＯ等）との比率を変えて陰
極線管用又はＦＥＤ用の抵抗体を作成する。
ＴｉＯ−Ａｌ2Ｏ3系抵抗体のＴｉＯとＡｌ2Ｏ3の比率を
変えて陰極線管用又はＦＥＤ用の抵抗体を作成する。さ
らに、他の金属伝導性酸化物または遷移金属（例えば、
ＲｅＯ3，ＩｒＯ2，ＭｏＯ 2，ＷＯ2，ＲｕＯ2，ＬａＴ
ｉＯ3、ＴｉＯ2-x：０＜ｘ＜１）と絶縁性酸化物（例え
ば、ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＭｇＯ等）との比率を変えて陰
極線管用又はＦＥＤ用の抵抗体を作成する。
【００８５】この抵抗体を陰極線管２００の電子銃部分
に取り付け、一般には，アノード電極部分に３０〜４０
ＫＶ，フォーカス電極部分に５〜１０ＫＶの電圧を印加
するようにして陰極線管の加速試験を行い、抵抗値の変
化，温度特性，陰極線管の状態等を評価する。
に取り付け、一般には，アノード電極部分に３０〜４０
ＫＶ，フォーカス電極部分に５〜１０ＫＶの電圧を印加
するようにして陰極線管の加速試験を行い、抵抗値の変
化，温度特性，陰極線管の状態等を評価する。
【００８６】本実施例での試験では、長時間寿命として
（実際のＣＲＴの動作寿命）アノード部に３０ｋV、５
０００時間を印加し、短時間過負荷寿命として、アノー
ドに４５ｋVを印加（１０時間）している。
（実際のＣＲＴの動作寿命）アノード部に３０ｋV、５
０００時間を印加し、短時間過負荷寿命として、アノー
ドに４５ｋVを印加（１０時間）している。
【００８７】又、陰極線管４００のファンネル（ガラス
管２０５、図３Ａ、図４）内に抵抗体をレーザ溶射法で
形成する場合は、陰極線管４００のファンネル（ガラス
管２０５、図３Ａ、図４）内の電極２０６間の部分にレ
ーザ溶射を行ない、次に各電極２０６間に長時間寿命と
して３０ｋV、５０００時間を印加し、短時間負荷とし
て４５ｋV（１０時間）を印加して、陰極線管４００の
評価を行う。
管２０５、図３Ａ、図４）内に抵抗体をレーザ溶射法で
形成する場合は、陰極線管４００のファンネル（ガラス
管２０５、図３Ａ、図４）内の電極２０６間の部分にレ
ーザ溶射を行ない、次に各電極２０６間に長時間寿命と
して３０ｋV、５０００時間を印加し、短時間負荷とし
て４５ｋV（１０時間）を印加して、陰極線管４００の
評価を行う。
【００８８】ＦＥＤ５００の加速試験は、カソード引き
出し電極５０４とアノード引き出し電極５０５との間に
約１５ｋVの電圧を印加することにより行い、面積抵抗
値、抵抗値（ＴＣＲ）の温度特性、面積抵抗値の変化等
を行う。
出し電極５０４とアノード引き出し電極５０５との間に
約１５ｋVの電圧を印加することにより行い、面積抵抗
値、抵抗値（ＴＣＲ）の温度特性、面積抵抗値の変化等
を行う。
【００８９】これらの評価実験の結果を表１〜表４（抵
抗体の作成条件）、表５および表６（評価結果）の試料
番号１〜３１に示す。尚、試料番号１５〜１９は従来例
である。
抗体の作成条件）、表５および表６（評価結果）の試料
番号１〜３１に示す。尚、試料番号１５〜１９は従来例
である。
【００９０】
【表１】
【００９１】
【表２】
【００９２】
【表３】
【００９３】
【表４】
【００９４】
【表５】
【００９５】
【表６】
【００９６】表１〜表６の実験データに示すように、金
属伝導性酸化物と遷移金属との少なくとも１つと絶縁性
酸化物との混合体から成る抵抗体は、従来のＲｕＯ2−
ガラス系抵抗体や、モリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ）と絶縁性酸化物から成るサーメット系抵抗体と比
較して、高い面積抵抗値が得られ、しかも抵抗の温度特
性の変化が小さくしかも、同一抵抗値で負荷（高電圧印
加に対する耐久性）に対して、抵抗値の変化が少ないこ
とがわかる。
属伝導性酸化物と遷移金属との少なくとも１つと絶縁性
酸化物との混合体から成る抵抗体は、従来のＲｕＯ2−
ガラス系抵抗体や、モリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ）と絶縁性酸化物から成るサーメット系抵抗体と比
較して、高い面積抵抗値が得られ、しかも抵抗の温度特
性の変化が小さくしかも、同一抵抗値で負荷（高電圧印
加に対する耐久性）に対して、抵抗値の変化が少ないこ
とがわかる。
【００９７】又、４５ＫＶの過負荷を印加した場合、従
来例は抵抗値の温度特性が負であるため、抵抗体のダメ
ージが大きいことがわかる。
来例は抵抗値の温度特性が負であるため、抵抗体のダメ
ージが大きいことがわかる。
【００９８】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明によれば、
陰極線管用抵抗体は、金属伝導性酸化物と遷移金属との
少なくとも１つと絶縁性酸化物との混合体から成り、プ
ラズマ溶射法または、レーザ溶射法等の溶射法でアルミ
ナ基板または、陰極線管の内面に形成されるので、抵抗
体の焼成工程を経ることなく高い面積抵抗値を有する陰
極線管用抵抗体を得ることができる。
陰極線管用抵抗体は、金属伝導性酸化物と遷移金属との
少なくとも１つと絶縁性酸化物との混合体から成り、プ
ラズマ溶射法または、レーザ溶射法等の溶射法でアルミ
ナ基板または、陰極線管の内面に形成されるので、抵抗
体の焼成工程を経ることなく高い面積抵抗値を有する陰
極線管用抵抗体を得ることができる。
【００９９】また本発明によれば、真空中負荷特性や、
抵抗値の温度特性（ＴＣＲ）が小さく安定した陰極線管
用抵抗体を得ることができる。
抵抗値の温度特性（ＴＣＲ）が小さく安定した陰極線管
用抵抗体を得ることができる。
【図１Ａ】実施の形態１に係る陰極線管用高抵抗体を形
成する際に用いるプラズマ溶射装置の概略図。
成する際に用いるプラズマ溶射装置の概略図。
【図１Ｂ】実施の形態１に係る陰極線管用高抵抗体の製
造方法を示すフローチャート。
造方法を示すフローチャート。
【図２】実施の形態１に係る高抵抗体層を用いた陰極線
管の概略断面図。
管の概略断面図。
【図３Ａ】実施の形態２に係る陰極線管用高抵抗体を形
成する際に用いるレーザ溶射装置の概略図。
成する際に用いるレーザ溶射装置の概略図。
【図３Ｂ】実施の形態２に係る陰極線管用高抵抗体の製
造方法を示すフローチャート。
造方法を示すフローチャート。
【図４】実施の形態２に係る高抵抗体層を用いた陰極線
管の概略断面図。
管の概略断面図。
【図５Ａ】実施の形態３に係るフィールドエミッション
ディスプレイの斜視図。
ディスプレイの斜視図。
【図５Ｂ】実施の形態３に係るフィールドエミッション
ディスプレイの断面図。
ディスプレイの断面図。
【図６】従来の陰極線管の概略断面図。
１０１ 陰極 １０２ 陽極 １０３ 電源 １０４ 直流アーク １０５ 作動ガス １０６ アークプラズマジェット １０７ ノズル １０８ 抵抗体材料 １０９ 粉末供給ポート １１０ アルミナ基板 １１１ 電極 １１２ 抵抗体 ２０１ 溶射ノズル ２０２ 抵抗体供給ポート ２０３ レーザ光 ２０４ レーザ光集光レンズ系 ２０５ ガラス ２０６ 電極 ２０７ 抵抗体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 29/87 Ｈ０１Ｊ 29/87 29/88 29/88 31/12 31/12 Ｃ (72)発明者 鈴木 茂夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 芦田 英樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (22)
- 【請求項１】 金属伝導性酸化物と遷移金属との少なく
とも１つと絶縁性酸化物との混合体から成る陰極線管用
抵抗体。 - 【請求項２】 前記陰極線管用抵抗体は、溶射法で形成
される、請求項１記載の陰極線管用抵抗体。 - 【請求項３】 前記溶射法は、プラズマ溶射法を含む、
請求項２記載の陰極線管用抵抗体。 - 【請求項４】 前記溶射法は、レーザ溶射法を含む、請
求項２記載の陰極線管用抵抗体。 - 【請求項５】 前記金属伝導性酸化物は、チタン酸化
物、レニウム酸化物、イリジウム酸化物、ルテニウム酸
化物、バナジウム酸化物、ロジウム酸化物、オスミウム
酸化物、ＬａＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、
ＮｂＯ、の少なくとも１つを含む、請求項１記載の陰極
線管用抵抗体。 - 【請求項６】 前記金属伝導性酸化物は、ＴｉＯ、Ｒｅ
Ｏ3、ＩｒＯ2、ＲｕＯ2、ＶＯ、ＲｈＯ2、ＯｓＯ2、Ｌ
ａＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、ＮｂＯ、の
少なくとも１つを含む、請求項５記載の陰極線管用抵抗
体。 - 【請求項７】 前記遷移金属は、チタン（Ｔｉ）、レニ
ウム（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）
の少なくとも１つを含む、請求項１記載の陰極線管用抵
抗体。 - 【請求項８】 前記絶縁性酸化物は、アルミナ、シリコ
ン酸化物、ジルコニウム酸化物、マグネシウム酸化物の
少なくとも１つを含む、請求項１記載の陰極線管用抵抗
体。 - 【請求項９】 前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ
2、ＺｒＯ2、ＭｇＯの少なくとも１つを含む、請求項８
記載の陰極線管用抵抗体。 - 【請求項１０】 前記金属伝導性酸化物は、ＴｉＯを含
み、 前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3を含む、請求項１記載の
陰極線管用抵抗体。 - 【請求項１１】 前記陰極線管用抵抗体は、少なくとも
１ＧΩ以上の面積抵抗値を有する、請求項１記載の陰極
線管用抵抗体。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の陰極線管用抵抗体を
用いた陰極線管。 - 【請求項１３】 アルミナ基板、ガラス基板およびガラ
ス管上のいずれかに電極を形成するステップと、 金属伝導性酸化物と遷移金属との少なくとも１つと絶縁
性酸化物との混合体を溶射法で溶射して、前記混合体を
前記アルミナ基板、前記ガラス基板および前記ガラス管
上のいずれかに堆積させるステップとを包含する陰極線
管用抵抗体の製造方法。 - 【請求項１４】 アノードと、 カソードと、 前記アノードと前記カソードとの間に配置される抵抗体
とを備え、 前記抵抗体は、金属伝導性酸化物と遷移金属との少なく
とも１つと絶縁性酸化物との混合体から成り、 前記抵抗体は、溶射法で形成され、 前記抵抗体は、少なくとも１ＧΩ以上の面積抵抗値を有
するフィールドエミッションディスプレイ。 - 【請求項１５】 前記フィールドエミッションディスプ
レイは、前記アノードと前記カソードとの間に設けられ
る支柱をさらに備え、 前記抵抗体は、前記支柱を被覆する、請求項１４記載の
フィールドエミッションディスプレイ。 - 【請求項１６】 前記支柱は、ガラスとアルミナとの少
なくとも１つを含む、請求項１５記載のフィールドエミ
ッションディスプレイ。 - 【請求項１７】 前記金属伝導性酸化物は、チタン酸化
物、レニウム酸化物、イリジウム酸化物、ルテニウム酸
化物、バナジウム酸化物、ロジウム酸化物、オスミウム
酸化物、ＬａＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、
ＮｂＯ、の少なくとも１つを含む、請求項１４記載のフ
ィールドエミッションディスプレイ。 - 【請求項１８】 前記金属伝導性酸化物は、ＴｉＯ、Ｒ
ｅＯ3、ＩｒＯ2、ＲｕＯ2、ＶＯ、ＲｈＯ2、ＯｓＯ2、
ＬａＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＭｏＯ2、ＷＯ3、ＮｂＯ、
の少なくとも１つを含む、請求項１７記載のフィールド
エミッションディスプレイ。 - 【請求項１９】 前記遷移金属は、チタン（Ｔｉ）、レ
ニウム（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎ
ｂ）の少なくとも１つを含む、請求項１４記載のフィー
ルドエミッションディスプレイ。 - 【請求項２０】 前記絶縁性酸化物は、アルミナ、シリ
コン酸化物、ジルコニウム酸化物、マグネシウム酸化物
の少なくとも１つを含む、請求項１４記載のフィールド
エミッションディスプレイ。 - 【請求項２１】 前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯの少なくとも１つを含む、請求項
２０記載のフィールドエミッションディスプレイ。 - 【請求項２２】 前記金属伝導性酸化物は、ＴｉＯを含
み、 前記絶縁性酸化物は、Ａｌ2Ｏ3を含む、請求項１４記載
の陰極線管用抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25367999A JP2000149816A (ja) | 1998-09-08 | 1999-09-07 | 陰極線管用抵抗体、その製造方法、陰極線管およびｆｅｄ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25355498 | 1998-09-08 | ||
| JP10-253554 | 1998-09-08 | ||
| JP25367999A JP2000149816A (ja) | 1998-09-08 | 1999-09-07 | 陰極線管用抵抗体、その製造方法、陰極線管およびｆｅｄ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000149816A true JP2000149816A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=26541255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25367999A Withdrawn JP2000149816A (ja) | 1998-09-08 | 1999-09-07 | 陰極線管用抵抗体、その製造方法、陰極線管およびｆｅｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000149816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207239A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出素子およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-09-07 JP JP25367999A patent/JP2000149816A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207239A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出素子およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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