JP2000138336A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- outer leads
- resin mold
- semiconductor device
- molded resin
- mold portion
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 取り付け高さＤが低く、占有体積の小さい実
装が可能な面実装型の半導体装置を提供。 【解決手段】 樹脂モールド部１の側面から導出された
複数の外部リード２を２ヶ所で折り曲げて、コ字状に折
曲成形し、外部リード２の先端部分を段差部（図２
（ａ）中の３）に埋設する。すると、スタンドオフ寸法
ｄ１が小さくなり、実装時の占有体積を小さくすること
ができる。
装が可能な面実装型の半導体装置を提供。 【解決手段】 樹脂モールド部１の側面から導出された
複数の外部リード２を２ヶ所で折り曲げて、コ字状に折
曲成形し、外部リード２の先端部分を段差部（図２
（ａ）中の３）に埋設する。すると、スタンドオフ寸法
ｄ１が小さくなり、実装時の占有体積を小さくすること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型の半導
体装置に係り、特に端子形状を改良した半導体装置に関
する。
体装置に係り、特に端子形状を改良した半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に使用される表面実装型の半導体装
置としては、ＳＯタイプとＪリードタイプとがある。Ｓ
Ｏタイプの半導体装置は、外部リードが樹脂モールド部
の側面から横方向に張り出すように設けられている。そ
のため、プリント基板上に実装する際、樹脂モールド部
から突出した外部リードがプリント基板表面を占有する
ため、その他の箇所に周辺部品を設置することを阻害す
る要因となる。このことから、プリント基板の高密度実
装が要求される昨今では、外部リードが横方向に張り出
さないＪリードタイプの半導体装置が好んで採用されて
いる。
置としては、ＳＯタイプとＪリードタイプとがある。Ｓ
Ｏタイプの半導体装置は、外部リードが樹脂モールド部
の側面から横方向に張り出すように設けられている。そ
のため、プリント基板上に実装する際、樹脂モールド部
から突出した外部リードがプリント基板表面を占有する
ため、その他の箇所に周辺部品を設置することを阻害す
る要因となる。このことから、プリント基板の高密度実
装が要求される昨今では、外部リードが横方向に張り出
さないＪリードタイプの半導体装置が好んで採用されて
いる。
【０００３】次に、従来のＪリードタイプの半導体装置
について図３および図４を用いて説明する。図３はＪリ
ードタイプの半導体装置の正面図、図４はその要部の断
面図である。図４において、１は樹脂モールド部、２は
外部リード、４はダイパッド、５は半導体素子、６は内
部リード、７はワイヤである。そして、ダイパッド４の
上に搭載された半導体素子５は、素子主面上の電極（図
示せず）と所定の内部リード６との間をワイヤ７で接続
され、ダイパッド４、半導体素子５及び内部リード６は
樹脂モールド部１によってモールドされている。そし
て、樹脂モールド部１の側面から導出された複数の外部
リード２は、図３または図４に示すように内方向に屈曲
成形され、ちょうどその形状がＪ字状になるものが用い
られている。外部リードの先端は、樹脂モールド部の底
面に設けられた穴に収納され、外部リード２が移動した
り、変形したりしないように工夫されている。
について図３および図４を用いて説明する。図３はＪリ
ードタイプの半導体装置の正面図、図４はその要部の断
面図である。図４において、１は樹脂モールド部、２は
外部リード、４はダイパッド、５は半導体素子、６は内
部リード、７はワイヤである。そして、ダイパッド４の
上に搭載された半導体素子５は、素子主面上の電極（図
示せず）と所定の内部リード６との間をワイヤ７で接続
され、ダイパッド４、半導体素子５及び内部リード６は
樹脂モールド部１によってモールドされている。そし
て、樹脂モールド部１の側面から導出された複数の外部
リード２は、図３または図４に示すように内方向に屈曲
成形され、ちょうどその形状がＪ字状になるものが用い
られている。外部リードの先端は、樹脂モールド部の底
面に設けられた穴に収納され、外部リード２が移動した
り、変形したりしないように工夫されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近の電子機器では、
立体的な空間を有効に利用した組立実装を採用し、機器
の小型化を図っている。従って、横方向の占有面積を小
さくするだけでは満足されず、取り付け高さも小さくし
て、半導体装置の占有体積が小さくなるものが望まれ
る。
立体的な空間を有効に利用した組立実装を採用し、機器
の小型化を図っている。従って、横方向の占有面積を小
さくするだけでは満足されず、取り付け高さも小さくし
て、半導体装置の占有体積が小さくなるものが望まれ
る。
【０００５】Ｊリードタイプの半導体装置をプリント基
板に実装する時の取り付け高さＤは、図３に示すスタン
ドオフ寸法ｄ１と、樹脂モールド部１の厚みｄ２との和
となる。外部リード２をＪ字状に屈曲成形する際に、樹
脂モールド部１の下側で外部リード２を折り返して曲げ
ると、アールを持つように曲げないと、どうしても金属
疲労の関係で強度が弱くなる。従って、樹脂モールド部
１の下側に外部リード２の膨らみ（アールを持つ箇所）
が生じて、スタンドオフ寸法として図３中のｄ１程度の
高さが必要である。
板に実装する時の取り付け高さＤは、図３に示すスタン
ドオフ寸法ｄ１と、樹脂モールド部１の厚みｄ２との和
となる。外部リード２をＪ字状に屈曲成形する際に、樹
脂モールド部１の下側で外部リード２を折り返して曲げ
ると、アールを持つように曲げないと、どうしても金属
疲労の関係で強度が弱くなる。従って、樹脂モールド部
１の下側に外部リード２の膨らみ（アールを持つ箇所）
が生じて、スタンドオフ寸法として図３中のｄ１程度の
高さが必要である。
【０００６】そのことを配慮し、樹脂モールド部１の厚
みｄ１を小さくして半導体装置全体の取り付け高さＤを
小さくする場合、樹脂モールド部１の体積が小さくなる
ことから、樹脂モールド部１から大気への放熱が損なわ
れる。更に、樹脂モールド部１の底面がプリント基板
（図示せず）から浮くため、プリント基板を通じての放
熱は外部リード２を経由して行われることから、半導体
装置の許容損失は小さなものしか得られなかった。
みｄ１を小さくして半導体装置全体の取り付け高さＤを
小さくする場合、樹脂モールド部１の体積が小さくなる
ことから、樹脂モールド部１から大気への放熱が損なわ
れる。更に、樹脂モールド部１の底面がプリント基板
（図示せず）から浮くため、プリント基板を通じての放
熱は外部リード２を経由して行われることから、半導体
装置の許容損失は小さなものしか得られなかった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、取り付け高さＤを小さくしコンパクトに実装できる
半導体装置を提供することを目的とする。
で、取り付け高さＤを小さくしコンパクトに実装できる
半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、樹脂モールド部の側面から導
出された複数の外部リードを有する半導体装置におい
て、前記複数の外部リードを、その外部リードの先端部
分が前記樹脂モールド部の底面と接し平行になるように
コ字状に曲げられた構成である。
に本発明の半導体装置は、樹脂モールド部の側面から導
出された複数の外部リードを有する半導体装置におい
て、前記複数の外部リードを、その外部リードの先端部
分が前記樹脂モールド部の底面と接し平行になるように
コ字状に曲げられた構成である。
【０００９】この構成により、折り曲げ成形による外部
リードの膨らみが樹脂モールド部の側面に生じるが、底
面には生じないため、スタンドオフ寸法を小さくするこ
とができる。また、樹脂モールド部から外部リード部の
先端部分に直接熱を伝え、そこからプリント基板への放
熱も可能になる。
リードの膨らみが樹脂モールド部の側面に生じるが、底
面には生じないため、スタンドオフ寸法を小さくするこ
とができる。また、樹脂モールド部から外部リード部の
先端部分に直接熱を伝え、そこからプリント基板への放
熱も可能になる。
【００１０】また、その他の構成としては、上記構成に
加えて、樹脂モールド部の底面端部に段差部を設け、外
部リードの先端部分を前記段差部に沿ってコ字状に折り
曲げ前記段差部内に埋設することを特徴とする。
加えて、樹脂モールド部の底面端部に段差部を設け、外
部リードの先端部分を前記段差部に沿ってコ字状に折り
曲げ前記段差部内に埋設することを特徴とする。
【００１１】この構成により、外部リードが樹脂モール
ド部から殆ど突出しなくなり、最低限必要な樹脂モール
ド部の厚さと殆ど変わらない高さで、半導体装置を実装
することが可能になる。
ド部から殆ど突出しなくなり、最低限必要な樹脂モール
ド部の厚さと殆ど変わらない高さで、半導体装置を実装
することが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施形態における半導体
装置を示す正面図、図２（ａ）は外部リードの折曲加工
する前の要部断面図、図２（ｂ）は外部リードの折曲加
工した後の要部断面図である。
装置を示す正面図、図２（ａ）は外部リードの折曲加工
する前の要部断面図、図２（ｂ）は外部リードの折曲加
工した後の要部断面図である。
【００１４】図２（ａ）及び（ｂ）において、１は樹脂
モールド部、２はコ字状に折曲成形した外部リード、３
は樹脂モールド部１の段差部、４はダイパッド、５は半
導体素子、６は内部リード、７はワイヤである。そし
て、半導体装置は、ダイパッド４の上に半導体素子５を
搭載し、半導体素子５内の電極（図示せず）と所定の内
部リード部６とをワイヤ７で接続している。
モールド部、２はコ字状に折曲成形した外部リード、３
は樹脂モールド部１の段差部、４はダイパッド、５は半
導体素子、６は内部リード、７はワイヤである。そし
て、半導体装置は、ダイパッド４の上に半導体素子５を
搭載し、半導体素子５内の電極（図示せず）と所定の内
部リード部６とをワイヤ７で接続している。
【００１５】内部リード、外部リード及びダイパッド
は、一枚物の金属板を加工したリードフレームで構成し
ても良いし、複数の金属板を複合化して構成しても良
い。但し、半導体素子５を搭載する工程や、ワイヤ７を
接続する工程は、リードフレームが平たい状態で行う。
その後、ダイパッド４、内部リード６及び半導体素子５
を含む部分を樹脂モールド部１で封止する。樹脂封止工
程では、樹脂モールド部１の底面の周縁にリードピッチ
に対応した位置に複数の段差部３を形成する。これは、
封止金型を使用することにより、樹脂モールド部１の底
面と平行な段差部３と樹脂モールド部１とを同時に成形
することが出来る。樹脂封止工程直後の途中仕上がり状
態は図２（ａ）に示す。
は、一枚物の金属板を加工したリードフレームで構成し
ても良いし、複数の金属板を複合化して構成しても良
い。但し、半導体素子５を搭載する工程や、ワイヤ７を
接続する工程は、リードフレームが平たい状態で行う。
その後、ダイパッド４、内部リード６及び半導体素子５
を含む部分を樹脂モールド部１で封止する。樹脂封止工
程では、樹脂モールド部１の底面の周縁にリードピッチ
に対応した位置に複数の段差部３を形成する。これは、
封止金型を使用することにより、樹脂モールド部１の底
面と平行な段差部３と樹脂モールド部１とを同時に成形
することが出来る。樹脂封止工程直後の途中仕上がり状
態は図２（ａ）に示す。
【００１６】そして、樹脂モールド部１の側面から導出
された外部リード２を所定の長さで切断した後、金型に
よって外部リード２を折り曲げ成形する。このとき、段
差部３に沿ってコ字状に折り曲げ成形した外部リード２
の先端部分を段差部３内に埋設する。その結果、図２
（ｂ）のように仕上がる。
された外部リード２を所定の長さで切断した後、金型に
よって外部リード２を折り曲げ成形する。このとき、段
差部３に沿ってコ字状に折り曲げ成形した外部リード２
の先端部分を段差部３内に埋設する。その結果、図２
（ｂ）のように仕上がる。
【００１７】すると、外部リード２の折り曲げ成形によ
る膨らみは樹脂モールド部１の側面側に構成され、外部
リード２の先端部分が段差部３と平行になり、樹脂モー
ルド部１の底面側に外部リード２の膨らみは生じない。
従って、外部リード２の厚みのみがスタンドオフ寸法ｄ
３に寄与することになり、外部リード２の先端部分は段
差部３内に埋設されることから、取り付け高さＤが樹脂
モールド部１の厚みｄ２とほぼ変わらない状態に仕上が
り、樹脂モールド部１の厚みｄ２を変更しなくても、取
り付け高さＤを従来より小さくできる。また、放熱作用
について言えば、樹脂モールド部１から大気への放熱は
従来例と殆ど変わらず、プリント基板に実装した状態で
は、樹脂モールド部１の底面部分に密着した外部リード
２の先端部分を通じて、プリント基板への放熱がなさ
れ、従来に比べて実質的な放熱効果を向上することがで
きる。
る膨らみは樹脂モールド部１の側面側に構成され、外部
リード２の先端部分が段差部３と平行になり、樹脂モー
ルド部１の底面側に外部リード２の膨らみは生じない。
従って、外部リード２の厚みのみがスタンドオフ寸法ｄ
３に寄与することになり、外部リード２の先端部分は段
差部３内に埋設されることから、取り付け高さＤが樹脂
モールド部１の厚みｄ２とほぼ変わらない状態に仕上が
り、樹脂モールド部１の厚みｄ２を変更しなくても、取
り付け高さＤを従来より小さくできる。また、放熱作用
について言えば、樹脂モールド部１から大気への放熱は
従来例と殆ど変わらず、プリント基板に実装した状態で
は、樹脂モールド部１の底面部分に密着した外部リード
２の先端部分を通じて、プリント基板への放熱がなさ
れ、従来に比べて実質的な放熱効果を向上することがで
きる。
【００１８】樹脂モールド部１に設ける段差部３を、外
部リード２の厚みより浅くすると、段差部３内に外部リ
ード２を収納した時、外部リード２の一部を樹脂モール
ド部１の底面より露出させることができ、放熱効果を妨
げることがない。
部リード２の厚みより浅くすると、段差部３内に外部リ
ード２を収納した時、外部リード２の一部を樹脂モール
ド部１の底面より露出させることができ、放熱効果を妨
げることがない。
【００１９】但し、段差部３が外部リード２の厚みより
深くても、プリント基板に実装する際、熱伝導の良好な
導電性樹脂を段差部３内に充填すれば、熱伝導の特性
も、電気の導通性も損なわずに実装することができる。
深くても、プリント基板に実装する際、熱伝導の良好な
導電性樹脂を段差部３内に充填すれば、熱伝導の特性
も、電気の導通性も損なわずに実装することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置は、
樹脂モールド部の底面に設けた段差部内に外部リードの
先端部分を埋設するから、スタンドオフ寸法が大きくな
らず、取り付け高さを樹脂モールド部の厚みとほぼ同じ
にすることが可能であり、実装時の占有体積を小型化で
きる。
樹脂モールド部の底面に設けた段差部内に外部リードの
先端部分を埋設するから、スタンドオフ寸法が大きくな
らず、取り付け高さを樹脂モールド部の厚みとほぼ同じ
にすることが可能であり、実装時の占有体積を小型化で
きる。
【図１】本発明の一実施形態における半導体装置を示す
正面図
正面図
【図２】（ａ）本発明の一実施形態における半導体装置
を示す折曲加工前の要部断面図 （ｂ）本発明の一実施形態における半導体装置を示す折
曲加工後の要部断面図
を示す折曲加工前の要部断面図 （ｂ）本発明の一実施形態における半導体装置を示す折
曲加工後の要部断面図
【図３】従来の半導体装置を示す正面図
【図４】従来の半導体装置を示す要部断面図
１ 樹脂モールド部 ２ 外部リード ３ 段差部 ４ ダイパッド ５ 半導体素子 ６ 内部リード ７ ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂モールド部の側面から導出された複
数の外部リードを有する半導体装置において、前記複数
の外部リードを、その外部リードの先端部分が前記樹脂
モールド部の底面と接し平行になるようにコ字状に曲げ
られたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 樹脂モールド部の底面端部に段差部を設
け、外部リードの先端部分を前記段差部に沿ってコ字状
に折り曲げ前記段差部内に埋設することを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 樹脂モールド部の段差部が外部リードの
厚みより浅いことを特徴とする請求項２記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31292898A JP2000138336A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31292898A JP2000138336A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138336A true JP2000138336A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18035167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31292898A Pending JP2000138336A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138336A (ja) |
-
1998
- 1998-11-04 JP JP31292898A patent/JP2000138336A/ja active Pending
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