JP2000133899A - プリント回路用積層基板 - Google Patents

プリント回路用積層基板

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JP2000133899A
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康彰 山本
Hiroo Kusano
広男 草野
Hideki Yagyu
秀樹 柳生
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高周波における電気特性及び高温での機械特性
に優れたプリント回路用積層基板の提供。 【解決手段】結晶化熱量が40J/g以下で融点が32
5℃以下である改質ふっ素樹脂からなる層を少なくとも
1層有する絶縁基材の表面に、金属層を形成してなるプ
リント回路用積層基板。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波における電
気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回路積層
基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電気、電子機器には、各種のプリント配
線板が組み込まれているが、機器の高性能化、小型化に
伴ない、これら配線板にもより優れた電気特性や機械強
度が求められている。なかでも、高周波無線回路やマイ
クロ波用の配線板においては、高周波帯域における誘電
特性に優れ、高温での半田作業に耐えられる耐熱性に優
れたものが要望されている。このため、テトラフルオロ
エチレン系重合体(以下「PTFE」という)のような
誘電率の低いふっ素樹脂を絶縁基材に使用したプリント
回路用積層基板の開発が進められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、PTFEと金
属層を積層した基板であっても誘電特性が必ずしも十分
であるとはいえず、また、高温で変形し易い等の問題が
あり、適用範囲が制限されたものとなっている。
【0004】従って、本発明の目的は、高周波における
電気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回路用
積層基板を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、結晶化熱量が40J/g以下で融点が3
25℃以下である改質ふっ素樹脂からなる層を少なくと
も1層有する絶縁基材の表面に、金属層を形成してなる
ことを特徴とするプリント回路用積層基板を提供するも
のである。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明に使用されるふっ素樹脂と
しては、PTFE、テトラフルオロエチレン−パーフル
オロ(アルキルビニルエーテル)系共重合体(以下PF
Aという)、あるいはテトラフルオロエチレン−ヘキサ
フルオロプロピレン系共重合体(以下FEPという)が
挙げられる。
【0007】上記PTFEの中には、パーフルオロ(ア
ルキルビニルエーテル)、ヘキサフルオロプロピレン、
(パーフルオロアルキル)エチレン、あるいはクロロト
リフルオロエチレン等の共重合性モノマーに基づく重合
単位を1モル%以下含有するものも含まれる。また、上
記共重合体形式のふっ素樹脂の場合、その分子構造の中
に少量の第3成分を含むことは有り得る。
【0008】本発明においては、改質ふっ素樹脂の物性
を結晶化熱量が40J/g以下、融点が325℃以下と
規定しているが、この規定値を外れると、高周波におけ
る電気特性や高温での機械特性が著しく低下する。な
お、ふっ素樹脂がPFAのときは、融点が305℃以
下、結晶化熱量が26J/g以下とすることが好まし
く、FEPのときは融点が275℃以下、結晶化熱量が
9J/g以下とすることが好ましい。
【0009】本発明において、熱特性の評価には示差走
査熱量計(DSC)を用い、50〜360℃の間で10
℃/min の昇・降温スピードにより昇温、降温を2サイ
クル繰り返し、2回目の昇温時のDSC曲線の吸熱ピー
ク温度を融点とし、2回目の降温時の発熱ピークとベー
スラインに囲まれたピーク面積からJISK7122に
準じ、結晶化熱量を求めた。
【0010】本発明の改質ふっ素樹脂は、ふっ素樹脂に
酸素濃度10-3mol /g以下の不活性ガス雰囲気下で、
且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照
射線量1KGy〜10MGyの範囲で照射することによ
り製造することができる。
【0011】本発明においては、電離性放射線として
は、γ線、電子線、X線、中性子線、あるいは高エネル
ギーイオン等が使用される。電離性放射線の照射を行う
に際しては、ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱して
おく必要がある。例えばふっ素樹脂としてPTFEを使
用する場合には、この材料の結晶融点である327℃よ
りも高い温度にふっ素樹脂を加熱した状態で電離性放射
線を照射する必要があり、また、PFAやFEPを使用
する場合には、前者が310℃、後者が275℃に特定
される融点よりも高い温度に加熱して照射する。ふっ素
樹脂をその融点以上に加熱することは、ふっ素樹脂を構
成する主鎖の分子運動を活発化させることになり、その
結果、分子間の架橋反応を効率良く促進させることが可
能となる。但し、過度の加熱は、逆に分子主鎖の切断と
分解を招くようになるので、このような解重合現象の発
生を抑制する意味合いから、加熱温度はふっ素樹脂の融
点よりも10〜30℃高い範囲内に抑えるべきである。
【0012】ふっ素樹脂の改質は、ふっ素樹脂粉体に電
離性放射線を照射して行ってもよく、また、シート、ブ
ロックまたはその他の形状のふっ素樹脂成形体に電離性
放射線を照射して行ってもよい。
【0013】本発明において、改質ふっ素樹脂からなる
層を含む絶縁基材の表面に形成される金属層には、一般
に銅が使用され、メッキ、あるいは電解箔銅や圧延銅箔
を接着することにより形成される。
【0014】
【実施例】[実施例1]厚さ0.5mmの市販PTFEフ
ィルムに対して、酸素濃度10−5mol /g、窒素雰囲
気下、340℃の加熱温度のもとで電子線(加速電圧2
MeV)を照射線量が100KGyとなるように照射し
て改質PTFEフィルムを作製した。このフィルムの表
面をナトリウム/ナフタレン溶液で接着可能処理を行っ
た。続いて下記(1)〜(5)の素材を順次重ね合わせ
て熱プレスに挿入し、360℃で10分間加圧、加熱し
てプリント回路用積層基板を作製した。
【0015】(1)表面粗化銅箔(35μm厚) (2)改質PTFEフィルム(0.5mm厚) (3)PTFE含浸ガラスクロス(60μm厚) (4)改質PTFEフィルム(0.5mm厚) (5)表面粗化銅箔(35μm厚) [実施例2]実施例1の改質PTFEフィルムを使用
し、下記(1)〜(5)の素材を順次重ね合わせて熱プ
レスに挿入し、360℃で10分間加圧、加熱してプリ
ント回路用積層基板を作製した。
【0016】(1)表面粗化銅箔(35μm厚) (2)ガラスクロスとPFAの複合フィルム(スパッタ
エッチング処理、80μm厚) (3)改質PTFEフィルム(0.5mm厚) (4)ガラスクロスとPFAの複合フィルム(スパッタ
エッチング処理、80μm厚) (5)表面粗化銅箔(35μm厚) [比較例]下記(1)〜(5)の素材を順次重ね合わせ
て熱プレスに挿入し、360℃で10分間加圧、加熱し
てプリント回路用積層基板を作製した。
【0017】(1)表面粗化銅箔(35μm厚) (2)PTFEフィルム(未改質、ナトリウム/ナフタ
レン処理、0.5mm厚) (3)PTFE含浸ガラスクロス(60μm厚) (4)PTFEフィルム(未改質、ナトリウム/ナフタ
レン処理、0.5mm厚)(5)表面粗化銅箔(35μm
厚) 実施例1、2及び比較例のプリント回路用積層基板につ
いての特性評価を行い、その結果を表1に示した。ま
た、表1にPTFEフィルムの融点及び結晶化熱量を併
記した。なお、測定は、次に基づいて行った。
【0018】(1)融点、結晶化熱量 改質PTFEフィルム及びPTFEフィルムについて、
前述した方法に基づいて測定した。
【0019】(2)誘電率 ASTMD3380に準拠して測定した(測定周波数:
10GHz)。
【0020】(3)引き剥がし強さ、はんだ耐熱性 JISC6484に準拠して測定した。
【0021】
【表1】
【0022】
【発明の効果】以上説明してきた本発明によれば、実施
例と比較例との対比からも明らかなように、高周波にお
ける電気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回
路用積層基板を実現できるようになる。
フロントページの続き (72)発明者 柳生 秀樹 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社パワーシステム研究所内 Fターム(参考) 4F100 AB01B AB17 AG00 AK17A AK17J AK18A AK18J AL01A AT00A BA02 BA05 BA06 BA13 EJ52A EJ53 EJ60A GB43 JA04A JA20A JG04A JG05 JK00 JK06 YY00A

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】結晶化熱量が40J/g以下で融点が32
    5℃以下である改質ふっ素樹脂からなる層を少なくとも
    1層有する絶縁基材の表面に、金属層を形成してなるこ
    とを特徴とするプリント回路用積層基板。
  2. 【請求項2】前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエ
    チレン系重合体からなる請求項1記載のプリント回路用
    積層基板。
  3. 【請求項3】前記改質ふっ素樹脂は、結晶化熱量が26
    J/g以下で融点が305℃以下である請求項1記載の
    プリント回路用積層基板。
  4. 【請求項4】前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエ
    チレン−パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)系共
    重合体からなる請求項3記載のプリント回路用積層基
    板。
  5. 【請求項5】前記改質ふっ素樹脂は、結晶化熱量が9J
    /g以下で融点が275℃以下である請求項1記載のプ
    リント回路用積層基板。
  6. 【請求項6】前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエ
    チレン−ヘキサフルオロプロピレン系共重合体からなる
    請求項5記載のプリント回路用積層基板。
  7. 【請求項7】前記改質ふっ素樹脂は、ふっ素樹脂に酸素
    濃度10-3mol /g以下の不活性ガス雰囲気下で、且つ
    その融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線
    量1KGy〜10MGyの範囲で照射したものである請
    求項1記載のプリント回路用積層基板。
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