JP2000133899A - プリント回路用積層基板 - Google Patents
プリント回路用積層基板Info
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Abstract
に優れたプリント回路用積層基板の提供。 【解決手段】結晶化熱量が40J/g以下で融点が32
5℃以下である改質ふっ素樹脂からなる層を少なくとも
1層有する絶縁基材の表面に、金属層を形成してなるプ
リント回路用積層基板。
Description
気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回路積層
基板に関するものである。
線板が組み込まれているが、機器の高性能化、小型化に
伴ない、これら配線板にもより優れた電気特性や機械強
度が求められている。なかでも、高周波無線回路やマイ
クロ波用の配線板においては、高周波帯域における誘電
特性に優れ、高温での半田作業に耐えられる耐熱性に優
れたものが要望されている。このため、テトラフルオロ
エチレン系重合体(以下「PTFE」という)のような
誘電率の低いふっ素樹脂を絶縁基材に使用したプリント
回路用積層基板の開発が進められている。
属層を積層した基板であっても誘電特性が必ずしも十分
であるとはいえず、また、高温で変形し易い等の問題が
あり、適用範囲が制限されたものとなっている。
電気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回路用
積層基板を提供することにある。
達成するため、結晶化熱量が40J/g以下で融点が3
25℃以下である改質ふっ素樹脂からなる層を少なくと
も1層有する絶縁基材の表面に、金属層を形成してなる
ことを特徴とするプリント回路用積層基板を提供するも
のである。
しては、PTFE、テトラフルオロエチレン−パーフル
オロ(アルキルビニルエーテル)系共重合体(以下PF
Aという)、あるいはテトラフルオロエチレン−ヘキサ
フルオロプロピレン系共重合体(以下FEPという)が
挙げられる。
ルキルビニルエーテル)、ヘキサフルオロプロピレン、
(パーフルオロアルキル)エチレン、あるいはクロロト
リフルオロエチレン等の共重合性モノマーに基づく重合
単位を1モル%以下含有するものも含まれる。また、上
記共重合体形式のふっ素樹脂の場合、その分子構造の中
に少量の第3成分を含むことは有り得る。
を結晶化熱量が40J/g以下、融点が325℃以下と
規定しているが、この規定値を外れると、高周波におけ
る電気特性や高温での機械特性が著しく低下する。な
お、ふっ素樹脂がPFAのときは、融点が305℃以
下、結晶化熱量が26J/g以下とすることが好まし
く、FEPのときは融点が275℃以下、結晶化熱量が
9J/g以下とすることが好ましい。
査熱量計(DSC)を用い、50〜360℃の間で10
℃/min の昇・降温スピードにより昇温、降温を2サイ
クル繰り返し、2回目の昇温時のDSC曲線の吸熱ピー
ク温度を融点とし、2回目の降温時の発熱ピークとベー
スラインに囲まれたピーク面積からJISK7122に
準じ、結晶化熱量を求めた。
酸素濃度10-3mol /g以下の不活性ガス雰囲気下で、
且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照
射線量1KGy〜10MGyの範囲で照射することによ
り製造することができる。
は、γ線、電子線、X線、中性子線、あるいは高エネル
ギーイオン等が使用される。電離性放射線の照射を行う
に際しては、ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱して
おく必要がある。例えばふっ素樹脂としてPTFEを使
用する場合には、この材料の結晶融点である327℃よ
りも高い温度にふっ素樹脂を加熱した状態で電離性放射
線を照射する必要があり、また、PFAやFEPを使用
する場合には、前者が310℃、後者が275℃に特定
される融点よりも高い温度に加熱して照射する。ふっ素
樹脂をその融点以上に加熱することは、ふっ素樹脂を構
成する主鎖の分子運動を活発化させることになり、その
結果、分子間の架橋反応を効率良く促進させることが可
能となる。但し、過度の加熱は、逆に分子主鎖の切断と
分解を招くようになるので、このような解重合現象の発
生を抑制する意味合いから、加熱温度はふっ素樹脂の融
点よりも10〜30℃高い範囲内に抑えるべきである。
離性放射線を照射して行ってもよく、また、シート、ブ
ロックまたはその他の形状のふっ素樹脂成形体に電離性
放射線を照射して行ってもよい。
層を含む絶縁基材の表面に形成される金属層には、一般
に銅が使用され、メッキ、あるいは電解箔銅や圧延銅箔
を接着することにより形成される。
ィルムに対して、酸素濃度10−5mol /g、窒素雰囲
気下、340℃の加熱温度のもとで電子線(加速電圧2
MeV)を照射線量が100KGyとなるように照射し
て改質PTFEフィルムを作製した。このフィルムの表
面をナトリウム/ナフタレン溶液で接着可能処理を行っ
た。続いて下記(1)〜(5)の素材を順次重ね合わせ
て熱プレスに挿入し、360℃で10分間加圧、加熱し
てプリント回路用積層基板を作製した。
し、下記(1)〜(5)の素材を順次重ね合わせて熱プ
レスに挿入し、360℃で10分間加圧、加熱してプリ
ント回路用積層基板を作製した。
エッチング処理、80μm厚) (3)改質PTFEフィルム(0.5mm厚) (4)ガラスクロスとPFAの複合フィルム(スパッタ
エッチング処理、80μm厚) (5)表面粗化銅箔(35μm厚) [比較例]下記(1)〜(5)の素材を順次重ね合わせ
て熱プレスに挿入し、360℃で10分間加圧、加熱し
てプリント回路用積層基板を作製した。
レン処理、0.5mm厚) (3)PTFE含浸ガラスクロス(60μm厚) (4)PTFEフィルム(未改質、ナトリウム/ナフタ
レン処理、0.5mm厚)(5)表面粗化銅箔(35μm
厚) 実施例1、2及び比較例のプリント回路用積層基板につ
いての特性評価を行い、その結果を表1に示した。ま
た、表1にPTFEフィルムの融点及び結晶化熱量を併
記した。なお、測定は、次に基づいて行った。
前述した方法に基づいて測定した。
10GHz)。
例と比較例との対比からも明らかなように、高周波にお
ける電気特性及び高温での機械特性に優れたプリント回
路用積層基板を実現できるようになる。
Claims (7)
- 【請求項1】結晶化熱量が40J/g以下で融点が32
5℃以下である改質ふっ素樹脂からなる層を少なくとも
1層有する絶縁基材の表面に、金属層を形成してなるこ
とを特徴とするプリント回路用積層基板。 - 【請求項2】前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエ
チレン系重合体からなる請求項1記載のプリント回路用
積層基板。 - 【請求項3】前記改質ふっ素樹脂は、結晶化熱量が26
J/g以下で融点が305℃以下である請求項1記載の
プリント回路用積層基板。 - 【請求項4】前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエ
チレン−パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)系共
重合体からなる請求項3記載のプリント回路用積層基
板。 - 【請求項5】前記改質ふっ素樹脂は、結晶化熱量が9J
/g以下で融点が275℃以下である請求項1記載のプ
リント回路用積層基板。 - 【請求項6】前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレン系共重合体からなる
請求項5記載のプリント回路用積層基板。 - 【請求項7】前記改質ふっ素樹脂は、ふっ素樹脂に酸素
濃度10-3mol /g以下の不活性ガス雰囲気下で、且つ
その融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線
量1KGy〜10MGyの範囲で照射したものである請
求項1記載のプリント回路用積層基板。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP30076798A JP3775074B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | プリント回路用積層基板 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN112442202A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种多层板用层间粘结片及其制备方法和应用 |
-
1998
- 1998-10-22 JP JP30076798A patent/JP3775074B2/ja not_active Expired - Fee Related
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CN112442202B (zh) * | 2019-09-04 | 2022-10-18 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种多层板用层间粘结片及其制备方法和应用 |
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JP3775074B2 (ja) | 2006-05-17 |
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