JP2000133686A - 被試験デバイスの不良ナビゲーションを行う不良解析装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のＩＣ不良解析装置間で、データの受け
渡しを効率よく行うことができるＩＣ不良解析装置を提
供する。 【解決手段】 ＩＣ不良解析装置１０は、状態データ
１６を出力する。状態データ１６に含まれる位置座標
は、ＩＣ不良解析装置１０上の座標として定められてい
る。状態データ１６は、ＥＢテスタ１２のデータ入力部
２０に入力され、それから解析データ（Ａ）３４として
ハードディスクに書き込まれる。解析データ（Ａ）３４
は、データ変換部２２に読み出される。データ変換部２
２は、ＩＣ不良解析装置１０で得られた座標データを、
ＥＢテスタ１２で利用するＣＡＤの座標フォーマットで
表現される位置データに変換する。ＣＡＤナビゲーショ
ン部２４は、被試験デバイス４２のマスクパターンのＣ
ＡＤ画像をディスプレイ装置３２に表示させる。解析デ
ータ（Ａ’）３６がＣＡＤナビゲーション部２４に読み
出されると、ＣＡＤナビゲーション部２４は、ディスプ
レイ装置３２に表示されたマスクパターンのＣＡＤ画像
上に、解析データ（Ａ’）に基づいた情報を表示する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣデバイス等を
試験するＩＣ不良解析装置に関し、特に、複数のＩＣ不
良解析装置間で、効率よくデータの受け渡しを行うこと
ができるＩＣ不良解析装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１は、ＩＣ不良解析装置１０において
解析された状態データを、ＥＢテスタ１２に受け渡す従
来の方法を示す。ＩＣ不良解析装置１０は、ＩＣデバイ
スの不良解析を行う装置であって、例えばゴミ検査装置
などを含む。ＥＢテスタ１２は、ＩＣ不良解析装置１０
によって解析された状態データに基づいて、更に詳細な
不良解析を行うことを目的とする。ＩＣ不良解析装置１
０は、試験対象であるＩＣデバイスの不良を解析し、解
析結果である状態データを出力する。ＩＣ不良解析装置
１０とＥＢテスタ１２が、異なるメーカにより製造され
ている場合、両者のデータフォーマット、例えば座標フ
ォーマットは通常異なっている。また、ＩＣ不良解析装
置１０とＥＢテスタ１２とが同一メーカにより製造され
ているときでも、両者の座標フォーマットが一致してい
るとは限らない。そのため、ＩＣ不良解析装置１０によ
る状態データが、ＩＣデバイス上の不良箇所を示す座標
データであるとき、ＥＢテスタ１２では、この座標デー
タをそのまま利用することができなかった。

【０００３】従来は、ＩＣ不良解析装置１０により解析
された状態データをＥＢテスタ１２で利用するために、
ユーザは、この状態データ（座標データ）に基づいて、
被試験デバイスのマスクパターンを示すＣＡＤの出力図
面１４の該当箇所に、不良を示す印をマーキングしてい
た。それから、ユーザは、マーキングしたＣＡＤ出力図
面１４を見ながら、ＥＢテスタ１２のディスプレイ装置
に表示される画像上の位置をマニュアルで指定してい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の状態データの受け渡しの際には、ユーザが、まず、Ｉ
Ｃ不良解析装置１０のディスプレイ装置に表示された画
像を見ながら、ＣＡＤ出力図面１４に、検出された不良
箇所をマーキングしなければならなかった。このとき、
ユーザがＣＡＤ出力図面１４上に場所を間違えてマーキ
ングすると、ＥＢテスタ１２を利用して被試験デバイス
の更なる試験を行っても、不良箇所の特定ができない
か、又は試験に要する時間が非常に長くなってしまう。
そこで、従来の不良解析システムにおいて、ユーザは、
ＩＣ不良解析装置１０で得られた解析結果（状態デー
タ）を、時間をかけて慎重にＣＡＤ図面にマーキングす
る必要があった。特に、ＩＣ不良解析装置１０において
多くの不良箇所が検出された場合、ユーザにとってマー
キングの作業は非常に面倒である。

【０００５】また、ＥＢテスタ１２を用いて被試験デバ
イスの試験をする場合、ユーザは、ＩＣ不良解析装置１
０における解析結果を直接利用することはできない。そ
のため、ユーザは、この解析結果をＥＢテスタ１２が読
み取れるようなデータにマニュアルで変換しなければな
らなかった。具体的には、ユーザは、マーキングしたＣ
ＡＤ出力図面１４と、ＥＢテスタ１２のディスプレイ装
置に表示されるマスクパターンとを見比べて、ＩＣ不良
解析装置１０による解析結果を、ＥＢテスタ１２のディ
スプレイ装置に表示されるマスクパターン上にポインテ
ィングしていた。このことにより、ユーザは操作上の不
便さを強いられ、特にＩＣ不良解析装置１０において多
くの不良箇所が検出されたときには、ユーザの不便さは
非常に大きくなる。そこで本発明は、上記課題を解決す
ることのできる不良解析装置を提供することを目的とす
る。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の
特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発
明の更なる有利な具体例を規定する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第１
の形態において、被試験デバイスの状態データに基づい
て、前記被試験デバイスの不良解析を行うと共に前記被
試験デバイスに関する画像をディスプレイ装置に表示さ
せる不良解析装置を提供し、前記不良解析装置は、前記
状態データが入力されるデータ入力部と、前記データ入
力部で入力された前記状態データを、前記被試験デバイ
ス用ＣＡＤ画像の座標フォーマットで表現される位置デ
ータに変換するデータ変換手段と、前記ディスプレイ装
置に、前記データ変換手段で変換された前記位置データ
に基づいた画像を表示させるＣＡＤナビゲーション手段
とを備えることを特徴としている。

【０００７】本発明の第１の形態における一つの態様で
は、前記ＣＡＤナビゲーション手段は、前記ディスプレ
イ装置に、前記被試験デバイスのマスクパターンを表示
させることができる。本発明の第１の形態における別の
態様では、不良解析装置が、前記ディスプレイ装置に前
記被試験デバイスの画像を表示させるデバイス表示制御
手段を、更に備えてもよい。本発明の第１の形態におけ
る更なる別の態様では、前記ディスプレイ装置に表示さ
れる前記被試験デバイスの前記マスクパターンと前記被
試験デバイスの画像は、前記ディスプレイ装置上で、連
動して動作することができる。

【０００８】本発明の第１の形態における更なる別の態
様では、前記ＣＡＤナビゲーション部は、前記被試験デ
バイスの不良解析を行うことにより得られる不良の内容
を示す不良データを、前記被試験デバイス用ＣＡＤ画像
の座標フォーマットで表現されるデータとして出力する
ことができる。本発明の第１の形態における更なる別の
態様では、前記ＣＡＤナビゲーション部は、前記ディス
プレイ装置に表示される前記被試験デバイスのマスクパ
ターンに、特定の印を、前記位置データに示される座標
位置に重ね合わせて表示させることができる。なお上記
の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙した
ものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーション
も又発明となりうる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲
にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中
で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決
手段に必須であるとは限らない。図２は、ＩＣ不良解析
装置１０とＥＢテスタ１２の間で、状態データを受け渡
す本発明の実施形態を示す。本発明は、複数のＩＣ不良
解析装置間で、効率よくデータを受け渡す技術に関す
る。ここで、ＥＢテスタ１２は、ＩＣ不良解析装置の一
例として示されているにすぎず、別の不良解析装置であ
ってよい。ＥＢテスタ１２は、他のＩＣ不良解析装置に
より解析された状態データに基づいて、より詳細な解析
を行うことができる。本実施形態において、ＥＢテスタ
１２は、コンピュータ３０、ディスプレイ装置３２、及
び荷電粒子線照射部４０を備える。本実施形態におい
て、ＩＣ不良解析装置は、ディスプレイ装置３２を備え
ているが、別の実施形態では、ディスプレイ装置３２
は、ＩＣ不良解析装置の外部に設けられてもよい。ＥＢ
テスタ１２は、ＩＣデバイスなどを試験する試験装置で
あり、被試験デバイスの回路の電圧を測定するテスト機
能と、被試験デバイスのＳＥＭ像を表示させるＳＥＭ機
能とを有する。

【００１０】コンピュータ３０は、ソフトウェア又はハ
ードウェアによる構成要素として、データ変換部２２、
ＣＡＤナビゲーション部２４、デバイス表示制御部２
６、及びＸＹステージ制御部２８を有する。また、コン
ピュータ３０は、ＩＣ不良解析装置１０により解析され
た状態データを入力するためのデータ入力部２０を備え
る。状態データは、例えば、被試験デバイスの不良箇所
の大まかな位置を示す座標データである。ＣＡＤナビゲ
ーション部２４は、デバイス表示制御部２６にリンクし
ている。荷電粒子線照射部４０は、被試験デバイス４２
に一次電子ビーム５６を照射する構成を有する。具体的
には、荷電粒子線照射部４０は、電子銃４４、対物レン
ズコイル４６、走査コイル４８、ＸＹステージ５０、シ
ンチレータ５２、及び光電子増倍管５４を有する。光電
子増倍管５４の出力は、コンピュータ３０のデバイス表
示制御部２６の入力端子に接続する。また、ＸＹステー
ジ５０は、コンピュータ３０のＸＹステージ制御部２８
によりＸ方向又はＹ方向の動作を制御される。被試験デ
バイス４２は、ＸＹステージ５０上に載置される。

【００１１】本発明の理解を容易にするために、まず、
荷電粒子線照射部４０のＳＥＭ機能を実現する各構成の
動作について説明する。電子銃４４が、被試験デバイス
４２に向けて一次電子ビーム５６を発射する。この一次
電子ビーム５６は、対物レンズコイル４６により被試験
デバイス４２に対して合焦される。更に、この一次電子
ビーム５６は、走査コイル４８に生じる磁界に従って、
被試験デバイス４２上を掃引する。一次電子ビーム５６
が被試験デバイス４２に衝突すると、二次電子５８が発
生し、この二次電子５８がシンチレータ５２に入射す
る。シンチレータ５２に二次電子５８が入射すると、閃
光が発せられ、この閃光は、光電子増倍管５４の光電面
にあたって光電子を放出する。シンチレータ５２および
光電子増倍管５４は、他の付属回路（図示せず）ととも
にシンチレーション検出器を構成する。シンチレーショ
ン検出器は、光電子増倍管の中を走る光電子を計数し、
計数信号を出力する。この計数信号は、付属回路（図示
せず）を通ってデバイス表示制御部２６に入力される。
デバイス表示制御部２６は、この計数信号に基づいて、
シンチレータ５２に入射した二次電子５８を明暗画像と
してディスプレイ装置３２に表示するＳＥＭ像信号を生
成する。

【００１２】次に、ＩＣ不良解析装置１０とＥＢテスタ
１２の間で、状態データを受け渡す実施例について説明
する。ＩＣ不良解析装置１０は、ＳＥＭ、メカニカルプ
ローバ、ＦＩＢ(Focussed Ion Beam)加工装置、ゴミ検
査装置などを含む。ＥＢテスタ１２は、前述したとお
り、ＩＣ不良解析装置の一例であって、ＳＥＭ、メカニ
カルプローバ、ＦＩＢ加工装置、ゴミ検査装置などの別
のＩＣ不良解析装置に置き換えられてもよい。ＩＣ不良
解析装置１０は、被試験デバイス４２を検査して、不良
を解析し、状態データ１６を出力する。この状態データ
１６には、例えば、被試験デバイス４２の不良箇所の位
置座標などが含まれる。この位置座標は、被試験デバイ
ス４２に関してＩＣ不良解析装置１０上の座標として定
められている。ここで、被試験デバイス４２の不良箇所
が分かっている場合、又は、被試験デバイス４２の配線
パターンなどから不良の生じやすい特定の箇所が予め分
かっている場合には、状態データ１６は、予めデータフ
ァイルとして構成されてもよい。

【００１３】状態データ１６は、ＥＢテスタ１２のデー
タ入力部２０に入力される。ＩＣ不良解析装置１０とＥ
Ｂテスタ１２は、インターフェースで接続されてもよ
く、ＩＣ不良解析装置１０の出力する状態データ１６
は、オンラインでデータ入力部２０に入力されてもよ
い。このとき、データ入力部２０は、インターフェース
用端子として構成される。また、状態データ１６は、フ
ロッピーディスク等を用いてオフラインでデータ入力部
２０に入力されてもよい。また、状態データ１６は、ユ
ーザにより、ＥＢテスタ１２のコンピュータ３０に、キ
ーボード等の入力手段を用いて入力されてもよい。この
場合、データ入力部２０は、フロッピーディスクドライ
バであったり、また、ユーザが入力するために用いるキ
ーボード又はポインティングデバイスであってもよい。
データ入力部２０を通じて、ＩＣ不良解析装置１０の座
標で表現される状態データ１６が、ＥＢテスタ１２のハ
ードディスクに書き込まれる。

【００１４】従来におけるデータの受け渡しでは、ユー
ザが、ＩＣ不良解析装置１０での解析結果をＣＡＤ出力
図面にマーキングし、マーキングされたＣＡＤ図面に基
づいて、ＥＢテスタ１２のＣＡＤ画面上で、ＩＣ不良解
析装置１０で解析された不良箇所の特定を行っていた。
前述したとおり、従来の方法では、ＩＣ不良解析装置１
０とＥＢテスタ１２の座標フォーマットが異なる場合
に、ＩＣ不良解析装置１０で得られた不良箇所の座標デ
ータを、ＥＢテスタ１２でそのまま利用することができ
なかった。本実施形態においては、ＩＣ不良解析装置１
０の座標フォーマットで表現された状態データ１６が、
データ入力部２０を通じて、解析データ（Ａ）３４とし
てハードディスクに書き込まれる。解析データ（Ａ）３
４は、ＩＣ不良解析装置１０の座標フォーマットで表現
された座標データである。この解析データ（Ａ）３４
は、データ変換部２２に読み出される。

【００１５】データ変換部２２は、第１座標フォーマッ
トで表現された第１座標データを、別の第２座標フォー
マットで表現される第２座標データに変換するデータ変
換アルゴリズムを有する。第１座標データと第２座標デ
ータは、一対一に対応する。このデータ変換アルゴリズ
ムは、一般には、第１座標フォーマットの大きさと、第
２座標フォーマットの大きさに基づいて定められる。本
実施形態において、データ変換部２２は、ＩＣ不良解析
装置１０で得られた座標データを、ＥＢテスタ１２で利
用するＣＡＤの座標フォーマットで表現される位置デー
タに変換する。具体的には、解析データ（Ａ）３４が、
ＥＢテスタ１２におけるＣＡＤの座標フォーマットで表
現される解析データ（Ａ’）３６に変換される。

【００１６】ＣＡＤナビゲーション部２４は、被試験デ
バイス４２のマスクパターンのＣＡＤ画像をディスプレ
イ装置３２に表示させる。解析データ（Ａ’）３６がＣ
ＡＤナビゲーション部２４に読み出されると、ＣＡＤナ
ビゲーション部２４は、ディスプレイ装置３２に表示さ
れたマスクパターンのＣＡＤ画像上に、解析データ
（Ａ’）に基づいた情報を表示する。例えば、その情報
は、ＩＣ不良解析装置１０で解析された被試験デバイス
４２上の不良箇所を示す情報である。また、デバイス表
示制御部２６は、被試験デバイス４２をＳＥＭ表示する
ためのＳＥＭ像信号を、ディスプレイ装置３２に出力す
る。このように、ディスプレイ装置３２は、試験されて
いる被試験デバイス４２のＳＥＭ像と、被試験デバイス
４２のマスクパターン像の両方を表示する。

【００１７】ディスプレイ装置３２に表示される被試験
デバイス４２のＳＥＭ像とマスクパターン像は、被試験
デバイス４２上の同一箇所を同一スケールで表示される
のが好ましい。更に、ＣＡＤナビゲーション部２４とデ
バイス表示制御部２６は、互いにリンクしており、常に
同一箇所を表示できるように連動するのが好ましい。Ｅ
Ｂテスタ１２のユーザが、ディスプレイ装置３２に表示
されるマスクパターン像をスクロールして回路パターン
を追いかける場合、デバイス表示制御部２６は、ＳＥＭ
像がマスクパターン像に同期してスクロールするように
ＸＹステージ制御部２８を制御する。ＸＹステージ制御
部２８は、マスクパターン像の動きに同期して、ディス
プレイ装置３２に表示されているマスクパターン像と同
一箇所の被試験デバイス４２のＳＥＭ像を得ることがで
きるように、ＸＹステージ５０を動かすことができる。

【００１８】ＥＢテスタ１２は、回路を流れる電圧を測
定することにより、不良箇所を正確に特定することがで
きるテスト機能を有する。図２においては、このような
機能を実現するための詳細な構成は開示されていない。
このテスト機能を利用して解析された不良データ情報
は、ＣＡＤナビゲーション部２４によって、ハードディ
スクに解析データ（Ｂ）３８として格納される。解析デ
ータ（Ｂ）３８は、解析データ（Ａ’）３６に基づいて
解析された不良データ情報であって、解析データ
（Ａ’）３６のフォーマットと同じフォーマットで出力
される。不良データ情報は、被試験デバイス４２の詳細
な不良の内容を示す。図３は、ディスプレイ装置３２に
表示される被試験デバイス４２のマスクパターンの一例
を示す。ｐｏｓＡ、ｐｏｓＢ、及びｐｏｓＣは、ＩＣ不
良解析装置１０において検出された不良箇所である。図
３において平行斜線を引かれた領域は、マスクパターン
におけるライン部分を示す。

【００１９】ユーザが解析データ（Ａ’）３６のうちの
一つのデータを指定すると、ＣＡＤナビゲーション部２
４は、そのデータにより示される座標を中心とするマス
クパターンをディスプレイ装置３２に表示させる。図３
に示された例においては、ユーザが、解析データ
（Ａ’）に含まれるｐｏｓＢの座標を指定し、その結
果、ｐｏｓＢを中心とするマスクパターンが、ディスプ
レイ装置３２に表示されている。前述したとおり、ディ
スプレイ装置３２は、図３に示されたマスクパターンと
同一箇所の被試験デバイス４２のＳＥＭ像も表示する。
ユーザは、ディスプレイ装置３２において、同一箇所の
マスクパターン像とＳＥＭ像を並べて見ることが可能と
なるので、被試験デバイス４２の状態を明確に把握する
ことが可能となる。また、ＣＡＤナビゲーション部２４
は、解析データ（Ａ’）３６に基づいて、ディスプレイ
装置３２に表示されるマスクパターン像上に、ＩＣ不良
解析装置１０で解析された不良箇所の位置を特定するた
めの特定の印（図３において、”＋”の表示）を重ね合
わせて表示させることができる。ユーザが、ディスプレ
イ装置３２上でこの印を明確に認識できるように、この
印は、周辺のパターンを表示する色とは別の色で表示さ
れるのが好ましい。ユーザは、表示された”＋”を基準
として、ディスプレイ装置３２に表示される画像をスク
ロールすることによって、被試験デバイス４２のパター
ンを容易に追いかけることができるようになる。

【００２０】図４は、本実施形態で用いられる解析デー
タの一例を示す。図４（ａ）は、解析データ（Ａ）３４
を示す。解析データ（Ａ）３４は、ＩＣ不良解析装置１
０により検出された不良箇所を示す座標データであり、
ＩＣ不良解析装置１０の座標フォーマットで表現されて
いる。この例によると、ＩＣ不良解析装置１０におい
て、被試験デバイス４２のディスプレイ装置３２に表示
された範囲では、３個所（ｐｏｓＡ，ｐｏｓＢ，ｐｏｓ
Ｃ）で不良が検出されている。１列目のデータは、不良
箇所を特定する識別情報であり、２列目のデータは、Ｉ
Ｃ不良解析装置１０における不良箇所のＸ座標、及び３
列目のデータは、ＩＣ不良解析装置１０における不良箇
所のＹ座標を表す。

【００２１】図４（ｂ）は、解析データ（Ａ’）３６を
示す。解析データ（Ａ’）３６は、解析データ（Ａ）３
４に基づいて、データ変換部２２により変換された位置
データであり、ＥＢテスタ１２のＣＡＤの座標フォーマ
ットで表現されている。図４（ａ）及び（ｂ）に示され
た例によると、解析データ（Ａ’）３６は、解析データ
（Ａ）３４の座標データを１０００分の１倍にすること
によって、解析データ（Ａ）３４から変換されている。
１列目のデータは、ディスプレイ装置に表示するときの
表示単位および表示色などを定め、２列目のデータは、
ＥＢテスタ１２のＣＡＤの座標フォーマットで表現され
たＸ座標、３列目のデータは、ＥＢテスタ１２のＣＡＤ
の座標フォーマットで表現されたＹ座標、４列目のデー
タは、ＩＣ不良解析装置１０で検出された不良箇所の識
別情報である。図４（ｃ）は、解析データ（Ｂ）３８を
示す。解析データ（Ｂ）３８は、解析データ（Ａ’）３
６に基づいて、ＥＢテスタ１２のテスト機能を用いて解
析された解析データであり、ＥＢテスタ１２のＣＡＤの
座標フォーマットで表現されている。１列目のデータ
は、ディスプレイ装置に表示するときの表示単位および
表示色などを定め、２列目のデータは、ＥＢテスタ１２
のＣＡＤの座標フォーマットで表現されたＸ座標、３列
目のデータは、ＥＢテスタ１２のＣＡＤの座標フォーマ
ットで表現されたＹ座標、４列目のデータは、ＥＢテス
タ１２で検出された不良箇所の識別情報である。

【００２２】図３に示される回路において、信号が、左
から右向きに伝送される場合を考える。ＩＣ不良解析装
置１０で解析された状態データは、一般に大まかなもの
であり、ＥＢテスタ１２は、このような状態データに基
づいて、より詳細な不良データを解析することを可能と
する。ユーザは、ＩＣ不良解析装置１０から大まかな不
良内容を示す状態データを得た後、ＥＢテスタ１２を用
いて、状態データに基づいて、不良箇所を正確に特定す
る。従って、ＥＢテスタ１２により検出される正確な不
良位置は、ＩＣ不良解析装置１０で解析された不良箇所
（ｐｏｓＡ，ｐｏｓＢ，ｐｏｓＣ）の位置よりも上流
側、すなわち、この例においてはＸ方向の左側にある。

【００２３】前述したとおり、図４（ｂ）は、ＩＣ不良
解析装置１０により解析された不良位置のＣＡＤ上の座
標データを示し、図４（ｃ）は、ＥＢテスタ１２により
解析された正確な不良位置のＣＡＤ上の座標データを示
す。ｐｏｓＡ、ｐｏｓＢ、及びｐｏｓＣと、ｐｏｓＤ、
ｐｏｓＥ、及びｐｏｓＦの関係を以下に説明する。この
実施形態において、ＥＢテスタ１２は、ｐｏｓＡの状態
データ（座標データ）に基づいて、ｐｏｓＤの不良デー
タを出力する。同様に、ＥＢテスタ１２は、ｐｏｓＢの
状態データ（座標データ）に基づいて、ｐｏｓＥの不良
データを出力し、また、ｐｏｓＣの状態データ（座標デ
ータ）に基づいて、ｐｏｓＦの不良データを出力する。
信号が左から右の向きに流れるとき、ｐｏｓＤ、ｐｏｓ
Ｅ、及びｐｏｓＦは、ｐｏｓＡ、ｐｏｓＢ、及びｐｏｓ
Ｃのそれぞれ上流側、すなわち図３においては左側に位
置する。このことは、ｐｏｓＡとｐｏｓＤ、ｐｏｓＢと
ｐｏｓＥ、及びｐｏｓＣとｐｏｓＦのＸ座標を比較する
と明らかである。本実施形態では、解析データ（Ａ）、
（Ａ’）及び（Ｂ）について、座標データを用いて説明
してきた。しかし、以上の解析データは、座標データに
限定されず、ネットリスト名、セル名などの領域を特定
するデータであってよい。

【００２４】ＥＢテスタ１２により解析された不良デー
タは、不良箇所を正確に特定する。ユーザは、この不良
データに基づいて、不良箇所における不良の原因を解析
し、ＩＣデバイス製造の歩留まり向上などを図ることが
できる。上記説明から明らかなように、本発明によれ
ば、ＩＣ不良解析装置間で、効率よくデータを受け渡す
ことが可能となる。以上、本発明を実施の形態を用いて
説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記
載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変
更又は改良を加えることができることが当業者に明らか
である。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の
技術的範囲に含まれることが、特許請求の範囲の記載か
ら明らかである。

【００２５】

【発明の効果】本発明によると、複数のＩＣ不良解析装
置間で、効率よくデータを受け渡すことが可能となる、
という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】複数のＩＣ不良解析装置間でデータを受け渡す
従来の方法を示す。

【図２】複数のＩＣ不良解析装置間でデータを受け渡
す、本発明の一つの実施形態による構成を示す。

【図３】ディスプレイ装置３２に表示される被試験デバ
イス４２のマスクパターンの一例を示す。

【図４】（ａ）は、解析データ（Ａ）３４の一例を示
し、（ｂ）は、解析データ（Ａ’）３６の一例を示し、
（Ｃ）は、解析データ（Ｂ）３８の一例を示す。

【符号の説明】

１０・・・ＩＣ不良解析装置、１２・・・ＥＢテスタ、
１４・・・ＣＡＤ出力図面、１６・・・状態データ、２
０・・・データ入力部、２２・・・データ変換部、２４
・・・ＣＡＤナビゲーション部、２６・・・デバイス表
示制御部、２８・・・ＸＹステージ制御部、３０・・・
コンピュータ、３２・・・ディスプレイ装置、３４・・
・解析データ（Ａ）、３６・・・解析データ（Ａ’）、
３８・・・解析データ（Ｂ）、４０・・・荷電粒子線照
射部、４２・・・被試験デバイス、４４・・・電子銃、
４６・・・対物レンズコイル、４８・・・走査コイル、
５０・・・ＸＹステージ、５２・・・シンチレータ、５
４・・・光電子増倍管、５６・・・一次電子ビーム、５
８・・・二次電子

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年１２月４日（１９９８．１２．
４）

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣデバイス等を
試験するＩＣ不良解析装置に関し、特に、被試験デバイ
スの不良ナビゲーションを行うＩＣ不良解析装置に関す
る。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲
にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中
で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決
手段に必須であるとは限らない。図２は、ＩＣ不良解析
装置１０とＥＢテスタ１２の間で、状態データを受け渡
す本発明の実施形態を示す。本発明は、複数のＩＣ不良
解析装置間で、効率よくデータを受け渡す技術に関す
る。ここで、ＥＢテスタ１２は、ＩＣ不良解析装置の一
例として示されているにすぎず、別の不良解析装置であ
ってよい。ＥＢテスタ１２は、他のＩＣ不良解析装置に
より解析された状態データに基づいて、被試験デバイス
４２の不良ナビゲーションを行い、より詳細な解析を行
うことができる。本実施形態において、ＥＢテスタ１２
は、コンピュータ３０、ディスプレイ装置３２、及び荷
電粒子線照射部４０を備える。本実施形態において、Ｉ
Ｃ不良解析装置は、ディスプレイ装置３２を備えている
が、別の実施形態では、ディスプレイ装置３２は、ＩＣ
不良解析装置の外部に設けられてもよい。ＥＢテスタ１
２は、ＩＣデバイスなどを試験する試験装置であり、被
試験デバイス４２の回路の電圧を測定するテスト機能
と、被試験デバイスのＳＥＭ像を表示させるＳＥＭ機能
とを有する。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１９】ユーザが解析データ（Ａ'）３６のうちの
一つのデータを指定すると、ＣＡＤナビゲーション部２
４は、そのデータにより示される座標を中心とするマス
クパターンをディスプレイ装置３２に表示させる。図３
に示された例においては、ユーザが、解析データ
（Ａ'）に含まれるｐｏｓＢの座標を指定し、その結
果、ｐｏｓＢを中心とするマスクパターンが、ディスプ
レイ装置３２に表示されている。前述したとおり、ディ
スプレイ装置３２は、図３に示されたマスクパターンと
同一箇所の被試験デバイス４２のＳＥＭ像も表示する。
ユーザは、ディスプレイ装置３２において、同一箇所の
マスクパターン像とＳＥＭ像を並べて見ることが可能と
なるので、被試験デバイス４２の状態を明確に把握する
ことが可能となる。また、ＣＡＤナビゲーション部２４
は、解析データ（Ａ'）３６に基づいて、ディスプレイ
装置３２に表示されるマスクパターン像上に、ＩＣ不良
解析装置１０で解析された不良箇所の位置を特定するた
めの特定の印（図３において、"＋"の表示）を重ね合わ
せて表示させることができる。ユーザが、ディスプレイ
装置３２上でこの印を明確に認識できるように、この印
は、周辺のパターンを表示する色とは別の色で表示され
るのが好ましい。ユーザは、表示された"＋"を基準とし
て、ディスプレイ装置３２に表示される画像をスクロー
ルすることによって、被試験デバイス４２のパターンを
容易に追いかけることができるようになる。以上のよう
に、本発明によるＣＡＤナビゲーション部２４を備えた
不良解析装置は、被試験デバイス４２の不良ナビゲーシ
ョンを行うことができる。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被試験デバイスの状態データに基づい
   て、前記被試験デバイスの不良解析を行うと共に前記被
   試験デバイスに関する画像をディスプレイ装置に表示さ
   せる不良解析装置であって、 前記状態データが入力されるデータ入力部と、 前記データ入力部で入力された前記状態データを、前記
   被試験デバイス用ＣＡＤ画像の座標フォーマットで表現
   される位置データに変換するデータ変換手段と、 前記ディスプレイ装置に、前記データ変換手段で変換さ
   れた前記位置データに基づいた画像を表示させるＣＡＤ
   ナビゲーション手段とを備えることを特徴とする不良解
   析装置。
2. 【請求項２】 前記ＣＡＤナビゲーション手段は、前記
   ディスプレイ装置に、前記被試験デバイスのマスクパタ
   ーンを表示させることを特徴とする請求項１に記載の不
   良解析装置。
3. 【請求項３】 前記ディスプレイ装置に前記被試験デバ
   イスの画像を表示させるデバイス表示制御手段を、更に
   備えることを特徴とする請求項２に記載の不良解析装
   置。
4. 【請求項４】 前記ディスプレイ装置に表示される前記
   被試験デバイスの前記マスクパターンと前記被試験デバ
   イスの画像は、前記ディスプレイ装置上で、連動して動
   作することを特徴とする請求項３に記載の不良解析装
   置。
5. 【請求項５】 前記ＣＡＤナビゲーション部は、前記被
   試験デバイスの不良解析を行うことにより得られる不良
   の内容を示す不良データを、前記被試験デバイス用ＣＡ
   Ｄ画像の座標フォーマットで表現されるデータとして出
   力することを特徴とする請求項１に記載の不良解析装
   置。
6. 【請求項６】 前記ＣＡＤナビゲーション部は、前記デ
   ィスプレイ装置に表示される前記被試験デバイスのマス
   クパターン上に、特定の印を、前記位置データに示され
   る座標位置に重ね合わせて表示させることを特徴とする
   請求項２に記載の不良解析装置。