JP2000125207A - 画素アレイ駆動方法及びそのイメ―ジセンサ - Google Patents

画素アレイ駆動方法及びそのイメ―ジセンサ

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JP2000125207A JP11292368A JP29236899A JP2000125207A JP 2000125207 A JP2000125207 A JP 2000125207A JP 11292368 A JP11292368 A JP 11292368A JP 29236899 A JP29236899 A JP 29236899A JP 2000125207 A JP2000125207 A JP 2000125207A
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    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 不要な漏洩電流を減らし安定した電力供給を
通じてイメージセンサの画質を改善するための単位画素
駆動方法を提供すること。 【解決手段】単位画素はトランスファートランジスタ、
リセットトランジスタ、ドライブトランジスタ及びセレ
クトトランジスタで構成される。相互関連された二重サ
ンプリング方式下で、前記リセットトランジスタがター
ンオフされた後所定時間内に前記セレクトトランジスタ
をターンオンさせて前記ドライブトランジスタを通じて
電源電圧端から伝えられたリセット電圧レベルを単位画
素出力信号で出力する。電源電圧端が直接的に単位画素
の出力と連結しないことで不要な電力消耗を效果的に減
らし画質を改善する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明はイメージセンサに関
し、特に電力消耗を低減させながら画質を改善させるこ
とができるイメージセンサを駆動させるための方法及び
そのイメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、イメージセンサとは光に反応
する半導体の性質を用いてイメージを捕獲(capture)す
る装置である。このようなイメージセンサは本願発明と
同一出願人によって出願され係留中の「CMOSセンサ及び
その駆動方法」という発明の名称で特願平１１−１２９
１５４号に掲載されている。
【０００３】前記イメージセンサに含まれる制御及びシ
ステムインターフェースユニットは集積時間、スキャン
アドレス(scan addresses)、動作モード、フレームレー
ト(frame rate)、バンク(bank)及びクロック分割(clock
division）を制御することによってイメージセンサを
制御し、外部システムとのインターフェース役割を遂行
する。Ｍ×Ｎ個の単位画素を含む画素アレイは被写体か
らのイメージを感知する。
【０００４】一般的に、イメージセンサは相互関連され
た二重サンプリング方式(correlated double sampling
method、以下ＣＤＳとする）を利用することによって高
画質を獲得する。ＣＤＳを具現するために、各単位画素
は例えば、フォトダイオード及び4個のトランジスタを
含む。また、単位画素で4個のトランジスタはトランス
ファートランジスタ(transfer transistor)、リセット
トランジスタ(reset transistor)、ドライブトランジス
タ(drive transisotr)及びセレクトトランジスタ(selec
t transistor)を含む。ＣＤＳによって単位画素は制御
及びシステムインターフェースユニットの制御下でトラ
ンスファートランジスタがターンオフ(turn-off)状態
を、リセットトランジスタがターンオン(turn-on)状態
を維持する間セレクトトランジスタをターンオン(turn-
on)させることによってリセット電圧レベルを獲得す
る。また、単位画素はリセットトランジスタがターンオ
フ状態を維持する間、トランスファートランジスタをタ
ーンオフさせて制御及びシステムインターフェースユニ
ットの制御下でフォトダイオードで生成された光電荷を
読み出すことによってデータ電圧レベルを獲得する。結
論的に、単位画素での予期できない電圧が效果的に除去
できて、純粋なイメージ電圧値は単位画素出力信号とし
てリセット電圧レベル及びデータ電圧レベルを利用する
ことによって獲得できる。
【０００５】図3を参照すれば、ＣＤＳのための制御方
式を表すタイミング図が図示されている。リセットトラ
ンジスタ及びセレクトトランジスタが各々ターンオン状
態及びターンオフ状態を維持する間にターンオンされた
トランスファートランジスタがトランスファー制御信号
(Tx1)に応答してターンオフされ所定時間の間ターンオ
フ状態を維持する。図に示すように、リセットトランジ
スタ及びトランスファートランジスタが各々ターンオン
状態及びターンオフ状態を維持する間にセレクトトラン
ジスタがセレクト制御信号(Sx1)に応答してターンオン
されることによってリセット電圧レベルが単位画素出力
信号としてドライブトランジスタ及びセレクトトランジ
スタを介して出力される。
【０００６】ただし、このような場合にリセットトラン
ジスタ及びセレクトトランジスタがドライブトランジス
タ及びセレクトトランジスタを介してリセット電圧レベ
ルを出力するために同時にターンオンされなければなら
ない。この時、電源及び接地間の電流経路(current pat
h)が形成されるため不要な漏洩電流が流れることがあり
得る。
【０００７】また、図4に示すように、電源ライン３１
０は画素アレイ３００周辺に配置される。図4の区間Bで
引き起こされた漏洩電流は電源ライン３１０に隣接する
単位画素に対する影響は小さいが、画素アレイの中央部
に配置された単位画素の場合に、漏洩電流により電力消
耗が発生するため低下された電圧レベルが単位画素３２
０に供給されることがあり得る。したがって、従来イメ
ージセンサでは出力されるイメージ値レベルが低くなっ
て画質が低下される問題点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点を
解決するために案出されたもので、不要な漏洩電流を減
らし安定した電力供給を通じてイメージセンサの画質を
改善するための単位画素駆動方法を提供することにその
目的がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の画素アレイ駆動方法は、イメージセンサであ
って、物体から光を受信して光電荷を生成するための光
感知手段、入力信号を増幅して出力するための増幅手
段、前記入力信号として前記光感知手段からの前記光電
荷を前記増幅手段に伝達するための第1スイッチング手
段、電源からリセット電圧レベルを前記光感知手段に伝
達するための第2スイッチング手段と、単位画素出力信
号として前記増幅された信号及び前記リセット電圧レベ
ルを出力するための第3スイッチング手段でなされた多
数の単位画素を含む画素アレイを駆動させるための方法
において、前記第1、第2及び第3スイッチング手段を制
御して前記リセット電圧レベルを前記光感知手段に提供
して前記光感知手段の空乏領域を完全空乏させる第1ス
テップと、前記第1ステップが完了した後第1所定時間以
後、前記第1及び第3スイッチング手段がターンオフ(tur
n-off)状態を維持する間前記第2スイッチング手段をタ
ーンオフさせる第2ステップと、前記第2ステップが完了
した後第2所定時間内に、前記第1及び第2スイッチング
手段が前記ターンオフ状態を維持する間に前記第3スイ
ッチング手段をターンオン(turn-on)させ単位画素出力
信号として前記リセット電圧レベルを出力する第3ステ
ップを含んでなることを特徴とする。
【００１０】また、本発明のイメージセンサーは、イメ
ージを電気的な信号に変換するためのイメージセンサに
おいて、物体から光を受信して光電荷を生成するための
光感知手段、入力信号を増幅して前記増幅された信号及
びリセット電圧レベルを出力するための増幅手段、第1
制御信号に応答して前記入力信号として前記光感知手段
からの前記光電荷を前記増幅手段に伝達するための第1
スイッチング手段、第2制御信号に応答して電源からの
リセット電圧レベルを前記光感知手段及び前記増幅手段
に伝達するための第2スイッチング手段、第3制御信号に
応答して単位画素出力信号として前記増幅された信号及
び前記リセット電圧レベルを出力するための第3スイッ
チング手段で構成された多数の単位画素を含んで、光電
荷に相応する増幅された信号及び前記単位画素出力信号
としてリセット電圧レベルを出力する画素アレイと、前
記第1スイッチング手段がターンオフ状態にある間に前
記第2スイッチング手段が前記第2制御信号に応答してタ
ーンオフされ、前記第3スイッチング手段が前記第2スイ
ッチング手段のターンオフ状態以後所定時間内に前記第
3制御信号に応答してターンオンされて単位画素出力信
号として前記増幅手段及び前記第3スイッチング手段を
通じて前記リセット電圧レベルを出力する第1単位画素
出力制御モードを含む制御モードによって前記第1、第2
及び第3制御信号を生成して前記画素アレイを制御する
ための制御手段とを含むことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施形態】以下、図面を参照して本発明の一実
施の形態を詳細に説明する。図1及び図２に示すイメー
ジセンサは、制御及びシステムインターフェースユニッ
ト１０、多数の光感知素子で構成された画素アレイ２
０、単一傾斜アナログ/デジタル変換器３０で構成され
る。また、前記単一傾斜アナログ/デジタル変換器３０
は基準電圧を発生するランプ電圧発生器３１、前記ラン
プ電圧信号と前記画素アレイからのアナログ信号を比較
するための比較器３２及び二重バッファー４０からな
る。
【００１２】前記制御及びシステムインターフェースユ
ニット１０は集積時間、スキャンアドレス(scan addres
s)、動作モード、フレームレート(frame rate)、バンク
(bank)及びクロック分割(clock division）を制御して
前記イメージセンサを制御し、また外部システムとのイ
ンターフェース機能を有する。前記画素アレイ２０は横
Ｍ個、縦Ｎ個で配列(Ｍ×Ｎ)された単位画素で構成され
て、各単位画素は光感知素子を含んでいて物体からイメ
ージを感知する。前記単一傾斜アナログ/デジタル変換
器３０は前記画素アレイ２０からの単位画素出力信号を
含むアナログ信号をデジタル信号に変換する。このよう
なアナログ/デジタル変換は制御信号に応答して前記ラ
ンプ電圧信号と前記アナログ信号を比較することによっ
て遂行される。前記アナログ信号に該当する変換された
デジタル値を前記二重バッファー４０に貯蔵する。
【００１３】図２は画素アレイを構成する単位画素を表
す図である。図２に示すように、画素アレイ(図1の２
０）は行列形態で配列された多数の単位画素で構成され
ている。各単位画素１００、１００ｎは光感知素子でフ
ォトダイオード１０１，１０２と4個のトランジスタで
構成されている。また、4個のトランジスタは第1スイッ
チング素子でトランスファートランジスタＭＴ１、第2
スイッチング素子でリセットトランジスタＭＲ１、増幅
素子でドライブトランジスタＭＤ１及び第3スイッチン
グ素子でセレクトトランジスタＭＳ１を含んでなる。前
記フォトダイオード１０１は物体から光を受けて光電荷
を生成し、前記トランスファートランジスタＭＴ１は前
記フォトダイオード１０１で生成された光電荷をセンシ
ングノードＮ１を通じて入力信号として前記ドライブト
ランジスタＭＤ１に伝達する。前記リセットトランジス
タＭＲ１は電源電圧ＶＤＤから前記フォトダイオード１
０１及び前記ドライブトランジスタＭＤ１にリセット電
圧レベルを伝達する。前記ドライブトランジスタＭＤ１
はソースフォロワ(source follower)の役割をし前記フ
ォトダイオード１０１及び前記リセットトランジスタＭ
Ｒ１からの入力信号を増幅する。前記セレクトトランジ
スタＭＳ１は単位画素出力信号で前記増幅された信号ま
たは前記リセット電圧レベルを出力する。本発明に係る
一実施の形態では前記4個のトランジスタはＮＭＯＳト
ランジスタで具現可能である。
【００１４】本発明に係るイメージセンサは相互関連さ
れた二重サンプリング方式(correlated double samplin
g、ＣＤＳ）を支援し、高画質のイメージを得ることが
できる。
【００１５】図5は本発明に係る、図２に示した単位画
素を構成するトランジスタを制御するための制御信号の
タイミング図を表す。図２及び図５を参照しながら前記
単位画素の動作を説明する。
【００１６】単位画素出力信号を得るために、前記単位
画素の動作によってリセット制御モード１’、第1単位
画素出力モード２’及び第2単位画素出力モード３’で
構成された３つの制御モードで構成される。
【００１７】前記フォトダイオード１０１内に完全空乏
領域(fully depleted region）を生成するために前記ト
ランスファートランジスタＭＴ１、前記リセットトラン
ジスタＭＲ１及び前記セレクトトランジスタＭＳ１を制
御する前記リセット制御モード１’は次の通りである。
【００１８】イ）Ａ’区間は、前記トランスファートラ
ンジスタＭＴ１及び前記セレクトトランジスタＭＳ１が
ターンオフ状態を維持する間に、リセット制御信号Ｒｘ
１に応答して前記リセットトランジスタＭＲ１をターン
オンさせる。 ロ）Ａ２’区間は、前記リセットトランジスタＭＲ１が
ターンオン状態を、前記セレクトトランジスタＭＳ１が
ターンオフ状態を維持する間に、トランスファー制御信
号Ｔｘ１に応答して前記トランスファートランジスタＭ
Ｔ１を所定時間の間ターンオンさせる。したがって、前
記電源電圧が前記トランスファートランジスタＭＴ１を
通じて前記フォトダイオード１０１に伝達され、前記フ
ォトダイオード１０１内に完全空乏領域を作る。これは
前記フォトダイオード１０１のリセット(reset）を意味
する。
【００１９】それに対し、前記トランスファートランジ
スタＭＴ１がターンオフ状態を維持する時、前記フォト
ダイオード１０１が物体から光を受けてその光に該当す
る光電荷を発生させ、さらに単位画素出力信号としてリ
セット電圧レベルを出力させる前記第1単位画素出力モ
ード２’は次の通りである。
【００２０】イ）Ｂ１’区間は、前記リセットトランジ
スタＭＲ１がターンオン状態を、前記セレクトトランジ
スタＭＳ１がターンオフ状態を維持する間、前記トラン
スファー制御信号Ｔｘ１に応答して前記トランスファー
トランジスタＭＴ１をターンオフさせて所定時間の間タ
ーンオフ状態を維持させる。
【００２１】ロ）Ｂ２’区間は、前記トランスファート
ランジスタＭＴ１及び前記セレクトトランジスタＭＳ１
がターンオフ状態を維持する間、前記リセット制御信号
Ｒｘ１に応答して前記リセットトランジスタＭＲ１をタ
ーンオフさせ、前記単位画素１００の出力端で前記リセ
ット電圧レベルを安定化(settling)させる。
【００２２】ハ）Ｂ３’区間は、前記トランスファート
ランジスタＭＴ１及び前記リセットトランジスタＭＲ１
がターンオフ状態を維持する間、前記セレクト制御信号
Ｓｘ１に応答して前記リセットトランジスタＭＲ１がタ
ーンオフされた後所定時間内に前記セレクトトランジス
タＭＳ１をターンオンさせて、前記リセット電圧レベル
を単位画素出力信号で出力して、同時に前記アナログ/
デジタル変換器(図１の３０)により前記リセット電圧レ
ベルをサンプリングする(Ｂ４’区間)。この時、前記Ｂ
１’区間から前記Ｂ３’区間の間前記フォトダイオード
１０１で光電荷が発生する。この実施の形態では前記セ
レクトトランジスタＭＳ１は前記リセットトランジスタ
ＭＲ１がターンオフされた後所定時間以後にターンオン
させ電力消耗を減らすことができる。さらに、前記所定
時間は前記フォトダイオード１０１と接地間、センシン
グノードＮ１と接地間のキャパシタンスによって決定さ
れる。
【００２３】また、前記フォトダイオード１０１で生成
された光電荷に該当するデータ電圧レベルを出力してサ
ンプリングする前記第2単位画素出力モード３’は次の
通りである。
【００２４】イ）Ｃ１’区間は、前記リセットトランジ
スタＭＲ１がターンオフ状態を、前記セレクトトランジ
スタＭＳ１がターンオン状態を維持する間、前記トラン
スファー制御信号Ｔｘ１に応答して所定時間の間前記ト
ランスファートランジスタＭＴ１をターンオンさせて、
前記データ電圧レベルを前記ドライブトランジスタＭＤ
１及び前記セレクトトランジスタＭＳ１を通じて単位画
素出力信号で出力する。
【００２５】ロ）Ｃ２’区間は、前記リセットトランジ
スタＭＲ１がターンオフ状態を、前記セレクトトランジ
スタＭＳ１がターンオン状態を維持する間、前記トラン
スファートランジスタＭＴ１を所定時間の間ターンオフ
させて、前記単位画素１０１の出力端でデータ電圧レベ
ルを安定化(settling)させる。
【００２６】ハ）Ｃ３’区間は、前記単位画素出力信
号、すなわちデータ電圧レベルを前記単一傾斜アナログ
/デジタル変換器(図1の３０)によりサンプリングする。
【００２７】ニ）Ｃ４’区間は、前記リセットトランジ
スタＭＲ１及び前記トランスファートランジスタＭＴ１
がターンオフ状態を維持する間、前記セレクト制御信号
Ｓｘ１に応答して前記セレクトトランジスタＭＳ１をタ
ーンオフさせる。
【００２８】その次に、次のイメージ処理のために、前
記モード１’からモード３’を繰り返す。
【００２９】前記説明で分かるように、本発明によっ
て、前記リセットトランジスタＭＲ１がターンオフされ
た時から(Ｂ３’区間)所定時間内に前記セレクトトラン
ジスタＭＳ１をターンオンさせて(Ｂ２’区間)、前記リ
セットトランジスタＭＲ１と前記セレクトトランジスタ
ＭＳ１が同時にターンオンされることを防止しながら前
記リセット電圧レベルを伝達できる。したがって、電源
電圧端と接地電源端間の電流経路を遮断して不要な電流
浪費を防止できる。
【００３０】本発明の技術思想は前述の実施の形態によ
って具体的に記述したが、前記した一実施の形態はその
説明のためのものであり、その制限のためのものではな
いことを注意するべきである。また、本発明の技術分野
の通常の専門家であるならば本発明の技術思想の範囲内
で多様な実施例が可能であることを理解することができ
る。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、リセットトランジスタ
をターンオンさせてリセット電圧レベルをセンシングノ
ードに伝達した後リセットトランジスタをターンオフさ
せ、所定時間後にセレクトトランジスタをターンオンさ
せリセット電圧レベルをサンプリングすることによっ
て、ドライバートランジスタ及びセレクトトランジスタ
を通した電源電圧端及び接地電源端間の電流経路を遮断
して不要な電流消耗を減らし、それによる電力損失を減
らすことができるすぐれた効果を奏する。
【００３２】また、本発明は単位画素での電力損失が減
少することによって、画素アレイの中央部に位置する単
位画素に安定した電力供給が可能であるのでイメージセ
ンサの全体画質を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されるイメージセンサに対する一
実施の形態のブロック図である。
【図2】本発明が適用されるイメージセンサの単位画素
を示すブロック図である。
【図3】図2の単位画素を制御するための従来の制御信号
タイミング図である。
【図4】イメージセンサの画素アレイと電源電圧供給ラ
イン配置図の一実施例を示した模式図である。
【図5】図2の単位画素を制御するための本発明に係る制
御信号タイミング図である。
【符号の説明】
101、102 フォトダイオード MT1、MTn トランスファートランジスタ MR1、MRn リセットトランジスタ MD1、MDn ドライブトランジスタ MS1、MSn セレクトトランジスタ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イメージセンサで、物体から光を受信し
    て光電荷を生成するための光感知手段、入力信号を増幅
    して出力するための増幅手段、前記入力信号として前記
    光感知手段からの前記光電荷を前記増幅手段に伝達する
    ための第1スイッチング手段、電源からリセット電圧レ
    ベルを前記光感知手段に伝達するための第2スイッチン
    グ手段及び単位画素出力信号として前記増幅された信号
    及び前記リセット電圧レベルを出力するための第3スイ
    ッチング手段でなされた多数の単位画素を含む画素アレ
    イを駆動させるための方法において、 前記第1、第2及び第3スイッチング手段を制御して前記
    リセット電圧レベルを前記光感知手段に提供して前記光
    感知手段の空乏領域を完全空乏させる第1ステップと、 前記第1ステップが完了した後第1所定時間以後、前記第
    1及び第3スイッチング手段がターンオフ(turn-off)状態
    を維持する間に前記第2スイッチング手段をターンオフ
    させる第2ステップと、 前記第2ステップが完了した後第2所定時間内に、前記第
    1及び第2スイッチング手段が前記ターンオフ状態を維持
    する間に前記第3スイッチング手段をターンオン(turn-o
    n)させ単位画素出力信号として前記リセット電圧レベル
    を出力する第3ステップとを含むことを特徴とする画素
    アレイ駆動方法。
  2. 【請求項2】 前記第3スイッチング手段が前記第3ステ
    ップでターンオンされる同時に前記リセット電圧レベル
    をサンプリングする第4ステップをさらに含むことを特
    徴とする請求項1記載の画素アレイ駆動方法。
  3. 【請求項3】 前記第3ステップは、 前記第1及び第3スイッチング手段が前記ターンオフ状態
    を維持する間前記第2スイッチング手段をターンオンさ
    せる第5ステップと、 前記第1スイッチング手段をターンオンさせて、第3所定
    時間の間前記第1スイッチング手段をターンオンさせ前
    記光感知手段の空乏領域を完全空乏させる第6ステップ
    と、 前記第1スイッチング手段をターンオフさせる第7ステッ
    プとを含むことを特徴とする請求項1記載の画素アレイ
    駆動方法。
  4. 【請求項4】 前記第3ステップが完了した後第4所定時
    間以後、前記第2スイッチング手段が前記ターンオフ状
    態にあって、前記第3スイッチング手段が前記ターンオ
    ン状態を維持する間に、前記第1スイッチング手段をタ
    ーンオンさせ単位画素出力信号として前記光感知手段か
    らの前記光電荷に該当する前記増幅された信号を出力す
    る第4ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１
    から３のいずれかに記載の画素アレイ駆動方法。
  5. 【請求項5】 前記第1スイッチング手段の前記ターンオ
    フ状態から所定時間以後前記増幅された信号をサンプリ
    ングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項
    ４記載の画素アレイ駆動方法。
  6. 【請求項6】 前記第1、第2、第3スイッチング手段及び
    前記増幅手段は、 ＮＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項４
    記載の画素アレイ駆動方法。
  7. 【請求項7】 前記光感知手段は、 フォトダイオードであることを特徴とする請求項６記載
    の画素アレイ駆動方法。
  8. 【請求項8】 イメージを電気的な信号に変換するため
    のイメージセンサにおいて、 物体から光を受信して光電荷を生成するための光感知手
    段、入力信号を増幅して前記増幅された信号及びリセッ
    ト電圧レベルを出力するための増幅手段、第1制御信号
    に応答し前記入力信号として前記光感知手段からの前記
    光電荷を前記増幅手段に伝達するための第1スイッチン
    グ手段、第2制御信号に応答し電源からのリセット電圧
    レベルを前記光感知手段及び前記増幅手段に伝達するた
    めの第2スイッチング手段、第3制御信号に応答し単位画
    素出力信号として前記増幅された信号及び前記リセット
    電圧レベルを出力するための第3スイッチング手段で構
    成された多数の単位画素を含んで、光電荷に相応する増
    幅された信号及び前記単位画素出力信号としてリセット
    電圧レベルを出力する画素アレイと、 前記第1スイッチング手段がターンオフ状態にある間に
    前記第2スイッチング手段が前記第2制御信号に応答して
    ターンオフされて、前記第3スイッチング手段が前記第2
    スイッチング手段のターンオフ状態以後所定時間内に前
    記第3制御信号に応答してターンオンされ単位画素出力
    信号として前記増幅手段及び前記第3スイッチング手段
    を通じて前記リセット電圧レベルを出力する第1単位画
    素出力制御モードを含む制御モードによって前記第1、
    第2及び第3制御信号を生成して前記画素アレイを制御す
    るための制御手段を含むことを特徴とするイメージセン
    サ。
  9. 【請求項9】 前記第1単位画素出力モードで前記第3ス
    イッチング手段がターンオンされる同時に前記リセット
    電圧レベルをサンプリングする前記単位画素出力信号を
    デジタル信号に変換するための変換手段をさらに含むこ
    とを特徴とする請求項８記載のイメージセンサ。
  10. 【請求項10】 前記制御モードはリセット制御モードを
    含んで、前記リセット制御モードで前記第2制御信号に
    応答して、前記第1スイッチング手段及び前記第2スイッ
    チング手段がターンオフ状態にある間前記第2スイッチ
    ング手段はターンオンされ、前記第1制御信号に応答し
    て前記第1スイッチング手段がターンオンされて第2所定
    時間の間ターンオン状態が維持されて、前記第1スイッ
    チング手段がターンオフされて前記光感知手段の空乏領
    域が完全空乏されることを特徴とする請求項８記載のイ
    メージセンサ。
  11. 【請求項11】 前記制御モードは第2単位画素出力モー
    ドを含んで、前記第2単位画素出力モードで前記第1制御
    信号に応答して前記第2スイッチング手段がターンオフ
    状態にあって、前記第3スイッチング手段がターンオン
    状態にある間前記第1スイッチング手段がターンオン及
    びターンオフされて単位画素出力信号として前記光感知
    手段からの前記光電荷に該当する前記増幅された信号を
    出力することを特徴とする請求項８から１０のいずれか
    に記載のイメージセンサ。
  12. 【請求項12】 前記第２単位画素出力モードで前記第３
    スイッチング手段がターンオンされる同時に前記増幅さ
    れた信号をサンプリングして前記単位画素出力信号をデ
    ジタル信号に変換するための変換手段をさらに含むこと
    を特徴とする請求項１１記載のイメージセンサ。
  13. 【請求項13】 前記第１，第２，第３スイッチング手段
    及び前記増幅手段は、 ＮＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１
    ２記載のイメージセンサ。
  14. 【請求項14】 前記光感知手段は、 フォトダイオードであることを特徴とする請求項１３記
    載イメージセンサ。
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