JP2000123326A - 再生用磁気ヘッド、その形成方法、及び磁気記録システム - Google Patents

再生用磁気ヘッド、その形成方法、及び磁気記録システム

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JP2000123326A JP11297262A JP29726299A JP2000123326A JP 2000123326 A JP2000123326 A JP 2000123326A JP 11297262 A JP11297262 A JP 11297262A JP 29726299 A JP29726299 A JP 29726299A JP 2000123326 A JP2000123326 A JP 2000123326A
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シーゼン・シィ
Ton Hua-Chin
フア−チン・トン
Zao Min
ミン・ザオ
Ryu Francis
フランシス・リュウ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗ヘッドの磁気記憶媒体に記録された
情報の読取り能力の改善 【解決手段】 データを読み取るための磁気ヘッドを提
供するためのシステム及び方法で、磁気抵抗素子１０６
を設ける過程と、高抵抗率の磁束ガイド１１０を設ける
過程を含む。磁気抵抗素子及び磁束ガイドはそれぞれエ
ンド部を有し、磁束ガイドのエンド部を磁気抵抗素子の
エンド部に隣接させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録技術に関
し、特に磁気抵抗ヘッドにより得られる信号の大きさを
改善するための方法及びシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の磁気記録技術では、ディスクのよ
うな磁気記録媒体に記録されたデータを読み取るため
に、磁気抵抗（「ＭＲ」）ヘッドがかなり利用されてい
る。従来のＭＲヘッドが備える従来のＭＲ素子は、その
比抵抗が該ＭＲ素子の磁化に依存する。また、このよう
なヘッドは、ＭＲ素子の比抵抗の変化を、読み出し中の
ビットの状態を示す信号に変換する電子技術を備える。
【０００３】一般的に従来のＭＲ素子は、２つの物理現
象の内の１つを利用して、ディスク上に磁気記録された
ビットの状態を読み取る。異方性磁気抵抗（「ＡＭ
Ｒ」）素子は、材料の磁化の方向が変化する際の該材料
の比抵抗の変化に依存している。巨大磁気抵抗（「ＧＭ
Ｒ」）素子は、ＧＭＲ素子内の界面における散乱に依存
している。一般にこの界面は、多層構造における非磁性
層と磁性層との間に存在する。ＧＭＲは通常ＡＭＲより
相当大きい。
【０００４】従来のＭＲ素子に用いられている物理現象
に関係なく、ビットの磁化に応答して従来のＭＲヘッド
により得られる信号の大きさは、いくつかのパラメータ
に依存している。この信号の大きさは、従来のＭＲ素子
のシート抵抗と効率とに比例する。この効率は、ＭＲ素
子を通過する平均磁束を該ＭＲ素子を通過する最大磁束
で除した値である。また、前記信号の大きさは従来のＭ
Ｒ素子を駆動する電流に比例する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録技術の傾向
は、より高い記録密度を目指している。データの記録密
度を増大させるために、各ビットの長さ及び幅はより小
さく形成される。各ビットがより小さく形成されると、
ＭＲ素子上での前記ビットの磁場の作用が様々な理由で
減少する。従って、ＭＲヘッドにより得られる信号の大
きさが減少する。ＭＲヘッドにより得られる信号の大き
さが減少すると、ＭＲヘッドは、ディスク上に記録され
たデータを読み取ることができなくなる虞がある。
【０００６】そこで、磁気抵抗ヘッドの性能を改善して
磁気記録媒体に記録された情報を十分に読み出すことが
できるシステム及び方法が要求されており、本発明の目
的は、このような要求を実現することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、データ
を読み取るためのヘッドを形成するための方法及びシス
テムが提供される。この方法及びシステムは、磁気抵抗
素子を設けること、及び高比抵抗の磁束ガイドを設ける
ことからなる。前記磁気抵抗素子はエンド部を有する。
前記磁束ガイドも同様にエンド部を有する。前記磁束ガ
イドのエンド部は、磁気抵抗素子のエンド部に隣接して
いる。
【０００８】本明細書に開示されるシステム及び方法に
よれば、本発明は、磁気抵抗素子から電流をシャントさ
せることなく、前記磁気抵抗素子のエンド部を通過する
磁束の量を増加させ、それにより磁気抵抗ヘッドの効率
を向上させる。その結果、本発明により得られる信号の
大きさが増大する。
【０００９】本発明は、磁気記録技術の改良に関する。
以下の詳細な説明は、当業者が本発明を実施しかつ利用
できるように、かつ特許出願及びその要件に従って記載
されている。好適な実施例に対する様々な変形は当業者
にとって明らかで、本明細書に記載される包括的な概念
は他の実施例に適用することができる。このように本発
明は以下に示す実施例に限られるものではなく、その技
術的範囲は、本明細書中に記載される概念及び特徴に沿
って最も広く解釈すべきである。
【００１０】
【発明の実施の形態】図６（Ａ）及び（Ｂ）は、従来の
磁気抵抗（「ＭＲ」）ヘッド１０及びディスクのような
記録媒体２０を概略的に示している。図６（Ａ）は、従
来のＭＲヘッド１０及び記録媒体２０を側方から見た図
である。従来のＭＲヘッド１０は、記録媒体２０に対向
する空気ベアリング面３０を有する。ディスク２０上の
トラックには、３つのビット２２、２４、２６が示され
ている。各ビット２２、２４、２６は長さＬを有する。
従来のＭＲヘッド１０は、従来のＭＲ素子１６に加えて
磁気シールド１２、１４を有する。従来のＭＲ素子１６
は高さｈを有し、かつギャップ１８、１９によってシー
ルド１２、１４から分離されている。従来のＭＲ素子１
６は、異方性磁気抵抗（「ＡＭＲ」）素子又は巨大磁気
抵抗（「ＧＭＲ」）素子であってもよい。従来のＭＲヘ
ッド１０は、ビット２４を読み出している状態が図示さ
れている。シールド１２、１４は、現在は読み出されて
いないビット２２、２６の磁場から従来のＭＲ素子１６
を遮蔽している。図６（Ｂ）は、従来のＭＲヘッド１０
及び記録媒体２０を正面から示している。記録媒体２０
はビット２４のみが図示されている。ビット２４は幅Ｗ
を有する。
【００１１】図７は、従来のＭＲヘッド１０の一部を示
している。従来のＭＲ素子１６は、リード１５、１７に
電気的に接続されている。電流は、一方のリード１５を
通過して従来のＭＲ素子１６に流れ、リード１７を経由
して戻る。この電流により、従来のＭＲ素子１６の抵抗
の変化を測定することが可能になる。従来のＭＲ素子１
６の抵抗の変化は、読み出されているビット２４の磁化
によって生じる磁場によるものである。この従来のＭＲ
素子１６の抵抗の変化を利用して、ビット２４に記録さ
れたデータを読み出すことができる。
【００１２】ビット２４の磁化によって生じる磁束は、
従来のＭＲ素子１６を通過する。従来のＭＲヘッド１０
のジオメトリのために、従来のＭＲ素子１６の空気ベア
リング面３０から最も遠いエンド部は、実質的に磁束が
全く通過しない。従来のＭＲ素子１６の空気ベアリング
面３０に最も近いエンド部は、通過する磁束が最大にな
る。磁束は、従来のＭＲ素子１６の側部を通って従来の
ＭＲ素子１６から出る。この結果、磁束は、従来のＭＲ
素子１６の空気ベアリング面３０に最も近いエンド部で
最大で、従来のＭＲ素子１６の高さに沿って急激に減少
し、そしてＭＲ素子１６の空気ベアリング面３０から最
も遠いエンド部においてゼロになる。
【００１３】従来のＭＲ素子１６の効率は、従来のＭＲ
素子１６を通過する磁束の量に依存する。効率は、従来
のＭＲ素子１６の高さに沿って空気ベアリング面３０に
平行な面を通過する平均磁束を最大磁束で除したものと
して定義することができる。この最大磁束は、従来のＭ
Ｒ素子１６の空気ベアリング面３０に最も近いエンド部
を通過する磁束である。従来のＭＲ素子１６の高さに沿
って磁束が変化するので、従来のＭＲ素子１６の効率は
約５０％である。
【００１４】ビット２４の磁化に応答して従来のＭＲヘ
ッド１０によって得られる信号の大きさは、従来のＭＲ
素子１６の効率及び他の特性、従来のＭＲヘッド１０の
ジオメトリ、及び記録媒体２０のジオメトリに連関す
る。信号の大きさは、従来のＭＲ素子１６の効率及び抵
抗に比例する。また、信号の大きさは、磁場による従来
のＭＲ素子１６の抵抗の僅かな変化にも比例する。信号
の大きさは、従来のＭＲ素子１６を駆動する電流に比例
する。また、信号の大きさは、従来のＭＲ素子１６を通
過する最大磁束にも比例する。信号の大きさは、従来の
ＭＲ素子の高さ及びビット２２、２４、２６（図６
（Ｂ））の幅Ｗに反比例する。
【００１５】従来のＭＲヘッド１０は、記録媒体２０の
ビットの磁場に応答して信号を発生し得るが、当業者
は、より高密度でデータを記録することが望ましいと考
えるであろう。従って、ビット２２、２４、２６を小さ
く形成することが望ましい。典型的には、各ビット２
２、２４、２６の長さＬ及び幅Ｗの両方を減少させる。
ビット２２、２４、２６の長さＬ及び幅Ｗが減少するに
連れて、従来のＭＲ素子１６が発生する信号の大きさは
減少する。信号の大きさが小さくなり過ぎて、ディスク
ドライブの電子工学手段（図示せず）は従来のＭＲ素子
１６の抵抗の変化を十分にデコードできず、読み取って
いるビット２２、２４、２６の状態を決定できなくなる
場合がある。
【００１６】例えば、各ビット２２、２４、２６の長さ
Ｌが減少するに連れて、ビット２２、２４、２６によっ
て生じる磁場はより一層重複する。シールド１２、１４
を従来のＭＲ素子１６により近接させて、読み出してい
ないビット２２、２６により発生する磁場の影響を減少
させる。しかしながら、ギャップ１８、１９を小さくす
るに連れて、ビット２４からの磁場は、シールド１２、
１４によりＭＲ素子１６に到達できなくなる部分が多く
なる。その結果として、従来のＭＲ素子１６を通過する
磁束が減少する。
【００１７】ＭＲ素子１６の抵抗の変化は、ＭＲ素子１
６を通過する磁束に比例する。従来のＭＲ素子１６を通
過する磁束が減少するので、ビット２４の磁場による従
来のＭＲ素子の抵抗の変化が同様に減少することにな
る。その結果、従来のＭＲヘッド１０により生じる信号
の大きさが減少する。この信号の大きさが小さくなり過
ぎると、従来のＭＲヘッド１０は、記録媒体２０に記録
されたデータを読み取ることができなくなる。
【００１８】同様に、信号の大きさは、従来のＭＲ素子
１６の抵抗及び従来のＭＲ素子１６を駆動する電流に比
例する。従来のＭＲ素子１６の抵抗又は従来のＭＲ素子
１６を駆動する電流が減少すると、信号の大きさも同様
に減少する。読み出しているビット２４による従来のＭ
Ｒ素子１６の抵抗の僅かな変化が一定であっても、この
抵抗の変化の大きさは小さくなる。結果的に、記録媒体
２０に記録された情報を読み出すことはより一層困難に
なる。
【００１９】本発明によれば、データを読み出すヘッド
を形成するための方法及びシステムが提供される。この
方法及びシステムは、磁気抵抗素子を設けること、及び
高比抵抗の磁束ガイドを設けることからなる。磁気抵抗
素子はエンド部を有する。磁束ガイドも同様にエンド部
を有する。磁束ガイドの前記エンド部は磁気抵抗素子の
エンド部に隣接している。従って、磁気抵抗素子の効率
を改善し、かつ磁気抵抗素子により得られる信号の大き
さを増大させることができる。
【００２０】本発明は、特定のヘッドと磁束ガイドを設
けるのに使用する所定の材料とを用いて説明されてい
る。しかしながら、当業者であれば、この方法及びシス
テムが他のヘッド及び他のタイプの磁束ガイドについて
も有効に機能することが分かる。同様に、当業者であれ
ば、本発明は他の適当な材料を使用した場合にも機能す
ることが分かる。
【００２１】本発明による方法及びシステムをより詳細
に説明するために、このようなシステムの一実施例の構
成を図１に示す。このシステムは、本発明によるＭＲヘ
ッド１００と記録媒体１２０とを有する。記録媒体１２
０には、図示されるように特定のトラックにビット１２
２、１２４、１２６が記録されている。しかしながら、
記録媒体１２０が、多数のトラックにより多くのビット
を記録していると好ましい。図１に示すように、ＭＲヘ
ッド１００はビット１２４を読み取る位置にある。ＭＲ
ヘッド１００は、記録媒体１２０に対向する空気ベアリ
ング面１３０を有する。
【００２２】本発明によるＭＲヘッド１００は、第１シ
ールド１０２、第２シールド１０４、ＭＲ素子１０６及
び磁束ガイド１１０を有する。磁束ガイド１１０は、比
較的高い比抵抗を有し、軟質磁性材料で形成されてい
る。ＭＲ素子１０６及び磁束ガイド１１０は、それぞれ
ギャップ１０７、１０８によって第１シールド１０２及
び第２シールド１０４から分離されている。好適な実施
例では、ＭＲ素子１０６はＧＭＲ素子である。従って、
ＭＲ素子１０６は、磁性層及び非磁性金属層を交互に有
する多層構造であることが好ましい。また、好適な実施
例では、ＭＲ素子１０６は、２つの磁性層を１つの非磁
性層により分離した三層構造である。また、空気ベアリ
ング面１３０と記録媒体１２０との間の浮上高さＨが、
ＭＲ素子１６０を記録媒体１２０に近接させるように十
分に小さいことが好ましい。これにより、ＭＲ素子１６
０を通過する磁束が増加し、従ってＭＲ素子ヘッド１０
０が発生する信号の大きさが増大する。
【００２３】図２は、本発明によるＭＲヘッド１００の
或る部分の実施例を示している。ＭＲ素子１０６及び磁
束ガイド１１０は、リード１０９、１１１に電気的に接
続されている。電流は、一方のリード１０９を通ってＭ
Ｒ素子１０６に流れ、リード１１１を経て戻る。この電
流により、ＭＲ素子１０６の抵抗の変化を測定すること
が可能になる。また、ＭＲ素子１０６と磁束ガイド１１
０とは、ＭＲ素子１０６の空気ベアリング面１３０から
最も遠いエンド部が空気ベアリング面１３０に最も近い
磁束ガイド１１０のエンド部の隣にくるように、隣接し
ている。
【００２４】図１及び２を参照すると、ＭＲヘッド１０
０のジオメトリのために、磁束ガイド１１０の空気ベア
リング面１３０から遠いエンド部は磁束が通過しない。
しかしながら、磁束は、ＭＲ素子１０６の空気ベアリン
グ面１３０から遠いエンド部を通過する。磁束は、ＭＲ
素子の空気ベアリング面１３０に最も近いエンド部を通
過して、ＭＲ素子１０６に入る。磁束ガイド１１０が磁
気的に軟質であるので、磁束線は磁束ガイド１１０を容
易に通過することができる。この結果、ＭＲ素子１０６
に入る磁束線の少なくとも一部が、ＭＲ素子１０６の空
気ベアリング面１３０から遠いエンド部を通過し、磁束
ガイド１１０に入る。従って、より多くの磁束が、磁束
ガイド１１０によってＭＲ素子１０６に保持される。
【００２５】図３は、ＭＲ素子１０６及び従来のＭＲ素
子１６の正規化された磁束と記録媒体１２０、２０の浮
上高さＨとの関係をそれぞれ示す線図である。磁束は、
空気ベアリング面１３０に存在する最大磁束に正規化さ
れる。曲線２００は、本発明によるＭＲヘッド１００の
正規化された磁束と空気ベアリング面１３０からの距離
との関係を示している。曲線２１０は、従来のＭＲヘッ
ド１０の正規化された磁束と空気ベアリング面３０から
の距離との関係を示している。曲線２００及び曲線２１
０に関して、ＭＲ素子１０６及び従来のＭＲ素子１６の
高さはそれぞれ０．５ミクロンである。更に、曲線２０
０及び２１０に関するＭＲヘッド１００、１０の他のパ
ラメータはそれぞれ同じである。
【００２６】曲線２００、２１０から分かるように、従
来のＭＲ素子１６よりもＭＲ素子１０６の方が浮上高さ
Ｈに関してより多くの磁束が保持される。これは、従来
のＭＲ素子１６のエンド部では磁束がゼロまで降下する
のに対し、ＭＲ素子１０６からの磁束は磁束ガイド１１
０を通過するからである。
【００２７】上述したように、ＭＲ素子１０６の効率
は、ＭＲ素子１０６の高さに沿って空気ベアリング面１
３０に平行な面を通過する平均磁束を最大磁束で除した
値で定義される。磁束ガイド１１０が存在するために、
空気ベアリング面１３０から遠い方のＭＲ素子１０６に
より多くの磁束が存在する。その結果、ＭＲ素子１０６
の効率は約７５％である。これは、従来のＭＲ素子１６
の効率よりも相当高く、本実施例では約５０％高い。
【００２８】磁束ガイド１１０及びそれに付随したＭＲ
素子１０６の効率改善により、ＭＲヘッド１１０からの
信号の大きさが増大する。従って、ビット１２２、１２
４、１２６の幅Ｗ及び長さＬが減少すると、ＭＲ素子１
０６からのより高い信号を保持することができる。その
結果、ＭＲヘッド１００をより高記録密度の記録媒体１
２０に使用することができる。
【００２９】より多くの磁束をＭＲ素子１０６に保持す
ることが可能になることに加えて、磁束ガイド１１０は
比較的高い比抵抗を有する。これは、他の軟質磁性材料
が低い比抵抗を有することと対照的である。或る実施例
では、磁束ガイド１１０がフェライト材料から形成され
る。好適な実施例では、磁束ガイド１１０は、比較的高
い比抵抗を有する軟質磁性Ｎｉ−Ｚｎ膜である。Ｎｉ−
Ｚｎ膜の形成については、ツェンホン・キアン(Zhengho
ng Qian)他の論文「Ni-Zn Ferrite Thin-FilmsPrepared
by Facing Target Sputtering」、IEEE Tran. Magn.,V
ol.33,No.5、1997年9月発行、第3748〜3750頁に記載さ
れている。このように、前記磁束ガイドは軟質磁性であ
るにも拘わらず、高い比抵抗を有する。
【００３０】磁束ガイド１１０は、高い比抵抗を有する
ので、ＭＲ素子１０６から電流をシャントさせない。磁
束ガイド１１０は、ＭＲ素子１０６と並列にリード１０
９、１１１に電気的に接続されている。ＭＲ素子１０６
は金属であることが好ましい。従って、ＭＲ素子１０６
の比抵抗は、磁束ガイド１１０の比抵抗よりも相当小さ
いことが好ましい。
【００３１】動作中は、電流がＭＲ素子１０６を流れ
て、読み取っているビット１２４が発生する磁場による
ＭＲ素子１０６の抵抗の変化を感知する。磁束ガイド１
１０の比抵抗がＭＲ素子１０６よりも相当高いので、こ
の駆動電流はＭＲ素子１０６から磁束ガイド１１０にほ
とんどシャントしない。その結果、ＭＲ素子１０６を流
れる電流が実質的に保持される。
【００３２】ＭＲヘッド１００のようなＭＲヘッドから
の信号の大きさは、ＭＲ素子１０６を流れる電流に比例
する。磁束ガイド１１０が高い比抵抗を有するので、Ｍ
Ｒ素子１０６を流れる電流は保持される。従って、ＭＲ
ヘッド１００からの信号の大きさが保持される。
【００３３】磁束ガイド１１０は、ＭＲ素子１０６から
電流がシャントすることを防止しつつ、ＭＲ素子１０６
の効率を向上させることができる。ＭＲ素子１０６の効
率及びこれを流れる電流の双方が共に比較的高く維持さ
れる。その結果、ビット１２４からの磁場に応答してＭ
Ｒヘッド１００が発生する信号の大きさは、従来のＭＲ
ヘッド１０が発生する信号より相当大きい。従って、ビ
ット１２２、１２４、１２６の長さ及び幅が小さくなっ
た場合でも、ＭＲヘッド１００はより大きな信号を供給
する。この結果、本発明によるＭＲヘッド１００は、よ
り高記録密度の記録媒体について使用したときに、より
高い性能を発揮することができる。
【００３４】また、好適な実施例においては、磁束ガイ
ド１１０の磁化が磁気的に安定している。磁束ガイド１
１０の磁気的安定は、磁束ガイド１１０におけるドメイ
ンの形成又はＭＲヘッド１００の動作性能を変化させて
しまうような他の現象からＭＲヘッド１００を保護する
のに役立つ。例えば、永久磁石（図示せず）を用いて磁
束ガイド１１０の磁化を安定させることができる。好適
な実施例においては、磁束ガイド１１０の磁化を安定さ
せるために使用されるのと同じ永久磁石が、ＭＲ素子１
０６をバイアスする。これは、磁束ガイド１１０及びＭ
Ｒ素子１０６における磁化Ｍとして図示されている。従
って、ＭＲ素子１０６は、一般に異なる方向にバイアス
されるＡＭＲ素子よりもＧＭＲ素子が好ましい。
【００３５】図４は、本発明による磁束ガイド１１０及
びＭＲ素子１０６を形成するために使用される方法３０
０の一実施例のフロー図を示している。ステップ３０２
において、高比抵抗の軟質磁性膜が付着される。この膜
の一部が磁束ガイド１１０を形成することになる。好適
な実施例においては、ステップ３０２は、Ｎｉ−Ｚｎフ
ェライト膜を設ける過程を含む。次に、ステップ３０４
において、前記高比抵抗軟質磁性膜の一部が除去され
る。この膜は、ＭＲ素子１０６が形成されることになる
部分が除去される。ステップ３０４が、前記膜の一部を
マスクし、かつ該膜の露出部分をエッチングすることに
より実行されると、好都合である。このようにして、磁
束ガイド１１０が形成される。
【００３６】次に、ステップ３０６においてＭＲ膜が設
けれる。好適な実施例において、前記ＭＲ膜はＧＭＲ膜
である。従って、前記ＭＲ膜を設けるステップ３０６
が、非磁性層により分離された２つの磁性層を有する多
層構造を設ける過程を含むと好都合である。また、好適
な実施例においては、前記ＭＲ膜が、前記高比抵抗軟質
磁性層の一部をエッチングするためのマスクを残した状
態で設けられる。従って、ＭＲ素子１０６を形成するＭ
Ｒ膜の一部は、磁束ガイド１１０に隣接して付着され
る。次にステップ３０８において、前記ＭＲ膜の残存部
分が除去される。このようにして、ＭＲ素子１０６及び
磁束ガイド１１０が製造される。
【００３７】図５は、本発明によるＭＲヘッド１００を
設けるために使用される方法３５０の一実施例のフロー
図を示している。ステップ３５２において、第１シール
ド１０４が付着される。次に、ステップ３５４において
ギャップ１０８を設ける。次に、ステップ３５６におい
て、方法３００を使用して磁束ガイド１１０及びＭＲ素
子１０６を形成する。次に、ステップ３５８においてギ
ャップ１０７を設け、かつステップ３６０において第２
シールドを設ける。
【００３８】方法３５０は、ＭＲヘッド１００を製造す
るために用いられる通常の製造プロセスと共に実行でき
ることから好ましい。更に、方法３００及び方法３５０
は、ＭＲ素子１０６及び磁束ガイド１１０を形成するの
に好都合である。これは、磁束ガイド１１０が好ましく
は、ＭＲ素子１０６の形成より先に設けられるからであ
る。好適な実施例では、磁束ガイド１１０の前記フェラ
イト膜が、ＭＲ素子１０６を形成する温度に比して高い
温度で形成される。この高温の結果、磁束ガイド１１０
を形成する前記Ｎｉ−Ｚｎ膜の特性が改善される。磁束
ガイド１１０をＭＲ素子１０６より先に形成する場合、
ＭＲヘッド１１０は、前記フェライト膜の付着のために
より高温にすることができる。この結果、より良好な磁
束ガイドが形成される。従って、方法３５０は、ＭＲヘ
ッド１００を設けるための好適な方法である。
【００３９】以上、図示される実施例に従って本発明を
詳細に説明したが、当業者であれば、本発明の技術的範
囲内において上記実施例に様々な変更及び変形を加えて
実施し得ることは、容易に理解することができる。
【００４０】
【発明の効果】上述したように、ＭＲ素子から電流がシ
ャントしない構造の高効率ＭＲ素子を有するＭＲヘッド
を提供するための方法及びシステムについて説明した
が、この結果、ＭＲヘッドから供給される信号の大きさ
が改善される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気記録システムを示す概略図で
ある。
【図２】本発明による磁気抵抗素子及び磁束ガイドを示
す概略図である。
【図３】本発明により製造した磁気抵抗ヘッドの磁気抵
抗素子を通過する磁束と、従来の磁気抵抗素子を通過す
る磁束とをそれぞれ示す線図である。
【図４】本発明による磁気抵抗ヘッドを設ける方法の一
実施例を示すフロー図である。
【図５】本発明による磁気抵抗ヘッドを設ける方法の好
適実施例を示すフロー図である。
【図６】Ａ図は、従来の磁気記録システムの一部を側方
から見た概略図、Ｂ図はこれを正面から見た概略図であ
る。
【図７】従来の磁気抵抗素子を示す概略図である。
【符号の説明】
１０ ＭＲヘッド １２，１４ シールド １５，１７ リード １６ ＭＲ素子 １８，１９ ギャップ ２０ 記録媒体 ２２，２４，２６ ビット ３０ 空気ベアリング面 １００ ＭＲヘッド １０２ 第１シールド １０４ 第２シールド １０６ ＭＲ素子 １０７，１０８ ギャップ １０９，１１１ リード １１０ 磁束ガイド １２０ 記録媒体 １２２，１２４，１２６ ビット １３０ 空気ベアリング面 １６０ ＭＲ素子 ２００，２１０ 曲線 ３００ 方法 ３０２，３０４，３０６，３０８ ステップ ３５０ 方法 ３５２，３５４，３５６，３５８，３６０ ステップ
フロントページの続き (72)発明者 フア−チン・トン アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 95120，サン・ノゼ，ジョスリン・ドライ ブ・7184 (72)発明者 ミン・ザオ アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94539，フリーモント，カントウ・プレイ ス・40936 (72)発明者 フランシス・リュウ アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94555，フリーモント，オニール・テラ ス・34220

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エンド部を有する磁気抵抗素子と、高
    比抵抗の磁束ガイドとを備え、前記磁束ガイドがエンド
    部を有し、前記磁束ガイドの前記エンド部が前記磁気抵
    抗素子の前記エンド部に隣接していることを特徴とする
    データを読み取るための再生用磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記磁束ガイドがフェライト材料から
    なることを特徴とする請求項１に記載の再生用磁気ヘッ
    ド。
  3. 【請求項３】 前記フェライト材料がＮｉ−Ｚｎであ
    ることを特徴とする請求項２に記載の再生用磁気ヘッ
    ド。
  4. 【請求項４】 前記磁気抵抗素子が、第１磁化を有す
    る第１磁性層と、第２磁化を有する第２磁性層と、前記
    第１磁性層と前記第２磁性層との間に挟まれた非磁性層
    とからなる多層構造を更に有することを特徴とする請求
    項３に記載の再生用磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記磁気抵抗素子及び前記磁束ガイド
    に磁気結合され、前記第２磁化をバイアスしかつ前記磁
    束ガイドを磁気的に安定させるための永久磁石を更に有
    することを特徴とする請求項４に記載の再生用磁気ヘッ
    ド。
  6. 【請求項６】 データを記録するための磁気記録媒体
    と、磁気抵抗素子及び磁束ガイドを有する磁気抵抗ヘッ
    ドとを備え、前記磁気抵抗素子が、動作中に前記磁気記
    録媒体に近接する第１エンド部と、第２エンド部とを有
    し、前記磁束ガイドが高比抵抗を有し、かつ前記磁気抵
    抗素子の前記第２エンド部に隣接するエンド部を更に有
    することを特徴とする磁気記録システム。
  7. 【請求項７】 前記磁束ガイドがフェライト材料から
    なることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録システ
    ム。
  8. 【請求項８】 前記フェライト材料がＮｉ−Ｚｎであ
    ることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録システ
    ム。
  9. 【請求項９】 前記磁気抵抗素子が、第１磁化を有す
    る第１磁性層と、第２磁化を有する第２磁性層と、前記
    第１磁性層と前記第２磁性層との間に配置された非磁性
    層とからなる多層構造を更に有することを特徴とする請
    求項８に記載の磁気記録システム。
  10. 【請求項１０】 前記磁気抵抗素子及び前記磁束ガイ
    ドに磁気結合され、前記第２磁化をバイアスしかつ前記
    磁束ガイドを磁気的に安定させるための永久磁石を、前
    記磁気抵抗ヘッドが更に有することを特徴とする請求項
    ９に記載の磁気記録システム。
  11. 【請求項１１】 （ａ）高比抵抗の軟質磁性膜を設け
    る過程と、（ｂ）前記高比抵抗軟質磁性膜の一部を除去
    して磁束ガイドを形成する過程と、（ｃ）前記磁束ガイ
    ドに隣接するエンド部を有する第１領域を有する磁気抵
    抗膜を設ける過程とからなることを特徴とするデータを
    読み取るための再生用ヘッドの形成方法。
  12. 【請求項１２】 高比抵抗の軟質磁性膜を設ける前記
    過程（ａ）が、（ａ１）フェライト膜を設ける過程を更
    に含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記フェライト膜がＮｉ−Ｚｎ膜で
    あることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 磁気抵抗膜を設ける前記過程（ｃ）
    が、（ｃ１）第１磁性層を設ける過程と、（ｃ２）前記
    第１磁性層の上に非磁性層を設ける過程と、（ｃ３）前
    記非磁性層の上に第２磁性層を設ける過程と、（ｃ４）
    磁気抵抗素子を形成する前記磁性膜の第１領域を残すよ
    うに、前記第１磁性層の第２領域、前記非磁性層の第２
    領域及び前記第２磁性層の第２領域を除去する過程とを
    更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 （ｄ）前記磁気抵抗素子及び前記磁
    束ガイドに磁気結合され、第２磁化をバイアスしかつ前
    記磁束ガイドを磁気的に安定させるための永久磁石を設
    ける過程を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載
    の方法。
  16. 【請求項１６】 （ｄ）第１シールドを、該第１シー
    ルドの一部と前記磁束ガイドとの間に第１ギャップを有
    するように設ける過程を更に含むことを特徴とする請求
    項１１に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 （ｅ）第２シールドを、該第２シー
    ルドの一部と前記磁束ガイドとの間に第２ギャップを有
    するように設ける過程を更に含むことを特徴とする請求
    項１６に記載の方法。
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