JP2000123324A - 磁気ヘッド装置 - Google Patents
磁気ヘッド装置Info
- Publication number
- JP2000123324A JP2000123324A JP10313955A JP31395598A JP2000123324A JP 2000123324 A JP2000123324 A JP 2000123324A JP 10313955 A JP10313955 A JP 10313955A JP 31395598 A JP31395598 A JP 31395598A JP 2000123324 A JP2000123324 A JP 2000123324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- esd
- diode
- thin
- head device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＳＤによる薄膜磁気ヘッド素子の電磁特性
の劣化を確実に防止することができる磁気ヘッド装置を
提供する。 【解決手段】 少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を
有する磁気ヘッドスライダと、磁気ヘッドスライダを先
端部に支持する支持機構と、薄膜磁気ヘッド素子の駆動
回路と、各々が少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の
最大出力電圧より大きな導通動作電圧を有しており、少
なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に接続される端子間
に一方向について少なくとも２つ並列接続されたダイオ
ード素子とを備えている。
の劣化を確実に防止することができる磁気ヘッド装置を
提供する。 【解決手段】 少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を
有する磁気ヘッドスライダと、磁気ヘッドスライダを先
端部に支持する支持機構と、薄膜磁気ヘッド素子の駆動
回路と、各々が少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の
最大出力電圧より大きな導通動作電圧を有しており、少
なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に接続される端子間
に一方向について少なくとも２つ並列接続されたダイオ
ード素子とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に用いられる磁気ヘッド装置に関する。
に用いられる磁気ヘッド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気ディスク装置では、磁気ヘ
ッド装置のサスペンションの先端部に取り付けられた磁
気ヘッドスライダを回転する磁気ディスクの表面から浮
上させ、その状態で、この磁気ヘッドスライダに搭載さ
れた薄膜磁気ヘッド素子により磁気ディスクへの記録及
び／又は磁気ディスクからの再生が行われる。
ッド装置のサスペンションの先端部に取り付けられた磁
気ヘッドスライダを回転する磁気ディスクの表面から浮
上させ、その状態で、この磁気ヘッドスライダに搭載さ
れた薄膜磁気ヘッド素子により磁気ディスクへの記録及
び／又は磁気ディスクからの再生が行われる。
【０００３】近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高
密度記録化に伴い、薄膜磁気ヘッド素子はより高い読取
り感度を必要としており、これを実現する薄膜磁気ヘッ
ド素子の電流容量は極めて小さい。このため、製造及び
組立工程において磁気ヘッド素子を取り扱う作業員の体
に帯電している静電荷の放電（ＥＳＤ）による過電流、
測定又は評価工程における不意な過電流がこの磁気ヘッ
ド素子に流れると、薄膜磁気ヘッド素子の特性劣化を招
き、最悪の場合は磁気ヘッド素子の静電破壊をもたらす
可能性がある。
密度記録化に伴い、薄膜磁気ヘッド素子はより高い読取
り感度を必要としており、これを実現する薄膜磁気ヘッ
ド素子の電流容量は極めて小さい。このため、製造及び
組立工程において磁気ヘッド素子を取り扱う作業員の体
に帯電している静電荷の放電（ＥＳＤ）による過電流、
測定又は評価工程における不意な過電流がこの磁気ヘッ
ド素子に流れると、薄膜磁気ヘッド素子の特性劣化を招
き、最悪の場合は磁気ヘッド素子の静電破壊をもたらす
可能性がある。
【０００４】記録用のインダクティブ素子及び再生用の
磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を有する複合型磁気ヘッドの
静電破壊防止技術として、特開平７−８５４２２号公報
には、インダクティブ素子とＭＲ素子との間を１０３〜
１０９Ωｃｍの物質で短絡すると共に、ＭＲ素子に接続
される一対の端子間に正逆方向にそれぞれ１つのダイオ
ードを接続する技術が開示されている。
磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を有する複合型磁気ヘッドの
静電破壊防止技術として、特開平７−８５４２２号公報
には、インダクティブ素子とＭＲ素子との間を１０３〜
１０９Ωｃｍの物質で短絡すると共に、ＭＲ素子に接続
される一対の端子間に正逆方向にそれぞれ１つのダイオ
ードを接続する技術が開示されている。
【０００５】また、同じく複合型磁気ヘッドの静電破壊
防止技術として、特開平７−１４１６３６号公報には、
磁気ヘッドの製造及び組立作業時に、この磁気ヘッドと
磁気ディスク装置の電気回路とを電気的に接続するフレ
クシブルプリント基板（ＦＰＣ）の信号読取端子を短絡
させておき、組立作業終了後の特性測定作業前に短絡個
所をＦＰＣの切断により開放する技術が開示されてい
る。
防止技術として、特開平７−１４１６３６号公報には、
磁気ヘッドの製造及び組立作業時に、この磁気ヘッドと
磁気ディスク装置の電気回路とを電気的に接続するフレ
クシブルプリント基板（ＦＰＣ）の信号読取端子を短絡
させておき、組立作業終了後の特性測定作業前に短絡個
所をＦＰＣの切断により開放する技術が開示されてい
る。
【０００６】さらに、複合型磁気ヘッドの静電破壊防止
技術として、米国特許第５４６５１８６号公報には、磁
気ヘッドの製造及び組立作業時に、ＭＲ素子の端子間を
リード線により短絡しておき、組立作業中の適当な時期
に、この短絡したリード線に正逆方向にそれぞれ１つの
ダイオードを並列に接続した後、並列接続部のリード線
を切断し、ＭＲ素子に上述のダイオードを並列接続した
状態とする技術が開示されている。
技術として、米国特許第５４６５１８６号公報には、磁
気ヘッドの製造及び組立作業時に、ＭＲ素子の端子間を
リード線により短絡しておき、組立作業中の適当な時期
に、この短絡したリード線に正逆方向にそれぞれ１つの
ダイオードを並列に接続した後、並列接続部のリード線
を切断し、ＭＲ素子に上述のダイオードを並列接続した
状態とする技術が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−８５４２２号公報に記載された従来の静電破壊防止
技術によると、磁気ヘッドの製造工程において、インダ
クティブ素子とＭＲ素子との間を短絡する抵抗物質を設
ける必要があるため工程が複雑となる。また、一方向に
１つのダイオードしか接続していないため、充分なＥＳ
Ｄ対策を期待することができない。特に、高感度の巨大
磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用した例えばスピンバルブ
ＭＲ素子等では、静電破壊が生じる値よりはるかに小さ
いＥＳＤによりその磁気特性が変化してしまうが、この
公知技術では、このような磁気特性変化を防止すること
は不可能である。
７−８５４２２号公報に記載された従来の静電破壊防止
技術によると、磁気ヘッドの製造工程において、インダ
クティブ素子とＭＲ素子との間を短絡する抵抗物質を設
ける必要があるため工程が複雑となる。また、一方向に
１つのダイオードしか接続していないため、充分なＥＳ
Ｄ対策を期待することができない。特に、高感度の巨大
磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用した例えばスピンバルブ
ＭＲ素子等では、静電破壊が生じる値よりはるかに小さ
いＥＳＤによりその磁気特性が変化してしまうが、この
公知技術では、このような磁気特性変化を防止すること
は不可能である。
【０００８】また、特開平７−１４１６３６号公報に記
載された従来の静電破壊防止技術によると、特性測定作
業後に発生することのあるＥＳＤ対策を別個に施す必要
がある。
載された従来の静電破壊防止技術によると、特性測定作
業後に発生することのあるＥＳＤ対策を別個に施す必要
がある。
【０００９】さらにまた、米国特許第５４６５１８６号
公報に記載された従来の静電破壊防止技術によると、短
絡個所を切断して開放するという容易ではない作業を行
う必要がある。加えて、一方向に１つのダイオードしか
接続していないため、充分なＥＳＤ対策を期待すること
ができない。特に、例えばスピンバルブＭＲ素子等のＧ
ＭＲ素子では、静電破壊が生じる値よりはるかに小さい
ＥＳＤによりその磁気特性が変化してしまうが、この公
知技術では、このような磁気特性変化を防止することは
不可能である。
公報に記載された従来の静電破壊防止技術によると、短
絡個所を切断して開放するという容易ではない作業を行
う必要がある。加えて、一方向に１つのダイオードしか
接続していないため、充分なＥＳＤ対策を期待すること
ができない。特に、例えばスピンバルブＭＲ素子等のＧ
ＭＲ素子では、静電破壊が生じる値よりはるかに小さい
ＥＳＤによりその磁気特性が変化してしまうが、この公
知技術では、このような磁気特性変化を防止することは
不可能である。
【００１０】従って本発明は、従来技術の上述した問題
点を解消するものであり、その目的は、ＥＳＤによる薄
膜磁気ヘッド素子の電磁特性の劣化を確実に防止するこ
とができる磁気ヘッド装置を提供することにある。
点を解消するものであり、その目的は、ＥＳＤによる薄
膜磁気ヘッド素子の電磁特性の劣化を確実に防止するこ
とができる磁気ヘッド装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、少なく
とも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスラ
イダと、磁気ヘッドスライダを先端部に支持する支持機
構と、薄膜磁気ヘッド素子の駆動回路と、各々が少なく
とも１つの薄膜磁気ヘッド素子の最大出力電圧より大き
な導通動作電圧を有しており、少なくとも１つの薄膜磁
気ヘッド素子に接続される端子間に一方向について少な
くとも２つ並列接続されたダイオード素子とを備えた磁
気ヘッド装置が提供される。
とも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスラ
イダと、磁気ヘッドスライダを先端部に支持する支持機
構と、薄膜磁気ヘッド素子の駆動回路と、各々が少なく
とも１つの薄膜磁気ヘッド素子の最大出力電圧より大き
な導通動作電圧を有しており、少なくとも１つの薄膜磁
気ヘッド素子に接続される端子間に一方向について少な
くとも２つ並列接続されたダイオード素子とを備えた磁
気ヘッド装置が提供される。
【００１２】一方向について２つ以上のダイオード素子
が、薄膜磁気ヘッド素子に接続される端子間に並列接続
されている。その結果、静電気によって生じた過電流
は、並列接続された２つ以上のダイオード素子に分流し
て流れるため、薄膜磁気ヘッド素子に流れる電流は大幅
に低減し、耐静電特性が飛躍的に向上する。
が、薄膜磁気ヘッド素子に接続される端子間に並列接続
されている。その結果、静電気によって生じた過電流
は、並列接続された２つ以上のダイオード素子に分流し
て流れるため、薄膜磁気ヘッド素子に流れる電流は大幅
に低減し、耐静電特性が飛躍的に向上する。
【００１３】各ダイオード素子は、導通動作の応答速度
が１．５ｎｓｅｃ以下のダイオード素子であることが好
ましい。
が１．５ｎｓｅｃ以下のダイオード素子であることが好
ましい。
【００１４】駆動回路がＩＣチップ内に形成されてお
り、ダイオード素子もＩＣチップ内に設けられているこ
とが好ましい。
り、ダイオード素子もＩＣチップ内に設けられているこ
とが好ましい。
【００１５】ＩＣチップが、支持機構上に搭載されてい
るか、又は支持機構より伸びる配線基板上に搭載されて
いることも好ましい。
るか、又は支持機構より伸びる配線基板上に搭載されて
いることも好ましい。
【００１６】薄膜磁気ヘッド素子が、ＭＲ素子、特にＧ
ＭＲ素子であることが好ましい。ＧＭＲ素子のピン反転
等の電磁特性変化は、この素子に比較的小さな、例えば
２０ｍＡ程度の電流が流れても発生する。しかしなが
ら、上述のように、並列接続された２つ以上ダイオード
素子への分流が起こるため、このＧＭＲ素子に流れる電
流は非常に小さくなり、その結果、電磁特性の耐ＥＳＤ
性が大幅に向上する。
ＭＲ素子であることが好ましい。ＧＭＲ素子のピン反転
等の電磁特性変化は、この素子に比較的小さな、例えば
２０ｍＡ程度の電流が流れても発生する。しかしなが
ら、上述のように、並列接続された２つ以上ダイオード
素子への分流が起こるため、このＧＭＲ素子に流れる電
流は非常に小さくなり、その結果、電磁特性の耐ＥＳＤ
性が大幅に向上する。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態とし
てＧＭＲ素子の一種であるスピンバルブＭＲ素子及びイ
ンダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッド装置の主に
ヘッド部及び駆動回路部の概略構成を示す断面図であ
る。
てＧＭＲ素子の一種であるスピンバルブＭＲ素子及びイ
ンダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッド装置の主に
ヘッド部及び駆動回路部の概略構成を示す断面図であ
る。
【００１８】同図において、１０は磁気ヘッドスライ
ダ、１１はスピンバルブＭＲ素子、１２はＭＲ素子１１
の下部磁気シールド層、１３はＭＲ素子１１の上部磁気
シールド層を兼用するインダクティブ素子の第１の薄膜
磁気コア層、１４はインダクティブ素子の第２の薄膜磁
気コア層、１５はインダクティブ素子のコイル、１６は
インダクティブ素子用の１対の端子電極、１７はＭＲ素
子１１用の１対の端子電極、１８はＭＲ素子１１の両端
及び１対の端子電極１７を接続する１対の接続導体、１
９はインダクティブ素子用の１対の端子電極１６とＭＲ
素子１１用の１対の端子電極１７とが接続されている駆
動回路（ヘッドアンプ）をそれぞれ示している。以上の
構成は、一般的な複合型磁気ヘッドの構成と同じである
が、本実施形態では、駆動回路１９の手前のＭＲ素子１
１用の１対の端子電極１７間に、４つのダイオード素子
２０ａ〜２０ｄが互いに並列に接続されている。実際に
は、駆動回路１９及びダイオード素子２０ａ〜２０ｄ
は、１つのＩＣチップ２１内に組み込まれている。
ダ、１１はスピンバルブＭＲ素子、１２はＭＲ素子１１
の下部磁気シールド層、１３はＭＲ素子１１の上部磁気
シールド層を兼用するインダクティブ素子の第１の薄膜
磁気コア層、１４はインダクティブ素子の第２の薄膜磁
気コア層、１５はインダクティブ素子のコイル、１６は
インダクティブ素子用の１対の端子電極、１７はＭＲ素
子１１用の１対の端子電極、１８はＭＲ素子１１の両端
及び１対の端子電極１７を接続する１対の接続導体、１
９はインダクティブ素子用の１対の端子電極１６とＭＲ
素子１１用の１対の端子電極１７とが接続されている駆
動回路（ヘッドアンプ）をそれぞれ示している。以上の
構成は、一般的な複合型磁気ヘッドの構成と同じである
が、本実施形態では、駆動回路１９の手前のＭＲ素子１
１用の１対の端子電極１７間に、４つのダイオード素子
２０ａ〜２０ｄが互いに並列に接続されている。実際に
は、駆動回路１９及びダイオード素子２０ａ〜２０ｄ
は、１つのＩＣチップ２１内に組み込まれている。
【００１９】ダイオード素子２０ａ及び２０ｂは順方向
が一方の方向となるように接続されており、ダイオード
素子２０ｃ及び２０ｄは順方向が他方の方向となるよう
に接続されている。即ち、一方向について２つのダイオ
ード素子が並列接続されている。
が一方の方向となるように接続されており、ダイオード
素子２０ｃ及び２０ｄは順方向が他方の方向となるよう
に接続されている。即ち、一方向について２つのダイオ
ード素子が並列接続されている。
【００２０】図２は、図１の実施形態における複合型磁
気ヘッド装置の全体を示す平面図である。
気ヘッド装置の全体を示す平面図である。
【００２１】同図において、２２は磁気ヘッドスライダ
１０を一方の端部に設けられた舌部で担持する可撓性の
フレクシャー、２３はフレクシャー２２を支持固着する
ロードビーム、２４はロードビーム２３の基部に設けら
れたベースプレートをそれぞれ示している。
１０を一方の端部に設けられた舌部で担持する可撓性の
フレクシャー、２３はフレクシャー２２を支持固着する
ロードビーム、２４はロードビーム２３の基部に設けら
れたベースプレートをそれぞれ示している。
【００２２】フレクシャー２２上には、シリコン半導体
によるＩＣチップ２１が搭載されており、このＩＣチッ
プ２１内には、前述のごとく、ヘッドアンプである駆動
回路１９と４つのダイオード素子２０ａ〜２０ｄとがＩ
Ｃ化されて一体的に形成されている。ＩＣチップ２１の
大きさとしては、単なる一例であるが、１．０ｍｍ×
１．０ｍｍ×０．２５ｍｍである。また、ＩＣチップ２
１の取り付け位置は、耐ＥＳＤ特性の向上、電磁特性の
向上及び実装における容易性から、このようにサスペン
ション上の磁気ヘッドスライダ１０に近い位置としてい
る。
によるＩＣチップ２１が搭載されており、このＩＣチッ
プ２１内には、前述のごとく、ヘッドアンプである駆動
回路１９と４つのダイオード素子２０ａ〜２０ｄとがＩ
Ｃ化されて一体的に形成されている。ＩＣチップ２１の
大きさとしては、単なる一例であるが、１．０ｍｍ×
１．０ｍｍ×０．２５ｍｍである。また、ＩＣチップ２
１の取り付け位置は、耐ＥＳＤ特性の向上、電磁特性の
向上及び実装における容易性から、このようにサスペン
ション上の磁気ヘッドスライダ１０に近い位置としてい
る。
【００２３】フレクシャー２２上には、さらに、入出力
信号線としてフレクシブルプリント基板（ＦＰＣ）の形
態による複数のリード導体２５が形成されており、これ
らリード導体２５の一端はフレクシャー２２の先端に設
けられた磁気ヘッドスライダ１０の前述の端子電極１６
及び１７に接続されており、他端はＩＣチップ２１を介
して外部回路と接続するための接続パッド２６に接続さ
れている。
信号線としてフレクシブルプリント基板（ＦＰＣ）の形
態による複数のリード導体２５が形成されており、これ
らリード導体２５の一端はフレクシャー２２の先端に設
けられた磁気ヘッドスライダ１０の前述の端子電極１６
及び１７に接続されており、他端はＩＣチップ２１を介
して外部回路と接続するための接続パッド２６に接続さ
れている。
【００２４】周知のように、スピンバルブＭＲ素子は、
２つの強磁性薄膜層を非磁性金属層で磁気的に分離して
サンドイッチ構造とし、その一方の強磁性薄膜層に反強
磁性薄膜層を積層することによってその界面で生じる交
換バイアス磁界をこの一方の強磁性薄膜層（ピンニング
される層、ピンド層）に印加するようにしたものであ
る。交換バイアス磁界を受けるピンド層と受けない他方
の強磁性薄膜層（フリー層）とでは磁化反転する磁界が
異なるので、非磁性金属層を挟むこれら２つの強磁性薄
膜層の磁化の向きが平行、反平行と変化し、これにより
電気抵抗率が大きく変化するので巨大磁気抵抗効果が得
られる。
２つの強磁性薄膜層を非磁性金属層で磁気的に分離して
サンドイッチ構造とし、その一方の強磁性薄膜層に反強
磁性薄膜層を積層することによってその界面で生じる交
換バイアス磁界をこの一方の強磁性薄膜層（ピンニング
される層、ピンド層）に印加するようにしたものであ
る。交換バイアス磁界を受けるピンド層と受けない他方
の強磁性薄膜層（フリー層）とでは磁化反転する磁界が
異なるので、非磁性金属層を挟むこれら２つの強磁性薄
膜層の磁化の向きが平行、反平行と変化し、これにより
電気抵抗率が大きく変化するので巨大磁気抵抗効果が得
られる。
【００２５】スピンバルブＭＲ素子の出力特性等は、非
磁性金属層を挟むこれら２つの強磁性薄膜層（ピンド層
及びフリー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリ
ー層の磁化方向は磁気媒体からの磁界の方向に従って容
易に磁化し、一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性薄膜
層との交換結合により一方向（ピンニングされる方向、
ピンド方向）に制御される。しかしながら、スピンバル
ブＭＲ素子に何らかの原因で熱及び磁界が印加される
と、このピンド方向の反転（ピン反転）が生じることが
ある。
磁性金属層を挟むこれら２つの強磁性薄膜層（ピンド層
及びフリー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリ
ー層の磁化方向は磁気媒体からの磁界の方向に従って容
易に磁化し、一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性薄膜
層との交換結合により一方向（ピンニングされる方向、
ピンド方向）に制御される。しかしながら、スピンバル
ブＭＲ素子に何らかの原因で熱及び磁界が印加される
と、このピンド方向の反転（ピン反転）が生じることが
ある。
【００２６】例えばＥＳＤ電流によって発生するジュー
ル熱及び磁界により、ピン反転が発生する可能性があ
る。図３は、スピンバルブＭＲ素子において、ピン反転
が生じるＥＳＤ電流値のＭＲ素子抵抗値依存性を示すグ
ラフである。ＭＲ素子抵抗値が５０Ωである場合、ＭＲ
素子にＨｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏｄｅｌでの実験で２
０ｍＡ以上のＥＳＤ電流が流れるとピン反転を発生する
ことが分かる。
ル熱及び磁界により、ピン反転が発生する可能性があ
る。図３は、スピンバルブＭＲ素子において、ピン反転
が生じるＥＳＤ電流値のＭＲ素子抵抗値依存性を示すグ
ラフである。ＭＲ素子抵抗値が５０Ωである場合、ＭＲ
素子にＨｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏｄｅｌでの実験で２
０ｍＡ以上のＥＳＤ電流が流れるとピン反転を発生する
ことが分かる。
【００２７】そこで、本発明では、このようなスピンバ
ルブＭＲ素子と並列に一方向について複数のダイオード
素子を接続することにより、このＭＲ素子に２０ｍＡ以
上のＥＳＤ電流が流れないようにしているのである。
ルブＭＲ素子と並列に一方向について複数のダイオード
素子を接続することにより、このＭＲ素子に２０ｍＡ以
上のＥＳＤ電流が流れないようにしているのである。
【００２８】図４は、ＭＲ素子とこれに並列に接続する
ダイオード素子との種々の回路構成を示しており、同図
（Ａ）はＭＲ素子４０にダイオード素子を全く接続しな
い場合、同図（Ｂ）は従来技術のように一方向について
１つのダイオード素子４１を並列接続した場合、同図
（Ｃ）は本実施形態のように一方向について２つのダイ
オード素子４１及び４２を並列接続した場合、同図
（Ｄ）は一方向について３つのダイオード素子４１〜４
３を並列接続した場合をそれぞれ示している。また、表
１及び図５は、図４の各場合におけるＥＳＤ電流ＩESD
とＭＲ素子に実際に流れる電流ＩMRとの関係を示してい
る。ただし、ＭＲ素子の抵抗値が５０Ωであり、ダイオ
ード素子の導通時の抵抗が８Ωであるとしている。
ダイオード素子との種々の回路構成を示しており、同図
（Ａ）はＭＲ素子４０にダイオード素子を全く接続しな
い場合、同図（Ｂ）は従来技術のように一方向について
１つのダイオード素子４１を並列接続した場合、同図
（Ｃ）は本実施形態のように一方向について２つのダイ
オード素子４１及び４２を並列接続した場合、同図
（Ｄ）は一方向について３つのダイオード素子４１〜４
３を並列接続した場合をそれぞれ示している。また、表
１及び図５は、図４の各場合におけるＥＳＤ電流ＩESD
とＭＲ素子に実際に流れる電流ＩMRとの関係を示してい
る。ただし、ＭＲ素子の抵抗値が５０Ωであり、ダイオ
ード素子の導通時の抵抗が８Ωであるとしている。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１及び図５から分かるように、図４
（Ａ）の場合は、印加されるＥＳＤ電流ＩESD がそのま
まＭＲ電流ＩMRとして流れてしまう。また、図４（Ｂ）
の従来技術の場合は、ＥＳＤ電流ＩESD が約１５０ｍＡ
を越えるとＭＲ電流ＩMRが２０ｍＡを越えてピン反転が
発生する。
（Ａ）の場合は、印加されるＥＳＤ電流ＩESD がそのま
まＭＲ電流ＩMRとして流れてしまう。また、図４（Ｂ）
の従来技術の場合は、ＥＳＤ電流ＩESD が約１５０ｍＡ
を越えるとＭＲ電流ＩMRが２０ｍＡを越えてピン反転が
発生する。
【００３１】しかしながら、図４（Ｃ）のように一方向
について２つのダイオード素子４１及び４２を並列接続
した場合は、ＥＳＤ電流ＩESD が約２７０ｍＡを越える
までは、ＭＲ電流ＩMRが２０ｍＡを越えることはなく、
従ってＥＳＤ電流によるピン反転も発生しない。さら
に、図４（Ｄ）のように一方向について３つのダイオー
ド素子４１〜４３を並列接続した場合は、ＥＳＤ電流Ｉ
ESD が約３００ｍＡを越えても、ＭＲ電流ＩMRが２０ｍ
Ａを越えることはなく、従ってＥＳＤ電流によるピン反
転も発生しない。
について２つのダイオード素子４１及び４２を並列接続
した場合は、ＥＳＤ電流ＩESD が約２７０ｍＡを越える
までは、ＭＲ電流ＩMRが２０ｍＡを越えることはなく、
従ってＥＳＤ電流によるピン反転も発生しない。さら
に、図４（Ｄ）のように一方向について３つのダイオー
ド素子４１〜４３を並列接続した場合は、ＥＳＤ電流Ｉ
ESD が約３００ｍＡを越えても、ＭＲ電流ＩMRが２０ｍ
Ａを越えることはなく、従ってＥＳＤ電流によるピン反
転も発生しない。
【００３２】このように、電流の一方の方向について２
つ以上のダイオード素子をＭＲ素子に並列に接続するこ
とにより、耐ＥＳＤ特性が大幅に向上する。本実施形態
では並列接続するダイオード素子の数が２つであるが、
その数をより増大させればその分ＭＲ電流が低減するの
で、耐ＥＳＤ特性はより向上する。
つ以上のダイオード素子をＭＲ素子に並列に接続するこ
とにより、耐ＥＳＤ特性が大幅に向上する。本実施形態
では並列接続するダイオード素子の数が２つであるが、
その数をより増大させればその分ＭＲ電流が低減するの
で、耐ＥＳＤ特性はより向上する。
【００３３】並列接続する各ダイオード素子の特性とし
て、その導通動作電圧は、ＭＲ素子の最大出力電圧より
大きくする必要がある。ＭＲ素子のセンス電流が１０ｍ
Ａ、その抵抗値が５０Ωであるとすると、ダイオード素
子の導通動作電圧は、少なくとも、５０×０．１＝０．
５Ｖより高くなければならない。
て、その導通動作電圧は、ＭＲ素子の最大出力電圧より
大きくする必要がある。ＭＲ素子のセンス電流が１０ｍ
Ａ、その抵抗値が５０Ωであるとすると、ダイオード素
子の導通動作電圧は、少なくとも、５０×０．１＝０．
５Ｖより高くなければならない。
【００３４】また、ダイオード素子の導通応答速度は、
速ければ速いほどよいが、少なくとも１．５ｎｓｅｃ以
下であることが望ましい。図６はＨｕｍａｎ Ｂｏｄｙ
ＭｏｄｅｌによるＥＳＤ電流の波形を示すグラフであ
り、同図の実線ＡはそのＥＳＤ電流自体を示しており、
破線Ｂはダイオード素子を並列接続した場合である。こ
の破線Ｂの鋭いピークがリーク電流である。リーク電流
は、ダイオード素子の導通応答速度より速い信号であ
り、ダイオード素子の導通応答速度が速ければ速いほど
小さくなる。従って、ＥＳＤモデルの１つであるＣＤＭ
（ＣｈａｒｇｅｄＤｅｖｉｃｅ Ｍｏｄｅｌ）におい
て、１．５ｎｓｅｃの電流印加でのＥＳＤ破壊報告が現
在存在すること、及びピン反転がＥＳＤ破壊よりも小さ
な電流で発生することを考慮すると、ダイオード素子の
導通応答速度は、少なくとも１．５ｎｓｅｃ以下である
ことが要求されるのである。
速ければ速いほどよいが、少なくとも１．５ｎｓｅｃ以
下であることが望ましい。図６はＨｕｍａｎ Ｂｏｄｙ
ＭｏｄｅｌによるＥＳＤ電流の波形を示すグラフであ
り、同図の実線ＡはそのＥＳＤ電流自体を示しており、
破線Ｂはダイオード素子を並列接続した場合である。こ
の破線Ｂの鋭いピークがリーク電流である。リーク電流
は、ダイオード素子の導通応答速度より速い信号であ
り、ダイオード素子の導通応答速度が速ければ速いほど
小さくなる。従って、ＥＳＤモデルの１つであるＣＤＭ
（ＣｈａｒｇｅｄＤｅｖｉｃｅ Ｍｏｄｅｌ）におい
て、１．５ｎｓｅｃの電流印加でのＥＳＤ破壊報告が現
在存在すること、及びピン反転がＥＳＤ破壊よりも小さ
な電流で発生することを考慮すると、ダイオード素子の
導通応答速度は、少なくとも１．５ｎｓｅｃ以下である
ことが要求されるのである。
【００３５】このような条件を満足するダイオード素子
は、ディスクリート部品としては、種々存在しており
（例えば、東芝製のダイオード１ＳＳ３６２）、これと
同等の特性を有するダイオードをＩＣチップ化すること
によって本実施形態の磁気ヘッド装置を実現することが
できる。
は、ディスクリート部品としては、種々存在しており
（例えば、東芝製のダイオード１ＳＳ３６２）、これと
同等の特性を有するダイオードをＩＣチップ化すること
によって本実施形態の磁気ヘッド装置を実現することが
できる。
【００３６】図７及び図８は、スピンバルブＭＲ素子の
ＥＳＤ電圧に対する出力電圧特性及びＥＳＤ電圧に対す
る抵抗変化率ΔＲをそれぞれ示すグラフである。これら
の図において、ａはＭＲ素子にダイオード素子を全く接
続していない磁気ヘッド装置、ｂ〜ｄは従来技術のよう
に一方向について１つのダイオード素子を並列接続した
磁気ヘッド装置、ｅ及びｆは本実施形態のように一方向
について２つのダイオード素子を並列接続した磁気ヘッ
ド装置の特性をそれぞれ示している。なお、使用したＥ
ＳＤシミュレータは、擬似Ｈｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏ
ｄｅｌ（ＲSIMU＝１５００Ω、Ｃ＝１００ｐＦ）であ
る。
ＥＳＤ電圧に対する出力電圧特性及びＥＳＤ電圧に対す
る抵抗変化率ΔＲをそれぞれ示すグラフである。これら
の図において、ａはＭＲ素子にダイオード素子を全く接
続していない磁気ヘッド装置、ｂ〜ｄは従来技術のよう
に一方向について１つのダイオード素子を並列接続した
磁気ヘッド装置、ｅ及びｆは本実施形態のように一方向
について２つのダイオード素子を並列接続した磁気ヘッ
ド装置の特性をそれぞれ示している。なお、使用したＥ
ＳＤシミュレータは、擬似Ｈｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏ
ｄｅｌ（ＲSIMU＝１５００Ω、Ｃ＝１００ｐＦ）であ
る。
【００３７】図７から明かのように、ＭＲ素子にダイオ
ード素子を全く接続していない場合ａ、及び一方向につ
いて１つのダイオード素子を並列接続した場合ｂ〜ｄ
は、比較的低いＥＳＤ電圧（約７０Ｖ以下）でＭＲ素子
のピン反転が生じてその出力電圧が反転している。これ
に対して、一方向について２つのダイオード素子を並列
接続した場合ｅ及びｆは、それよりかなり高いＥＳＤ電
圧（約２５０Ｖ程度）となるまでピン反転が生じず、磁
気的なダメージを受けにくくなっている。
ード素子を全く接続していない場合ａ、及び一方向につ
いて１つのダイオード素子を並列接続した場合ｂ〜ｄ
は、比較的低いＥＳＤ電圧（約７０Ｖ以下）でＭＲ素子
のピン反転が生じてその出力電圧が反転している。これ
に対して、一方向について２つのダイオード素子を並列
接続した場合ｅ及びｆは、それよりかなり高いＥＳＤ電
圧（約２５０Ｖ程度）となるまでピン反転が生じず、磁
気的なダメージを受けにくくなっている。
【００３８】また、図８から明かのように、ＭＲ素子に
ダイオード素子を全く接続していない場合ａ、及び一方
向について１つのダイオード素子を並列接続した場合ｂ
及びｃは、比較的低いＥＳＤ電圧（約４００Ｖ）でＥＳ
Ｄ電流によりＭＲ素子の溶解が生じて抵抗値が変わるＥ
ＳＤ破壊が生じている。これに対して、一方向について
２つのダイオード素子を並列接続した場合ｅ及びｆは、
ＥＳＤ電圧が８００Ｖ以上となってもＥＳＤ破壊が生じ
ない。
ダイオード素子を全く接続していない場合ａ、及び一方
向について１つのダイオード素子を並列接続した場合ｂ
及びｃは、比較的低いＥＳＤ電圧（約４００Ｖ）でＥＳ
Ｄ電流によりＭＲ素子の溶解が生じて抵抗値が変わるＥ
ＳＤ破壊が生じている。これに対して、一方向について
２つのダイオード素子を並列接続した場合ｅ及びｆは、
ＥＳＤ電圧が８００Ｖ以上となってもＥＳＤ破壊が生じ
ない。
【００３９】なお、スピンバルブＭＲ素子のピン反転が
起こる印加エネルギ量は、ＥＳＤ破壊が起こるエネルギ
量に比して非常に低く（約１／４以下）、従来のＥＳＤ
破壊防止技術によってスピンバルブＭＲ素子のピン反転
を阻止することは不可能であることに注目すべきであ
る。
起こる印加エネルギ量は、ＥＳＤ破壊が起こるエネルギ
量に比して非常に低く（約１／４以下）、従来のＥＳＤ
破壊防止技術によってスピンバルブＭＲ素子のピン反転
を阻止することは不可能であることに注目すべきであ
る。
【００４０】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、スピンバルブＭＲ素子に対して、一方向について２
つのダイオード素子を並列接続しているため、ＥＳＤ電
流による電磁特性の劣化及びＥＳＤ破壊を防止すること
ができる。また、これらのダイオード素子を駆動回路と
共にＩＣチップ化しているため、部品点数を増大させる
ことなく、ＥＳＤ対策を施すことができる。磁気ヘッド
装置の製造及び組立工程において作業員の人体に耐電し
ている静電荷は、磁気ヘッド素子とＩＣチップ等による
ヘッド駆動回路とを接続する導体部分から侵入すること
が多い。従って、上述のダイオード素子を備えたＩＣチ
ップをサスペンション上に搭載することにより、磁気ヘ
ッド素子に近い位置でＥＳＤ対策が施されることとなる
から、その保護効果がより増大する。
ば、スピンバルブＭＲ素子に対して、一方向について２
つのダイオード素子を並列接続しているため、ＥＳＤ電
流による電磁特性の劣化及びＥＳＤ破壊を防止すること
ができる。また、これらのダイオード素子を駆動回路と
共にＩＣチップ化しているため、部品点数を増大させる
ことなく、ＥＳＤ対策を施すことができる。磁気ヘッド
装置の製造及び組立工程において作業員の人体に耐電し
ている静電荷は、磁気ヘッド素子とＩＣチップ等による
ヘッド駆動回路とを接続する導体部分から侵入すること
が多い。従って、上述のダイオード素子を備えたＩＣチ
ップをサスペンション上に搭載することにより、磁気ヘ
ッド素子に近い位置でＥＳＤ対策が施されることとなる
から、その保護効果がより増大する。
【００４１】なお、上述した実施形態は、スピンバルブ
ＭＲ素子のＥＳＤ対策に関するものであるが、本発明
は、その他のＧＭＲ素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭ
Ｒ）素子、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、さらに
はインダクティブ素子のＥＳＤ対策に対しても適用可能
である。
ＭＲ素子のＥＳＤ対策に関するものであるが、本発明
は、その他のＧＭＲ素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭ
Ｒ）素子、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、さらに
はインダクティブ素子のＥＳＤ対策に対しても適用可能
である。
【００４２】図９は、本発明の他の実施形態における複
合型磁気ヘッド装置の全体を示す平面図である。
合型磁気ヘッド装置の全体を示す平面図である。
【００４３】同図に示すように本実施形態では、リード
導体２５を有するＦＰＣ２７がサスペンションの後方ま
で伸長しており、このＦＰＣ２７上にＩＣチップ２１が
搭載されている。即ち、図２の場合には、サスペンショ
ン上にＩＣチップ２１が搭載されているが、この実施形
態では、サスペンション上ではないＦＰＣ２７上に搭載
されている。その他の構成及び作用効果は前述の実施形
態の場合とほぼ同様である。
導体２５を有するＦＰＣ２７がサスペンションの後方ま
で伸長しており、このＦＰＣ２７上にＩＣチップ２１が
搭載されている。即ち、図２の場合には、サスペンショ
ン上にＩＣチップ２１が搭載されているが、この実施形
態では、サスペンション上ではないＦＰＣ２７上に搭載
されている。その他の構成及び作用効果は前述の実施形
態の場合とほぼ同様である。
【００４４】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００４５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、一方向について２つ以上のダイオード素子が、薄膜
磁気ヘッド素子に接続される端子間に並列接続されてい
る。その結果、ＥＳＤ電流は、並列接続された２つ以上
のダイオード素子に分流して流れるため、薄膜磁気ヘッ
ド素子に流れる電流は大幅に低減し、耐ＥＳＤ特性が飛
躍的に向上する。
ば、一方向について２つ以上のダイオード素子が、薄膜
磁気ヘッド素子に接続される端子間に並列接続されてい
る。その結果、ＥＳＤ電流は、並列接続された２つ以上
のダイオード素子に分流して流れるため、薄膜磁気ヘッ
ド素子に流れる電流は大幅に低減し、耐ＥＳＤ特性が飛
躍的に向上する。
【図１】本発明の一実施形態としてスピンバルブＭＲ素
子及びインダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッド装
置の主にヘッド部及び駆動回路部の概略構成を示す断面
図である。
子及びインダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッド装
置の主にヘッド部及び駆動回路部の概略構成を示す断面
図である。
【図２】図１の実施形態における複合型磁気ヘッド装置
の全体を示す平面図である。
の全体を示す平面図である。
【図３】スピンバルブＭＲ素子において、ピン反転が生
じるＥＳＤ電流の値のＭＲ素子抵抗値依存性を示すグラ
フである。
じるＥＳＤ電流の値のＭＲ素子抵抗値依存性を示すグラ
フである。
【図４】ＭＲ素子とこれに並列に接続するダイオード素
子との種々の回路構成を示す回路図である。
子との種々の回路構成を示す回路図である。
【図５】図４の各場合におけるＥＳＤ電流とＭＲ素子に
実際に流れる電流との関係を示すグラフである。
実際に流れる電流との関係を示すグラフである。
【図６】Ｈｕｍａｎ Ｂｏｄｙ ＭｏｄｅｌによるＥＳ
Ｄ電流の波形を示すグラフである。
Ｄ電流の波形を示すグラフである。
【図７】スピンバルブＭＲ素子のＥＳＤ電圧に対する出
力電圧特性を示すグラフである。
力電圧特性を示すグラフである。
【図８】スピンバルブＭＲ素子のＥＳＤ電圧に対する抵
抗変化率ΔＲを示すグラフである。
抗変化率ΔＲを示すグラフである。
【図９】本発明の他の実施形態における複合型磁気ヘッ
ド装置の全体を示す平面図である。
ド装置の全体を示す平面図である。
１０ 磁気ヘッドスライダ １１、４０ スピンバルブＭＲ素子 １２ 下部磁気シールド層 １３ 上部磁気シールド層、第１の薄膜磁気コア層 １４ 第２の薄膜磁気コア層 １５ コイル １６、１７ 端子電極 １８ 接続導体 １９ 駆動回路（ヘッドアンプ） ２０ａ〜２０ｄ、４１、４２、４３ ダイオード素子 ２１ ＩＣチップ ２２ フレクシャー ２３ ロードビーム ２４ ベースプレート ２５ リード導体 ２６ 接続パッド ２７ ＦＰＣ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白石 一雅 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 森田 治幸 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D034 BA02 BA17 BB14 BB20 CA07
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を
有する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを
先端部に支持する支持機構と、前記薄膜磁気ヘッド素子
の駆動回路と、各々が前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘ
ッド素子の最大出力電圧より大きな導通動作電圧を有し
ており、該少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に接続
される端子間に一方向について少なくとも２つ並列接続
されたダイオード素子とを備えたことを特徴とする磁気
ヘッド装置。 - 【請求項２】 前記各ダイオード素子は、導通動作の応
答速度が１．５ｎｓｅｃ以下のダイオード素子であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド装置。 - 【請求項３】 前記駆動回路がＩＣチップ内に形成され
ており、前記ダイオード素子も該ＩＣチップ内に設けら
れていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気
ヘッド装置。 - 【請求項４】 前記ＩＣチップが、前記支持機構上に搭
載されていることを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘ
ッド装置。 - 【請求項５】 前記ＩＣチップが、前記支持機構より伸
びる配線基板上に搭載されていることを特徴とする請求
項３に記載の磁気ヘッド装置。 - 【請求項６】 前記薄膜磁気ヘッド素子が、磁気抵抗効
果素子であることを特徴とする請求項１から５のいずれ
か１項に記載の磁気ヘッド装置。 - 【請求項７】 前記磁気抵抗効果素子が、巨大磁気抵抗
効果素子であることを特徴とする請求項６に記載の磁気
ヘッド装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313955A JP2000123324A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | 磁気ヘッド装置 |
| US09/419,793 US6972933B1 (en) | 1998-10-19 | 1999-10-18 | Head suspension assembly |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313955A JP2000123324A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | 磁気ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000123324A true JP2000123324A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=18047510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10313955A Pending JP2000123324A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | 磁気ヘッド装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6972933B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000123324A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7151654B1 (en) * | 2002-03-12 | 2006-12-19 | Seagate Technology Llc | TMR head structure with conductive shunt |
| US20040264065A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Ionescu Stefan A. | Non-linear shunt protective device for ESD protection |
| US7161772B2 (en) * | 2003-11-19 | 2007-01-09 | International Business Machines Corporation | Removable ESD protection device using diodes |
| US7119995B2 (en) * | 2004-01-22 | 2006-10-10 | Seagate Technology Llc | ESD shunt for transducing head |
| US7548405B2 (en) * | 2006-12-20 | 2009-06-16 | International Business Machines Corporation | Systems and methods using diodes to protect electronic devices |
| US20090154031A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Bumanlag Napoleon B | Diode shunting for electrostatic discharge protection in a hard disk drive magnetic head |
| US8514534B2 (en) * | 2010-07-20 | 2013-08-20 | International Business Machines Corporation | Electrostatic discharge (ESD) protection for electronic devices using wire-bonding |
| US8908334B1 (en) | 2013-11-07 | 2014-12-09 | International Business Machines Corporation | Electrostatic discharge protection for a magnetoresistive sensor |
| US9202500B2 (en) * | 2013-12-20 | 2015-12-01 | Seagate Technology Llc | Devices having electrodes on the trailing edge surface |
| US10008848B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-06-26 | Globalfoundries Inc. | Method to protect sensitive devices from electrostatic discharge damage |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0785422A (ja) | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Sony Corp | 複合型磁気ヘッド |
| JP2937720B2 (ja) | 1993-11-16 | 1999-08-23 | アルプス電気株式会社 | 複合型磁気ヘッド及びｆｐｃ |
| US5465186A (en) | 1994-01-26 | 1995-11-07 | International Business Machines Corporation | Shorted magnetoresistive head leads for electrical overstress and electrostatic discharge protection during manufacture of a magnetic storage system |
| US5748412A (en) * | 1995-08-11 | 1998-05-05 | Seagate Technology, Inc. | Method and apparatus for protecting magnetoresistive sensor element from electrostatic discharge |
| JP2924845B2 (ja) * | 1997-03-24 | 1999-07-26 | ティーディーケイ株式会社 | スピンバルブ磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5903415A (en) * | 1997-12-11 | 1999-05-11 | International Business Machines Corporation | AP pinned spin valve sensor with pinning layer reset and ESD protection |
| US6233127B1 (en) * | 1998-04-22 | 2001-05-15 | Tdk Corporation | Thin film device provided with means for electrostatic breakdown prevention |
| US6704173B1 (en) * | 2000-08-16 | 2004-03-09 | Western Digital (Fremont), Inc. | Method and system for providing ESD protection using diodes and a grounding strip in a head gimbal assembly |
| US6891702B1 (en) * | 2002-10-31 | 2005-05-10 | Western Digital Technologies, Inc. | Method and devices for providing magnetoresistive heads with protection from electrostatic discharge and electric overstress events |
| US7161772B2 (en) * | 2003-11-19 | 2007-01-09 | International Business Machines Corporation | Removable ESD protection device using diodes |
-
1998
- 1998-10-19 JP JP10313955A patent/JP2000123324A/ja active Pending
-
1999
- 1999-10-18 US US09/419,793 patent/US6972933B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6972933B1 (en) | 2005-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6373660B1 (en) | Method and system for providing a permanent shunt for a head gimbal assembly | |
| US6704173B1 (en) | Method and system for providing ESD protection using diodes and a grounding strip in a head gimbal assembly | |
| US6667862B2 (en) | Magnetoresistive read head having permanent magnet on top of magnetoresistive element | |
| US6344954B1 (en) | Magneto-resistive tunnel junction head with specific flux guide structure | |
| US5978181A (en) | Magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| JPH11316917A (ja) | 電流による磁化固定型スピンバルブセンサ、スピンバルブセンサのピン層磁化固定方法、磁気ディスク装置、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ | |
| US6233127B1 (en) | Thin film device provided with means for electrostatic breakdown prevention | |
| KR20040008234A (ko) | 트랜스듀서와 그의 제조 방법 및 이를 포함하는 디스크드라이브 | |
| JPH09223304A (ja) | 磁気ヘッド装置 | |
| US6728079B2 (en) | Magnetoresistive effect thin-film magnetic head | |
| US6163437A (en) | Magnetic head with spin valve effect magnetoresistive element and its manufacturing method | |
| US7151654B1 (en) | TMR head structure with conductive shunt | |
| US7161772B2 (en) | Removable ESD protection device using diodes | |
| JP2000123324A (ja) | 磁気ヘッド装置 | |
| US6754055B2 (en) | Giant magneto-resistive effect element having small leakage current, magneto-resistive effective type head having small-leakage current, thin-film magnetic memory having small leakage current and thin-film magnetic sensor having small leakage current | |
| US6507466B1 (en) | Magnetoresistive effect head with diode in parallel | |
| US6870713B2 (en) | Magnetoresistive effect thin-film magnetic head | |
| US6643106B2 (en) | Method of shunting and deshunting a magnetic read element during assembly | |
| US7271968B2 (en) | Head protection circuit of hard disk drive | |
| US20020030946A1 (en) | Magnetoresistive effect thin-film magnetic head | |
| US6120920A (en) | Magneto-resistive effect magnetic head | |
| JP2001256620A (ja) | 磁気抵抗センサおよびこれを搭載した磁気記録再生装置 | |
| JP2004192672A (ja) | 磁気ヘッドアッセンブリ | |
| JPH09270544A (ja) | 巨大磁気抵抗効果素子 | |
| US20080123224A1 (en) | Magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic recording apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040408 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040427 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040622 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040720 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040903 |