JPH11316917A - 電流による磁化固定型スピンバルブセンサ、スピンバルブセンサのピン層磁化固定方法、磁気ディスク装置、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ - Google Patents

電流による磁化固定型スピンバルブセンサ、スピンバルブセンサのピン層磁化固定方法、磁気ディスク装置、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ

Info

Publication number
JPH11316917A
JPH11316917A JP11067074A JP6707499A JPH11316917A JP H11316917 A JPH11316917 A JP H11316917A JP 11067074 A JP11067074 A JP 11067074A JP 6707499 A JP6707499 A JP 6707499A JP H11316917 A JPH11316917 A JP H11316917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
spin valve
thickness
valve sensor
free layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11067074A
Other languages
English (en)
Inventor
Marcos M Lederman
マルコス・エム・レダーマン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Read Rite Corp
Original Assignee
Read Rite Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Read Rite Corp filed Critical Read Rite Corp
Publication of JPH11316917A publication Critical patent/JPH11316917A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3932—Magnetic biasing films
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
    • G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
    • G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
    • G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
    • G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
    • G11B2005/0018—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers by current biasing control or regulation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反強磁性層を必要としないスピンバルブセ
ンサを提供する。 【解決手段】 電流による磁化固定型スピンバルブセ
ンサ３２は、第１の膜厚を有する軟質強磁性フリー層３
４と、第１の膜厚より薄い第２の膜厚を有する軟質強磁
性ピン層３８と、フリー層とピン層間に挟まれた銅層３
６と、フリー層、ピン層及び銅層に接続されて、ピン層
を磁気飽和させるのに十分な強度の磁界を発生するバイ
アス電流を供給する電流源４０とを有する。フリー層及
びピン層の材料は、主にパーマロイ、コバルト、鉄−コ
バルト、及び軟質コバルト系強磁性合金からなる群から
選択する。フリー層のＭｒ・ｔは少なくとも０．３memu
／cm 2、ピン層のＭｒ・ｔは最大０．２８memu／cm2、フ
リー層とピン層とのＭｒ・ｔの比は２〜１０の範囲とす
る。センサを流れるバイアス電流は、４ｍＡ以上が好ま
しく、それによりピン層に接する反強磁性（ＡＦＭ）層
を必要とすることなく、ピン層の磁化を適当に固定する
磁界が発生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に磁気ディス
クドライブに関するものであり、特にスピンバルブ磁気
抵抗（ＭＲ）薄膜読出しヘッド、とりわけスピンバルブ
センサにその磁化方向を固定するピニング（pinning）
機構を付与する方法及び構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクドライブは、コンピュータ
のようなデジタル電子装置のためにデータを格納し又は
取り出すために用いられる。図４Ａ及びＢに示すよう
に、従来の磁気ディスクドライブＤは、密封されたエン
クロージュア１、ディスクドライブモータ２、モータ２
のスピンルＳ１によって回転可能に支持された磁気ディ
スク３、アクチュエータ４、及びアクチュエータ４のス
ピンルＳ２に取着されたアーム５を有する。サスペンシ
ョン６は一方の端部においてアーム５に結合され、かつ
他方の端部において読出し／書込みヘッド、即ちトラン
スデューサ７に結合されている。トランスデューサ７
は、通常センサ読出し素子を備えた誘導型書込み素子で
ある。モータ２が、矢印Ｒで示すようにディスク３を回
転させると、トランスデューサ７の下に空気ベアリング
が形成され、該トランスデューサをディスク３の表面か
ら僅かに浮上させる。磁気「トラック」の情報は、アク
チュエータ４が矢印Ｐで示すように短い円弧を描いて回
動すると、磁気ディスク３から読み出すことができる。
磁気ディスクドライブの設計及び製造については、当業
者によく知られている。
【０００３】トランスデューサ７に用いられる最も一般
的な型のセンサは、磁気抵抗センサである。磁気抵抗
（ＭＲ）センサは、読出し素子における抵抗値の変化に
より磁界信号を検出するために用いられる。このような
検出のために従来のＭＲセンサは、読出し素子の抵抗値
が、読出し素子における磁化方向と読出し素子を流れる
センス電流の方向との角度のコサインの二乗に比例して
変化する異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果を利用してい
る。ＭＲセンサと磁気媒体（例えば、ディスク表面）と
が相対的に運動すると、媒体からの磁界により読出し素
子の磁化方向に変化が生じ、それに対応した抵抗の変化
を読出し素子に生じさせる。この抵抗の変化を検出し
て、磁気媒体上に記録されたデータを復元することがで
きる。
【０００４】磁気抵抗の別の形態は、スピンバルブ磁気
抵抗（ＳＶＭＲ）として知られている。スピンバルブセ
ンサでは、２つの強磁性層が銅層により分離されてい
る。一方の強磁性層は「フリー」層であり、他方の強磁
性層は「ピン」層である。従来技術では、この磁化方向
の固定が、ピン層に隣接して付着された反強磁性層との
交換結合によって達成されている。
【０００５】詳述すると、図５に示すように、単一素子
のシールド型磁気抵抗ヘッド（ＭＲＨ）１０は、第１シ
ールド１２、第２シールド１４、及び両シールド１２，
１４間のギャップ（Ｇ）内に設けられたスピンバルブセ
ンサ１６を有する。空気ベアリング面ＳはＭＲＨ１０に
より画定される。スピンバルブセンサは、自己バイアス
効果を回避するためにギャップＧの中心に置かれるのが
好ましい。磁力線がスピンバルブセンサに交わることに
より、検出可能な抵抗値の変化が生ずる。ＭＲＨ１０の
ような磁気抵抗ヘッドの設計及び製造については、当業
者によく知られている。
【０００６】図６は図５の６−６線における（空気ベア
リング面Ｓの向きから見た）断面図であって、従来のス
ピンバルブセンサ１６の構造が示されている。スピンバ
ルブセンサ１６は、フリー層１８、銅層２０、ピン層２
２、及び反強磁性（ＡＦＭ）層２４を有する。スピンバ
ルブセンサ１６は基板１７及びバッファ層１９に支持さ
れている。強磁性エンド領域２１が、スピンバルブセン
サ１６の両端に当接している。通常金又は他の低抵抗材
料で作られるリード２５が、スピンバルブセンサ１６に
電流を供給する。キャップ層２７がＡＦＭ層２４の上に
配設されている。電流源２９が、センサ１６の各層を流
れる電流Ｉbを供給し、信号検出回路３１が、センサ１
６に磁界が作用したときのセンサ１６の抵抗値の変化を
検出する。
【０００７】フリー層及びピン層は、通常パーマロイの
ような軟質強磁性材料から作られる。当業者によく知ら
れているように、パーマロイは名目上８１％のニッケル
（Ｎｉ）及び１９％の鉄（Ｆｅ）を含む磁性材料であ
る。層２０は銅である。ＡＦＭ層２４は、後でより詳細
に説明するように、ピン層２２の磁気方向を設定するた
めに用いられる。
【０００８】ピン層２２を設ける目的について、図７Ａ
及びＢを参照して説明する。図７Ａにおいて、フリー層
１８は磁化方向を矢印２６で示す向きにすることができ
るのに対し、ピン層２２は矢印２８で示す方向に磁化さ
れる。ピン層２２の静磁気結合が無く、銅層２０を介し
ての強磁性交換結合が無く、かつセンス電流ＩSにより
生成される磁界が無い場合、フリー層１８は破線の矢印
３０で示すような向きに磁化することができる。実際の
磁化角度２６は、磁化角度３０と、ピン層２２の静磁気
結合、銅層２０を介しての強磁性交換結合、及びセンス
電流ＩSにより生成された磁界との和である。
【０００９】図７ＢのＲ−Ｈ曲線に示すように、フリー
層１８の磁化３０に対して直角をなすピン層２２の磁化
２８により、比較的大きな傾きを有する比較的線な曲線
上の点３３にフリー素子はバイアスされる。勿論、線形
応答となるためには直線性が必要であり、傾きが比較的
大きいことは、それが磁界の変化に対して大きな抵抗値
の変化を生じさせるという点で望ましい。
【００１０】ＡＦＭ層２４の反強磁性材料は、鉄−マン
ガン（ＦｅＭｎ）のようなマンガン（Ｍｎ）合金か、酸
化ニッケル（ＮｉＯ）のような酸化物の何れかである。
ＡＦＭ層２４は、通常の動作条件の下でピン層２２の磁
化が回転するのを防止しており、これによってフリー層
１８の磁気モーメントのみが外部磁界の存在下で回転し
得るようになっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】最も線形な応答と最も
広いダイナミックレンジを有するＳＶＭＲセンサは、強
磁性ピン層２２の磁化が信号磁界と平行で、フリー層１
８の磁化が信号磁界に対して直角となるようなものであ
る。しかし、ピン層２２を固定させるためにＡＦＭ層２
４を用いることにより、幾つかの問題が生ずる。一つに
は、ＡＦＭによって生ずる交換磁界強度が、非常に温度
の影響を受け易い点である。温度が高くなるにつれて、
ＡＦＭは「軟化」し、その強磁性ピン層を固定する能力
が低下する。この結果、ＳＶＭＲセンサは、静電放電
（ＥＳＤ）電流、及びそれによって生ずるＡＦＭ層２４
の加熱の影響を非常に受け易くなる。
【００１２】更に、ＦｅＭｎのようなＡＦＭ材料は、Ｓ
ＶＭＲセンサで用いられる他の材料と比較して極めて腐
食し易い。ＡＦＭ材料が敏感であると、製造プロセスの
各段階において注意深い制御と、ＳＶＭＲに対する保護
材料の使用が必要となる。また、ＡＦＭ薄膜２４は、そ
れが適当な結晶反強磁性相を呈するように高いアニーリ
ング温度を必要とするという点で、製造が困難である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、スピンバルブ
センサにおける反強磁性（ＡＦＭ）層の必要性を排除す
るものである。この目的は、正しく形成されたフリー層
及びピン層を設け、かつピン層において適当な磁界を誘
導するのに十分な磁界強度を発生するようなバイアス電
流をセンサに供給することにより達成される。
【００１４】本発明の電流による磁化固定型スピンバル
ブセンサは、第１の膜厚を有する軟質強磁性フリー層
と、前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚を有する軟質強
磁性ピン層と、前記フリー層と前記ピン層との間に挟ま
れた銅層と、線形範囲を大きく失うことなく前記ピン層
を飽和させるのに十分な強度の磁界を発生するバイアス
電流を供給するべく、前記センサの各層に接続された電
流源とを有する。
【００１５】好ましくは、前記フリー層及びピン層は、
主としてパーマロイ、コバルト、ＣｏＦｅ、及び軟質コ
バルト合金強磁性材料からなる材料の群から選択され
る。また好ましくは、前記フリー層は少なくとも０．３
memu／cm2のＭｒ・ｔを有し、ピン層は最大０．２８mem
u／cm2のＭｒ・ｔを有する。ここで、Ｍｒ・ｔとは、レ
ムナント磁化（Ｍｒ）と薄膜の厚さ（ｔ）との積であ
り、フリー層のＭｒ・ｔのピン層のＭｒ・ｔに対する比
は２〜１０の範囲が好ましい。また好ましくは、バイア
ス電流は少なくとも４ミリアンペア（ｍＡ）である。
【００１６】本発明によるスピンバルブセンサのピン層
の磁化固定方法は、第１の膜厚の軟質強磁性フリー層、
前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚の軟質強磁性ピン
層、及び前記フリー層と前記ピン層との間に挟まれた銅
層を備えたスピンバルブセンサを準備する過程からな
る。この方法は更に、バイアス電流を前記センサに流し
て、ピン層を飽和させるのに十分な強度の電界を発生さ
せる過程を含む。上述したように、好ましくは、前記フ
リー層は少なくとも０．３memu／cm2のＭｒ・ｔを有
し、ピン層は最大０．２８memu／cm2のＭｒ・ｔを有
し、フリー層のＭｒ・ｔとピン層のＭｒ・ｔとの比は、
好ましくは２〜１０の範囲である。好ましくは、バイア
ス電流は少なくとも４ｍＡである。
【００１７】ピン層及びフリー層の形状とバイアス電流
の大きさとによって、正しく磁化されたピン層が得られ
る。従って、本発明では、ピン層の磁化を固定するため
の反強磁性（ＡＦＭ）層の必要性が排除されている。こ
れによって、製造上の複雑さが著しく軽減され、センサ
の温度及びＥＳＤに対する感度が小さくなり、センサの
信頼性が高まる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の上述した利点及び他の利
点は、以下の実施例の説明及び図面を参照することによ
り、当業者には一層明らかとなろう。図４〜図７は、従
来技術に関連して説明した。図１に示すように、本発明
のスピンバルブセンサ３２は、フリー層３４、銅層３６
及びピン層３８を有する。従来技術とは異なり、ピン層
３８に隣接する反強磁性（ＡＦＭ）層が存在しないこと
に注意されたい。ピン層の適当な磁化は、センサ３２の
各層を流れるバイアス電流Ｉbによって生成される磁界
によって誘導される。このバイアス電流は、電流源４０
により発生する。この電流により、確実にピン層３８の
磁化が電流の向きに対して垂直な方向に飽和するように
する磁界が生成される。
【００１９】フリー層３４及びピン層３８の材料は、好
ましくは軟質強磁性材料である。最も好ましくは、この
軟質磁性材料は、名目上８１％のニッケル及び１９％の
鉄を含む周知のパーマロイ磁性材料である。フリー層３
４及びピン層３８に適した他の材料には、コバルト（Ｃ
ｏ）、鉄−コバルト（ＣｏＦｅ）、及び他の軟質コバル
ト合金強磁性体が含まれる。当業者によく知られている
ように、「軟質」強磁性材料とは、例えば１５エルステ
ッド未満の低い飽和保磁力を有する。
【００２０】層３６は銅であり、フリー層３４とピン層
３８との間の中間層、つまり「スペーサ」として用いら
れる。即ち、銅層３６はフリー層３４とピン層３８との
間にサンドイッチ状に挟まれている。各層３４、３６、
及び３８を形成するための方法及び装置はスピンバルブ
センサの分野の当業者にとって周知である。
【００２１】図２は、図１のスピンバルブセンサ３２の
断面図である。各層は膜厚が異なり、図面上での尺度は
正しくないことに注意されたい。フリー層３４の膜厚ｔ
fは、４０〜１００Åの範囲にあるのが好ましい。銅層
３５の膜厚ｔcは、２５〜３５Åの範囲にあるのが好ま
しい。ピン層３８の膜厚ｔpは、１０〜３５Åの範囲に
あるのが好ましい。フリー層とピン層のＭｒ・ｔ積の比
は、２〜１０の範囲にあるべきであり、２〜５の範囲に
あるのが最も好ましい。
【００２２】また、図２に示すのは、センサ１６の三つ
の層の、その中を流れる電流Ｉbによって生ずる磁界分
布である。センサ１６を十分な大きさの電流Ｉbが流れ
ると、ピン層３８は電流の向きに対して垂直な方向に飽
和する。従って、この電流は、ピン層の飽和を生じさせ
るのに十分な大きさでなければならないが、センサ１６
をその線形範囲からバイアスする程大きくてはならな
い。ここに説明する実施例では、この効果は、約５ｍＡ
より大きいバイアス電流、最も好ましくは６又は７ｍＡ
以上のバイアス電流において生ずる。しかし、各層の薄
膜がより薄い、即ちＭｒ・ｔがより小さい本発明の実施
例では、前記効果はより小さいバイアス電流、例えば４
ｍＡで生ずる。
【００２３】この効果を得るためには、ピン層３８が、
フリー層３４のＭｒ・ｔと比較して小さいＭｒ・ｔ（即
ち、小さい飽和磁界）を有することが重要である。ピン
層が約０．１〜０．２８memu／cm2の極めて小さいＭｒ
・ｔを有し、フリー層はより大きいＭｒ・ｔ、例えば
０．３〜０．５memu／cm2またはそれ以上のＭｒ・ｔを
有するのが好ましい。最も好ましくは、フリー層のＭｒ
・ｔとピン層のＭｒ・ｔの比が２〜５の範囲である。
【００２４】本発明の好適実施例では、スピンバルブセ
ンサ３２がフリー層３４に当接するバッファ層３５と、
ピン層３８に当接するキャップ層３９とを有する。バッ
ファ層３５は、従来のバッファ層１９（図２参照）と同
じ目的で設けられており、キャップ層３９は、従来のキ
ャップ層２７（同様に図２参照）と同じ目的で設けられ
ている。好ましくは、バッファ層３５はチタンかジルコ
ニウムのいずれかで形成される。同様に好ましくは、キ
ャップ層３９はタンタルまたはジルコニウムのいずれで
形成される。
【００２５】実験結果からＭｒ・ｔ及びバイアス電流の
範囲を決定するのに役立つデータが得られる。この実験
データは、ピン層に隣接するＡＦＭ層を備えた従来のス
ピンバルブセンサを用いて得られた。
【００２６】図３Ａ及びＢに示すように、スピンバルブ
センサを流れる電流がＩb＝−６ｍＡに達したとき、信
号の振幅の大きな変化が観察される。この電流が更に−
７ｍＡまで上昇した場合、抵抗−電界曲線の極性が変わ
り、ピン層の磁界が反転した（図示せず）ことを示す。
このことは、この特定の実験用センサでは、７ｍＡのＤ
Ｃ電流がデバイスの温度を、ＡＦＭ層が磁気効果を発揮
し得なくなるブロッキング温度より高い温度まで上昇さ
せたことを示している。
【００２７】しかしこの実施例では、Ｉbが正であると
き、Ｉb＝＋７ｍＡの辺りで、バイアス点−Ｉb曲線及び
ピーク間電圧Ｖpp−Ｉb曲線の挙動に特別な変化は観察
されなかった。従って、この電流の大きさでは、バイア
ス電流により発生した磁界がピン層を飽和させ、ＡＦＭ
はその効果を発揮しなくなるので、ＡＦＭを除去するこ
とが可能となる。これは、ピン層が非常に低いＭｒ・
ｔ、即ち小さい飽和磁界を有することから達成される。
他の形態では、ＡＦＭ層を必要とせずにピン層を飽和さ
せて磁化固定磁界を生成するのに、約５ｍＡの電流Ｉb
で十分である。
【００２８】上述したように、例えば各層の膜厚ｔを薄
くしてＭｒ・ｔを低くすることによって、より小さい電
流Ｉbで所望の挙動を起こさせることが可能となる。例
えば、各層のＭｒ・ｔを低くすると、バイアス電流Ｉb
＝４ｍＡで所望の効果を達成できる。
【００２９】以上、幾つかの好適実施例を用いて本発明
を説明したが、上記実施例についての様々な変形、変
更、及びそれらと均等な範囲のものは、本明細書及び添
付図面の記載から当業者であれば明らかであろう。従っ
て、それら全ての変形・変更及び均等物は本発明の技術
的範囲に含まれるものである。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、以上述べたようにスピ
ンバルブセンサを構成することにより、ピン層の磁化
を、それに隣接するＡＦＭ層を設けるこなく、適当に固
定することが可能となり、製造上有利であると共に、温
度の影響を受け難い安定した性能が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスピンバルブセンサの斜視図である。
【図２】図１のスピンバルブセンサの端面図である。
【図３】Ａ図及びＢ図は、それぞれスピンバルブセンサ
のバイアス電流に対するバイアス点及び電圧の振幅を示
すグラフである。
【図４】Ａ図は磁気ディスクアセンブリの一部断面正面
図、Ｂ図はＡ図の４Ｂ−４Ｂ線における断面図である。
【図５】従来のシールド型垂直磁気抵抗スピンバルブセ
ンサヘッドの斜視図である。
【図６】スピンバルブセンサ及び関連する基板、支持構
造、及び回路を示す、図５の６−６線における断面図で
ある。
【図７】Ａ図は図６のスピンバルブセンサのフリー層及
びピン層の磁気モーメントの方向を示す図、Ｂ図はスピ
ンバルブセンサの抵抗値対磁界の関係を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
１ エンクロージュア ２ モータ ３ 磁気ディスク ４ アクチュエータ ５ アーム ６ サスペンション ７ トランスデューサ １０ ＭＲヘッド １２ 第１シールド １４ 第２シールド １６ スピンバルブセンサ １７ 基板 １８ フリー層 １９ バッファ層 ２０ 銅層 ２１ 強磁性エンド領域 ２２ ピン層 ２４ 反強磁性層 ２５ リード ２９ 電流源 ３１ 信号検出回路 ３２ スピンバルブセンサ ３４ フリー層 ３５ バッファ層 ３６ 銅層 ３８ ピン層 ３９ キャップ層 ４０ 電流源

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の膜厚及び第１のＭｒ・ｔを有す
    る軟質強磁性フリー層と、 前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚、及び前記第１のＭ
    ｒ・ｔより実質的に小さい第２のＭｒ・ｔを有する軟質
    強磁性ピン層と、 前記フリー層と前記ピン層との間に配置された銅層と、 前記フリー層、前記ピン層及び前記銅層に接続されて、
    前記ピン層を飽和させるのに十分な強度の磁界を発生さ
    せるバイアス電流を供給する電流源とを有することを特
    徴とする電流による磁化固定型スピンバルブセンサ。
  2. 【請求項２】 前記フリー層及び前記ピン層が、主と
    してパーマロイ（ＮｉＦｅ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄−
    コバルト（ＣｏＦｅ）、及び軟質コバルト系強磁性合金
    からなる材料の群から選択されたものであることを特徴
    とする請求項１に記載のスピンバルブセンサ。
  3. 【請求項３】 前記フリー層が少なくとも０．３memu
    ／cm2のＭｒ・ｔを有し、前記ピン層が最大０．２８mem
    u／cm2のＭｒ・ｔを有し、前記フリー層のＭｒ・ｔの前
    記ピン層のＭｒ・ｔに対する比が２〜１０の範囲にある
    ことを特徴とする請求項２に記載のスピンバルブセン
    サ。
  4. 【請求項４】 前記バイアス電流が少なくとも４ｍＡ
    であることを特徴とする請求項３に記載のスピンバルブ
    センサ。
  5. 【請求項５】 前記フリー層の膜厚が４０〜１００Å
    の範囲にあり、前記ピン層の膜厚が１０〜３５Åの範囲
    にあり、前記銅層の膜厚が２０〜３５の範囲にあること
    を特徴とする請求項１に記載のスピンバルブセンサ。
  6. 【請求項６】 前記フリー層に当接するバッファ層を
    更に有し、前記バッファ層が、主としてタンタル及びジ
    ルコニウムからなる群から選択されることを特徴とする
    請求項１に記載のスピンバルブセンサ。
  7. 【請求項７】 前記ピン層に当接するキャップ層を更
    に有し、前記キャップ層が、主としてタンタル及びジル
    コニウムからなる群から選択されることを特徴とする請
    求項６に記載のスピンバルブセンサ。
  8. 【請求項８】 第１の膜厚及び第１のＭｒ・ｔを有す
    る軟質強磁性フリー層と、 前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚、及び前記第１のＭ
    ｒ・ｔより概ね小さい第２のＭｒ・ｔを有する軟質強磁
    性ピン層と、 前記フリー層と前記ピン層との間に配置された銅層とか
    らなることを特徴とする電流による磁化固定型スピンバ
    ルブセンサ。
  9. 【請求項９】 前記フリー層及び前記ピン層が、主と
    してパーマロイ（ＮｉＦｅ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄−
    コバルト（ＣｏＦｅ）、及び軟質コバルト系強磁性合金
    からなる材料の群から選択されたものであることを特徴
    とする請求項８に記載のスピンバルブセンサ。
  10. 【請求項１０】 前記フリー層が少なくとも０．３me
    mu／cm2のＭｒ・ｔを有し、前記ピン層が最大０．２８m
    emu／cm2のＭｒ・ｔを有し、前記フリー層のＭｒ・ｔの
    前記ピン層のＭｒ・ｔに対する比が２〜１０の範囲にあ
    ることを特徴とする請求項９に記載のスピンバルブセン
    サ。
  11. 【請求項１１】 前記バイアス電流が少なくとも４ｍ
    Ａであることを特徴とする請求項１０に記載のスピンバ
    ルブセンサ。
  12. 【請求項１２】 前記フリー層の膜厚が４０〜１００
    Åの範囲にあり、前記ピン層の膜厚が１０〜３５Åの範
    囲にあり、前記銅層の膜厚が２０〜３５の範囲にあるこ
    とを特徴とする請求項８に記載のスピンバルブセンサ。
  13. 【請求項１３】 前記フリー層に当接するバッファ層
    を更に有し、前記バッファ層が、主としてタンタル及び
    ジルコニウムからなる群から選択されることを特徴とす
    る請求項８に記載のスピンバルブセンサ。
  14. 【請求項１４】 前記ピン層に当接するキャップ層を
    更に有し、前記キャップ層が、主としてタンタル及びジ
    ルコニウムからなる群から選択されることを特徴とする
    請求項１３に記載のスピンバルブセンサ。
  15. 【請求項１５】 第１の膜厚を有する軟質強磁性フリ
    ー層、前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚を有する軟質
    強磁性ピン層、及び前記フリー層と前記ピン層との間に
    配置された銅層を有するスピンバルブセンサを準備する
    過程と、 前記スピンバルブセンサにバイアス電流を流して前記ピ
    ン層を飽和させる過程とを有することを特徴とするスピ
    ンバルブセンサのピン層磁化固定方法。
  16. 【請求項１６】 前記フリー層が少なくとも０．３me
    mu／cm2のＭｒ・ｔを有し、前記ピン層が最大０．２８m
    emu／cm2のＭｒ・ｔを有し、前記フリー層のＭｒ・ｔの
    前記ピン層のＭｒ・ｔに対する比が２〜１０の範囲にあ
    ることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記バイアス電流が少なくとも４ｍ
    Ａであることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 軸に関して回転するようにモータに
    結合された磁気ディスクと、 第１の膜厚及び第１のＭｒ・ｔを有する軟質強磁性フリ
    ー層と、前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚、及び前記
    第１のＭｒ・ｔより概ね小さい第２のＭｒ・ｔを有する
    軟質強磁性ピン層と、前記フリー層と前記ピン層との間
    に配置された銅層とを有するスピンバルブセンサを備
    え、前記磁気ディスクの上に支持されたトランスデュー
    サと、 前記スピンバルブセンサに接続されて、前記ピン層を飽
    和させるのに十分な強度の磁界を発生させるバイアス電
    流を供給する電流源とを有することを特徴とする磁気デ
    ィスク装置。
  19. 【請求項１９】 第１の膜厚と第１のＭｒ・ｔとを有
    する軟質強磁性フリー層、前記第１の膜厚より薄い第２
    の膜厚と、前記第１のＭｒ・ｔより概ね小さい第２のＭ
    ｒ・ｔとを有する軟質強磁性ピン層、及び前記フリー層
    と前記ピン層との間に配置された銅層を有するトランス
    デューサと、誘導型書込み素子とを備えたトランスデュ
    ーサと、 その一端の近傍において前記トランスデューサを支持す
    る細長いサスペンションアームとを有することを特徴と
    する読出し／書込みヘッドアセンブリ。
  20. 【請求項２０】 前記フリー層が少なくとも０．３me
    mu／cm2のＭｒ・ｔを有し、前記ピン層が最大０．２８m
    emu／cm2のＭｒ・ｔを有し、前記フリー層のＭｒ・ｔの
    前記ピン層のＭｒ・ｔに対する比が２〜１０の範囲にあ
    ることを特徴とする請求項１９に記載の読出し／書込み
    ヘッドアセンブリ。
JP11067074A 1998-03-12 1999-03-12 電流による磁化固定型スピンバルブセンサ、スピンバルブセンサのピン層磁化固定方法、磁気ディスク装置、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ Pending JPH11316917A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/038919 1998-03-12
US09/038,919 US6108166A (en) 1998-03-12 1998-03-12 Current-pinned spin valve sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11316917A true JPH11316917A (ja) 1999-11-16

Family

ID=21902655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11067074A Pending JPH11316917A (ja) 1998-03-12 1999-03-12 電流による磁化固定型スピンバルブセンサ、スピンバルブセンサのピン層磁化固定方法、磁気ディスク装置、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6108166A (ja)
JP (1) JPH11316917A (ja)

Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8689430B1 (en) 2006-11-29 2014-04-08 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a perpendicular magnetic recording (PMR)head
US8404128B1 (en) 2009-02-23 2013-03-26 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a perpendicular magnetic recording head
US8400731B1 (en) 2009-04-19 2013-03-19 Western Digital (Fremont), Llc Write head with variable side shield gaps
US8611055B1 (en) 2009-07-31 2013-12-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic etch-stop layer for magnetoresistive read heads
US9202480B2 (en) 2009-10-14 2015-12-01 Western Digital (Fremont), LLC. Double patterning hard mask for damascene perpendicular magnetic recording (PMR) writer
US8441896B2 (en) 2010-06-25 2013-05-14 Western Digital (Fremont), Llc Energy assisted magnetic recording head having laser integrated mounted to slider
US8997832B1 (en) 2010-11-23 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Method of fabricating micrometer scale components
US8441756B1 (en) 2010-12-16 2013-05-14 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing an antiferromagnetically coupled writer
US9123359B1 (en) 2010-12-22 2015-09-01 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording transducer with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields and method of fabrication
US8456961B1 (en) 2011-03-22 2013-06-04 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for mounting and aligning a laser in an electrically assisted magnetic recording assembly
US8419954B1 (en) 2011-10-31 2013-04-16 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer
US8760823B1 (en) 2011-12-20 2014-06-24 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having soft and hard magnetic bias structures
US8451563B1 (en) 2011-12-20 2013-05-28 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer using an air bridge
US9093639B2 (en) 2012-02-21 2015-07-28 Western Digital (Fremont), Llc Methods for manufacturing a magnetoresistive structure utilizing heating and cooling
US9349392B1 (en) 2012-05-24 2016-05-24 Western Digital (Fremont), Llc Methods for improving adhesion on dielectric substrates
US8724259B1 (en) 2012-06-11 2014-05-13 Western Digital (Fremont), Llc Conformal high moment side shield seed layer for perpendicular magnetic recording writer
US8711528B1 (en) 2012-06-29 2014-04-29 Western Digital (Fremont), Llc Tunnel magnetoresistance read head with narrow shield-to-shield spacing
US9269382B1 (en) 2012-06-29 2016-02-23 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having improved pinning of the pinned layer at higher recording densities
US9213322B1 (en) 2012-08-16 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Methods for providing run to run process control using a dynamic tuner
US9053719B2 (en) 2012-11-30 2015-06-09 Western Digital (Fremont), Llc Magnetoresistive sensor for a magnetic storage system read head, and fabrication method thereof
US8984740B1 (en) 2012-11-30 2015-03-24 Western Digital (Fremont), Llc Process for providing a magnetic recording transducer having a smooth magnetic seed layer
US8980109B1 (en) 2012-12-11 2015-03-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording transducer using a combined main pole and side shield CMP for a wraparound shield scheme
US8760818B1 (en) 2013-01-09 2014-06-24 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for providing magnetic storage elements with high magneto-resistance using heusler alloys
US9042208B1 (en) 2013-03-11 2015-05-26 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive measuring fly height by applying a bias voltage to an electrically insulated write component of a head
US9336814B1 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Western Digital (Fremont), Llc Inverse tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head
US8883017B1 (en) 2013-03-12 2014-11-11 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having seamless interfaces
US9111564B1 (en) 2013-04-02 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording writer having a main pole with multiple flare angles
US9013836B1 (en) 2013-04-02 2015-04-21 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing an antiferromagnetically coupled return pole
US9104107B1 (en) 2013-04-03 2015-08-11 Western Digital (Fremont), Llc DUV photoresist process
US8993217B1 (en) 2013-04-04 2015-03-31 Western Digital (Fremont), Llc Double exposure technique for high resolution disk imaging
US9064527B1 (en) 2013-04-12 2015-06-23 Western Digital (Fremont), Llc High order tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head
US9070381B1 (en) 2013-04-12 2015-06-30 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording read transducer having a laminated free layer
US9245545B1 (en) 2013-04-12 2016-01-26 Wester Digital (Fremont), Llc Short yoke length coils for magnetic heads in disk drives
US9431047B1 (en) 2013-05-01 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing an improved AFM reader shield
US9064528B1 (en) 2013-05-17 2015-06-23 Western Digital Technologies, Inc. Interferometric waveguide usable in shingled heat assisted magnetic recording in the absence of a near-field transducer
US9431039B1 (en) 2013-05-21 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording
US9263067B1 (en) 2013-05-29 2016-02-16 Western Digital (Fremont), Llc Process for making PMR writer with constant side wall angle
US9361913B1 (en) 2013-06-03 2016-06-07 Western Digital (Fremont), Llc Recording read heads with a multi-layer AFM layer methods and apparatuses
US9406331B1 (en) 2013-06-17 2016-08-02 Western Digital (Fremont), Llc Method for making ultra-narrow read sensor and read transducer device resulting therefrom
US9287494B1 (en) 2013-06-28 2016-03-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic tunnel junction (MTJ) with a magnesium oxide tunnel barrier
US9318130B1 (en) 2013-07-02 2016-04-19 Western Digital (Fremont), Llc Method to fabricate tunneling magnetic recording heads with extended pinned layer
US8947985B1 (en) 2013-07-16 2015-02-03 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording transducers having a recessed pole
US8923102B1 (en) 2013-07-16 2014-12-30 Western Digital (Fremont), Llc Optical grating coupling for interferometric waveguides in heat assisted magnetic recording heads
US9275657B1 (en) 2013-08-14 2016-03-01 Western Digital (Fremont), Llc Process for making PMR writer with non-conformal side gaps
US9431032B1 (en) 2013-08-14 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Electrical connection arrangement for a multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording
US9042051B2 (en) 2013-08-15 2015-05-26 Western Digital (Fremont), Llc Gradient write gap for perpendicular magnetic recording writer
US9343098B1 (en) 2013-08-23 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a heat assisted magnetic recording transducer having protective pads
US9343086B1 (en) 2013-09-11 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write transducer having an improved sidewall angle profile
US9441938B1 (en) 2013-10-08 2016-09-13 Western Digital (Fremont), Llc Test structures for measuring near field transducer disc length
US9042058B1 (en) 2013-10-17 2015-05-26 Western Digital Technologies, Inc. Shield designed for middle shields in a multiple sensor array
US9349394B1 (en) 2013-10-18 2016-05-24 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having a gradient side gap
US9007719B1 (en) 2013-10-23 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for using double mask techniques to achieve very small features
US9214172B2 (en) 2013-10-23 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Method of manufacturing a magnetic read head
US8988812B1 (en) 2013-11-27 2015-03-24 Western Digital (Fremont), Llc Multi-sensor array configuration for a two-dimensional magnetic recording (TDMR) operation
US9194692B1 (en) 2013-12-06 2015-11-24 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure
US9280990B1 (en) 2013-12-11 2016-03-08 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches
US9001628B1 (en) 2013-12-16 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Assistant waveguides for evaluating main waveguide coupling efficiency and diode laser alignment tolerances for hard disk
US8917581B1 (en) 2013-12-18 2014-12-23 Western Digital Technologies, Inc. Self-anneal process for a near field transducer and chimney in a hard disk drive assembly
US9082423B1 (en) 2013-12-18 2015-07-14 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write transducer having an improved trailing surface profile
US8971160B1 (en) 2013-12-19 2015-03-03 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer with high refractive index pin for heat assisted magnetic recording
US9147408B1 (en) 2013-12-19 2015-09-29 Western Digital (Fremont), Llc Heated AFM layer deposition and cooling process for TMR magnetic recording sensor with high pinning field
US8970988B1 (en) 2013-12-31 2015-03-03 Western Digital (Fremont), Llc Electric gaps and method for making electric gaps for multiple sensor arrays
US9305583B1 (en) 2014-02-18 2016-04-05 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches of damascene materials
US9183854B2 (en) 2014-02-24 2015-11-10 Western Digital (Fremont), Llc Method to make interferometric taper waveguide for HAMR light delivery
US8988825B1 (en) 2014-02-28 2015-03-24 Western Digital (Fremont, LLC Method for fabricating a magnetic writer having half-side shields
US9142233B1 (en) 2014-02-28 2015-09-22 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having a recessed pole
US9202493B1 (en) 2014-02-28 2015-12-01 Western Digital (Fremont), Llc Method of making an ultra-sharp tip mode converter for a HAMR head
US9396743B1 (en) 2014-02-28 2016-07-19 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for controlling soft bias thickness for tunnel magnetoresistance readers
US9153255B1 (en) 2014-03-05 2015-10-06 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having an asymmetric gap and shields
US9001467B1 (en) 2014-03-05 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating side shields in a magnetic writer
US9135930B1 (en) 2014-03-06 2015-09-15 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole using vacuum deposition
US9934811B1 (en) 2014-03-07 2018-04-03 Western Digital (Fremont), Llc Methods for controlling stray fields of magnetic features using magneto-elastic anisotropy
US9190085B1 (en) 2014-03-12 2015-11-17 Western Digital (Fremont), Llc Waveguide with reflective grating for localized energy intensity
US9111558B1 (en) 2014-03-14 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc System and method of diffractive focusing of light in a waveguide
US9135937B1 (en) 2014-05-09 2015-09-15 Western Digital (Fremont), Llc Current modulation on laser diode for energy assisted magnetic recording transducer
US8953422B1 (en) 2014-06-10 2015-02-10 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer using dielectric waveguide core with fine ridge feature
US8958272B1 (en) 2014-06-10 2015-02-17 Western Digital (Fremont), Llc Interfering near field transducer for energy assisted magnetic recording
US8976635B1 (en) 2014-06-10 2015-03-10 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer driven by a transverse electric waveguide for energy assisted magnetic recording
US9007879B1 (en) 2014-06-10 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Interfering near field transducer having a wide metal bar feature for energy assisted magnetic recording
US9508363B1 (en) 2014-06-17 2016-11-29 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole having a leading edge bevel
US9361914B1 (en) 2014-06-18 2016-06-07 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic sensor with thin capping layer
US9053735B1 (en) 2014-06-20 2015-06-09 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using a full-film metal planarization
US9214169B1 (en) 2014-06-20 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording read transducer having a laminated free layer
US9042052B1 (en) 2014-06-23 2015-05-26 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a partially shunted coil
US9230565B1 (en) 2014-06-24 2016-01-05 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic shield for magnetic recording head
US9190079B1 (en) 2014-09-22 2015-11-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic write pole having engineered radius of curvature and chisel angle profiles
US9007725B1 (en) 2014-10-07 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Sensor with positive coupling between dual ferromagnetic free layer laminates
US9087527B1 (en) 2014-10-28 2015-07-21 Western Digital (Fremont), Llc Apparatus and method for middle shield connection in magnetic recording transducers
US9786301B1 (en) 2014-12-02 2017-10-10 Western Digital (Fremont), Llc Apparatuses and methods for providing thin shields in a multiple sensor array
US9721595B1 (en) 2014-12-04 2017-08-01 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a storage device
US9111550B1 (en) 2014-12-04 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc Write transducer having a magnetic buffer layer spaced between a side shield and a write pole by non-magnetic layers
US9236560B1 (en) 2014-12-08 2016-01-12 Western Digital (Fremont), Llc Spin transfer torque tunneling magnetoresistive device having a laminated free layer with perpendicular magnetic anisotropy
US9286919B1 (en) 2014-12-17 2016-03-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a dual side gap
US9881638B1 (en) 2014-12-17 2018-01-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a near-field transducer (NFT) for a heat assisted magnetic recording (HAMR) device
US9214165B1 (en) 2014-12-18 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields
US9741366B1 (en) 2014-12-18 2017-08-22 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields
US9343087B1 (en) 2014-12-21 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having half shields
US10074387B1 (en) 2014-12-21 2018-09-11 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields
US9437251B1 (en) 2014-12-22 2016-09-06 Western Digital (Fremont), Llc Apparatus and method having TDMR reader to reader shunts
US9449625B1 (en) 2014-12-24 2016-09-20 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording head having a plurality of diffusion barrier layers
US9123374B1 (en) 2015-02-12 2015-09-01 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having an integrated polarization rotation plate
US9312064B1 (en) 2015-03-02 2016-04-12 Western Digital (Fremont), Llc Method to fabricate a magnetic head including ion milling of read gap using dual layer hard mask
US9431031B1 (en) 2015-03-24 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc System and method for magnetic transducers having multiple sensors and AFC shields
US9443541B1 (en) 2015-03-24 2016-09-13 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields and return pole
US9449621B1 (en) 2015-03-26 2016-09-20 Western Digital (Fremont), Llc Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure having a high aspect ratio
US9384763B1 (en) 2015-03-26 2016-07-05 Western Digital (Fremont), Llc Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure including a soft bias layer
US9245562B1 (en) 2015-03-30 2016-01-26 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording writer with a composite main pole
US9263071B1 (en) 2015-03-31 2016-02-16 Western Digital (Fremont), Llc Flat NFT for heat assisted magnetic recording
US9147404B1 (en) 2015-03-31 2015-09-29 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having a dual free layer
US9508372B1 (en) 2015-06-03 2016-11-29 Western Digital (Fremont), Llc Shingle magnetic writer having a low sidewall angle pole
US9508365B1 (en) 2015-06-24 2016-11-29 Western Digital (Fremont), LLC. Magnetic reader having a crystal decoupling structure
US9530443B1 (en) 2015-06-25 2016-12-27 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic recording device having a high aspect ratio structure
US9646639B2 (en) 2015-06-26 2017-05-09 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having integrated polarization rotation waveguides
US9842615B1 (en) 2015-06-26 2017-12-12 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer
US9431038B1 (en) 2015-06-29 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole having an improved sidewall angle profile
US9666214B1 (en) 2015-09-23 2017-05-30 Western Digital (Fremont), Llc Free layer magnetic reader that may have a reduced shield-to-shield spacing
US9472216B1 (en) 2015-09-23 2016-10-18 Western Digital (Fremont), Llc Differential dual free layer magnetic reader
US9424866B1 (en) 2015-09-24 2016-08-23 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording write apparatus having a dielectric gap
US9384765B1 (en) 2015-09-24 2016-07-05 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a HAMR writer having improved optical efficiency
US9595273B1 (en) 2015-09-30 2017-03-14 Western Digital (Fremont), Llc Shingle magnetic writer having nonconformal shields
US9484051B1 (en) 2015-11-09 2016-11-01 The Provost, Fellows, Foundation Scholars and the other members of Board, of the College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin Method and system for reducing undesirable reflections in a HAMR write apparatus
US9953670B1 (en) 2015-11-10 2018-04-24 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a HAMR writer including a multi-mode interference device
US10037770B1 (en) 2015-11-12 2018-07-31 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording write apparatus having a seamless pole
US9812155B1 (en) 2015-11-23 2017-11-07 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for fabricating high junction angle read sensors
US9564150B1 (en) 2015-11-24 2017-02-07 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic read apparatus having an improved read sensor isolation circuit
US9799351B1 (en) 2015-11-30 2017-10-24 Western Digital (Fremont), Llc Short yoke length writer having assist coils
US9754611B1 (en) 2015-11-30 2017-09-05 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write apparatus having a stepped conformal trailing shield
US9858951B1 (en) 2015-12-01 2018-01-02 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a multilayer AFM layer in a read sensor
US9740805B1 (en) 2015-12-01 2017-08-22 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for detecting hotspots for photolithographically-defined devices
US9767831B1 (en) 2015-12-01 2017-09-19 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having convex trailing surface pole and conformal write gap

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5341261A (en) * 1991-08-26 1994-08-23 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having multilayer thin film structure
JP2784457B2 (ja) * 1993-06-11 1998-08-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 磁気抵抗センサ装置
US5583725A (en) * 1994-06-15 1996-12-10 International Business Machines Corporation Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor
FR2722918B1 (fr) * 1994-07-21 1996-08-30 Commissariat Energie Atomique Capteur a magnetoresistance multicouche autopolarisee
FR2729790A1 (fr) * 1995-01-24 1996-07-26 Commissariat Energie Atomique Magnetoresistance geante, procede de fabrication et application a un capteur magnetique
US5627704A (en) * 1996-02-12 1997-05-06 Read-Rite Corporation Thin film giant magnetoresistive CPP transducer with flux guide yoke structure
US5650887A (en) * 1996-02-26 1997-07-22 International Business Machines Corporation System for resetting sensor magnetization in a spin valve magnetoresistive sensor
US5666248A (en) * 1996-09-13 1997-09-09 International Business Machines Corporation Magnetizations of pinned and free layers of a spin valve sensor set by sense current fields
US5796561A (en) * 1996-11-27 1998-08-18 International Business Machines Corporation Self-biased spin valve sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US6108166A (en) 2000-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11316917A (ja) 電流による磁化固定型スピンバルブセンサ、スピンバルブセンサのピン層磁化固定方法、磁気ディスク装置、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ
US6801411B1 (en) Dual stripe spin valve sensor without antiferromagnetic pinning layer
KR100336733B1 (ko) 자기 터널 접합 센서용 저 모멘트/고 보자력 고정층
US6137662A (en) Magnetoresistive sensor with pinned SAL
US6185079B1 (en) Disk drive with thermal asperity reduction circuitry using a magnetic tunnel junction sensor
US6418000B1 (en) Dual, synthetic spin valve sensor using current pinning
US6185077B1 (en) Spin valve sensor with antiferromagnetic and magnetostatically coupled pinning structure
KR0175984B1 (ko) 스핀 밸브 자기저항 소자, 스핀 밸브 자기저항 센서, 자기저장 시스템 및 자기기록 디스크 드라이브
KR100278419B1 (ko) 재설정 가능한 대칭형 스핀 밸브
US6108177A (en) Tunnel junction structure with FeX ferromagnetic layers
US5793207A (en) Disk drive with a thermal asperity reduction circuitry using a spin valve sensor
US7116530B2 (en) Thin differential spin valve sensor having both pinned and self pinned structures for reduced difficulty in AFM layer polarity setting
KR100297080B1 (ko) 자기저항스핀밸브판독센서,자기디스크드라이브,자기헤드및그제조방법
JPH10105929A (ja) 改善された磁気抵抗を有するスピン・バルブ・センサ
KR19980041806A (ko) 자기-바이어스된 이중 스핀 밸브 센서
KR19980041805A (ko) 자기-바이어스된 스핀 밸브 센서
US6801409B2 (en) Read head shield having improved stability
US7038889B2 (en) Method and apparatus for enhanced dual spin valve giant magnetoresistance effects having second spin valve self-pinned composite layer
JP2008112496A (ja) 磁気抵抗効果型再生磁気ヘッド及びその再生磁気ヘッドを用いた磁気記録装置
KR100553489B1 (ko) 스핀 밸브 자기 저항 효과 헤드 및 이것을 사용한 복합형자기 헤드 및 자기 기록 매체 구동 장치
US6327123B1 (en) Magnetic head employing magnetoresistive sensor and magnetic storage and retrieval system
US7180714B2 (en) Apparatus for providing a ballistic magnetoresistive sensor in a current perpendicular-to-plane mode
JP3541245B2 (ja) 磁気ヘッド及びそれを有する磁気記憶装置
US6704176B2 (en) Spin valve sensor
US6414826B1 (en) High sensitivity AP pinned head