JP2000121885A - 光モジュールの電磁波対策構造 - Google Patents
光モジュールの電磁波対策構造Info
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- JP2000121885A JP2000121885A JP10297478A JP29747898A JP2000121885A JP 2000121885 A JP2000121885 A JP 2000121885A JP 10297478 A JP10297478 A JP 10297478A JP 29747898 A JP29747898 A JP 29747898A JP 2000121885 A JP2000121885 A JP 2000121885A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4274—Electrical aspects
- G02B6/4277—Protection against electromagnetic interference [EMI], e.g. shielding means
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光モジュールにおける電磁波漏洩を有効に防
止する。 【解決手段】 光モジュール21は、光素子5、6を内
蔵したパッケージ3の前面の開口部にピン嵌合位置合わ
せ方式で複数の光ファイバを内蔵したフェルール2を一
体結合させた構成を持つ。パッケージ3の前面の開口部
の周囲に金属板(電磁波遮断層)22を設ける。光モジ
ュール21は、電磁波シールドを施したケース11内に
収容される。金属板22をケース11に接続する。光モ
ジュール21の光素子5、6で発生し前方に向かう電磁
波(矢印で示す)は金属板22で反射され、電磁波の外
部への漏洩は有効に防止され、外部の機器に悪影響を与
えることはない。
止する。 【解決手段】 光モジュール21は、光素子5、6を内
蔵したパッケージ3の前面の開口部にピン嵌合位置合わ
せ方式で複数の光ファイバを内蔵したフェルール2を一
体結合させた構成を持つ。パッケージ3の前面の開口部
の周囲に金属板(電磁波遮断層)22を設ける。光モジ
ュール21は、電磁波シールドを施したケース11内に
収容される。金属板22をケース11に接続する。光モ
ジュール21の光素子5、6で発生し前方に向かう電磁
波(矢印で示す)は金属板22で反射され、電磁波の外
部への漏洩は有効に防止され、外部の機器に悪影響を与
えることはない。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ファイバと電
子回路との間の電気/光インターフェースとなる光モジ
ュールに関し、特にその電磁波対策構造に関する。
子回路との間の電気/光インターフェースとなる光モジ
ュールに関し、特にその電磁波対策構造に関する。
【0002】
【従来の技術】光通信システムにおいて、光ファイバと
電子回路とを結合する光モジュールは、通常、レーザダ
イオード(以下LDと略す)や発光ダイオード(以下L
EDと略す)等の送信用の発光素子およびフォトダイオ
ード(以下PDと略す)等の受光素子を同一のパッケー
ジに内蔵させたものであるが、この種の光モジュールに
おいて、光ファイバの接続が正しくかつ容易に行えるよ
うに、前記パッケージにピン嵌合位置合わせ方式の光コ
ネクタを一体化した構造のものが開発の主流となってい
る。前記ピン嵌合位置合わせ方式の光コネクタ(しばし
ばMT光コネクタと呼ばれる)とは、例えばJIS C
5981の12型光ファイバコネクタ等のように、プ
ラスチック製で概ね角形のフェルールの光ファイバ穴に
光ファイバを挿通固定した後、その接合端面を例えば、
周知のMPO型光コネクタの結合方式に対応させてPC
(physical contact)研磨したもので、コネクタ接続時
には、接続しようとする2つの光コネクタのそれぞれの
フェルールのガイドピン穴に挿通させたガイドピンによ
り、互いに位置合わせを行う。
電子回路とを結合する光モジュールは、通常、レーザダ
イオード(以下LDと略す)や発光ダイオード(以下L
EDと略す)等の送信用の発光素子およびフォトダイオ
ード(以下PDと略す)等の受光素子を同一のパッケー
ジに内蔵させたものであるが、この種の光モジュールに
おいて、光ファイバの接続が正しくかつ容易に行えるよ
うに、前記パッケージにピン嵌合位置合わせ方式の光コ
ネクタを一体化した構造のものが開発の主流となってい
る。前記ピン嵌合位置合わせ方式の光コネクタ(しばし
ばMT光コネクタと呼ばれる)とは、例えばJIS C
5981の12型光ファイバコネクタ等のように、プ
ラスチック製で概ね角形のフェルールの光ファイバ穴に
光ファイバを挿通固定した後、その接合端面を例えば、
周知のMPO型光コネクタの結合方式に対応させてPC
(physical contact)研磨したもので、コネクタ接続時
には、接続しようとする2つの光コネクタのそれぞれの
フェルールのガイドピン穴に挿通させたガイドピンによ
り、互いに位置合わせを行う。
【0003】図9にこの種の従来の光モジュール1を示
す。この光モジュール1は、前述のピン嵌合位置合わせ
方式の光コネクタ(いわゆるMTコネクタ)に概ね相当
するフェルール2をICパッケージ等と同様な構造のパ
ッケージ3と一体化したものであり、パッケージ3内に
はシリコン、セラミックス、ガラス等による基板4上に
図示例ではマウント4を介して発光素子5および受光素
子6の2つの光素子を並べて設けている。フェルール2
は、パッケージ3に形成したフェルール結合用の開口部
9に例えば図示例のように一部が入り込んで、または入
り込まずにパッケージ3に固定される。7はフェルール
2に内蔵の光ファイバ、8は端子である。
す。この光モジュール1は、前述のピン嵌合位置合わせ
方式の光コネクタ(いわゆるMTコネクタ)に概ね相当
するフェルール2をICパッケージ等と同様な構造のパ
ッケージ3と一体化したものであり、パッケージ3内に
はシリコン、セラミックス、ガラス等による基板4上に
図示例ではマウント4を介して発光素子5および受光素
子6の2つの光素子を並べて設けている。フェルール2
は、パッケージ3に形成したフェルール結合用の開口部
9に例えば図示例のように一部が入り込んで、または入
り込まずにパッケージ3に固定される。7はフェルール
2に内蔵の光ファイバ、8は端子である。
【0004】前記フェルール2は、前記のMTコネクタ
そのものではなく、通常、MTコネクタの位置決め用の
鍔部を成形後の加工により削除したものを用いるが、光
ファイバ7を光ファイバ孔2c内に挿通固定して内蔵
し、先端側がPC研磨等をした接合端面2aとなってお
り、後端面2bから内蔵の光ファイバ7が短く突出し
て、光素子5、6に対向している。2dはガイドピン穴
である。
そのものではなく、通常、MTコネクタの位置決め用の
鍔部を成形後の加工により削除したものを用いるが、光
ファイバ7を光ファイバ孔2c内に挿通固定して内蔵
し、先端側がPC研磨等をした接合端面2aとなってお
り、後端面2bから内蔵の光ファイバ7が短く突出し
て、光素子5、6に対向している。2dはガイドピン穴
である。
【0005】この種の小型のMT形のフェルール2のサ
イズは、これを正面から見た図12に示すように、コネ
クタ端面(接合端面2a)の寸法が4.4mm×2.5
mmである。したがって、長径(この場合は対角線寸
法)は5.06mmである。
イズは、これを正面から見た図12に示すように、コネ
クタ端面(接合端面2a)の寸法が4.4mm×2.5
mmである。したがって、長径(この場合は対角線寸
法)は5.06mmである。
【0006】上記の光モジュール1は通常、図13に示
すようにケース11内に収容してプリント基板上に実装
される。そして、この光モジュール1のフェルール2に、
光ファイバコード12の先端に取り付けた光コネクタ1
3が接続される。図示の光コネクタ13は、前記フェル
ール2と同様な構造のMTコネクタ14を備え、ワンタ
ッチ着脱式としたいわゆるMPOコネクタである。
すようにケース11内に収容してプリント基板上に実装
される。そして、この光モジュール1のフェルール2に、
光ファイバコード12の先端に取り付けた光コネクタ1
3が接続される。図示の光コネクタ13は、前記フェル
ール2と同様な構造のMTコネクタ14を備え、ワンタ
ッチ着脱式としたいわゆるMPOコネクタである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子機器に
おいて電磁波対策を施す場合、電磁波発生部を囲むケー
スにあける穴(例えばパソコン等における空気穴等)
は、長径を4mm以下に抑えるのが一般的である。しか
し、上記光モジュール1の場合、フェルール2の端面の
長径(5.06mm)は4mmより長い。このフェルー
ル2の端面部分はコネクタ接続に必要な部分であり、こ
れを小さくすることはできない。したがって、ケース1
1の全体に電磁波シールドを施したとしても、フェルー
ル2の端面寸法より大きな穴(すなわち4mmより大き
な穴)が空いてしまうことになり、この穴11aから電
磁波が外部に漏洩して、周辺の機器に悪影響を与えてし
まうという問題がある。本発明は上記事情に鑑みてなさ
れたもので、電磁波漏洩防止を有効に図ることができる
光モジュールの電磁波対策構造を提供することを目的と
する。
おいて電磁波対策を施す場合、電磁波発生部を囲むケー
スにあける穴(例えばパソコン等における空気穴等)
は、長径を4mm以下に抑えるのが一般的である。しか
し、上記光モジュール1の場合、フェルール2の端面の
長径(5.06mm)は4mmより長い。このフェルー
ル2の端面部分はコネクタ接続に必要な部分であり、こ
れを小さくすることはできない。したがって、ケース1
1の全体に電磁波シールドを施したとしても、フェルー
ル2の端面寸法より大きな穴(すなわち4mmより大き
な穴)が空いてしまうことになり、この穴11aから電
磁波が外部に漏洩して、周辺の機器に悪影響を与えてし
まうという問題がある。本発明は上記事情に鑑みてなさ
れたもので、電磁波漏洩防止を有効に図ることができる
光モジュールの電磁波対策構造を提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、光素子を内蔵したパッケージの前面の開口部にピ
ン嵌合位置合わせ方式で複数の光ファイバを内蔵したフ
ェルールを一体結合させた構成の光モジュールを、、電
磁波シールドを施すとともに前面に光コネクタ接続用の
穴を持つケース内に収容してなる光モジュールの電磁波
対策構造において、前記パッケージの前面に、前記開口
部に対応する穴を持つ電磁波遮断層を形成するととも
に、この電磁波遮断層を前記ケースの電磁波シールド部
に接続したことを特徴とする。
明は、光素子を内蔵したパッケージの前面の開口部にピ
ン嵌合位置合わせ方式で複数の光ファイバを内蔵したフ
ェルールを一体結合させた構成の光モジュールを、、電
磁波シールドを施すとともに前面に光コネクタ接続用の
穴を持つケース内に収容してなる光モジュールの電磁波
対策構造において、前記パッケージの前面に、前記開口
部に対応する穴を持つ電磁波遮断層を形成するととも
に、この電磁波遮断層を前記ケースの電磁波シールド部
に接続したことを特徴とする。
【0009】請求項2は、請求項1の光モジュールの電
磁波対策構造において、前面部に電磁波シールドを施し
た前記ケースの複数個を、電磁波シールドを施した大形
ケース内の、当該大形ケースの前面に設けた複数の開口
部にそれぞれ臨む位置に配置するとともに、前記ケース
の前面の電磁波シールド部を前記大形ケースの前面の電
磁波シールド部に接続したことを特徴とする。
磁波対策構造において、前面部に電磁波シールドを施し
た前記ケースの複数個を、電磁波シールドを施した大形
ケース内の、当該大形ケースの前面に設けた複数の開口
部にそれぞれ臨む位置に配置するとともに、前記ケース
の前面の電磁波シールド部を前記大形ケースの前面の電
磁波シールド部に接続したことを特徴とする。
【0010】請求項3は、請求項1の光モジュールの電
磁波対策構造において、光モジュールのパッケージの開
口部の径が4mm以下であることを特徴とする。
磁波対策構造において、光モジュールのパッケージの開
口部の径が4mm以下であることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
〜図10を参照して説明する。図1は本発明の一実施形
態の光モジュール21の水平断面図、図2は同斜視図、
図3は光モジュール21におけるパッケージ3のみを示
した斜視図、図4は後述の金属板22のみを示した斜視
図、図5は光モジュール21におけるフェルール2の前
方から見た斜視図、図6はフェルールの後方から見た斜
視図である。これらの図に示すように、この光モジュー
ル21は、ピン嵌合位置合わせ方式の光コネクタ(いわ
ゆるMTコネクタ)に概ね相当するフェルール2をIC
パッケージ等と同様な構造のパッケージ3と一体化した
ものであり、樹脂製のパッケージ3内にはシリコン、セ
ラミックス、ガラス等による基板4上に図示例ではマウ
ント10を介して発光素子5および受光素子6の2つの
光素子を並べて設けている。図示のフェルール2は、パ
ッケージ3に形成したフェルール結合用の開口部9に一
部が入り込んでパッケージ3に固定されている。7はフ
ェルール2の光ファイバ穴2cに挿入固定した光ファイ
バ(裸ファイバ)、8は端子である。
〜図10を参照して説明する。図1は本発明の一実施形
態の光モジュール21の水平断面図、図2は同斜視図、
図3は光モジュール21におけるパッケージ3のみを示
した斜視図、図4は後述の金属板22のみを示した斜視
図、図5は光モジュール21におけるフェルール2の前
方から見た斜視図、図6はフェルールの後方から見た斜
視図である。これらの図に示すように、この光モジュー
ル21は、ピン嵌合位置合わせ方式の光コネクタ(いわ
ゆるMTコネクタ)に概ね相当するフェルール2をIC
パッケージ等と同様な構造のパッケージ3と一体化した
ものであり、樹脂製のパッケージ3内にはシリコン、セ
ラミックス、ガラス等による基板4上に図示例ではマウ
ント10を介して発光素子5および受光素子6の2つの
光素子を並べて設けている。図示のフェルール2は、パ
ッケージ3に形成したフェルール結合用の開口部9に一
部が入り込んでパッケージ3に固定されている。7はフ
ェルール2の光ファイバ穴2cに挿入固定した光ファイ
バ(裸ファイバ)、8は端子である。
【0012】前記光モジュール21は、図7に示すよう
に、電磁波シールドを施すとともに前面に光コネクタ接
続用の穴を持つケース内11内に収容してプリント基板
(図示略)上に実装する。図7において、12は光ファ
イバコード、13は光ファイバコード12の先端に取り
付けた光コネクタ(図示のものは前述のMPO型光コネ
クタ)である。
に、電磁波シールドを施すとともに前面に光コネクタ接
続用の穴を持つケース内11内に収容してプリント基板
(図示略)上に実装する。図7において、12は光ファ
イバコード、13は光ファイバコード12の先端に取り
付けた光コネクタ(図示のものは前述のMPO型光コネ
クタ)である。
【0013】上述の構成は従来と同様であるが、本発明
では、前記パッケージ3の前面の開口部9の周囲に電磁
波遮断層を形成するとともに、この電磁波遮断層を前記
ケース11の電磁波シールド部に接続する。この実施形
態では前記の電磁波遮断層として、図4にも示すよう
に、パッケージ3の開口部9と同じ大きさの穴22aを
あけた金属板22をパッケージ3の前面の外側面に穴2
2aと開口部9とを合わせて貼り付けている。また、ケ
ース11は例えばこれを鋼板製として、ケース11全体
を電磁波シールド部としている。そして、ケース11の
内側に延出させた部分11bに金属板22の外周部を直
接接続している。なお、前記開口部9および金属板22
の穴22aの長径(この場合は対角線寸法)は、一般的
な電子機器の電磁波対策の場合と同様に、4mmより小
さくしている。
では、前記パッケージ3の前面の開口部9の周囲に電磁
波遮断層を形成するとともに、この電磁波遮断層を前記
ケース11の電磁波シールド部に接続する。この実施形
態では前記の電磁波遮断層として、図4にも示すよう
に、パッケージ3の開口部9と同じ大きさの穴22aを
あけた金属板22をパッケージ3の前面の外側面に穴2
2aと開口部9とを合わせて貼り付けている。また、ケ
ース11は例えばこれを鋼板製として、ケース11全体
を電磁波シールド部としている。そして、ケース11の
内側に延出させた部分11bに金属板22の外周部を直
接接続している。なお、前記開口部9および金属板22
の穴22aの長径(この場合は対角線寸法)は、一般的
な電子機器の電磁波対策の場合と同様に、4mmより小
さくしている。
【0014】上記の光モジュール21において、光モジ
ュール21の光素子5、6と光ファイバ7との間で信号
光が送受信されるが、その際、光素子、特に発光素子5
から電磁波が発生する。しかし、パッケージ3の前面の
開口部9の周囲に金属板22を貼り付け、かつこの金属
板22をケース11に接続しているので、前方に向かう
電磁波は主に金属板22で反射され、外部へは径が4m
mより小さな開口部9および穴22aから漏れるだけで
あり、電磁波の漏洩は有効に防止され、外部の機器に悪
影響を与えることはない。
ュール21の光素子5、6と光ファイバ7との間で信号
光が送受信されるが、その際、光素子、特に発光素子5
から電磁波が発生する。しかし、パッケージ3の前面の
開口部9の周囲に金属板22を貼り付け、かつこの金属
板22をケース11に接続しているので、前方に向かう
電磁波は主に金属板22で反射され、外部へは径が4m
mより小さな開口部9および穴22aから漏れるだけで
あり、電磁波の漏洩は有効に防止され、外部の機器に悪
影響を与えることはない。
【0015】上記の実施形態は、フェルール2の一部が
パッケージ3の開口部9の中に入り込む構造の場合であ
るが、図8に示すように、フェルール2がパッケージ3
の開口部9に入り込まない構造とすることもできる。な
お、図8では金属板22をパッケージ3の内面側に設け
ている。
パッケージ3の開口部9の中に入り込む構造の場合であ
るが、図8に示すように、フェルール2がパッケージ3
の開口部9に入り込まない構造とすることもできる。な
お、図8では金属板22をパッケージ3の内面側に設け
ている。
【0016】パッケージ3の前面に形成する電磁波遮断
層としては、前述のように、パッケージ3の外面側でも
内面側でもよいし、また、金属板22を貼り付ける場合
に限らず、樹脂製のパッケージ3に金属メッキを施して
形成することもできる。要するに、電磁波遮断性能を持
つ電磁波遮断材からなる層が形成されておればよい。こ
の電磁波遮断材としては、基本的には電磁シールド材と
電波吸収材とに分けられる。前記電磁シールド材は、電
波を前面に反射して、透過するエネルギを小さくするよ
うな材質であり、例えば、金属、導電性材料、磁性材料
が用いられる。前記電波吸収材は、電波を吸収して、透
過あるいは反射するエネルギを小さくするような材質で
あり、例えば、抵抗性材料、誘電性吸収材料、磁性吸収
材料が用いられる。ここで、抵抗性材料とは電気抵抗に
より発熱する材料であり、誘電性吸収材料としては例え
ば発泡ポリスチレンにグラファイトを含有したものなど
があり、磁性吸収材料としては代表的なものがフェライ
トである。本発明の電磁波遮断材としては、発生ノイズ
周波数に応じて、上記の材料を適宜選択して用いること
ができる。
層としては、前述のように、パッケージ3の外面側でも
内面側でもよいし、また、金属板22を貼り付ける場合
に限らず、樹脂製のパッケージ3に金属メッキを施して
形成することもできる。要するに、電磁波遮断性能を持
つ電磁波遮断材からなる層が形成されておればよい。こ
の電磁波遮断材としては、基本的には電磁シールド材と
電波吸収材とに分けられる。前記電磁シールド材は、電
波を前面に反射して、透過するエネルギを小さくするよ
うな材質であり、例えば、金属、導電性材料、磁性材料
が用いられる。前記電波吸収材は、電波を吸収して、透
過あるいは反射するエネルギを小さくするような材質で
あり、例えば、抵抗性材料、誘電性吸収材料、磁性吸収
材料が用いられる。ここで、抵抗性材料とは電気抵抗に
より発熱する材料であり、誘電性吸収材料としては例え
ば発泡ポリスチレンにグラファイトを含有したものなど
があり、磁性吸収材料としては代表的なものがフェライ
トである。本発明の電磁波遮断材としては、発生ノイズ
周波数に応じて、上記の材料を適宜選択して用いること
ができる。
【0017】図9に本発明のさらに他の実施形態を示
す。この実施形態は、例えば光ファイバで構築するLA
N(構内ネットワーク)におけるハブに適用する場合等
のものであり、大形ケース(例えば前記ハブのケース
等)23内に前述の光モジュール21を収容したケース
11の複数個を配列する場合である。各ケース11は、
図10に拡大して示すように、例えば鋼板製で全体が電
磁波シールド部となっている大形ケース23の前面に設
けた複数の穴23aにそれぞれ臨む位置に配置し、か
つ、ケース11の前面部11cを大形ケース23の前面
部に接続する。この実施形態でが、ケース11は前面部
11cだけを電磁波シールドすればよい。
す。この実施形態は、例えば光ファイバで構築するLA
N(構内ネットワーク)におけるハブに適用する場合等
のものであり、大形ケース(例えば前記ハブのケース
等)23内に前述の光モジュール21を収容したケース
11の複数個を配列する場合である。各ケース11は、
図10に拡大して示すように、例えば鋼板製で全体が電
磁波シールド部となっている大形ケース23の前面に設
けた複数の穴23aにそれぞれ臨む位置に配置し、か
つ、ケース11の前面部11cを大形ケース23の前面
部に接続する。この実施形態でが、ケース11は前面部
11cだけを電磁波シールドすればよい。
【0018】なお、パッケージ3の前面に設ける金属板
22の穴22aは、四角形に限らず、円形、楕円形、小
判形など、任意である。しかし、いずれも長径を4mm
以下とするのが望ましい。なお、金属板22の穴22a
は、パッケージ3の開口部9と同サイズとするのが適当
であるが、機能的に支障が生じない範囲で、開口部9よ
りさらに小さな穴としてもよい。また、実施形態の金属
板22は中央に穴22aをあけた1枚物であるが、穴を
形成するように一体化した複数枚からなる金属板でもよ
い。
22の穴22aは、四角形に限らず、円形、楕円形、小
判形など、任意である。しかし、いずれも長径を4mm
以下とするのが望ましい。なお、金属板22の穴22a
は、パッケージ3の開口部9と同サイズとするのが適当
であるが、機能的に支障が生じない範囲で、開口部9よ
りさらに小さな穴としてもよい。また、実施形態の金属
板22は中央に穴22aをあけた1枚物であるが、穴を
形成するように一体化した複数枚からなる金属板でもよ
い。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、光素子を内蔵したパッ
ケージとMTコネクタ形のフェルールとを一体結合した
光モジュールにおける、前記パッケージの前面の開口部
の周囲に金属板等の電磁波遮断層を形成し、かつこの電
磁波遮断層を、電磁波シールドされたケースに接続した
ので、光モジュールの光素子で発生し前方に向かう電磁
波は電磁波遮断層で反射され、電磁波の外部への漏洩は
有効に防止され、外部の機器に悪影響を与えることはな
い。
ケージとMTコネクタ形のフェルールとを一体結合した
光モジュールにおける、前記パッケージの前面の開口部
の周囲に金属板等の電磁波遮断層を形成し、かつこの電
磁波遮断層を、電磁波シールドされたケースに接続した
ので、光モジュールの光素子で発生し前方に向かう電磁
波は電磁波遮断層で反射され、電磁波の外部への漏洩は
有効に防止され、外部の機器に悪影響を与えることはな
い。
【図1】本発明の一実施形態の光モジュールの水平断面
図である。
図である。
【図2】図1の光モジュールの斜視図である。
【図3】図2の光モジュールにおけるパッケージの斜視
図である。
図である。
【図4】図2の光モジュールにおける金属板の斜視図で
ある。
ある。
【図5】図2の光モジュールにおけるフェルールの前方
から見た斜視図である。
から見た斜視図である。
【図6】図2の光モジュールにおけるフェルールの後方
から見た斜視図である。
から見た斜視図である。
【図7】上記光モジュールを光モジュールケースに収容
した状態の水平断面図であり、当該光モジュールにおけ
る金属板の作用を説明する図である。
した状態の水平断面図であり、当該光モジュールにおけ
る金属板の作用を説明する図である。
【図8】本発明の他の実施形態の光モジュールの水平断
面図である。
面図である。
【図9】本発明のさらに他の実施形態を示すもので、複
数の光モジュールを大型ケース内に取り付けた状態の模
式的な平面図である。
数の光モジュールを大型ケース内に取り付けた状態の模
式的な平面図である。
【図10】図9の要部の詳細拡大図である。
【図11】従来の光モジュールの水平断面図である。
【図12】図11におけるフェルールの拡大した正面図で
ある。
ある。
【図13】従来の光モジュールを光モジュールケースに
収容した状態の水平断面図であり、これに接続する光コ
ネクタとともに示した図である。
収容した状態の水平断面図であり、これに接続する光コ
ネクタとともに示した図である。
2 フェルール 2a 接合端面 2c 光ファイバ穴 2d ガイドピン穴 3 パッケージ 4 基板 5 発光素子(光素子) 6 受光素子(光素子) 7 光ファイバ 8 端子 9 開口部 10 マウント 11 ケース 11a 穴 21 光モジュール 22 金属板(電磁波遮断層) 23 大形ケース 23a 穴
フロントページの続き (72)発明者 渡辺 勉 千葉県佐倉市六崎1440株式会社フジクラ佐 倉工場内 (72)発明者 横須賀 洋 千葉県佐倉市六崎1440株式会社フジクラ佐 倉工場内 Fターム(参考) 2H037 AA01 BA02 BA11 DA31 DA35 DA40 5F073 AB28 BA02 FA06 FA07
Claims (3)
- 【請求項1】 光素子を内蔵したパッケージの前面の開
口部にピン嵌合位置合わせ方式で複数の光ファイバを内
蔵したフェルールを一体結合させた構成の光モジュール
を、電磁波シールドを施すとともに前面に光コネクタ接
続用の穴を持つケース内に収容してなる光モジュールの
電磁波対策構造において、 前記パッケージの前面に、前記開口部に対応する穴を持
つ電磁波遮断層を形成するとともに、この電磁波遮断層
を前記ケースの電磁波シールド部に接続したことを特徴
とする光モジュールの電磁波対策構造。 - 【請求項2】 前面部に電磁波シールドを施した前記ケ
ースの複数個を、電磁波シールドを施した大形ケース内
の、当該大形ケースの前面に設けた複数の穴にそれぞれ
臨む位置に配置するとともに、前記ケースの前面の電磁
波シールド部を前記大形ケースの前面の電磁波シールド
部に接続したことを特徴とする請求項1記載の光モジュ
ールの電磁波対策構造。 - 【請求項3】 前記電磁波遮断層の穴の長径が4mm以
下であることを特徴とする請求項1記載の光モジュール
の電磁波対策構造。
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---|---|---|---|
JP10297478A JP2000121885A (ja) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | 光モジュールの電磁波対策構造 |
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JP10297478A JP2000121885A (ja) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | 光モジュールの電磁波対策構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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- 1998-10-20 JP JP10297478A patent/JP2000121885A/ja active Pending
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