JP2000115817A - プロファイル測定装置 - Google Patents

プロファイル測定装置

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JP2000115817A
JP2000115817A JP10277511A JP27751198A JP2000115817A JP 2000115817 A JP2000115817 A JP 2000115817A JP 10277511 A JP10277511 A JP 10277511A JP 27751198 A JP27751198 A JP 27751198A JP 2000115817 A JP2000115817 A JP 2000115817A
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JP10277511A
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Shinji Shimizu
晋二 清水
Yasushi Goto
泰史 後藤
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Minolta Co Ltd
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プロファイル測定の測定精度を高める。 【解決手段】 被測定用CRTの表示面に測定パターン
間でパターン内の発光螢光体の発光位置が異なる複数の
測定パターンを表示させ、この撮像画像から測定パター
ン毎に、各測定パターン内の発光螢光体の発光位置と輝
度レベルが算出される(ステップ#2〜#8)。この
際、発光螢光体の発光位置は測定パターン毎に座標系の
基準位置を算出し、この基準位置を原点として算出され
る(ステップ#6)。そして、全測定パターンで得られ
た発光螢光体の輝度レベルを発光位置に基づき並べ換え
て測定パターンのプロファイルが算出される(ステップ
#10,#12)。測定パターン毎に算出した座標系の
基準位置に基づき発光位置を特定することにより測定パ
ターンのパターン間隔がずれている場合にもそのずれが
発光螢光体の発光位置に影響しないようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シャドウマスク型
カラーCRT(Cathode Ray Tube)の表示面にドットパ
ターンやクロスハッチパターン等の所定の測定パターン
を表示させ、その測定パターンを撮像装置で撮像して得
られる画像データを用いて当該カラーCRTの表示性能
を評価する評価装置に係り、特にクロスハッチパターン
のライン幅方向の輝度分布(ラインプロファイル)やド
ットパターンのドット内の輝度分布(ビームプロファイ
ル)を測定するプロファイル測定装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、カラーCRTの製造工程では、一
般にカラーCRTの表示面にクロスハッチパターン等の
所定の測定パターンを白色表示させ、例えばクロスハッ
チパターンの縦ライン又は横ラインのライン幅を目視で
確認しつつそのカラーCRTのフォーカス調整が行われ
ている。
【0003】一方、目視評価での評価のバラツキを低減
し、カラーCRTのフォーカス性能を客観的かつ定量的
に評価する方法も提案され、その評価装置も商品化され
ている。例えばカラーCRTの表示面にクロスハッチパ
ターンを表示させ、このクロスハッチパターンの縦ライ
ン又は横ラインのライン幅方向の輝度分布(ラインプロ
ファイル)を測定する装置が知られている。このライン
プロファイル測定装置では、カラーCRTの表示面に表
示されたクロスハッチパターン等の所定の測定パターン
をCCDカメラ等の撮像装置で撮像し、この撮像画像を
用いて縦ライン又は横ラインのライン幅方向の断面輝度
分布が算出されるようになっている。
【0004】また、カラーCRTの表示面に各ドットが
電子ビームのビーム断面に相当するドットパターンを表
示させ、このドットパターンのドットの輝度分布(電子
ビームのビームプロファイル)を測定する装置が知ら
れ、例えば特開平8−203436号公報には、特定の
複数個の螢光体に対する電子ビームの照射位置を上下、
左右に微小変位させて各照射位置で複数個の発光螢光体
を撮像し、各照射位置における電子ビーム内の複数個の
螢光体の相対的な発光位置と発光輝度とを用いて電子ビ
ームの形状(ビームプロファイル)を測定する電子ビー
ム形状測定装置が示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平8−203
436号公報に示されるビームプロファイル測定では、
1本の電子ビームの照射位置を特定の螢光体に対して上
下、左右に相対的に微小変位させ、各照射位置毎に発光
螢光体の撮像動作を繰り返してビームプロファイル測定
に必要なデータを取り込むようにしているので、撮像処
理に長時間を要し、高速測定の点で問題がある。また、
撮像動作を複数回、繰り返すため、測定期間中は高い安
定性が要求され、例えば測定中に振動等で撮像画像にブ
レが生じると、測定誤差となるおそれがある。
【0006】そこで、出願人は、かかる問題を解決する
ため、カラーCRTの表示面に、測定パターンに対する
螢光体の相対的な位置関係が測定パターン間で異なるよ
うに複数の測定パターンを同時に表示させ、これらの測
定パターンの画像を1回だけ撮像して取り込むことによ
り測定パターン毎の発光螢光体の相対的な発光位置及び
発光輝度の演算時間を短縮する方法を提案している(特
願平10−49394号)。
【0007】しかし、上記特願平10−49394号に
記載の方法は、カラーCRTの表示面に塗布された螢光
体のピッチや撮像エリアにおける各測定パターンの表示
間隔に誤差がなく、一定であるとの前提に基づくもので
あるので、螢光体ピッチや測定パターンの表示間隔に誤
差が生じている場合は、その誤差がプロファイルの測定
結果に影響し、測定精度の低下を招くという問題があ
る。
【0008】従って、螢光体ピッチが画面中央と画面端
部とで異なるようなカラーCRTや表示面(螢光体塗布
面)における電子ビームの走査速度が不均一で、表示画
像のリニアリティずれが大きいカラーCRTでは、プロ
ファイル測定装置に問題がなくても信頼性の高い測定結
果が得られない場合が生じる。
【0009】また、プロファイル測定装置の撮像光学系
に歪曲収差(特に複数の測定パターンを配列表示する方
向の歪曲収差)がある場合も、カラーCRTの螢光体ピ
ッチや複数の測定パターンの表示間隔に誤差が殆ど生じ
なくても、撮像された複数の測定パターンのパターン間
隔に誤差が生じるため、プロファイル測定装置の測定精
度に一定の限界が生じることになる。
【0010】ここで、複数の測定パターンの撮像画像の
パターン間隔が均一でないことがプロファイル測定に与
える影響について、具体的に説明する。
【0011】まず、螢光体塗布面における電子ビームの
走査速度が不均一であるため、カラーCRTに表示され
た複数の測定パターンのパターン間隔に誤差が生じる場
合について説明する。なお、ここでは、複数の縦ライン
からなるラインパターンをカラーCRTに表示させる場
合について説明する。また、被測定用のカラーCRTの
横方向の螢光体ピッチβは0.300mmで均一とし、
撮像光学系の歪曲収差は無視し得るものとする。
【0012】ライン間隔が螢光体ピッチβの整数倍の間
隔k・β(k;整数)となる複数の縦ラインからなるラ
インパターンを表示させた場合は、各縦ライン内に螢光
体発光により生じる縞模様は同一となるが、ラインパタ
ーンの縦ライン間隔を非整数倍の間隔(k・β−ε)
(ε<β)にすると、各縦ライン内に螢光体発光により
生じる縞模様は順次、εずつずれることになる。すなわ
ち、第1縦ラインに生じる縞模様の位置を基準とする
と、これに隣接する第2縦ラインに生じる縞模様は、基
準の縞模模様に対してεだけ右(又は左に)ずれた模様
となり、第2縦ラインに隣接する第3縦ラインに生じる
縞模様は、基準の縞模模様に対して2εだけ右(又は左
に)ずれた模様となり、以下、同様にして第n縦ライン
に生じる縞模様は、基準の縞模模様に対してn・εだけ
右(又は左に)ずれた模様となる。
【0013】従って、縞模様の異なるn本の縦ラインの
画像データを用いて、縦ライン毎に各縦ライン内の発光
螢光体の相対的な発光位置(各縞の位置)と輝度レベル
とを算出し、その発光位置に基づき輝度レベルを並べ換
えることにより縦ラインのラインプロファイルを算出す
ることができる。この場合、隣接する縦ライン間の縞模
様のずれ量はεであるから、ラインプロファイルの測定
ピッチはεとなる。
【0014】いま、縞模様の異なるn本の縦ラインの画
像データを用いて、測定ピッチε=0.05mmのライ
ンプロファイルデータを得る場合を考える。
【0015】螢光体ピッチβは0.3mmであり、測定
ピッチεは0.05mmであるから、間隔(k・β−
ε)で複数の縦ラインを表示させた場合、6(=0.3
/0.05)本目毎に縦ラインに生じる縞模様は同一と
なるから、異なる縞模様が得られる最小の縦ライン数は
7本となる。
【0016】また、間隔k・β=3mmとすると、図2
2に示す縦ラインph(i)(i=1,2,…7)からな
るラインパターンのように、カラーCRTの表示面にお
けるラインパターンの横方向の表示サイズは、約18m
mとなる。そして、縦ラインph(1)〜ph(6)の縞模様
を互いに異ならせるには、間隔(k・β−ε)=0.2
95mmとすればよいから、カラーCRTの表示面に
は、同図に示す縦ラインLn(i)′(i=1,2…7)
からなるラインパターンが表示される。
【0017】一方、螢光体塗布面における電子ビームの
走査速度の不均一により、単位時間あたりの表示面にお
ける電子ビームの走査距離が図23に示すように変化す
るとする。同図は、ライトパターンの表示エリアの左端
部と右端部とで電子ビームの走査距離が1%異なる場合
を示したものである。
【0018】図23に示すように、単位時間当りの表示
面上での電子ビームの走査距離は各縦ラインLn(i)の
表示位置に対し線形に増大し、第1縦ラインLn(1)の
表示位置xを基準とし、x=0mmの位置で100%と
すれば、第7縦ラインLn(7)の表示位置(x=18m
m)では、1%増大して101%となっている。なお、
電子ビームの走査速度が均一であれば、図23の破線で
示すように、ラインパターンの全表示範囲について走査
距離は100%となる。
【0019】図24は、ラインパターンの表示位置xを
示す図である。もし、電子ビームの走査速度が均一であ
れば、図24の破線で示すように、各縦ラインLn(i)
の表示位置は、第1縦ラインLn(i)の表示位置を基準
として0.295・(i−1)の位置となるが、図23
に示すように、電子ビームの走査速度が変化すると、各
縦ラインLn(i)の表示位置は、図24の実線で示すよ
うになる。
【0020】なお、破線で示す表示位置は、図22の縦
ラインLn(i)′に対応し、実線で示す表示位置は、図
22の縦ラインLn(i)に対応している。そして、図2
4における○印(図22の縦ラインLn(i)′の表示位
置)及び△印(図22の縦ラインLn(i)の表示位置)
の表示位置xは、下記表1のようになっている。同表に
示すように、図23の条件では、電子ビームの走査速度
が不均一であると、均一でない場合に比して最大0.0
23mm(縦ラインLn(4)の表示位置参照)のずれが
生じることが分かる。
【0021】
【表1】
【0022】従って、カラーCRTの表示面に表示され
るラインパターンを、縦ラインph(i)からなるライン
パターンの表示状態から縦ラインLn(i)′からなるラ
インパターンの表示状態に変更したとしても、実際には
図22の縦ラインLn(i)からなるラインパターンの表
示状態となり、縦ラインLn(i)′からなるラインパタ
ーンとは表示位置のずれた状態となる。
【0023】特願平10−49394号に記載の測定方
法では、図22の縦ラインLn(i)からなるラインパタ
ーンの表示状態を縦ラインLn(i)′からなるラインパ
ターンの表示状態とみなして各縦ラインLn(i)′にお
ける相対的な発光位置と輝度レベルとが算出されるの
で、その算出結果は、図25に示すように、真の発光位
置に対してずれが生じることになる。
【0024】なお、図25は、第4縦ラインLn(4)に
おける発光螢光体の発光位置のずれを示すものである。
ラインプロファイルにおける発光螢光体Fの相対的な発
光位置をプロファイル中心mからの距離で表すとする
と、同図に示すように、縦ラインLn(4)により算出さ
れる発光螢光体Fの発光位置と輝度レベルはそれぞれL
1とC1となり、縦ラインLn(4)′により算出される
発光螢光体Fの発光位置と輝度レベルはそれぞれL2
(<L1)とC2となる。
【0025】縦ラインLn(4)の表示状態を縦ラインL
n(4)′の表示状態とみなしてプロファイル測定が行わ
れると、発光位置L1の発光輝度はC2と誤って算出さ
れるので、この算出結果に基づいてプロファイルを作成
すると、図26のように、発光輝度C2のプロット点は
真のプロファイルP上から左側に(L1−L2)=0.
023mmだけずれた状態となる。このことは、第4縦
ラインLn(4)以外の第2〜第6縦ラインLn(2)〜Ln
(6)についても同様で、輝度レベルのプロット点が真の
プロファイルP上から表1に示す誤差分(x2−x1)
だけずれることになる。従って、算出結果に基づいて作
成されたプロファイルは、真のプロファイルPとは異な
った波形をなすことになる。
【0026】次に、プロファイル測定装置の撮像光学系
に歪曲収差があるため、複数の測定パターンの撮像画像
におけるパターン間隔に誤差が生じる場合について説明
する。
【0027】なお、表示画像にリニアリティずれはない
ものとする。また、カラーCRTの表示面に塗布された
螢光体の横方向のピッチβは、撮象領域(略18mm四
方の矩形領域)の中心より周縁部の方が2%大きく、こ
の間で螢光体ピッチβは線形に変化するものとし、撮像
光学系の倍率は光軸中心(=撮像領域の中心)より撮像
領域の周辺端(撮像領域の中心から約8mmの領域)の
方が2%大きいものとする。これにより螢光体ピッチβ
の不均一性は撮像光学系の倍率の不均一性によりキャン
セルされ、撮像素子の撮像面上では螢光体の発光像のピ
ッチは均一となる。従って、カラーCRTの螢光体ピッ
チβは均一ではないが、撮像画像から平均光学倍率によ
り算出される螢光体ピッチβは0.300mm一定とす
る。
【0028】また、プロファイル測定は、上述の場合と
同様に、約18mmの領域に7本の縦ラインを横方向に
0.295mm間隔で表示させ、0.05mmピッチで
プロファイルデータを得るものとする。
【0029】図27は、撮像光学系の歪曲収差の特性を
示すもので、水平方向の光学倍率が各縦ラインの表示位
置でどのように変化しているかを示したものである。
【0030】光学倍率は各縦ラインの表示位置に対して
線形に増大し、撮像領域中央(光軸中心)の光学倍率を
100%とすると、x=0mm(撮像領域の左端),1
8mm(撮像領域の右端)の位置で102%となってい
る。なお、撮像光学系に歪曲収差がなければ、同図の破
線で示すように、全撮像領域について光学倍率は100
%となる。
【0031】図28は、各縦ラインLn(i)の表示位置
xを示す図である。同図において、破線及び○印で示す
表示位置は歪曲収差のない場合であり、実線及び△印で
示す表示位置は、図27に示す歪曲収差がある場合であ
る。図28の表示位置に基づき7本の縦ラインの撮像画
面における投影状態を示すと、図29のようになる。ま
た、図28の各縦ラインの表示位置xは、下記表2のよ
うになっている。
【0032】
【表2】
【0033】なお、図29及び表2の数値は、実際の投
影像を撮像光学系の撮像領域における平均光学倍率によ
りカラーCRTの表示面における表示画像のサイズに変
換したもので、それぞれ表示画像にリニアリティずれが
ある場合の説明で用いた図22と表1とに対応するもの
である。
【0034】図29において、縦ラインph(i),Ln
(i)′は、それぞれ間隔3.00mmと間隔0.295
mmで7本の縦ラインを表示した場合に相当し、縦ライ
ンLn(i)は、撮像光学系の歪曲収差がある場合の7本
の縦ラインの投影状態に相当し、それぞれ図22の縦ラ
インph(i),Ln(i)′,Ln(i)に対応している。
【0035】撮像光学系に歪曲収差がある場合も、7本
の縦ラインを撮像した画像において、図29に示すよう
に、縦ラインLn(i)間に歪曲収差に基づくライン間隔
のずれが生じるので、この撮像画像から得られる各縦ラ
インLn(i)に含まれる発光螢光体の相対的な発光位置
と輝度レベルとを用いてプロファイルデータを算出した
場合も、表示画像にリニアリティずれがある場合に図2
5及び図26を用いて説明したのと同様に、輝度レベル
のプロット点が真のプロファイルP上から表2に示す誤
差分(x2−x1)だけずれることになり、算出結果に
基づいて作成されたプロファイルは真のプロファイルP
とは異なった波形をなすことになる。なお、図25にお
いて、L1−L2=0.021mmとすれば、撮像光学
系に歪曲収差がある場合の第4縦ラインLn(4)におけ
る発光螢光体の発光位置のずれを示す図となる。
【0036】撮像光学系の歪曲収差に起因する測定誤差
については、予め撮像光学系の倍率校正を行ってその校
正定数を記憶しておき、測定時にこの校正定数を用いて
各縦ライン内の相対的な発光位置の補正を行う方法が考
えられる。しかし、この方法は、プロファイル測定装置
毎に校正データを記憶させる手間が生じるとともに、ラ
インパターンが撮像領域内のどこに表示されても確実に
十分な補正精度を確保しようとすると、多数の校正デー
タを取得する必要があり、その労力が甚大となる不都合
がある。更に、プロファイル演算毎に校正データを用い
て補正演算を行う必要があり、演算時間が長くなるとい
う不利も生じる。
【0037】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、所定の間隔で配列表示された複数の測定パター
ンの撮像画像に、カラーCRTの表示画像にリニアリテ
ィずれがあることや撮像光学系の歪曲収差に起因するパ
ターン間隔のずれが生じた場合にも、このずれの影響を
受けることなく高い精度でプロファイル測定を行うこと
のできるプロファイル測定装置を提供するものである。
【0038】
【課題を解決するための手段】本発明は、被測定用のC
RTの表示面に、測定パターンに対する発光螢光体の相
対的な位置関係が測定パターン間で異なる複数の測定パ
ターンを表示させる表示制御手段と、上記CRTの表示
面に対向配置され、上記複数の測定パターンを撮像する
撮像手段と、上記撮像手段で上記測定パターンを撮像し
て得られる画像データを用いて、測定パターン毎に、各
測定パターン内の上記発光螢光体の発光位置を示す座標
系の基準位置を演算する第1の演算手段と、測定パター
ン毎に、各測定パターン内に含まれる発光螢光体の上記
第1の演算手段で演算された基準位置を原点とする発光
位置と輝度レベルとを演算する第2の演算手段と、上記
第2の演算手段で算出された各発光螢光体の発光位置と
輝度レベルとを用いて、上記CRTに表示された上記測
定パターンのプロファイルを演算する第3の演算手段と
を備えたものである(請求項1)。
【0039】上記構成によれば、被測定用のカラーCR
Tの表示面に、測定パターン内における螢光体の発光模
様が互いに異なる複数の測定パターンが表示され、これ
らの複数の測定パターンが撮像手段で撮像される。ま
た、撮像手段の各画素から出力される画素データを用い
て、測定パターン毎に、各測定パターン内の発光螢光体
の発光位置を示す座標系の基準位置が算出され、更に各
発光螢光体の当該基準位置を原点とした発光位置と輝度
レベルが算出される。そして、測定パターン毎に算出さ
れた発光螢光体の発光位置と輝度レベルとを用いて、測
定パターンのプロファイル(輝度分布)が算出される。
すなわち、発光位置に基づき各発光螢光体の輝度レベル
を配列することによりプロファイルデータが算出され、
このプロファイルデータに基づき発光位置と輝度レベル
の関係を示す座標上に輝度レベルをプロットすることに
よりプロファイルの波形が作成される。
【0040】測定パターン毎に、発光螢光体の発光位置
を示す座標系の基準位置を算出し、この基準位置に対す
る発光位置を算出するようにしているので、複数の測定
パターンのパターン間隔が不均一であってもパターン間
隔のずれは各発光螢光体の発光位置の演算に影響しな
い。
【0041】また、本発明は、プロファイル測定装置に
おいて、表示制御手段は、CRTの表示面における表示
位置を螢光体ピッチの整数分の1のピッチで少なくとも
1回ずらせて複数の測定パターンを少なくも2回表示さ
せ、かつ、撮像手段は、CRTの表示面における表示位
置の異なる上記複数の測定パターンをそれぞれ撮像する
ものであり、第1の演算手段は、上記複数の測定パター
ンの複数の撮像画像を用いて、測定パターン毎に、各測
定パターン内の上記螢光体の発光位置を示す座標系の基
準位置を演算するものである(請求項2)。
【0042】上記構成によれば、カラーCRTの表示面
には、測定パターン内における螢光体の発光模様が互い
に異なる複数の測定パターンが、螢光体ピッチの整数分
の1のピッチでその表示位置をずらせて少なくも2回、
表示され、それぞれ撮像手段で撮像される。そして、全
撮像画像の画像データを用いて、測定パターン毎に、各
測定パターン内の発光螢光体の発光位置を示す座標系の
基準位置が算出される。
【0043】各測定パターンには発光螢光体が離散的に
含まれるが、測定パターンの表示位置を螢光体ピッチの
整数分の1のピッチで少なくもと1回ずらせて各測定パ
ターン内に含まれる発光螢光体の輝度データを取り込む
ようにしているので、輝度データのサンプル数が増加
し、座標系の基準位置の算出精度が向上する。
【0044】なお、上記プロファイル測定装置におい
て、第1の演算手段で算出される座標系の基準位置を各
測定パターンの輝度重心とするとよい(請求項3)。
【0045】上記構成によれば、測定パターン毎に、各
測定パターン内に含まれる発光螢光体の輝度データを用
いて輝度重心を算出することにより座標系の基準位置が
算出される。測定パターンの表示位置を螢光体ピッチの
整数分の1のピッチでずらせて複数の測定パターンの画
像を取り込み、発光螢光体の輝度データのサンプル数を
増加すると、輝度重心を算出することにより測定パター
ンの中心を基準位置とすることができる。
【0046】また、上記プロファイル測定装置におい
て、第1の演算手段で算出される座標系の基準位置を、
各測定パターン内に含まれる発光螢光体の輝度分布によ
り作成されるプロファイル上の、所定の輝度レベルを有
する2個の発光位置の中間位置とするとよい(請求項
4)。
【0047】上記構成によれば、各測定パターン内に含
まれる発光螢光体の輝度データを結んで粗いプロファイ
ルを作成し、このプロファイル上の予め設定された輝度
レベルの2個の発光位置a,bが算出される。発光位置
a,bがプロファイル上にプロットされている発光螢光
体の位置と一致しない場合は、予め設定された輝度レベ
ルを挟む2個の発光螢光体の輝度データを用いて補間演
算を行うことにより発光位置a(又はb)が算出され
る。そして、発光位置a,bの中間位置(a+b)/2
が座標系の基準位置として算出される。
【0048】
【発明の実施の形態】本発明に係るプロファイル測定装
置について、図を用いて説明する。本発明に係るプロフ
ァイル測定装置は、カラーCRTの螢光面に照射された
電子ビームのビーム形状(ビーム断面におけるエネルギ
ー分布)を測定するものである。
【0049】電子ビームのプロファイルの測定方法とし
ては、カラーCRTに表示された縦ライン若しくは横ラ
インのライン幅方向の2次元のプロファイル(電子ビー
ムのエネルギー分布)を測定する方法とカラーCRTに
表示されたドットの3次元のプロファイルを測定する方
法とが知られている。後者の方法では測定用ドットが電
子ビームをスポット的に照射して表示され、その測定結
果が等価的にカラーCRTの螢光面に照射された電子ビ
ーム自体のプロファイルを示すことから、後者のものを
特にビームプロファイル測定と称し、前者の測定方法を
ラインプロファイル測定と称して両測定方法歯区別され
るが、いずれもカラーCRTの螢光面における照射され
た電子ビームのビーム形状を測定する点で共通するの
で、本実施の形態では、説明の便宜上、前者のプロファ
イル測定方法を例に説明する。
【0050】まず、ラインプロファイルの測定原理の概
要を、アパーチャグリルタイプのカラーCRTを例に、
図1を用いて簡単に説明する。
【0051】図1(a)は、CRT表示面に横方向のピ
ッチαで3本の縦ラインLn(1),Ln(2),Ln(3)を
表示させた状態を示す図であり、同図(b)は、各縦ラ
インLn(1)〜Ln(3)に含まれる発光螢光体F(i,k)
(i=1,2,3、k=1,2,3)の輝度分布を示す
図である。また、同図(c)は、同図(b)の各縦ライ
ンの発光螢光体F(i,k)の輝度分布を合成して縦ライン
の幅方向の断面輝度分布(ラインプロファイル)を算出
した状態を示す図である。
【0052】なお、図1(a)において、楕円はCRT
表示面に照射された電子ビームである。短冊状の帯は螢
光体であり、螢光体F(j)は左からj番目の螢光体であ
ることを示し、斜線部は発光している部分を示してい
る。更に、同図(b),(c)において、Pは実際のラ
インプロファイルであり、P′は測定されたラインプロ
ファイルである。また、螢光体F(i,k)は、第i番目の
縦ラインLn(i)に含まれる左から第k番目の螢光体で
あることを示している。
【0053】本発明に係るラインプロファイルの測定方
法は、まず、CRTの表示面に、図1(a)に示すよう
に、縦ラインLn(i)(i=1,2,3)の間隔αが螢
光体F(j)の螢光体ピッチβに対してα=k(非整数)
・βとなるように縦ラインからなるラインパターンの表
示が行なわれる。すなわち、発光螢光体F(i,k)により
縦ライン内に形成される水平方向の縦縞模様が互いに異
なるように(つまり、ライン内における螢光体の相対的
位置がライン間で異なるように)、かつ、縦ラインLn
(i)が重ならないようにラインパターンの表示が行なわ
れる。
【0054】次に、このラインパターンをCCDカメラ
で原則として1回だけ撮像し、同図(b)に示すよう
に、撮像画像から縦ラインLn(i)毎にその縦ラインL
n(i)に含まれる発光螢光体F(i,k)のライン幅方向にお
ける相対位置(ライン内に設けられた水平方向のX座
標)と輝度分布とが算出される。このとき、各縦ライン
Ln(i)毎に所定の基準位置(例えばライン中心や輝度
重心等)を算出し、この基準位置を原点とするようにX
座標を設定して発光螢光体F(i,k)の発光位置(X座
標)が算出される。各縦ラインLn(1)〜Ln(3)内に含
まれる発光螢光体の相対位置は異なるので、縦ラインL
n(i)毎に算出される輝度分布は互いに異なるX座標で
プロットされた分布となっている。
【0055】そして、同図(c)に示すように、縦ライ
ンLn(1)〜Ln(3)で算出された輝度分布を合成して縦
ラインのラインプロファイルが算出される。すなわち、
縦ラインLn(1)の発光螢光体F(1,1)〜F(1,3)で得ら
れた輝度分布、縦ラインLn(2)の発光螢光体F(2,1)〜
F(2,3)で得られた輝度分布及び縦ラインLn(3)の発光
螢光体F(3,1)〜F(3,3)で得られた輝度分布を、ライン
内に設けられたX座標の位置に合成(左からF(1,1),F
(2,1),F(3,1),F(1,2),F(2,2),F(3,2),F(1,3),F
(2,3),F(3,3)の順に輝度分布を合成)することにより
縦ラインのラインプロファイルP′が算出される。
【0056】なお、縦ラインLn(i)毎にライン中心を
算出して座標系を設定しているので、各発光螢光体F
(1,1)〜F(1,3),F(2,1)〜F(2,3),F(3,1)〜F(3,3)
の縦ライン内におけるX座標は正確にライン内の発光位
置を示すものとなっている。従って、上述したカラーC
RTの表示画像にリニアリティずれがあることや撮像光
学系の歪曲収差が生じていることによりラインパターン
の撮像画像のライン間隔が不均一となっても、これに起
因するプロファイル測定の誤差は小さく、高い精度でラ
インプロファイルP′の測定結果が得られている。
【0057】図2は、カラーCRTのラインプロファイ
ル測定系のブロック構成図である。プロファイル測定装
置1は、データ取込制御部2、CCDカメラ3、信号発
生器4及び測定制御部5から構成され、CCDカメラ
3、信号発生器4及び測定制御部5は、それぞれ図略の
ケーブルによりデータ取込制御部2に接続されている。
なお、データ取込制御部2は、測定制御部5と通信可能
に接続されている。また、プロファイル測定系は、測定
対象のカラーCRT6を図略のケーブルによりデータ取
込制御部2に接続して構成されている。
【0058】CCDカメラ3は、カラーCRT6の表示
面に配列されている螢光体が電子ビームの照射によって
発光した際の発光輝度を検出するためのものである。
【0059】CCDカメラ3は、図4に示すように、例
えば撮影レンズ10、ハーフミラー11、2本のCCD
ラインセンサ12A,12B及び2本のシリンドリカル
レンズ13A,13Bからなる光学系を有している。
【0060】同図に示す光学系では、縦ラインのライン
プロファイルを測定するためのCCDラインセンサ12
Aと横ラインのラインプロファイルを測定するためのC
CDラインセンサ12Bとが設けられている。CCDラ
インセンサ12Aは、その軸方向がカラーCRT6の表
示面に対して横方向と平行になるように配置され、CC
Dラインセンサ12Bは、その軸方向がカラーCRT6
の表示面に対して縦方向と平行になるように配置されて
いる。そして、CCDカメラ3は、CCDラインセンサ
12A,12Bの電荷蓄積時間を制御することにより任
意のシャッタ速度に応じた露出制御が行えるようになっ
ている。
【0061】図4において、撮影レンズ10は、カラー
CRT6の表示面に表示された測定用パターン(図では
クロスハッチパターン)の画像GをCCDラインセンサ
12A,12Bの撮像面に結像するものである。ハーフ
ミラー11は、撮影レンズ10を透過した光像を2つに
分離し、一方をCCDラインセンサ12A側に透過し、
他方をCCDラインセンサ12B側に反射するものであ
る。ハーフミラー11は、撮影レンズ10の光軸上の後
方位置の適所に配置され、更にその後方の適所にCCD
ラインセンサ12Aが配置され、ハーフミラー11の下
方位置の適所にCCDラインセンサ12Bが配置されて
いる。
【0062】シリンドリカルレンズ13A,13Bは、
それぞれCCDラインセンサ12A,12Bのライン方
向に対して垂直方向(以下、この方向を幅方向とい
う。)の撮像範囲を見かけ上、拡大するものである。す
なわち、図5に示すように、CCDラインセンサ12
A,12BのカラーCRT6の表示面における撮像範囲
AをL(長手方向)×W(幅方向)とすると、CCDラ
インセンサ12A,12Bの像範囲Aを見かけ上、W′
(>W)の寸法を有する撮像範囲A′に拡大するもので
ある。
【0063】このように、CCDラインセンサ12Aの
撮像範囲Aを幅方向にのみ見かけ上、光学的に拡大して
いるのは、CCDラインセンサ12Aが縦方向に動いた
場合にも当該CCDラインセンサ12Aから出力される
画素信号のレベル変動を抑えるためである。
【0064】すなわち、図6に示すように、CCDライ
ンセンサ12Aの撮像範囲Aが発光螢光体Fのサイズと
略同一であると、同図の実線で示す位置と破線で示す位
置とでCCDラインセンサ12Aから出力される画素信
号のレベルが大きく異なってくるので、図7に示すよう
に、CCDラインセンサ12Aの撮像範囲Aを見かけ
上、縦方向に複数個の発光螢光体Fが含まれるサイズ
A′に拡大してCCDラインセンサ12Aから出力され
る画素信号のレベル変動を小さくしている。
【0065】CCDラインセンサ12Bについても、横
方向に動いた場合、当該CCDラインセンサ12Aから
出力される画素信号のレベル変動を抑えるため、その撮
像範囲Aを見かけ上、光学的に拡大している。なお、C
CDラインセンサ12A,12Bの撮像範囲Aを光学的
に拡大するのでなく、幅方向に所要のサイズを有する幅
広のラインセンサを用いてもよい。また、CCDライン
センサ12A,12Bに代えてCCDエリアセンサを用
いてもよい。CCDエリアセンサを用いれば、上述の測
定原理を応用して電子ビームのビームプロフィルも測定
できる利点がある。
【0066】図2に戻り、測定対象のカラーCRT6
は、電磁偏向型カラーCRTで、画像を表示するカラー
ブラウン管61、このカラーブラウン管61の表示画像
に関する駆動を制御する第1駆動制御回路62及びカラ
ーブラウン管61の表示範囲(ラスタサイズ)に関する
駆動を制御する第2駆動制御回路63を備えている。
【0067】カラーブラウン管61は、図8に示すよう
に、フェースプレート裏面に水平方向に規則的に配列さ
れたストライプ状のR(赤),G(緑),B(青)の螢
光体を焼き付けて螢光面611が形成されている。ま
た、ブラウン管内の螢光面611の手前に所定間隔を設
けてすだれ格子型のアパーチャグリル612が設けられ
ている。電子銃マウント部613内にはR,G,Bの各
色に対応して3本の電子銃614が設けられ、電子銃マ
ウント部613の先端の外側に偏向ヨーク615が設け
られている。
【0068】第1駆動制御回路62は、電子銃614か
ら放射されるR,G,Bの各色に対応する電子ビームB
mのビーム形状(ビーム断面の形状及びその断面におけ
る電子エネルギー密度分布)を制御するものである。第
1駆動制御回路62は、データ取込制御部2から入力さ
れるビーム制御信号(映像信号)に基づいて電子銃61
の駆動を制御する。
【0069】第2駆動制御回路63は、電子ビームBm
の螢光面611におけるラスタ走査及びその走査範囲
(照射範囲)を制御するものである。第2駆動制御回路
63は、データ取込制御部2から入力されるラスタサイ
ズ制御信号(偏向制御信号)に基づいて電子銃61から
放射された電子ビームBmの表示位置を制御する。
【0070】データ取込制御部2は、ラインプロファイ
ル測定に必要なデータの取込みを制御するもので、具体
的には、カラーCRT6の表示及びCCDカメラ3の駆
動を制御するものである。ラインプロファイル測定で
は、後述するように、測定に際し、測定用の所定のライ
ンパターンを表示するためのラスタサイズが決定される
ようになっている。ラスタサイズの設定は、等価的に図
1(a)の間隔αの設定に相当するものである。
【0071】データ取込制御部2は、ラスタサイズを決
定するためのデータ取込み並びに実際のラインプロファ
イル測定のためのデータ取込みにおけるカラーCRT6
の表示を制御するとともに、同データ取込みにおけるC
CDカメラ3の撮像動作を制御する。また、データ取込
制御部2は、CCDカメラ3で取り込まれた画像信号を
用いてラスタサイズの演算処理を行ない、この演算結果
を測定制御部5に送信する。更に、実際のラインプロフ
ァイル測定においては、複数のラインについて、ライン
毎に発光螢光体の輝度分布を演算し、この演算結果を測
定制御部5に送信する。
【0072】図3は、プロファイル測定装置1のデータ
取込制御部2のブロック構成図である。データ取込制御
部2は、A/D変換器21、VRAM(Video Random A
ccessMemory)22、RAM(Random Access Memory)2
3、ROM(Read Only Memory)24、マイクロコンピュ
ータからなる制御部25、同期信号遅延部26、垂直同
期信号検出部27及び通信部28を備えている。
【0073】A/D変換器21は、CCDカメラ3から
送出された画素信号(CCDラインセンサ12A,12
Bの各画素で取り込まれた輝度信号)を、例えば10ビ
ットデータのデジタル信号に変換するものである。VR
AM22は、A/D変換器21でデジタル信号にA/D
変換された画素信号(以下、画素データという。)を格
納するメモリである。VRAM22は、CCDラインセ
ンサ12A,12Bで取り込まれたライン画像を記憶し
得る記憶容量を有している。
【0074】ROM24は、ラインプロファイル測定を
行なうための制御プログラムが記憶されたメモリであ
る。また、RAM23は、制御部25が上記制御プログ
ラムに従ってVRAM22に記憶された画素データを用
いて一連の演算処理を行なう際の記憶領域(ワークエリ
ア)を与えるものである。
【0075】制御部25は、データ取込制御部2内の各
部の動作を集中制御し、カラーCRT6の表示及びCC
Dカメラ3による画像データの取込みを制御するととも
に、測定制御部5とのデータ交信を制御するものであ
る。
【0076】同期信号遅延部26は、信号発生器4から
出力されるパターン信号の垂直同期信号及び水平同期信
号を制御部25から指示された所定時間だけ遅延させ、
これにより表示画面におけるラインパターンの表示位置
を垂直方向又は水平方向に移動させるものである。
【0077】垂直同期信号検出部27は、パターン信号
の遅延された垂直同期信号を検出するものである。この
検出信号は、CRT表示面内のCCDカメラ3の撮像位
置における螢光体が発光するタイミングでその螢光体の
発光を取り込むため、CCDカメラ3のシャッタ制御に
用いられる。
【0078】通信部28は、CCDカメラ3及びカラー
CRT6への駆動制御信号の送出並びに測定制御部5と
のデータ交信を制御するものである。
【0079】図2に戻り、信号発生器4は、カラーCR
T6に表示される測定用の所定のパターン信号(クロス
ハッチパターン)を発生するものである。信号発生器4
は、電子ビームBmがカラーCRT6について規格化さ
れている所定の表示サイズをラスタ走査し得るように、
パターン内容を示す画像信号に所定の垂直同期信号と水
平同期信号とを重畳してパターン信号を生成する。
【0080】測定制御部5は、パーソナルコンピュータ
からなる制御部51、キーボード52及びCRT等の表
示器53からなり、プロファイル測定装置1の動作を制
御するとともに、データ取込制御部2で算出された輝度
分布データを用いてラインプロファイルを演算し、その
結果を必要に応じて表示器53に表示する。
【0081】次に、ラインプロファイルの測定方法につ
いて説明する。ラインプロファイル測定は、以下に説明
するように、(1)螢光体ピッチβの算出、(2)ライ
ン間隔Dの算出、(3)各縦ライン内の螢光体の発光位
置が異なるようにラインパターンの表示サイズの変更、
(4)ラインプロファイルの測定、の手順で行われる。
【0082】なお、R,G,Bの各色のラインについ
て、同様の方法でそれぞれラインプロファイルの測定が
行なわれるので、以下の説明では、G色の縦ラインを例
にラインプロファイル測定の説明を行う。
【0083】また、ラインパターンの撮像画像のライン
間隔は、カラーCRT6の表示画像にリニアリティずれ
がある場合やCCDカメラ3の光学系に歪曲収差が生じ
ている場合に不均一になるが、以下の説明では、カラー
CRT6の表示画像にリニアリティずれがある場合につ
いて説明する。
【0084】(1)螢光体ピッチβの算出 螢光体ピッチβは、CCDカメラ3をCRT表示面の所
定位置に対向配置した状態でカラーCRT6を単色全発
光させ、当該CCDカメラ3を駆動してこの全発光像を
撮像し、この撮像画像のデータを用いて、以下に説明す
る方法で算出される。なお、単色全発光とは、R,G,
Bの色成分のうち、1つの色成分の螢光体の全体を発光
させるもので、例えばGの色の螢光体を全発光させると
きは、電子銃614から一定のエネルギー強度でGの色
に対する電子ビームBmをCRT表示面の全域に亘って
掃引照射することにより行われる。なお、電子ビームB
mの照射範囲をCCDカメラ3の撮像範囲に限定するよ
うにしてもよい。
【0085】CCDカメラ3で撮像された全発光像は図
9(a)に示す縞模様を成し、この縞模様画像を構成す
る画素データはVRAM22に格納されている。同図
(a)において、縦縞M(1),M(2),…M(8)は、G色
の螢光体の発光部分の像である。
【0086】VRAM22から画素データを読み出し、
所定の信号処理を施すと、同図(b)に示す画像信号S
が得られる。この画像信号Sの各山は、同図から明らか
なように縞模様の周期と同一の周期を有している。従っ
て、例えば縦縞M(1)の位置Aと縦縞M(8)の位置Bとの
間隔TABをCCDラインセンサ12A,12Bの撮像面
における距離dABに変換し、更にこの距離dABを撮影レ
ンズの光学倍率β1を用いてCRT表示面における距離
ABに変換するとともに、距離DAB間に含まれるライン
間隔数NAB(図9(a)では7)で当該距離DABを除す
ることにより螢光体ピッチβが算出される。
【0087】制御部51は、画像信号Sの各山の輝度重
心もしくは輝度中心(山の左右半値点の中点)を算出
し、この算出結果に対応するVRAM22上の画素アド
レスADD(i)(i=1,2,…8)に変換することに
より、各縦縞M(i)(i=1,2,…8)の位置を特定
する。そして、各画素アドレスADD(i)をRAM23
に記憶する。
【0088】CCDラインセンサ12Aのライン方向の
画素ピッチをpHとすると、距離dA BはdAB=(ADD
(8)−ADD(1))・pHにより算出され、更に距離DAB
はDAB=dAB/β1により算出される。
【0089】従って、制御部51は、 β=DAB/NAB ={ADD(8)−ADD(1)}・pH/(β1・NAB) を演算することにより螢光体ピッチβを算出し、その算
出結果をRAM23に格納する。
【0090】(2)ライン間隔Dの算出 次に、CCDカメラ3をCRT表示面の所定位置に対向
配置した状態でカラーCRT6に複数の縦ラインを横方
向に配列してなるラインパターンを表示させ、当該CC
Dカメラ3を駆動してこのラインパターンを撮像し、こ
の撮像画像のデータを用いてライン間隔Dが算出され
る。
【0091】ラインパターンの表示サイズは、カラーC
RT6の表示面におけるライン間隔が測定したいプロフ
ァイル幅よりも少し大きい値(例えば2〜3mm)とな
るようなサイズに設定される。図10は、ライン間隔D
を算出するためのラインパターンの表示例を示すもの
で、横方向の約18mmの範囲に7本の縦ラインLn
(i)(i=1,2,…7)が略3mmのライン間隔Dで
配列されるように表示されている。
【0092】なお、信号発生器4からは各ライン間隔D
が等間隔となるようにカラーCRT6にパターン信号が
出力されるが、カラーCRT6の表示画像にリニアリテ
ィずれがあるため、カラーCRT6の表示面に表示され
たラインパターンの個々のライン間隔Dはばらついてい
る。従って、このライン間隔の算出処理では、ラインパ
ターンの両端の縦ラインLn(1),Ln(n)間の距離D1n
をライン間隔数N1nで除したライン間隔の平均値DAVE
がライン間隔Dとして算出される。
【0093】以下、図10の表示例によりライン間隔D
の算出方法を説明する。図10の表示例では、縦ライン
Ln(1)と縦ラインLn(7)との距離D17(≒18mm)
をライン間隔数N17(=6)で除することによりライン
間隔Dが算出される。
【0094】縦ラインLn(1)と縦ラインLn(7)との距
離D17を算出するには、縦ラインLn(1),Ln(7)のラ
イン中心を算出する必要があるが、各縦ラインLn(i)
を構成する画像は離散的な発光螢光体像で構成されてい
るので、各縦ラインLn(i)のライン中心m(i)は各縦ラ
イン内に含まれる発光螢光体の輝度データを用いて輝度
重心m(i)′を算出することにより決定される。従っ
て、縦ラインLn(1)及び縦ラインLn(7)の輝度重心を
それぞれm(1)′,m(7)′とすると、ライン間隔D17
17={m(7)′−m(1)′}/6により算出される。な
お、各ライン間隔D12,D23,…D67を算出し、これら
のライン間隔Dij(i=1,2,…6、j=i+1)の
平均値を取るようにしてもよい。
【0095】ところで、輝度重心m(i)′により縦ライ
ンLn(i)のライン中心とすると、各縦ラインLn(i)に
は発光螢光体が2〜3個しか含まれてないので、図11
(a)(b)に示すように、輝度重心m(i)′と縦ライ
ンLn(i)のプロファイル中心m(i)とに誤差Δd(i)が
生じる。この誤差Δd(i)は、例えば螢光体ピッチβを
300μm、ライン幅Wを500μmとすると、−50
μm〜+50μmの範囲に分布することが実験的に確か
められている。
【0096】図10に示すラインパターンにおいて、第
1縦ラインLn(1)及び第7縦ラインLn(7)のライン中
心の算出結果にそれぞれ−50μm〜+50μmの範囲
の誤差Δd(1),Δd(7)が生じるとすると、第1縦ライ
ンLn(1)と第7縦ラインLn(7)との距離D17の誤差は
最大で100μmとなるから、距離D17の真値を18m
mとすれば、(0.1/18)×100≒0.56%の
誤差が生じることになり(すなわち、ライン間隔Dの算
出値にも0.56%の誤差が含まれることになり)、プ
ロファイル測定の測定精度に影響することになる。従っ
て、誤差Δd(i)を可能な限り小さくすることが望まし
い。
【0097】誤差Δd(i)が大きくなるのは各縦ライン
Ln(i)の撮像画像を構成する発光螢光体のデータ数
(すなわち、ラインプロファイルを構成する輝度データ
のサンプリング数)が少なすぎることが原因であるか
ら、誤差Δd(i)を小さくするには各縦ラインLn(i)の
ラインプロファイルを構成する輝度データのサンプリン
グ数を増加すればよい。例えば螢光体ピッチβが300
μm、ライン幅Wが500μmの例において、螢光体ピ
ッチβを略1/2(略150μm)にすると、縦ライン
のプロファイルを構成するデータ数は約2倍(サンプリ
ング数が5〜6個)になるので、誤差Δd(i)の範囲を
−0.2μm〜+0.2μmの範囲に小さくすることが
できる。
【0098】そこで、本実施の形態では、ラインパター
ンの表示位置を螢光体ピッチβの1/2だけ変化させて
ラインパターンの撮像を2回行い、各撮像画像のデータ
を用いて各縦ラインLn(i)毎に輝度重心m1(i)′,m
2(i)′を算出し、下記(1)式により各縦ラインLn
(i)の輝度重心m(i)′を算出するようにしている。
【0099】
【数1】
【0100】なお、上記(1)式において輝度重心m2
(i)′から距離Lを引いているのは、1回目と2回目と
で各縦ラインLn(i)の表示位置が距離Lだけずれるこ
とにより各縦ラインLn(i)の輝度重心を算出する座標
の基準位置が距離Lだけずれているので、この座標のず
れLを補正するためである。
【0101】螢光体ピッチβの1/2だけ表示位置をず
らした2枚のラインパターンの撮像画像を用いた場合、
図12に示すように、各縦ラインLn(i)には等価的に
β/2ピッチで発光螢光体が含まれることになるから
(すなわち、見かけ上、輝度データのサンプリング数が
2倍になるから)、上述のように誤差Δd(i)の範囲を
非常に小さくすることができる。
【0102】ラインパターンの表示位置の変更は、水平
同期信号に遅延をかけることにより行われる。例えば図
13に示すように、縦ラインLnの表示位置を左側にL
だけ移動させる場合、図14に示すように、水平同期信
号SHを時間t3だけ遅延させることにより表示位置の
移動が可能になる。
【0103】すなわち、図14において、表示位置を移
動させる前は、映像信号の縦ラインLnは水平同期信号
Hから時間t1経過後に出力されていたが、水平同期
信号SHの発生タイミングをt3だけ遅延させると、映
像信号の縦ラインLnは水平同期信号SHから時間t2
(=t1−t3)経過後に出力されることになるので
(すなわち、図13において、表示画面Gの左端からの
縦ラインLnの表示タイミングが早くなるので)、表示
画面Gにおける縦ラインLnの表示位置が左側に移動す
る。
【0104】水平同期信号SHの遅延によりラインパタ
ーンの表示位置を移動させるには、移動量Lが設定値で
あるので、カラーCRTの表示面における電子ビームB
mの実際の水平走査速度VHを知る必要があるが、これ
はラインパターンの表示条件とライン間隔Dの算出値と
から算出することができる。
【0105】すなわち、図10の表示例においては、ラ
インパターンの表示条件よりラインパターンの表示にお
ける第1縦ラインLn(1)から第7縦ラインLn(7)まで
の発光周期τは既知であり、カラーCRTの表示面にお
ける第1縦ラインLn(1)と第7縦ラインLn(7)との距
離D17は、上述のように両縦ラインLn(1),Ln(7)の
輝度重心m(1)′,m(7)′を算出することにより求める
ことができるから、この距離D17と発光周期τとから実
際の水平走査速度VH(=D17/τ)を算出することが
できる。
【0106】従って、水平走査速度VHの算出値が、例
えば10mm/μsであるとすると、図10の例におい
て、ラインパターンの表示位置を左側に150μmだけ
移動させる場合、水平同期信号SHをt3=0.150
mm/10=0.015μsだけ遅延させれば、ライン
パターンを所望の表示位置に移動させることができる。
【0107】なお、水平走査速度VHの算出値は、上述
のように距離D17の算出値の誤差として0.56%の誤
差が発生するので、最大0.56%の誤差を含むことに
なる。
【0108】水平走査速度VHの算出精度に0.56%
の誤差が含まれると、水平同期信号SHを遅延させてラ
インパターンの表示位置の移動量を制御する場合、その
制御精度には0.56%の誤差が含まれることになり、
この制御精度が各縦ラインLn(i)の輝度重心の算出精
度に直接、影響することになる。
【0109】しかし、螢光体ピッチβが300μmの場
合、移動距離Lを150μmとすると、移動距離Lの制
御誤差は150μm×(0.56/100)≒0.84
μmとなるが、上記(1)式で輝度重心m(i)′を算出
することにより移動距離Lの制御誤差が輝度重心m
(i)′の算出精度に与える影響は0.84μmの1/2
以下になるので、殆ど問題とならないと考えられる。
【0110】なお、本実施の形態では、上記(1)式に
より各縦ラインLn(i)の輝度重心m(i)′を求めるよう
にしているが、各縦ラインLn(i)毎に得られた4〜6
個の全輝度データを用いて輝度重心m(i)′を算出して
もよい。また、螢光体ピッチβの1/2だけラインパタ
ーンの表示位置を移動させるようにしているが、これは
一例であり、移動距離Lをβ/n(nは整数)とするよ
うにしてもよい。nを3以上にすれば、撮像時間及び輝
度重心の演算時間は増加するが、算出精度を向上させる
ことができる。
【0111】(3)ラインパターンの表示サイズの変更 次に、ラスタサイズを変更することによりカラーCRT
6に表示されているラインパターンの表示サイズが変更
される。
【0112】上述したように測定ピッチεでプロファイ
ルデータを得るには、複数の縦ラインLnが間隔(k・
β−ε)で配列表示されるようにラインパターンを表示
させればよい。(2)の処理で算出されたライン間隔D
が(1)の処理で算出された螢光体ピッチβの整数倍k
・βであれば、(2)の処理のライン間隔Dの算出にお
けるラインパターンの表示条件を(k・β−ε)・10
0/k・βの縮小率で縮小する表示条件に変更すればよ
い。
【0113】例えば(1)の処理で算出された螢光体ピ
ッチβを0.3mm、(2)の処理で算出されたライン
間隔Dを3.00mmとし、測定ピッチεを0.05m
mとすると、(2)の処理のライン間隔算出時のライン
パターンの表示を(3.0−0.05)・100/3.
0=98.3%の縮小率で縮小すればよい。
【0114】従って、(2)の処理のライン間隔算出時
にカラーCRTの表示面に、図10に示すようにライン
パターンが表示され、このラインパターンのライン間隔
Dが3.00mmであれば、図15に示すように、ライ
ンパターンの横方向の表示サイズを約17.7(=18
×0.983)mmに縮小することによりプロファイル
測定用のラインパターンを表示させることができる。
【0115】(4)ラインプロファイルの測定 ラインプロファイルの測定は、図16に示すフローチャ
ートに従って行われる。以下の説明は、図15に示すラ
インパターンの撮像画像を用いてラインプロファイルを
測定する場合について説明する。
【0116】(3)の処理でラインパターンのラスタサ
イズの変更処理を終了すると、カラーCRT6には、図
15に示すラインパターンの表示が行なわれている。信
号発生器4からはラインパターンのライン間隔Dが0.
295mmとなるようにカラーCRT6にパターン信号
が出力されるが、カラーCRT6の表示画像にリニアリ
ティずれがあるため、カラーCRT6の表示面に表示さ
れたラインパターンの各縦ラインLn(i)の表示位置x
は、縦ラインLn(1)の表示位置xを基準(x=0)と
すると、表1のx1の位置に表示され、表示画像にリニ
アリティずれがないとしたならば、表示されたであろう
表示位置x2に対して位置ずれΔx(=x2−x1)が
生じているものとする。
【0117】まず、CCDカメラ3によりラインパター
ンの表示画像が撮像される(#2)。この撮像処理で
は、(2)の処理のライン間隔の算出の場合と同様にラ
インパターンの表示位置をβ/2だけずらせて2回、撮
像が行われ、各撮像画像のデータはVRAM22に格納
される。
【0118】続いて、ラインパターンの撮像画像のデー
タを用いて、各縦ラインLn(i)(i=1,2,…7)
のライン中心が算出される(#4)。各縦ラインLn
(i)のライン中心は、(2)の処理のライン間隔の算出
で説明した方法(輝度重心算出方法)と同様の方法で算
出される。すなわち、ラインパターンの表示位置の変更
前の撮像画像のデータを用いて各縦ラインLn(i)毎に
輝度重心m1(i)′が算出されるとともに、ラインパタ
ーンの表示位置の変更後の撮像画像のデータを用いて各
縦ラインLn(i)毎に輝度重心m2(i)′が算出され、各
縦ラインLn(i)毎に、両輝度重心m1(i)′,m2
(i)′と表示位置の変更量L(=β/2)とを用いて上
記(1)式により輝度重心m(i)′が算出される。
【0119】なお、カラーCRT6の表示画像にリニア
リティずれがあるため、ラインパターンの表示位置を螢
光体ピッチβの1/2だけ移動させた場合、各縦ライン
Ln(i)の移動距離Lは均一にβ/2とならないが、こ
のばらつきは表示の非線形性に基づくずれ量の1%以内
であるから、輝度重心m(i)′の算出値に与える影響は
殆どなく、無視し得るものである。
【0120】続いて、各縦ラインLn(i)毎に、算出さ
れたライン中心を原点とするX座標が設定される(#
6)。このX座標は、各縦ラインLn(i)における発光
螢光体の発光位置の座標を与えるためのものである。
【0121】続いて、各縦ラインLn(i)毎に、ライン
内に含まれる発光螢光体の発光位置(X座標)と輝度レ
ベルCとが算出される(#8)。発光螢光体の発光位置
置(X座標)は、(1)の螢光体ピッチの算出処理によ
りGの色の螢光体の位置は分かっているので、発光螢光
体の位置をX座標に変換することにより算出される。ま
た、輝度レベルCはVRAM22の格納されている画素
データのレベルを読み出し、最大値を100%として正
規化することにより算出される。
【0122】下記表3(a)〜(f)は、ラインパター
ンの各縦ラインLn(i)の発光螢光体の発光位置(X座
標)と輝度データの一例を示したものである。また、図
17(a)〜(f)は、表3(a)〜(f)の輝度デー
タをプロファイルとの関係で表したものである。同図
(a)〜(f)において、輝度重心m(i)′は各縦ライ
ンLn(i)のライン中心であり、X座標の原点である。
【0123】
【表3】
【0124】同表において、発光螢光体F(i,j)は、第
i縦ラインLn(i)に含まれる発光螢光体のうち、左か
らj番目のものを示している。また、輝度レベルは、全
発光螢光体の輝度レベルのうち、最大値を100%とし
て正規化したものである。
【0125】また、X座標の下段の括弧内の数値は、カ
ラーCRT6の表示画像にリニアリティずれがないとし
た場合の座標である。カラーCRT6の表示画像にリニ
アリティずれがない場合は、第1縦ラインLn(1)を基
準にラインパターンの横方向のサイズを98.3%に縮
小しているので、第2縦ラインLn(2)の発光螢光体F
(2,1),(2,2),(2,3)のX座標は、第1縦ラインLn(1)
の発光螢光体F(1,2),(1,2),(1,3)のX座標に対して
−X側に50μmだけずれている。同様に第3縦ライン
Ln(3)〜第6縦ラインのLn(6)の発光螢光体F(i,j)
(i=3〜6、j=1〜3)のX座標も順次、−X側に
50μmずつずれている。
【0126】表3に示す各縦ラインLn(i)の発光螢光
体F(i,j)のX座標は、カラーCRT6の表示画像にリ
ニアリティずれがあり、表1に示す位置ずれ量Δxがあ
るので、括弧内のX座標から対応するずれ分Δx(=x
2−x1)が補正されたものとなっている(図17
(a)〜(f)参照)。これは各縦ラインLn(i)毎に
X座標の原点を設定しているからである。約18mmの
狭い範囲に7本の縦ラインLn(i)を表示させているの
で、各縦ラインLn(i)間でラインプロファイルは殆ど
変化しないと考えられるから、各縦ラインLn(i)毎に
設定された座標系はプロファイル作成のための座標系と
して同一であると考えることができる。従って、各縦ラ
インLn(i)に設定されたX座標の原点はプロファイル
作成のための座標系の原点と一致するから、各縦ライン
Ln(i)内に含まれる発光螢光体F(i,j)のX座標は、ラ
インパターンのライン間隔Dの不均一に起因する各縦ラ
インLn(i)のライン中心のずれ(すなわち、プロファ
イル作成のための座標系の原点のずれ)の影響を受ける
ことがなく、表1に示す位置ずれ量Δxが補正されたも
のとなっている。
【0127】図16に戻り、続いて、各縦ラインLn
(i)毎に算出された各発光螢光体F(i,j)の輝度レベルC
(%)をX座標(μm)に基づいて並べ替えることによ
り縦ラインのライン幅方向のプロファイルデータが作成
され(#10)、このプロファイルデータに基づいてラ
インプロファイルが作成され、この結果は測定制御部5
の表示器53に表示される。(#12)。そして、これ
によりプロファイル測定は終了する。
【0128】上記表3の例では、各輝度レベルをX座標
に基づいて並べ換えると、下記表4のようになり、この
表4のプロファィルデータに基づいて図18に示すライ
ンプロファイルが作成される。なお、輝度レベルC(i,
j)は、発光螢光体F(i,j)の輝度レベルである。
【0129】
【表4】
【0130】上記のように、各縦ラインLn(i)毎に座
標系の基準位置(ライン中心)を算出し、この基準位置
を座標系の原点として発光螢光体F(i,j)のライン内に
おける発光位置を算出するようにしているので、カラー
CRT6の表示画像にリニアリティずれがあるため、ラ
インパターンの撮像画像にライン間隔Dの不均一が生じ
た場合にもこのライン間隔不均一に起因するラインプロ
ファイルの測定誤差を低減することができる。
【0131】上記実施の形態では、カラーCRT6の表
示画像にリニアリティずれがある場合について説明した
が、CCDカメラ3の光学系に歪曲収差があるため、ラ
インパターンの撮像画像にライン間隔Dの不均一が生じ
る場合にも、このライン間隔の不均一に起因する測定誤
差の影響を受けることなく、高精度のプロファイル測定
を行うことができる。
【0132】例えばCCDカメラ3の光学系の歪曲収差
に起因して上記表2に示すように縦ラインの表示位置に
ずれが生じている場合、ラインパターンの各縦ラインL
n(i)の発光螢光体の発光位置(X座標)と輝度データ
は下記表5(a)〜(f)のようになり、各輝度レベル
とプロファイルとの関係は図19(a)〜(f)のよう
になる。
【0133】
【表5】
【0134】そして、上記表5のX座標に基づいて各発
光螢光体F(i,j)の輝度レベルC(i,j)を並べ換えると、
下記表6のようになり、この表6のプロファィルデータ
に基づいて作成されるラインプロファイルは図20に示
すようになる。
【0135】
【表6】
【0136】なお、上記実施の形態では、各縦ラインL
n(i)の輝度重心m(i)′を座標系の基準位置としていた
が、これは、輝度重心m(i)′が高精度に算出できれ
ば、これをライン中心m(i)とすることができ、座標系
の原点に基準位置を合わせることができるからである。
しかし、各縦ラインLn(i)毎に設定される座標系がラ
インプロファイルを算出するための座標系として一致し
ていれば、基準位置を座標系の原点に正確に一致させる
必要は必ずしもなく、例えばX=α(α≠0)の位置を
基準としてもこのαを原点に対するオフセット値と考え
れば、原点を基準とした発光螢光体F(i,j)の発光位置
と全く等価になるから、座標系の原点以外の点を基準位
置として各発光螢光体F(i,j)の発光位置を特定するよ
うにしてもよい。
【0137】従って、例えば図21に示すように、縦ラ
インLn(i)毎に、各縦ラインLn(i)に含まれる発光螢
光体の輝度レベルC(i.j)により粗いプロファイルPを
算出し、このラインプロファイルにおける最大値のQ%
のレベルの位置(a点もしくはb点)を基準位置とする
ようにしてもよい。なお、a点,b点が発光螢光体の輝
度レベルC(i.j)に一致しないし場合は、この輝度レベ
ルQを挟む2個の輝度レベルC(i.j)を用いて補間演算
によりa,b点を算出するようにすればよい。例えばb
点の場合、発光螢光体F(i,4),F(i,5)の発光位置と
輝度レベルC(i,4),C(i,5)とを用いて輝度レベルC
(i,4)と輝度レベルC(i,5)とを結ぶ直線を算出すると
ともに、この直線上の輝度レベルQの位置を算出するこ
とによりb点を算出することができる。
【0138】また、最大値のQ%のレベルの位置a,b
の中間点c(=(a+b)/2)を基準位置とするよう
にしてもよく、あるいは輝度重心m(i)′に対してカラ
ーCCD3の画素ピッチpHの整数倍の距離だけ偏差し
た位置を基準位置とするようにしてもよい。
【0139】また、上記実施の形態では、ラインパター
ンの各縦ラインLn(i)に含まれる発光螢光体数が少な
いので、測定誤差を低減するため、ラインパターンの表
示位置をL=β/2だけ移動させてラインパターンの撮
像画像を2枚取り込み、見かけ上、輝度重心算出用の輝
度データのサンプリング数を増加させるようにしている
が、各縦ラインLn(i)に含まれる発光螢光体数が多い
場合(例えばライン幅に対する螢光体ピッチβが相対的
なサイズが十分に小さい場合)は、ラインパターンの表
示位置を移動させて複数枚のラインパターンの画像を取
り込む必要はなく、ラインパターンを1回だけ撮像し、
その撮像画像を用いて各縦ラインLn(i)の輝度重心m
(i)′を算出するとよい。
【0140】また、上記実施の形態では、縦ラインのラ
インプロファイルを測定する場合について説明したが、
本発明は、横ラインのラインプロファイル測定について
も適用することができる。
【0141】更に、上記実施の形態では、アパーチャグ
リルタイプのカラーCRTのラインプロファイル測定に
ついて説明したが、本発明はドットマスクタイプのカラ
ーCRTのラインプロファイル測定についても同様に適
用することができる。なお、アパーチャグリルタイプの
カラーCRTでは、縦ラインのラインプロファイル測定
において、ライン幅方向の螢光体の発光位置が離散的と
なるため、測定用のラインパターンのラスタサイズを水
平方向にのみ変更したが、ドットマスクタイプのカラー
CRTでは、縦/横の両ラインのラインプロファイル測
定において、ライン幅方向の螢光体の発光位置が離散的
となるため、横ラインのラインプロファイル測定におい
ても測定用のラインパターンのラスタサイズを垂直方向
に変更する必要がある。
【0142】また、本発明は、ラインプロファイル測定
に限定されるものではなく、ビームプロファイル測定に
も適用することができ、カラーCRTだけでなく、モノ
クロCRTにも適用することができる。
【0143】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
CRTの表示面に測定パターンに対する発光螢光体の相
対的な位置関係が測定パターン間で異なる複数の測定パ
ターンを表示させ、この複数の測定パターンの撮像画像
を用いて測定パターンのプロファイルを測定するプロフ
ァイル測定装置であって、測定パターン毎に、各測定パ
ターン内の発光螢光体の発光位置を示す座標系の基準位
置を算出するとともに、測定パターン毎に、各測定パタ
ーン内に含まれる発光螢光体の基準位置を原点とする発
光位置と輝度レベルとを算出し、この発光位置と輝度レ
ベルとを用いてプロファイルを算出するようにしている
ので、CRTの画像表示にリニアリティずれがあること
や撮像光学系に歪曲収差が生じること等に起因して、複
数の測定測定パターンの撮像画像にパターン間隔の不均
一が生じた場合にもこれに起因するラインプロファイル
の測定誤差を低減し、高い精度でプロファイル測定を行
うことができる。
【0144】また、CRTの表示面における表示位置を
螢光体ピッチの整数分の1のピッチで少なくとも1回ず
らせて複数の測定パターンを少なくも2回表示させ、こ
れらの撮像画像のデータを用いて座標系の基準位置を算
出するようにしたので、各測定パターン内に含まれる発
光螢光体が離散的であっても見かけ上、発光螢光体数が
増加し、各測定パターンの基準位置を正確に(特にパタ
ーン間での基準位置のずれが生じないように正確に)算
出することができる。
【0145】また、各測定パターンの輝度重心を座標系
の基準位置とするようにしたので、ライン中心(すなわ
ち、座標系の原点)を座標系の基準位置とすることがで
き、各測定パターン毎に算出された発光位置と輝度レベ
ルとに基づくプロファイル演算が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ラインプロファイルの測定原理を説明するため
の図で、(a)はアパーチャグリルタイプのCRT表示
面に複数の縦ラインを発光させた状態を示す図、(b)
は各ライン内に含まれる複数の発光螢光体の輝度分布を
示す図、(c)は各ライン毎に得られた輝度分布を合成
してラインプロファイルを算出した状態を示す図であ
る。
【図2】カラーCRTのラインプロファイル測定系のブ
ロック構成図である。
【図3】プロファイル測定装置のデータ取込制御部のブ
ロック構成図である。
【図4】CCDラインセンサを用いたCCDカメラの光
学系の基本構成を示す一実施の態様の斜視図である。
【図5】見かけ上、拡大されたCCDラインセンサの撮
像範囲を説明するための図である。
【図6】CCDラインセンサの幅寸法が螢光体のサイズ
と略同一の場合の撮像領域と発光螢光体との関係を示す
図である。
【図7】CCDラインセンサの幅寸法が螢光体のサイズ
より大きい場合の撮像領域と発光螢光体との関係を示す
図である。
【図8】アパーチャグリルタイプのCRTのフェースプ
レートの構造を示す要部斜視部である。
【図9】螢光体ピッチの算出方法を説明するための図
で、(a)は単色全発光されたCRT表示面を撮像して
得られる縞模様の画像を示す図、(b)は画素データを
抽出して得られる信号を示す図である。
【図10】電子ビームを水平方向に離散的に照射してカ
ラーCRTの表示面に複数の縦ラインを表示した状態を
示す図である。
【図11】縦ライン内に含まれる発光螢光体の輝度デー
タから算出される輝度重心とライン中心との関係を示す
図で、(a)は輝度重心がライン中心より左側にずれた
状態を示す図、(b)は輝度重心がライン中心より右側
にずれた状態を示す図である。
【図12】縦ライン内に含まれる発光螢光体の輝度デー
タ数を見かけ上、2倍にした場合の輝度重心とライン中
心との関係を示す図である。
【図13】ラインパターンの表示位置を変化させる方法
を説明するための図である。
【図14】水平同期信号を遅延させたときの映像信号と
水平同期信号との関係を示す図である。
【図15】図10に示すラインパターンの表示サイズを
横方向に98.3%に縮小した状態を示す図である。
【図16】ラインプロファイルの測定手順を示すフロー
チャートである。
【図17】表示画像にリニアリティずれがあるカラーC
RTに表示されたラインパターンを撮像して得られる各
縦ラインLn(i)のプロファイルを示す図で、(a)〜
(f)はそれぞれ縦ラインLn(1)〜Ln(7)のプロファ
イルを示す図である。
【図18】図17(a)〜(f)に示す各縦ラインLn
(i)に含まれる発光螢光体F(i,j)の輝度レベルC(i,j)
を発光位置(X座標)に基づき並べ換えて作成したライ
ンプロファイルを示す図である。
【図19】歪曲収差のあるCCDカメラでラインパター
ンを撮像して得られる各縦ラインLn(i)のプロファイ
ルを示す図で、(a)〜(f)はそれぞれ縦ラインLn
(1)〜Ln(7)のプロファイルを示す図である。
【図20】図19(a)〜(f)に示す各縦ラインLn
(i)に含まれる発光螢光体F(i,j)の輝度レベルC(i,j)
を発光位置(X座標)に基づき並べ換えて作成したライ
ンプロファイルを示す図である。
【図21】縦ライン毎に設定される座標系の基準位置を
輝度重心以外の位置に設定する方法を説明するための図
である。
【図22】CRTの表示画像にリニアリティずれがある
状態で複数の縦ラインからなるラインパターンを撮像し
た場合のライン間隔のずれを示す図である。
【図23】CRTの表示画像にリニアリティずれがある
場合に生じるライン間隔のずれの一例を示す図である。
【図24】図23に示すライン間隔のずれ特性に基づく
縦ラインの表示位置のずれを示す図である。
【図25】縦ラインの表示位置のずれが発光螢光体の発
光位置の算出結果に与える誤差を説明するための図であ
る。
【図26】発光螢光体の発光位置の算出結果に含まれる
誤差がプロファイルの測定誤差となることを説明するた
めの図である。
【図27】撮像光学系に歪曲収差がある場合に生じるラ
イン間隔のずれの一例を示す図である。
【図28】図27に示すライン間隔のずれ特性に基づく
縦ラインの表示位置のずれを示す図である。
【図29】表3に示す撮像光学系に歪曲収差が生じてい
る状態で複数の縦ラインからなるラインパターンを撮像
した場合のライン間隔のずれを示す図である。
【符号の説明】
1 プロファイル測定装置 2 データ取込制御部(表示制御手段) 21 A/D変換器 22 VRAM 23 ROM 24 RAM 25 制御部 26 信号発生器 27 同期信号遅延部 28 垂直同期信号検出部 29 通信部 3 CCDカメラ 4 信号発生器 5 測定制御部(第1〜第3の演算手段) 51 制御部 52 キーボード 53 表示器 6 カラーCRT 61 カラーブラウン管 611 螢光面 612 アパーチャグリル 613 電子銃マウント部 614 電子銃 615 偏向ヨーク 62 第1駆動制御回路 63 第2駆動制御回路 10 撮影レンズ 11 ハーフミラー 12A,12B CCDラインセンサ(撮像手段) 13A,13B シリンドリカルレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA56 AA61 CC00 FF04 GG09 JJ03 JJ19 JJ26 QQ31 2G086 EE12 5C061 BB03 CC05 EE13

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定用のCRTの表示面に、測定パタ
    ーンに対する発光螢光体の相対的な位置関係が測定パタ
    ーン間で異なる複数の測定パターンを表示させる表示制
    御手段と、 上記CRTの表示面に対向配置され、上記複数の測定パ
    ターンを撮像する撮像手段と、 上記撮像手段で上記測定パターンを撮像して得られる画
    像データを用いて、測定パターン毎に、各測定パターン
    内の上記発光螢光体の発光位置を示す座標系の基準位置
    を演算する第1の演算手段と、 測定パターン毎に、各測定パターン内に含まれる発光螢
    光体の上記第1の演算手段で演算された基準位置を原点
    とする発光位置と輝度レベルとを演算する第2の演算手
    段と、 上記第2の演算手段で算出された各発光螢光体の発光位
    置と輝度レベルとを用いて、上記CRTに表示された上
    記測定パターンのプロファイルを演算する第3の演算手
    段と、を備えたことを特徴とするプロファイル測定装
    置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のプロファイル測定装置に
    おいて、表示制御手段は、CRTの表示面における表示
    位置を螢光体ピッチの整数分の1のピッチで少なくとも
    1回ずらせて複数の測定パターンを少なくも2回表示さ
    せ、かつ、撮像手段は、CRTの表示面における表示位
    置の異なる上記複数の測定パターンをそれぞれ撮像する
    ものであり、第1の演算手段は、上記複数の測定パター
    ンの複数の撮像画像を用いて、測定パターン毎に、各測
    定パターン内の上記螢光体の発光位置を示す座標系の基
    準位置を演算するものであることを特徴とするプロファ
    イル測定装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載のプロファイル測定
    装置において、第1の演算手段で算出される座標系の基
    準位置は、各測定パターンの輝度重心であることを特徴
    とするプロファイル測定装置。
  4. 【請求項4】 請求項1又は2記載のプロファイル測定
    装置において、第1の演算手段で算出される座標系の基
    準位置は、各測定パターン内に含まれる発光螢光体の輝
    度分布により作成されるプロファイル上の、所定の輝度
    レベルを有する2個の発光位置の中間位置であることを
    特徴とするプロファイル測定装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007198849A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Nec Corp フレア検査装置、フレア検査方法、フレア検査プログラム、及び記録媒体
CN109141227A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 株式会社三丰 用于使用发射体材料配置的测量设备的光学配置

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