JP2000114357A

JP2000114357A - 静電チャック装置

Info

Publication number: JP2000114357A
Application number: JP27854598A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Hori; 裕明堀; Tetsuo Kitabayashi; 徹夫北林; Shigemi Suzuki; 茂美鈴木
Original assignee: Toto Ltd
Current assignee: Toto Ltd
Priority date: 1998-09-30
Filing date: 1998-09-30
Publication date: 2000-04-21

Abstract

(57)【要約】【課題】静電チャックと保持台を機械的接合よりも
大きな圧力で固定する事が可能で、ろう材を用いずに接
合し、かつ装置の温度変化に伴う応力発生を防ぐ為に接
合面の固定、非固定を自由に変更する事が可能で、装置
の加熱プロセスでの加熱効率を上げる事が可能で、装置
の接合面内に熱伝達ガスを供給しても短絡しない事が可
能な静電チャック装置を提供する。【解決手段】内部電極を基板接触側平面の内部と保
持台接触側平面の内部とに有する静電チャックと、該静
電チャックを保持しかつ内部に冷媒を通す流路を有する
保持台と、該静電チャックの内部電極に通電する電極端
子の周囲を真空減圧可能な気密室で覆った真空端子と、
該真空端子内部を真空にする真空ポンプ及びその排気パ
イプより成ることとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいて使用される静電チャック装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】静電チャックと保持台は機械的強度、熱
伝達率を向上させる目的で接合され静電チャック装置と
して半導体製造プロセスのチャンバの一部分となる。従
来は、ねじや重り等の機械的な方法で接合させたり、特
開平９−２８３６０９号に見られるように、静電チャッ
クと保持台を全面ろう付けする方法で接合させたり、特
開平９−１６２２７２号に見られるように、静電チャッ
クで保持台を静電吸着する方法で接合させ、静電チャッ
ク装置としていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
静電チャックと保持台との接合方法では次のような問題
があった。機械的な接合方法の場合、接合面の接触圧力
が不均一になる事に起因する静電チャック装置の面内熱
伝達率の不均一が生じ、それにより基板の製膜または除
去加工が面内で不均一となってしまう。また、面内熱伝
達率を向上させるためには、静電チャックと保持台との
間の密着力を高める必要があるが、その為には各部材の
接合部に大きな内部引張、圧縮応力が発生する恐れがあ
り、ここに加熱、冷却のサイクルが加わる事により各部
材の変形、もしくは破壊の誘発が懸念される。同様に面
内熱伝達率を向上させるためには、静電チャックと保持
台との間に熱伝達ガスを流入させる方法が考えられる
が、機械的接合では熱伝達ガスのシール性が劣り、高真
空を要求されるプロセスチャンバ内に熱伝達ガスが漏れ
る恐れがある。

【０００４】また、ろう付けによる接合の場合、一般に
静電チャックと保持台の線膨張係数の差による引張、圧
縮応力が発生する。特に、３００〜５００℃の高温プロ
セスで使用される静電チャック装置の場合、ろう付け温
度はその使用温度より高い融点をもつろう材を選定せね
ばならず、ろう付け温度と室温近くの常温定常状態の間
の温度差に起因する熱膨張の差はより大きいものとなり
引張、圧縮応力も大きくなる為、各部材の破壊が発生し
てしまう。一方、ろう材は各種金属の合金で構成されて
いるが、一般的に静電チャックを用いる各種エッチン
グ、ＣＶＤ等のプロセス環境下では金属汚染が厳しく管
理されている為、忌避金属がろう材に含まれている場
合、ろう付けによる静電チャック装置は使用不可能とな
る。さらに、ろう材で一体化した静電チャック装置にお
いて、静電チャックの損耗による取替え時期に達した場
合、未だ機能の寿命に達していない保持台部を分離し
て、新しい静電チャックに再接合する事は、ろう材によ
っては清浄性を保つ点や寸法精度を保つ点から難しく、
静電チャック装置一式を新品に交換する必要があり、交
換コストが高いものとなる。また、ろう材で接合した静
電チャック装置では、その接合面の熱伝達率は良いので
あるが、基板の温度を上げるためにヒータで加熱をする
場合、その接合面熱伝達率が良いので静電チャックのみ
ならず保持台も加熱する必要があり、急峻な加熱プロセ
スでは多くのエネルギーが必要となる。

【０００５】また、静電チャック機構で保持台を吸着す
る方法は、静電チャックに吸着用や加熱用の電力を供給
する端子構造に工夫が必要である。保持台に貫通穴を設
け電線及び絶縁材をその内部に通す方法では、貫通穴、
絶縁材、電線の気密が不十分な場合その隙間より空気が
真空であるプロセスチャンバ内部に侵入する恐れがあ
る。また、保持台に真空電気導入端子を設置しプロセス
チャンバと保持台で密閉構造にして電力を真空電気導入
端子より供給する場合、静電チャックと保持台間の熱伝
達率を向上させるために熱伝達ガスを供給すると、電極
周りの圧力が上がり電気絶縁性を確保するのは難しくな
る。また、静電チャック装置全体を室温以下の冷却プロ
セスで使う場合、電線が大気に露出する部分と冷媒流路
が近接していると霜が付く場合が考えられ電極間の短絡
が発生する恐れがある。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、本発明の目的は、静電チャックと保持台を
機械的接合よりも大きな圧力で固定する事が可能で、ろ
う材を用いずに接合し、かつ装置の温度変化に伴う応力
発生を防ぐ為に接合面の固定、非固定を自由に変更する
事が可能で、装置の加熱プロセスでの加熱効率を上げる
事が可能で、装置の接合面内に熱伝達ガスを供給しても
短絡しない事が可能な静電チャック装置を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、内部電極を基板接触側平面の内部と保持台
接触側平面の内部とに有する静電チャックと、該静電チ
ャックを保持しかつ内部に冷媒を通す流路を有する保持
台と、該静電チャックの内部電極に通電する電極端子の
周囲を真空減圧可能な気密室で覆った真空端子と、該真
空端子内部を真空にする真空ポンプ及びその排気パイプ
より成ることとした。

【０００８】静電チャック装置に真空端子構造を使用す
る為、静電チャックと保持台間に熱伝達ガスを導入して
も、内部電極への電極端子付近の真空度は常に低真空の
為、電極間の短絡は発生しない。静電チャック装置を冷
却プロセスに用いても、真空端子内部は真空で断熱され
ているため霜による短絡は発生しない。

【０００９】次に、前記静電チャック装置において、該
静電チャックが保持台を静電力で吸引する手段を有する
こととした。

【００１０】この手段により静電チャックは保持台に静
電力により吸引固定される。単位面積当たりの静電力は
機械的接合方法と比較して大きくする事ができ、また静
電力は静電チャック吸着面に均一に発現する為、接触圧
力も面内で均一化し、それによって熱伝達率も面内で均
一化される為、基板の製膜または除去加工が面内で均一
化する事ができる。また、加熱、冷却プロセスに合わせ
て静電力を変化させる事で、不要な内部応力の発生を押
さえ、破壊を防ぐ事ができる。また、単位面積当たりの
静電力は機械的結合方法と比較して大きい為、熱伝達ガ
スのシール性も向上でき、プロセスチャンバへの漏れを
低下させる事ができる。

【００１１】また、ろう材を用いない為、使用温度より
高いろう付け温度まで静電チャックと保持台を加熱する
必要がなく、ろう付け温度と常温定常状態の間の温度差
に起因する静電チャックと保持台の熱膨張の差による応
力および破壊の発生がなくなり、ろう材成分による汚染
も発生しない。また、静電力を落とした状態では静電チ
ャックと保持台は容易に分離できる構造の為、静電チャ
ックの保守管理または交換の場合、静電チャックのみの
交換が可能である。さらに、２つの面の静電力及び熱伝
達ガス圧力の独立制御により、基板と静電チャックと保
持台との間の熱伝達率が自由に制御でき、例えば基板と
静電チャックの間の熱伝達率を高くして、保持台を加熱
せずに効率よく基板を加熱したり、基板と静電チャック
装置全体の熱伝達率を高くして、プラズマ加熱等の外部
からの加熱による基板の温度上昇を防ぐ冷却が効率よく
できる。

【００１２】さらに、基板の温度を測定し、その温度の
変化を元に各静電力発生電圧及び各熱伝達ガス圧力を独
立して各々制御する事により、基板を所望の温度に制御
する事ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施例につい
て具体的に説明する。図１は、静電チャックの断面図で
ある。静電チャック１０は静電力を発生させる事のでき
る材料、例えばＡｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＰＢＮ等からなり、
基板接触側平面１１ｅの内部と保持台接触側平面１２ｅ
の内部に内部電極１１ａ、１１ｂ及び１２ａ、１２ｂ
を、また内部に加熱用ヒータ１３を形成している。１１
ａ、１１ｂ及び１２ａ、１２ｂは各々対を成す双極電極
である。内部電極１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ及び
加熱用ヒータ１３と静電チャック１０の外部とは、配線
電極棒１１ｃ，１１ｄ、１２ｃ、１２ｄ、及び１３ｃ、
１３ｄによって電気的導通を取れるように形成され、各
電極棒の先端部は、着脱可能なプラグ構造となってい
る。また静電チャック１０内部を１４ａ、１４ｂ、１５
の穴が貫通している。各電極棒の先端部（電極端子）
が、着脱可能なプラグ構造となっているので、保持台に
静電チャックを取り付ける際の作業が簡略化される。す
なわち、保持台のプロセスチャンバ側と大気側の両側か
ら配線の接続作業を行う事なく、静電チャックを保持台
のプロセスチャンバ側から保持台に押し込むような方法
のみで配線の接続作業が終了する。また、静電チャック
の保守及び交換時にも、保持台から静電チャックを外す
のみで分解作業が終了する。

【００１４】図２は、保持台の断面図である。保持台２
０は静電チャック１０に静電力で吸着される事が可能な
材料、例えばステンレス鋼、アルミニウム等からなり、
保持台２０内部を穴２１ａ、２１ｂが貫通している。こ
の貫通穴２１ａ、２１ｂの端面は、保持台２０の静電チ
ャック接触側平面２２においては面一に、保持台２０の
大気側平面２３においてはそれより飛び出す構造とし、
また貫通穴２１ａ、２１ｂの大気側平面２３より飛び出
した円筒部分に貫通穴２１ａ、２１ｂの中心軸と直行
し、かつ各々の中心軸が同軸となるように開けた穴２１
ｃ、２１ｄを形成する。また、保持台２０内部を穴２４
ａ、２４ｂ、２５、２６ａ、２６ｂが貫通している。こ
のうち貫通穴２４ａ、２４ｂは、静電チャック１０の貫
通穴１４ａ、１４ｂと、また貫通穴２５は静電チャック
１０の貫通穴１５と開口位置が一致するように形成す
る。また、保持台２０内部には冷媒流路２７ｃが形成さ
れ、冷媒出入口２７ａ、２７ｂによって外部と導通が取
れるように形成される。

【００１５】図３は、真空用電気導入端子の断面図であ
る。図３（ａ）は、図２の右側下部に、図３（ｂ）は、
図２の左側下部に取り付けられる。真空用電気導入端子
３１ａ、３１ｂは各々３系統の電気入力端子３２ａ，３
２ｂ、３３ａ、３３ｂ、３４ａ、３４ｂと、脱着可能か
つその径方向の位置自由度をある程度確保でき、さらに
静電チャック１０の配線用電極棒１１ｃ、１１ｄ、１２
ｃ、１２ｄ、１３ｃ、１３ｄ先端に設けられたプラグと
対をなす電極ジャック３５ａ、３５ｂ、３６ａ、３６
ｂ、３７ａ、３７ｂからなる。尚、本実施例においては
真空用電気導入端子を３系統を２個にまとめて説明した
が、下部構造との配管、配線取り合いや位置的制約条件
がある場合は、その真空用電気導入端子系統の数を１個
所にまとめたり、複数箇所に分散させる配置を行う事で
かかる問題点を解決できる。

【００１６】図４は、静電チャック１０、保持台２０に
接続する配管図である。同図において、配管４１は３つ
又状で、うち２個所を保持台２０の貫通穴２１ｃ、２１
ｄに接続できるようにする。配管４２も３つ又状で、う
ち２個所を保持台２０の貫通穴２４ａ、２４ｂに接続で
きるようにする。配管４３は保持台２０の貫通穴２５に
接続できるようにする。配管４４は３つ又状で、うち２
個所を保持台２０の貫通穴２６ａ、２６ｂに接続できる
ようにする。配管４５ａ、４５ｂは保持台２０の冷媒出
入口２７ａ、２７ｂに接続できるようにする。各配管は
気密、水密が十分に保たれる接続法で各々接続される。

【００１７】図５は、静電チャック装置の断面図であ
る。保持台２０はその外周を気密に保てるように台座５
２と一体化され、その上部に静電チャック１０を、その
下部に真空用電気導入端子３１ａ、３１ｂ及び配管類
を、各貫通穴及び電極プラグとジャックが合うように組
み付けられる。台座５２は絶縁用リング５３を挟んでプ
ロセスチャンバ５４と組み付けられ、プロセスチャンバ
５４内部は高真空に引けるような気密構造となるよう
に、また例えばプラズマを用いるプロセスに静電チャッ
ク装置を使用する場合は静電チャック１０全面に高周波
がかかるような構造とする。プロセスチャンバ５４には
排気口５５を設け、ここから真空ポンプ６１に接続され
る。電気入力端子３２ａ、３２ｂは基板吸着電源６２
に、同端子３３ａ、３３ｂは保持台吸着電源６３に、同
端子３４ａ、３４ｂは加熱用ヒータ電源６４に接続され
る。配管４１は真空ポンプ６１に、配管４２は基板−静
電チャック熱伝達ガス圧力制御弁６５に、配管４３は基
板温度測定装置６６に、配管４４は静電チャック−保持
台熱伝達ガス圧力制御弁６７に、配管４５ａ、４５ｂは
冷媒チラー６８に接続される。また基板吸着電源６２、
保持台吸着電源６３、加熱用ヒータ電源６４、基板−静
電チャック熱伝達ガス圧力制御弁６５、基板温度測定装
置６６、静電チャック−保持台熱伝達ガス圧力制御弁６
７、冷媒チラー６８の入出力信号ケーブルは、基板温度
制御装置６９に接続される。

【００１８】次に動作工程を説明する。表１は、静電チ
ャック装置の時系列での動作状態である。

【００１９】

【表１】

【００２０】ここで、Ｎｏ．は工程番号、プロセスは各
工程、ＲＦ加熱は静電チャック装置の外部からのＲＦ高
周波による加熱の有無、基板吸着は基板吸着電源６２の
通電状態、基板側ガスは基板−静電チャック熱伝達ガス
圧力制御弁６５の開閉状態、加熱ヒータは加熱用ヒータ
電源６４の通電状態、保持台吸着は保持台吸着電源６３
の通電状態、保持台側ガスは静電チャック−保持台熱伝
達ガス圧力制御弁６７の開閉状態を表す。各工程での各
装置のＯＮ／ＯＦＦ表示は、電源はＯＮ／ＯＦＦを、圧
力制御弁は開／閉を表す。

【００２１】工程Ｎｏ．１は事前加熱、すなわち基板５
１搬入前の静電チャック１０事前加熱工程であり、加熱
用ヒータ１３のみ通電し、静電チャック１０と保持台２
０の間の熱伝達率を下げて加熱効率を高めるため、保持
台吸着ＯＦＦ、保持台側ガスＯＦＦとする。また、基板
５１搬入前なので、基板吸着ＯＦＦ、基板側ガスＯＦＦ
である。

【００２２】工程Ｎｏ．２は基板搬入、すなわちプロセ
スチャンバ５４内に基板５１を搬入し、静電チャック１
０に基板５１を静置する工程であり、ここでの各制御は
工程Ｎｏ．１と同じである。

【００２３】工程Ｎｏ．３は基板加熱１、すなわち静電
チャック１０の加熱用ヒータ１３からの熱による基板５
１の加熱工程であり、加熱ヒータＯＮのまま、基板吸着
ＯＮ、基板側ガスＯＮとし、加熱用ヒータ１３からの熱
が基板５１に十分伝わるようにし、かつ保持台吸着ＯＦ
Ｆ、保持台側ガスＯＦＦとし、保持台２０に加熱用ヒー
タ１３の熱が漏れ出さないようにする。

【００２４】工程Ｎｏ．４は基板加熱２、すなわち静電
チャック装置外部からのＲＦ高周波加熱による基板５１
の加熱工程であり、加熱ヒータＯＦＦとし、基板吸着、
基板側ガス、保持台吸着、保持台側ガスの各々は、基板
５１の温度によってＯＮ／ＯＦＦの制御を行い、所望の
基板温度に制御する。

【００２５】工程Ｎｏ．５は基板冷却、すなわち加熱に
よる基板５１加工プロセスを終了させ室温であるプロセ
スチャンバ５４外に基板５１を搬出するために基板５１
を冷却する工程であり、加熱ヒータＯＦＦとし、基板吸
着、基板側ガス、保持台吸着、保持台側ガスの各々は全
てＯＮとして基板５１の残存熱が速やかに保持台２０に
伝達するようにする。

【００２６】工程Ｎｏ．６は基板搬出工程であり、全て
をＯＦＦにして基板５１を搬出する。続いて、静電チャ
ック１０の基板接触側平面１１ｅ及び保持台接触側平面
１２ｅの熱伝達ガス封止構造について説明する。

【００２７】図６は基板５１、静電チャック１０及び保
持台２０の外周部の断面図である。静電チャック１０の
基板接触側平面１１ｅには基板−静電チャック熱伝達ガ
ス流路溝７１ａが、保持台接触側平面１２ｅには静電チ
ャック−保持台熱伝達ガス流路溝７１ｂが形成される
が、静電チャック１０外周にリング状にランド７２ａ、
７２ｂが設けられ、これにより熱伝達ガスのプロセスチ
ャンバ５４内への漏れ低減化を図る事ができる。

【００２８】図７は基板５１、静電チャック１０及び保
持台２０の貫通穴２１ａ、２１ｂ付近の断面図である。
静電チャック１０の保持台接触側平面１２ｅには静電チ
ャック−保持台ガス流路溝７１ｂが形成されるが、貫通
穴２１ａ、２１ｂの周辺部にリング状にランド７３が設
けられ、これにより熱伝達ガスの貫通穴２１ａ、２１ｂ
への漏れ低減化を図る事ができる。また、ここに漏れた
熱伝達ガスは、各電極棒間の短絡を起こす真空圧力に達
する前に、貫通穴２１ａ，２１ｂと静電チャック１０と
真空用電気導入端子３１ａ、３１ｂによって閉鎖された
真空端子空間から穴２１ｃ、２１ｄ、配管４１を通って
速やかに真空ポンプ６１により排出されるため、短絡を
起こす事はない。

【００２９】図８は基板５１、静電チャック１０及び保
持台２０の、静電チャック１０の貫通穴１４ａ、１４ｂ
及び保持台２０の貫通穴２４ａ、２４ｂ付近の断面図で
ある。基板−静電チャック熱伝達ガス圧力制御弁６５で
圧力制御された熱伝達ガスは配管４２、保持台２０の貫
通穴２４ａ，２４ｂ、静電チャック１０の貫通穴１４
ａ、１４ｂを通り基板−静電チャック熱伝達ガス流路溝
７１ａに導入されるが、静電チャック１０の貫通穴１４
ａ、１４ｂの保持台側端面周辺部にリング状にランド７
４が設けられ、これにより熱伝達ガスの静電チャック−
保持台熱伝達ガス流路溝７１ｂへの漏れ低減化を図る事
ができる。これにより、基板−静電チャック熱伝達ガス
圧力と静電チャック−保持台熱伝達ガス圧力との２系統
を各々独立して制御する事が可能となる。

【００３０】図９は基板５１、静電チャック１０及び保
持台２０の、保持台２０の貫通穴２６ａ、２６ｂ付近の
断面図である。静電チャック−保持台熱伝達ガス圧力制
御弁６７で圧力制御された熱伝達ガスは配管４４、保持
台２０の貫通穴２６ａ，２６ｂを通り静電チャック−保
持台熱伝達ガス流路溝７１ｂに導入される。

【００３１】図１０は基板５１、静電チャック１０及び
保持台２０の、静電チャック１０貫通穴１５及び保持台
２０の貫通穴２５付近の断面図である。基板温度測定装
置６９から出た測定子は、配管４３、保持台２０の貫通
穴２５、静電チャック１０の貫通穴１５を通り基板５１
に達し基板５１の温度を測定するが、静電チャック１０
の貫通穴１５の両端面周辺部にリング状にランド７５
ａ、７５ｂが設けられ、これにより基板−静電チャック
熱伝達ガス及び静電チャック−保持台熱伝達ガスの貫通
穴１５、２５への漏れ低減化を図る事ができる。

【００３２】

【発明の効果】本発明は上記構成により次の効果を発揮
する。本発明の静電チャック装置は、静電チャックと保
持台を機械的接合またはろう材接合以外の方法で接合で
き、かつ真空端子及び熱伝達ガスの漏れ低減化処置を施
してあるため、その接合圧力と、基板と静電チャック及
び静電チャックと保持台の２接触界面の熱伝達率を独立
して制御する事が可能なため、基板の加熱、冷却を速や
かに行う事ができ、エッチングやＣＶＤプロセス等、静
電チャック装置を用いるプロセスをスループット良く実
施する事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の静電チャックの一形態を示す概略断面
図である。

【図２】本発明の保持台の一形態を示す概略断面図であ
る。

【図３】本発明の電極部分の一形態を示す概略断面図で
ある。

【図４】本発明の保持台配管部の一形態を示す概略断面
図である。

【図５】本発明の静電チャック装置の一形態を示す概略
断面図である。

【図６】本発明の静電チャック装置の一形態の拡大部を
示す概略断面図である。

【図７】本発明の静電チャック装置の一形態の拡大部を
示す概略断面図である。

【図８】本発明の静電チャック装置の一形態の拡大部を
示す概略断面図である。

【図９】本発明の静電チャック装置の一形態の拡大部を
示す概略断面図である。

【図１０】本発明の静電チャック装置の一形態の拡大部
を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１０静電チャック１１ａ、１１ｂ内部電極１１ｃ、１１ｄ配線電極棒１１ｅ基板接触側平面１２ａ、１２ｂ内部電極１２ｃ、１２ｄ配線電極棒１２ｅ保持台接触側平面１３加熱用ヒータ１３ｃ、１３ｄ配線電極棒１４ａ、１４ｂ、１５貫通穴２０保持台２１ａ、２１ｂ貫通穴２１ｃ、２１ｄ穴２２静電チャック接触側平面２３大気側平面２４ａ、２４ｂ貫通穴２５貫通穴２６ａ、２６ｂ貫通穴２７ａ、２７ｂ冷媒出入口２７ｃ冷媒流路３１ａ、３１ｂ真空用電気導入端子３２ａ、３２ｂ電気入力端子３３ａ、３３ｂ電気入力端子３４ａ、３４ｂ電気入力端子３５ａ、３５ｂ電極ジャック３６ａ、３６ｂ電極ジャック３７ａ、３７ｂ電極ジャック４１配管４２配管４３配管４４配管４５ａ、４５ｂ配管５１基板５２台座５３絶縁用リング５４プロセスチャンバ５５排気口６１真空ポンプ６２基板吸着電源６３保持台吸着電源６４加熱用ヒータ電源６５基板−静電チャック熱伝達ガス
圧力制御弁６６基板温度測定装置６７静電チャック−保持台熱伝達ガ
ス圧力制御弁６８冷媒チラー６９基板温度制御装置７１ａ基板−静電チャック熱伝達ガス
流路溝７１ｂ静電チャック−保持台熱伝達ガ
ス流路溝７２ａ、７２ｂランド７３ランド７４ランド７５ａ、７５ｂランド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3C016 GA10 5F031 CA02 HA02 HA18 HA37 HA38 HA39 MA28 MA32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部電極を基板接触側平面の内部と保持
台接触側平面の内部とに有する静電チャックと、該静電
チャックを保持しかつ内部に冷媒を通す流路を有する保
持台と、該静電チャックの内部電極に通電する電極端子
と、その周囲を真空減圧可能な気密室で覆った真空端子
と、該真空端子内部を真空にする真空ポンプ及びその排
気パイプより成ることを特徴とする静電チャック装置。
【請求項２】前記静電チャックが保持台を静電力で吸
引する手段を有することを特徴とする請求項１記載の静
電チャック装置。
【請求項３】前記電極端子を着脱可能な構造としたこ
とを特徴とする請求項１または２記載の静電チャック装
置。
【請求項４】前記基板接触側平面と保持台接触側平面
に導通する１系統以上の熱伝達ガス流路を有することを
特徴とする請求項１〜３記載の静電チャック装置。
【請求項５】前記静電チャック内部に加熱ヒータを有
することを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の静電
チャック装置。
【請求項６】前記保持台内部に加熱ヒータを有するこ
とを特徴とする請求項１〜５いずれか記載の静電チャッ
ク装置。
【請求項７】前記基板接触側平面と保持台接触側平面
に導通する前記熱伝達ガス圧力を各々独立に制御できる
２系統以上のガス流路を有することを特徴とする請求項
１〜６いずれか記載の静電チャック装置。
【請求項８】前記基板接触側内部電極と保持台接触側
内部電極に印可する電圧を各々独立に制御する手段を有
することを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の静電
チャック装置。
【請求項９】前記静電チャックの基板接触側平面と保
持台接触側平面のいずれか一方または両方に凹部を設
け、基板と前記静電チャック間および前記静電チャック
と前記保持台間のいずれか一方または両方に前記ガスを
流入または排出させる際により早い時間で圧力均一化す
る手段を有することを特徴とする請求項１〜８いずれか
記載の静電チャック装置。
【請求項１０】前記基板温度を測定装置と、計測制御
用コンピュータと、前記熱伝達ガス圧力制御装置と、前
記内部電極印可電圧制御装置を有することを特徴とする
請求項１〜９いずれか記載の静電チャック装置。