JP2000114323A - 静電破壊試験装置 - Google Patents
静電破壊試験装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電破壊試験の手作業によるミスの低減やコ
ンピューター制御にした場合の各種プログラミング工数
の低減、装置のコンパクト化等を実現し、試験サンプル
を得るための工数の排除、さらには、試験サンプルの機
械的破損を防止し得る静電破壊試験装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハー１３を乗せるウェハース
テージ１２と、同軸ケーブル１５の一端（放電端子２
１）にプローブヘッド１４を接続し、他端（充電端子２
２）にスイッチ１６を介して直流電源１７を接続したプ
ローバを形成し、ウェハーステージ１２上の半導体ウェ
ハー１３とプローブヘッド１４が離れている時にスイッ
チ１６を閉じて直流電源１７により同軸ケーブルを１５
を充電し、その後ウェハーステージ１２とプローブヘッ
ド１４が接近する時スイッチ１６を開き、半導体ウェハ
ー１３上の素子とプローブヘッド１４の２本の針２３が
接触する時に同軸ケーブル１５から針２３を介して半導
体ウェハー１３上の素子へ放電するように構成する。
ンピューター制御にした場合の各種プログラミング工数
の低減、装置のコンパクト化等を実現し、試験サンプル
を得るための工数の排除、さらには、試験サンプルの機
械的破損を防止し得る静電破壊試験装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハー１３を乗せるウェハース
テージ１２と、同軸ケーブル１５の一端（放電端子２
１）にプローブヘッド１４を接続し、他端（充電端子２
２）にスイッチ１６を介して直流電源１７を接続したプ
ローバを形成し、ウェハーステージ１２上の半導体ウェ
ハー１３とプローブヘッド１４が離れている時にスイッ
チ１６を閉じて直流電源１７により同軸ケーブルを１５
を充電し、その後ウェハーステージ１２とプローブヘッ
ド１４が接近する時スイッチ１６を開き、半導体ウェハ
ー１３上の素子とプローブヘッド１４の２本の針２３が
接触する時に同軸ケーブル１５から針２３を介して半導
体ウェハー１３上の素子へ放電するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハーま
たは、半導体ウェハー上に形成された素子に静電気を加
えて行う静電破壊試験装置に関する。
たは、半導体ウェハー上に形成された素子に静電気を加
えて行う静電破壊試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセスにおける静電破壊試験
は、半導体製品の使用時において、その半導体製品が静
電気や電源サージに対して如何に耐え得るかを定量的に
行うものである。
は、半導体製品の使用時において、その半導体製品が静
電気や電源サージに対して如何に耐え得るかを定量的に
行うものである。
【０００３】従来の静電破壊試験装置の例を図３に示
す。本図において１は直流電源２とスイッチ３、４及び
コンデンサ５を具備する充放電回路を内蔵した静電破壊
試験機、６は試験サンプル７が着脱されるソケット、８
は静電破壊試験機１の外部接続用の端子、２８はソケッ
ト６と端子８を繋ぐ配線を示す。
す。本図において１は直流電源２とスイッチ３、４及び
コンデンサ５を具備する充放電回路を内蔵した静電破壊
試験機、６は試験サンプル７が着脱されるソケット、８
は静電破壊試験機１の外部接続用の端子、２８はソケッ
ト６と端子８を繋ぐ配線を示す。
【０００４】本図に示す通り、従来の静電破壊試験装置
は既にパッケージングされて完成したＩＣを試験サンプ
ル７としている。その試験方法について以下に説明す
る。
は既にパッケージングされて完成したＩＣを試験サンプ
ル７としている。その試験方法について以下に説明す
る。
【０００５】試験サンプル７をソケット６に取り付け
る。（このときスイッチ３、４は開） スイッチ４を閉にして、コンデンサ５を充電する。 充電完了後スイッチ４を開にする。 スイッチ３を閉にしてコンデンサ５に充電した静電気
（電荷）を試験サンプル７に放電する。 スイッチ３を開にする。 試験サンプルを取り外す。
る。（このときスイッチ３、４は開） スイッチ４を閉にして、コンデンサ５を充電する。 充電完了後スイッチ４を開にする。 スイッチ３を閉にしてコンデンサ５に充電した静電気
（電荷）を試験サンプル７に放電する。 スイッチ３を開にする。 試験サンプルを取り外す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
様な従来技術においては以下の問題があった。静電破壊
試験機１におけるスイッチ３、４の開閉操作は試験サン
プル７の着脱に関係して決められた手順でしかも独立し
て行う必要がある。そのような作業を手作業で行うと手
順の間違いによる試験ミスを起こす虞があるため、コン
ピューター制御で自動的に行う必要があった。そのため
スイッチのタイミング設定プログラムと、各機器を制御
するインタフェースプログラムが必要で、これらの作成
に工数が掛かり、また、装置自体が大型で高価なものと
なってしまっていた。
様な従来技術においては以下の問題があった。静電破壊
試験機１におけるスイッチ３、４の開閉操作は試験サン
プル７の着脱に関係して決められた手順でしかも独立し
て行う必要がある。そのような作業を手作業で行うと手
順の間違いによる試験ミスを起こす虞があるため、コン
ピューター制御で自動的に行う必要があった。そのため
スイッチのタイミング設定プログラムと、各機器を制御
するインタフェースプログラムが必要で、これらの作成
に工数が掛かり、また、装置自体が大型で高価なものと
なってしまっていた。
【０００７】また、試験サンプルを得るためには、通
常、半導体チップをダイシングした後、アセンブリ等の
組立工程後、半導体チップがパッケージに入った状態に
するため多大な工数が掛かっていた。
常、半導体チップをダイシングした後、アセンブリ等の
組立工程後、半導体チップがパッケージに入った状態に
するため多大な工数が掛かっていた。
【０００８】さらに、試験サンプル７のリードをソケッ
ト６へ差し込む作業を手作業によって行うため、試験サ
ンプル７のリード曲がりや折れ、逆差し等が発生する虞
がある。そのため試験サンプル７のソケット６への抜き
差しを自動化しようとしても、そのようなハンドリング
機構を備えた自動機は高価であって、逆にコストアップ
となってしまう。
ト６へ差し込む作業を手作業によって行うため、試験サ
ンプル７のリード曲がりや折れ、逆差し等が発生する虞
がある。そのため試験サンプル７のソケット６への抜き
差しを自動化しようとしても、そのようなハンドリング
機構を備えた自動機は高価であって、逆にコストアップ
となってしまう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明は、半導体ウェハーを載置固定するウェハス
テージと、２本の針を有するプローブヘッドと、該プロ
ーブヘッドまたは前記ウェハーステージを昇降させ前記
２本の針と前記半導体ウェハーの素子を接触または離間
させる上下動機構と、前記２本の針と前記素子の離間時
毎に前記ウェハーステージまたは前記プローブヘッドを
水平移動し、前記２つの針を任意の素子の給電端子に対
向させる水平移動機構と、スイッチ、直流電源及び蓄電
器が直列接続され該蓄電器の両端にそれぞれ前記２つの
針が１つづつ接続されてなり、前記２つの針と前記素子
の離間時に前記スイッチが閉となり前記蓄電器を充電
し、前記２つの針と前記素子の接触時に前記スイッチが
開となり前記蓄電器から該２つの針を介して該素子に放
電する充放電回路とからなる静電破壊試験装置であっ
て、前記蓄電器は同軸ケーブルからなり、中心導体及び
外部導体で前記２本の針のそれぞれと前記スイッチ及び
前記直流電源を電気的に接続していることを特徴とす
る。
め、本発明は、半導体ウェハーを載置固定するウェハス
テージと、２本の針を有するプローブヘッドと、該プロ
ーブヘッドまたは前記ウェハーステージを昇降させ前記
２本の針と前記半導体ウェハーの素子を接触または離間
させる上下動機構と、前記２本の針と前記素子の離間時
毎に前記ウェハーステージまたは前記プローブヘッドを
水平移動し、前記２つの針を任意の素子の給電端子に対
向させる水平移動機構と、スイッチ、直流電源及び蓄電
器が直列接続され該蓄電器の両端にそれぞれ前記２つの
針が１つづつ接続されてなり、前記２つの針と前記素子
の離間時に前記スイッチが閉となり前記蓄電器を充電
し、前記２つの針と前記素子の接触時に前記スイッチが
開となり前記蓄電器から該２つの針を介して該素子に放
電する充放電回路とからなる静電破壊試験装置であっ
て、前記蓄電器は同軸ケーブルからなり、中心導体及び
外部導体で前記２本の針のそれぞれと前記スイッチ及び
前記直流電源を電気的に接続していることを特徴とす
る。
【００１０】なお、前記上下動機構は所定箇所に回動自
在に軸支されたカムと、該カムのカム曲線上を摺動する
カムフォロアを具備し、前記カムフォロアは前記ウェハ
ーステージまたは前記プローブヘッドに設けられている
かまたは前記ウェハーステージまたは前記プローブヘッ
ドの一部からなる構成として好適である。
在に軸支されたカムと、該カムのカム曲線上を摺動する
カムフォロアを具備し、前記カムフォロアは前記ウェハ
ーステージまたは前記プローブヘッドに設けられている
かまたは前記ウェハーステージまたは前記プローブヘッ
ドの一部からなる構成として好適である。
【００１１】
【作用】このように構成することにより、静電破壊試験
が以下のような作業者による独立したスイッチ操作を必
要としない一連の作業になる。 半導体ウェハー上に形成された素子（ウェハーステー
ジ）と２本の針（プローブヘッド）を離間して半導体ウ
ェハー上の次の被検査素子を選定している間、これに連
係して自動的にスイッチが閉じて同軸ケーブルが充電さ
れる。 ウェハーステージとプローブヘッドが近づく時にスイ
ッチは自動的に開となる ウェハーステージとプローブヘッドが最も接近して素
子と２本の針が接触する時、同軸ケーブルに充電した静
電気が自動的に素子に加わる。
が以下のような作業者による独立したスイッチ操作を必
要としない一連の作業になる。 半導体ウェハー上に形成された素子（ウェハーステー
ジ）と２本の針（プローブヘッド）を離間して半導体ウ
ェハー上の次の被検査素子を選定している間、これに連
係して自動的にスイッチが閉じて同軸ケーブルが充電さ
れる。 ウェハーステージとプローブヘッドが近づく時にスイ
ッチは自動的に開となる ウェハーステージとプローブヘッドが最も接近して素
子と２本の針が接触する時、同軸ケーブルに充電した静
電気が自動的に素子に加わる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態を示す
図であり、本図において１２はウェハーステージ、１３
は半導体ウェハー（表面には通常正確な繰返しパターン
を有する素子が形成されている）、１４はプローブヘッ
ド、１５は同軸ケーブル、破線で囲んだ１６はスイッ
チ、１７は直流電源、１８はカム、１９は導電板、２０
は接点、２１は放電端子、２２は充電端子、２３は針、
２４はバネ、２５、２６はカムフォロアを示す。
図であり、本図において１２はウェハーステージ、１３
は半導体ウェハー（表面には通常正確な繰返しパターン
を有する素子が形成されている）、１４はプローブヘッ
ド、１５は同軸ケーブル、破線で囲んだ１６はスイッ
チ、１７は直流電源、１８はカム、１９は導電板、２０
は接点、２１は放電端子、２２は充電端子、２３は針、
２４はバネ、２５、２６はカムフォロアを示す。
【００１３】本図に示すように、同軸ケーブル１５の一
端２２は充電端子であり、ここからスイッチ１６を介し
て直流電源１７に接続する。他端は放電端子２１となっ
ており、ここからプローブヘッド１４を介して針２３へ
正電荷を伝え、半導体ウェハー１３上の素子へ放電させ
る。以下に図の理解のため、動作の説明をする。
端２２は充電端子であり、ここからスイッチ１６を介し
て直流電源１７に接続する。他端は放電端子２１となっ
ており、ここからプローブヘッド１４を介して針２３へ
正電荷を伝え、半導体ウェハー１３上の素子へ放電させ
る。以下に図の理解のため、動作の説明をする。
【００１４】ウェハーステージ１２を最も下げ、この
上に半導体ウェハー１３を乗せる。ウェハーステージ１
２を最下位にするには、カム１８の回動量を調節すれば
良い。ウェハーステージ１２が最下位になるように、カ
ム１８を回動させ停止すると、スイッチ１６の導電板１
９が下がり接点２０が接触してスイッチ閉となる。
上に半導体ウェハー１３を乗せる。ウェハーステージ１
２を最下位にするには、カム１８の回動量を調節すれば
良い。ウェハーステージ１２が最下位になるように、カ
ム１８を回動させ停止すると、スイッチ１６の導電板１
９が下がり接点２０が接触してスイッチ閉となる。
【００１５】スイッチ１６が閉じると直流電源１７と
同軸ケーブル１５が導通して充電が行われる。
同軸ケーブル１５が導通して充電が行われる。
【００１６】ウェハーステージ１２が下がっている状
態で、ウェハーステージ１２を水平に移動して半導体ウ
ェハー１３上のいずれかの素子を選定し、該素子に設け
られている給電端子の真上に針２３を移動し、対向配置
する。例えば、図示しないがウェハーステージ１２は２
個のサーボモータの回転角運動を水平面のＸ、Ｙ軸方向
の直進運動に変換できるマニピュレータ機構上に設置さ
れている。ウェハーステージ１２が下がっている時間、
充電が行われるが、充電は素子を選定するのに要する時
間（通常１０-3〜１０-0秒）に比べてはるかに短時間で
飽和・完了するよう、時定数を設定する。なお、飽和さ
せた後の充電量はウェハーステージ１２が下がっている
時間に依存しない。
態で、ウェハーステージ１２を水平に移動して半導体ウ
ェハー１３上のいずれかの素子を選定し、該素子に設け
られている給電端子の真上に針２３を移動し、対向配置
する。例えば、図示しないがウェハーステージ１２は２
個のサーボモータの回転角運動を水平面のＸ、Ｙ軸方向
の直進運動に変換できるマニピュレータ機構上に設置さ
れている。ウェハーステージ１２が下がっている時間、
充電が行われるが、充電は素子を選定するのに要する時
間（通常１０-3〜１０-0秒）に比べてはるかに短時間で
飽和・完了するよう、時定数を設定する。なお、飽和さ
せた後の充電量はウェハーステージ１２が下がっている
時間に依存しない。
【００１７】ウェハーステージ１２を上げてプローブ
ヘッド１４と半導体ウェハー１３を近づける。実施例の
場合にはカム１８の回動によりステージ１２が上昇す
る。このときスイッチ１６において、バネ２４の作用で
導電板１９が上がり、接点２０は断たれ、スイッチ開と
なる。
ヘッド１４と半導体ウェハー１３を近づける。実施例の
場合にはカム１８の回動によりステージ１２が上昇す
る。このときスイッチ１６において、バネ２４の作用で
導電板１９が上がり、接点２０は断たれ、スイッチ開と
なる。
【００１８】更にステージ１２を上げてプローブヘッ
ド１４に最も近づけた時半導体ウェハー１３がプローブ
ヘッド１４と接触（具体的には針２３が素子の給電端子
と接触）して、同軸ケーブル１５に充電された静電気が
放電端子２１とプローブヘッド１４を介して流れ半導体
ウェハー１３への放電が起こる。なお、針２３は、通常
の試験で与えられる１０-4Ｊ程度の破壊エネルギーに十
分耐えられるものでなければならず、例えば通常のウェ
ハープロセスで使用するＤＣ測定用プローブ等を採用す
る。
ド１４に最も近づけた時半導体ウェハー１３がプローブ
ヘッド１４と接触（具体的には針２３が素子の給電端子
と接触）して、同軸ケーブル１５に充電された静電気が
放電端子２１とプローブヘッド１４を介して流れ半導体
ウェハー１３への放電が起こる。なお、針２３は、通常
の試験で与えられる１０-4Ｊ程度の破壊エネルギーに十
分耐えられるものでなければならず、例えば通常のウェ
ハープロセスで使用するＤＣ測定用プローブ等を採用す
る。
【００１９】素子の静電破壊強度を評価する場合には
この時点で、放電端子２１または充電端子２２に別途測
定器（図示せず）を接続すれば良い。評価終了後測定器
を取り外す。
この時点で、放電端子２１または充電端子２２に別途測
定器（図示せず）を接続すれば良い。評価終了後測定器
を取り外す。
【００２０】普通引き続き同一半導体ウェハー１３上
の別の素子に対して静電破壊試験を行うが、この場合に
はウェハーステージ１２を最も下げてに戻り操作を続
ける。更に、別の半導体ウェハーに対して静電破壊試験
を行う場合は、ウェハーステージ１２を下げて半導体ウ
ェハー１３を交換してに戻り、操作を続ける。
の別の素子に対して静電破壊試験を行うが、この場合に
はウェハーステージ１２を最も下げてに戻り操作を続
ける。更に、別の半導体ウェハーに対して静電破壊試験
を行う場合は、ウェハーステージ１２を下げて半導体ウ
ェハー１３を交換してに戻り、操作を続ける。
【００２１】このような構成なので、スイッチ１６が上
下運動するウェハーステージ１２と連動していることに
より、操作の表面上は、半導体ウェハーの所望の素子を
選定してプローブヘッド１４を接触させるというプロー
ビング操作だけであるが、その背後ではウェハーステー
ジが最も下がった時に自動的にスイッチ１６が閉じて同
軸ケーブルを充電し、ウェハーステージ１２が上昇する
時自動的にスイッチを開き、プローブヘッド１４が半導
体ウェハー１３に接触する時スイッチ操作無しに自動的
に静電気を放電するという動作が行われる。
下運動するウェハーステージ１２と連動していることに
より、操作の表面上は、半導体ウェハーの所望の素子を
選定してプローブヘッド１４を接触させるというプロー
ビング操作だけであるが、その背後ではウェハーステー
ジが最も下がった時に自動的にスイッチ１６が閉じて同
軸ケーブルを充電し、ウェハーステージ１２が上昇する
時自動的にスイッチを開き、プローブヘッド１４が半導
体ウェハー１３に接触する時スイッチ操作無しに自動的
に静電気を放電するという動作が行われる。
【００２２】また、蓄電器を同軸ケーブルとしているた
め、いわゆるコンデンサ等の容量素子と伝送線（配線）
の両方の機能（効果）を１つのパーツで構成することが
でき、空間的に場所を取らない。その上、同軸ケーブル
は機械的にフレシキブルに動かせる為にプローブヘッド
に接続しても運動動作上問題無い。
め、いわゆるコンデンサ等の容量素子と伝送線（配線）
の両方の機能（効果）を１つのパーツで構成することが
でき、空間的に場所を取らない。その上、同軸ケーブル
は機械的にフレシキブルに動かせる為にプローブヘッド
に接続しても運動動作上問題無い。
【００２３】図２は本発明の他の実施の形態である。本
図において図１と等価なものには図１の符号に０を付し
た符号で示し、２７０はカムフォロアを示している。こ
の場合上下運動するのはプローブヘッド１４０側である
が、基本的構成要素と操作は、図１の場合と同じであ
る。以下動作の説明を図２にて行う。
図において図１と等価なものには図１の符号に０を付し
た符号で示し、２７０はカムフォロアを示している。こ
の場合上下運動するのはプローブヘッド１４０側である
が、基本的構成要素と操作は、図１の場合と同じであ
る。以下動作の説明を図２にて行う。
【００２４】プローブヘッド１４０を最も上げてウェ
ハーステージ１２０の上に半導体ウェハー１３０を乗せ
る。プローブヘッド１４０を最上位にするには、カム１
８０を回動して調節すれば良い。この時スイッチ１６０
の導電板１９０が上がり、接点２００と接触してスイッ
チ閉となる。
ハーステージ１２０の上に半導体ウェハー１３０を乗せ
る。プローブヘッド１４０を最上位にするには、カム１
８０を回動して調節すれば良い。この時スイッチ１６０
の導電板１９０が上がり、接点２００と接触してスイッ
チ閉となる。
【００２５】スイッチ１６０が閉じると直流電源１７
０と同軸ケーブル１５０が導通して充電が行われる。
０と同軸ケーブル１５０が導通して充電が行われる。
【００２６】プローブヘッド１４０が上がった状態で
プローブヘッド１４０を水平に移動して半導体ウェハー
１３０上のいずれかの素子を選定し、該素子の真上に針
２３０を配置する。この際の水平移動機構も図１に示し
た実施の形態と同様の機構を採用できる。本実施の形態
の場合もプローブヘッド１４０が上がっている時充電が
行われるが、前述と同様にその充電量はプローブヘッド
１４０が上がっている時間に依存しない。
プローブヘッド１４０を水平に移動して半導体ウェハー
１３０上のいずれかの素子を選定し、該素子の真上に針
２３０を配置する。この際の水平移動機構も図１に示し
た実施の形態と同様の機構を採用できる。本実施の形態
の場合もプローブヘッド１４０が上がっている時充電が
行われるが、前述と同様にその充電量はプローブヘッド
１４０が上がっている時間に依存しない。
【００２７】プローブヘッド１４０を下げて、ウェハ
ーステージ１２０上の半導体ウェハー１３０に近づけ
る。実施例の場合にはカム１８の回動によりプローブヘ
ッド１４０が下降するが、この時スイッチ１６０におい
てはバネ２４０の作用で導電板１９０が下がり、接点２
００は断たれ、スイッチ開となる。
ーステージ１２０上の半導体ウェハー１３０に近づけ
る。実施例の場合にはカム１８の回動によりプローブヘ
ッド１４０が下降するが、この時スイッチ１６０におい
てはバネ２４０の作用で導電板１９０が下がり、接点２
００は断たれ、スイッチ開となる。
【００２８】更にプローブヘッド１４０を下げて、ウ
ェハーステージ１２０に最も近づいたとき半導体ウェハ
ー１３０がプローブヘッド１４０と接触（具体的には針
２３０が素子の給電端子と接触）して同軸ケーブル１５
０に充電された静電気が放電端子２１０とプローブヘッ
ド１４０を介して素子に向かって流れ放電する。
ェハーステージ１２０に最も近づいたとき半導体ウェハ
ー１３０がプローブヘッド１４０と接触（具体的には針
２３０が素子の給電端子と接触）して同軸ケーブル１５
０に充電された静電気が放電端子２１０とプローブヘッ
ド１４０を介して素子に向かって流れ放電する。
【００２９】素子の静電破壊強度を確認する場合に
は、この時点で放電端子２１０または充電端子２２０に
別途定器（図示せず）を接続して特性評価する。評価終
了後接続をはずす。
は、この時点で放電端子２１０または充電端子２２０に
別途定器（図示せず）を接続して特性評価する。評価終
了後接続をはずす。
【００３０】引き続き同一半導体ウェハー１３０上の
別の素子に対して同試験を行う場合には、プローブヘッ
ド１４０を上げてに戻り動作を続ける。別の半導体ウ
ェハーに対して同試験を行う場合は、プローブヘッド１
４０を上げて半導体ウェハー１３０を交換してに戻り
動作を続ける。
別の素子に対して同試験を行う場合には、プローブヘッ
ド１４０を上げてに戻り動作を続ける。別の半導体ウ
ェハーに対して同試験を行う場合は、プローブヘッド１
４０を上げて半導体ウェハー１３０を交換してに戻り
動作を続ける。
【００３１】このような構成であるため、スイッチ１６
０が上下するプローブヘッド１４０と連動していること
により、操作の表面上は半導体ウェハーの所望の素子を
選定してプローブヘッド１４０を接触させるというプロ
ービング操作だけであるが、その背後ではプローブヘッ
ド１４０が最も上がった時に自動的にスイッチ１６０が
閉じて同軸ケーブルを充電し、プローブヘッド１４０が
下降する時に自動的にスイッチ１６０を開き、プローブ
ヘッド１４０が半導体ウェハー１３０に接触する時にス
イッチ操作無しに静電気を放電するといった動作が行わ
れる。
０が上下するプローブヘッド１４０と連動していること
により、操作の表面上は半導体ウェハーの所望の素子を
選定してプローブヘッド１４０を接触させるというプロ
ービング操作だけであるが、その背後ではプローブヘッ
ド１４０が最も上がった時に自動的にスイッチ１６０が
閉じて同軸ケーブルを充電し、プローブヘッド１４０が
下降する時に自動的にスイッチ１６０を開き、プローブ
ヘッド１４０が半導体ウェハー１３０に接触する時にス
イッチ操作無しに静電気を放電するといった動作が行わ
れる。
【００３２】なお、図１及び図２の実施の形態におい
て、カムを回動するのは手動でも、電動モーター等の機
械的動力によっても可能である。
て、カムを回動するのは手動でも、電動モーター等の機
械的動力によっても可能である。
【００３３】以上、発明の実施の形態について述べた
が、本発明はこれに限らず種々の変更が可能である。例
えば上記実施の形態ではカムを利用してウェハステージ
を上下動させたが、カムの代わりにクランク、油圧、高
圧ガス等の系が使える。但し、カムによればそのカム曲
線の設定により適度なディレイ（スイッチの開閉のタイ
ミングと針と素子の接触のタイミングのディレイ動作）
を容易に実現できる。
が、本発明はこれに限らず種々の変更が可能である。例
えば上記実施の形態ではカムを利用してウェハステージ
を上下動させたが、カムの代わりにクランク、油圧、高
圧ガス等の系が使える。但し、カムによればそのカム曲
線の設定により適度なディレイ（スイッチの開閉のタイ
ミングと針と素子の接触のタイミングのディレイ動作）
を容易に実現できる。
【００３４】また、スイッチを導電板と接点から構成し
たが、通常市販されているノーマリオフタイプの機械的
スイッチ等他のスイッチを使用することもでき、また、
スイッチの駆動力はカムから直接得ること無く、ウェハ
ーステージ等の他の移動部品から得る事も出来る。
たが、通常市販されているノーマリオフタイプの機械的
スイッチ等他のスイッチを使用することもでき、また、
スイッチの駆動力はカムから直接得ること無く、ウェハ
ーステージ等の他の移動部品から得る事も出来る。
【００３５】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、スイッチがウェハーステージとプローブヘッドの相
対運動に連動して開閉することにより、半導体ウェハー
の所望の素子を選定してプローブヘッドを接触させると
いう操作の間、自動的にスイッチが閉じて同軸ケーブル
を充電し、プローブヘッドが半導体ウェハーに接近し、
その２本の針と素子の給電端子が接触する時にはスイッ
チが自動的に開いて、自動的に（スイッチ操作無しに）
静電気を放電することが可能となる。
ば、スイッチがウェハーステージとプローブヘッドの相
対運動に連動して開閉することにより、半導体ウェハー
の所望の素子を選定してプローブヘッドを接触させると
いう操作の間、自動的にスイッチが閉じて同軸ケーブル
を充電し、プローブヘッドが半導体ウェハーに接近し、
その２本の針と素子の給電端子が接触する時にはスイッ
チが自動的に開いて、自動的に（スイッチ操作無しに）
静電気を放電することが可能となる。
【００３６】また、蓄電器を同軸ケーブルとしているた
め、コンデンサ等の容量素子と伝送線（配線）の両方の
機能（効果）を１つのパーツで構成することができ、空
間的に場所を取らない。その上、同軸ケーブルは機械的
にフレシキブルに動かせる為にウェハーステージやプロ
ーブヘッドに接続してもそれらの運動動作による損傷が
無く、高信頼性の静電破壊試験装置を安価に提供でき
る。
め、コンデンサ等の容量素子と伝送線（配線）の両方の
機能（効果）を１つのパーツで構成することができ、空
間的に場所を取らない。その上、同軸ケーブルは機械的
にフレシキブルに動かせる為にウェハーステージやプロ
ーブヘッドに接続してもそれらの運動動作による損傷が
無く、高信頼性の静電破壊試験装置を安価に提供でき
る。
【図１】従来の静電破壊試験装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態を示す図である。
【図３】本発明の他の実施の形態を示す図である。
１ 静電破壊試験機 ２ 直流電源 ３、４ スイッチ ５ コンデンサ ６ ソケット ７ 試験サンプル ８ 端子 １２、１２０ ウェハーステージ １３、１３０ 半導体ウェハー １４、１４０ プローブヘッド １５、１５０ 同軸ケーブル １６、１６０ スイッチ １７、１７０ 直流電源 １８、１８０ カム １９、１９０ 導電板 ２０、２００ 接点 ２１、２１０ 放電端子 ２２、２２０ 充電端子 ２３、２３０ 針 ２４、２４０ バネ ２５、２６、２７０ カムフォロア
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハーを載置固定するウェハス
テージと、２本の針を有するプローブヘッドと、該プロ
ーブヘッドまたは前記ウェハーステージを昇降させ前記
２本の針と前記半導体ウェハーの素子を接触または離間
させる上下動機構と、前記２本の針と前記素子の離間時
毎に前記ウェハーステージまたは前記プローブヘッドを
水平移動し、前記２つの針を任意の素子の給電端子に対
向させる水平移動機構と、スイッチ、直流電源及び蓄電
器が直列接続され該蓄電器の両端にそれぞれ前記２つの
針が１つづつ接続されてなり、前記２つの針と前記素子
の離間時に前記スイッチが閉となり前記蓄電器を充電
し、前記２つの針と前記素子の接触時に前記スイッチが
開となり前記蓄電器から該２つの針を介して該素子に放
電する充放電回路とからなる静電破壊試験装置であっ
て、 前記蓄電器は同軸ケーブルからなり、中心導体及び外部
導体で前記２本の針のそれぞれと前記スイッチ及び前記
直流電源を電気的に接続していることを特徴とする静電
破壊試験装置。 - 【請求項２】 前記上下動機構は所定箇所に回動自在に
軸支されたカムと、該カムのカム曲線上を摺動するカム
フォロアを具備し、前記カムフォロアは前記ウェハース
テージまたは前記プローブヘッドに設けられているかま
たは前記ウェハーステージまたは前記プローブヘッドの
一部からなることを特徴とする請求項１に記載の静電破
壊試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276838A JP2000114323A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 静電破壊試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276838A JP2000114323A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 静電破壊試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114323A true JP2000114323A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17575118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276838A Pending JP2000114323A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 静電破壊試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114323A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311009A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Kokusai Electric Alhpa Co Ltd | 半導体ウェーハ抵抗率測定装置 |
| CN102759688A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 夏普株式会社 | 高电压检查装置 |
| JP2012230089A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Sharp Corp | 高電圧検査装置 |
| JP2012230090A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Sharp Corp | 高電圧検査装置 |
| JP2012230088A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Sharp Corp | 高電圧検査装置 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP10276838A patent/JP2000114323A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311009A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Kokusai Electric Alhpa Co Ltd | 半導体ウェーハ抵抗率測定装置 |
| CN102759688A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 夏普株式会社 | 高电压检查装置 |
| JP2012230089A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Sharp Corp | 高電圧検査装置 |
| JP2012230090A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Sharp Corp | 高電圧検査装置 |
| JP2012230088A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Sharp Corp | 高電圧検査装置 |
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