JP2000111925A - Liquid crystal cell and its manufacture - Google Patents

Liquid crystal cell and its manufacture

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JP2000111925A
JP2000111925A JP28674198A JP28674198A JP2000111925A JP 2000111925 A JP2000111925 A JP 2000111925A JP 28674198 A JP28674198 A JP 28674198A JP 28674198 A JP28674198 A JP 28674198A JP 2000111925 A JP2000111925 A JP 2000111925A
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JP
Japan
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height
partition
liquid crystal
electrode substrates
substrate
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JP28674198A
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Japanese (ja)
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Naoki Ueda
直樹 植田
Shingo Inoue
真吾 井上
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To optimize a gap between both electrode substrates by once forming respective partitions on an inside surface of one of the electrode substrate, reducing and adjusting a height of at least one partition. SOLUTION: Heights of respective partitions, formed in a partition forming step S7, are measured in a height measuring step S81. Next, in an organic solvent treatment step S82, IPA(isopropyl alcohol) is kept at a temperature of treatment T to adjust heights of respective partitions to a desired height and an electrode substrate on which partitions is previously formed is immersed in the IPA for a treatment time(t) and washed. After the treatment in the organic solvent treatment step S82 and a succeeding washing and drying step S83, heights of respective partitions are measured in a height measuring step S84. Thereby it is confirmed that the heights of respective partitions are reduced to a desired height.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、両電極基板間に複
数条の樹脂製隔壁を介装してなる液晶セル及びその製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal cell having a plurality of resin partitions interposed between both electrode substrates and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、この種の液晶セルとしては、例え
ば、特開平7−318912号公報にて示すような隔壁
構造の液晶セルがある。この液晶セルの製造にあたり、
その隔壁構造は次のようにして形成される。即ち、両電
極基板の一方の配向膜の内表面に、感光性樹脂材料、例
えば、フォトレジスト材料を塗布して仮焼成すること
で、レジスト膜として形成する。ついで、このレジスト
膜に所定パターンのマスクを施し、当該レジスト膜をフ
ォトリソグラフィ法によりパターニング処理すること
で、当該レジスト膜のうち不要な部分を除去し、複数条
の隔壁を一方の配向膜の内表面に形成する。
2. Description of the Related Art In recent years, as this type of liquid crystal cell, for example, there is a liquid crystal cell having a partition structure as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-318912. In producing this liquid crystal cell,
The partition structure is formed as follows. That is, a photosensitive resin material, for example, a photoresist material is applied to the inner surface of one of the alignment films of both electrode substrates, and preliminarily baked to form a resist film. Next, by applying a mask of a predetermined pattern to the resist film and patterning the resist film by photolithography, unnecessary portions of the resist film are removed, and a plurality of partition walls are formed in one of the alignment films. Form on the surface.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記液晶セ
ルにおいては、上述のような隔壁構造を採用することに
より、各隔壁の高さでもって両電極基板の間隔を一定に
保つことができる。ここで、これら各隔壁は、特開平7
−318912号公報にて示されるように、一般的に
は、スピンコート等により両電極基板間でほぼ均一な高
さにすることを意図して形成されるものの、この形成に
あたり塗布する材料の組成、粘度やスピンの条件の変動
等に起因して、各隔壁の高さの絶対値が変動し必ずしも
一定にはなりにくい。
By the way, in the above-mentioned liquid crystal cell, by adopting the above-mentioned partition structure, the distance between the two electrode substrates can be kept constant by the height of each partition. Here, each of these partitions is described in
As described in JP-A-318912, generally, although it is formed with the intention of achieving a substantially uniform height between both electrode substrates by spin coating or the like, the composition of a material applied in this formation The absolute value of the height of each partition fluctuates due to fluctuations in viscosity, spin conditions, and the like, and is not always constant.

【0004】従って、このような状態にて、両電極基板
を各隔壁を介し重ね合わせると、両電極基板の間隔が所
望の値にならない場合が発生し、液晶セルの製造におけ
る歩留りが低下する。一方、両電極基板の間隔は液晶セ
ルの透過率や色度等に基づき所定の値に設計されるが、
この両電極基板の間隔には、必ずしも、絶対的な最適値
が存在するわけではなく、液晶セルのバックライト等と
の関係、使用環境や使用目的等によって変動し得るもの
である。
[0004] Therefore, when the two electrode substrates are overlapped with each other through the partition in such a state, the interval between the two electrode substrates may not be a desired value, and the yield in manufacturing the liquid crystal cell is reduced. On the other hand, the interval between the two electrode substrates is designed to a predetermined value based on the transmittance, chromaticity, etc. of the liquid crystal cell,
The distance between the two electrode substrates does not always have an absolute optimum value, and may vary depending on the relationship with the backlight of the liquid crystal cell, the use environment, the purpose of use, and the like.

【0005】また、液晶セルの表示特性上、両電極基板
の間隔を部分的に変えようとしても、スピンコート等に
よる塗布でもって塗布膜を形成する場合、塗布膜の膜厚
がほぼ一定となるため、塗布段階で隔壁の高さを変える
ことは困難である。そこで、本発明は、以上のようなこ
とに対処するため、電極基板の内表面に、一度、複数条
の隔壁を形成した上で、その少なくとも一つの隔壁の高
さを減少調整することで、両電極基板の間隔を適正にす
るようにした液晶セル及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
In view of the display characteristics of the liquid crystal cell, even if the distance between the two electrode substrates is partially changed, when the coating film is formed by spin coating or the like, the thickness of the coating film becomes substantially constant. Therefore, it is difficult to change the height of the partition walls in the application step. Therefore, the present invention, in order to deal with the above, on the inner surface of the electrode substrate, once formed a plurality of barrier ribs, by reducing the height of at least one of the barrier ribs, It is an object of the present invention to provide a liquid crystal cell in which a distance between both electrode substrates is made appropriate and a method for manufacturing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題の解決にあた
り、請求項1、2に記載の発明によれば、両電極基板
(10、10A、20)の一方の電極基板の内表面(2
5)に樹脂材料でもって複数条の隔壁(40b、90)
をパターニング形成する隔壁形成工程(S7)と、この
隔壁形成工程後、複数条の隔壁のうち少なくともその一
つの隔壁の高さを有機溶剤により減少させるように調整
する高さ調整工程(S8、S81、S82)と、この高
さ調整工程後、両電極基板を複数の隔壁を介して対向さ
せるように重ね合わせる重ね合わせ工程(S11)と、
この重ね合わせ工程後、両電極基板間に液晶(30)を
封入する液晶封入工程(S13)とを備える液晶セルの
製造方法が提供される。
In order to solve the above problems, according to the first and second aspects of the present invention, the inner surface (2) of one of the two electrode substrates (10, 10A, 20) is provided.
5) A plurality of partition walls (40b, 90) made of a resin material
Forming step (S7) for patterning and forming, and after this forming step, a height adjusting step (S8, S81) of adjusting at least one of the plurality of partitions so that the height of the partition is reduced by an organic solvent. , S82), and after the height adjusting step, a superposing step (S11) of superposing the two electrode substrates so as to face each other via a plurality of partition walls;
After this overlapping step, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal cell including a liquid crystal sealing step (S13) of sealing a liquid crystal (30) between both electrode substrates.

【0007】このように、隔壁形成工程後、複数条の隔
壁のうち少なくともその一つの隔壁の高さを有機溶剤に
より減少させるように調整するので、両電極基板の間隔
を適正に確保できる。この場合、例えば、隔壁形成工程
で形成した各隔壁の高さにばらつきがあっても、各隔壁
の高さを有機溶剤により均一にするように減少調整すれ
ば、両電極基板の間隔を一様に均一にし得る。
As described above, since the height of at least one of the plurality of partition walls is adjusted to be reduced by the organic solvent after the partition wall forming step, the interval between the two electrode substrates can be properly secured. In this case, for example, even if there is variation in the height of each partition formed in the partition formation step, if the height of each partition is reduced and adjusted so as to be uniform with an organic solvent, the distance between the two electrode substrates is uniform. To be uniform.

【0008】また、両電極基板の間隔が、両電極基板の
少なくとも一方の形状に起因して、部分的に相違する場
合でも、このような間隔の相違に合致するように各隔壁
の高さを有機溶剤により減少調整すれば、両電極基板の
間隔が部分的に異なる液晶セルの提供が可能となる。こ
こで、請求項2に記載の発明によれば、高さ調整工程に
おいては、隔壁形成工程で形成した各隔壁の高さを測定
する高さ測定工程(S81)を備えて、有機溶剤の処理
温度をパラメータとして予め定めた隔壁の高さの減少量
とその処理時間との関係に基づき、高さ測定工程で測定
した高さに応じて処理温度及び処理時間を選定し、この
選定処理温度に維持した有機溶剤でもって選定処理時間
の間隔壁の高さを減少させるように調整する。
Further, even when the distance between the two electrode substrates is partially different due to the shape of at least one of the two electrode substrates, the height of each partition is adjusted to match such a difference in the distance. If the reduction is adjusted with an organic solvent, it is possible to provide a liquid crystal cell in which the distance between the two electrode substrates is partially different. Here, according to the second aspect of the invention, the height adjusting step includes a height measuring step (S81) of measuring the height of each partition formed in the partition forming step, and treating the organic solvent. Based on the relationship between the predetermined amount of decrease in the height of the partition walls as a parameter and the processing time, a processing temperature and a processing time are selected in accordance with the height measured in the height measuring step. Adjust with the maintained organic solvent to reduce the height of the partition walls for the selected treatment time.

【0009】これによって、請求項1に記載の発明の作
用効果をより一層適正に達成できる。また、請求項3に
記載の発明によれば、液晶セルは、互いに各配向膜(1
6、25)にて対向するように配置された両電極基板
(10、10A、20)と、これら両電極基板の間に挟
持された複数条の隔壁(40b、90)と、両電極基板
の間にて複数条の隔壁の間に封入された液晶(30)と
を備える。
Thus, the function and effect of the invention described in claim 1 can be more appropriately achieved. According to the third aspect of the present invention, the liquid crystal cell is provided with each alignment film (1).
6, 25), the two electrode substrates (10, 10A, 20), a plurality of partitions (40b, 90) sandwiched between the two electrode substrates, And a liquid crystal (30) sealed between a plurality of partitions.

【0010】また、当該液晶セルにおいて、複数条の隔
壁のうち所定部分の隔壁の高さが他の部分に比べて異な
るように設定されている。これにより、両電極基板に形
成された構成要素(電極や配向膜等)によって、両電極
基板の間隔にばらつきが生ずるような場合には、不具合
のある部分の隔壁の高さを他の部分の隔壁の高さに比べ
て調整することで、そのばらつきを解消することができ
る。或いは、隔壁の高さを調整することにより、両電極
基板の間の領域で液晶の動きに差が生じている個所と
か、またはバックライトの照度分布に変動がある個所を
積極的に救済できる。このように、請求項3に記載の発
明によれば、両電極基板の間隔を適正に確保できる。
Further, in the liquid crystal cell, the height of a predetermined portion of the plurality of partitions is set to be different from that of the other portions. Accordingly, in a case where the interval between the two electrode substrates is varied due to the constituent elements (electrodes, alignment films, etc.) formed on the two electrode substrates, the height of the partition in the defective part is increased by the other parts. By adjusting the height as compared with the height of the partition, the variation can be eliminated. Alternatively, by adjusting the height of the partition, it is possible to positively rescue a portion where a difference in the movement of liquid crystal occurs in a region between the two electrode substrates or a portion where the illuminance distribution of the backlight varies. Thus, according to the third aspect of the present invention, it is possible to properly secure the interval between the two electrode substrates.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
により説明する。 (第1実施形態)図1は、本発明に係る液晶セルの第1
実施形態の部分的な断面構造を示している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of a liquid crystal cell according to the present invention.
2 shows a partial cross-sectional structure of the embodiment.

【0012】この液晶セルは、対向して重ね合わされた
両電極基板10、20を備えており、これら両電極基板
10、20の各周縁部は帯状シール(図示しない)を介
し接着支持されている。なお、上記シールは、例えば、
熱硬化樹脂の接着剤等により形成されている。電極基板
10は、透明のガラス材料からなる透明基板11を有し
ており、この透明基板11の内表面には、複数条の樹脂
製カラーフィルタ12、複数条のブラックマスク層(図
示しない)、オーバーコート膜13、複数条の透明電極
14、絶縁膜15、配向膜16が順に積層形成されてい
る。なお、カラーフィルタ12、絶縁膜15及び配向膜
16は上記シールの内周側に設けられている。また、上
記複数条のブラックマスク層に代えて、ドット条のブラ
ックマスク層を採用してもよい。
This liquid crystal cell includes two electrode substrates 10 and 20 which are superposed on each other, and the peripheral portions of the two electrode substrates 10 and 20 are bonded and supported via a band-shaped seal (not shown). . In addition, the said seal is, for example,
It is formed of a thermosetting resin adhesive or the like. The electrode substrate 10 has a transparent substrate 11 made of a transparent glass material. On the inner surface of the transparent substrate 11, a plurality of resin color filters 12, a plurality of black mask layers (not shown), An overcoat film 13, a plurality of transparent electrodes 14, an insulating film 15, and an alignment film 16 are sequentially laminated. The color filter 12, the insulating film 15, and the alignment film 16 are provided on the inner peripheral side of the seal. Further, instead of the plurality of black mask layers, a dot black mask layer may be employed.

【0013】一方、電極基板20は、透明のガラス材料
からなる透明基板21を有しており、この透明基板21
の内表面には、複数条の金属製補助電極22、複数条の
透明電極23、絶縁膜24、配向膜25が順に積層形成
されている。なお、配向膜25は、上記シールの内周側
に設けられている。複数条の透明電極23は、複数条の
透明電極14と直角に対向して位置し、これら透明電極
23、14は、反強誘電性液晶30(後述する)と共に
複数の格子状画素を形成する。そして、これら格子状画
素のうち、補助電極22以外の部位は、液晶セル駆動時
に表示が行われる表示部として機能する。
On the other hand, the electrode substrate 20 has a transparent substrate 21 made of a transparent glass material.
On the inner surface, a plurality of metal auxiliary electrodes 22, a plurality of transparent electrodes 23, an insulating film 24, and an alignment film 25 are sequentially laminated. The alignment film 25 is provided on the inner peripheral side of the seal. The plurality of transparent electrodes 23 are positioned opposite to the plurality of transparent electrodes 14 at right angles, and these transparent electrodes 23 and 14 form a plurality of grid-like pixels together with the antiferroelectric liquid crystal 30 (described later). . In addition, portions of these lattice pixels other than the auxiliary electrode 22 function as a display unit on which display is performed when the liquid crystal cell is driven.

【0014】ここで、透明電極14、23はIndiu
m Tin Oxide(以下、ITOという)等によ
り形成されており、また、配向膜16、25はポリイミ
ド系樹脂により形成されている。なお、各カラーフィル
タ12は、R(赤)、G(緑)、B(青)の色彩を有す
る画素を、上記の格子状画素内に配置してなる構成とな
っている。そして、カラーフィルタ12の各画素間にお
いては、各ブラックマスク(図示しない)が設けられて
おり、液晶セルのうち上記各ブラックマスクに対向する
部分は遮光されて表示に関与しないようになっている。
Here, the transparent electrodes 14 and 23 are made of Indiu.
It is formed of m Tin Oxide (hereinafter referred to as ITO) or the like, and the alignment films 16 and 25 are formed of a polyimide resin. Each color filter 12 has a configuration in which pixels having colors of R (red), G (green), and B (blue) are arranged in the above-described lattice-shaped pixels. Each black mask (not shown) is provided between each pixel of the color filter 12, and a portion of the liquid crystal cell opposed to each of the black masks is shielded from light and is not involved in display. .

【0015】また、反強誘電性液晶30は両電極基板1
0、20の間に封入されている。なお、両電極基板1
0、20間の間隔(以下、セルギャップという)は1.
5μm程度になっている。また、複数条の隔壁40は、
両電極基板10、20の間のうち表示部(画素)以外の
部位に介装されている。各隔壁40は、配向膜26の各
補助電極22に対向する部位上に、各補助電極22に沿
って形成されて、ストライプ状をなしている。
The antiferroelectric liquid crystal 30 is provided on both electrode substrates 1.
It is enclosed between 0 and 20. In addition, both electrode substrates 1
The interval between 0 and 20 (hereinafter referred to as cell gap) is 1.
It is about 5 μm. In addition, the plurality of barrier ribs 40
It is interposed between the two electrode substrates 10 and 20 at a portion other than the display section (pixel). Each partition 40 is formed along the auxiliary electrode 22 on a portion of the alignment film 26 facing the auxiliary electrode 22 and has a stripe shape.

【0016】ちなみに、本第1実施形態では、各隔壁4
0の幅は数10μm程度である。また、各隔壁40は全
ての補助電極22に対向するように位置してなくともよ
く、任意の補助電極22に対向して位置していてもよ
い。また、表示に関与しない透明電極23の間に位置し
ていてもよい。各隔壁40は、後述のごとく、アクリル
系フォトレジストにより形成されており、これら各隔壁
40は、両電極基板10、20の各内表面、即ち、両配
向膜16、25に接着している。
In the first embodiment, each partition 4
The width of 0 is about several tens of μm. Further, each partition wall 40 does not need to be positioned to face all the auxiliary electrodes 22, and may be positioned to face any auxiliary electrodes 22. Further, it may be located between the transparent electrodes 23 which are not involved in display. Each partition 40 is formed of an acrylic photoresist as described later, and each partition 40 is adhered to each inner surface of both electrode substrates 10 and 20, that is, to both alignment films 16 and 25.

【0017】換言すれば、両電極基板10、20は上記
シールの内周側において各隔壁40にて接着支持されて
いる。そして、各隔壁40は両電極基板10、20を所
定間隔(約1.5μm)に設定するスペーサとして機能
するとともに、両電極基板10、20に加わる衝撃、振
動に抗するようになっている。次に、このように構成し
た液晶セルの製造方法につき、図2及び図3を参照して
説明する。
In other words, the two electrode substrates 10 and 20 are adhered and supported by each partition 40 on the inner peripheral side of the seal. Each partition wall 40 functions as a spacer for setting the two electrode substrates 10 and 20 at a predetermined interval (about 1.5 μm), and resists shock and vibration applied to the two electrode substrates 10 and 20. Next, a method of manufacturing the liquid crystal cell thus configured will be described with reference to FIGS.

【0018】図2の電極基板10側原基板形成工程S1
では、透明基板11の内表面に、複数条のカラーフィル
タ12、オーバーコート膜13、複数条の透明電極14
及び絶縁膜15を順に積層形成する。なお、各上記ブラ
ックマスク層が各カラーフィルタ12と交互に形成され
る。配向膜形成工程S2では、オフセット印刷によっ
て、配向膜16を、オーバーコート膜13、各透明電極
14及び絶縁膜15を介して各カラーフィルタ12及び
上記各ブラックマスク層上に設け、電極基板10を形成
する。
Step S1 of forming an original substrate on the electrode substrate 10 side in FIG.
Then, on the inner surface of the transparent substrate 11, a plurality of color filters 12, an overcoat film 13, and a plurality of transparent electrodes 14 are formed.
And an insulating film 15 are sequentially formed. Each of the black mask layers is formed alternately with each of the color filters 12. In the alignment film forming step S2, the alignment film 16 is provided on the color filters 12 and the black mask layers via the overcoat film 13, the transparent electrodes 14 and the insulating film 15 by offset printing, and the electrode substrate 10 is formed. Form.

【0019】ラビング工程S3では、電極基板10の配
向膜16に対して、一定の方向にラビング処理を行う。
続いて、シール印刷工程S4では、電極基板10の内表
面の周縁部上に、シールをシール剤の印刷により帯状に
形成する。なお、このシールの一部には、液晶注入口が
形成される。
In the rubbing step S3, a rubbing process is performed on the alignment film 16 of the electrode substrate 10 in a certain direction.
Subsequently, in a seal printing step S4, a seal is formed in a band shape on the peripheral portion of the inner surface of the electrode substrate 10 by printing a sealant. A liquid crystal injection port is formed in a part of the seal.

【0020】一方、図3の電極基板20側原基板形成工
程S5では、透明基板21の内表面に、複数条の補助電
極22、複数条の透明電極23及び絶縁膜24を順に積
層形成する。次の配向膜形成工程S6では、配向膜25
を、複数条の補助電極22、複数条の透明電極23及び
絶縁膜24の上に設け、電極基板20を形成する。
On the other hand, in the electrode substrate 20-side original substrate forming step S5 in FIG. 3, a plurality of auxiliary electrodes 22, a plurality of transparent electrodes 23, and an insulating film 24 are sequentially formed on the inner surface of the transparent substrate 21. In the next alignment film forming step S6, the alignment film 25 is formed.
Is provided on the plurality of auxiliary electrodes 22, the plurality of transparent electrodes 23, and the insulating film 24 to form the electrode substrate 20.

【0021】次に、図3の隔壁形成工程S7の処理につ
いて図4乃至図6を参照して説明する。図4は、レジス
ト(樹脂)膜形成の様子を表すものである。アクリル系
樹脂ネガ型レジスト溶液(富士フィルムオーリン株式会
社製「CT」)を7cc、電極基板20の配向膜25上
に滴下し、1300rpmで10秒間回転させて、フォ
トレジスト膜40aを形成し、ホットプレート上にて1
00℃でもって270秒の間プリベーク(仮焼成)を施
し有機溶媒を除去する。この有機溶媒の除去により、後
述する紫外光による露光時の重合を良好にし得る。
Next, the processing in the partition forming step S7 in FIG. 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows how a resist (resin) film is formed. 7 cc of an acrylic resin negative resist solution ("CT" manufactured by Fuji Film Orin Co., Ltd.) is dropped on the alignment film 25 of the electrode substrate 20, and rotated at 1300 rpm for 10 seconds to form a photoresist film 40a. 1 on the plate
Prebaking (temporary firing) is performed at 00 ° C. for 270 seconds to remove the organic solvent. By removing the organic solvent, polymerization at the time of exposure to ultraviolet light described below can be improved.

【0022】続いて、図5に示すように、補助電極22
に対応する部分にてストライプ状に開口してなるフォト
マスク50をフォトレジスト膜40aに被せて、120
0mJ/cm2 の露光エネルギーで図5の矢印に示す方
向から紫外光を照射した。それによって、必要部分(図
5にて図示両破線間部分)を現像液に対して不溶にす
る。
Subsequently, as shown in FIG.
The photoresist film 40a is covered with a photomask 50 having a stripe-shaped opening at a portion corresponding to
Ultraviolet light was irradiated from the direction shown by the arrow in FIG. 5 at an exposure energy of 0 mJ / cm 2 . Thereby, a necessary portion (a portion between the two broken lines in FIG. 5) is made insoluble in the developing solution.

【0023】その後、電極基板20を現像液(富士フィ
ルムオーリン株式会社製「CD」)に室温で60秒間浸
積し、さらに別容器で60秒間追加現像した後、20分
間純水で流水洗浄し、スピン方式(800rpm、8分
間)で乾燥する。このように現像液のエッチング作用に
よりパターニングが行われる。すると、図6に示すよう
に、フォトレジスト膜40aのうち不要部分はほぼ除去
され、補助電極22上の配向膜25上に複数条の隔壁4
0bが形成される。これにより、隔壁形成工程S7の処
理が終了する。
Thereafter, the electrode substrate 20 is immersed in a developing solution ("CD" manufactured by Fuji Film Ohlin Co., Ltd.) at room temperature for 60 seconds, further developed in another container for 60 seconds, and washed with running pure water for 20 minutes. And spinning (800 rpm, 8 minutes). Thus, patterning is performed by the etching action of the developer. Then, as shown in FIG. 6, unnecessary portions of the photoresist film 40a are substantially removed, and a plurality of barrier ribs 4 are formed on the alignment film 25 on the auxiliary electrode 22.
0b is formed. Thereby, the process of the partition wall forming step S7 ends.

【0024】この終了後、図3の高さ調整工程S8の処
理を次のように行う。まず、高さ測定工程S81におい
て、隔壁形成工程S7にて形成された各隔壁40bの高
さH1(図7参照)を測定する。次に、有機溶剤処理工
程S82において、各隔壁40bの高さを所望の高さH
2(図7参照)に調整するように、循環する有機溶剤槽
(以下、IPA槽という)中のイソプロピルアルコール
(以下、IPAという)を処理温度Tにし、当該IPA
中に隔壁40bの形成後の電極基板20を処理時間tの
間浸漬して洗浄する。
After this, the height adjusting step S8 in FIG. 3 is performed as follows. First, in the height measuring step S81, the height H1 (see FIG. 7) of each partition 40b formed in the partition forming step S7 is measured. Next, in the organic solvent treatment step S82, the height of each partition 40b is set to a desired height H.
2 (see FIG. 7), the isopropyl alcohol (hereinafter, referred to as IPA) in the circulating organic solvent tank (hereinafter, referred to as IPA tank) is set to the processing temperature T,
The electrode substrate 20 after the formation of the partition wall 40b therein is immersed for a processing time t for cleaning.

【0025】具体的には、隔壁40bの高さ減少量ΔH
=H1−H2を確保できるように、図8の各グラフLI
乃至L4のいずれかから各所望の処理温度T及び処理時
間tを選定する。例えば、隔壁40bの高さがH1=
1.7μmであり、所望の高さがH2=1.4μmであ
る場合には、図8のグラフL3に基づき処理温度T=4
0℃及び処理時間t=16分と選定される。
Specifically, the height decrease ΔH of the partition 40b
= H1-H2, each graph LI in FIG.
To the desired processing temperature T and processing time t from any one of L4 to L4. For example, the height of the partition 40b is H1 =
When the height is 1.7 μm and the desired height is H2 = 1.4 μm, the processing temperature T = 4 based on the graph L3 in FIG.
0 ° C. and processing time t = 16 minutes are selected.

【0026】そして、このように選定した選定処理温度
Tまで上記IPAを加熱した上で、当該IPA中に隔壁
40bの形成後の電極基板20を上記選定処理時間tの
間浸漬して洗浄する。これにより、各隔壁40bの高さ
が所望の高さH2に調整される。但し、本第1実施形態
では、図8の各グラフは、所定の処理条件のもとでの上
記IPAでもって隔壁40bの高さを調整できることに
着目し、かつ、隔壁40bの材料やその溶剤の種類等に
応じて求められている。
Then, after the IPA is heated to the selected processing temperature T selected in this way, the electrode substrate 20 after the formation of the partition 40b is immersed in the IPA for the selected processing time t to be washed. Thereby, the height of each partition 40b is adjusted to a desired height H2. However, in the first embodiment, each graph of FIG. 8 focuses on the fact that the height of the partition 40b can be adjusted by the IPA under predetermined processing conditions, and the material of the partition 40b and the solvent thereof are used. Is required depending on the type of the device.

【0027】具体的には、各グラフは、上記IPAの処
理温度Tをパラメータとして隔壁40bの高さの減少量
とその処理時間tとの関係を表す。有機溶剤処理工程S
82の処理後、水洗い・乾燥工程S83にて、電極基板
20を純水槽内に移しその純水により水洗いして、この
電極基板20に付着したIPAを除去した後、当該電極
基板20を乾燥させる。
More specifically, each graph shows the relationship between the reduction amount of the height of the partition wall 40b and the processing time t using the processing temperature T of the IPA as a parameter. Organic solvent treatment process S
After the process of 82, in a water washing / drying step S83, the electrode substrate 20 is moved into a pure water tank, washed with pure water to remove IPA attached to the electrode substrate 20, and then dried. .

【0028】これにより、IPAが隔壁を形成するフォ
トレジストを溶解する効果を有していても、純水槽内の
純水によりIPAが電極基板20から確実に除去されて
いるので、電極基板20の乾燥時に隔壁40を構成する
フォトレジストが溶け出し、再度残渣膜となることもな
い。このことにより、本第1実施形態で使用するIPA
は、純粋槽での除去が容易になるように水溶性であるこ
とが望ましい。
Thus, even if the IPA has the effect of dissolving the photoresist forming the partition walls, the IPA is reliably removed from the electrode substrate 20 by the pure water in the pure water tank. At the time of drying, the photoresist constituting the partition wall 40 does not melt and does not become a residual film again. As a result, the IPA used in the first embodiment
Is desirably water-soluble to facilitate removal in a pure tank.

【0029】次に、高さ測定工程S84において、各隔
壁40bの高さを測定する。これにより、各隔壁40b
の高さが所望の高さH2に減少したことを確認できる。
即ち、高さ調整工程S8の処理及びその水洗い乾燥処理
により、所望の高さH2を有する隔壁40(図7参照)
を形成することができる。ついで、ラビング工程S10
では、電極基板20の配向膜25を、一定方向にラビン
グ処理する。なお、ラビング後の配向膜25の内表面が
現像液により劣化し、配向規制力の低下を招くおそれが
あることを考慮すれば、ラビング工程S10は、隔壁形
成工程S7の後の方が望ましい。
Next, in a height measuring step S84, the height of each partition 40b is measured. Thereby, each partition 40b
Can be confirmed to have decreased to the desired height H2.
That is, the partition wall 40 having the desired height H2 is obtained by the processing of the height adjustment step S8 and the washing and drying processing (see FIG. 7).
Can be formed. Next, the rubbing step S10
Then, the alignment film 25 of the electrode substrate 20 is rubbed in a certain direction. The rubbing step S10 is preferably performed after the partition wall forming step S7 in consideration of the possibility that the inner surface of the rubbed alignment film 25 is deteriorated by the developer and the alignment regulating force may be reduced.

【0030】ラビング工程S10の処理後、重ね合わせ
工程S11では、電極基板10を電極基板20の上に位
置させるようにして、互いのラビング方向が所定の向き
(例えば、パラレル或いはアンチパラレル)となるよう
にする。そして、両電極基板10、20を上記シール及
び各隔壁40を介して重ね合わせる。そして、シール硬
化工程S12において、重ね合わされた両電極基板1
0、20の外表面全体を、両基板が密着する方向に加圧
しつつ焼成する。その圧力は、本第1実施形態では、
0.4kg/cm2 乃至1.0kg/cm2 程度であ
り、焼成温度は約150℃、焼成時間120分である。
After the rubbing step S10, in the superposition step S11, the electrode substrates 10 are positioned on the electrode substrate 20 so that the rubbing directions thereof are in a predetermined direction (for example, parallel or anti-parallel). To do. Then, the two electrode substrates 10 and 20 are overlapped via the seal and the respective partition walls 40. Then, in the seal curing step S12, the two electrode substrates 1
The entire outer surfaces of 0 and 20 are fired while being pressed in a direction in which both substrates come into close contact with each other. In the first embodiment, the pressure is
It is about 0.4 kg / cm 2 to 1.0 kg / cm 2 , the firing temperature is about 150 ° C., and the firing time is 120 minutes.

【0031】その後、液晶封入工程S13において、上
記シールの液晶注入口から、反強誘電性液晶30を、液
相状態にて真空注入し、両電極基板10、20間の各隔
壁40以外の部分に充填する。さらに、上記シールの液
晶注入口を樹脂製接着剤等で封止する。これにより、液
晶セルの製造が終了する。以上説明したように、本第1
実施形態では、隔壁形成工程S7にて複数条の隔壁40
bをパターニング処理により電極基板20の内表面に形
成した後、高さ調整工程S8において、各隔壁40bの
高さの変化量ΔH=H1−H2を確保するように、図8
のグラフでもって上記IPAの処理温度T及び処理時間
tを選定し、このように選定した選定処理温度Tまで上
記IPAを加熱した上で、当該IPA中に隔壁40bの
形成後の電極基板20を上記選定処理時間tの間浸漬し
て洗浄し、水洗い乾燥する。
Thereafter, in a liquid crystal enclosing step S13, the antiferroelectric liquid crystal 30 is vacuum-injected in a liquid state from the liquid crystal injection port of the seal, and a portion other than the partition walls 40 between the electrode substrates 10 and 20 is formed. Fill. Further, the liquid crystal injection port of the seal is sealed with a resin adhesive or the like. Thus, the manufacture of the liquid crystal cell ends. As described above, the first
In the embodiment, the plurality of barrier ribs 40 are formed in the barrier rib forming step S7.
After b is formed on the inner surface of the electrode substrate 20 by the patterning process, in the height adjustment step S8, the height change amount ΔH = H1−H2 of each partition 40b is ensured as shown in FIG.
The processing temperature T and the processing time t of the IPA are selected according to the graph of FIG. 3, and the IPA is heated up to the selected processing temperature T thus selected. It is immersed and washed during the above-mentioned selection processing time t, washed with water and dried.

【0032】これにより、所望の高さH2の各隔壁40
を形成することができ、その結果、重ね合わせ工程S1
1において上述のごとく両電極基板10、20を各隔壁
40を介し重ね合わせれば、所望のセルギャップを一様
に有する液晶セルの製造が可能となる。 (第2実施形態)図9は、本発明の第2実施形態の要部
を示している。
As a result, each partition 40 having a desired height H2 is formed.
Can be formed, and as a result, the overlapping step S1
In 1, as described above, if the two electrode substrates 10 and 20 are overlapped via the partition walls 40, it is possible to manufacture a liquid crystal cell having a desired cell gap. (Second Embodiment) FIG. 9 shows a main part of a second embodiment of the present invention.

【0033】この第2実施形態では、上記第1実施形態
とは異なり、隔壁形成工程S7の処理にて形成した複数
条の隔壁40bの高さを異ならしめるように調整する例
が示されている。具体的には、上記第1実施形態にて述
べた電極基板20を図9にて示すごとく三つの基板領域
A、B、Cに分割する。そして、上記第1実施形態にて
述べたと同様に隔壁形成工程S7の処理により電極基板
20の内表面に複数条の隔壁40b(共に、高さH1を
有する)を形成した後、これら各隔壁40bのうち両基
板領域A、Cに対応する各隔壁40bの高さを基板領域
Bに対応する各隔壁40bの高さよりも低くする。
In the second embodiment, unlike the first embodiment, an example is shown in which the height of the plurality of partition walls 40b formed in the processing of the partition wall forming step S7 is adjusted to be different. . Specifically, the electrode substrate 20 described in the first embodiment is divided into three substrate regions A, B, and C as shown in FIG. Then, in the same manner as described in the first embodiment, a plurality of barrier ribs 40b (both having a height H1) are formed on the inner surface of the electrode substrate 20 by the processing of the barrier rib formation step S7. Among them, the height of each partition 40b corresponding to both substrate regions A and C is set lower than the height of each partition 40b corresponding to substrate region B.

【0034】この場合、例えば、両基板領域A、Cに対
応する各隔壁40bの高さを基板領域Bに対応する各隔
壁40bの高さよりも0.1μm程低くしようとすれ
ば、図8のグラフに基づき、有機溶剤処理工程S82に
て用いるIPAの処理温度T及び処理時間tを、両基板
領域A、Cに対しては40℃及び16分とし、基板領域
Bに対しては40℃及び2分と選定する。
In this case, for example, if the height of each partition 40b corresponding to both substrate regions A and C is set to be lower than the height of each partition 40b corresponding to substrate region B by about 0.1 μm, FIG. Based on the graph, the processing temperature T and the processing time t of the IPA used in the organic solvent processing step S82 are set to 40 ° C. and 16 minutes for both the substrate areas A and C, and 40 ° C. and 16 minutes for the substrate area B. Choose 2 minutes.

【0035】そして、有機溶剤処理工程S82におい
て、両基板領域A、Cの各隔壁40bを、40℃に加熱
したIPA内に16分浸漬して洗浄し、一方、基板領域
Bの各隔壁40bを、40℃に加熱したIPA内に2分
浸漬して洗浄する。これにより、両基板領域A、Cの各
隔壁40の高さを、基板領域Bの各隔壁40の高さより
も0.1μm程低くすることができる。
Then, in the organic solvent treatment step S82, the partition walls 40b of both the substrate regions A and C are immersed in IPA heated to 40 ° C. for 16 minutes for cleaning, while the partition walls 40b of the substrate region B are removed. And immersion in IPA heated to 40 ° C. for 2 minutes for cleaning. Thereby, the height of each partition 40 of both substrate regions A and C can be made about 0.1 μm lower than the height of each partition 40 of substrate region B.

【0036】その結果、両電極基板10、20を各隔壁
40を介して重ね合わせれば、両基板領域A、Cのセル
ギャップが基板領域Bのセルギャップよりも狭い液晶セ
ルの製造が可能となる。このようにして製造した液晶セ
ルでは、両電極基板10、20間での反強誘電性液晶3
0の動きが上記セルギャップの違いに伴い変化して、例
えば、液晶セルのバックライトの照度分布や温度分布を
適正に補正することが可能となる。その他の作用効果を
上記第1実施形態と同様である。
As a result, when the two electrode substrates 10 and 20 are overlapped via each partition wall 40, it is possible to manufacture a liquid crystal cell in which the cell gap of both substrate regions A and C is smaller than the cell gap of substrate region B. . In the liquid crystal cell manufactured in this manner, the antiferroelectric liquid crystal 3 between the two electrode substrates 10 and 20 is used.
The movement of 0 changes according to the difference in the cell gap, and for example, it becomes possible to appropriately correct the illuminance distribution and the temperature distribution of the backlight of the liquid crystal cell. Other functions and effects are the same as those of the first embodiment.

【0037】なお、上記第2実施形態では、各隔壁40
bの高さが共に同一の値H1を有する場合について説明
したが、これに代えて、両基板領域A、Cの各隔壁40
bの高さが約1.6μmであり、また、基板領域Bの各
隔壁40bの高さが約1.5μmである場合において、
両基板領域A、Cの各隔壁40bの高さを約1.5μm
にするには、図8のグラフに基づき、有機溶剤処理工程
S82にて用いるIPAの処理温度T及び処理時間t
を、基板領域Bに対して20℃及び16分と選定して、
基板領域Bの各隔壁40bのみにつき有機溶剤処理工程
S82の処理と同様に行う。
In the second embodiment, each partition 40
Although the case where both the heights of b have the same value H1 has been described, instead of this, each partition 40 of both substrate regions A and C may be used.
b is about 1.6 μm, and the height of each partition 40 b in the substrate region B is about 1.5 μm,
The height of each partition 40b of both substrate areas A and C is about 1.5 μm
In order to reduce the temperature, the processing temperature T and the processing time t of the IPA used in the organic solvent processing step S82 are based on the graph of FIG.
Is selected as 20 ° C. and 16 minutes for the substrate region B,
The same process as in the organic solvent processing step S82 is performed only on each partition 40b in the substrate region B.

【0038】これにより、両基板領域A、Cの各隔壁4
0bの高さが基板領域Bの各隔壁40bの高さと上述の
ように異なっていても、全ての隔壁40の高さを同一に
調整できる。その結果、液晶セルのセルギャップを均一
にすることができる。 (第3実施形態)図10は本発明の第3実施形態の要部
を示している。
Thus, the partition walls 4 of both substrate areas A and C are formed.
Even if the height of 0b is different from the height of each partition 40b in the substrate region B as described above, the height of all the partitions 40 can be adjusted to be the same. As a result, the cell gap of the liquid crystal cell can be made uniform. (Third Embodiment) FIG. 10 shows a main part of a third embodiment of the present invention.

【0039】この第3実施形態では、上記第1実施形態
にて述べた液晶セルにおいて、電極基板10及び複数条
の隔壁40に代えて、電極基板10A及び各複数条の隔
壁60、70を用いた構成が採用されている。ここで、
電極基板10Aを図10にて示すごとく三つの基板領域
D、E、Fに分割すれば、電極基板10Aの内表面であ
る配向膜17のうち基板領域Eに対応する膜部分17a
は、図10にて示すごとく、配向膜17のうち基板領域
D、Fに対応する各膜部分17bを基準に断面凹状に形
成されている。換言すれば、両電極基板10A、20の
間のセルギャップのうち両基板領域D、Fに対応するギ
ャップ部分は、当該セルギャップのうち基板領域Eに対
応するギャップ部分よりも狭くなっている。
In the third embodiment, in the liquid crystal cell described in the first embodiment, an electrode substrate 10A and a plurality of partitions 60, 70 are used instead of the electrode substrate 10 and the partitions 40. Configuration has been adopted. here,
When the electrode substrate 10A is divided into three substrate regions D, E, and F as shown in FIG. 10, a film portion 17a corresponding to the substrate region E in the alignment film 17 which is the inner surface of the electrode substrate 10A.
As shown in FIG. 10, is formed in a concave shape in cross section with reference to each film portion 17b corresponding to the substrate regions D and F in the alignment film 17. In other words, the gap portion corresponding to both substrate regions D and F in the cell gap between both electrode substrates 10A and 20 is smaller than the gap portion corresponding to substrate region E in the cell gap.

【0040】また、各隔壁60は、両電極基板10a、
20のセルギャップのうち各基板領域D、Fに対応する
ギャップ部分内に形成されており、一方、各隔壁70
は、両電極基板10a、20のセルギャップのうち基板
領域Eに対応するギャップ部分内に形成されている。こ
のため、各隔壁60は、各隔壁70よりも低い高さを有
する。その他の構成は上記第1実施形態にて述べた液晶
セルと同様である。なお、図10にて符号80は、上記
第1実施形態にて述べたシールを示す。
Further, each partition 60 is formed of both electrode substrates 10a,
Each of the barrier ribs 70 is formed in a gap portion corresponding to each of the substrate regions D and F of the 20 cell gaps.
Is formed in a gap portion corresponding to the substrate region E in the cell gap between the two electrode substrates 10a and 20. For this reason, each partition 60 has a lower height than each partition 70. Other configurations are the same as those of the liquid crystal cell described in the first embodiment. In FIG. 10, reference numeral 80 denotes the seal described in the first embodiment.

【0041】次に、このように構成した液晶セルの製造
方法について説明する。上記第1実施形態と実質的に同
様に配向膜形成工程S6の処理が終了すると、隔壁形成
工程S7において、上記第1実施形態にて述べた各隔壁
40bに対応する各隔壁90(図11参照)をパターニ
ング処理により形成する。ついで、上記第1実施形態に
て述べた高さ調整工程S8の高さ測定工程S81におい
て、上述の各隔壁90の高さを測定する。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal cell thus configured will be described. When the processing of the alignment film forming step S6 is completed in substantially the same manner as in the first embodiment, in the partition forming step S7, each partition 90 corresponding to each partition 40b described in the first embodiment (see FIG. 11). Is formed by a patterning process. Next, in the height measurement step S81 of the height adjustment step S8 described in the first embodiment, the height of each partition 90 described above is measured.

【0042】そして、有機溶剤処理工程S82におい
て、両基板領域D、Fの各隔壁90の高さを所望の高さ
(両基板領域D、Fの隔壁60の高さ)にするととも
に、基板領域Eの各隔壁90の高さを他の所望の高さ
(両基板領域Eの隔壁70の高さ)にするように、図8
のグラフに基づき、有機溶剤処理工程S82にて用いる
IPAの処理温度T及び処理時間tをそれぞれ選定し
て、これら選定結果に応じて各基板領域D、E、Fの各
隔壁90につき有機溶剤処理工程S82の処理を上記第
1実施形態にて述べたと実質的に同様に行う。
Then, in the organic solvent treatment step S82, the height of each partition 90 of both substrate regions D and F is set to a desired height (the height of the partition 60 of both substrate regions D and F), and 8 so that the height of each partition 90 of E is set to another desired height (the height of the partition 70 in both substrate regions E).
The processing temperature T and the processing time t of the IPA used in the organic solvent processing step S82 are respectively selected based on the graph of the above, and the organic solvent processing is performed on each partition 90 of each of the substrate regions D, E, and F according to the selection result. The processing in step S82 is performed substantially in the same manner as described in the first embodiment.

【0043】従って、両基板領域D、Fの各隔壁90の
高さが上記所望の高さに調整されるとともに基板領域E
の各隔壁90の高さが上記他の所望の高さに調整され
る。これにより、両基板領域D、Fの各隔壁90が各隔
壁60として形成されるととに、基板領域Eの各隔壁9
0が各隔壁70として形成される。その後、重ね合わせ
工程S11において、両電極基板10A、20を各隔壁
60、70を介し重ね合わせ、その後のシール硬化工程
S12及び液晶封入工程S13の処理を上記第1実施形
態と同様に行う。これにより、図10にて示す液晶セル
の製造が終了する。
Accordingly, the height of each partition 90 in both substrate regions D and F is adjusted to the above-mentioned desired height, and the substrate region E is adjusted.
The height of each partition 90 is adjusted to the other desired height. Thereby, each partition 90 of both substrate regions D and F is formed as each partition 60, and each partition 9 of substrate region E is formed.
0 is formed as each partition 70. Thereafter, in an overlapping step S11, the two electrode substrates 10A and 20 are overlapped with each other via the partition walls 60 and 70, and the subsequent processes of the seal hardening step S12 and the liquid crystal enclosing step S13 are performed in the same manner as in the first embodiment. Thus, the production of the liquid crystal cell shown in FIG. 10 is completed.

【0044】以上説明したように、本第3実施形態にお
いて、上記第1実施形態にて述べた電極基板10に代え
て電極基板10Aを採用したために、両電極基板10
A、20の間のセルギャップのうち両基板領域D、Fに
対応するギャップ部分を、当該セルギャップのうち基板
領域Eに対応するギャップ部分よりも狭くする必要が生
じても、これに合わせて、対応の各隔壁の高さを上述の
ごとく調整する。
As described above, in the third embodiment, the electrode substrate 10A is used in place of the electrode substrate 10 described in the first embodiment.
Even if it is necessary to make the gap portion corresponding to both substrate regions D and F in the cell gap between A and 20 narrower than the gap portion corresponding to substrate region E in the cell gap, the gap portion should be adjusted accordingly. The height of each corresponding partition is adjusted as described above.

【0045】これにより、両電極基板10A、20のセ
ルギャップが部分的に異なった液晶セルの提供が可能と
なる。なお、本発明の実施にあたり、反強誘電性液晶に
限ることなく、強誘電性液晶等のスメクチック液晶やネ
マチック液晶等の他の液晶を用いる液晶セルに対して
も、本発明を適用してもよい。
As a result, it is possible to provide a liquid crystal cell in which the cell gaps of the two electrode substrates 10A and 20 are partially different. In carrying out the present invention, the present invention is not limited to an antiferroelectric liquid crystal, and may be applied to a liquid crystal cell using another liquid crystal such as a smectic liquid crystal such as a ferroelectric liquid crystal or a nematic liquid crystal. Good.

【0046】また、本発明の実施にあたり、上記水溶性
有機溶剤としては、IPAに限ることなく、例えば、ア
セトンや乳酸エチル等のフォトレジスト材料のアクリル
モノマーを溶かす溶剤を用いることができる。また、本
発明の実施にあたり、水溶性有機溶剤に限らず、例え
ば、エチレングリコモノエチルエーテルアセテート等の
非水溶性有機溶剤を用いてもよい。
In practicing the present invention, the water-soluble organic solvent is not limited to IPA, but may be a solvent that dissolves an acrylic monomer of a photoresist material such as acetone or ethyl lactate. In practicing the present invention, a water-insoluble organic solvent such as ethylene glycol monoethyl ether acetate is not limited to a water-soluble organic solvent.

【0047】また、本発明の実施にあたり、フォトレジ
スト材料は、アクリル系樹脂ネガ型レジスト溶液に限定
されるものではない。また、本発明の実施にあたり、プ
ロセスが安定し高さ測定工程S81の処理が安定すれ
ば、高さ測定工程S81及び高さ測定工程S84は省略
して製造することができる。換言すれば、電極基板の全
数で高さ測定を実施せず、抜き取りで高さ測定を実施し
てもよい。
In practicing the present invention, the photoresist material is not limited to an acrylic resin negative resist solution. In practicing the present invention, if the process is stable and the process of the height measuring step S81 is stable, the manufacturing can be performed by omitting the height measuring step S81 and the height measuring step S84. In other words, the height measurement may not be performed on all the electrode substrates, but may be performed by sampling.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係る液晶セルの要部を
示す拡大断面図である。
FIG. 1 is an enlarged sectional view showing a main part of a liquid crystal cell according to a first embodiment of the present invention.

【図2】上記第1実施形態の液晶セルの製造方法を示す
工程図の一部である。
FIG. 2 is a part of a process chart showing a method for manufacturing the liquid crystal cell of the first embodiment.

【図3】上記製造方法を示す工程図の一部である。FIG. 3 is a part of a process chart showing the above manufacturing method.

【図4】図3の隔壁形成工程におけるレジスト膜形成の
様子を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of forming a resist film in a partition wall forming step of FIG. 3;

【図5】上記隔壁形成工程における露光処理の様子を示
す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state of an exposure process in the partition wall forming step.

【図6】上記隔壁形成工程における現像処理後の様子を
示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state after a developing process in the partition wall forming step.

【図7】図3の高さ調整工程における隔壁の高さの調整
の様子を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing how the height of the partition is adjusted in the height adjusting step of FIG. 3;

【図8】上記第1実施形態における隔壁の高さ減少量Δ
Hと処理時間tとの間の関係をIPAの処理温度Tをパ
ラメータとして示す各グラフである。
FIG. 8 is a height reduction amount Δ of the partition wall in the first embodiment.
6 is a graph showing the relationship between H and the processing time t using the processing temperature T of IPA as a parameter.

【図9】本発明に係る液晶セルの第2実施形態を示す平
面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a second embodiment of the liquid crystal cell according to the present invention.

【図10】本発明に係る液晶セルの第3実施形態を示す
断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing a third embodiment of the liquid crystal cell according to the present invention.

【図11】上記第3実施形態にて上記隔壁形成工程にお
ける露光処理の様子を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an exposure process in the partition wall forming step in the third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、10A、20…電極基板、16、17、25…配
向膜、30…反強誘電性液晶、40b、90…隔壁、S
7…隔壁形成工程、S8…高さ調整工程、S11…重ね
合わせ工程、S13…液晶封入工程、S81、S84…
高さ測定工程、S82…有機溶剤処理工程。
10, 10A, 20: electrode substrate, 16, 17, 25: alignment film, 30: antiferroelectric liquid crystal, 40b, 90: partition, S
7 ... partition wall forming step, S8 ... height adjusting step, S11 ... overlapping step, S13 ... liquid crystal sealing step, S81, S84 ...
Height measurement step, S82: Organic solvent treatment step.

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Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 両電極基板(10、10A、20)の一
方の電極基板の内表面(25)に樹脂材料でもって複数
条の隔壁(40b、90)をパターニング形成する隔壁
形成工程(S7)と、 この隔壁形成工程後、前記複数条の隔壁のうち少なくと
もその一つの隔壁の高さを有機溶剤により減少させるよ
うに調整する高さ調整工程(S8、S81、S82)
と、 この高さ調整工程後、前記両電極基板を前記複数の隔壁
を介して対向させるように重ね合わせる重ね合わせ工程
(S11)と、 この重ね合わせ工程後、前記両電極基板間に液晶(3
0)を封入する液晶封入工程(S13)とを備える液晶
セルの製造方法。
1. A partition formation step (S7) of patterning a plurality of partitions (40b, 90) with a resin material on an inner surface (25) of one of the two electrode substrates (10, 10A, 20). And a height adjusting step (S8, S81, S82) of adjusting the height of at least one of the plurality of partitions by using an organic solvent after the partition forming process.
After the height adjusting step, a superposing step (S11) of superposing the two electrode substrates so as to face each other via the plurality of partition walls; and after the superposing step, a liquid crystal (3) is interposed between the two electrode substrates.
0) a liquid crystal sealing step (S13) for sealing a liquid crystal cell.
【請求項2】 前記高さ調整工程においては、 前記隔壁形成工程で形成した前記各隔壁の高さを測定す
る高さ測定工程(S81)を備えて、 前記有機溶剤の処理温度をパラメータとして予め定めた
前記隔壁の高さの減少量とその処理時間との関係に基づ
き、前記高さ測定工程で測定した高さに応じて前記処理
温度及び処理時間を選定し、この選定処理温度に維持し
た前記有機溶剤でもって前記選定処理時間の間前記隔壁
の高さを減少させるように調整することを特徴とする請
求項1に記載の液晶セルの製造方法。
2. The height adjusting step includes a height measuring step (S81) of measuring a height of each of the partition walls formed in the partition forming step, wherein a processing temperature of the organic solvent is used as a parameter in advance. Based on the relationship between the determined decrease in the height of the partition walls and the processing time, the processing temperature and the processing time are selected in accordance with the height measured in the height measuring step, and the selected processing temperature is maintained. The method according to claim 1, wherein the organic solvent is adjusted to reduce a height of the partition during the selection processing time.
【請求項3】 互いに各配向膜(16、25)にて対向
するように配置された両電極基板(10、10A、2
0)と、 これら両電極基板の間に挟持された複数条の隔壁(40
b、90)と、 前記両電極基板の間にて前記複数条の隔壁の間に封入さ
れた液晶(30)とを備える液晶セルにおいて、 前記複数条の隔壁のうち所定部分の隔壁の高さが他の部
分に比べて異なるように設定されていることを特徴とす
る液晶セル。
3. The two electrode substrates (10, 10A, 2A) arranged so as to be opposed to each other by respective alignment films (16, 25).
0) and a plurality of partition walls (40) sandwiched between these two electrode substrates.
b, 90), and a liquid crystal (30) sealed between the plurality of electrode substrates and between the plurality of barrier ribs. Wherein the liquid crystal cell is set to be different from other parts.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2003042754A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-22 Fujitsu Display Technologies Corporation Method for manufacturing liquid crystal display
WO2006098182A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate, display panel, display, and method for producing such substrate

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