JP2000105363A - 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来例に比べて格段に明るい表示が可能であ
り、且つ、階調反転が生じることなく表示を行うことが
できる液晶表示装置の提供を目的とする。 【解決手段】 散乱モードの液晶表示装置において、観
察方向を、液晶層の透過状態時に液晶層から前方側へ出
射される光の出射方向と異なる方向に設定し、この観察
方向から観察した場合、印加電圧が０Ｖから上昇するに
連れて輝度レベルが初期レベルから一旦上昇してピーク
値に達し、その後は略０レベルまで下降していくような
電圧−輝度特性を有する。そして、この輝度−電圧特性
における輝度レベルがピーク値となる電圧値Ｖｐと、輝
度レベルが略０レベルとなる電圧値Ｖ２との範囲を、駆
動電圧範囲とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶層を散乱状態
と透過状態とに切り替えて表示を行う散乱モードの液晶
表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の散乱モードの液晶表示装置の典
型的な従来例としては、斜め光を入射する透過型の液晶
表示装置や、反射板を利用する反射型液晶表示装置など
が知られている。このような従来例では、初期の散乱状
態での明るさが決まるため、明るい表示が得られないと
いう問題があった。また、従来例の散乱モードの液晶表
示装置では、中間調表示を行う場合に階調反転が生じる
という問題があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
問題点は、散乱型液晶表示装置において、本質的なもの
ではなく、むしろ輝度−電圧特性の認識に誤りがあった
ことに起因していることが、本発明者の実験結果により
判明した。即ち、例えばノーマリホワイトの場合を例と
して挙げると、この場合の輝度−電圧特性は、一般的に
は図２３に示すように、電圧無印加時において輝度が最
大レベルであり、電圧印加時には０Ｖから電圧が僅かに
上昇する範囲までは輝度が上記の最大レベルを維持し、
それ以降の電圧上昇により輝度レベルは急激に低下して
いき、略０レベルに達するものと考えられていた。しか
し、本発明者の実験結果によれば、実際の電圧−輝度特
性は図２３に示す特性ではなく、図３に示すように電圧
印加により輝度レベルにピーク値が存在するような特性
であることが判明した。よって、従来例の散乱モードの
液晶表示装置では、実際の電圧−輝度特性とは異なる電
圧−輝度特性に基づいて、表示を行なっていたため、十
分な輝度が得られず、また、階調反転が生じていたもの
と考えられる。そこで、本発明者は、図３に示す電圧−
輝度特性に基づいて表示を行なうことにより、上記の課
題を解決することができる液晶表示装置を発明するに至
った。

【０００４】本発明は、従来例に比べて格段に明るい表
示が可能であり、且つ、階調反転が生じることなく表示
を行うことができる液晶表示装置の提供を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明は、液晶層を散乱状態と透過状態と
に切り替えて表示を行う散乱モードの液晶表示装置にお
いて、所定の観察方向から観察した場合に、液晶層の散
乱状態と透過状態との変化過程中に輝度レベルにピーク
値が存在するような輝度−電圧特性を有し、前記輝度−
電圧特性における輝度レベルがピーク値となる電圧値
と、輝度レベルが略０レベルとなる電圧値との範囲を、
駆動電圧範囲とすることを特徴とする。上記構成によれ
ば、輝度−電圧特性にピーク輝度が存在することから、
このピーク輝度となる電圧値と、輝度が略０％となる電
圧値との範囲を、駆動電圧範囲とすれば、従来例に比べ
て高い輝度、即ち明るい表示が可能となる。また、上記
範囲を駆動電圧範囲とすることにより、輝度−電圧特性
にピーク輝度が存在しないことになり、従来例のように
輝度−電圧特性にピーク輝度が存在することに起因した
階調反転を防止することができる。また、請求項２の発
明は、液晶層を散乱状態と透過状態とに切り替えて表示
を行う散乱モードの液晶表示装置において、前記散乱モ
ードが、電圧無印加時に散乱状態で明状態表示となるノ
ーマリホワイトであり、所定の観察方向から観察した場
合に、印加電圧が０Ｖから上昇するに連れて輝度レベル
が初期レベルから一旦上昇してピーク値に達し、その後
は略０レベルまで下降していくような電圧−輝度特性を
有し、前記輝度−電圧特性における輝度レベルがピーク
値となる電圧値と、輝度レベルが略０レベルとなる電圧
値との範囲を、駆動電圧範囲とすることを特徴とする。
上記構成によれば、従来例よりも明るい表示が可能で、
且つ、階調反転を防止することができるノーマリホワイ
トの液晶表示装置を実現できる。また、請求項３の発明
は、液晶層を散乱状態と透過状態とに切り替えて表示を
行う散乱モードの液晶表示装置において、前記散乱モー
ドが、電圧無印加時に透過状態で暗状態表示となるノー
マリブラックであり、所定の観察方向から観察した場合
に、印加電圧が０Ｖから閾値電圧に達するまで輝度が略
０レベルであり、印加電圧が閾値電圧を超えると印加電
圧の上昇に連れて、輝度レベルが上昇してピーク値に達
し、その後は下降していく電圧−輝度特性を有し、前記
輝度−電圧特性における輝度レベルが０レベルから変化
し始める前記閾値電圧値と、輝度レベルがピーク値とな
る電圧値との範囲を、駆動電圧範囲とすることを特徴と
する。上記構成によれば、従来例よりも明るい表示が可
能で、且つ、階調反転を防止することができるノーマリ
ブラックの液晶表示装置を実現できる。また、請求項４
の発明は、請求項２の発明であって、前記輝度−電圧特
性における輝度レベルのピーク値が複数存在し、それぞ
れのピーク値となる電圧値のうち、最も高い電圧値と、
前記輝度レベルが略０レベルとなる電圧値との範囲を、
駆動電圧範囲とすることを特徴とする。

【０００６】また、請求項５の発明は、請求項３の発明
であって、前記輝度−電圧特性における輝度レベルのピ
ーク値が複数存在し、前記輝度レベルが０レベルから変
化し始める前記閾値電圧値と、前記それぞれのピーク値
となる電圧値のうち、最も低い電圧値との範囲を、駆動
電圧範囲とすることを特徴とする。

【０００７】また、請求項６の発明は、請求項１の発明
であって、前記観察方向が、液晶層の透過状態時に液晶
層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方向に
設定されていることを特徴とする。

【０００８】また、請求項７の発明は、請求項２の発明
であって、前記観察方向が、液晶層の透過状態時に液晶
層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方向に
設定されていることを特徴とする。

【０００９】また、請求項８の発明は、請求項３の発明
であって、前記観察方向が、液晶層の透過状態時に液晶
層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方向に
設定されていることを特徴とする。

【００１０】また、請求項９の発明は、請求項２の発明
であって、バイアス駆動されることを特徴とする。

【００１１】また、請求項１０の発明は、請求項３の発
明であって、バイアス駆動されることを特徴とする。

【００１２】また、請求項１１の発明は、請求項９の発
明であって、前記バイアス駆動におけるバイアス電圧を
調整し得るように構成されていることを特徴とする。

【００１３】また、請求項１２の発明は、請求項１０の
発明であって、前記バイアス駆動におけるバイアス電圧
を調整し得るように構成されていることを特徴とする。

【００１４】また、請求項１３の発明は、請求項１の発
明であって、前記輝度−電圧特性の変化に応じて、駆動
電圧が前記駆動電圧範囲になるように調整する駆動電圧
調整手段を備えたことを特徴とする。

【００１５】また、請求項１４の発明は、請求項２の発
明であって、前記輝度−電圧特性の変化に応じて、駆動
電圧が前記駆動電圧範囲になるように調整する駆動電圧
調整手段を備えたことを特徴とする。

【００１６】また、請求項１５の発明は、請求項３の発
明であって、前記輝度−電圧特性の変化に応じて、駆動
電圧が前記駆動電圧範囲になるように調整する駆動電圧
調整手段を備えたことを特徴とする。

【００１７】また、請求項１６の発明は、請求項１３の
発明であって、前記輝度レベルのピーク値にほぼ対応す
る電圧を検出する検出手段を備えるとともに、前記駆動
電圧調整手段は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整
するように構成されていることを特徴とする。

【００１８】また、請求項１７の発明は、請求項１４の
発明であって、前記輝度レベルのピーク値にほぼ対応す
る電圧を検出する検出手段を備えるとともに、前記駆動
電圧調整手段は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整
するように構成されていることを特徴とする。

【００１９】また、請求項１８の発明は、請求項１５の
発明であって、前記輝度レベルのピーク値にほぼ対応す
る電圧を検出する検出手段を備えるとともに、前記駆動
電圧調整手段は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整
するように構成されていることを特徴とする。

【００２０】また、請求項１９の発明は、請求項１３の
発明であって、液晶表示装置の使用状態の温度を検出す
る検出手段を備えるとともに、上記駆動電圧調整手段
は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整するように構
成されていることを特徴とする。

【００２１】また、請求項２０の発明は、請求項１４の
発明であって、液晶表示装置の使用状態の温度を検出す
る検出手段を備えるとともに、上記駆動電圧調整手段
は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整するように構
成されていることを特徴とする。

【００２２】また、請求項２１の発明は、請求項１５の
発明であって、液晶表示装置の使用状態の温度を検出す
る検出手段を備えるとともに、上記駆動電圧調整手段
は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整するように構
成されていることを特徴とする。

【００２３】また、請求項２２の発明は、請求項１の発
明であって、前記液晶層の前方側から入射する光を、反
射させて前方側に出射させる反射板が、前記液晶層の背
後側に備えられていることを特徴とする。

【００２４】また、請求項２３の発明は、請求項２の発
明であって、前記液晶層の前方側から入射する光を、反
射させて前方側に出射させる反射板が、前記液晶層の背
後側に備えられていることを特徴とする。

【００２５】また、請求項２４の発明は、請求項３の発
明であって、前記液晶層の前方側から入射する光を、反
射させて前方側に出射させる反射板が、前記液晶層の背
後側に備えられていることを特徴とする。上記構成によ
れば、従来例よりも明るい表示が可能で、且つ、階調反
転を防止することができる反射型の液晶表示装置を実現
できる。また、請求項２５の発明は、請求項１の発明で
あって、前記液晶層の背後側に光源が備えられ、光源か
らの斜め方向の光が液晶層を通過して前方側に出射する
ことを特徴とする。

【００２６】また、請求項２６の発明は、請求項２の発
明であって、前記液晶層の背後側に光源が備えられ、光
源からの斜め方向の光が液晶層を通過して前方側に出射
することを特徴とする。

【００２７】また、請求項２７の発明は、請求項３の発
明であって、前記液晶層の背後側に光源が備えられ、光
源からの斜め方向の光が液晶層を通過して前方側に出射
することを特徴とする。上記構成によれば、従来例より
も明るい表示が可能で、且つ、階調反転を防止すること
ができる透過型の液晶表示装置を実現できる。また、請
求項２８の発明は、請求項１の発明であって、アクティ
ブマトリクス駆動により表示を行なうことを特徴とす
る。

【００２８】また、請求項２９の発明は、請求項２の発
明であって、アクティブマトリクス駆動により表示を行
なうことを特徴とする。

【００２９】また、請求項３０の発明は、請求項３の発
明であって、アクティブマトリクス駆動により表示を行
なうことを特徴とする。上記構成によれば、従来例より
も明るい表示が可能で、且つ、階調反転を防止すること
ができるアクティブマトリクス型の液晶表示装置を実現
できる。また、請求項３１の発明は、請求項１の発明で
あって、単純マトリクス駆動により表示を行なうことを
特徴とする。

【００３０】また、請求項３２の発明は、請求項２の発
明であって、単純マトリクス駆動により表示を行なうこ
とを特徴とする。

【００３１】また、請求項３３の発明は、請求項３の発
明であって、単純マトリクス駆動により表示を行なうこ
とを特徴とする。上記構成によれば、従来例よりも明る
い表示が可能で、且つ、階調反転を防止することができ
る単純マトリクス型の液晶表示装置を実現できる。ま
た、請求項３４の発明は、液晶層を散乱状態と透過状態
とに切り替えて表示を行う散乱モードの液晶表示装置の
駆動方法において、バイアス駆動することを特徴とす
る。

【００３２】また、請求項３５の発明は、請求項３４の
発明であって、アクティブ素子アレイによるアクティブ
駆動を行うことを特徴とする。

【００３３】また、請求項３６の発明は、請求項３４の
発明であって、前記バイアス駆動が、対向反転駆動であ
ることを特徴とする。

【００３４】また、請求項３７の発明は、請求項３４の
発明であって、前記バイアス駆動が、フローティングゲ
ート駆動であることを特徴とする。

【００３５】また、請求項３８の発明は、請求項３４の
発明であって、前記バイアス駆動が、容量結合駆動であ
ることを特徴とする。

【００３６】また、請求項３９の発明は、請求項３４の
発明であって、前記バイアス駆動手段が発生する前記所
定の電圧が可変であることを特徴とする。

【００３７】また、請求項４０の発明は、液晶層を散乱
状態と透過状態とに切り替えて表示を行う散乱モードの
液晶表示装置において、所定の観察方向から観察した場
合に、液晶層の散乱状態と透過状態との変化過程中に、
印加電圧が０Ｖにおける輝度レベルよりも高い輝度レベ
ルが存在するような輝度−電圧特性を有することを特徴
とする。

【００３８】また、請求項４１の発明は、請求項４０の
発明であって、前記輝度−電圧特性における、前記印加
電圧が０Ｖにおける輝度レベルよりも高い輝度レベルと
なる電圧値から、輝度レベルが単調減少して略０レベル
となる電圧値までの範囲を、駆動電圧範囲とすることを
特徴とする。

【００３９】また、請求項４２の発明は、請求項４０の
発明であって、液晶表示装置の使用温度に応じて変化す
る、前記印加電圧が０Ｖにおける輝度レベルよりも高い
輝度レベルが、使用温度範囲内で最も高くなるように構
成されていることを特徴とする。

【００４０】また、請求項４３の発明は、請求項４０の
発明であって、液晶表示装置の使用温度に応じて変化す
る、前記印加電圧が０Ｖにおける輝度レベルよりも高い
輝度レベルが、ほぼ室温において最も高くなるように構
成されていることを特徴とする。

【００４１】また、請求項４４の発明は、請求項４０の
発明であって、前記液晶層を構成する液晶材料における
液晶相−等方相相転移温度が、液晶表示装置の使用温度
範囲の上限よりも２０℃以上高いことを特徴とする。

【００４２】また、請求項４５の発明は、請求項４０の
発明であって、前記液晶層を構成する液晶材料における
液晶相−等方相相転移温度が、８０℃以上であることを
特徴とする。

【００４３】また、請求項４６の発明は、請求項１の発
明であって、液晶表示装置の使用温度に応じて変化す
る、前記輝度レベルのピーク値が、使用温度範囲内で最
も高くなるように構成されていることを特徴とする。

【００４４】また、請求項４７の発明は、請求項１の発
明であって、液晶表示装置の使用温度に応じて変化す
る、前記輝度レベルのピーク値が、ほぼ室温において最
も高くなるように構成されていることを特徴とする。

【００４５】また、請求項４８の発明は、請求項１の発
明であって、前記液晶層を構成する液晶材料における液
晶相−等方相相転移温度が、液晶表示装置の使用温度範
囲の上限よりも２０℃以上高いことを特徴とする。

【００４６】また、請求項４９の発明は、請求項１の発
明であって、前記液晶層を構成する液晶材料における液
晶相−等方相相転移温度が、８０℃以上であることを特
徴とする。これらにより、液晶材料の屈折率異方性の大
きさΔｎの温度依存性による影響を少なくして、使用温
度範囲内で高い輝度やコントラストを得ることができ
る。

【００４７】また、請求項５０の発明は、請求項１の発
明であって、前記液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記液晶
層の散乱ゲインをＳＧとした場合に、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ） が成立つことを特徴とする。

【００４８】また、請求項５１の発明は、請求項１の発
明であって、前記液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記液晶
層の散乱ゲインをＳＧ、前記液晶層における液晶材料の
複屈折異方性をΔｎとした場合に、 ５０ｅｘｐ（−１．６Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０
ｅｘｐ（−１．８８Δｎ・ｄ） が成立つことを特徴とする。

【００４９】また、請求項５２の発明は、請求項１の発
明であって、前記液晶層の散乱ゲインが、１０以上、２
００以下であることを特徴とする。

【００５０】また、請求項５３の発明は、請求項１の発
明であって、液晶表示装置の使用温度範囲内における前
記液晶層の散乱ゲインが、１０以上、２００以下である
ことを特徴とする。散乱ゲインとコントラストとの間に
は、図２０に示す相関関係がある。この図２０から明ら
かなように高分子分散型液晶層の厚み（パネルギャップ
に相当する。）ｄ毎に、最大コントラストとなる散乱ゲ
インが存在する。そこで、図２０において、最大コント
ラストの７０％以上の範囲を設定範囲とした場合に、図
２１に示すパネルギャップｄと散乱ゲインとの関係が得
られる。図２１において、ラインＰ１は散乱ゲインの許
容範囲の上限を示し、ラインＰ３は散乱ゲインの許容範
囲の下限を示している。よって、このラインＰ１とライ
ンＰ３との範囲内で散乱ゲインを設定すれば、最大コン
トラストの７０％以上のコントラストが得られることに
なる。ここで、ラインＰ１はＳＧ＝３６０ｅｘｐ（−
０．４７ｄ）であり、ラインＰ３はＳＧ＝５０ｅｘｐ
（−０．４ｄ）である。よって、高分子分散型液晶層の
散乱ゲインＳＧが、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ） を満たすように作製しておけば、最大コントラストの７
０％以上のコントラストが得られ、高輝度及び高コント
ラストの反射型の高分子分散型液晶表示素子が実現され
る。

【００５１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。この実施の形態は、駆動電
圧を適切に設定することによって、高輝度化および高コ
ントラスト化を図ることができるものである。 （実施の形態の概要）図１は実施の形態に係る液晶表示
装置の簡略化した断面図である。本実施の形態に係る液
晶表示装置３０１は、反射型の液晶表示装置である。こ
の液晶表示装置３０１は、下基板３０２と、下基板３０
２に対向する上基板３０３と、アルミニウムから成る反
射板３０４と、反射板３０４と上基板３０３間に配置さ
れた液晶層３０５とを有する。この液晶層３０５は、散
乱状態と透過状態の切り替えにより表示を行う散乱液晶
で構成されている。散乱液晶としては、例えば、高分子
分散型液晶、動的散乱型液晶（ＤＳＭ：dynamic scatte
ring mode ）、コレステリック・ネマテック相転移型液
晶などが例示される。

【００５２】図２は液晶表示装置３０１の表示動作を説
明するための図であり、図３は液晶表示装置３０１の輝
度−電圧特性を示すグラフである。この液晶表示装置３
０１は、電圧無印加時には散乱状態で明状態を示すいわ
ゆるノーマリホワイトの散乱型液晶表示装置である。こ
の液晶表示装置の表示動作について説明すると、電圧無
印加時、即ち印加電圧が０Ｖのときは、液晶層３０５は
散乱モードとなっているため、図２（ａ）に示すように
入射光Ｌ１が反射板３０４により前面側に反射され、こ
の反射光は、散乱光となる。このときの散乱状態はすべ
ての方向について均一に散乱（等方散乱）するため、便
宜上散乱状態を紙面を含む平面内において模式的に示す
と参照符号Ａ１で示すように真円となる。ここで、観察
方向Ｍ１を、液晶層３０５の透過状態時に液晶層から前
方側へ出射される出射光（正反射光に相当する）Ｌ２の
出射方向と異なる方向〔（図２（ｄ）〕に設定するもの
とする。即ち、正反射光のみを避けて見ることを、観察
条件とする。従って、このような観察条件は、液晶表示
画面の観察態様としては、特に不自然なものではない。

【００５３】このような観察方向Ｍ１から観察すると、
散乱光の一部が観察方向Ｍ１と一致し、これにより、明
状態の表示となる。この図２（ａ）に示す状態を輝度−
電圧特性で示すと、図３に示すように輝度がほぼ４０％
程度となる。

【００５４】次いで、印加電圧が０Ｖから上昇していく
と、散乱状態は低下していく。ところが、散乱状態が低
下していくと、反射光は一定方向に収束すべく、散乱範
囲が徐々に小さくなっていき、参照符号Ａ２で示すよう
に楕円散乱状態となる。従って、一定の観察方向Ｍ１に
一致する反射光量が徐々に大きくなる。そして、印加電
圧がＶｐ（＝２．５Ｖ）に達すると、観察方向Ｍ１に一
致する反射光量が最大となり、図３に示すように最大輝
度７０％が得られる。

【００５５】そして、印加電圧がＶｐを超えると、収束
方向（反射光Ｌ２の方向）に向けて散乱範囲が更に小さ
くなり、反射光は一定の観察方向Ｍ１からずれていくこ
とになる。そのため、輝度は、図３に示すように印加電
圧の増加に連れて減少していく。そして、印加電圧がＶ
１（＝４Ｖ）のとき、輝度は初期の電圧無印加時の輝度
４０％よりも小さい３５％程度まで低下する。そして、
印加電圧がＶ２（＝６．５Ｖ）のときは図２（ｄ）に示
す状態となり、輝度は図３に示すように略０％となる。

【００５６】尚、上記の図３に示す輝度−電圧特性は、
液晶表示装置３０１が以下の条件下、本発明者が実験し
て得られたものである。

【００５７】セル厚： ９μｍ 入射光の入射角度θ１：３０度 観察方向と基板に対して垂直方向との成す角度（視角）
θ２：１５度 このようにして、散乱モードの液晶表示装置３０１で
は、電圧無印加時における輝度Ｉが、電圧印加により一
旦輝度が上昇し、ピーク値Ｉｐ（＝７０）に達し、その
後は減少していき、最終的には略０％となることが理解
される。よって、本実施の形態に係る液晶表示装置３０
１では、輝度がピーク値Ｉｐとなる電圧値Ｖｐに印加電
圧を設定すれば、最大輝度を得ることができる。よっ
て、本実施の形態に係る液晶表示装置を駆動するに際し
ては、最大輝度に対応する電圧値Ｖｐと略最低輝度とな
る電圧値Ｖ２の範囲（この実施の形態では２．５Ｖ〜
６．５Ｖの範囲）を駆動範囲とすることにより、従来例
よりも明るい表示が可能となる。また、上記駆動範囲で
駆動することにより、電圧−輝度特性にピークが存在し
ないことになり、階調反転が生じることが防がれる。な
お、最低輝度となる電圧値Ｖ２は、６．５Ｖに限定され
るものではなく、略０％の輝度となる電圧値であれば、
充分である。また、上記の実施の形態では、電圧無印加
時に完全散乱状態となっていたけれども、本発明はこれ
に限定されるものではなく、電圧無印加時において、少
なくとも、図２（ｂ）に示す楕円散乱状態よりも完全散
乱に近い楕円散乱状態となるような散乱強度を有する液
晶表示装置であれば十分である。

【００５８】（その他の事項） （１）上記実施の形態では、反射型の液晶表示装置につ
いて説明したけれども、透過型の液晶表示装置について
も本発明は好適に実施することができる。

【００５９】（２）また、バイアス電圧による駆動方
式、例えば対向反転駆動、容量結合駆動、さらにはＦＧ
（フローティングゲート）駆動についても本発明は好適
に実施することができる。

【００６０】（３）更に、本発明は、散乱モードの液晶
表示装置であれば、アクティブマトリクス型、単純マト
リクス型のいずれの液晶表示装置にも好適に実施するこ
とができる。

【００６１】なお、上記（１）〜（３）の具体的内容
は、以下において詳細に説明する。 （実施の形態１）以下、実施の形態１について、より具
体的に説明する。

【００６２】図４は実施の形態１に係る高分子分散型の
液晶表示装置３０１Ａの断面図である。上記実施の形態
の概要で説明した液晶表示装置に対応する部分には同一
の参照符号を付す。この液晶表示装置３０１Ａは、液晶
層３０５Ａを構成する散乱型液晶として、高分子分散型
液晶を用いて構成されている。この液晶表示装置３０１
Ａを、一般的な方法で製造した。即ち、表面に反射板３
０４が形成されたガラス基板（下基板３０２に相当）
と、ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板（上基板３０３
に相当）とを、シール剤を介して貼り合わせ、空セルを
製作する。次いで、前記空セル内に液晶と高分子の混合
溶液（例えば、大日本インキ株式会社製ＰＮＭ２０１）
を真空注入法で注入した。その後、高圧水銀ランプを用
いて、照射強度２０ｍＷ／ｃｍ²で６０秒間紫外線を照
射し、高分子の光重合により、液晶と高分子を相分離さ
せ散乱型の液晶層３０５Ａを作製した。尚、セル厚は９
μｍとした。

【００６３】次いで、上記構成の液晶表示装置３０１Ａ
の電圧−輝度特性を、入射角度θ１：３０度、視角θ
２：１５度の条件下で、測定したところ図３と同様な曲
線が得られた。従って、高分子分散型の液晶表示装置３
０１Ａにおいて、最大輝度に対応する電圧値Ｖｐと最低
輝度に対応する電圧値Ｖ２の範囲（２．５Ｖ〜６．５Ｖ
の範囲）で駆動することにより、従来例よりも明るい表
示が可能となり、また、階調反転を防止することができ
ることが認められる。

【００６４】なお、上記のような範囲の電圧で駆動する
ためには、例えば０Ｖ〜上限の電圧まで出力し得る駆動
回路によって上記範囲の電圧を発生させるようにしても
よいが、上限と下限の電圧の差の電圧を発生する駆動回
路と、下限の電圧を発生するバイアス回路とを用いるよ
うにしてもよい。後者の場合には、駆動回路が出力する
電圧の絶対値が低くなるので、駆動回路を構成するトラ
ンジスタとして耐圧の低いものを用いることなどができ
る。 （実施の形態２）図５は実施の形態２に係る液晶表示装
置の断面図である。この実施の形態２では、カラー表示
のアクティブマトリクス型の液晶表示装置３０１Ｂの例
が示されている。液晶表示装置３０１Ｂの主たる構成要
素を説明すると、下基板として、アクティブマトリクス
基板３１０が使用され、このアクティブマトリクス基板
３１０上には、アモルファスシリコンから成る薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）３１１が形
成されている。このアクティブマトリクス基板３１０に
対向して、対向電極としてのＩＴＯ電極３１２が形成さ
れた対向基板３１３が配置されている。また、このＩＴ
Ｏ電極３１２の内側表面には、カラーフィルタ３１４及
びブラックマトリクス３１５が形成されている。尚、図
５において、３１６は例えばアルミニウムなどから成る
反射画素電極である。

【００６５】上記の液晶表示装置３０１Ｂを用いて対向
反転駆動を行なう際に、対向反転駆動のために印加され
るバイアス電圧値を、輝度−電圧特性のピーク輝度に対
応する電圧値Ｖｐとすれば、図３の駆動範囲で駆動する
ことになり、最も明るい表示が可能となる。本発明者が
実際に約２〜３Ｖのバイアス電圧を印加し、対向反転駆
動を行なったところ、電圧無印加時よりも明るい表示が
得られた。また、中間調表示の場合、階調反転がなく、
表示品位も良好であった。

【００６６】比較のため、バイアス電圧を０Ｖで表示し
た場合（通常の駆動）、実施の形態２よりも暗い表示状
態であった。また、中間調表示を行なった場合、白レベ
ルの階調が反転してしまい、表示品位が大幅に損なわれ
た。これは、以下の理由によるものと考えられる。即
ち、バイアス電圧を０Ｖとした場合には、この０Ｖでの
明るさよりも約２〜３Ｖの印加電圧の場合の方が輝度が
大きいため、０Ｖでの輝度に基づいて設定した白レベル
よりも、さらに白レベルがアップするので、白レベルの
階調が反転してしまうからである。

【００６７】上記例では、対向反転駆動について説明し
たけれども、バイアス電圧を印加するＦＧ（フローティ
ングゲート）駆動（電気情報通信学会論文誌：1991年 1
23 P47）や、容量結合駆動（フラットパネルディスプレ
イ：1993年 P128)についても同様に適用することが可能
である。 （実施の形態３）本発明は、反射型液晶表示装置に限ら
ず、透過型液晶表示装置にも適用することができる。具
体的な構成としては、実施の形態２の反射画素電極３１
６に代えて、ＩＴＯなどの透明電極とし、バックライト
を基板の背後側に設けられるように構成すればよい。

【００６８】このような透過型液晶表示装置について、
バックライトからの入射光の入射角θ１を３０度、視角
θ２を１５度として、電圧−輝度特性を測定したとこ
ろ、図３と同様な輝度−電圧曲線が得られた。また、上
記実施の形態２と同様に、所定の大きさのバイアス電圧
を印加することで、明るい表示が得られた。また、中間
調表示を行なったけれども、階調反転が生じることはな
かった。 （実施の形態４）実施の形態４に係る液晶表示装置は、
電圧無印加時には透過状態で暗表示状態を示す、いわゆ
るノーマリブラックの散乱型液晶表示装置である。実施
の形態４に係る液晶表示装置を、アクティブマトリクス
基板を用いて特開平９−８１７６３０号公報に記載の方
法により製造した。なお、セル厚は１５μｍとした。

【００６９】上記方法により製造された液晶表示装置に
ついて、入射光の入射角度θ１＝３０度、視角θ２＝１
５度の条件で輝度−電圧特性を測定したところ、図３に
示す曲線を反転させたような図６に示す曲線が得られ
た。即ち、印加電圧が０Ｖから閾値電圧Ｖth（＝１．８
Ｖ）に達するまで輝度が略０レベルであり、印加電圧が
閾値電圧Ｖthを超えると印加電圧の上昇に連れて、輝度
レベルが上昇してピーク値Ｉｐ（輝度レベル７０％）に
達し、その後は下降していく輝度−電圧特性であった。
尚、ピーク値Ｉｐに対応する電圧値 Ｖｐは５Ｖであっ
た。

【００７０】このような図６に示す輝度−電圧特性が得
られる理由を、以下に説明する。ノーマリブラックの場
合、散乱状態はノーマリホワイトの場合と逆であること
から、反射光の散乱状態は、基本的には図２（ｄ）→図
２（ｃ）→図２（ｂ）→図２（ａ）の過程を経ることに
なる。よって、輝度−電圧特性として、図６に示す曲線
が得られたものである。

【００７１】このように、ノーマリブラックの場合につ
いても、ノーマリホワイトの場合と同様に輝度−電圧特
性に、ピーク値Ｉｐが存在している。よって、ノーマリ
ブラックの場合の液晶表示装置において、最大輝度に対
応する電圧値Ｖｐ（＝５Ｖ）と閾値電圧値Ｖth（＝１．
８Ｖ）の範囲で駆動すれば、従来よりも明るい表示が可
能となり、また、階調反転の発生を防止できる。 （実施の形態５）この実施の形態５では、本発明を、単
純マトリクス基板を使用した単純マトリクス型の液晶表
示装置に適用した。この液晶表示装置において、電圧平
均化法に基づく単純マトリクス駆動を行なうに際して、
走査電極がＯＮ期間（走査線選択期間）における走査電
極電圧ＶD と信号電極電圧ＶS の和（ＶD ＋ＶS ）が画
素電極電圧（ＶD ＋ＶS ）を上記のピーク輝度に対応す
る電圧値となるように設定しておけば、充分な明るさの
表示を行なうことが可能である。なぜなら、画素電極電
圧（ＶD ＋ＶS ）を上記のピーク輝度に対応する電圧値
に設定することにより、実質的には図３に示す電圧−輝
度特性における電圧範囲（Ｖｐ〜Ｖ２）で駆動すること
になるからである。

【００７２】尚、参考までに本発明者が、上記実施の形
態１〜４の液晶表示装置を用いて電圧平均化法に基づく
疑似的な単純マトリクス駆動を行なった。この結果、単
純マトリクス駆動でも充分な表示品位を得ることができ
た。また、走査線数も１６まではきれいな表示となっ
た。（電圧輝度特性のガンマ特性を急峻化させること
で、さらに走査線数を増加させることが可能になる。）
なお、「疑似的な単純マトリクス駆動」とは、一対の基
板が単純マトリクス基板用ではないが、単純マトリクス
基板とみなして駆動を行なったことを意味する。 （実施の形態６）図７は実施の形態６に係る反射型液晶
表示装置において使用した反射板の斜視図であり、図８
は図７の断面図である。この実施の形態６では、「リト
ロリフレクタ」を反射板３２０として使用した。ここで
「リトロリフレクタ」とは、入ってきた光をその入射方
向に反射する特徴を有する反射板を意味する。この反射
板３２０を使用すると、光源方向に非常に強い反射が発
生する。しかし、非常に特殊な使用条件でない限り、光
源方向と観察方向とは一致しない。観察者が光源方向に
存在すると、観察者の影ができるためである。よって、
反射光を光源側に返しても実用上は何等問題がない。そ
こで、上記反射板３２０を使用することにより、反射光
を避けて見ることになり、本発明における輝度−電圧特
性の観察条件を充足することができる。従って、このよ
うな実施の形態６に係る反射型液晶表示装置においても
また、最大輝度となる電圧値Ｖｐと最低輝度となる電圧
値の範囲で駆動すれば、従来よりも明るい表示が可能と
なり、また、階調反転の発生を防止できる。 （実施の形態７）液晶表示装置における輝度−電圧特性
の温度依存性、およびその最適化について説明する。

【００７３】前記実施の形態１で示した液晶表示装置
（ただしセルギャップは７μｍ）について、輝度−電圧
特性の温度変化を測定したところ、図９に示すようにな
った。また、輝度がピークになる電圧を温度に対してプ
ロットしたものを図１０に示す。

【００７４】これらの図から解るように、輝度がピーク
になる電圧は使用温度に応じてシフトする。このような
輝度−電圧特性の温度依存性は、例えば液晶材料の屈折
率異方性の大きさΔｎが温度によって変化することなど
に起因する。そこで、種々の使用温度において高い輝度
およびコントラストを得るためには、駆動電圧範囲を使
用温度に応じて調整することが好ましい。この場合、駆
動電圧範囲の上下限ともに調整するようにしてもよい
が、特に、駆動電圧範囲における高輝度側（図９におい
ては低電圧側）の電圧は、最高輝度やコントラスト、階
調反転の有無に与える影響が大きいため、少なくとも高
輝度側の電圧を調整することが、より好ましい。

【００７５】上記のような調整は、手動で行うようにし
てもよいが、例えば図１１に示すように、液晶表示装置
３３１の表示領域３３２の近傍に温度センサ３３３を設
けるとともに、上記温度センサ３３３にＡ／Ｄ変換回路
３３４を介して接続されたメモリ３３５に上記温度セン
サ３３３の出力に応じた駆動電圧範囲の上下限電圧を示
すデータをあらかじめ保持させておき、駆動回路３３６
が上記メモリ３３５から読み出されたデータに基づいた
駆動電圧範囲の電圧を出力するようにするなどしてもよ
い。

【００７６】また、例えば図１２に示すように、液晶表
示装置３４１の表示領域３４２の近傍に輝度検出領域３
４２ａを形成するとともに、Ａ／Ｄ変換回路３４４に接
続されたフォトセンサ３４３を設け、制御回路３４５の
制御により駆動回路３４６に駆動電圧をスキャンさせて
輝度がピークとなる電圧を検出し、検出結果に基づいて
バイアス電圧を求めるようにしてもよい。

【００７７】なお、上記のような輝度がピークとなる電
圧の検出は、装置の電源投入時に行うようにしてもよい
し、画像表示に与える影響が問題とならない場合などに
は、表示動作中に常時、または定期的に行うようにして
もよい。また、温度の検出は、装置の電源投入時にだけ
行うようにしてもよいが、画像表示に影響を与えること
はないので、表示動作中に常時、または定期的に行うよ
うにすればよい。 （実施の形態８）上記実施の形態７で説明した輝度−電
圧特性の温度依存性は、セルギャップの大きさや液晶滴
の粒径などによって異なったものとなる。具体的には、
例えば、セルギャップの大きさが７μｍ、１２μｍ、ま
たは３μｍの場合の輝度−電圧特性の温度依存性は、そ
れぞれ、図９、図１３、図１４のようになり、ほぼ２０
℃、６０℃、０℃のときにピーク輝度が最高になる。こ
のようにピーク輝度が最高になる温度が異なるのは、以
下のような理由によると考えられる。すなわち、一般
に、Δｎは高温では小さく、低温では大きくなり、これ
に伴って、散乱強度は高温で小さく、低温で大きくな
る。一方、ピーク輝度が最高になる散乱ゲインの範囲は
セルギャップの大きさなどによって定まり、散乱ゲイン
がこの範囲（最適範囲）より大きくても小さくてもピー
ク輝度は低くなる。それゆえ、上記のように使用温度に
応じて輝度−電圧特性が変化すると考えられる。

【００７８】そこで、例えば０〜６０℃、１０〜４０
℃、２０〜３０℃などの使用温度においてピーク輝度が
最高になるように、セルギャップの大きさや液晶滴の粒
径、所定の温度でのΔｎの大きさなどを適切に設定する
ことによって、高輝度かつ高コントラストな画像を表示
させることができる。

【００７９】また、液晶材料のΔｎは、基本的には温度
依存性が少ないことが好ましい。ここで、Δｎは、一般
に液晶材料が高温側の等方相から液晶相に相転移した時
点から急激に増加する特性を有する。それゆえ、使用温
度範囲でのΔｎの温度依存性の影響を低減するために
は、液晶材料の相転移温度が高いことが好ましい。そこ
で、本発明者が種々検討した結果、相転移温度が使用温
度範囲の上限よりも１５℃程度以上、好ましくは２０°
程度以上高ければ、使用上問題ないことがわかった。ま
た、相転移温度が８０℃以上であれば、材料的な制限は
大きくなるが、使用上はやはり問題ないことがわかっ
た。 （実施の形態９）輝度−電圧特性は、例えば液晶層を保
持する１対の基板に非対称な表面処理を施した場合など
には、例えば図１５に示すように複数の輝度のピークが
生じることがあった。このような場合には、電圧が高い
ほうの輝度のピークが生じる電圧から輝度がほぼ０レベ
ルとなる電圧にかけて輝度が単調減少する範囲の電圧を
駆動電圧範囲とすれば、階調反転等を生じることなく、
また、γ補正によって階調性の良好な画像を表示するこ
とが容易にできる。 （実施の形態１０）以下、本発明の実施の形態１０につ
いて図面に基づいて説明する。この実施の形態は、散乱
ゲインや、液晶の屈折率異方性の大きさと液晶層の厚さ
との積などを適切に設定することによって、高輝度化お
よび高コントラスト化を図ることができるものである。

【００８０】図１６は本発明の実施の形態１０に係る液
晶表示素子１０１の簡略化した断面図である。液晶表示
素子１０１は、反射型の液晶表示素子であり、ノーマリ
ホワイトモードの液晶表示素子である。液晶表示素子１
０１は、アレイ基板１０２と、アレイ基板１０２に対向
して配置される対向基板１０３と、アレイ基板１０２と
対向基板１０３との間に配置された高分子分散型液晶層
１０４とを有する。アレイ基板１０２及び対向基板１０
３は、例えばガラスから成る透明な基板である。このア
レイ基板１０２上には、ソースライン１０６、反射性を
有する金属から成る反射画素電極１０５、及び画素スイ
ッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が
形成されている。反射画素電極１０５は、アルミニウム
（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）等から成る。これらソ
ースライン１０６、反射画素電極１０５及びＴＦＴ等
は、絶縁膜１０７により覆われている。前記対向基板１
０３の内側面には、透明な対向電極１０９と、絶縁膜１
１０とがこの順序で積層状に形成されている。

【００８１】また前記高分子分散型液晶層１０４は、高
分子１１１中に液晶滴１１２が分散された構造とされ、
液晶滴１１２内の液晶は誘電率異方性が正のものが用い
られている。

【００８２】ここで、高分子分散型液晶層１０４は、そ
の散乱ゲインＳＧが、以下の第１式の関係を満たしてい
る。ここで、散乱ゲインＳＧは、ＳＧ＝（パネル輝度／
パネル照度）×πで定義されるものであり、散乱ゲイン
が大きいと散乱性が小さく、散乱ゲインが小さいと散乱
性が大きいことを意味する。なお、散乱ゲインは、緑色
光に対する散乱ゲインを用いた。

【００８３】 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄ） …（１） ｄは高分子分散型液晶層１０４の層厚（以下、パネルギ
ャップと称する。）である。

【００８４】上記のように高分子分散型液晶層１０４の
散乱ゲインが第１式を満たすように設定することによ
り、従来例に比べて格段に高輝度及び高コントラストの
反射型液晶表示素子を実現できる。なお、散乱ゲイン
は、例えば屈折率異方性の大きさΔｎとパネルギャップ
ｄとの積Δｎｄや、液晶滴の大きさなどにより設定する
ことができるが、これらに関しては後に詳述する。

【００８５】また、上記第１式を満たすことによって高
輝度、高コントラストが得られるのは、液晶滴１１２内
の液晶における室温での屈折率異方性の大きさΔｎが概
ね０．２５の場合であるが、Δｎの値が大幅に異なる場
合、例えば多く用いられる液晶材料のΔｎの値（例えば
概ね０．１５以上、０．２７以下程度）の場合などで
も、下記第１’式を満たすように設定することによって
高輝度、高コントラストを得ることができる。

【００８６】 ５０ｅｘｐ（−１．６Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ（−１．８８Δ ｎ・ｄ） …（１’） なお、上記第１式や第１’式を満たす散乱ゲインＳＧの
値は、一般的な液晶材料、パネルギャップなどのパネル
条件においては、例えば１０℃以上、６０℃以下の使用
温度範囲内では、概ね１０以上、２００以下程度であ
る。

【００８７】以下に、本発明に係る液晶表示素子の動作
を説明しつつ、上記の理由を述べることにする。

【００８８】図１７は反射型液晶表示素子の表示動作を
説明するための図である。図１７を参照して、表示動作
を説明すると、電圧ＯＦＦ時においては、図１７（ａ）
に示すように、液晶滴１１２内の液晶は、配向軸が互い
に３次元ランダムな方位にあり、そのため、液晶と高分
子１１３との屈折率差によりパネルは散乱状態を示す。
このときパネルの入射光１２０は、散乱光１２１となり
白表示が得られる。一方、電圧ＯＮ時には、図１７
（ｂ）に示すように、液晶滴１１２内の液晶は、ほぼパ
ネルギャップ方向に配向する。そのため、液晶と周囲の
高分子１１３との屈折率マッチングによりパネルは透明
状態となる。したがって、入射光１２０は散乱を受け
ず、反射画素電極で反射されて正反射光１２２としてパ
ネルから放出される。このとき、観察者１２５の方向に
は光が放出されずパネルは黒表示が得られる。

【００８９】ところで、上記表示動作を有する高分子分
散型液晶表示素子の電圧・反射率特性は、図１８に示さ
れている。この図１８の特性は、本発明者の実験結果に
より得られたものである。尚、測定条件は、入射光の入
射角度θ１＝３０°、測定角度θ２＝１５°（図１７
（ｂ）参照）とした。この測定条件は、反射型液晶表示
素子の標準の見方に対応させたものである。

【００９０】図１８から明らかなように、印加電圧の増
加に従い、反射率は上昇していきピーク値に達した後、
減少する。即ち、反射型の高分子分散型液晶表示素子
は、その電圧・反射率特性においてピーク反射率が存在
する。このようなピーク反射率の存在は、本発明者の実
験結果により初めて見出されたものである。

【００９１】ここで、ピーク反射率が存在するのは、以
下の原理によると考えられる。図１９を参照して、その
原理を説明する。図１９において、電圧無印加時（図１
８のＡ点に相当）のパネルの散乱状況を散乱方位分布１
３０で示し、反射率が最大となるとき（図１８のＢ点に
相当）の散乱状況を散乱方位分布１３１で示し、さらに
電圧を印加した場合（図１８のＣ点に相当）の散乱状況
を散乱方位分布１３２で示した。ノーマリホワイトモー
ドの高分子分散型パネルの場合、電圧印加に伴い散乱は
弱くなり入射光の正反射方向に散乱方位分布が伸びる。
このとき、図１９の観察者１２５の位置からは、散乱方
位分布１３０より散乱方位分布１３１の方が反射率が高
い。また、さらに電圧を印加すると、ほぼ正反射方向に
収束した散乱方位分布１３２となり、観察者１２５方向
の反射率は減少する。このため電圧・反射率特性の反射
率にピークが発生する。本発明者は、かかる電圧・反射
率特性に着目して、ピーク反射率での輝度レベルを白輝
度とすることで、すなわち、輝度レベルがピークとなる
電圧値と、輝度レベルがほぼ０レベルとなる電圧値との
範囲、または輝度が上記ピークから単調減少する電圧値
の範囲を駆動電圧範囲とすることにより、高輝度化及び
高コントラスト化を図ることができることを見出した。

【００９２】なお、従来、電圧・反射率特性においてピ
ーク反射率が存在するようなモードは知られていなかっ
た。これは、斜め方向からの入射光に対して、パネル正
面に反射する光を測定して、電圧・反射率特性を得てい
たこと、更には、透過型の場合に散乱ゲインＳＧは１〜
２程度に設定されていたことから、反射型についても散
乱ゲインは同程度の散乱ゲインのものが使用されてお
り、そのためピーク反射率が小さく、ピーク反射率の存
在が認識され得るものではなかったものと考えられる。

【００９３】ここで、図１８を参照して、散乱ゲインと
電圧・反射率特性の関係について説明する。従来の黒色
吸収板を用いる反射型の液晶表示素子では、散乱ゲイン
ＳＧは１〜２程度である。これは、一般に透過型液晶表
示素子においては、散乱状態（初期状態）において完全
散乱を得るために、ＳＧ＝１程度に設定されており、反
射型の液晶表示素子においても、完全散乱を得ることに
より高輝度及び高コントラストが実現できるものとの考
えにより、散乱ゲインがＳＧ＝１程度に設定されている
のが実情である。ところが、本発明者の実験結果によれ
ば、上記したように電圧・反射率特性において、ピーク
反射率（ピーク輝度に相当）が存在しており、ＳＧ＝１
の場合の電圧・反射率特性は、図１８のラインＭ１で示
される。従って、ＳＧ＝１に設定されている従来例で
は、実際には、電圧無印加状態（印加電圧０Ｖの場合）
よりも、輝度レベルが大きい場合が存在する。なお、Ｓ
Ｇ＝１の場合、液晶分子が基板に対して垂直状態となっ
ても、斜め光については、高分子と液晶の屈折率が異な
ることから、反射率が０％からかなり離れた値に収束す
る。このような状態であっても、黒色吸収板を用いるの
で、黒レベルでは黒色吸収板の黒が写るので、反射率は
０％でなくても十分な黒レベルが得られる。しかしなが
ら、コントラストが高くない。

【００９４】一方、他の条件にもよるが、例えばパネル
ギャップが比較的大きい場合において、ＳＧ＝１００の
場合の電圧・反射率特性は、図１８のラインＭ２で示さ
れる。即ち、電圧増加に従って、反射率は初期状態から
若干上昇した後、減少していき、ほぼ０％に収束する。
これは、散乱ゲインが大きい場合（即ち、散乱性が小さ
い場合）には、斜めからの光に対しても散乱性の変化は
小さいと考えられる。従って、ピーク反射率も小さくな
ると考えられる。一方、散乱性が本来的に小さいので、
電圧上昇により反射率がほぼ０％に収束する。こうし
て、散乱ゲインは小さくても、大きすぎても、高輝度及
び高コントラストが得られない。高輝度化及び高コント
ラスト化を達成するためには、最適な散乱ゲインが存在
することが認められる。本発明者の実験結果によれば、
約１０〜２０程度の散乱ゲインが最適値である。従っ
て、そのような最適な散乱ゲインに設定することによ
り、図１８のラインＭ３で示される特性が得られ、高輝
度化及び高コントラスト化を達成できる。

【００９５】一方、所定のコントラストが得られる散乱
ゲインは、パネルギャップと相関関係があり、最適な散
乱ゲインを得るためには、パネルギャップの値を考慮す
る必要がある。そこで、具体的に最適な散乱ゲインを求
めるため、様々な散乱性能を有する高分子分散型液晶パ
ネルの評価を行い、その結果、図２０に示す散乱ゲイン
とコントラストとの関係を得た。なお、散乱ゲインは、
透過型パネルで測定した散乱ゲインを用いた。また、コ
ントラストは上記電圧・反射率特性の場合と同様の測定
条件（入射光の入射角度θ１＝３０°、測定角度θ２＝
１５°）で測定した結果を用いた。図２０から明らかな
ように、コントラストが最大となる散乱ゲインが存在
し、しかも該散乱ゲインはパネルギャップで異なること
が認められる。このことは、パネルギャップを或る値に
設定すれば、最大コントラストを得るための散乱ゲイン
が決定されることを意味する。ここで、本発明に係る液
晶表示素子としては、最大コントラストの７０％以上の
コントラストが得られることが望ましく、最大コントラ
ストの７０％以上のコントラストを得る散乱ゲインの範
囲を求めることにした。尚、従来例の反射型パネルのコ
ントラストは、通常１０程度であり、大きい場合でも１
５程度である。従って、最大コントラストの７０％以上
であれば、従来例に比べて格段に高コントラスト化が実
現できることになる。

【００９６】最大コントラストの７０％以上のコントラ
ストを得る散乱ゲインの範囲は、具体的には以下の手順
で求めた。即ち、各パネルギャップｄに関する散乱ゲイ
ン−コントラスト特性（図２０において、ｄ＝４．５μ
ｍの場合の特性を参照符号Ｌ１で、ｄ＝７μｍの場合の
特性を参照符号Ｌ２で、ｄ＝１０μｍの場合の特性を参
照符号Ｌ３で示している。）において、最大コントラス
トの７０％のコントラスト（図２０においてラインｍ
１、ｍ２、ｍ３がｄ＝４．５μｍ、７μｍ、１０μｍの
場合の最大コントラストの７０％のラインを示してい
る）を得る散乱ゲインを求め、この値を順次プロットす
ることにより図２１に示すパネルギャップと散乱ゲイン
との関係を得た。具体的に説明すれば、図２０の点Ａ
１，Ａ２，Ａ３；Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３；Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３
を図２１にプロットした。次いで、図２１のパネルギャ
ップと散乱ゲインとの関係から最適な散乱ゲインの範囲
を算出した。

【００９７】ここで、図２１のラインＰ１は許容範囲上
限を示し、ラインＰ２は最適コントラストの範囲を示
し、ラインＰ３は許容範囲下限を示す。従って、図２１
の特性より、最適な散乱ゲインＳＧの範囲は、ラインＰ
１とラインＰ３の範囲にあればよいことが認められる。
ここで、ラインＰ１を関数表示すれば、ＳＧ＝３６０ｅ
ｘｐ（−０．４７ｄ）であり、ラインＰ３を関数表示す
れば、ＳＧ＝５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）である。よっ
て、最適な散乱ゲインＳＧの範囲は、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ） を満たせばよいことが理解される。

【００９８】なお、ラインＰ２を関数表示すれば、ＳＧ
＝２６５ｅｘｐ（−０．５ｄ）である。よって、散乱ゲ
インＳＧを２６５ｅｘｐ（−０．５ｄ）に設定すれば、
そのパネルギャップにおける最大コントラストが得られ
ることになる。

【００９９】また、本発明者の実験により、最大コント
ラストとパネルギャップとの間には、図２２に示す関係
があることが認められた。この図２２より、パネルギャ
ップが小さいほど最大コントラストは高い。しかしなが
ら、パネルギャップが３μｍ未満の場合には、実際に均
一に作製することが困難である。一方、パネルギャップ
が８μｍを超えると、駆動電圧が増加するため、反射型
パネルとしては不適切である。よって、パネルギャップ
ｄは３μｍ以上、８μｍ以下に設定するのが望ましい。 （実施の形態１０のより具体的な例）上記実施の形態１
０のより具体的な例について説明する。

【０１００】図１６に示す液晶表示素子１０１を以下の
方法で作製した。ガラスから成る透明基板上に、ＴＦＴ
素子、ソースライン１０６、アルミニウムから成る反射
画素電極１０５等を形成してアレイ基板１０２とした。
このとき、反射画素電極１０５は平坦な鏡面反射板とし
た。また、対向基板１０３上に透明な対向電極１０９等
を形成した。次いで、上下の基板１０２，１０３をパネ
ルギャップ５μｍで貼り合わせた。次に基板１０２，１
０３間に高分子分散型液晶材料（商品名：ＰＮＭ２０
１、大日本インキ化学工業製）を真空注入した。そし
て、高分子分散型液晶材料が真空注入されたパネルに、
紫外線を照射し材料を重合させて高分子分散型液晶パネ
ルを作成した。

【０１０１】形成したパネルの電圧・反射率特性を測定
しパネル評価を行った。これにより図１８の特性が得ら
れた。次に液晶粒径とパネルギャップを変えたパネルを
多数作成し、散乱ゲインとコントラストの関係を評価し
た。これにより図２０の特性が得られた。なお、このと
き反射型パネルの場合と同材料を用いて、同粒径、同パ
ネルギャップの高分子分散液晶層を透過型パネルで別途
作成し、散乱ゲインをパネル透過光から評価した。ここ
で、コントラストは極角３０°方向から光を入射したと
きの極角１５°方向のピーク反射率の値と最大印加電圧
時の輝度から求めた。

【０１０２】また、図２０から図２１に示す最適な散乱
ゲインの範囲とパネルギャップの関係を得た。このとき
の最適範囲は、最大コントラストの７０％以上が実現で
きる範囲である。図２０より散乱ゲインＳＧが、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ） を満たすときに高コントラストが得られることが解る。
このときのｄ（μｍ）はパネルギャップである。また、
ＳＧ＝２６５ｅｘｐ（−０．５ｄ）を満たすとコントラ
ストを最大とすることができる。具体的には、パネルギ
ャップが４．５μｍの場合、最適な散乱ゲインは１０〜
４０程度の範囲に存在する。またゲイン２５でコントラ
ストは最大５５程度が得られた。また、図２２に示すよ
うにコントラストの最大値はパネルギャップで異なり、
３μｍ以上、８μｍ以下であればコントラスト３０以上
と極めて良好な表示が得られる。

【０１０３】なお、上記の例では、散乱ゲインの最適な
範囲を求めるためのコントラストを最大コントラストの
７０％以上としたが、これは必要に応じて、例えば最大
コントラストの５０％以上など所定のコントラストを用
いてもよい。最大コントラストの５０％以上の場合に
は、散乱ゲインの最適な範囲は、前記７０％以上の場合
と同様に図２０より、 ３７ｅｘｐ（−０．３７ｄ）＜ ＳＧ ＜ ２７５ｅｘ
ｐ（−０．３１ｄ）、 または ３７ｅｘｐ（−１．４８Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ２７
５ｅｘｐ（−１．２４Δｎ・ｄ） となる。

【０１０４】また、最大コントラストの９０％の場合に
は、 １７７ｅｘｐ（−０．５２ｄ）＜ ＳＧ ＜ ２２９ｅ
ｘｐ（−０．４１ｄ） 、または １７７ｅｘｐ（−２．０８Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ２
２９ｅｘｐ（−１．６４Δｎ・ｄ） となる。

【０１０５】さらに具体的には、例えばパネルギャップ
が３μｍで最大コントラストの７０％以上の場合は、最
適な散乱ゲインの範囲は、１５以上、１０８以下で、最
適な散乱ゲインは８０である。

【０１０６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来より
も明るい表示が可能で、階調反転のない表示品位の向上
した散乱型の液晶表示装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態の概要に係る液晶表示装置３０１の
簡略化した断面図である。

【図２】実施の形態の概要に係る液晶表示装置３０１の
表示動作を説明するための図である。

【図３】実施の形態の概要に係る液晶表示装置３０１の
輝度−電圧特性を示すグラフである。

【図４】実施の形態１に係る液晶表示装置３０１Ａの簡
略化した断面図である。

【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置３０１Ｂの簡
略化した断面図である。

【図６】実施の形態４に係る液晶表示装置の輝度−電圧
特性を示すグラフである。

【図７】実施の形態６に係る反射型液晶表示装置におい
て使用した反射板の斜視図である。

【図８】図７の断面図である。

【図９】実施の形態７に係る液晶表示装置の輝度−電圧
特性の温度変化を示す図である。

【図１０】実施の形態７に係る液晶表示装置の輝度がピ
ークになる電圧の温度変化を示す図である。

【図１１】実施の形態７に係る温度センサを備えた液晶
表示装置の構成を示すブロック図である。

【図１２】実施の形態７に係るフォトセンサを備えた液
晶表示装置の構成を示すブロック図である。

【図１３】実施の形態８に係る液晶表示装置の輝度がピ
ークになる電圧の温度変化を示す図である。

【図１４】実施の形態８に係る液晶表示装置の輝度がピ
ークになる電圧の温度変化を示す図である。

【図１５】実施の形態９に係る液晶表示装置の輝度−電
圧特性を示す図である。

【図１６】本発明の実施の形態１０に係る液晶表示素子
１０１Ａの簡略化した断面図である。

【図１７】液晶表示素子１０１Ａの表示原理を説明する
ための図である。

【図１８】液晶表示素子１０１Ａの電圧・反射率特性を
示す図である。

【図１９】液晶表示素子１０１Ａの散乱特性を示す図で
ある。

【図２０】散乱ゲインとコントラストの関係を示す図で
ある。

【図２１】許容できるコントラストを実現するのに必要
な散乱ゲインのパネルギャップ依存性を示す図である。

【図２２】パネルギャップと最大コントラストの関係を
示す図である。

【図２３】従来の液晶表示装置の輝度−電圧特性を示す
グラフである。

【符号の説明】

Ｍ１ 観察方向 Ｌ１ 入射光 Ｌ２ 反射光 １０１ 液晶表示素子 １０２ アレイ基板 １０３ 対向基板 １０４ 高分子分散型液晶層 １０５ 反射画素電極 １０６ ソースライン １０７ 絶縁膜 １０９ 対向電極 １１０ 絶縁膜 １１１ 高分子 １１２ 液晶滴 １１３ 高分子 １２０ 入射光 １２１ 散乱光 １２２ 正反射光 １２５ 観察者 １３０ 散乱方位分布 １３１ 散乱方位分布 １３２ 散乱方位分布 ３０１ 液晶表示装置 ３０２ 下基板 ３０３ 上基板 ３０４ 反射板 ３０５ 液晶層 ３１０ アクティブマトリクス基板 ３１２ ＩＴＯ電極 ３１３ 対向基板 ３１４ カラーフィルタ ３１５ ブラックマトリクス ３１６ 反射画素電極 ３２０ 反射板 ３３１ 液晶表示装置 ３３２ 表示領域 ３３３ 温度センサ ３３４ Ａ／Ｄ変換回路 ３３５ メモリ ３３６ 駆動回路 ３４１ 液晶表示装置 ３４２ 表示領域 ３４２ａ 輝度検出領域 ３４３ フォトセンサ ３４４ Ａ／Ｄ変換回路 ３４５ 制御回路 ３４６ 駆動回路

Claims (53)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】液晶層を散乱状態と透過状態とに切り替え
   て表示を行う散乱モードの液晶表示装置において、 所定の観察方向から観察した場合に、液晶層の散乱状態
   と透過状態との変化過程中に輝度レベルにピーク値が存
   在するような輝度−電圧特性を有し、 前記輝度−電圧特性における輝度レベルがピーク値とな
   る電圧値と、輝度レベルが略０レベルとなる電圧値との
   範囲を、駆動電圧範囲とすることを特徴とする液晶表示
   装置。
2. 【請求項２】液晶層を散乱状態と透過状態とに切り替え
   て表示を行う散乱モードの液晶表示装置において、 前記散乱モードが、電圧無印加時に散乱状態で明状態表
   示となるノーマリホワイトであり、 所定の観察方向から観察した場合に、印加電圧が０Ｖか
   ら上昇するに連れて輝度レベルが初期レベルから一旦上
   昇してピーク値に達し、その後は略０レベルまで下降し
   ていくような電圧−輝度特性を有し、 前記輝度−電圧特性における輝度レベルがピーク値とな
   る電圧値と、輝度レベルが略０レベルとなる電圧値との
   範囲を、駆動電圧範囲とすることを特徴とする液晶表示
   装置。
3. 【請求項３】液晶層を散乱状態と透過状態とに切り替え
   て表示を行う散乱モードの液晶表示装置において、 前記散乱モードが、電圧無印加時に透過状態で暗状態表
   示となるノーマリブラックであり、 所定の観察方向から観察した場合に、印加電圧が０Ｖか
   ら閾値電圧に達するまで輝度が略０レベルであり、印加
   電圧が閾値電圧を超えると印加電圧の上昇に連れて、輝
   度レベルが上昇してピーク値に達し、その後は下降して
   いく電圧−輝度特性を有し、 前記輝度−電圧特性における輝度レベルが０レベルから
   変化し始める前記閾値電圧値と、輝度レベルがピーク値
   となる電圧値との範囲を、駆動電圧範囲とすることを特
   徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】前記輝度−電圧特性における輝度レベルの
   ピーク値が複数存在し、それぞれのピーク値となる電圧
   値のうち、最も高い電圧値と、前記輝度レベルが略０レ
   ベルとなる電圧値との範囲を、駆動電圧範囲とすること
   を特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】前記輝度−電圧特性における輝度レベルの
   ピーク値が複数存在し、前記輝度レベルが０レベルから
   変化し始める前記閾値電圧値と、前記それぞれのピーク
   値となる電圧値のうち、最も低い電圧値との範囲を、駆
   動電圧範囲とすることを特徴とする請求項３に記載の液
   晶表示装置。
6. 【請求項６】前記観察方向が、液晶層の透過状態時に液
   晶層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方向
   に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の液
   晶表示装置。
7. 【請求項７】前記観察方向が、液晶層の透過状態時に液
   晶層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方向
   に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の液
   晶表示装置。
8. 【請求項８】前記観察方向が、液晶層の透過状態時に液
   晶層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方向
   に設定されていることを特徴とする請求項３に記載の液
   晶表示装置。
9. 【請求項９】バイアス駆動されることを特徴とする請求
   項２記載の液晶表示装置。
10. 【請求項１０】バイアス駆動されることを特徴とする請
    求項３記載の液晶表示装置。
11. 【請求項１１】前記バイアス駆動におけるバイアス電圧
    を調整し得るように構成されていることを特徴とする請
    求項９記載の液晶表示装置。
12. 【請求項１２】前記バイアス駆動におけるバイアス電圧
    を調整し得るように構成されていることを特徴とする請
    求項１０記載の液晶表示装置。
13. 【請求項１３】前記輝度−電圧特性の変化に応じて、駆
    動電圧が前記駆動電圧範囲になるように調整する駆動電
    圧調整手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の液
    晶表示装置。
14. 【請求項１４】前記輝度−電圧特性の変化に応じて、駆
    動電圧が前記駆動電圧範囲になるように調整する駆動電
    圧調整手段を備えたことを特徴とする請求項２記載の液
    晶表示装置。
15. 【請求項１５】前記輝度−電圧特性の変化に応じて、駆
    動電圧が前記駆動電圧範囲になるように調整する駆動電
    圧調整手段を備えたことを特徴とする請求項３記載の液
    晶表示装置。
16. 【請求項１６】前記輝度レベルのピーク値にほぼ対応す
    る電圧を検出する検出手段を備えるとともに、前記駆動
    電圧調整手段は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整
    するように構成されていることを特徴とする請求項１３
    に記載の液晶表示装置。
17. 【請求項１７】前記輝度レベルのピーク値にほぼ対応す
    る電圧を検出する検出手段を備えるとともに、前記駆動
    電圧調整手段は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整
    するように構成されていることを特徴とする請求項１４
    に記載の液晶表示装置。
18. 【請求項１８】前記輝度レベルのピーク値にほぼ対応す
    る電圧を検出する検出手段を備えるとともに、前記駆動
    電圧調整手段は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整
    するように構成されていることを特徴とする請求項１５
    に記載の液晶表示装置。
19. 【請求項１９】液晶表示装置の使用状態の温度を検出す
    る検出手段を備えるとともに、上記駆動電圧調整手段
    は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整するように構
    成されていることを特徴とする請求項１３に記載の液晶
    表示装置。
20. 【請求項２０】液晶表示装置の使用状態の温度を検出す
    る検出手段を備えるとともに、上記駆動電圧調整手段
    は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整するように構
    成されていることを特徴とする請求項１４に記載の液晶
    表示装置。
21. 【請求項２１】液晶表示装置の使用状態の温度を検出す
    る検出手段を備えるとともに、上記駆動電圧調整手段
    は、上記検出結果に応じて駆動電圧を調整するように構
    成されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶
    表示装置。
22. 【請求項２２】前記液晶層の前方側から入射する光を、
    反射させて前方側に出射させる反射板が、前記液晶層の
    背後側に備えられていることを特徴とする請求項１に記
    載の液晶表示装置。
23. 【請求項２３】前記液晶層の前方側から入射する光を、
    反射させて前方側に出射させる反射板が、前記液晶層の
    背後側に備えられていることを特徴とする請求項２に記
    載の液晶表示装置。
24. 【請求項２４】前記液晶層の前方側から入射する光を、
    反射させて前方側に出射させる反射板が、前記液晶層の
    背後側に備えられていることを特徴とする請求項３に記
    載の液晶表示装置。
25. 【請求項２５】前記液晶層の背後側に光源が備えられ、
    光源からの斜め方向の光が液晶層を通過して前方側に出
    射することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
    置。
26. 【請求項２６】前記液晶層の背後側に光源が備えられ、
    光源からの斜め方向の光が液晶層を通過して前方側に出
    射することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装
    置。
27. 【請求項２７】前記液晶層の背後側に光源が備えられ、
    光源からの斜め方向の光が液晶層を通過して前方側に出
    射することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装
    置。
28. 【請求項２８】アクティブマトリクス駆動により表示を
    行なうことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
29. 【請求項２９】アクティブマトリクス駆動により表示を
    行なうことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
30. 【請求項３０】アクティブマトリクス駆動により表示を
    行なうことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
31. 【請求項３１】単純マトリクス駆動により表示を行なう
    ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
32. 【請求項３２】単純マトリクス駆動により表示を行なう
    ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
33. 【請求項３３】単純マトリクス駆動により表示を行なう
    ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
34. 【請求項３４】液晶層を散乱状態と透過状態とに切り替
    えて表示を行う散乱モードの液晶表示装置の駆動方法に
    おいて、 バイアス駆動することを特徴とする液晶表示装置の駆動
    方法。
35. 【請求項３５】アクティブ素子アレイによるアクティブ
    駆動を行うことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表
    示装置の駆動方法。
36. 【請求項３６】前記バイアス駆動が、対向反転駆動であ
    ることを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置の
    駆動方法。
37. 【請求項３７】前記バイアス駆動が、フローティングゲ
    ート駆動であることを特徴とする請求項３４に記載の液
    晶表示装置の駆動方法。
38. 【請求項３８】前記バイアス駆動が、容量結合駆動であ
    ることを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置の
    駆動方法。
39. 【請求項３９】前記バイアス駆動におけるバイアス電圧
    が可変であることを特徴とする請求項３４に記載の液晶
    表示装置の駆動方法。
40. 【請求項４０】液晶層を散乱状態と透過状態とに切り替
    えて表示を行う散乱モードの液晶表示装置において、 所定の観察方向から観察した場合に、液晶層の散乱状態
    と透過状態との変化過程中に、印加電圧が０Ｖにおける
    輝度レベルよりも高い輝度レベルが存在するような輝度
    −電圧特性を有することを特徴とする液晶表示装置。
41. 【請求項４１】前記輝度−電圧特性における、前記印加
    電圧が０Ｖにおける輝度レベルよりも高い輝度レベルと
    なる電圧値から、輝度レベルが単調減少して略０レベル
    となる電圧値までの範囲を、駆動電圧範囲とすることを
    特徴とする請求項４０記載の液晶表示装置。
42. 【請求項４２】液晶表示装置の使用温度に応じて変化す
    る、前記印加電圧が０Ｖにおける輝度レベルよりも高い
    輝度レベルが、使用温度範囲内で最も高くなるように構
    成されていることを特徴とする請求項４０記載の液晶表
    示装置。
43. 【請求項４３】液晶表示装置の使用温度に応じて変化す
    る、前記印加電圧が０Ｖにおける輝度レベルよりも高い
    輝度レベルが、ほぼ室温において最も高くなるように構
    成されていることを特徴とする請求項４０記載の液晶表
    示装置。
44. 【請求項４４】前記液晶層を構成する液晶材料における
    液晶相−等方相相転移温度が、液晶表示装置の使用温度
    範囲の上限よりも２０℃以上高いことを特徴とする請求
    項４０記載の液晶表示装置。
45. 【請求項４５】前記液晶層を構成する液晶材料における
    液晶相−等方相相転移温度が、８０℃以上であることを
    特徴とする請求項４０記載の液晶表示装置。
46. 【請求項４６】液晶表示装置の使用温度に応じて変化す
    る、前記輝度レベルのピーク値が、使用温度範囲内で最
    も高くなるように構成されていることを特徴とする請求
    項１記載の液晶表示装置。
47. 【請求項４７】液晶表示装置の使用温度に応じて変化す
    る、前記輝度レベルのピーク値が、ほぼ室温において最
    も高くなるように構成されていることを特徴とする請求
    項１記載の液晶表示装置。
48. 【請求項４８】前記液晶層を構成する液晶材料における
    液晶相−等方相相転移温度が、液晶表示装置の使用温度
    範囲の上限よりも２０℃以上高いことを特徴とする請求
    項１記載の液晶表示装置。
49. 【請求項４９】前記液晶層を構成する液晶材料における
    液晶相−等方相相転移温度が、８０℃以上であることを
    特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
50. 【請求項５０】前記液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記液
    晶層の散乱ゲインをＳＧとした場合に、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
    （−０．４７ｄ） が成立つことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
    置。
51. 【請求項５１】前記液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記液
    晶層の散乱ゲインをＳＧ、前記液晶層における液晶材料
    の複屈折異方性をΔｎとした場合に、 ５０ｅｘｐ（−１．６Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０
    ｅｘｐ（−１．８８Δｎ・ｄ） が成立つことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
    置。
52. 【請求項５２】前記液晶層の散乱ゲインが、１０以上、
    ２００以下であることを特徴とする請求項１記載の液晶
    表示装置。
53. 【請求項５３】液晶表示装置の使用温度範囲内における
    前記液晶層の散乱ゲインが、１０以上、２００以下であ
    ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。