JP2000100795A - プラズマ反応装置 - Google Patents
プラズマ反応装置Info
- Publication number
- JP2000100795A JP2000100795A JP10272124A JP27212498A JP2000100795A JP 2000100795 A JP2000100795 A JP 2000100795A JP 10272124 A JP10272124 A JP 10272124A JP 27212498 A JP27212498 A JP 27212498A JP 2000100795 A JP2000100795 A JP 2000100795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abnormal discharge
- higher harmonic
- detecting
- detector
- compounds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体回路を製造するためのドライエッチング
装置およびＣＶＤ装置に関する。現在知られる各種プラ
ズマ反応装置は、異常放電の検出を反射波電力量により
検出しているが、局所的な異常放電または短い時間の異
常放電は検出できないという問題点があった。 【解決手段】上部電極１と下部電極２の間にガスを導入
し高周波電源３により高周波を印可するとウエハ５をエ
ッチングすることができる。ここで、印可高周波の第３
次高調波成分および第５次高調波成分の強度で異常放電
を検出することにより局所的な異常放電または短い時間
の異常放電を検出可能とする。
装置およびＣＶＤ装置に関する。現在知られる各種プラ
ズマ反応装置は、異常放電の検出を反射波電力量により
検出しているが、局所的な異常放電または短い時間の異
常放電は検出できないという問題点があった。 【解決手段】上部電極１と下部電極２の間にガスを導入
し高周波電源３により高周波を印可するとウエハ５をエ
ッチングすることができる。ここで、印可高周波の第３
次高調波成分および第５次高調波成分の強度で異常放電
を検出することにより局所的な異常放電または短い時間
の異常放電を検出可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体回路
を製造するためのドライエッチング装置およびＣＶＤ装
置に関するものである。
を製造するためのドライエッチング装置およびＣＶＤ装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在知られる各種プラズマ反応装置は、
異常放電の検出を反射波電力量により検出している。異
常放電が発生して十分な放電が維持できなくなると反射
波電力量は増加する。
異常放電の検出を反射波電力量により検出している。異
常放電が発生して十分な放電が維持できなくなると反射
波電力量は増加する。
【０００３】しかし、局所的な異常放電または短い時間
の異常放電は検出できないという問題点があった。
の異常放電は検出できないという問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の請求項
１は局所的な異常放電または短い時間の異常放電を検出
することを目的としたものである。
１は局所的な異常放電または短い時間の異常放電を検出
することを目的としたものである。
【０００５】請求項２記載の発明は、請求項１の発明の
目的に加えて反応室の汚れを検出することを目的とした
ものである。
目的に加えて反応室の汚れを検出することを目的とした
ものである。
【０００６】記載項３記載の発明は、請求項１の発明の
目的に加えて部品の劣化を検出することを目的としたも
のである。
目的に加えて部品の劣化を検出することを目的としたも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】これらを解決する方法は
高周波電力を供給するための伝線路に電圧または電流を
検出するための検出器を設置し、その第３次高調波成分
および第５次高調波成分を監視することである。
高周波電力を供給するための伝線路に電圧または電流を
検出するための検出器を設置し、その第３次高調波成分
および第５次高調波成分を監視することである。
【０００８】異常放電時は供給側と負荷側のインピィー
ダンス整合が取れていないため相反する波が発生し奇数
高調波が増加する。特に第３次高調波成分および第５次
高調波成分が増加する。
ダンス整合が取れていないため相反する波が発生し奇数
高調波が増加する。特に第３次高調波成分および第５次
高調波成分が増加する。
【０００９】この成分が基準値より高くなった場合、異
常放電として検出できる。
常放電として検出できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を、図面に基づいて説明する。
を、図面に基づいて説明する。
【００１１】各図面において、図１はドライエッチング
装置の構造図である。図２は従来の反射波電力を用いた
異常放電の検出概念図である。図３は本発明による異常
放電の検出概念図である。
装置の構造図である。図２は従来の反射波電力を用いた
異常放電の検出概念図である。図３は本発明による異常
放電の検出概念図である。
【００１２】上部電極１と下部電極２の間にガスを導入
し高周波電源３により高周波を印可するとウエハ５をエ
ッチングすることができる。
し高周波電源３により高周波を印可するとウエハ５をエ
ッチングすることができる。
【００１３】従来の方法は、図１の検出器４より出力さ
れる図２の反射波の電力量で異常放電を検出していた。
れる図２の反射波の電力量で異常放電を検出していた。
【００１４】この方法では局所的な異常放電および短い
時間の異常放電を検出することはできない。
時間の異常放電を検出することはできない。
【００１５】本発明は図３に示す印可高周波の第３次高
調波成分および第５次高調波成分の強度で異常放電を検
出することにより局所的な異常放電または短い時間の異
常放電を検出可能とするものである。
調波成分および第５次高調波成分の強度で異常放電を検
出することにより局所的な異常放電または短い時間の異
常放電を検出可能とするものである。
【００１６】さらに電極に反応生成物が堆積するような
処理の場合、図１の反応生成物６の堆積量が多くなると
その部分に異常放電が発生する。
処理の場合、図１の反応生成物６の堆積量が多くなると
その部分に異常放電が発生する。
【００１７】このような異常放電は従来の図２に示す反
射波の電力量では検出できなかった。
射波の電力量では検出できなかった。
【００１８】しかし、図３に示す方法を用いると異常放
電を検出することができ反応室の洗浄時期を正確に検出
できる。
電を検出することができ反応室の洗浄時期を正確に検出
できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明のうち請求項１は、異常放電を早
期に検出することが可能で不良品の発生を未然に防止す
ることができる。
期に検出することが可能で不良品の発生を未然に防止す
ることができる。
【００２０】さらに、請求項２および３記載の発明は処
理室の洗浄時期や部品の劣化時期を正確に検出できるた
め洗浄頻度や交換頻度の最適化が計れ生産コストを削減
できる。
理室の洗浄時期や部品の劣化時期を正確に検出できるた
め洗浄頻度や交換頻度の最適化が計れ生産コストを削減
できる。
【図１】本発明を実施したドライエッチング装置の構成
図である。
図である。
【図２】従来の異常放電を検出する概念図である。
【図３】本発明の異常放電を検出する概念図である。
１ 上部電極 ２ 下部電極 ３ 高周波電源 ４ 電圧および電流検出器 ５ ウエハ ６ 反応生成物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/00 Ｈ０５Ｈ 1/00 Ａ 1/46 1/46 Ｍ Ｆターム(参考） 4K030 FA01 HA16 KA39 4K057 DA16 DA20 DB20 DD00 DM02 DM04 DM40 DN01 5F004 AA16 BA04 BB11 BB18 BD04 BD07 CB05 DB00 5F045 AA08 AF01 BB08 DP01 DP02 EH13 EH19 GB15
Claims (3)
- 【請求項１】高周波電力を供給するための伝線路に電圧
または電流を検出するための検出器を設置しその第３次
高調波成分および第５次高調波成分を監視する。この成
分が基準値より高くなった場合、異常放電として検出で
きる機能を有するプラズマ反応装置。 - 【請求項２】高周波電力を供給するための伝線路に電圧
または電流を検出するための検出器を設置しその第３次
高調波成分および第５次高調波成分を監視する。この成
分が基準値より高くなった場合、処理室の洗浄時期とし
て検出する機能を有するプラズマ反応装置。 - 【請求項３】高周波電力を供給するための伝線路に電圧
または電流を検出するための検出器を設置しその第３次
高調波成分および第５次高調波成分を監視する。この成
分が基準値より高くなった場合、部品の劣化時期として
検出する機能を有するプラズマ反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272124A JP2000100795A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | プラズマ反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272124A JP2000100795A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | プラズマ反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100795A true JP2000100795A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17509434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10272124A Withdrawn JP2000100795A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | プラズマ反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100795A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989073B2 (en) | 1999-03-19 | 2006-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing system for etching a semiconductor by plasma discharge |
| US7217942B2 (en) | 2002-08-22 | 2007-05-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma leak monitoring method, plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2010519683A (ja) * | 2007-02-16 | 2010-06-03 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 高調波を用いたアーク検出装置 |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP10272124A patent/JP2000100795A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989073B2 (en) | 1999-03-19 | 2006-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing system for etching a semiconductor by plasma discharge |
| US7067761B2 (en) | 1999-03-19 | 2006-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing system for etching a semiconductor by plasma discharge |
| US7217942B2 (en) | 2002-08-22 | 2007-05-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma leak monitoring method, plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2010519683A (ja) * | 2007-02-16 | 2010-06-03 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 高調波を用いたアーク検出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100810704B1 (ko) | 플라즈마처리장치의 감시장치 및 감시방법 | |
| US7341644B2 (en) | Method for predicting consumption of consumable part, method for predicting deposited-film thickness, and plasma processor | |
| KR20000006443A (ko) | 에칭방법,클리닝방법,플라즈마처리장치및정합회로 | |
| JP3893276B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003282545A (ja) | 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPH0992491A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| KR20030012856A (ko) | 유도결합 플라즈마 에칭시스템에서의 ｒｆ피크피크전압활성제어장치 및 방법 | |
| JP2000100795A (ja) | プラズマ反応装置 | |
| CN111383893B (zh) | 一种等离子体处理器及等离子体控制方法 | |
| JP2000150478A (ja) | プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置 | |
| JP2001144071A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JPH1074734A (ja) | プラズマ処理装置と半導体装置の製造方法 | |
| US20030102811A1 (en) | Plasma coil | |
| KR20190048413A (ko) | 식각 공정 및 자기 모니터링 기능을 갖는 정전 척 그리고 이를 구비한 식각 공정 설비 | |
| JPH09209179A (ja) | ドライエッチング装置およびそのクリーニング方法 | |
| JPH09266098A (ja) | プラズマ状態検出装置及びその方法並びにエッチング終点検出装置及びその方法 | |
| JP3137810B2 (ja) | マイクロ波プラズマ放電停止検知方法、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2007214176A (ja) | 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置 | |
| KR100501821B1 (ko) | 플라즈마 발생 방법 및 그 장치 | |
| JP3976480B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001250811A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2001093890A (ja) | プラズマエッチング装置及びエッチング方法 | |
| KR20090017855A (ko) | 원격 플라즈마 시스템 및 방법 | |
| JP2002324783A (ja) | 異常放電検出方法 | |
| JP2002151475A (ja) | 薄膜処理モニタリング方法と薄膜処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |