JP2000100687A - 塗布膜形成装置 - Google Patents

塗布膜形成装置

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JP2000100687A
JP2000100687A JP26373198A JP26373198A JP2000100687A JP 2000100687 A JP2000100687 A JP 2000100687A JP 26373198 A JP26373198 A JP 26373198A JP 26373198 A JP26373198 A JP 26373198A JP 2000100687 A JP2000100687 A JP 2000100687A
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JP
Japan
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post
coating film
silicon
plate
temperature
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JP26373198A
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Masahiko Onuma
雅彦 大沼
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】塗布膜厚及び塗布液の変更によるポストベーク
処理温度の変更が容易にできる。 【解決手段】ポストベーク処理をハロゲンランプ加熱で
行うものである。 【効果】ハロゲンランプで加熱する為、塗布膜厚及び塗
布溶液の変更によるポストベーク処理温度の変更が容易
にでき、複数の違った温度によるポストベーク処理が必
要な場合でも、本装置一台で対応が可能で、装置の小型
化及び生産性を高めるという効果を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、塗布膜形成装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の塗布膜形成装置は、主に、カップ
２、ヒーター加熱式ポストベーク装置１２から構成され
る。カップ２は塗布ノズル１１、チャック３から構成さ
れ、ヒーター加熱式ポストベーク装置１２はヒーター
５、ホットプレート４から構成されており、半導体基盤
１上に塗布膜を形成する際には、塗布ノズル１１よりチ
ャック３に置かれた半導体基盤１上に溶液が滴下され
る。その後、前記半導体基盤１を回転させ、前記半導体
基盤１上に塗布膜を形成し、更に溶液内に含まれている
水分や感光基等を除去する為に、ヒーター加熱式ポスト
ベーク装置１２にて前記半導体基盤１にポストベーク処
理を施す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】溶液内に含まれている
水分や感光基等を除去する為のポストベーク処理温度
は、塗布膜厚及び塗布溶液により異なる為、塗布膜厚及
び塗布溶液を変更した際、ホットプレートの温度が設定
温度に達するまで時間を要するという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の塗布膜形成装置
は、塗布膜厚及び塗布溶液の変更によるポストベーク処
理温度の変更に迅速に対応する為に、ランプ加熱式ポス
トベーク処理装置を備えている。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。
【０００６】［実施例１］ポストベーク処理装置には、
塗布膜形成後の半導体基盤１が搬入され、ホットプレー
ト６上に置かれている。半導体基盤１上に塗布された塗
布膜の水分や感光基等を除去する際には、前記半導体基
盤１をランプ加熱式ポストベーク装置１３にて加熱す
る。
【０００７】ランプ加熱式ポストベーク装置１３は、シ
リコンあるいは炭化けい素製のプレート６と前記シリコ
ンあるいは炭化けい素製のプレート６を加熱する為のハ
ロゲンランプ７により構成される。また、前記シリコン
あるいは炭化けい素製のプレート６には、熱電対８が装
着されており、常に処理温度を監視している。または前
記半導体基盤１の裏面に直接熱電対８が接触する構成に
しても良い。
【０００８】前記シリコンあるいは炭化けい素製のプレ
ート６はハロゲンランプ７により加熱されることで、常
温から１０００℃程度まで温度制御が可能であり、塗布
膜厚や塗布溶液に応じた設定温度が容易で、複数の違っ
た温度によるポストベーク処理が必要な場合においても
一台のみで処理が可能である為、装置の小型化や処理時
間の短縮を実現できる。
【０００９】［実施例２］第２図は、本発明の第２の実
施例を示す図である。
【００１０】第2図に示すように石英製プレート９を使
用する以外は、実施例１と同じ構成をしている。
【００１１】この実施例では、石英プレート９を用いる
ことによりハロゲンランプ７の光を透過させ、半導体基
盤１を直接加熱することにより、急温急冷を更に向上さ
せることが可能になる。このとき、前記半導体基盤１は
石英ピン１０により石英製プレート９には接触していな
い。また、熱電対８は前記半導体基盤１の裏面に接触し
ている。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明から、本発明の塗布膜形成装
置では、ポストベーク処理にハロゲンランプを用いるこ
とにより、塗布膜厚及び塗布溶液に応じた温度設定が容
易であり、更に装置の小型化を実現でき、生産性を高め
ることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の塗布膜形成装置の構成図。
【図２】本発明の実施例１におけるポストベーク処理装
置の一構成例を示す断面図。
【図３】本発明の実施例２におけるポストベーク処理装
置の一構成例を示す断面図。
【符号の説明】
１：半導体基盤 ２：カップ ３：チャック ４：ホットプレート ５：ヒーター ６：ＳｉＣまたはシリコン製のプレート ７：ハロゲンランプ ８：熱電対 ９：石英製プレート １０：石英ピン １１：塗布ノズル １２：ヒーター加熱式ポストベーク装置 １３：ランプ加熱式ポストベーク装置

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】塗布絶縁膜形成工程のポストベーク処理に
    おいて、半導体基盤をハロゲンランプにより加熱するこ
    とを特徴とする塗布膜形成装置。
  2. 【請求項２】フォトリソ工程のポストベーク処理におい
    て、半導体基盤をハロゲンランプにより加熱することを
    特徴とする塗布膜形成装置。
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