JP2000100675A - Dummy wafer - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング装
置、ＣＶＤ装置、イオン注入装置、熱処理装置などを用
いて半導体デバイスを作製する際に、各種処理条件の評
価や検査、汚染物質の付着防止などに用いられるダミー
ウェハーに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the evaluation and inspection of various processing conditions when manufacturing a semiconductor device using a sputtering apparatus, a CVD apparatus, an ion implantation apparatus, a heat treatment apparatus, and the like, and prevention of adhesion of contaminants. It relates to the dummy wafer used.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体デバイス
の製造プロセスにおいては、種々の工程でダミーウェハ
ーが使用されている。例えば、半導体デバイスの製造工
程において、スパッタ法をはじめとする各種ＰＶＤ法や
ＣＶＤ法などによる半導体ウェハーへの成膜工程は重要
な位置を占めており、成膜された薄膜には高い均質性が
要求されている。そのため、成膜工程での品質管理や薄
膜の評価が半導体製造プロセスに不可欠な要素となって
いる。2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a semiconductor device such as an LSI or a VLSI, a dummy wafer is used in various steps. For example, in the manufacturing process of semiconductor devices, the film formation process on a semiconductor wafer by various PVD methods such as a sputtering method or the CVD method occupies an important position, and the formed thin film has high homogeneity. Has been requested. For this reason, quality control and thin film evaluation in the film forming process are indispensable elements in the semiconductor manufacturing process.
【０００３】具体的には、成膜工程でダミーウェハーを
用いて、成膜時間やウェハー温度などの成膜条件と、ウ
ェハー上に形成される膜の厚さや組成などとの関係を測
定、評価したり、また膜の純度分析などが行われてい
る。さらに、スパッタリング装置では、例えば新たなタ
ーゲットを使用する際にターゲット面を浄化したり、ま
た装置内にターゲットと同質の膜を形成してパーティク
ルの発生を防止するために、空スパッタ（予備スパッ
タ）が実施されている。このような場合にも、ダミーウ
ェハーが用いられる。More specifically, a dummy wafer is used in a film forming process to measure and evaluate the relationship between film forming conditions such as film forming time and wafer temperature and the thickness and composition of a film formed on a wafer. And the purity analysis of the membrane is performed. Furthermore, in the sputtering apparatus, for example, in order to clean the target surface when using a new target, or to form a film of the same quality as the target in the apparatus and to prevent generation of particles, empty sputtering (preliminary sputtering) Has been implemented. In such a case, a dummy wafer is used.
【０００４】また、イオン注入装置などにおいても、注
入条件やイオンビームのスキャン状態などを評価および
検査するために、ダミーウェハーが用いられている。一
方、熱拡散や酸化膜の形成などに用いられる熱処理装置
においては、例えばボート上に載置された半導体ウェハ
ーに直接ガスがあたって汚染されないように、ダミーウ
ェハーをボートの所定箇所にセットすることが実施され
ている。In addition, a dummy wafer is also used in an ion implantation apparatus or the like in order to evaluate and inspect implantation conditions, an ion beam scanning state, and the like. On the other hand, in a heat treatment apparatus used for thermal diffusion or formation of an oxide film, for example, a dummy wafer is set at a predetermined position of a boat so that a semiconductor wafer placed on the boat is not directly contaminated by gas. Has been implemented.
【０００５】このような半導体デバイスの各種製造工程
で用いられるダミーウェハーとしては、一般的にシリコ
ンウェハーが使用されているが、シリコンウェハーは高
価であると共に、半導体製造プロセスでは多数のダミー
ウェハーが使用されることから、ダミーウェハーとして
のシリコンウェハーを繰り返し用いることが望まれる。
例えば、成膜装置で用いられるダミーウェハーでは、成
膜された膜を研磨やフッ酸、硝酸などの酸洗浄により除
去して再使用している。A silicon wafer is generally used as a dummy wafer used in various manufacturing processes of such a semiconductor device. However, a silicon wafer is expensive and a large number of dummy wafers are used in a semiconductor manufacturing process. Therefore, it is desired to repeatedly use a silicon wafer as a dummy wafer.
For example, in a dummy wafer used in a film forming apparatus, a formed film is removed by polishing or washing with an acid such as hydrofluoric acid or nitric acid and reused.
【０００６】しかし、ダミーウェハーとしてのシリコン
ウェハーは、強度が低いために研磨時に破損したり、ま
た酸処理時に表面が劣化するなどによって、再利用率を
高めることが難しいという問題を有している。However, a silicon wafer as a dummy wafer has a problem that it is difficult to increase a recycling rate due to a low strength, such as being damaged during polishing or a surface being deteriorated during acid treatment. .
【０００７】そこで、シリコンウェハーに代るダミーウ
ェハー材料が検討されている。そのようなダミーウェハ
ーとしては、例えば石英ガラスやガラス状カーボン（特
開平8-316283号公報、同9-139330号公報、同9-139329号
公報参照）、またアルミナ焼結体（特開平5-160240号公
報、同 8-17888号公報参照）、ＳｉＣ焼結体、ムライト
−コージライト複合焼結体（特開平6-263531号公報参
照）、あるいはＳｉＣ焼結体の表面にＣＶＤコーティン
グを施したもの（特開平5-283306号公報参照）などが提
案されている。[0007] Therefore, a dummy wafer material instead of a silicon wafer has been studied. Examples of such a dummy wafer include quartz glass and glassy carbon (see JP-A-8-316283, JP-A-9-139330, and JP-A-9-139329), and alumina sintered body (JP-A-5-193329). JP-A-160240, JP-A-8-17888), a SiC sintered body, a mullite-cordierite composite sintered body (see JP-A-6-263531), or a surface of a SiC sintered body coated with CVD. And the like (see JP-A-5-283306).
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、石英ガ
ラスやガラス状カーボン、またアルミナやＳｉＣなどの
セラミックス材料からなるダミーウェハーは、例えば成
膜装置で使用した際に堆積した膜が剥離しやすいという
問題がある。ダミーウェハーに堆積した膜が剥離する
と、実製造工程でパーティクルなどの発生原因となるた
め、例えば膜の被着面を粗くして膜の剥離を防ぐことが
検討されている。しかし、セラミックス材料や石英ガラ
スなどの表面を粗くすることは困難であり、無理に粗く
しようとすると割れなどが発生しやすいという問題があ
る。However, a dummy wafer made of quartz glass, glassy carbon, or a ceramic material such as alumina or SiC has a problem that a deposited film is liable to peel off when used in a film forming apparatus, for example. There is. If the film deposited on the dummy wafer peels off, it may cause particles and the like in the actual manufacturing process. For example, it has been studied to prevent the film from peeling off by roughening the surface on which the film is deposited. However, it is difficult to roughen the surface of a ceramic material, quartz glass, or the like, and there is a problem that cracking or the like is likely to occur if the surface is forcibly roughened.
【０００９】また、セラミックス材料や石英ガラスなど
は熱衝撃に弱く、繰り返し加熱・冷却が加わる工程で使
用した場合には、破損が発生しやすいという欠点があ
る。さらに、アルミナやＳｉＣなどのセラミックス材料
は、シリコンや石英ガラスなどに比べて比重が高く、そ
の重量により搬送系などに負担を及ぼすという問題を有
している。Further, ceramic materials and quartz glass have a drawback that they are susceptible to thermal shock and are liable to breakage when used in a process in which heating and cooling are repeatedly applied. Furthermore, ceramic materials such as alumina and SiC have a higher specific gravity than silicon and quartz glass, and have a problem that the weight exerts a load on a transport system and the like.
【００１０】このため、ダミーウェハーとして利用する
ためには軽量化する必要があり、ダミーウェハーの厚さ
を薄くすることが試みられている。セラミックス材料は
それ自体が高価であり、ダミーウェハーのコストを低減
するためには繰り返し使用率を高めることが必須である
が、セラミックス材料の薄型化は破損の原因となるた
め、ダミーウェハーの繰り返し使用率を低下させるとい
う根本的な問題が生じてしまう。Therefore, it is necessary to reduce the weight in order to use the dummy wafer, and attempts have been made to reduce the thickness of the dummy wafer. Ceramic materials themselves are expensive, and it is essential to increase the rate of repeated use in order to reduce the cost of dummy wafers. However, thinning ceramic materials can cause damage, so repeated use of dummy wafers The fundamental problem of reducing the rate occurs.
【００１１】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、強度や耐熱衝撃性などに優れ、繰り返
し使用することが可能であると共に、例えば成膜装置で
使用した場合に堆積した膜が剥離しにくく、しかも安価
なダミーウェハーを提供することを目的としている。The present invention has been made to address such problems, and has excellent strength, thermal shock resistance, etc., can be used repeatedly, and has been deposited, for example, when used in a film forming apparatus. It is an object of the present invention to provide an inexpensive dummy wafer in which the film is hardly peeled off.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明のダミーウェハー
は、請求項１に記載したように、実質的に結晶化ガラス
により構成されていることを特徴としている。本発明で
は種々の結晶化ガラスを使用することができ、具体的に
は請求項２に記載したように、曲げ強度が8kg/mm2 以上
の強度を有し、かつ 1×10-7〜 150×10-7／℃の範囲の
熱膨張係数を有する結晶化ガラスが好ましく用いられ
る。A dummy wafer according to the present invention is characterized in that the dummy wafer is substantially made of crystallized glass. In the present invention, various crystallized glasses can be used. Specifically, as described in claim 2, the bending strength has a strength of 8 kg / mm 2 or more, and 1 × 10 −7 to 150 × 10 −7. Crystallized glass having a coefficient of thermal expansion in the range of × 10 -7 / ° C is preferably used.
【００１３】本発明のダミーウェハーは、請求項３に記
載したように、不透明な結晶化ガラスを用いることが好
ましく、また透明もしくは半透明の結晶化ガラスの場合
には、例えば請求項４に記載したように、結晶化ガラス
の表面を光透過防止膜で覆うことが好ましい。The dummy wafer of the present invention is preferably made of an opaque crystallized glass as described in claim 3, and in the case of a transparent or translucent crystallized glass, for example, described in claim 4 As described above, it is preferable to cover the surface of the crystallized glass with the light transmission preventing film.
【００１４】また、本発明のダミーウェハーを成膜工程
で使用する場合には、例えば請求項６に記載したよう
に、結晶化ガラスの表面に平均粗さＲa で 0.1〜10μm
の範囲の凹凸を設けたり、あるいは請求項７に記載した
ように、結晶化ガラスの表面を溶射膜で覆うことが好ま
しい。When the dummy wafer of the present invention is used in a film forming step, for example, as described in claim 6, the surface of the crystallized glass has an average roughness Ra of 0.1 to 10 μm.
It is preferable that the surface of the crystallized glass is covered with a thermal spray film.
【００１５】このような本発明のダミーウェハーは、例
えば請求項９に記載したように、半導体デバイスの製造
工程で用いられる。本発明のダミーウェハーを使用する
具体的な半導体デバイスの製造工程としては、請求項１
０に記載したように、成膜工程、熱処理工程、イオン注
入工程、エッチング工程などが挙げられる。Such a dummy wafer of the present invention is used, for example, in a semiconductor device manufacturing process. Specific steps for manufacturing a semiconductor device using the dummy wafer of the present invention include:
As described in No. 0, a film forming step, a heat treatment step, an ion implantation step, an etching step, and the like can be given.
【００１６】本発明のダミーウェハーは、強度、耐熱
性、耐熱衝撃性、耐食性などに優れ、かつ軽量な結晶化
ガラスからなるため、種々の半導体デバイスの製造工程
においてダミーウェハーの破損や劣化を抑制することが
できる。また、例えば成膜工程で用いた場合には、ダミ
ーウェハーに堆積した膜が剥離しにくく、さらに堆積し
た膜を除去する際の破損や劣化なども抑制することがで
きる。このように、本発明のダミーウェハーは、各種の
製造工程で長期間にわたって良好に繰り返し使用するこ
とができ、またそれ自体の製造コストも安価であるた
め、ダミーウェハーに要するコストを削減することが可
能となる。Since the dummy wafer of the present invention is made of light-weight crystallized glass having excellent strength, heat resistance, thermal shock resistance, corrosion resistance, etc., it is possible to suppress breakage and deterioration of the dummy wafer in various semiconductor device manufacturing processes. can do. In addition, for example, when used in a film forming process, a film deposited on a dummy wafer is difficult to peel off, and damage or deterioration when removing the deposited film can be suppressed. As described above, the dummy wafer of the present invention can be used repeatedly in various manufacturing processes satisfactorily over a long period of time, and the manufacturing cost of the dummy wafer itself is low, so that the cost required for the dummy wafer can be reduced. It becomes possible.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１８】本発明のダミーウェハーは、実質的に結晶
化ガラスにより構成されており、例えば半導体デバイス
の製造プロセスなどにおいて使用されるものである。The dummy wafer of the present invention is substantially composed of crystallized glass, and is used in, for example, a semiconductor device manufacturing process.
【００１９】本発明のダミーウェハーに用いられる結晶
化ガラスとしては、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 、Ｎａ2 Ｏ−Ｍ
ｇＯ−ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−ＢａＯ−ＳｉＯ2 などのケイ
酸塩ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、Ｎａ2
Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 などのアルミノケ
イ酸塩ガラス、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 、ＢａＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 などのホウ酸塩ガラス、Ａｌ2 Ｏ3
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、
ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 などのホウケイ酸塩ガラ
ス、ＭｇＯ−Ｐ2Ｏ5 −ＳｉＯ2 、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3
−Ｐ2 Ｏ5 −ＳｉＯ2 などのリンケイ酸塩ガラスなどが
挙げられる。これら各種の結晶化ガラスは、ダミーウェ
ハーを使用する環境の温度や雰囲気などに応じて適宜選
択して使用される。The crystallized glass used for the dummy wafer of the present invention includes Li 2 O—SiO 2 , Na 2 O-M
gO-SiO 2, PbO-BaO -SiO 2 silicate glass such as, Li 2 O-Al 2 O 3 -SiO 2, Na 2
O-Al 2 O 3 -SiO 2 , MgO-Al 2 O 3 -Si
O 2, BaO-Al 2 O 3 aluminosilicate glass such as -SiO 2, PbO-ZnO-B 2 O 3, BaO-A
l 2 O 3 borate glasses such as -B 2 O 3, Al 2 O 3
—B 2 O 3 —SiO 2 , PbO—B 2 O 3 —SiO 2 ,
ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 borosilicate glass such as, MgO-P 2 O 5 -SiO 2, CaO-Al 2 O 3
Phosphosilicate glass such as —P 2 O 5 —SiO 2 . These various types of crystallized glass are appropriately selected and used in accordance with the temperature and atmosphere of the environment in which the dummy wafer is used.
【００２０】上記した各種の結晶化ガラスのうち、特に
Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス、ＭｇＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 系ガラスのように、熱膨張係数が小さく耐熱衝撃
性に優れる結晶化ガラスは、本発明のダミーウェハーの
構成材料として好適である。Among the above-mentioned various crystallized glasses, Li 2 O—Al 2 O 3 —SiO 2 glass, MgO—A
l 2 O 3 -SiO 2 based glass, BaO-Al 2 O 3 -S
Crystallized glass having a small thermal expansion coefficient and excellent thermal shock resistance, such as iO 2 -based glass, is suitable as a constituent material of the dummy wafer of the present invention.
【００２１】具体的には、 1×10-7〜 150×10-7／℃の
範囲の熱膨張係数を有する結晶化ガラスであれば、十分
に使用すことができる。特に、 2×10-7〜60×10-7／℃
の範囲の熱膨張係数を有する結晶化ガラスを使用するこ
とが好ましく、さらに結晶化ガラスの熱膨張係数は 5×
10-7〜15×10-7／℃の範囲であることが望ましい。この
ような低熱膨張性は、本発明のダミーウェハーを繰り返
し加熱・冷却が加わる工程で使用する場合に有効であ
る。Specifically, any crystallized glass having a coefficient of thermal expansion in the range of 1 × 10 −7 to 150 × 10 −7 / ° C. can be used satisfactorily. In particular, 2 × 10 -7 to 60 × 10 -7 / ℃
It is preferable to use a crystallized glass having a coefficient of thermal expansion in the range of
It is desirable to be in the range of 10 −7 to 15 × 10 −7 / ° C. Such low thermal expansion is effective when the dummy wafer of the present invention is used in a process where heating and cooling are repeatedly applied.
【００２２】また、結晶化ガラスは一般的に強度および
耐熱性に優れ、例えば通常のガラスやシリコンウェハー
の 2倍以上の強度を有し、また通常 700〜 800℃程度の
耐熱性（最大で1250℃程度）を有する。従って、ダミー
ウェハーを例えば成膜工程で使用した場合に、堆積した
膜を研磨や酸洗浄などにより除去する際の破損などが抑
制され、繰り返し使用率を向上させることができる。ダ
ミーウェハーとして用いる結晶化ガラスは、具体的には
曲げ強度で8kg/mm2 以上の強度を有することが好まし
い。耐熱性に優れる結晶化ガラスは、熱拡散や酸化膜形
成のような熱処理工程、あるいは加熱下での成膜工程な
どにおいて、良好に繰り返し使用することができる。Crystallized glass is generally excellent in strength and heat resistance, for example, has twice or more the strength of ordinary glass or silicon wafer, and usually has a heat resistance of about 700 to 800 ° C. (1250 at the maximum). ° C). Therefore, when the dummy wafer is used, for example, in a film forming process, breakage when removing the deposited film by polishing, acid cleaning, or the like is suppressed, and the repetition rate can be improved. Specifically, the crystallized glass used as the dummy wafer preferably has a bending strength of 8 kg / mm 2 or more. Crystallized glass having excellent heat resistance can be favorably used repeatedly in a heat treatment step such as thermal diffusion or oxide film formation, or a film formation step under heating.
【００２３】結晶化ガラスは耐食性にも優れるため、Ｃ
ＶＤ成膜やエッチングなどの腐食性のガスを使用する工
程においても良好に使用することができる。また、上記
したように堆積した膜を酸洗浄により除去する際におい
ても、結晶化ガラスは特性や表面性の劣化などを招くお
それが少ない。この点からもダミーウェハーの繰り返し
使用率を高めることができる。Since crystallized glass is also excellent in corrosion resistance, C
It can be favorably used in a process using a corrosive gas such as VD film formation and etching. In addition, even when the film deposited as described above is removed by acid cleaning, the crystallized glass is less likely to cause deterioration in properties and surface properties. Also from this point, the repetition rate of the dummy wafer can be increased.
【００２４】さらに、結晶化ガラスはアルミナやＳｉＣ
などのセラミックス材料に比べて比重が小さく、シリコ
ンウェハーと同程度の比重（例えば 2.3程度）を有して
いる。従って、結晶化ガラスからなるダミーウェハーは
搬送系などに負担を及ぼすことがなく、半導体デバイス
の製造に使用されるシリコンウェハーなどの半導体ウェ
ハーと同様に扱うことができる。Further, the crystallized glass is made of alumina or SiC.
The specific gravity is smaller than that of ceramic materials, such as silicon wafers, and is about the same as silicon wafers (for example, about 2.3). Therefore, the dummy wafer made of crystallized glass can be handled in the same manner as a semiconductor wafer such as a silicon wafer used for manufacturing a semiconductor device, without imposing a load on a transfer system or the like.
【００２５】結晶化ガラス製のダミーウェハーは、例え
ば現用ラインで使用されているダミーウェハーと同程度
の寸法形状に加工して使用されるが、使用後の再生処理
で破損を防止して繰り返し使用率を向上させるために、
結晶化ガラス製ダミーウェハーの厚さは搬送可能な範囲
で厚くすることが好ましい。具体的には、厚さ 1mm程度
の結晶化ガラスをダミーウェハーとして用いることが好
ましい。このような厚さとしても、上記したように結晶
化ガラスは低比重であるため、搬送系などに負担を及ぼ
すおそれが少ない。The dummy wafer made of crystallized glass is used after being processed into, for example, the same size and shape as the dummy wafer used in the current line. To improve the rate,
It is preferable that the thickness of the crystallized glass dummy wafer be as large as possible within the range in which it can be transported. Specifically, it is preferable to use crystallized glass having a thickness of about 1 mm as the dummy wafer. Even with such a thickness, since the crystallized glass has a low specific gravity as described above, there is little possibility that a load is applied to a transport system or the like.
【００２６】結晶化ガラスは構成成分や製法により、透
明、半透明、あるいは不透明となる。ここで、半導体デ
バイスの製造ラインにおいては、ウェハーの搬送やセッ
トなどの制御を光センサで検知して行うことが多い。こ
のような場合に、不透明な結晶化ガラスは問題となら
ず、そのまま使用することができるが、透明もしくは半
透明の結晶化ガラスでは光センサで検知されない場合が
ある。このため、透明もしくは半透明の結晶化ガラスを
ダミーウェハーとして使用する場合には、表面を粗くし
て光透過を防いだり、また表面に光透過防止用のコーテ
ィングを施すなどして、実質的に不透明化して用いるこ
とが好ましい。光透過防止用のコーティングには、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＴｉＮなどが用い
られる。The crystallized glass becomes transparent, translucent or opaque depending on the constituents and the manufacturing method. Here, in a semiconductor device manufacturing line, control such as transfer and setting of a wafer is often performed by detecting with an optical sensor. In such a case, the opaque crystallized glass does not cause a problem and can be used as it is, but the transparent or translucent crystallized glass may not be detected by the optical sensor. Therefore, when transparent or translucent crystallized glass is used as a dummy wafer, the surface is roughened to prevent light transmission, or the surface is coated with a light transmission preventing coating to substantially reduce the light transmission. It is preferable to use it after making it opaque. For coating to prevent light transmission, Al
2 O 3 , SiO 2 , SiC, AlN, TiN and the like are used.
【００２７】また、ダミーウェハーを成膜工程で使用す
る場合には、その表面に膜が堆積し、この膜が厚くなっ
ても剥離しないような工夫を施すことが好ましい。これ
は堆積した膜が剥離するとパーティクルなどの発生原因
となるためである。When a dummy wafer is used in the film forming process, it is preferable to take measures to prevent a film from being deposited on the surface of the dummy wafer and not peeling off even when the film becomes thick. This is because peeling off of the deposited film may cause generation of particles and the like.
【００２８】結晶化ガラス製のダミーウェハーにおい
て、膜の剥離対策としては例えばホーニング処理やブラ
スト処理などの機械的な加工を行って表面を粗くするこ
とが挙げられる。この場合には、結晶化ガラスの表面に
平均粗さＲa で 0.1〜10μm の範囲の凹凸を設けること
が好ましい。In a crystallized glass dummy wafer, as a countermeasure against film peeling, for example, a mechanical processing such as a honing treatment or a blast treatment is performed to roughen the surface. In this case, it is preferable that the surface to an average roughness R a of the crystallized glass providing irregularities in the range of 0.1 to 10 [mu] m.
【００２９】結晶化ガラスは通常のガラスに比べて高強
度を有するため、上記した表面粗さをホーニング処理や
ブラスト処理などの機械的な加工により良好に形成する
ことができる。結晶化ガラスの表面粗さが平均粗さＲa
で 0.1μm 未満であると、堆積膜の剥離防止効果を十分
に得ることができないおそれがある。一方、平均粗さＲ
a が10μm を超えるような凹凸を形成しようとすると、
結晶化ガラス自体にクラックや破損などが生じるおそれ
が大きくなる。Since crystallized glass has higher strength than ordinary glass, the above-mentioned surface roughness can be favorably formed by mechanical processing such as honing or blasting. The surface roughness of the crystallized glass is the average roughness Ra
If it is less than 0.1 μm, the effect of preventing the deposited film from peeling may not be sufficiently obtained. On the other hand, the average roughness R
When trying to form irregularities such that a exceeds 10 μm,
The possibility that cracks or breakage occur in the crystallized glass itself increases.
【００３０】結晶化ガラス製ダミーウェハーの表面をさ
らに粗くするためには、例えば結晶化ガラスの表面を溶
射膜で覆うことが好ましい。溶射膜は結晶化ガラスに対
して優れた密着性を示し、またその形成過程に基いて複
雑な表面形態を有することから、より良好な堆積膜の剥
離防止効果が得られる。特に、溶射膜の表面粗さが平均
粗さＲa で 2〜30μm の範囲である場合に、堆積膜の優
れた剥離防止効果が得られる。溶射膜の表面粗さが平均
粗さＲa で 2μm 未満であると、堆積膜の剥離防止効果
が十分に得られず、一方Ｒa で30μm を超えると溶射膜
から脱離粒子が生じて、逆にパーティクルの発生原因と
なるおそれがある。In order to further roughen the surface of the crystallized glass dummy wafer, for example, it is preferable to cover the surface of the crystallized glass with a thermal spray film. The thermal sprayed film has excellent adhesion to crystallized glass and has a complicated surface morphology based on its formation process, so that a better effect of preventing the deposited film from peeling off can be obtained. In particular, when the surface roughness of the sprayed film is in the range of 2~30μm an average roughness R a, excellent release effect of preventing deposition film can be obtained. If the surface roughness of the sprayed film is less than 2 μm in average roughness Ra , the effect of preventing separation of the deposited film cannot be sufficiently obtained, while if it exceeds 30 μm in Ra , particles desorbed from the sprayed film are generated. Conversely, it may cause the generation of particles.
【００３１】結晶化ガラスの表面に形成する溶射膜に
は、堆積膜のストレスを緩和して膜剥れを防ぐように、
比較的軟らかい金属材料を使用することが好ましく、具
体的にはＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｉおよびこれらの合金な
どからなる溶射膜が好適である。また、堆積膜の剥離防
止効果を得る上で、溶射膜の膜厚は50〜 250μm 程度と
することが好ましい。溶射膜の厚さが50μm 未満である
と上記したストレスの緩和効果が低下し、一方 250μm
を超えると溶射膜の内部にストレスが発生し、これによ
り堆積膜の剥離抑制効果が低下するおそれがある。The thermal sprayed film formed on the surface of the crystallized glass is designed to relieve the stress of the deposited film and prevent the film from peeling off.
It is preferable to use a relatively soft metal material, and specifically, a sprayed film made of Al, Cu, Ti, Si, an alloy thereof, or the like is suitable. Further, in order to obtain the effect of preventing the deposited film from peeling off, the thickness of the sprayed film is preferably about 50 to 250 μm. When the thickness of the sprayed film is less than 50 μm, the above-mentioned stress relieving effect is reduced, and on the other hand, 250 μm
If the ratio exceeds the above range, stress is generated inside the sprayed film, which may reduce the effect of suppressing the separation of the deposited film.
【００３２】本発明のダミーウェハーは、例えば以下に
示すような半導体デバイスの製造プロセスなどで使用さ
れる。The dummy wafer of the present invention is used in, for example, a semiconductor device manufacturing process as described below.
【００３３】まず第１に、スパッタリング装置、レーザ
ーアブレーション装置、イオンプレーティング装置、Ｍ
ＢＥ装置、ＣＶＤ装置などを用いた成膜工程において
は、成膜時間、ウェハー温度などの成膜条件と、ウェハ
ー上に形成される膜の厚さや組成などとの関係を測定、
評価したり、また膜の純度分析などが行われる。このよ
うな場合に、本発明のダミーウェハーが用いられる。ま
た、スパッタリング装置においては、例えば新たなター
ゲットを使用する際にターゲット面を浄化したり、また
装置内にターゲットと同質の膜を形成してパーティクル
の発生を防止するために、空スパッタ（予備スパッタ）
が実施される。このような場合にも、本発明のダミーウ
ェハーが用いられる。First, a sputtering device, a laser ablation device, an ion plating device,
In a film forming process using a BE apparatus, a CVD apparatus, etc., a relationship between a film forming condition such as a film forming time and a wafer temperature and a thickness and a composition of a film formed on a wafer are measured.
Evaluation and film purity analysis are performed. In such a case, the dummy wafer of the present invention is used. In a sputtering apparatus, for example, in order to purify a target surface when a new target is used, or to form a film of the same quality as the target in the apparatus to prevent generation of particles, empty sputtering (preliminary sputtering) is performed. )
Is performed. Also in such a case, the dummy wafer of the present invention is used.
【００３４】第２に、熱拡散や酸化膜の形成などに適用
される熱処理工程においては、例えばボート上に載置さ
れた半導体ウェハーに直接ガスがあたらないように、ダ
ミーウェハーをボートの所定箇所にセットする。このよ
うな場合のダミーウェハーとしても、本発明のダミーウ
ェハーを用いることができる。なお、ＣＶＤ装置も一種
の熱処理装置であり、その場合のダミーウェハーとして
本発明のダミーウェハーを用いることもできる。Second, in a heat treatment step applied to thermal diffusion or formation of an oxide film, for example, a dummy wafer is placed at a predetermined position on a boat so that a semiconductor wafer placed on the boat is not directly exposed to gas. Set to. In such a case, the dummy wafer of the present invention can also be used as the dummy wafer. Note that the CVD apparatus is also a kind of heat treatment apparatus, and in this case, the dummy wafer of the present invention can be used as the dummy wafer.
【００３５】第３に、イオン注入工程では注入条件やイ
オンビームのスキャン条件などを評価および検査するた
めに、ダミーウェハーが用いられる。このような場合の
ダミーウェハーとしても、本発明のダミーウェハーを用
いることができる。Third, in the ion implantation step, a dummy wafer is used to evaluate and inspect implantation conditions, ion beam scanning conditions, and the like. In such a case, the dummy wafer of the present invention can also be used as the dummy wafer.
【００３６】第４に、ＲＩＥやＣＤＥなどのエッチング
工程では、エッチンガス流量やプラズマ放電などのエッ
チング条件の選定、エッチングレートやエッチング形状
を測定、評価するために、ダミーウェハーが用いられ
る。このような場合のダミーウェハーとしても、本発明
のダミーウェハーを用いることができる。Fourth, in an etching process such as RIE or CDE, a dummy wafer is used to select etching conditions such as an etching gas flow rate and plasma discharge, and to measure and evaluate an etching rate and an etching shape. In such a case, the dummy wafer of the present invention can also be used as the dummy wafer.
【００３７】本発明のダミーウェハーは、例えば成膜工
程で用いた場合に堆積した膜が剥離しにくいため、長時
間使用することができ、さらに堆積膜を研磨や酸洗浄な
どにより除去する際の破損や劣化などを抑制することが
できる。さらに、本発明のダミーウェハーは耐熱性およ
び耐熱衝撃性に優れるため、ウェハー加熱を行いながら
成膜するような場合においても、破損などの発生を抑制
することができる。また、ＣＶＤなどの腐食性のガスを
使用する成膜工程においても、本発明のダミーウェハー
は耐食性、耐熱性および耐熱衝撃性に優れるため、ダミ
ーウェハーの破損や劣化を抑制することができる。この
ように、本発明のダミーウェハーは、成膜工程用のダミ
ーウェハーとして良好に繰り返し使用することができ
る。The dummy wafer of the present invention can be used for a long time, for example, because the deposited film is hard to peel off when used in a film forming step, and can be used for removing the deposited film by polishing or acid washing. Damage and deterioration can be suppressed. Furthermore, since the dummy wafer of the present invention is excellent in heat resistance and thermal shock resistance, occurrence of breakage and the like can be suppressed even when a film is formed while heating the wafer. Further, even in a film forming process using a corrosive gas such as CVD, the dummy wafer of the present invention is excellent in corrosion resistance, heat resistance and thermal shock resistance, so that damage and deterioration of the dummy wafer can be suppressed. As described above, the dummy wafer of the present invention can be favorably and repeatedly used as a dummy wafer for a film forming process.
【００３８】また、本発明のダミーウェハーは、例えば
熱処理工程やエッチング工程で用いた場合に、耐食性、
耐熱性および耐熱衝撃性に優れるため、ダミーウェハー
の破損や劣化を抑制することができる。さらに、イオン
注入工程で用いた場合においても、耐熱性および耐熱衝
撃性に優れるため、ダミーウェハーの破損や劣化を抑制
することができる。このように、本発明のダミーウェハ
ーは、熱処理工程用、エッチング工程用、イオン注入工
程用などのダミーウェハーとしても良好に繰り返し使用
することができる。Further, when the dummy wafer of the present invention is used in, for example, a heat treatment step or an etching step, it exhibits corrosion resistance,
Since it is excellent in heat resistance and thermal shock resistance, breakage and deterioration of the dummy wafer can be suppressed. Further, even when the dummy wafer is used in the ion implantation step, it is excellent in heat resistance and thermal shock resistance, so that damage and deterioration of the dummy wafer can be suppressed. As described above, the dummy wafer of the present invention can be favorably and repeatedly used as a dummy wafer for a heat treatment step, an etching step, an ion implantation step, and the like.
【００３９】このように、本発明のダミーウェハーはそ
の特性に基づいて、半導体デバイスの各種製造プロセス
において長期間にわたって安定して使用することができ
る。また、本発明のダミーウェハーはそれ自体の製造コ
ストも安価である。これらに基づいて、本発明によれば
ダミーウェハーに要するコストを削減することが可能と
なる。半導体デバイスの製造プロセスでは、多くのダミ
ーウェハーが使用されているため、ダミーウェハーに要
するコストの削減は極めて重要である。As described above, the dummy wafer of the present invention can be stably used for a long period of time in various semiconductor device manufacturing processes based on its characteristics. Further, the manufacturing cost of the dummy wafer of the present invention itself is low. Based on these, according to the present invention, it is possible to reduce the cost required for the dummy wafer. Since many dummy wafers are used in a semiconductor device manufacturing process, it is extremely important to reduce the cost required for the dummy wafers.
【００４０】[0040]
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について説明
する。Next, specific examples of the present invention will be described.
【００４１】実施例１ Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系結晶化ガラス（曲げ
強度:33kg/mm2 ，熱膨張係数：80×10-7〜 100×10-7／
℃）、およびＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系結晶化ガ
ラス（曲げ強度:25kg/mm2 ，熱膨張係数：30×10-7〜50
×10-7／℃）を、それぞれ直径 150mm、厚さ 1mmに加工
した後、その表面に溶射条件を制御して厚さ 0.2mmのＡ
ｌ溶射膜を形成した。このようにして得た各ダミーウェ
ハーの表面粗さ（Ａｌ溶射膜の表面粗さ）を表１に示
す。Example 1 Li 2 O—Al 2 O 3 —SiO 2 -based crystallized glass (flexural strength: 33 kg / mm 2 , coefficient of thermal expansion: 80 × 10 -7 to 100 × 10 -7 /
° C.), and BaO-Al 2 O 3 -SiO 2 based crystallized glass (flexural strength: 25kg / mm 2, thermal expansion coefficient: 30 × 10 -7 ~50
× 10 -7 / ° C) were processed to a diameter of 150 mm and a thickness of 1 mm, respectively, and the spraying conditions were controlled on the surface to form a 0.2 mm thick A
1 Sprayed film was formed. Table 1 shows the surface roughness (the surface roughness of the Al sprayed film) of each dummy wafer thus obtained.
【００４２】次に、上記した各結晶化ガラス製ダミーウ
ェハーをスパッタリング装置にセットし、ダミーウェハ
ー上にＴｉＮ膜を膜厚が 200μm となるように成膜し
て、膜の密着状態を調べた。さらに、成膜したＴｉＮ膜
をブラストおよびエッチングにより剥離した後、再度膜
厚が 200μm のＴｉＮ膜を成膜した。この成膜および剥
離をダミーウェハーが使用不可となるまで繰り返し、そ
の回数を評価した。これらの結果を表１に示す。Next, each of the above-mentioned crystallized glass dummy wafers was set in a sputtering apparatus, and a TiN film was formed on the dummy wafer so as to have a thickness of 200 μm, and the adhesion of the films was examined. Further, after the formed TiN film was peeled off by blasting and etching, a 200 μm-thick TiN film was formed again. This film formation and peeling were repeated until the dummy wafer became unusable, and the number of times was evaluated. Table 1 shows the results.
【００４３】実施例２ 実施例１と同組成の結晶化ガラスを同一形状に加工した
後、その表面に各種条件でブラスト処理を施した。この
ようにして得た各ダミーウェハーの表面粗さを表１に併
せて示す。Example 2 Crystallized glass having the same composition as in Example 1 was processed into the same shape, and the surface was subjected to blast treatment under various conditions. Table 1 also shows the surface roughness of each dummy wafer thus obtained.
【００４４】次に、上記した各結晶化ガラス製ダミーウ
ェハーをスパッタリング装置にセットし、ＴｉＮ膜を膜
厚が 200μm となるように成膜し、膜の密着状態を調べ
た。さらに、成膜したＴｉＮ膜をブラストおよびエッチ
ングにより剥離した後、再度膜厚が 200μm のＴｉＮ膜
を成膜した。この成膜および剥離をダミーウェハーが使
用不可となるまで繰り返し、その回数を評価した。これ
らの結果を表１に併記する。Next, each of the above-mentioned crystallized glass dummy wafers was set in a sputtering apparatus, a TiN film was formed to a thickness of 200 μm, and the adhesion of the film was examined. Further, after the formed TiN film was peeled off by blasting and etching, a 200 μm-thick TiN film was formed again. This film formation and peeling were repeated until the dummy wafer became unusable, and the number of times was evaluated. These results are also shown in Table 1.
【００４５】比較例１、２ ダミーウェハーとしてシリコンウェハー（比較例１）お
よびアルミナ焼結体からなるウェハー（比較例２）を用
いる以外は、実施例１と同様にして、膜の密着状態およ
び繰り返し使用回数を測定、評価した。これらの結果を
表１に併せて示す。COMPARATIVE EXAMPLES 1 AND 2 Except that a silicon wafer (Comparative Example 1) and a wafer made of an alumina sintered body (Comparative Example 2) were used as dummy wafers, the state of adhesion and repetition of the film were repeated as in Example 1. The number of uses was measured and evaluated. The results are shown in Table 1.
【００４６】[0046]
【表１】 表１から明らかなように、本発明の結晶化ガラス製ダミ
ーウェハーは、膜の密着性に優れ、堆積膜の剥離を抑制
することができ、また繰り返し使用にも十分に耐え得る
ことが確認された。[Table 1] As is clear from Table 1, it was confirmed that the crystallized glass dummy wafer of the present invention has excellent film adhesion, can suppress peeling of the deposited film, and can sufficiently withstand repeated use. Was.
【００４７】実施例３ ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 − 2ＳｉＯ2 系結晶化ガラス（最高
使用温度：1150℃）および 2ＭｇＯ− 2Ａｌ2 Ｏ3 − 5
ＳｉＯ2 系結晶化ガラス（最高使用温度：1250℃）を、
それぞれ直径 150mm、厚さ 1mmに加工してダミーウェハ
ーを得た。[0047] Example 3 BaO-Al 2 O 3 - 2SiO 2 based crystallized glass (maximum temperature: 1150 ° C.) and 2MgO- 2Al 2 O 3 - 5
SiO 2 crystallized glass (maximum operating temperature: 1250 ° C)
Each was processed to a diameter of 150 mm and a thickness of 1 mm to obtain a dummy wafer.
【００４８】これら各結晶化ガラス製ダミーウェハーを
熱酸化炉内にセットし、1100℃に加熱して酸化処理を行
った。この酸化処理をダミーウェハーが使用不可となる
まで繰り返し、その回数を評価した。これらの結果を表
２に示す。Each of these crystallized glass dummy wafers was set in a thermal oxidation furnace and heated to 1100 ° C. to perform an oxidation treatment. This oxidation treatment was repeated until the dummy wafer became unusable, and the number of times was evaluated. Table 2 shows the results.
【００４９】比較例３、４ ダミーウェハーとしてシリコンウェハー（比較例３）お
よびアルミナ焼結体からなるウェハー（比較例４）を用
いる以外は、実施例３と同様にして、酸化処理の繰り返
し使用回数を測定、評価した。これらの結果を表２に併
せて示す。Comparative Examples 3 and 4 The number of times of repeated oxidation treatment was the same as in Example 3 except that a silicon wafer (Comparative Example 3) and a wafer made of an alumina sintered body (Comparative Example 4) were used as dummy wafers. Was measured and evaluated. These results are also shown in Table 2.
【００５０】[0050]
【表２】 表２から明らかなように、本発明の結晶化ガラス製ダミ
ーウェハーは、酸化処理の繰り返し使用に十分に耐え得
ることが確認された。[Table 2] As is clear from Table 2, it was confirmed that the crystallized glass dummy wafer of the present invention can sufficiently withstand repeated use of the oxidation treatment.
【００５１】実施例４ ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 − 2ＳｉＯ2 系結晶化ガラス（最高
使用温度：1150℃）および 2ＭｇＯ− 2Ａｌ2 Ｏ3 − 5
ＳｉＯ2 系結晶化ガラス（最高使用温度：1250℃）を、
それぞれ直径 150mm、厚さ 1mmに加工してダミーウェハ
ーを得た。[0051] Example 4 BaO-Al 2 O 3 - 2SiO 2 based crystallized glass (maximum temperature: 1150 ° C.) and 2MgO- 2Al 2 O 3 - 5
SiO 2 crystallized glass (maximum operating temperature: 1250 ° C)
Each was processed to a diameter of 150 mm and a thickness of 1 mm to obtain a dummy wafer.
【００５２】これら各結晶化ガラス製ダミーウェハーを
エッチング装置内にセットし、ＣＦ4 ＋Ｏ2 雰囲気中で
プラズマエッチング処理を行った。このエッチング処理
をダミーウェハーが使用不可となるまで繰り返し、その
回数を評価した。これらの結果を表３に示す。Each of these crystallized glass dummy wafers was set in an etching apparatus, and plasma etching was performed in a CF 4 + O 2 atmosphere. This etching process was repeated until the dummy wafer became unusable, and the number of times was evaluated. Table 3 shows the results.
【００５３】実施例５ 直径 150mm、厚さ 1mmに加工した 2枚のＬｉ2 Ｏ− 2Ｓ
ｉＯ2 系結晶化ガラスの表面に、一方にはＳｉＣをコー
ティングし、他方にはＡｌＮをコーティングして、それ
ぞれダミーウェハーを得た。Example 5 Two pieces of Li 2 O-2S processed to a diameter of 150 mm and a thickness of 1 mm
On the surface of the iO 2 -based crystallized glass, one was coated with SiC, and the other was coated with AlN, to obtain respective dummy wafers.
【００５４】これら各結晶化ガラス製ダミーウェハーを
エッチング装置内にセットし、実施例４と同様にしてプ
ラズマエッチング処理を行った。このエッチング処理を
ダミーウェハーが使用不可となるまで繰り返し、その回
数を評価した。これらの結果を表３に併記する。Each of these crystallized glass dummy wafers was set in an etching apparatus, and plasma etching was performed in the same manner as in Example 4. This etching process was repeated until the dummy wafer became unusable, and the number of times was evaluated. Table 3 also shows these results.
【００５５】比較例５、６ ダミーウェハーとしてシリコンウェハー（比較例５）お
よびアルミナ焼結体からなるウェハー（比較例６）を用
いる以外は、実施例４と同様にして、プラズマエッチン
グ処理の繰り返し使用回数を測定、評価した。これらの
結果を表３に併せて示す。Comparative Examples 5 and 6 In the same manner as in Example 4, except that a silicon wafer (Comparative Example 5) and a wafer made of an alumina sintered body (Comparative Example 6) were used as dummy wafers, a plasma etching process was repeatedly used. The number of times was measured and evaluated. The results are shown in Table 3.
【００５６】[0056]
【表３】 表３から明らかなように、本発明の結晶化ガラス製ダミ
ーウェハーは、エッチング処理の繰り返し使用に十分に
耐え得ることが確認された。[Table 3] As is clear from Table 3, it was confirmed that the crystallized glass dummy wafer of the present invention can sufficiently withstand repeated use of the etching process.
【００５７】[0057]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のダミーウ
ェハーは強度、耐熱性、耐熱衝撃性、耐食性などに優れ
るため、例えば半導体デバイスの各種製造工程で繰り返
し使用することができる。また、例えば成膜工程で使用
した場合に、堆積した膜が剥離しにくく、しかも再利用
時の破損などが生じにくいため、良好に繰り返し使用す
ることができる。さらに、本発明のダミーウェハーはそ
れ自体が安価であるため、例えば半導体デバイスの製造
工程において、ダミーウェハーに要するコストを削減す
ることが可能となる。As described above, the dummy wafer of the present invention is excellent in strength, heat resistance, thermal shock resistance, corrosion resistance, etc., and can be used repeatedly in various manufacturing steps of semiconductor devices, for example. In addition, for example, when used in a film forming process, the deposited film is hardly peeled off and hardly damaged during reuse, so that it can be used satisfactorily and repeatedly. Furthermore, since the dummy wafer of the present invention is inexpensive itself, it is possible to reduce the cost required for the dummy wafer in, for example, a semiconductor device manufacturing process.
【００５８】[0058]
Claims (10)
いることを特徴とするダミーウェハー。1. A dummy wafer substantially composed of crystallized glass.
て、 前記結晶化ガラスは、曲げ強度が8kg/mm2 以上の強度を
有し、かつ 1×10-7〜150×10-7／℃の範囲の熱膨張係
数を有することを特徴とするダミーウェハー。2. The dummy wafer according to claim 1, wherein the crystallized glass has a bending strength of 8 kg / mm 2 or more and a range of 1 × 10 −7 to 150 × 10 −7 / ° C. A dummy wafer having a thermal expansion coefficient of:
て、 前記結晶化ガラスは不透明であることを特徴とするダミ
ーウェハー。3. The dummy wafer according to claim 1, wherein the crystallized glass is opaque.
て、 前記結晶化ガラスの表面が光透過防止膜で覆われている
ことを特徴とするダミーウェハー。4. The dummy wafer according to claim 1, wherein a surface of the crystallized glass is covered with a light transmission preventing film.
て、 前記光透過防止膜は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、
ＡｌＮおよびＴｉＮから選ばれる少なくとも 1種からな
ることを特徴とするダミーウェハー。5. The dummy wafer according to claim 4, wherein the light transmission preventing film is made of Al 2 O 3 , SiO 2 , SiC,
A dummy wafer comprising at least one selected from AlN and TiN.
て、 前記結晶化ガラスの表面には、平均粗さＲa で 0.1〜10
μm の範囲の凹凸が設けられていることを特徴とするダ
ミーウェハー。6. The dummy wafer according to claim 1, wherein the surface of the crystallized glass has an average roughness Ra of 0.1 to 10.
A dummy wafer having irregularities in a range of μm.
て、 前記結晶化ガラスの表面は、溶射膜で覆われていること
を特徴とするダミーウェハー。7. The dummy wafer according to claim 1, wherein a surface of the crystallized glass is covered with a sprayed film.
て、 前記溶射膜の表面粗さが平均粗さＲa で 2〜30μm の範
囲であることを特徴とするダミーウェハー。8. The dummy wafers according to claim 7, dummy wafers, wherein the surface roughness of the sprayed film is in the range of 2~30μm an average roughness R a.
て、 半導体デバイスの製造工程で用いられることを特徴とす
るダミーウェハー。9. The dummy wafer according to claim 1, wherein the dummy wafer is used in a semiconductor device manufacturing process.
て、 前記半導体デバイスの製造工程は、成膜工程、熱処理工
程、イオン注入工程またはエッチング工程であることを
特徴とするダミーウェハー。10. The dummy wafer according to claim 9, wherein the semiconductor device manufacturing process is a film forming process, a heat treatment process, an ion implantation process, or an etching process.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27153298A JP2000100675A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Dummy wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27153298A JP2000100675A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Dummy wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100675A true JP2000100675A (en) | 2000-04-07 |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100675A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009002550A1 (en) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Recrystallization of semiconductor wafers in a thin film capsule and related processes |
| WO2010067814A1 (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 住友電気工業株式会社 | Substrate and method for manufacturing substrate |
| JPWO2020189421A1 (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | ||
| US11616120B2 (en) | 2020-09-15 | 2023-03-28 | Kioxia Corporation | Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP27153298A patent/JP2000100675A/en not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009002550A1 (en) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Recrystallization of semiconductor wafers in a thin film capsule and related processes |
| WO2010067814A1 (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 住友電気工業株式会社 | Substrate and method for manufacturing substrate |
| JP2010141124A (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Substrate and method for manufacturing substrate |
| CN102246265A (en) * | 2008-12-11 | 2011-11-16 | 住友电气工业株式会社 | Substrate and method for manufacturing substrate |
| JPWO2020189421A1 (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | ||
| WO2020189421A1 (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社 東芝 | Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor device |
| EP3944288A4 (en) * | 2019-03-20 | 2022-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor device |
| TWI811513B (en) * | 2019-03-20 | 2023-08-11 | 日商東芝股份有限公司 | Semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method |
| TWI815242B (en) * | 2019-03-20 | 2023-09-11 | 日商東芝股份有限公司 | Semiconductor wafers and semiconductor device manufacturing methods |
| JP7346548B2 (en) | 2019-03-20 | 2023-09-19 | 株式会社東芝 | Method for manufacturing semiconductor wafers and semiconductor devices |
| US11616120B2 (en) | 2020-09-15 | 2023-03-28 | Kioxia Corporation | Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |