JP2000098591A - フォトマスク欠陥修正方法 - Google Patents
フォトマスク欠陥修正方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスク等の残渣欠陥を高精度に修正す
ることができる方法。 【解決手段】 Ｃｒ等の金属、ＭｏＳｉ等の金属化合物
又はＳｉＯ2 等の透明状物質からなるフォトマスクパタ
ーン上の残渣欠陥５の形状を原子間力顕微鏡の走査探針
６を用いて計測し、その形状計測結果に基づいて残渣欠
陥５の形状に応じた適量の集束イオンビーム７を照射す
ることにより残渣欠陥５をエッチング除去する。エッチ
ングを促進するアシストガス８を修正部へ同時に供給す
ることが望ましい。
ることができる方法。 【解決手段】 Ｃｒ等の金属、ＭｏＳｉ等の金属化合物
又はＳｉＯ2 等の透明状物質からなるフォトマスクパタ
ーン上の残渣欠陥５の形状を原子間力顕微鏡の走査探針
６を用いて計測し、その形状計測結果に基づいて残渣欠
陥５の形状に応じた適量の集束イオンビーム７を照射す
ることにより残渣欠陥５をエッチング除去する。エッチ
ングを促進するアシストガス８を修正部へ同時に供給す
ることが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク欠陥
修正方法に関し、特に、フォトマスク等の製造において
発生した残渣系欠陥の修正方法に関するものである。
修正方法に関し、特に、フォトマスク等の製造において
発生した残渣系欠陥の修正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路等の半導体装置は年を追う毎に
微細化、高密度化されており、それに伴い、半導体装置
製造用に用いられるフォトマスクにも高精度のものが要
求されている。
微細化、高密度化されており、それに伴い、半導体装置
製造用に用いられるフォトマスクにも高精度のものが要
求されている。
【０００３】ところで、フォトマスク製造中に生ずるフ
ォトマスクの欠陥には、残渣欠陥と欠損欠陥とがある。
現在、これらの欠陥の修正方法として、欠損欠陥につい
ては、集束イオンビームによるカーボンの成膜による修
正方法が、また、残渣欠陥については集束イオンビーム
及びこれにアシストガスを添加して当該欠陥をエッチン
グすることにより除去する方法（例えば、特表平１−５
０３５８０号）と、欠陥がＣｒ等の金属遮光部であれ
ば、レーザー光にて金属残渣を蒸発させて除去する方法
とが普及している。
ォトマスクの欠陥には、残渣欠陥と欠損欠陥とがある。
現在、これらの欠陥の修正方法として、欠損欠陥につい
ては、集束イオンビームによるカーボンの成膜による修
正方法が、また、残渣欠陥については集束イオンビーム
及びこれにアシストガスを添加して当該欠陥をエッチン
グすることにより除去する方法（例えば、特表平１−５
０３５８０号）と、欠陥がＣｒ等の金属遮光部であれ
ば、レーザー光にて金属残渣を蒸発させて除去する方法
とが普及している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、フォトマスク
パターンの微細化、高精度化に伴い、修正の対象となる
残渣欠陥も微細ものとなってきており、また、位相シフ
ターパターンを有するフォトマスクにおいては、シフタ
ーパターンを形成する物質が下地と同一あるいはそれに
準ずる物質であるため、残渣欠陥のエッチング除去の
際、終点検出が困難ないしは不可能であり、正確な欠陥
修正を行うことが困難であった。
パターンの微細化、高精度化に伴い、修正の対象となる
残渣欠陥も微細ものとなってきており、また、位相シフ
ターパターンを有するフォトマスクにおいては、シフタ
ーパターンを形成する物質が下地と同一あるいはそれに
準ずる物質であるため、残渣欠陥のエッチング除去の
際、終点検出が困難ないしは不可能であり、正確な欠陥
修正を行うことが困難であった。
【０００５】本発明は従来技術のこのような問題に鑑み
てなされたものであり、その目的は、フォトマスク等の
残渣欠陥を高精度に修正することができる方法を提供す
ることである。
てなされたものであり、その目的は、フォトマスク等の
残渣欠陥を高精度に修正することができる方法を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のフォトマスク欠陥修正方法は、Ｃｒ等の金属、Ｍｏ
Ｓｉ等の金属化合物又はＳｉＯ2 等の透明状物質からな
るフォトマスクパターン上の残渣欠陥の形状を３次元微
細形状測定装置を用いて計測し、その形状計測結果に基
づいて前記残渣欠陥の形状に応じた適量の集束イオンビ
ームを照射することにより前記残渣欠陥をエッチング除
去することを特徴とする方法である。
明のフォトマスク欠陥修正方法は、Ｃｒ等の金属、Ｍｏ
Ｓｉ等の金属化合物又はＳｉＯ2 等の透明状物質からな
るフォトマスクパターン上の残渣欠陥の形状を３次元微
細形状測定装置を用いて計測し、その形状計測結果に基
づいて前記残渣欠陥の形状に応じた適量の集束イオンビ
ームを照射することにより前記残渣欠陥をエッチング除
去することを特徴とする方法である。
【０００７】この場合、集束イオンビームを照射する
際、エッチングを促進するアシストガスを修正部へ同時
に供給することが望ましい。
際、エッチングを促進するアシストガスを修正部へ同時
に供給することが望ましい。
【０００８】また、残渣欠陥が透明状物質の場合に、集
束イオンビームとしてＧａイオンを用い、アシストガス
としてＸｅＦ2 を用いることが望ましい。
束イオンビームとしてＧａイオンを用い、アシストガス
としてＸｅＦ2 を用いることが望ましい。
【０００９】本発明においては、残渣欠陥の形状を３次
元微細形状測定装置を用いて計測し、その形状計測結果
に基づいて前記残渣欠陥の形状に応じた適量の集束イオ
ンビームを照射することによりその残渣欠陥をエッチン
グ除去するので、終点検出を行わなくとも下地に対して
凹凸のない高精度の残渣欠陥修正ができる。
元微細形状測定装置を用いて計測し、その形状計測結果
に基づいて前記残渣欠陥の形状に応じた適量の集束イオ
ンビームを照射することによりその残渣欠陥をエッチン
グ除去するので、終点検出を行わなくとも下地に対して
凹凸のない高精度の残渣欠陥修正ができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、フォトマスクパターン
の微細化、高精度化に伴う微小残渣欠陥を高精度に修正
するために、その残渣欠陥の形状、特に段差形状を予め
原子間顕微鏡又は共焦点走査型顕微鏡を用いて計測して
おき、その計測結果を集束イオンビーム装置にフィード
バックして修正条件を設定し、当該残渣欠陥の修正を行
う方法である。
の微細化、高精度化に伴う微小残渣欠陥を高精度に修正
するために、その残渣欠陥の形状、特に段差形状を予め
原子間顕微鏡又は共焦点走査型顕微鏡を用いて計測して
おき、その計測結果を集束イオンビーム装置にフィード
バックして修正条件を設定し、当該残渣欠陥の修正を行
う方法である。
【００１１】以下に、本発明のフォトマスク欠陥修正方
法の実施例を説明する。この実施例は、図２に示すよう
な断面形状を有する透明基板堀り込みレベンソン型位相
シフトマスク４の堀り込み部３に残渣欠陥がある場合の
修正についての実施例である。透明基板堀り込みレベン
ソン型位相シフトマスク４は、透明基板１の表面にライ
ンアンドスペースのＣｒ遮光パターン２を形成しその１
個おきのスペース部の下の透明基板１をエッチングして
堀り込み部３を形成し、堀り込み部３を形成していない
隣のスペース部との間に使用波長に対して半波長（位相
差でπ）の位相差を生じるようにして、解像力より小さ
いラインアンドスペースパターンを投影露光するフォト
マスクである。
法の実施例を説明する。この実施例は、図２に示すよう
な断面形状を有する透明基板堀り込みレベンソン型位相
シフトマスク４の堀り込み部３に残渣欠陥がある場合の
修正についての実施例である。透明基板堀り込みレベン
ソン型位相シフトマスク４は、透明基板１の表面にライ
ンアンドスペースのＣｒ遮光パターン２を形成しその１
個おきのスペース部の下の透明基板１をエッチングして
堀り込み部３を形成し、堀り込み部３を形成していない
隣のスペース部との間に使用波長に対して半波長（位相
差でπ）の位相差を生じるようにして、解像力より小さ
いラインアンドスペースパターンを投影露光するフォト
マスクである。
【００１２】図１にこのような透明基板堀り込みレベン
ソン型位相シフトマスクの堀り込み部に残渣欠陥がある
場合の修正工程を示す概略断面図である。同図におい
て、１は透明基板、２はＣｒ遮光パターン、３は堀り込
み部、４は位相シフトマスク、５は残渣欠陥、６は原子
間力顕微鏡の走査探針、７は集束イオンビーム、８はア
シストガスである。
ソン型位相シフトマスクの堀り込み部に残渣欠陥がある
場合の修正工程を示す概略断面図である。同図におい
て、１は透明基板、２はＣｒ遮光パターン、３は堀り込
み部、４は位相シフトマスク、５は残渣欠陥、６は原子
間力顕微鏡の走査探針、７は集束イオンビーム、８はア
シストガスである。
【００１３】図１（ａ）のように、透明基板堀り込みレ
ベンソン型位相シフトマスク４の堀り込み部３中に残渣
欠陥５がある場合に、図１（ｂ）に示すように、予め残
渣欠陥５の形状を原子間力顕微鏡の走査探針６で走査す
ることにより計測する。原子間力顕微鏡により、残渣欠
陥５の形状、特にその段差形状が正確に計測される。な
お、原子間力顕微鏡の代わりに共焦点走査型顕微鏡を用
いても残渣欠陥５の３次元形状を計測することができ
る。共焦点走査型顕微鏡は、ニポウディスク等を用いて
点状プローブで試料上をタスター走査し、点状プローブ
と共役な位置にあるピンホールを通して反射光あるいは
透過光を検出することにより、試料の３次元形状を計測
する顕微鏡である。
ベンソン型位相シフトマスク４の堀り込み部３中に残渣
欠陥５がある場合に、図１（ｂ）に示すように、予め残
渣欠陥５の形状を原子間力顕微鏡の走査探針６で走査す
ることにより計測する。原子間力顕微鏡により、残渣欠
陥５の形状、特にその段差形状が正確に計測される。な
お、原子間力顕微鏡の代わりに共焦点走査型顕微鏡を用
いても残渣欠陥５の３次元形状を計測することができ
る。共焦点走査型顕微鏡は、ニポウディスク等を用いて
点状プローブで試料上をタスター走査し、点状プローブ
と共役な位置にあるピンホールを通して反射光あるいは
透過光を検出することにより、試料の３次元形状を計測
する顕微鏡である。
【００１４】このような残渣欠陥５の形状の計測を行っ
た後、その計測データに基づいて、ガスアシストエッチ
ング付き集束イオンビーム装置を用いて、図１（ｃ）に
示すように、残渣欠陥５の修正を行う。すなわち、原子
間力顕微鏡にて予め計測した残渣欠陥５の位置を含む形
状、特に段差形状に基づいて、集束イオンビーム７の照
射位置、ビーム量、照射回数、照射時間、アシストガス
８の供給量等の修正条件を設定し、その修正条件を集束
イオンビーム装置へフィードバックして、アシストガス
８を修正部へ供給しながら集束イオンビーム７を残渣欠
陥５へ設定された位置に設定された量、回数あるいは時
間だけ照射することにより、堀り込み部３の下地に対し
て凹凸のない残渣欠陥修正が可能となる。
た後、その計測データに基づいて、ガスアシストエッチ
ング付き集束イオンビーム装置を用いて、図１（ｃ）に
示すように、残渣欠陥５の修正を行う。すなわち、原子
間力顕微鏡にて予め計測した残渣欠陥５の位置を含む形
状、特に段差形状に基づいて、集束イオンビーム７の照
射位置、ビーム量、照射回数、照射時間、アシストガス
８の供給量等の修正条件を設定し、その修正条件を集束
イオンビーム装置へフィードバックして、アシストガス
８を修正部へ供給しながら集束イオンビーム７を残渣欠
陥５へ設定された位置に設定された量、回数あるいは時
間だけ照射することにより、堀り込み部３の下地に対し
て凹凸のない残渣欠陥修正が可能となる。
【００１５】ここで、石英基板の堀り込み部３に同じ石
英からなる残渣欠陥５がある場合には、集束イオンビー
ム７としてはＧａイオンを用い、アシストガス８として
はＸｅＦ2 を用いると、Ｇａイオンのみを用いる場合に
比較して大きなエッチングレートで残渣欠陥５を取り除
くことができる。しかも、本発明によると、残渣欠陥５
の形状を予め計測してそのデータに基づいて適量のエッ
チングを行うので、終点検出を行わなくとも高精度の修
正を行うことができる。
英からなる残渣欠陥５がある場合には、集束イオンビー
ム７としてはＧａイオンを用い、アシストガス８として
はＸｅＦ2 を用いると、Ｇａイオンのみを用いる場合に
比較して大きなエッチングレートで残渣欠陥５を取り除
くことができる。しかも、本発明によると、残渣欠陥５
の形状を予め計測してそのデータに基づいて適量のエッ
チングを行うので、終点検出を行わなくとも高精度の修
正を行うことができる。
【００１６】以上、本発明のフォトマスク欠陥修正方法
を透明基板堀り込みレベンソン型位相シフトマスクの堀
り込み部に残渣欠陥がある場合を例にあげて説明してき
たが、本発明は他のタイプの位相シフトマスクあるいは
従来の遮光パターンを有するフォトマスク等の、Ｃｒ等
の金属、ＭｏＳｉ等の金属化合物又はＳｉＯ2 等の透明
状物質からなるフォトマスクパターンの透明残渣欠陥、
不透明残渣欠陥の修正に適用することができる。また、
フォトマスク以外の位相板、ホログラム（計算機ホログ
ラムを含む）等の残渣欠陥の修正に適用することもでき
る。
を透明基板堀り込みレベンソン型位相シフトマスクの堀
り込み部に残渣欠陥がある場合を例にあげて説明してき
たが、本発明は他のタイプの位相シフトマスクあるいは
従来の遮光パターンを有するフォトマスク等の、Ｃｒ等
の金属、ＭｏＳｉ等の金属化合物又はＳｉＯ2 等の透明
状物質からなるフォトマスクパターンの透明残渣欠陥、
不透明残渣欠陥の修正に適用することができる。また、
フォトマスク以外の位相板、ホログラム（計算機ホログ
ラムを含む）等の残渣欠陥の修正に適用することもでき
る。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のフォトマスク欠陥修正方法によると、残渣欠陥の形状
を３次元微細形状測定装置を用いて計測し、その形状計
測結果に基づいて前記残渣欠陥の形状に応じた適量の集
束イオンビームを照射することによりその残渣欠陥をエ
ッチング除去するので、終点検出を行わなくとも下地に
対して凹凸のない高精度の残渣欠陥修正ができる。
のフォトマスク欠陥修正方法によると、残渣欠陥の形状
を３次元微細形状測定装置を用いて計測し、その形状計
測結果に基づいて前記残渣欠陥の形状に応じた適量の集
束イオンビームを照射することによりその残渣欠陥をエ
ッチング除去するので、終点検出を行わなくとも下地に
対して凹凸のない高精度の残渣欠陥修正ができる。
【図１】本発明のフォトマスク欠陥修正方法の１実施例
の修正工程を示す概略断面図である。
の修正工程を示す概略断面図である。
【図２】透明基板堀り込みレベンソン型位相シフトマス
クの概略断面図である。
クの概略断面図である。
１…透明基板 ２…Ｃｒ遮光パターン ３…堀り込み部 ４…透明基板堀り込みレベンソン型位相シフトマスク ５…残渣欠陥 ６…原子間力顕微鏡の走査探針 ７…集束イオンビーム ８…アシストガス
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃｒ等の金属、ＭｏＳｉ等の金属化合物
又はＳｉＯ2 等の透明状物質からなるフォトマスクパタ
ーン上の残渣欠陥の形状を３次元微細形状測定装置を用
いて計測し、その形状計測結果に基づいて前記残渣欠陥
の形状に応じた適量の集束イオンビームを照射すること
により前記残渣欠陥をエッチング除去することを特徴と
するフォトマスク欠陥修正方法。 - 【請求項２】 前記集束イオンビームを照射する際、エ
ッチングを促進するアシストガスを修正部へ同時に供給
することを特徴とする請求項１記載のフォトマスク欠陥
修正方法。 - 【請求項３】 前記残渣欠陥が透明状物質であり、前記
集束イオンビームとしてＧａイオンを用い、前記アシス
トガスとしてＸｅＦ2 を用いることを特徴とする請求項
２記載のフォトマスク欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26818598A JP2000098591A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26818598A JP2000098591A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000098591A true JP2000098591A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17455108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26818598A Pending JP2000098591A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000098591A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002244276A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | マスクの白欠陥修正方法 |
| JP2010034192A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 回路パターンの補正方法及びその装置 |
| CN101923292A (zh) * | 2010-08-03 | 2010-12-22 | 深圳市路维电子有限公司 | 光罩边缘铬残留去除方法 |
| US8290239B2 (en) | 2005-10-21 | 2012-10-16 | Orbotech Ltd. | Automatic repair of electric circuits |
| JP2013109136A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク |
| US8815474B2 (en) | 2007-08-10 | 2014-08-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Photomask defect correcting method and device |
| JP2016095533A (ja) * | 2016-01-25 | 2016-05-26 | 信越化学工業株式会社 | 光パターン照射方法 |
| CN109023517A (zh) * | 2018-10-17 | 2018-12-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法 |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP26818598A patent/JP2000098591A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002244276A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | マスクの白欠陥修正方法 |
| JP4676073B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2011-04-27 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | マスクの白欠陥修正方法 |
| US8290239B2 (en) | 2005-10-21 | 2012-10-16 | Orbotech Ltd. | Automatic repair of electric circuits |
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| TWI570501B (zh) * | 2011-11-21 | 2017-02-11 | 信越化學工業股份有限公司 | 光圖案曝光方法、半色調相移光罩、及半色調相移空白光罩 |
| JP2016095533A (ja) * | 2016-01-25 | 2016-05-26 | 信越化学工業株式会社 | 光パターン照射方法 |
| CN109023517A (zh) * | 2018-10-17 | 2018-12-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法 |
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