JP2000098436A - 非線形光学薄膜の製造方法 - Google Patents
非線形光学薄膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリカガラス系の非線形光学材料に、ＵＶレ
ーザを照射しながら十分なポーリング用の電界を印加で
きる非線形光学薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１０上に電子ビーム蒸着等に
よりＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２を形成し、これに電界印加
用電極１８を接するように配置する。この電界印加用電
極１８は中心に貫通孔１６を有した対象構造となってい
る。ＵＶレーザを貫通孔１６を介してＳｉＯ2−ＧｅＯ2
膜１２に照射し、同時に電界印加用電極１８と裏面電極
２０との間に電界を発生させて、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１
２に電界を印加する。以上により、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜
１２中に双極子が発生し、この双極子が電界によって配
向され、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に非線形光学特性が発
現する。
ーザを照射しながら十分なポーリング用の電界を印加で
きる非線形光学薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１０上に電子ビーム蒸着等に
よりＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２を形成し、これに電界印加
用電極１８を接するように配置する。この電界印加用電
極１８は中心に貫通孔１６を有した対象構造となってい
る。ＵＶレーザを貫通孔１６を介してＳｉＯ2−ＧｅＯ2
膜１２に照射し、同時に電界印加用電極１８と裏面電極
２０との間に電界を発生させて、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１
２に電界を印加する。以上により、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜
１２中に双極子が発生し、この双極子が電界によって配
向され、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に非線形光学特性が発
現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非線形光学薄膜の製
造方法、特にシリカガラス系の非線形光学薄膜の製造方
法の改良に関する。
造方法、特にシリカガラス系の非線形光学薄膜の製造方
法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光エレクトロニクス技術への
応用のために、光制御機能を有する非線形光学材料が種
々提案されている。このような非線形光学材料の中で、
実用化されている代表例としてはＬｉＮｂＯ3（ニオブ
酸リチウム）が挙げられる。
応用のために、光制御機能を有する非線形光学材料が種
々提案されている。このような非線形光学材料の中で、
実用化されている代表例としてはＬｉＮｂＯ3（ニオブ
酸リチウム）が挙げられる。
【０００３】しかし、ニオブ酸リチウムの場合には、光
学素子として使用される際に、接続部材として使用され
るガラスとの屈折率や熱膨張率等の物性差のために損失
が発生する。従って、このようなニオブ酸リチウムに代
わるものとして、シリカガラスを基本とした非線形光学
材料が望まれている。このためには、シリカガラス系の
薄膜中に双極子を発生させ、これをポーリングすなわち
電界を印加して上記双極子を配向させる必要がある。
学素子として使用される際に、接続部材として使用され
るガラスとの屈折率や熱膨張率等の物性差のために損失
が発生する。従って、このようなニオブ酸リチウムに代
わるものとして、シリカガラスを基本とした非線形光学
材料が望まれている。このためには、シリカガラス系の
薄膜中に双極子を発生させ、これをポーリングすなわち
電界を印加して上記双極子を配向させる必要がある。
【０００４】このようなシリカガラス系の非線形光学材
料の製造方法としては、従来より加熱しながら電界を印
加して熱ポーリングを行う方法が提案されていたが、Ｐ
ＣＴ／ＡＵ９５／００７６６号公報にはＳｉＯ2−Ｇｅ
Ｏ2ガラス材料にＵＶ（紫外線）レーザを照射しつつ電
界を印加し、非線形光学特性を発現させる技術が提案さ
れている。この方法では、従来の熱ポーリングによる方
法が薄膜中に存在する双極子を電界で配向させるのに対
して、双極子の生成と配向とを同時に行うものであり、
ポーリングを効果的に行うことができる。
料の製造方法としては、従来より加熱しながら電界を印
加して熱ポーリングを行う方法が提案されていたが、Ｐ
ＣＴ／ＡＵ９５／００７６６号公報にはＳｉＯ2−Ｇｅ
Ｏ2ガラス材料にＵＶ（紫外線）レーザを照射しつつ電
界を印加し、非線形光学特性を発現させる技術が提案さ
れている。この方法では、従来の熱ポーリングによる方
法が薄膜中に存在する双極子を電界で配向させるのに対
して、双極子の生成と配向とを同時に行うものであり、
ポーリングを効果的に行うことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ＵＶレー
ザを照射する方法で非線形光学薄膜を製造しようとする
と、図６に示されるように、ガラス基板１０の上に形成
された非線形光学材料であるＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２と
電界を印加するための電極１４との間に、ＵＶレーザを
照射するための隙間をあける必要がある。例えば、電極
１４の直径が３ｍｍφであり、ＵＶレーザの入射角度θ
が３４°である場合には、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２と電
極１４との距離ｘを２ｍｍとする必要がある。このた
め、電源電圧として２０ｋＶを使用した場合に印加でき
る電界強度は６６ｋＶ／ｃｍとなる。すなわち、ＳｉＯ
2−ＧｅＯ2膜１２と電極１４との間に隙間があくことに
より、ポーリングを行うために十分な電界強度を得るこ
とが困難となるという問題があった。あるいは、十分な
電界強度を得るためには、電源電圧として極めて高いも
のを用意する必要があるという問題があった。
ザを照射する方法で非線形光学薄膜を製造しようとする
と、図６に示されるように、ガラス基板１０の上に形成
された非線形光学材料であるＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２と
電界を印加するための電極１４との間に、ＵＶレーザを
照射するための隙間をあける必要がある。例えば、電極
１４の直径が３ｍｍφであり、ＵＶレーザの入射角度θ
が３４°である場合には、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２と電
極１４との距離ｘを２ｍｍとする必要がある。このた
め、電源電圧として２０ｋＶを使用した場合に印加でき
る電界強度は６６ｋＶ／ｃｍとなる。すなわち、ＳｉＯ
2−ＧｅＯ2膜１２と電極１４との間に隙間があくことに
より、ポーリングを行うために十分な電界強度を得るこ
とが困難となるという問題があった。あるいは、十分な
電界強度を得るためには、電源電圧として極めて高いも
のを用意する必要があるという問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来の課題に鑑みなされた
ものであり、その目的は、シリカガラス系の非線形光学
材料に、ＵＶレーザを照射しながら十分なポーリング用
の電界を印加できる非線形光学薄膜の製造方法を提供す
ることにある。
ものであり、その目的は、シリカガラス系の非線形光学
材料に、ＵＶレーザを照射しながら十分なポーリング用
の電界を印加できる非線形光学薄膜の製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、非線形光学材料にＵＶレーザ照射と同時
に電界を印加する非線形光学薄膜の製造方法であって、
ＵＶレーザを照射する側の電界印加用電極を、中心に貫
通孔を有する対称構造とし、この貫通孔を介して非線形
光学材料にＵＶレーザを照射することを特徴とする。
に、本発明は、非線形光学材料にＵＶレーザ照射と同時
に電界を印加する非線形光学薄膜の製造方法であって、
ＵＶレーザを照射する側の電界印加用電極を、中心に貫
通孔を有する対称構造とし、この貫通孔を介して非線形
光学材料にＵＶレーザを照射することを特徴とする。
【０００８】また、上記非線形光学薄膜の製造方法にお
いて、ＵＶレーザは反射面により反射されて非線形光学
材料に複数回入射し、その反射面には、ＵＶレーザが入
射する点を中心として対称に傾斜し、照射されたＵＶレ
ーザの拡散を制御する傾斜面を設けたことを特徴とす
る。
いて、ＵＶレーザは反射面により反射されて非線形光学
材料に複数回入射し、その反射面には、ＵＶレーザが入
射する点を中心として対称に傾斜し、照射されたＵＶレ
ーザの拡散を制御する傾斜面を設けたことを特徴とす
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（以下
実施形態という）を、図面に従って説明する。
実施形態という）を、図面に従って説明する。
【００１０】図１には、本発明に係る非線形光学薄膜の
製造方法を実施するための装置構成が示される。図１に
おいて、ＳｉＯ2ガラス基板１０の上に、ＧｅＯ2濃度が
５〜９０ｍｏｌ％のＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２を電子ビー
ム蒸着等により形成する。ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２の形
成方法としては、この他にスパッタリング法あるいはゾ
ルゲル法等を使用することもできる。このＳｉＯ2−Ｇ
ｅＯ2膜１２が本発明に係る非線形光学材料に相当す
る。
製造方法を実施するための装置構成が示される。図１に
おいて、ＳｉＯ2ガラス基板１０の上に、ＧｅＯ2濃度が
５〜９０ｍｏｌ％のＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２を電子ビー
ム蒸着等により形成する。ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２の形
成方法としては、この他にスパッタリング法あるいはゾ
ルゲル法等を使用することもできる。このＳｉＯ2−Ｇ
ｅＯ2膜１２が本発明に係る非線形光学材料に相当す
る。
【００１１】次に、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に電界を印
加しながらＵＶレーザを照射する。本発明において特徴
的な点は、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に接して、中心に貫
通孔１６を有する対称構造とされた電界印加用電極１８
を配置した点にある。この電界印加用電極１８は、例え
ば中空円筒状に形成した電極を使用することができる。
ポーリング時にＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に照射されるＵ
Ｖレーザは、この貫通孔１６を介して照射される。な
お、ガラス基板１０の、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２が形成
された面の反対側の面には、裏面電極２０が配置されて
おり、ポーリング時においてＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に
印加される電界は、電界印加用電極１８と裏面電極２０
との間で発生される。電界印加用電極１８がＳｉＯ2−
ＧｅＯ2膜１２に接しているため、容易に高い電界強度
の電界をＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に印加することができ
る。
加しながらＵＶレーザを照射する。本発明において特徴
的な点は、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に接して、中心に貫
通孔１６を有する対称構造とされた電界印加用電極１８
を配置した点にある。この電界印加用電極１８は、例え
ば中空円筒状に形成した電極を使用することができる。
ポーリング時にＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に照射されるＵ
Ｖレーザは、この貫通孔１６を介して照射される。な
お、ガラス基板１０の、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２が形成
された面の反対側の面には、裏面電極２０が配置されて
おり、ポーリング時においてＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に
印加される電界は、電界印加用電極１８と裏面電極２０
との間で発生される。電界印加用電極１８がＳｉＯ2−
ＧｅＯ2膜１２に接しているため、容易に高い電界強度
の電界をＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に印加することができ
る。
【００１２】また、使用するＵＶレーザは、ＡｒＦエキ
シマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用いた。このＵＶレー
ザを、貫通孔１６から、電界印加用電極１８の対称構造
の対称点に照射点を設定し照射した。なお、電界印加用
電極１８は、貫通孔１６を中心として対称構造をなして
いるが、ＵＶレーザがその対称点に照射されればよいの
で、複数の電界印加用電極１８を対称配置する構成とし
てもよい。本実施形態においては、上記ＡｒＦエキシマ
レーザを、１００ｍＪ／（ｃｍ2・ｐｕｌｓｅ）の強度
で１０，０００ショット照射した。
シマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用いた。このＵＶレー
ザを、貫通孔１６から、電界印加用電極１８の対称構造
の対称点に照射点を設定し照射した。なお、電界印加用
電極１８は、貫通孔１６を中心として対称構造をなして
いるが、ＵＶレーザがその対称点に照射されればよいの
で、複数の電界印加用電極１８を対称配置する構成とし
てもよい。本実施形態においては、上記ＡｒＦエキシマ
レーザを、１００ｍＪ／（ｃｍ2・ｐｕｌｓｅ）の強度
で１０，０００ショット照射した。
【００１３】このように、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２にＵ
Ｖレーザを照射することにより、非線形光学特性の起源
となる双極子がＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２中に生じ、同時
に電界印加用電極１８と裏面電極２０とによって印加さ
れている電界により、この双極子が配向される。これに
より、非線形光学材料であるＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２
が、非線形光学特性を有する非線形光学薄膜となる。
Ｖレーザを照射することにより、非線形光学特性の起源
となる双極子がＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２中に生じ、同時
に電界印加用電極１８と裏面電極２０とによって印加さ
れている電界により、この双極子が配向される。これに
より、非線形光学材料であるＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２
が、非線形光学特性を有する非線形光学薄膜となる。
【００１４】なお、図１において、電界印加用電極１８
と裏面電極２０とを図の水平方向にスキャンさせるか、
あるいはＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２が形成されたガラス基
板１０を水平方向にスキャンさせれば、広い範囲でＳｉ
Ｏ2−ＧｅＯ2膜１２にＵＶレーザを照射することがで
き、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２の広い面積に非線形光学特
性を発現させることができる。
と裏面電極２０とを図の水平方向にスキャンさせるか、
あるいはＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２が形成されたガラス基
板１０を水平方向にスキャンさせれば、広い範囲でＳｉ
Ｏ2−ＧｅＯ2膜１２にＵＶレーザを照射することがで
き、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２の広い面積に非線形光学特
性を発現させることができる。
【００１５】図２には、本発明に係る非線形光学薄膜の
製造方法を実施するための変形例が示される。図２にお
いても電界印加用電極１８はＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に
接しており、容易に２００ｋＶ／ｃｍ程度の電界強度を
ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に印加することができる。本変
形例においては、電界印加用電極１８の貫通孔１６から
入射したＵＶレーザは、ガラス基板１０の底面で反射さ
れ、一部がＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に吸収され、残りが
ここで反射され、更にガラス基板１０の底面で反射が繰
り返される。このように、ＵＶレーザがガラス基板１０
内で多重反射されることにより、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１
２のポーリング部に複数回ＵＶレーザが照射される。こ
れにより、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２のポーリングを十分
に行うことができ、非線形光学特性をより向上させるこ
とができる。この場合、電界印加用電極１８を円筒形状
の電極とし、ＵＶレーザをＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２の法
線方向からわずかにずらせば、ＵＶレーザが円筒電極の
内壁を反射して、上記効果は更に向上される。
製造方法を実施するための変形例が示される。図２にお
いても電界印加用電極１８はＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に
接しており、容易に２００ｋＶ／ｃｍ程度の電界強度を
ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に印加することができる。本変
形例においては、電界印加用電極１８の貫通孔１６から
入射したＵＶレーザは、ガラス基板１０の底面で反射さ
れ、一部がＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に吸収され、残りが
ここで反射され、更にガラス基板１０の底面で反射が繰
り返される。このように、ＵＶレーザがガラス基板１０
内で多重反射されることにより、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１
２のポーリング部に複数回ＵＶレーザが照射される。こ
れにより、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２のポーリングを十分
に行うことができ、非線形光学特性をより向上させるこ
とができる。この場合、電界印加用電極１８を円筒形状
の電極とし、ＵＶレーザをＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２の法
線方向からわずかにずらせば、ＵＶレーザが円筒電極の
内壁を反射して、上記効果は更に向上される。
【００１６】図３（ａ）（ｂ）には、本発明に係る非線
形光学薄膜の製造方法の更に他の変形例が示される。図
３（ａ）においても、電界印加用電極１８として貫通孔
１６を中心部に有する円筒電極が用いられている。ま
た、裏面電極２０は、電界印加用電極１８の対象点すな
わちＵＶレーザが入射する入射点を中心として対象に傾
斜した傾斜面２２を有している。この傾斜面２２には、
点刻等を形成し、ここで反射されるＵＶレーザの拡散を
制御している。このため、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２の比
較的狭い部分にＵＶレーザを集中的に照射したり、広い
部分に照射したりすることができるので、用途に応じて
効率的にポーリングを行うことができる。
形光学薄膜の製造方法の更に他の変形例が示される。図
３（ａ）においても、電界印加用電極１８として貫通孔
１６を中心部に有する円筒電極が用いられている。ま
た、裏面電極２０は、電界印加用電極１８の対象点すな
わちＵＶレーザが入射する入射点を中心として対象に傾
斜した傾斜面２２を有している。この傾斜面２２には、
点刻等を形成し、ここで反射されるＵＶレーザの拡散を
制御している。このため、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２の比
較的狭い部分にＵＶレーザを集中的に照射したり、広い
部分に照射したりすることができるので、用途に応じて
効率的にポーリングを行うことができる。
【００１７】図３（ｂ）には、図３（ａ）の傾斜面２２
の例の拡大図が示される。図３（ｂ）に示される形状で
は、ＵＶレーザは反射時において左右への拡散が抑制さ
れる。また、これとは逆に、ＵＶレーザの拡散をより拡
大する形状とすることも可能である。
の例の拡大図が示される。図３（ｂ）に示される形状で
は、ＵＶレーザは反射時において左右への拡散が抑制さ
れる。また、これとは逆に、ＵＶレーザの拡散をより拡
大する形状とすることも可能である。
【００１８】以上のようにして製造した本発明に係る非
線形光学薄膜は、高い非線形光学特性を示した。図４に
は、この非線形光学特性の測定方法が示される。本発明
に係る非線形光学薄膜の製造方法により製造した薄膜の
サンプルに、このサンプルを回転しながら基本波として
Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、発生する第２高調波（Ｓ
ＨＧ）を検出器により測定した。この場合に使用される
レーザの波長は１０６４ｎｍであるので、第２高調波と
しては波長５３２ｎｍのレーザ光を検出器によって測定
する。この結果が図５に示される。図５の横軸には、サ
ンプルの回転による入射角の変化が示され、縦軸には発
生する第２高調波の強度が示される。図５においては、
本発明に係る非線形光学薄膜の製造方法により、ＵＶレ
ーザの照射とともに２００ｋＶ／ｃｍの電界を印加した
場合の結果と、図５に示された方法により、ＵＶレーザ
の照射とともに６６ｋＶ／ｃｍの電界を印加した場合の
結果が示される。図５からわかるように、電界強度が高
い場合には、第２高調波の強度も高くなっている。従っ
て、本発明に係る非線形光学薄膜の製造方法によれば、
電界印加用電極１８をＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に接着
し、高い電界強度を得られることから、製造される非線
形光学薄膜の非線形光学特性も高い値が得られることが
わかる。
線形光学薄膜は、高い非線形光学特性を示した。図４に
は、この非線形光学特性の測定方法が示される。本発明
に係る非線形光学薄膜の製造方法により製造した薄膜の
サンプルに、このサンプルを回転しながら基本波として
Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、発生する第２高調波（Ｓ
ＨＧ）を検出器により測定した。この場合に使用される
レーザの波長は１０６４ｎｍであるので、第２高調波と
しては波長５３２ｎｍのレーザ光を検出器によって測定
する。この結果が図５に示される。図５の横軸には、サ
ンプルの回転による入射角の変化が示され、縦軸には発
生する第２高調波の強度が示される。図５においては、
本発明に係る非線形光学薄膜の製造方法により、ＵＶレ
ーザの照射とともに２００ｋＶ／ｃｍの電界を印加した
場合の結果と、図５に示された方法により、ＵＶレーザ
の照射とともに６６ｋＶ／ｃｍの電界を印加した場合の
結果が示される。図５からわかるように、電界強度が高
い場合には、第２高調波の強度も高くなっている。従っ
て、本発明に係る非線形光学薄膜の製造方法によれば、
電界印加用電極１８をＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜１２に接着
し、高い電界強度を得られることから、製造される非線
形光学薄膜の非線形光学特性も高い値が得られることが
わかる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電界印加用電極を、中空円筒状等の中心に貫通孔を有す
る対象構造とし、非線形光学材料にＵＶレーザを貫通孔
を介して照射しながら、その照射点に高い電界を印加で
きる。これにより、十分なポーリングを行うことがで
き、高い非線形光学特性を発現させることができる。
電界印加用電極を、中空円筒状等の中心に貫通孔を有す
る対象構造とし、非線形光学材料にＵＶレーザを貫通孔
を介して照射しながら、その照射点に高い電界を印加で
きる。これにより、十分なポーリングを行うことがで
き、高い非線形光学特性を発現させることができる。
【００２０】また、入射するＵＶレーザを、ガラス基板
と非線形光学材料との間で反射させ、複数回非線形光学
材料に入射させ、かつガラス基板のＵＶレーザが反射す
る面をＵＶレーザの反射時の拡散を抑制する傾斜面とし
ているので、ポーリング効率を向上させることができ、
より高い非線形光学特性を発現させることができる。
と非線形光学材料との間で反射させ、複数回非線形光学
材料に入射させ、かつガラス基板のＵＶレーザが反射す
る面をＵＶレーザの反射時の拡散を抑制する傾斜面とし
ているので、ポーリング効率を向上させることができ、
より高い非線形光学特性を発現させることができる。
【図１】 本発明に係る非線形光学薄膜の製造方法の説
明図である。
明図である。
【図２】 本発明に係る非線形光学薄膜の製造方法の変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図３】 本発明に係る非線形光学薄膜の製造方法の他
の変形例を示す図である。
の変形例を示す図である。
【図４】 本発明に係る非線形光学薄膜の製造方法によ
り製造された非線形光学薄膜の非線形光学特性を測定す
る方法の説明図である。
り製造された非線形光学薄膜の非線形光学特性を測定す
る方法の説明図である。
【図５】 図４に示された測定方法によって得られた測
定結果を示す図である。
定結果を示す図である。
【図６】 ＵＶレーザを照射しながら電界を印加して非
線形光学材料に非線形光学特性を発現させる方法の例を
示す図である。
線形光学材料に非線形光学特性を発現させる方法の例を
示す図である。
１０ ガラス基板、１２ ＳｉＯ2−ＧｅＯ2膜、１４
電極、１６ 貫通孔、１８ 電界印加用電極、２０ 裏
面電極、２２ 傾斜面。
電極、１６ 貫通孔、１８ 電界印加用電極、２０ 裏
面電極、２２ 傾斜面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2K002 AB12 CA15 DA04 FA07 FA19 FA27 FA30 HA20 4G059 AA01 AA11 EA07 EB03 EB04 EB07
Claims (2)
- 【請求項１】 非線形光学材料にＵＶレーザ照射と同時
に電界を印加する非線形光学薄膜の製造方法であって、
ＵＶレーザを照射する側の電界印加用電極を、中心に貫
通孔を有する対称構造とし、この貫通孔を介して前記非
線形光学材料にＵＶレーザを照射することを特徴とする
非線形光学薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の非線形光学薄膜の製造方
法において、前記ＵＶレーザは反射面により反射されて
前記非線形光学材料に複数回入射し、前記反射面には、
前記ＵＶレーザが入射する点を中心として対称に傾斜
し、照射された前記ＵＶレーザの拡散を制御する傾斜面
を設けたことを特徴とする非線形光学薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268132A JP2000098436A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 非線形光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268132A JP2000098436A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 非線形光学薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000098436A true JP2000098436A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17454342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268132A Pending JP2000098436A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 非線形光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000098436A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602558B1 (en) * | 1998-08-07 | 2003-08-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Non-linear optical silica thin film manufacturing method and non-linear optical silica element |
| CN112034637A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-12-04 | 南京邮电大学 | 二氧化锗基光敏复合薄膜及其制备和应用 |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP10268132A patent/JP2000098436A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602558B1 (en) * | 1998-08-07 | 2003-08-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Non-linear optical silica thin film manufacturing method and non-linear optical silica element |
| CN112034637A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-12-04 | 南京邮电大学 | 二氧化锗基光敏复合薄膜及其制备和应用 |
| CN112034637B (zh) * | 2020-08-21 | 2023-01-31 | 南京邮电大学 | 二氧化锗基光敏复合薄膜及其制备和应用 |
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