JP2000077935A - マイクロストリップアンテナおよびマイクロストリップアンテナを備える携帯無線機 - Google Patents
マイクロストリップアンテナおよびマイクロストリップアンテナを備える携帯無線機Info
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- JP2000077935A JP2000077935A JP10243844A JP24384498A JP2000077935A JP 2000077935 A JP2000077935 A JP 2000077935A JP 10243844 A JP10243844 A JP 10243844A JP 24384498 A JP24384498 A JP 24384498A JP 2000077935 A JP2000077935 A JP 2000077935A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロストリップアンテナの水平方向の利
得を向上する。 【解決手段】 誘電体基板１０の表面に円偏波を放射す
るパッチ状の放射導体１１を形成し、裏面にアース導体
１３を形成する。誘電体基板１０とほぼ同径の絶縁筒体
１５の放射導体１１に略直交する周側面に面状素子１６
を形成し、誘電体基板１０の裏面に絶縁筒体１５を配置
する。面状素子１６の上端は電気的にアース導体１３に
接続される。これにより、面状素子１６は等価的にアー
ス導体１３の面積を広げると共に、電磁波を放射して水
平方向の利得を向上させる。
得を向上する。 【解決手段】 誘電体基板１０の表面に円偏波を放射す
るパッチ状の放射導体１１を形成し、裏面にアース導体
１３を形成する。誘電体基板１０とほぼ同径の絶縁筒体
１５の放射導体１１に略直交する周側面に面状素子１６
を形成し、誘電体基板１０の裏面に絶縁筒体１５を配置
する。面状素子１６の上端は電気的にアース導体１３に
接続される。これにより、面状素子１６は等価的にアー
ス導体１３の面積を広げると共に、電磁波を放射して水
平方向の利得を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯無線機に搭載
して好適なマイクロストリップアンテナに関するもので
ある。
して好適なマイクロストリップアンテナに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信を目的とした衛星通信システ
ムが種々提案されているが、衛星通信システムには静止
衛星を利用する静止移動体衛星通信システムと、非静止
衛星を用いる非静止移動体衛星通信システムがある。非
静止移動体衛星通信システムには、低・中高度軌道の衛
星を用いるシステム、長楕円軌道の衛星を用いるシステ
ム、傾斜同期軌道を用いるシステムがある。このうちの
低・中高度軌道の非静止衛星を用いるシステムには、Ｌ
ＥＯ（Low Earth Orbit）通信システムがある。このＬ
ＥＯ通信システムは伝搬遅延時間が小さくされており、
また、伝搬損失が小さいため、端末の送信電力を低減で
き端末の小型化・軽量化を容易とできる長所を有してい
る。
ムが種々提案されているが、衛星通信システムには静止
衛星を利用する静止移動体衛星通信システムと、非静止
衛星を用いる非静止移動体衛星通信システムがある。非
静止移動体衛星通信システムには、低・中高度軌道の衛
星を用いるシステム、長楕円軌道の衛星を用いるシステ
ム、傾斜同期軌道を用いるシステムがある。このうちの
低・中高度軌道の非静止衛星を用いるシステムには、Ｌ
ＥＯ（Low Earth Orbit）通信システムがある。このＬ
ＥＯ通信システムは伝搬遅延時間が小さくされており、
また、伝搬損失が小さいため、端末の送信電力を低減で
き端末の小型化・軽量化を容易とできる長所を有してい
る。
【０００３】さらに、ＬＥＯ通信システムには、データ
伝送のみを扱う小規模ＬＥＯ（Ｌｉｔｔｌｅ ＬＥＯ）
と、音声伝送が可能な大規模ＬＥＯ（Ｂｉｇ ＬＥＯ）
がある。大規模ＬＥＯの中には米国Ｉｒｉｄｉｕｍ社が
計画を推進している国際パーソナル衛星通信システム
“イリジウム”がある。このイリジウム・システムは、
通信方式が１．６ＧＨｚ帯の周波数を用いたＴＤＭＡ
（Time Division MultipleAccess）方式とされており、
地球全体をカバーするよう７８０ｋｍの高度に打ち上げ
られた（６６＋６）個の非静止衛星を用いて通信するよ
うにされている。なお、非静止衛星は、経度３０度間隔
で配置される。また、イリジウム・システムには１６１
８．３５〜１６２６．５ＭＨｚの周波数帯域幅が割り当
てられる。
伝送のみを扱う小規模ＬＥＯ（Ｌｉｔｔｌｅ ＬＥＯ）
と、音声伝送が可能な大規模ＬＥＯ（Ｂｉｇ ＬＥＯ）
がある。大規模ＬＥＯの中には米国Ｉｒｉｄｉｕｍ社が
計画を推進している国際パーソナル衛星通信システム
“イリジウム”がある。このイリジウム・システムは、
通信方式が１．６ＧＨｚ帯の周波数を用いたＴＤＭＡ
（Time Division MultipleAccess）方式とされており、
地球全体をカバーするよう７８０ｋｍの高度に打ち上げ
られた（６６＋６）個の非静止衛星を用いて通信するよ
うにされている。なお、非静止衛星は、経度３０度間隔
で配置される。また、イリジウム・システムには１６１
８．３５〜１６２６．５ＭＨｚの周波数帯域幅が割り当
てられる。
【０００４】このイリジウム・システムでは、多くの衛
星が必要ではあるものの通信の遅延時間が無視できるの
で、リアルタイムで音声やデータ等の通信が行える。さ
らに、端末の送信電力を低減できるため端末を携帯型と
することが可能である。したがって、イリジウム・シス
テム用の携帯無線機を携帯していれば、全世界の電話や
携帯電話とリアルタイムで通話やデータ伝送を行うこと
が可能となる。なお、イリジウム・システムでは携帯無
線機に好適なように円偏波（右旋）が用いられている。
星が必要ではあるものの通信の遅延時間が無視できるの
で、リアルタイムで音声やデータ等の通信が行える。さ
らに、端末の送信電力を低減できるため端末を携帯型と
することが可能である。したがって、イリジウム・シス
テム用の携帯無線機を携帯していれば、全世界の電話や
携帯電話とリアルタイムで通話やデータ伝送を行うこと
が可能となる。なお、イリジウム・システムでは携帯無
線機に好適なように円偏波（右旋）が用いられている。
【０００５】このような携帯無線機においては、円偏波
を受信する必要があることからヘリカルアンテナやマイ
クロストリップアンテナが用いられる。ここで、円偏波
を送受信可能な従来のマイクロストリップアンテナの構
成を図８に示す。図８（ａ）は、方形マイクロストリッ
プアンテナの平面図であり、図８（ｂ）はその側面図、
図８（ｃ）は裏面図である。図８（ａ）〜（ｃ）に示す
方形マイクロストリップアンテナ１００は、所定厚みの
円筒状の誘電体基板１１０の表面に方形パッチ状の方形
放射導体１１１が形成されており、その裏面には全面に
アース導体１１３が形成されている。方形放射導体１１
１には円偏波を送受信するために、中心から偏心した位
置に給電点１１２が設けられており、この給電点１１２
の位置には誘電体基板１１０を貫通するように挿通孔１
１０ａが設けられている。
を受信する必要があることからヘリカルアンテナやマイ
クロストリップアンテナが用いられる。ここで、円偏波
を送受信可能な従来のマイクロストリップアンテナの構
成を図８に示す。図８（ａ）は、方形マイクロストリッ
プアンテナの平面図であり、図８（ｂ）はその側面図、
図８（ｃ）は裏面図である。図８（ａ）〜（ｃ）に示す
方形マイクロストリップアンテナ１００は、所定厚みの
円筒状の誘電体基板１１０の表面に方形パッチ状の方形
放射導体１１１が形成されており、その裏面には全面に
アース導体１１３が形成されている。方形放射導体１１
１には円偏波を送受信するために、中心から偏心した位
置に給電点１１２が設けられており、この給電点１１２
の位置には誘電体基板１１０を貫通するように挿通孔１
１０ａが設けられている。
【０００６】また、誘電体基板１１０の裏面にはセミリ
ジッドケーブルとされた同軸ケーブル１１４が装着され
ており、同軸ケーブル１１４の中心導体１１４ａは挿通
孔１１０ａ内に挿通されて、その先端が給電点１１２に
ハンダ付けされている。また、同軸ケーブル１１４のシ
ールド導体１１４ｂはアース導体１１３にハンダ付け等
により電気的かつ機械的に固着されている。このよう
に、同軸ケーブル１１４は給電点１１２の位置から導出
されるため、図８（ｂ）に示すように誘電体基板１１０
の中心から偏心して導出されることになる。そして、方
形放射導体１１１で受信された円偏波は同軸ケーブル１
１４を介して受信機に導かれ、同軸ケーブル１１４から
供給されたＲＦ信号は方形放射導体１１１から円偏波の
電磁波として空間へ放射されるようになる。
ジッドケーブルとされた同軸ケーブル１１４が装着され
ており、同軸ケーブル１１４の中心導体１１４ａは挿通
孔１１０ａ内に挿通されて、その先端が給電点１１２に
ハンダ付けされている。また、同軸ケーブル１１４のシ
ールド導体１１４ｂはアース導体１１３にハンダ付け等
により電気的かつ機械的に固着されている。このよう
に、同軸ケーブル１１４は給電点１１２の位置から導出
されるため、図８（ｂ）に示すように誘電体基板１１０
の中心から偏心して導出されることになる。そして、方
形放射導体１１１で受信された円偏波は同軸ケーブル１
１４を介して受信機に導かれ、同軸ケーブル１１４から
供給されたＲＦ信号は方形放射導体１１１から円偏波の
電磁波として空間へ放射されるようになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図８に示す従来のマイ
クロストリップアンテナの垂直面内指向性を図９に示
す。図９において同心円状の目盛は５ｄＢステップの目
盛とされており、図９の指向性を観察すると、従来のマ
イクロストリップアンテナでは天頂方向の利得が一番高
くされ、水平方向の指向性の利得は天頂方向の利得に比
して約１２ｄＢ低くなっている。この原因は、マイクロ
ストリップアンテナの放射導体が水平面内に位置してい
ること、および、誘電体基板の面積が限られることから
アース導体の面積がアースとしての機能を十分に果たす
面積とされていないことである。すると、前記したイリ
ジウム・システム等の非静止移動体衛星通信システムに
おける携帯無線機に従来のマイクロストリップアンテナ
を搭載すると、次のような問題点が生じる。
クロストリップアンテナの垂直面内指向性を図９に示
す。図９において同心円状の目盛は５ｄＢステップの目
盛とされており、図９の指向性を観察すると、従来のマ
イクロストリップアンテナでは天頂方向の利得が一番高
くされ、水平方向の指向性の利得は天頂方向の利得に比
して約１２ｄＢ低くなっている。この原因は、マイクロ
ストリップアンテナの放射導体が水平面内に位置してい
ること、および、誘電体基板の面積が限られることから
アース導体の面積がアースとしての機能を十分に果たす
面積とされていないことである。すると、前記したイリ
ジウム・システム等の非静止移動体衛星通信システムに
おける携帯無線機に従来のマイクロストリップアンテナ
を搭載すると、次のような問題点が生じる。
【０００８】非静止移動体衛星通信システムでは、衛星
の位置が周回軌道上を時々刻々と変化し、電波の到来方
向が変化することになる。しかしながら、従来のマイク
ロストリップアンテナの指向性は図９に示すように、天
頂方向の利得が高く水平方向の利得が低くなっているた
め、電波の到来する仰角が低くなった際に良好な通信を
行えない恐れが生じるようになる。これを解決しようと
して、衛星追尾方式の携帯無線機とすると、追尾するた
めの構成が複雑になることから、そのコストが上昇して
しまうという問題点がある。
の位置が周回軌道上を時々刻々と変化し、電波の到来方
向が変化することになる。しかしながら、従来のマイク
ロストリップアンテナの指向性は図９に示すように、天
頂方向の利得が高く水平方向の利得が低くなっているた
め、電波の到来する仰角が低くなった際に良好な通信を
行えない恐れが生じるようになる。これを解決しようと
して、衛星追尾方式の携帯無線機とすると、追尾するた
めの構成が複雑になることから、そのコストが上昇して
しまうという問題点がある。
【０００９】そこで、本発明は低仰角および水平方向に
おける指向性の利得を向上するようにしたマイクロスト
リップアンテナおよびマイクロストリップアンテナを備
える携帯無線機を提供することを目的としている。
おける指向性の利得を向上するようにしたマイクロスト
リップアンテナおよびマイクロストリップアンテナを備
える携帯無線機を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のマイクロストリップアンテナは、一面に円
偏波を放射するパッチ状の放射導体が形成され、他面に
アース導体が形成された誘電体基板と、該誘電体基板の
他面から導出されると共に、中心導体が前記誘電体基板
の一面に形成された放射導体の給電点に接続され、シー
ルド導体が前記誘電体基板の他面に形成されたアース導
体に接続される給電ケーブルと、前記誘電体基板とほぼ
同径とされていると共に、前記放射導体に略直交する周
側面に放射素子が形成された絶縁筒体とを備え、前記誘
電体基板の他面に形成されているアース導体に、前記絶
縁筒体の周側面に形成された前記放射素子の上端が電気
的に接続されて、前記放射素子が水平成分および垂直成
分で励振可能とされている。
に、本発明のマイクロストリップアンテナは、一面に円
偏波を放射するパッチ状の放射導体が形成され、他面に
アース導体が形成された誘電体基板と、該誘電体基板の
他面から導出されると共に、中心導体が前記誘電体基板
の一面に形成された放射導体の給電点に接続され、シー
ルド導体が前記誘電体基板の他面に形成されたアース導
体に接続される給電ケーブルと、前記誘電体基板とほぼ
同径とされていると共に、前記放射導体に略直交する周
側面に放射素子が形成された絶縁筒体とを備え、前記誘
電体基板の他面に形成されているアース導体に、前記絶
縁筒体の周側面に形成された前記放射素子の上端が電気
的に接続されて、前記放射素子が水平成分および垂直成
分で励振可能とされている。
【００１１】また、上記マイクロストリップアンテナに
おいて、前記放射素子が、前記誘電体基板の他面に形成
されているアース導体に、上端が電気的に接続される線
状の接続部と、該接続部の下端に形成された方形状の面
状部とからなる面状素子とされており、前記絶縁筒体の
周側面に該面状素子をほぼ等間隔で複数形成するように
してもよい。さらに、上記マイクロストリップアンテナ
において、前記放射素子が、前記誘電体基板の他面に形
成されているアース導体に、上端が電気的に接続される
線状の線状素子から構成されており、前記絶縁筒体の周
側面に該線状素子をほぼ等間隔で複数本形成するように
してもよい。さらにまた、上記マイクロストリップアン
テナにおいて、前記放射素子が、前記誘電体基板の他面
に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続さ
れる線状の接続部と、該接続部の下端に形成された方形
状の面状部とからなる面状素子と、前記誘電体基板の他
面に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続
される線状の線状素子とから構成されており、前記絶縁
筒体の周側面に該面状素子と該線状素子とをほぼ等間隔
で複数形成するようにしてもよい。
おいて、前記放射素子が、前記誘電体基板の他面に形成
されているアース導体に、上端が電気的に接続される線
状の接続部と、該接続部の下端に形成された方形状の面
状部とからなる面状素子とされており、前記絶縁筒体の
周側面に該面状素子をほぼ等間隔で複数形成するように
してもよい。さらに、上記マイクロストリップアンテナ
において、前記放射素子が、前記誘電体基板の他面に形
成されているアース導体に、上端が電気的に接続される
線状の線状素子から構成されており、前記絶縁筒体の周
側面に該線状素子をほぼ等間隔で複数本形成するように
してもよい。さらにまた、上記マイクロストリップアン
テナにおいて、前記放射素子が、前記誘電体基板の他面
に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続さ
れる線状の接続部と、該接続部の下端に形成された方形
状の面状部とからなる面状素子と、前記誘電体基板の他
面に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続
される線状の線状素子とから構成されており、前記絶縁
筒体の周側面に該面状素子と該線状素子とをほぼ等間隔
で複数形成するようにしてもよい。
【００１２】また、本発明のマイクロストリップアンテ
ナを備える携帯無線機は、一面に円偏波を放射するパッ
チ状の放射導体が形成され、他面にアース導体が形成さ
れた誘電体基板と、該誘電体基板の他面から導出される
と共に、中心導体が前記誘電体基板の一面に形成された
放射導体の給電点に接続され、シールド導体が前記誘電
体基板の他面に形成されたアース導体に接続される給電
ケーブルと、前記誘電体基板とほぼ同径とされていると
共に、前記放射導体に略直交する周側面に放射素子が形
成された絶縁筒体とを備え、前記誘電体基板の他面に形
成されているアース導体に、前記絶縁筒体の周側面に形
成された前記放射素子の上端が電気的に接続されて、前
記放射素子が水平成分および垂直成分で励振可能とされ
ているマイクロストリップアンテナが、回転対称の形状
とされたアンテナカバーケースに収納されており、該ア
ンテナカバーケースが伸縮自在に筐体に設けられてい
る。なお、上記マイクロストリップアンテナを備える携
帯無線機において、放射素子は上記したマイクロストリ
ップアンテナと同様に構成することができる。
ナを備える携帯無線機は、一面に円偏波を放射するパッ
チ状の放射導体が形成され、他面にアース導体が形成さ
れた誘電体基板と、該誘電体基板の他面から導出される
と共に、中心導体が前記誘電体基板の一面に形成された
放射導体の給電点に接続され、シールド導体が前記誘電
体基板の他面に形成されたアース導体に接続される給電
ケーブルと、前記誘電体基板とほぼ同径とされていると
共に、前記放射導体に略直交する周側面に放射素子が形
成された絶縁筒体とを備え、前記誘電体基板の他面に形
成されているアース導体に、前記絶縁筒体の周側面に形
成された前記放射素子の上端が電気的に接続されて、前
記放射素子が水平成分および垂直成分で励振可能とされ
ているマイクロストリップアンテナが、回転対称の形状
とされたアンテナカバーケースに収納されており、該ア
ンテナカバーケースが伸縮自在に筐体に設けられてい
る。なお、上記マイクロストリップアンテナを備える携
帯無線機において、放射素子は上記したマイクロストリ
ップアンテナと同様に構成することができる。
【００１３】このような本発明によれば、誘電体基板の
他面側に配置された絶縁筒体に形成されている放射素子
が、アース導体に接続されているためアース導体の面積
を等価的に大きくすることができ、アンテナの特性を向
上することができる。また、放射導体と略直交されて配
置される放射素子からも水平成分および垂直成分で励振
可能とされて、水平成分および垂直成分の電磁波を送受
信することができることから、マイクロストリップアン
テナの低仰角および水平方向の指向性の利得を向上する
ことができる。
他面側に配置された絶縁筒体に形成されている放射素子
が、アース導体に接続されているためアース導体の面積
を等価的に大きくすることができ、アンテナの特性を向
上することができる。また、放射導体と略直交されて配
置される放射素子からも水平成分および垂直成分で励振
可能とされて、水平成分および垂直成分の電磁波を送受
信することができることから、マイクロストリップアン
テナの低仰角および水平方向の指向性の利得を向上する
ことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明のマイクロストリップアン
テナの実施の形態の第１の構成例を図１に示す。図１
（ａ）は、円偏波を送受信可能な本発明のマイクロスト
リップアンテナ１の一部を破断した正面図であり、図１
（ｂ）はその側面図、図１（ｃ）は上面図である。図１
（ａ）〜（ｃ）に示すマイクロストリップアンテナ１で
は、所定厚みの円筒状とされたセラミック製等の誘電体
基板１０の表面に方形のパッチ状とされた放射導体１１
が設けられており、その裏面には全面に薄板状のアース
導体１３が設けられている。この放射導体１１とアース
導体１３は、誘電体基板１０に金属を蒸着することによ
り形成されたり、あるいは金属薄板を貼着することによ
り形成されている。放射導体１１には円偏波を送受信す
るために、中心から偏心した位置に給電点１２が設けら
れており、この給電点１２の位置には誘電体基板１０に
形成されたスリット１０ｂに連通するように挿通孔１０
ａが設けられている。
テナの実施の形態の第１の構成例を図１に示す。図１
（ａ）は、円偏波を送受信可能な本発明のマイクロスト
リップアンテナ１の一部を破断した正面図であり、図１
（ｂ）はその側面図、図１（ｃ）は上面図である。図１
（ａ）〜（ｃ）に示すマイクロストリップアンテナ１で
は、所定厚みの円筒状とされたセラミック製等の誘電体
基板１０の表面に方形のパッチ状とされた放射導体１１
が設けられており、その裏面には全面に薄板状のアース
導体１３が設けられている。この放射導体１１とアース
導体１３は、誘電体基板１０に金属を蒸着することによ
り形成されたり、あるいは金属薄板を貼着することによ
り形成されている。放射導体１１には円偏波を送受信す
るために、中心から偏心した位置に給電点１２が設けら
れており、この給電点１２の位置には誘電体基板１０に
形成されたスリット１０ｂに連通するように挿通孔１０
ａが設けられている。
【００１５】このスリット１０ｂの断面形状は方形状と
されており、給電点１２から誘電体基板１０の略中心に
至る幅で誘電体基板１０に形成されており、スリット１
０ｂの厚みは極力薄く形成されている。また、誘電体基
板１０の裏面にはセミリジッドケーブルとされた同軸ケ
ーブル１４が装着されており、同軸ケーブル１４の中心
導体１４ａはスリット１０ｂの下端からスリット１０ｂ
内に斜めに挿通されて、スリット１０ｂに連通する挿通
孔１０ａ内に挿通される。そして、挿通孔１０ａに挿通
された中心導体１４ａの先端が給電点１２にハンダ付け
されて、放射導体１１が同軸ケーブル１４により給電さ
れる。さらに、同軸ケーブル１４のパイプ状のシールド
導体１４ｂの先端はアース導体１３の略中心にハンダ付
け等により電気的かつ機械的に固着される。
されており、給電点１２から誘電体基板１０の略中心に
至る幅で誘電体基板１０に形成されており、スリット１
０ｂの厚みは極力薄く形成されている。また、誘電体基
板１０の裏面にはセミリジッドケーブルとされた同軸ケ
ーブル１４が装着されており、同軸ケーブル１４の中心
導体１４ａはスリット１０ｂの下端からスリット１０ｂ
内に斜めに挿通されて、スリット１０ｂに連通する挿通
孔１０ａ内に挿通される。そして、挿通孔１０ａに挿通
された中心導体１４ａの先端が給電点１２にハンダ付け
されて、放射導体１１が同軸ケーブル１４により給電さ
れる。さらに、同軸ケーブル１４のパイプ状のシールド
導体１４ｂの先端はアース導体１３の略中心にハンダ付
け等により電気的かつ機械的に固着される。
【００１６】このように、同軸ケーブル１４のパイプ状
のシールド導体１４ｂの先端が誘電体基板１０の略中心
に固着されるため、同軸ケーブル１４の中心導体１４ａ
は図１（ａ）に示すようにスリット１０ｂ内において斜
めに挿通されるようになる。これにより、給電点１２が
偏心していても同軸ケーブル１４は誘電体基板１０の略
中心位置から導出されるようになる。このように構成さ
れたマイクロストリップアンテナ１は回転対称の形状と
なる。また、誘電体基板１０の裏面側に円筒状の絶縁筒
体１５が配置され、絶縁筒体１５の周側面には複数の面
状素子１６がほぼ等間隔で形成されている。この面状素
子１６は、絶縁筒体１５に金属を蒸着すること、あるい
は金属薄板を貼着することにより形成されている。な
お、面状素子１６は放射導体１１と略直交して配置され
ることになる。
のシールド導体１４ｂの先端が誘電体基板１０の略中心
に固着されるため、同軸ケーブル１４の中心導体１４ａ
は図１（ａ）に示すようにスリット１０ｂ内において斜
めに挿通されるようになる。これにより、給電点１２が
偏心していても同軸ケーブル１４は誘電体基板１０の略
中心位置から導出されるようになる。このように構成さ
れたマイクロストリップアンテナ１は回転対称の形状と
なる。また、誘電体基板１０の裏面側に円筒状の絶縁筒
体１５が配置され、絶縁筒体１５の周側面には複数の面
状素子１６がほぼ等間隔で形成されている。この面状素
子１６は、絶縁筒体１５に金属を蒸着すること、あるい
は金属薄板を貼着することにより形成されている。な
お、面状素子１６は放射導体１１と略直交して配置され
ることになる。
【００１７】この複数の面状素子１６は、図１（ｂ）に
示すように方形状の面状部１６ａと、この面状部１６ａ
に下端が連接されている線状の接続部１６ｂとから構成
されている。この接続部１６ｂの上端はハンダ付け等に
よりアース導体１３の周縁に接続されている。この面状
素子１６からは水平成分および垂直成分の電磁波が放射
されるようになり、面状素子１６が放射導体１１に略直
交して配置されているため、マイクロストリップアンテ
ナ１の低仰角および水平方向の指向性の利得が向上され
るようになる。さらに、面状素子１６はアース導体とし
ても作用するようになり、アース導体１３の面積の不足
を面状素子１６により補うことができる。
示すように方形状の面状部１６ａと、この面状部１６ａ
に下端が連接されている線状の接続部１６ｂとから構成
されている。この接続部１６ｂの上端はハンダ付け等に
よりアース導体１３の周縁に接続されている。この面状
素子１６からは水平成分および垂直成分の電磁波が放射
されるようになり、面状素子１６が放射導体１１に略直
交して配置されているため、マイクロストリップアンテ
ナ１の低仰角および水平方向の指向性の利得が向上され
るようになる。さらに、面状素子１６はアース導体とし
ても作用するようになり、アース導体１３の面積の不足
を面状素子１６により補うことができる。
【００１８】面状素子１６についてさらに説明すると、
面状素子１６の方形状の面状部１６ａの高さＨ１は約
０．０６λｇ〜０．０８λｇ（λｇは、目的とする周波
数における絶縁筒体１５の比誘電率に応じて短縮された
管内波長）とされ、その幅Ｗ１は約０．０８λｇ〜０．
１λｇとされている。また、面状素子１６の線状とされ
た接続部１６ｂの高さＨ２は約０．０１λｇ〜０．０２
λｇとされ、その幅Ｗ２は約０．０１λｇ〜０．０４λ
ｇとされている。このように、面状素子１６の高さＨ３
（＝Ｈ１＋Ｈ２）と幅Ｗ１はほぼ同じ寸法とされ、高さ
Ｈ３方向に励振される電流により垂直成分が放射され、
幅Ｗ１方向に励振される電流により水平成分が放射され
るようになる。
面状素子１６の方形状の面状部１６ａの高さＨ１は約
０．０６λｇ〜０．０８λｇ（λｇは、目的とする周波
数における絶縁筒体１５の比誘電率に応じて短縮された
管内波長）とされ、その幅Ｗ１は約０．０８λｇ〜０．
１λｇとされている。また、面状素子１６の線状とされ
た接続部１６ｂの高さＨ２は約０．０１λｇ〜０．０２
λｇとされ、その幅Ｗ２は約０．０１λｇ〜０．０４λ
ｇとされている。このように、面状素子１６の高さＨ３
（＝Ｈ１＋Ｈ２）と幅Ｗ１はほぼ同じ寸法とされ、高さ
Ｈ３方向に励振される電流により垂直成分が放射され、
幅Ｗ１方向に励振される電流により水平成分が放射され
るようになる。
【００１９】これにより、アース導体１３から面状素子
１６に流れる電流を利用して、マイクロストリップアン
テナ１の指向特性を図３に示すように改善することがで
きる。すなわち、図１に示す本発明のマイクロストリッ
プアンテナ１における垂直面内の指向性を図３に示す
が、同心円状の目盛は５ｄＢステップとされ、図３の指
向性を観察すると、図９に示す従来のマイクロストリッ
プアンテナの指向特性に比して水平方向の利得が約５ｄ
Ｂ向上されると共に、低仰角の利得も向上されているこ
とがわかる。
１６に流れる電流を利用して、マイクロストリップアン
テナ１の指向特性を図３に示すように改善することがで
きる。すなわち、図１に示す本発明のマイクロストリッ
プアンテナ１における垂直面内の指向性を図３に示す
が、同心円状の目盛は５ｄＢステップとされ、図３の指
向性を観察すると、図９に示す従来のマイクロストリッ
プアンテナの指向特性に比して水平方向の利得が約５ｄ
Ｂ向上されると共に、低仰角の利得も向上されているこ
とがわかる。
【００２０】これにより、本発明のマイクロストリップ
アンテナ１を衛星の位置が時々刻々と変化するイリジウ
ム・システムのような非静止移動体衛星通信システムに
適用しても、良好な通信を行えるようになる。なお、ス
リット１０ｂの幅は同軸ケーブル１４の中心導体１４ａ
が挿通できる幅とされている。上記した面状素子１６
を、少なくとも３つ絶縁筒体１５にほぼ等間隔で設ける
ようにすれば、図３に示す指向性と同様の指向性を得る
ことができる。また、面状素子は、図１に示す面状素子
１６に替えて、図２（ａ）（ｂ）に示す形状の面状素子
を用いるようにしてもよい。図２（ａ）に示す面状素子
４１はホームベース型の面状部４１ａと、面状部４１ａ
の頂部から引き出された線状の接続部４１ｂとから構成
されている。また、図２（ｂ）に示す面状素子４２は菱
形の面状部４２ａと、面状部４２ａの頂部から引き出さ
れた線状の接続部４２ｂとから構成されている。このよ
うな面状素子４１，４２を用いるようにしても、マイク
ロストリップアンテナ１の低仰角および水平方向の指向
性の利得を向上することができる。
アンテナ１を衛星の位置が時々刻々と変化するイリジウ
ム・システムのような非静止移動体衛星通信システムに
適用しても、良好な通信を行えるようになる。なお、ス
リット１０ｂの幅は同軸ケーブル１４の中心導体１４ａ
が挿通できる幅とされている。上記した面状素子１６
を、少なくとも３つ絶縁筒体１５にほぼ等間隔で設ける
ようにすれば、図３に示す指向性と同様の指向性を得る
ことができる。また、面状素子は、図１に示す面状素子
１６に替えて、図２（ａ）（ｂ）に示す形状の面状素子
を用いるようにしてもよい。図２（ａ）に示す面状素子
４１はホームベース型の面状部４１ａと、面状部４１ａ
の頂部から引き出された線状の接続部４１ｂとから構成
されている。また、図２（ｂ）に示す面状素子４２は菱
形の面状部４２ａと、面状部４２ａの頂部から引き出さ
れた線状の接続部４２ｂとから構成されている。このよ
うな面状素子４１，４２を用いるようにしても、マイク
ロストリップアンテナ１の低仰角および水平方向の指向
性の利得を向上することができる。
【００２１】次に、本発明のマイクロストリップアンテ
ナの実施の形態の第２の構成例を図４に示す。図４
（ａ）は、円偏波を送受信可能な本発明のマイクロスト
リップアンテナ２の一部を破断した正面図であり、図４
（ｂ）はその側面図、図４（ｃ）はその上面図である。
図４（ａ）〜（ｃ）に示すマイクロストリップアンテナ
２では、所定厚みの円筒状とされたセラミック製等の誘
電体基板２０の表面に方形のパッチ状とされた放射導体
２１が設けられており、その裏面には全面に薄板状のア
ース導体２３が設けられている。この放射導体２１とア
ース導体２３は、誘電体基板２０に金属を蒸着すること
により形成されたり、あるいは金属薄板を貼着すること
により形成されている。放射導体２１には円偏波を送受
信するために、中心から偏心した位置に給電点２２が設
けられており、この給電点２２の位置には誘電体基板２
０に形成されたスリット２０ｂに連通するように挿通孔
２０ａが設けられている。
ナの実施の形態の第２の構成例を図４に示す。図４
（ａ）は、円偏波を送受信可能な本発明のマイクロスト
リップアンテナ２の一部を破断した正面図であり、図４
（ｂ）はその側面図、図４（ｃ）はその上面図である。
図４（ａ）〜（ｃ）に示すマイクロストリップアンテナ
２では、所定厚みの円筒状とされたセラミック製等の誘
電体基板２０の表面に方形のパッチ状とされた放射導体
２１が設けられており、その裏面には全面に薄板状のア
ース導体２３が設けられている。この放射導体２１とア
ース導体２３は、誘電体基板２０に金属を蒸着すること
により形成されたり、あるいは金属薄板を貼着すること
により形成されている。放射導体２１には円偏波を送受
信するために、中心から偏心した位置に給電点２２が設
けられており、この給電点２２の位置には誘電体基板２
０に形成されたスリット２０ｂに連通するように挿通孔
２０ａが設けられている。
【００２２】このスリット２０ｂの断面形状は方形状と
されており、給電点２２から誘電体基板２０の略中心に
至る幅で誘電体基板２０に形成されており、スリット２
０ｂの厚みは極力薄く形成されている。また、誘電体基
板２０の裏面にはセミリジッドケーブルとされた同軸ケ
ーブル２４が装着されており、同軸ケーブル２４の中心
導体２４ａはスリット２０ｂの下端からスリット２０ｂ
内に斜めに挿通されて、スリット２０ｂに連通する挿通
孔２０ａ内に挿通される。そして、挿通孔２０ａに挿通
された中心導体２４ａの先端が給電点２２にハンダ付け
されて、放射導体２１が同軸ケーブル２４により給電さ
れる。さらに、同軸ケーブル２４のパイプ状のシールド
導体２４ｂの先端はアース導体２３の略中心にハンダ付
け等により電気的かつ機械的に固着される。
されており、給電点２２から誘電体基板２０の略中心に
至る幅で誘電体基板２０に形成されており、スリット２
０ｂの厚みは極力薄く形成されている。また、誘電体基
板２０の裏面にはセミリジッドケーブルとされた同軸ケ
ーブル２４が装着されており、同軸ケーブル２４の中心
導体２４ａはスリット２０ｂの下端からスリット２０ｂ
内に斜めに挿通されて、スリット２０ｂに連通する挿通
孔２０ａ内に挿通される。そして、挿通孔２０ａに挿通
された中心導体２４ａの先端が給電点２２にハンダ付け
されて、放射導体２１が同軸ケーブル２４により給電さ
れる。さらに、同軸ケーブル２４のパイプ状のシールド
導体２４ｂの先端はアース導体２３の略中心にハンダ付
け等により電気的かつ機械的に固着される。
【００２３】このように、同軸ケーブル２４のパイプ状
のシールド導体２４ｂの先端が誘電体基板２０の略中心
に固着されるため、同軸ケーブル２４の中心導体２４ａ
は図４（ａ）に示すようにスリット２０ｂ内において斜
めに挿通されるようになる。これにより、給電点２２が
偏心していても同軸ケーブル２４は誘電体基板２０の略
中心位置から導出されるようになる。このように構成さ
れたマイクロストリップアンテナ２は回転対称の形状と
なる。また、誘電体基板２０の裏面側に円筒状の絶縁筒
体２５が配置され、絶縁筒体２５の周側面には複数本の
線状素子２６がほぼ等間隔で形成されている。この線状
素子２６は、絶縁筒体２５に金属を蒸着すること、ある
いは金属薄板を貼着することにより形成されている。な
お、線状素子２６は放射導体２１と略直交して配置され
ることになる。
のシールド導体２４ｂの先端が誘電体基板２０の略中心
に固着されるため、同軸ケーブル２４の中心導体２４ａ
は図４（ａ）に示すようにスリット２０ｂ内において斜
めに挿通されるようになる。これにより、給電点２２が
偏心していても同軸ケーブル２４は誘電体基板２０の略
中心位置から導出されるようになる。このように構成さ
れたマイクロストリップアンテナ２は回転対称の形状と
なる。また、誘電体基板２０の裏面側に円筒状の絶縁筒
体２５が配置され、絶縁筒体２５の周側面には複数本の
線状素子２６がほぼ等間隔で形成されている。この線状
素子２６は、絶縁筒体２５に金属を蒸着すること、ある
いは金属薄板を貼着することにより形成されている。な
お、線状素子２６は放射導体２１と略直交して配置され
ることになる。
【００２４】この複数の線状素子２６の上端はハンダ付
け等によりアース導体２３の周縁に接続されており、線
状素子２６からは主に垂直成分の電磁波が放射されるよ
うになり、線状素子２６が放射導体２１に略直交して配
置されているため、マイクロストリップアンテナ２の低
仰角および水平方向の指向性の利得が向上されるように
なる。さらに、線状素子２６はアース導体としても作用
するようになり、アース導体２３の面積の不足を線状素
子２６により補うことができる。線状素子２６について
さらに説明すると、線状素子２６の高さＨ４は約０．１
λｇ〜０．２５λｇ（λｇは、目的とする周波数におけ
る絶縁筒体２５の比誘電率に応じて短縮された管内波
長）とされ、その幅Ｗ３は約０．０１λｇ〜０．０４λ
ｇとされている。そして、線状素子２６の高さＨ４方向
に励振される電流により垂直成分が主に放射されるよう
になる。
け等によりアース導体２３の周縁に接続されており、線
状素子２６からは主に垂直成分の電磁波が放射されるよ
うになり、線状素子２６が放射導体２１に略直交して配
置されているため、マイクロストリップアンテナ２の低
仰角および水平方向の指向性の利得が向上されるように
なる。さらに、線状素子２６はアース導体としても作用
するようになり、アース導体２３の面積の不足を線状素
子２６により補うことができる。線状素子２６について
さらに説明すると、線状素子２６の高さＨ４は約０．１
λｇ〜０．２５λｇ（λｇは、目的とする周波数におけ
る絶縁筒体２５の比誘電率に応じて短縮された管内波
長）とされ、その幅Ｗ３は約０．０１λｇ〜０．０４λ
ｇとされている。そして、線状素子２６の高さＨ４方向
に励振される電流により垂直成分が主に放射されるよう
になる。
【００２５】これにより、本発明のマイクロストリップ
アンテナ２の低仰角および水平方向の指向性の利得が向
上され、衛星の位置が時々刻々と変化するイリジウム・
システムのような非静止移動体衛星通信システムに適用
しても、良好な通信を行えるようになる。上記した線状
素子２６を少なくとも３本、絶縁筒体２５にほぼ等間隔
で設けるようにすれば、低仰角および水平方向の指向性
の利得が向上される。
アンテナ２の低仰角および水平方向の指向性の利得が向
上され、衛星の位置が時々刻々と変化するイリジウム・
システムのような非静止移動体衛星通信システムに適用
しても、良好な通信を行えるようになる。上記した線状
素子２６を少なくとも３本、絶縁筒体２５にほぼ等間隔
で設けるようにすれば、低仰角および水平方向の指向性
の利得が向上される。
【００２６】次に、本発明のマイクロストリップアンテ
ナの実施の形態の第３の構成例を図５に示す。図５
（ａ）は、円偏波を送受信可能な本発明のマイクロスト
リップアンテナ３の一部を破断した正面図であり、図５
（ｂ）はその側面図、図５（ｃ）はその上面図である。
図５（ａ）〜（ｃ）に示すマイクロストリップアンテナ
３では、所定厚みの円筒状とされたセラミック製等の誘
電体基板３０の表面に方形のパッチ状とされた放射導体
３１が設けられており、その裏面には全面に薄板状のア
ース導体３３が設けられている。この放射導体２１とア
ース導体３３は、誘電体基板３０に金属を蒸着すること
により形成されたり、あるいは金属薄板を貼着すること
により形成されている。放射導体３１には円偏波を送受
信するために、中心から偏心した位置に給電点３２が設
けられており、この給電点３２の位置には誘電体基板３
０に形成されたスリット３０ｂに連通するように挿通孔
３０ａが設けられている。
ナの実施の形態の第３の構成例を図５に示す。図５
（ａ）は、円偏波を送受信可能な本発明のマイクロスト
リップアンテナ３の一部を破断した正面図であり、図５
（ｂ）はその側面図、図５（ｃ）はその上面図である。
図５（ａ）〜（ｃ）に示すマイクロストリップアンテナ
３では、所定厚みの円筒状とされたセラミック製等の誘
電体基板３０の表面に方形のパッチ状とされた放射導体
３１が設けられており、その裏面には全面に薄板状のア
ース導体３３が設けられている。この放射導体２１とア
ース導体３３は、誘電体基板３０に金属を蒸着すること
により形成されたり、あるいは金属薄板を貼着すること
により形成されている。放射導体３１には円偏波を送受
信するために、中心から偏心した位置に給電点３２が設
けられており、この給電点３２の位置には誘電体基板３
０に形成されたスリット３０ｂに連通するように挿通孔
３０ａが設けられている。
【００２７】このスリット３０ｂの断面形状は方形状と
されており、給電点３２から誘電体基板３０の略中心に
至る幅で誘電体基板３０に形成されており、スリット３
０ｂの厚みは極力薄く形成されている。また、誘電体基
板３０の裏面にはセミリジッドケーブルとされた同軸ケ
ーブル３４が装着されており、同軸ケーブル３４の中心
導体３４ａはスリット３０ｂの下端からスリット３０ｂ
内に斜めに挿通されて、スリット３０ｂに連通する挿通
孔３０ａ内に挿通される。そして、挿通孔３０ａに挿通
された中心導体３４ａの先端が給電点３２にハンダ付け
されて、放射導体３１が同軸ケーブル３４により給電さ
れる。さらに、同軸ケーブル３４のパイプ状のシールド
導体３４ｂの先端はアース導体３３の略中心にハンダ付
け等により電気的かつ機械的に固着される。
されており、給電点３２から誘電体基板３０の略中心に
至る幅で誘電体基板３０に形成されており、スリット３
０ｂの厚みは極力薄く形成されている。また、誘電体基
板３０の裏面にはセミリジッドケーブルとされた同軸ケ
ーブル３４が装着されており、同軸ケーブル３４の中心
導体３４ａはスリット３０ｂの下端からスリット３０ｂ
内に斜めに挿通されて、スリット３０ｂに連通する挿通
孔３０ａ内に挿通される。そして、挿通孔３０ａに挿通
された中心導体３４ａの先端が給電点３２にハンダ付け
されて、放射導体３１が同軸ケーブル３４により給電さ
れる。さらに、同軸ケーブル３４のパイプ状のシールド
導体３４ｂの先端はアース導体３３の略中心にハンダ付
け等により電気的かつ機械的に固着される。
【００２８】このように、同軸ケーブル３４のパイプ状
のシールド導体３４ｂの先端が誘電体基板３０の略中心
に固着されるため、同軸ケーブル３４の中心導体３４ａ
は図５（ａ）に示すようにスリット３０ｂ内において斜
めに挿通されるようになる。これにより、給電点３２が
偏心していても同軸ケーブル３４は誘電体基板３０の略
中心位置から導出されるようになる。このように構成さ
れたマイクロストリップアンテナ３は回転対称の形状と
なる。また、誘電体基板３０の裏面側に円筒状の絶縁筒
体３５が配置され、絶縁筒体３５の周側面には複数の面
状素子３６と線状素子３７とがほぼ等間隔で交互に形成
されている。この面状素子３６と線状素子３７は、絶縁
筒体３５に金属を蒸着すること、あるいは金属薄板を貼
着することにより形成されている。なお、面状素子３６
と線状素子３７は放射導体３１と略直交して配置される
ことになる。
のシールド導体３４ｂの先端が誘電体基板３０の略中心
に固着されるため、同軸ケーブル３４の中心導体３４ａ
は図５（ａ）に示すようにスリット３０ｂ内において斜
めに挿通されるようになる。これにより、給電点３２が
偏心していても同軸ケーブル３４は誘電体基板３０の略
中心位置から導出されるようになる。このように構成さ
れたマイクロストリップアンテナ３は回転対称の形状と
なる。また、誘電体基板３０の裏面側に円筒状の絶縁筒
体３５が配置され、絶縁筒体３５の周側面には複数の面
状素子３６と線状素子３７とがほぼ等間隔で交互に形成
されている。この面状素子３６と線状素子３７は、絶縁
筒体３５に金属を蒸着すること、あるいは金属薄板を貼
着することにより形成されている。なお、面状素子３６
と線状素子３７は放射導体３１と略直交して配置される
ことになる。
【００２９】この複数の面状素子３６は、図５（ｂ）に
示すように方形状の面状部３６ａと、この面状部３６ａ
に下端が連接されている線状の接続部３６ｂとから構成
されている。そして、接続部３６ｂの上端はハンダ付け
等によりアース導体３３の周縁に接続されていると共
に、複数の線状素子３７の上端もハンダ付け等によりア
ース導体３３の周縁に接続されている。この面状素子３
６および線状素子３７からは水平成分および垂直成分の
電磁波が放射されるようになり、面状素子３６および線
状素子３７が放射導体３１に対して垂直に配置されてい
るため、マイクロストリップアンテナ３の低仰角および
水平方向の指向性の利得が向上されるようになる。さら
に、面状素子３６および線状素子３７はアース導体とし
て作用するようになり、アース導体３３の面積の不足を
面状素子３６および線状素子３７により補うことができ
る。
示すように方形状の面状部３６ａと、この面状部３６ａ
に下端が連接されている線状の接続部３６ｂとから構成
されている。そして、接続部３６ｂの上端はハンダ付け
等によりアース導体３３の周縁に接続されていると共
に、複数の線状素子３７の上端もハンダ付け等によりア
ース導体３３の周縁に接続されている。この面状素子３
６および線状素子３７からは水平成分および垂直成分の
電磁波が放射されるようになり、面状素子３６および線
状素子３７が放射導体３１に対して垂直に配置されてい
るため、マイクロストリップアンテナ３の低仰角および
水平方向の指向性の利得が向上されるようになる。さら
に、面状素子３６および線状素子３７はアース導体とし
て作用するようになり、アース導体３３の面積の不足を
面状素子３６および線状素子３７により補うことができ
る。
【００３０】面状素子３６は図１に示す第１の構成例に
おける面状素子１６と同様の構成とされており、線状素
子３７は図４に示す第２の構成例における線状素子２６
と同様の構成とされているので、アース導体３３から面
状素子３６および線状素子３７に流れる電流を利用し
て、マイクロストリップアンテナ３の低仰角および水平
方向の指向特性を改善することができる。これにより、
本発明のマイクロストリップアンテナ３を衛星の位置が
時々刻々と変化するイリジウム・システムのような非静
止移動体衛星通信システムに適用しても、良好な通信を
行えるようになる。なお、上記した面状素子３６と線状
素子３７を、少なくとも３つづつ絶縁筒体３５にほぼ等
間隔で設けるようにすれば、低仰角および水平方向の指
向性の利得を向上することができる。また、面状素子
は、図５に示す面状素子３６に替えて、図２（ａ）
（ｂ）に示すホームベース型あるいは菱形の面状素子４
１，４２を用いるようにしてもよい。
おける面状素子１６と同様の構成とされており、線状素
子３７は図４に示す第２の構成例における線状素子２６
と同様の構成とされているので、アース導体３３から面
状素子３６および線状素子３７に流れる電流を利用し
て、マイクロストリップアンテナ３の低仰角および水平
方向の指向特性を改善することができる。これにより、
本発明のマイクロストリップアンテナ３を衛星の位置が
時々刻々と変化するイリジウム・システムのような非静
止移動体衛星通信システムに適用しても、良好な通信を
行えるようになる。なお、上記した面状素子３６と線状
素子３７を、少なくとも３つづつ絶縁筒体３５にほぼ等
間隔で設けるようにすれば、低仰角および水平方向の指
向性の利得を向上することができる。また、面状素子
は、図５に示す面状素子３６に替えて、図２（ａ）
（ｂ）に示すホームベース型あるいは菱形の面状素子４
１，４２を用いるようにしてもよい。
【００３１】上記説明したマイクロストリップアンテナ
の第１の構成例ないし第３の構成例において、パッチ状
の放射導体の形状は方形に限らず、円形の放射導体とし
てもよい。円形の放射導体とする場合は、対向する周縁
部を一部切り取ったり、対向する周縁部に切溝を設ける
ようにして円偏波の送受信を行えるようにする。また、
上記説明したマイクロストリップアンテナの第１の構成
例ないし第３の構成例において、方形状の放射導体の頂
点の位置に面状素子あるいは線状素子を設けているが，
本発明はこれに限るものではなく面状素子および線状素
子は放射導体に対して任意の位置に設けることができ
る。なお、誘電体基板はセラミック製として説明した
が、これに限ることはなく所定の誘電率を有する一般的
な誘電材からなる誘電体基板であってもよい。さらに、
誘電体基板に形成されたスリットの断面形状は、方形状
に限らずくさび状としてもよい。この場合は、偏心され
た給電点と誘電体基板の裏面の略中心とを連通させるよ
うなスリットの形状とされる。
の第１の構成例ないし第３の構成例において、パッチ状
の放射導体の形状は方形に限らず、円形の放射導体とし
てもよい。円形の放射導体とする場合は、対向する周縁
部を一部切り取ったり、対向する周縁部に切溝を設ける
ようにして円偏波の送受信を行えるようにする。また、
上記説明したマイクロストリップアンテナの第１の構成
例ないし第３の構成例において、方形状の放射導体の頂
点の位置に面状素子あるいは線状素子を設けているが，
本発明はこれに限るものではなく面状素子および線状素
子は放射導体に対して任意の位置に設けることができ
る。なお、誘電体基板はセラミック製として説明した
が、これに限ることはなく所定の誘電率を有する一般的
な誘電材からなる誘電体基板であってもよい。さらに、
誘電体基板に形成されたスリットの断面形状は、方形状
に限らずくさび状としてもよい。この場合は、偏心され
た給電点と誘電体基板の裏面の略中心とを連通させるよ
うなスリットの形状とされる。
【００３２】次に、本発明に係るマイクロストリップア
ンテナをイリジウム・システム等に適用した携帯無線機
の構成例を図６，図７に示す。図６（ａ）は一部を断面
図で示す携帯無線機の平面図、図６（ｂ）は携帯無線機
の側面図、図７（ａ）はアンテナ部を収納した携帯無線
機を示す平面図、図７（ｂ）は一部を断面図で示す携帯
無線機の上面図である。図６（ａ）（ｂ）において、携
帯無線機５０の筐体５０ａ内には送受信回路が収納され
ており、筐体５０ａには各種表示を行う表示部５０ｂ
と、ダイアルしたり各種操作を行う複数のボタン５０ｃ
が設けられている。この筐体５０ａに対してアンテナ部
５１が伸縮自在に設けられている。なお、アンテナ部５
１を筐体５０ａに対して伸長した状態が図６に、アンテ
ナ部５１を収納した状態が図７に示されている。
ンテナをイリジウム・システム等に適用した携帯無線機
の構成例を図６，図７に示す。図６（ａ）は一部を断面
図で示す携帯無線機の平面図、図６（ｂ）は携帯無線機
の側面図、図７（ａ）はアンテナ部を収納した携帯無線
機を示す平面図、図７（ｂ）は一部を断面図で示す携帯
無線機の上面図である。図６（ａ）（ｂ）において、携
帯無線機５０の筐体５０ａ内には送受信回路が収納され
ており、筐体５０ａには各種表示を行う表示部５０ｂ
と、ダイアルしたり各種操作を行う複数のボタン５０ｃ
が設けられている。この筐体５０ａに対してアンテナ部
５１が伸縮自在に設けられている。なお、アンテナ部５
１を筐体５０ａに対して伸長した状態が図６に、アンテ
ナ部５１を収納した状態が図７に示されている。
【００３３】アンテナ部５１は、マイクロストリップア
ンテナ５２と、マイクロストリップアンテナ５２を収納
している上部アンテナカバーケース５１ａと下部アンテ
ナカバーケース５１ｂとから構成される。マイクロスト
リップアンテナ５２は、前記図１，図４，図５に示す構
成のいずれかのマイクロストリップアンテナとされる。
上部アンテナカバーケース５１ａには、マイクロストリ
ップアンテナ５２における誘電体基板および絶縁筒体が
収納され、下部アンテナカバーケース５１ｂにはセミリ
ジッドの同軸ケーブルが収納される。この上部アンテナ
カバーケース５１ａと下部アンテナカバーケース５１ｂ
は、合成樹脂製とされ、回転対称の形状とされている。
ンテナ５２と、マイクロストリップアンテナ５２を収納
している上部アンテナカバーケース５１ａと下部アンテ
ナカバーケース５１ｂとから構成される。マイクロスト
リップアンテナ５２は、前記図１，図４，図５に示す構
成のいずれかのマイクロストリップアンテナとされる。
上部アンテナカバーケース５１ａには、マイクロストリ
ップアンテナ５２における誘電体基板および絶縁筒体が
収納され、下部アンテナカバーケース５１ｂにはセミリ
ジッドの同軸ケーブルが収納される。この上部アンテナ
カバーケース５１ａと下部アンテナカバーケース５１ｂ
は、合成樹脂製とされ、回転対称の形状とされている。
【００３４】このような構成の携帯無線機５０において
は、アンテナ部５１の上部にマイクロストリップアンテ
ナ５２が設けられているので、アンテナ部５１が伸張状
態でも収納状態でも送受信可能となる。また、円偏波を
送受信可能なマイクロストリップアンテナ５２の指向性
は図３に示すように水平方向においても良好な指向性と
されているため、衛星が時々刻々と移動したり通話時に
携帯無線機５０が傾けられたりしても良好な通話やデー
タ伝送が可能となる。なお、携帯無線機５０が待ち受け
時とされているときには、アンテナ部５１を図７に示す
ように筐体５０ａに収納してコンパクトに携帯すること
が可能とされる。
は、アンテナ部５１の上部にマイクロストリップアンテ
ナ５２が設けられているので、アンテナ部５１が伸張状
態でも収納状態でも送受信可能となる。また、円偏波を
送受信可能なマイクロストリップアンテナ５２の指向性
は図３に示すように水平方向においても良好な指向性と
されているため、衛星が時々刻々と移動したり通話時に
携帯無線機５０が傾けられたりしても良好な通話やデー
タ伝送が可能となる。なお、携帯無線機５０が待ち受け
時とされているときには、アンテナ部５１を図７に示す
ように筐体５０ａに収納してコンパクトに携帯すること
が可能とされる。
【００３５】
【発明の効果】上記説明したように本発明のマイクロス
トリップアンテナは、誘電体基板の裏面側に配置された
絶縁筒体に形成されている放射素子が、アース導体に接
続されているため、アース導体の面積を等価的に大きく
することができ、アンテナの特性を向上することができ
る。また、放射導体と略直交されて配置される放射素子
からも水平成分および垂直成分で励振可能とされて、水
平成分および垂直成分の電磁波を送受信することができ
ることから、マイクロストリップアンテナの低仰角およ
び水平方向の指向性の利得を向上することができる。
トリップアンテナは、誘電体基板の裏面側に配置された
絶縁筒体に形成されている放射素子が、アース導体に接
続されているため、アース導体の面積を等価的に大きく
することができ、アンテナの特性を向上することができ
る。また、放射導体と略直交されて配置される放射素子
からも水平成分および垂直成分で励振可能とされて、水
平成分および垂直成分の電磁波を送受信することができ
ることから、マイクロストリップアンテナの低仰角およ
び水平方向の指向性の利得を向上することができる。
【図１】本発明のマイクロストリップアンテナの実施の
形態の第１の構成例を示す図である。
形態の第１の構成例を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態のマイクロストリップアン
テナにおける面状素子の変形例を示す図である。
テナにおける面状素子の変形例を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態のマイクロストリップアン
テナにおける垂直面内の指向性を示す図である。
テナにおける垂直面内の指向性を示す図である。
【図４】本発明のマイクロストリップアンテナの実施の
形態の第２の構成例を示す図である。
形態の第２の構成例を示す図である。
【図５】本発明のマイクロストリップアンテナの実施の
形態の第３の構成例を示す図である。
形態の第３の構成例を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態のマイクロストリップアン
テナを携帯無線機に取り付けた構成を示す図である。
テナを携帯無線機に取り付けた構成を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態のマイクロストリップアン
テナを携帯無線機に取り付けた際に、アンテナ部を収納
した状態を示す図である。
テナを携帯無線機に取り付けた際に、アンテナ部を収納
した状態を示す図である。
【図８】従来のマイクロストリップアンテナの構成を示
す図である。
す図である。
【図９】従来のマイクロストリップアンテナにおける垂
直面内の指向性を示す図である。
直面内の指向性を示す図である。
１，２，３，５２ マイクロストリップアンテナ １０，２０，３０，１１０ 誘電体基板 １０ａ，２０ａ，３０ａ，１１０ａ 挿通孔 １０ｂ，２０ｂ，３０ｂ スリット １１，２１，３１ 放射導体 １２，２２，３２，１１２ 給電点 １３，２３，３３，１１３ アース導体 １４，２４，３４，１１４ 同軸ケーブル １４ａ，２４ａ，３４ａ，１１４ａ 中心導体 １４ｂ，２４ｂ，３４ｂ，１１４ｂ シールド導体 １５，２５，３５ 絶縁筒体 １６，３６，４１，４２ 面状素子 １６ａ，３６ａ，４１ａ，４２ａ 面状部 １６ｂ，３６ｂ，４１ｂ，４２ｂ 接続部 ２６，３７ 線状素子 ５０ｃ ボタン ５０ 携帯無線機 ５０ａ 筐体 ５０ｂ 表示部 ５１ アンテナ部 ５１ａ 上部アンテナカバーケース ５１ｂ 下部アンテナカバーケース １００ 方形マイクロストリップアンテナ １１１ 方形放射導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｑ 1/48 Ｈ０１Ｑ 1/48 13/08 13/08 21/29 21/29 (72)発明者 森島 隆仁 滋賀県蒲生郡蒲生町川合10番地の１ 京セ ラ株式会社滋賀工場内 (72)発明者 井上 仁一 埼玉県蕨市北町４丁目７番４号 日本アン テナ株式会社蕨工場内 (72)発明者 安住 健二 埼玉県蕨市北町４丁目７番４号 日本アン テナ株式会社蕨工場内 Ｆターム(参考） 5J021 AA05 AA08 AA13 AB06 CA01 GA01 GA08 HA05 HA07 HA10 JA06 5J045 AA05 AA21 CA04 DA10 EA07 FA02 HA06 LA01 MA04 NA01 5J046 AA04 AB03 AB13 FA08 MA08 PA07 5J047 AA04 AB03 AB13 BG08 FA09 FB11 FB12 FD01
Claims (8)
- 【請求項１】 一面に円偏波を放射するパッチ状の放射
導体が形成され、他面にアース導体が形成された誘電体
基板と、 該誘電体基板の他面から導出されると共に、中心導体が
前記誘電体基板の一面に形成された放射導体の給電点に
接続され、シールド導体が前記誘電体基板の他面に形成
されたアース導体に接続される給電ケーブルと、 前記誘電体基板とほぼ同径とされていると共に、前記放
射導体に略直交する周側面に放射素子が形成された絶縁
筒体とを備え、 前記誘電体基板の他面に形成されているアース導体に、
前記絶縁筒体の周側面に形成された前記放射素子の上端
が電気的に接続されて、前記放射素子が水平成分および
垂直成分で励振可能とされていることを特徴とするマイ
クロストリップアンテナ。 - 【請求項２】 前記放射素子が、前記誘電体基板の他面
に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続さ
れる線状の接続部と、該接続部の下端に形成された方形
状の面状部とからなる面状素子とされており、前記絶縁
筒体の周側面に該面状素子がほぼ等間隔で複数形成され
ていることを特徴とする請求項１記載のマイクロストリ
ップアンテナ。 - 【請求項３】 前記放射素子が、前記誘電体基板の他面
に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続さ
れる線状の線状素子から構成されており、前記絶縁筒体
の周側面に該線状素子がほぼ等間隔で複数本形成されて
いることを特徴とする請求項１記載のマイクロストリッ
プアンテナ。 - 【請求項４】 前記放射素子が、前記誘電体基板の他面
に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続さ
れる線状の接続部と、該接続部の下端に形成された方形
状の面状部とからなる面状素子と、前記誘電体基板の他
面に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続
される線状の線状素子とから構成されており、前記絶縁
筒体の周側面に該面状素子と該線状素子とがほぼ等間隔
で複数形成されていることを特徴とする請求項１記載の
マイクロストリップアンテナ。 - 【請求項５】 一面に円偏波を放射するパッチ状の放射
導体が形成され、他面にアース導体が形成された誘電体
基板と、該誘電体基板の他面から導出されると共に、中
心導体が前記誘電体基板の一面に形成された放射導体の
給電点に接続され、シールド導体が前記誘電体基板の他
面に形成されたアース導体に接続される給電ケーブル
と、前記誘電体基板とほぼ同径とされていると共に、前
記放射導体に略直交する周側面に放射素子が形成された
絶縁筒体とを備え、前記誘電体基板の他面に形成されて
いるアース導体に、前記絶縁筒体の周側面に形成された
前記放射素子の上端が電気的に接続されて、前記放射素
子が水平成分および垂直成分で励振可能とされているマ
イクロストリップアンテナが、回転対称の形状とされた
アンテナカバーケースに収納されており、該アンテナカ
バーケースが伸縮自在に筐体に設けられていることを特
徴とするマイクロストリップアンテナを備える携帯無線
機。 - 【請求項６】 前記放射素子が、前記誘電体基板の他面
に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続さ
れる線状の接続部と、該接続部の下端に形成された方形
状の面状部とからなる面状素子とされており、前記絶縁
筒体の周側面に該面状素子がほぼ等間隔で複数形成され
ていることを特徴とする請求項５記載のマイクロストリ
ップアンテナを備える携帯無線機。 - 【請求項７】 前記放射素子が、前記誘電体基板の他面
に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続さ
れる線状の線状素子から構成されており、前記絶縁筒体
の周側面に該線状素子がほぼ等間隔で複数本形成されて
いることを特徴とする請求項５記載のマイクロストリッ
プアンテナを備える携帯無線機。 - 【請求項８】 前記放射素子が、前記誘電体基板の他面
に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続さ
れる線状の接続部と、該接続部の下端に形成された方形
状の面状部とからなる面状素子と、前記誘電体基板の他
面に形成されているアース導体に、上端が電気的に接続
される線状の線状素子とから構成されており、前記絶縁
筒体の周側面に該面状素子と該線状素子とがほぼ等間隔
で複数形成されていることを特徴とする請求項５記載の
マイクロストリップアンテナを備える携帯無線機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24384498A JP3935272B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | マイクロストリップアンテナおよびマイクロストリップアンテナを備える携帯無線機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24384498A JP3935272B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | マイクロストリップアンテナおよびマイクロストリップアンテナを備える携帯無線機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077935A true JP2000077935A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3935272B2 JP3935272B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=17109800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24384498A Expired - Fee Related JP3935272B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | マイクロストリップアンテナおよびマイクロストリップアンテナを備える携帯無線機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3935272B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707426B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-03-16 | Alps Electric Co., Ltd. | Compact, vibration-resistant circularly polarized wave antenna |
| JP2008520143A (ja) * | 2004-11-11 | 2008-06-12 | サランテル リミテッド | 誘電体装荷アンテナ |
| US7965246B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-06-21 | Fujitsu Component Limited | Communication apparatus |
| KR20220112614A (ko) * | 2021-02-04 | 2022-08-11 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 레이더 성능 평가 시스템 및 레이더 성능 평가 방법 |
-
1998
- 1998-08-28 JP JP24384498A patent/JP3935272B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707426B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-03-16 | Alps Electric Co., Ltd. | Compact, vibration-resistant circularly polarized wave antenna |
| JP2008520143A (ja) * | 2004-11-11 | 2008-06-12 | サランテル リミテッド | 誘電体装荷アンテナ |
| US7965246B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-06-21 | Fujitsu Component Limited | Communication apparatus |
| KR20220112614A (ko) * | 2021-02-04 | 2022-08-11 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 레이더 성능 평가 시스템 및 레이더 성능 평가 방법 |
| KR102512895B1 (ko) | 2021-02-04 | 2023-03-22 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 레이더 성능 평가 시스템 및 레이더 성능 평가 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3935272B2 (ja) | 2007-06-20 |
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