JP2000077564A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2000077564A
JP2000077564A JP24638198A JP24638198A JP2000077564A JP 2000077564 A JP2000077564 A JP 2000077564A JP 24638198 A JP24638198 A JP 24638198A JP 24638198 A JP24638198 A JP 24638198A JP 2000077564 A JP2000077564 A JP 2000077564A
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JP
Japan
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bare chip
light
semiconductor device
wiring pattern
film
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JP24638198A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Nakagi
謙一 中木
Masaki Mikoyama
正樹 三箇山
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Kyocera Display Corp
Original Assignee
Kyocera Display Corp
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Filing date
Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which prevents a bare chip IC from being irradiated on its back side with external light and moreover can be manufactured at low cost. SOLUTION: A light-proof film 8 formed of the same material as that of a wiring pattern conductor is formed on the face 3B of a flexible printed wiring board 2 which is positioned on the back side, when a bare chip IC 5 is mounted thereon, in such a manner that the back side of the bare chip IC 5 is covered without going through the intermediary of an adhesive layer. As a result, the bare chip IC is surely prevented from being irradiated on its back side with external light for a long time with reliability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フレキシブルプリ
ント配線基板にベアチップICを搭載した半導体装置に
係り、特に、ベアチップICの遮光構造の改良に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a bare chip IC is mounted on a flexible printed circuit board, and more particularly to an improvement in a light shielding structure of the bare chip IC.

【0002】[0002]

【従来の技術】前述したフレキシブルプリント配線基板
にベアチップICを搭載した半導体装置は、そのフレキ
シブルプリント配線基板が可撓性であるため、フレキシ
ブルプリント配線基板の折り曲げなどによる薄型化や小
型化が可能であるし、また、部品の配線作業の合理化も
はかれるので、液晶ディスプレイの駆動装置などに適用
されている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device in which a bare chip IC is mounted on a flexible printed wiring board, the flexible printed wiring board is flexible. In addition, since the wiring work of parts can be rationalized, it is applied to a drive device of a liquid crystal display.

【0003】まず、この種の半導体装置の従来のものを
図2により説明する。
First, a conventional semiconductor device of this type will be described with reference to FIG.

【0004】図2に示す半導体装置1は、ポリイミド、
ポリエステルといった絶縁性材料により構成されたフレ
キシブルプリント配線基板としてのベースフィルム2を
有しており、このベースフィルム2の表面3Aには、銅
箔のような材料からなる配線パターン4がめっきあるい
はエッチングなどにより形成されている。
A semiconductor device 1 shown in FIG.
It has a base film 2 as a flexible printed wiring board made of an insulating material such as polyester, and a wiring pattern 4 made of a material such as copper foil is formed on a surface 3A of the base film 2 by plating or etching. Is formed.

【0005】そして、前記配線パターン4には、ベアチ
ップIC5やその他の図示しないチップ部品が搭載され
ている。また、前記配線パターン4上には、レジスト材
料からなる保護膜6が積層され、配線パターン4を保護
するようになっている。
On the wiring pattern 4, a bare chip IC 5 and other chip components (not shown) are mounted. Further, a protective film 6 made of a resist material is laminated on the wiring pattern 4 so as to protect the wiring pattern 4.

【0006】ところで、前記ベアチップIC5には、外
部からの入射光により動作電圧が変化して、動作不良を
起こしたりあるいは動作が停止してしまうという電気的
誤動作の問題が指摘されており、このため、ベアチップ
IC5に対する遮光が従来から行われていた。
Meanwhile, the bare chip IC 5 has been pointed out with a problem of an electrical malfunction such that an operation voltage is changed by an incident light from the outside, and an operation failure is caused or the operation is stopped. Heretofore, light shielding for the bare chip IC 5 has been conventionally performed.

【0007】そして、図2に示すような半導体装置1に
おいては、前記ベアチップIC5を搭載した側の背部と
なるベースフィルム2の裏面3B側からの外光がベアチ
ップIC5を照射してしまう構造となっているため、ベ
ースフィルム2の裏面3B側からの外光を遮断するため
の構造を設ける必要があった。
The semiconductor device 1 as shown in FIG. 2 has a structure in which external light from the back surface 3B of the base film 2, which is the back of the side on which the bare chip IC 5 is mounted, irradiates the bare chip IC 5. Therefore, it is necessary to provide a structure for blocking external light from the back surface 3B side of the base film 2.

【0008】このため、従来の半導体装置1において
は、ベースフィルム2の裏面3Bに、黒色ポリエステル
フィルムやアルミニウム蒸着テープからなる遮光テープ
7Aを接着剤もしくは粘着剤層7Bを介して貼着してい
た。
For this reason, in the conventional semiconductor device 1, a light-shielding tape 7A made of a black polyester film or an aluminum vapor-deposited tape is adhered to the back surface 3B of the base film 2 via an adhesive or an adhesive layer 7B. .

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように、ベースフィルム2の裏面3Bに、黒色ポリエ
ステルフィルムやアルミニウム蒸着テープからなる遮光
テープ7Aを貼着して遮光するのでは、高温高湿のよう
な厳しい環境下においてこの種の半導体装置1を使用す
ると、遮光テープ7Aがベースフィルム2から剥離して
しまうという信頼性に関する問題点があった。
However, as described above, if the light-shielding tape 7A made of a black polyester film or an aluminum vapor-deposited tape is adhered to the back surface 3B of the base film 2 to shield the light, high-temperature and high-humidity When such a semiconductor device 1 is used in such a severe environment, there is a problem in reliability that the light-shielding tape 7A is peeled off from the base film 2.

【0010】また、ベースフィルム2の裏面3Bに遮光
テープ7Aを貼着するためには、半導体装置1の製造工
程に遮光テープ7Aの貼着工程を加えなければならず、
工程が増えることにより作業性が低下するし、また、専
用の貼着装置や遮光テープ7Aの材料費が掛かることに
より半導体装置2の製造コストの面での問題点もあっ
た。
Further, in order to adhere the light-shielding tape 7A to the back surface 3B of the base film 2, it is necessary to add a step of attaching the light-shielding tape 7A to the manufacturing process of the semiconductor device 1.
The increase in the number of steps lowers the workability, and there is also a problem in terms of the manufacturing cost of the semiconductor device 2 due to the increase in the material cost of the dedicated sticking device and the light shielding tape 7A.

【0011】本発明は、このような点に鑑み、ベアチッ
プICへの背部からの外光による照射を長期にわたって
確実に阻止し、しかも、安価に製造できる半導体装置を
提供することを目的とする。
In view of the foregoing, it is an object of the present invention to provide a semiconductor device which can reliably prevent the bare chip IC from being irradiated with external light from the back for a long period of time and can be manufactured at low cost.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため請求項1に係る本発明の半導体装置の特徴は、ベア
チップICを搭載した側の背部となるフレキシブルプリ
ント配線基板の他方の面に接着剤層を介することなくベ
アチップICの背部を被覆するように配線パターンの導
体と同様の材質からなる遮光膜を形成した点にある。そ
して、このような構成を採用したことにより、フレキシ
ブルプリント配線基板の裏面に直接遮光膜が形成されて
いるので、ベアチップICへの背部からの外光による照
射を長期にわたって確実に阻止することができる。
In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention is characterized in that the semiconductor device is bonded to the other surface of a flexible printed wiring board which is a back side on which a bare chip IC is mounted. The point is that a light-shielding film made of the same material as the conductor of the wiring pattern is formed so as to cover the back of the bare chip IC without interposing the agent layer. In addition, by adopting such a configuration, since the light shielding film is formed directly on the back surface of the flexible printed wiring board, it is possible to reliably prevent the bare chip IC from being irradiated with external light from the back for a long time. .

【0013】請求項2に係る本発明の半導体装置の特徴
は、ベアチップICを搭載した側の背部となるフレキシ
ブルプリント配線基板の他方の面に接着剤層を介するこ
となくベアチップICの背部を被覆するように配線パタ
ーンの導体と同様の材質からなる遮光膜を形成し、この
遮光膜を外周も含めて保護膜により被覆した点にある。
そして、このような構成を採用したことにより、ベアチ
ップICへの背部からの外光による照射をさらに長期に
わたって確実に阻止することができる。
A feature of the semiconductor device of the present invention according to claim 2 is that the back surface of the bare chip IC is covered without interposing an adhesive layer on the other surface of the flexible printed circuit board on the side on which the bare chip IC is mounted. As described above, a light-shielding film made of the same material as the conductor of the wiring pattern is formed, and this light-shielding film is covered with a protective film including the outer periphery.
By employing such a configuration, it is possible to reliably prevent the bare chip IC from being irradiated with external light from the back for a longer period of time.

【0014】請求項3に係る本発明の半導体装置の特徴
は、配線パターンの表面を被覆する保護膜と遮光膜を被
覆する保護膜とを熱膨張係数の等しい材料により同一膜
厚に形成した点にある。そして、このような構成を採用
したことにより、温度変化によるフレキシブルプリント
配線基板の反りを防止することができる。
A feature of the semiconductor device according to the third aspect of the present invention is that the protective film covering the surface of the wiring pattern and the protective film covering the light-shielding film are formed to have the same thickness by using materials having the same coefficient of thermal expansion. It is in. And by adopting such a configuration, it is possible to prevent the flexible printed wiring board from warping due to a temperature change.

【0015】請求項4に係る本発明の半導体装置の特徴
は、遮光膜を接地した点にある。そして、このような構
成を採用したことにより、ベアチップICが防磁性や耐
静電性を得ることができる。
A feature of the semiconductor device of the present invention according to claim 4 is that the light shielding film is grounded. By adopting such a configuration, the bare chip IC can obtain anti-magnetism and anti-static properties.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施形態を示すも
のであるが、図2において前述した従来のものと同一な
いしは相当するものにおいては図面中に同一の符号を付
して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In FIG. 2, parts which are the same as or correspond to those in the prior art described above with reference to FIG. .

【0017】図1に示す半導体装置1は、前述した従来
のものと同様、ポリイミド、ポリエステルといった絶縁
性材料により構成されたフレキシブルプリント配線基板
としてのベースフィルム2を有しており、このベースフ
ィルム2の表面3Aには、銅箔のような材料からなる配
線パターン4がめっきあるいはエッチングなどにより形
成されている。
A semiconductor device 1 shown in FIG. 1 has a base film 2 as a flexible printed circuit board made of an insulating material such as polyimide or polyester, similarly to the above-described conventional device. A wiring pattern 4 made of a material such as a copper foil is formed on the surface 3A by plating or etching.

【0018】そして、前記配線パターン4には、ベアチ
ップIC5やその他の図示しないチップ部品が搭載され
ている。また、前記配線パターン4上には、レジスト材
料からなる保護膜6が積層され、配線パターン4を保護
するようになっている。
The bare chip IC 5 and other chip components (not shown) are mounted on the wiring pattern 4. Further, a protective film 6 made of a resist material is laminated on the wiring pattern 4 so as to protect the wiring pattern 4.

【0019】ここまでの構成は、前述した従来の半導体
装置1と同様である。
The configuration so far is the same as that of the above-described conventional semiconductor device 1.

【0020】そして、本実施形態においては、特に、ベ
アチップIC5を搭載した側の背部となるベースフィル
ム2の裏面3Bに、ベアチップIC5の背部を被覆し、
ベースフィルム2を介してベアチップIC5に外光が到
達しないようにするための遮光膜8が接着剤層あるいは
粘着剤層を介することなく直接形成されている。この遮
光膜8は、前述した配線パターン4の導体と同様、銅箔
からなり、めっきあるいはエッチングなどにより前記配
線パターン4と同一工程において同一膜厚となるように
形成されている。
In the present embodiment, the back of the bare chip IC 5 is coated on the back surface 3B of the base film 2 which is the back of the side on which the bare chip IC 5 is mounted.
A light-shielding film 8 for preventing external light from reaching the bare chip IC 5 via the base film 2 is formed directly without an adhesive layer or an adhesive layer. The light-shielding film 8 is made of a copper foil, similarly to the conductor of the wiring pattern 4 described above, and is formed to have the same thickness in the same process as the wiring pattern 4 by plating or etching.

【0021】さらに、前記遮光膜8の外周を含め遮光膜
8および前記ベースフィルム2上は、前記配線パターン
4を被覆する保護膜6と同様のレジスト材料からなる保
護膜9により被覆されている。この保護膜9の膜厚は前
記保護膜6の膜厚と等しくされている。なお、この保護
膜9の材料は、必ずしも前記保護膜6と同一のレジスト
材料でなくとも、同一の熱膨張係数を有する材料であれ
ばよい。
Further, the light-shielding film 8 and the base film 2 including the outer periphery of the light-shielding film 8 are covered with a protective film 9 made of the same resist material as the protective film 6 for covering the wiring pattern 4. The thickness of the protective film 9 is made equal to the thickness of the protective film 6. The material of the protective film 9 is not necessarily the same as the resist material of the protective film 6, but may be any material having the same coefficient of thermal expansion.

【0022】さらにまた、前記導電性のよい銅製の遮光
膜8は図示しないアース線により接地されている。
Further, the light-shielding film 8 made of copper having good conductivity is grounded by a ground wire (not shown).

【0023】つぎに、前述した構成からなる本実施形態
の作用ならびに効果について説明する。
Next, the operation and effect of the embodiment having the above-described configuration will be described.

【0024】本実施形態の半導体装置1Aは、搭載され
ているベアチップIC5にベースフィルム2を介して対
向する裏面3Bに遮光膜8が直接形成されているので、
ベアチップIC5に対する外光の照射を確実に防止し
て、ベアチップIC5の誤作動を確実に防止することが
できる。
In the semiconductor device 1A of the present embodiment, the light-shielding film 8 is formed directly on the back surface 3B opposite to the mounted bare chip IC 5 with the base film 2 interposed therebetween.
Irradiation of external light to the bare chip IC 5 can be reliably prevented, and malfunction of the bare chip IC 5 can be reliably prevented.

【0025】また、この遮光膜8は保護膜9により被覆
されているので、高温高湿のような厳しい環境下におい
てこの半導体装置1Aを長期にわたって使用しても、遮
光膜8がベースフィルム2から剥離するおそれがなく、
長期にわたってベアチップIC5に対する外光の照射を
確実に防止することができる。
Further, since the light-shielding film 8 is covered with the protective film 9, even if the semiconductor device 1A is used for a long period of time in a severe environment such as high temperature and high humidity, the light-shielding film 8 is not removed from the base film 2. There is no possibility of peeling,
Irradiation of external light to the bare chip IC 5 can be reliably prevented for a long period of time.

【0026】さらに、前記保護膜9は、前記保護膜6と
熱膨張係数が同じでしかも保護膜6と同一膜厚とされて
いるので、環境温度が変化してもベースフィルム2に反
りが生じることがなく、半導体装置1Aとしての信頼性
を確保することができる。
Further, since the protective film 9 has the same coefficient of thermal expansion as the protective film 6 and the same thickness as the protective film 6, the base film 2 warps even when the environmental temperature changes. Therefore, the reliability of the semiconductor device 1A can be ensured.

【0027】さらにまた、ベースフィルム2の裏面3B
への遮光膜8の形成は、ベースフィルム2の表面3Aへ
の配線パターン4の形成と同一工程において行われ、ま
た、ベースフィルム2の裏面3Bおよび遮光膜8への保
護膜の形成は、ベースフィルム2の表面3Aへの配線パ
ターン4の形成と同一工程において行われるので、製造
工程が単純化され、製造コストも従来のものと比較して
安価にできる。
Further, the back surface 3B of the base film 2
The light shielding film 8 is formed in the same step as the formation of the wiring pattern 4 on the front surface 3A of the base film 2, and the protection film on the back surface 3B of the base film 2 and the light shielding film 8 is formed on the base film 2. Since the wiring pattern 4 is formed in the same step as the formation of the wiring pattern 4 on the surface 3A of the film 2, the manufacturing process is simplified and the manufacturing cost can be reduced as compared with the conventional one.

【0028】また、遮光膜8が接地されているので、ベ
アチップIC5が防磁性や耐静電性を得ることができ
る。
Further, since the light shielding film 8 is grounded, the bare chip IC 5 can obtain anti-magnetism and anti-static properties.

【0029】ここで、本実施形態のさらに具体的な実施
例について記載すると、膜厚25〜50μmのポリイミ
ド製のベースフィルム2の表面3AにベアチップIC5
を搭載し、このベアチップIC5にベースフィルム2を
介して対向する裏面3Bに膜厚8〜18μmの銅箔製の
遮光膜8を形成し、この遮光膜8を被覆するように膜厚
4〜15μmの保護膜9をレジスト材料により積層して
半導体装置1Aを形成した。
Here, a more specific example of this embodiment will be described. A bare chip IC 5 is formed on the surface 3A of the polyimide base film 2 having a thickness of 25 to 50 μm.
A light-shielding film 8 made of copper foil having a film thickness of 8 to 18 μm is formed on the back surface 3B opposed to the bare chip IC 5 via the base film 2, and a film thickness of 4 to 15 μm is formed so as to cover the light-shielding film 8. The protective film 9 was laminated with a resist material to form a semiconductor device 1A.

【0030】そして、ベースフィルム2の裏面3Bから
ベアチップIC5の光誤動作に影響する1100nm以
下の短波長成分を含むの光を照射して、ベアチップIC
5の動作確認を行ったところ、ベアチップIC5の誤作
動は生じなかった。また、高温高湿の環境下における信
頼性加速試験においても、遮光性能の劣化やベースフィ
ルム2の反りは生じなかった。
The back surface 3B of the base film 2 is irradiated with light containing a short-wavelength component of 1100 nm or less which affects the optical malfunction of the bare chip IC 5, thereby causing the bare chip IC 5 to emit light.
When the operation of No. 5 was confirmed, no malfunction of the bare chip IC 5 occurred. Also, in a reliability acceleration test in a high-temperature and high-humidity environment, neither deterioration of light-shielding performance nor warpage of the base film 2 occurred.

【0031】なお、本発明は、前述した実施の形態に限
定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能
である。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made as necessary.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
によれば、ベアチップICへの背部からの外光による照
射を長期にわたって確実に阻止し、しかも、安価に製造
できる。
As described above, according to the semiconductor device of the present invention, the irradiation of the bare chip IC with the external light from the back portion can be reliably prevented for a long time, and the semiconductor device can be manufactured at a low cost.

【0033】すなわち、ベアチップICを搭載した側の
背部となるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に
接着剤層を介することなくベアチップICの背部を被覆
するように配線パターンの導体と同様の材質からなる遮
光膜を形成したので、ベアチップICへの背部からの外
光による照射を長期にわたって確実に阻止することがで
き、半導体装置としての信頼性を長期にわたって確保す
ることができる。
That is, the flexible printed wiring board, which is the back of the side on which the bare chip IC is mounted, is made of the same material as the conductor of the wiring pattern so as to cover the back of the bare chip IC without using an adhesive layer. Since the light-shielding film is formed, it is possible to reliably prevent the bare chip IC from being irradiated with external light from the back for a long period of time, and to secure the reliability of the semiconductor device for a long period of time.

【0034】また、ベアチップICを搭載した側の背部
となるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に接着
剤層を介することなくベアチップICの背部を被覆する
ように配線パターンの導体と同様の材質からなる遮光膜
を形成し、この遮光膜を外周も含めて保護膜により被覆
したので、ベアチップICへの背部からの外光による照
射をさらに長期にわたって確実に阻止することができ
る。
The other side of the flexible printed wiring board on the side on which the bare chip IC is mounted is made of the same material as the conductor of the wiring pattern so as to cover the back of the bare chip IC without using an adhesive layer. Since the light-shielding film is formed and the light-shielding film is covered with the protective film including the outer periphery, the irradiation of the bare chip IC with the external light from the back can be reliably prevented for a longer period.

【0035】さらに、配線パターンの表面を被覆する保
護膜と遮光膜を被覆する保護膜とを熱膨張係数の等しい
材料により同一膜厚に形成することにより、温度変化に
よるフレキシブルプリント配線基板の反りを防止するこ
とができ、半導体装置としての信頼性を確保することが
できる。
Further, by forming the protective film covering the surface of the wiring pattern and the protective film covering the light-shielding film to have the same thickness using materials having the same thermal expansion coefficient, the warpage of the flexible printed wiring board due to a temperature change can be prevented. Thus, the reliability of the semiconductor device can be ensured.

【0036】さらにまた、遮光膜を接地したことによ
り、ベアチップICが防磁性や耐静電性を得ることがで
き、この点においても半導体装置としての信頼性を確保
することができる。
Further, since the light-shielding film is grounded, the bare chip IC can have anti-magnetism and anti-static properties, and in this respect, the reliability of the semiconductor device can be ensured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る半導体装置の実施の形態を示す
縦断面図
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention.

【図2】 従来の半導体装置を示す縦断面図FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1A 半導体装置 2 ベースフィルム 3A ベースフィルム2の片面 3B ベースフィルム2の他方の面 4 配線パターン 5 ベアチップIC 6,9 保護膜 7A 遮光フィルム 7B 接着剤層(粘着剤層) 8 遮光膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A Semiconductor device 2 Base film 3A One surface of base film 2 3B The other surface of base film 2 4 Wiring pattern 5 Bare chip IC 6,9 Protective film 7A Light shielding film 7B Adhesive layer (adhesive layer) 8 Light shielding film

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性材料からなるフレキシブルプリン
ト配線基板の片面に配線パターンを形成し、この配線パ
ターンに接続されるようにベアチップICを搭載した半
導体装置において、前記ベアチップICを搭載した側の
背部となるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に
接着剤層を介することなく前記ベアチップICの背部を
被覆するように前記配線パターンの導体と同様の材質か
らなる遮光膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device in which a wiring pattern is formed on one surface of a flexible printed wiring board made of an insulating material and a bare chip IC is mounted so as to be connected to the wiring pattern. A semiconductor, wherein a light-shielding film made of the same material as the conductor of the wiring pattern is formed on the other surface of the flexible printed wiring board to cover the back of the bare chip IC without using an adhesive layer. apparatus.
【請求項2】 絶縁性材料からなるフレキシブルプリン
ト配線基板の片面に配線パターンを形成し、この配線パ
ターンに接続されるようにベアチップICを搭載し、前
記配線パターンの表面を保護膜により被覆した半導体装
置において、前記ベアチップICを搭載した側の背部と
なるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に接着剤
層を介することなく前記ベアチップICの背部を被覆す
るように前記配線パターンの導体と同様の材質からなる
遮光膜を形成し、この遮光膜を外周も含めて保護膜によ
り被覆したことを特徴とする半導体装置。
2. A semiconductor in which a wiring pattern is formed on one surface of a flexible printed wiring board made of an insulating material, a bare chip IC is mounted so as to be connected to the wiring pattern, and the surface of the wiring pattern is covered with a protective film. In the device, a material similar to the conductor of the wiring pattern is used to cover the back of the bare chip IC without interposing an adhesive layer on the other surface of the flexible printed wiring board on the side on which the bare chip IC is mounted. A semiconductor device, comprising: forming a light-shielding film, and covering the light-shielding film including a periphery thereof with a protective film.
【請求項3】 前記配線パターンの表面を被覆する保護
膜と前記遮光膜を被覆する保護膜とを熱膨張係数の等し
い材料により同一膜厚に形成したことを特徴とする請求
項2に記載の半導体装置。
3. The protective film covering the surface of the wiring pattern and the protective film covering the light-shielding film are formed to have the same thickness by using materials having the same thermal expansion coefficient. Semiconductor device.
【請求項4】 前記遮光膜を接地したことを特徴とする
請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体
装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the light-shielding film is grounded.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142248A (en) * 2003-11-05 2005-06-02 Casio Comput Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2008091587A (en) * 2006-09-30 2008-04-17 Nippon Chemicon Corp Optical apparatus module
JP2009026985A (en) * 2007-07-20 2009-02-05 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142248A (en) * 2003-11-05 2005-06-02 Casio Comput Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP4561079B2 (en) * 2003-11-05 2010-10-13 カシオ計算機株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP2008091587A (en) * 2006-09-30 2008-04-17 Nippon Chemicon Corp Optical apparatus module
JP2009026985A (en) * 2007-07-20 2009-02-05 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device

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