JP2000058914A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 経時的な光度変化の少ないＧａＮ系の半導体
発光素子を用いた発光装置を提供する。 【構成】 ＧａＮ系の半導体発光素子をリードフレーム
に固定するための接着剤層のフィラーとしてＲｈ、Ｐｔ
及びＰｄの中から選ばれる一種以上の貴金属を用いる。
発光素子で発光した光において基板側へ放出されたもの
は接着剤層に到達し、当該接着剤層の表面で反射され
る。フィラーとして用いる貴金属は変質しにくい材料で
あるので、接着剤層の反射率は長期に渡って安定であ
る。
発光素子を用いた発光装置を提供する。 【構成】 ＧａＮ系の半導体発光素子をリードフレーム
に固定するための接着剤層のフィラーとしてＲｈ、Ｐｔ
及びＰｄの中から選ばれる一種以上の貴金属を用いる。
発光素子で発光した光において基板側へ放出されたもの
は接着剤層に到達し、当該接着剤層の表面で反射され
る。フィラーとして用いる貴金属は変質しにくい材料で
あるので、接着剤層の反射率は長期に渡って安定であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＧａＮ系の半導体発光
素子を用いた発光装置に関する。詳しくは、ＧａＮ系半
導体素子を用いた青色〜緑色発光装置に用いられる接着
剤の改良に関する。
素子を用いた発光装置に関する。詳しくは、ＧａＮ系半
導体素子を用いた青色〜緑色発光装置に用いられる接着
剤の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＮ系の半導体は青色〜緑色の
光を放出することから青色〜緑色発光素子の形成原料と
して注目されている。そして、かかる発光素子は発光装
置に利用されている。
光を放出することから青色〜緑色発光素子の形成原料と
して注目されている。そして、かかる発光素子は発光装
置に利用されている。
【０００３】ＧａＮ系の半導体発光素子はサファイア等
の光透過性基板の上に順次半導体層を積層し、エッチン
グした後、蒸着によりｎ電極、透光性のＰ電極及びボン
ディング用パッドを同一面側に形成した構成である。か
かる構成の発光素子の基板を接着剤層により導電性のリ
ードフレームの台座に固定する。その後、発光素子の両
電極を当該発光素子が固定されたリードフレーム及び他
のリードフレームにそれぞれ接続する。最後にエポキシ
樹脂等の透明な材料で封止して発光装置とする（特開平
７−２３５５５８号等参照）。
の光透過性基板の上に順次半導体層を積層し、エッチン
グした後、蒸着によりｎ電極、透光性のＰ電極及びボン
ディング用パッドを同一面側に形成した構成である。か
かる構成の発光素子の基板を接着剤層により導電性のリ
ードフレームの台座に固定する。その後、発光素子の両
電極を当該発光素子が固定されたリードフレーム及び他
のリードフレームにそれぞれ接続する。最後にエポキシ
樹脂等の透明な材料で封止して発光装置とする（特開平
７−２３５５５８号等参照）。
【０００４】このような構成の発光装置では、発光素子
の発光面で生じた光の主たる放出方向は発光素子の基板
から透光性電極側に向かう方向である。一方、一部の光
は主たる放出方向と反対方向に放出され、発光素子の基
板を通過して接着剤層に達する。この反対方向の光を主
たる放出方向へ反射させるために、接着剤層にはＡｇ等
の反射率の高い金属がフィラーとして含まれている。も
し仮に接着剤層を透明な材料のみで形成した場合には、
光は接着剤を透過して発光素子が固定されたリードフレ
ームまで到達し、リードフレームに反射されることにな
る。通常、リードフレーム表面にはＡｇメッキが施され
ている為、その反射率は高く、効率的に光を放出方向へ
反射させることが可能となる。しかしながら、接着剤層
を透明な樹脂のみで形成すると、樹脂の熱伝導率が非常
に低い為、発光素子の耐熱性を大きく低下させることに
なる。加えて、接着剤層の樹脂が熱により変色していく
ため、経時的に接着剤層に吸収される光量が多くなり、
リードフレームからの反射される光量が少なくなること
によって、発光装置全体の光度が経時的に低下してしま
う。
の発光面で生じた光の主たる放出方向は発光素子の基板
から透光性電極側に向かう方向である。一方、一部の光
は主たる放出方向と反対方向に放出され、発光素子の基
板を通過して接着剤層に達する。この反対方向の光を主
たる放出方向へ反射させるために、接着剤層にはＡｇ等
の反射率の高い金属がフィラーとして含まれている。も
し仮に接着剤層を透明な材料のみで形成した場合には、
光は接着剤を透過して発光素子が固定されたリードフレ
ームまで到達し、リードフレームに反射されることにな
る。通常、リードフレーム表面にはＡｇメッキが施され
ている為、その反射率は高く、効率的に光を放出方向へ
反射させることが可能となる。しかしながら、接着剤層
を透明な樹脂のみで形成すると、樹脂の熱伝導率が非常
に低い為、発光素子の耐熱性を大きく低下させることに
なる。加えて、接着剤層の樹脂が熱により変色していく
ため、経時的に接着剤層に吸収される光量が多くなり、
リードフレームからの反射される光量が少なくなること
によって、発光装置全体の光度が経時的に低下してしま
う。
【０００５】即ち、接着剤層のフィラーは光の反射のた
めだけでなく、発光素子で生ずる熱を効果的に放熱する
働きもしている。熱伝導率の高い金属を接着剤層に含ま
せることにより接着剤層全体の熱伝導率が高くなるた
め、発光素子で生じた熱が接着剤層を伝わりやすくな
る。その結果、リードフレームを介しての発光装置の放
熱が効果的に行われる。かかる発光装置の放熱の観点か
らは、接着剤層のフィラーには高い熱伝導率が要求され
る。
めだけでなく、発光素子で生ずる熱を効果的に放熱する
働きもしている。熱伝導率の高い金属を接着剤層に含ま
せることにより接着剤層全体の熱伝導率が高くなるた
め、発光素子で生じた熱が接着剤層を伝わりやすくな
る。その結果、リードフレームを介しての発光装置の放
熱が効果的に行われる。かかる発光装置の放熱の観点か
らは、接着剤層のフィラーには高い熱伝導率が要求され
る。
【０００６】Ａｇはその反射率が高く、且つ熱伝導率も
高いため接着剤層のフィラー材料として広く用いられて
いる。
高いため接着剤層のフィラー材料として広く用いられて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｇは
酸素等との反応性が非常に高く、Ａｇを接着剤層のフィ
ラーとして用いた場合に、時間とともに変質してその反
射率が低下することとなる。その結果、発光素子からの
光を当該Ａｇの含まれた接着剤層で効率的に反射できな
くなり、発光装置全体の光度が経時的に低下してしま
う。
酸素等との反応性が非常に高く、Ａｇを接着剤層のフィ
ラーとして用いた場合に、時間とともに変質してその反
射率が低下することとなる。その結果、発光素子からの
光を当該Ａｇの含まれた接着剤層で効率的に反射できな
くなり、発光装置全体の光度が経時的に低下してしま
う。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
てなされたものであり、経時的な光度の低下の少ない発
光装置を提供することを目的とする。また、発光に伴う
熱に対して安定な信頼性の高い発光装置を提供すること
も目的とする。その構成は次の通りである。光透過性の
基板を備えたＧａＮ系の半導体素子と、リードフレーム
と、前記発光素子の基板と前記リードフレームとを固定
する接着剤層であって、Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄの中から選
ばれる一種以上の貴金属をフィラーとして含む接着剤層
と、を備える発光装置。
てなされたものであり、経時的な光度の低下の少ない発
光装置を提供することを目的とする。また、発光に伴う
熱に対して安定な信頼性の高い発光装置を提供すること
も目的とする。その構成は次の通りである。光透過性の
基板を備えたＧａＮ系の半導体素子と、リードフレーム
と、前記発光素子の基板と前記リードフレームとを固定
する接着剤層であって、Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄの中から選
ばれる一種以上の貴金属をフィラーとして含む接着剤層
と、を備える発光装置。
【０００９】このように構成された発光装置では、発光
素子で発光した光において基板側へ放出されたものは当
該基板を通過し接着剤層へ到達する。接着剤層には光反
射性のフィラーが含まれており、その表面全体で光を反
射するようになっている。そのため、接着剤層に至った
光は接着剤層の表面で反射される。
素子で発光した光において基板側へ放出されたものは当
該基板を通過し接着剤層へ到達する。接着剤層には光反
射性のフィラーが含まれており、その表面全体で光を反
射するようになっている。そのため、接着剤層に至った
光は接着剤層の表面で反射される。
【００１０】フィラーとして用いられる貴金属は変質し
にくい材料であるので、接着剤層の反射率は長期に渡っ
て安定である。そのため、従来のＡｇをフィラーとして
用いた場合のような接着剤層の反射率の低下による発光
装置全体の光度の経時的な低下が抑制される。その結
果、長期間安定した光度を提供できる信頼性の高い発光
装置が得られる。尚、Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄの反射率がＡ
ｇに比較して若干劣るため発光装置の初期光度は若干減
少するが、発光装置の性能に支障はない。
にくい材料であるので、接着剤層の反射率は長期に渡っ
て安定である。そのため、従来のＡｇをフィラーとして
用いた場合のような接着剤層の反射率の低下による発光
装置全体の光度の経時的な低下が抑制される。その結
果、長期間安定した光度を提供できる信頼性の高い発光
装置が得られる。尚、Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄの反射率がＡ
ｇに比較して若干劣るため発光装置の初期光度は若干減
少するが、発光装置の性能に支障はない。
【００１１】 また、Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄは接着剤層のフ
ィラーに要求される熱伝導率も十分に満たす。よって、
発光装置の放熱も効率的に行え、熱による発光装置の性
能の低下等を回避できる。
ィラーに要求される熱伝導率も十分に満たす。よって、
発光装置の放熱も効率的に行え、熱による発光装置の性
能の低下等を回避できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
１を参照しながら説明する。本発明の発光装置１は、Ｇ
ａＮ系の発光素子１０、接着剤層２０、リードフレーム
３１、３２、及び封止レジン５０から大略構成される。
１を参照しながら説明する。本発明の発光装置１は、Ｇ
ａＮ系の発光素子１０、接着剤層２０、リードフレーム
３１、３２、及び封止レジン５０から大略構成される。
【００１３】発光素子１０には任意のタイプのものを使
用でき、例えば、発光ダイオードでは基板１１、ＧａＮ
系半導体層Ａ、ｎ電極１６、透光性ｐ電極１７及びボン
ディングパッド１８が備えられる。基板１１は光透過性
の材料であればよく、例えば、サファイアを用いること
ができる。各ＧａＮ系半導体層Ａは周知の有機金属化合
物気相成長法（以下、「ＭＯＶＰＥ法」という）等により
基板上に積層される。ｎ電極１６、透光性ｐ電極１７及
びボンディングパッド１８は周知の蒸着等の方法で形成
される。このような構成の発光素子１０では発光層で発
光した光の一部は透光性電極１７側に向かい、他の一部
は基板１１側に向かうこととなる。
用でき、例えば、発光ダイオードでは基板１１、ＧａＮ
系半導体層Ａ、ｎ電極１６、透光性ｐ電極１７及びボン
ディングパッド１８が備えられる。基板１１は光透過性
の材料であればよく、例えば、サファイアを用いること
ができる。各ＧａＮ系半導体層Ａは周知の有機金属化合
物気相成長法（以下、「ＭＯＶＰＥ法」という）等により
基板上に積層される。ｎ電極１６、透光性ｐ電極１７及
びボンディングパッド１８は周知の蒸着等の方法で形成
される。このような構成の発光素子１０では発光層で発
光した光の一部は透光性電極１７側に向かい、他の一部
は基板１１側に向かうこととなる。
【００１４】発光素子１０の基板１１は接着剤層２０に
より、リードフレーム３０に固定される。接着剤層２０
はフィラーを含むエポキシ樹脂等からなる。接着剤とし
て使用できるものであればその材質は問わない。例えば
ウレタン樹脂が利用できる。
より、リードフレーム３０に固定される。接着剤層２０
はフィラーを含むエポキシ樹脂等からなる。接着剤とし
て使用できるものであればその材質は問わない。例えば
ウレタン樹脂が利用できる。
【００１５】フィラーとしてはＲｈ、Ｐｔ、Ｐｄを用い
る。これらの貴金属は青〜緑色である短波長の光を効率
的に反射できるものである。青〜緑色の光を反射できる
材料であれば他の材料をフィラーとして用いることもで
きる。例えばＩｒ、Ｒｕである。Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄは単
独で用いてもよく、またこれらの２種類以上を用いても
よい。また、これらの貴金属に加えてＡｇを併用するこ
ともできる。この場合には、Ａｇの反射率の高さにより
発光装置の初期光度が増加するという利点があり、その
結果、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄのみを用いた場合に比較して初
期光度が大きく、且つ経時的に比較的光度変化の少ない
発光装置が得られることとなる。フィラーは接着剤の材
料であるエポキシ樹脂等に予め混ぜ込むことにより添加
される。光の反射のむらをなくすためには均一にフィラ
ーが分散されるようにする。フィラーの総添加量は、接
着剤が十分な反射率をもつような量とする。好ましくは
接着剤に対して２０〜９０Ｗｔ％加える。更に好ましく
は５０〜８０Ｗｔ％加える。また、Ａｇを併用した場合
には、Ａｇと他のフィラーとの比率（Ｗｔ％）を４０：
６０〜８０：２０にするとよい。更に好ましくは５０：
５０〜７０：３０である。
る。これらの貴金属は青〜緑色である短波長の光を効率
的に反射できるものである。青〜緑色の光を反射できる
材料であれば他の材料をフィラーとして用いることもで
きる。例えばＩｒ、Ｒｕである。Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄは単
独で用いてもよく、またこれらの２種類以上を用いても
よい。また、これらの貴金属に加えてＡｇを併用するこ
ともできる。この場合には、Ａｇの反射率の高さにより
発光装置の初期光度が増加するという利点があり、その
結果、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄのみを用いた場合に比較して初
期光度が大きく、且つ経時的に比較的光度変化の少ない
発光装置が得られることとなる。フィラーは接着剤の材
料であるエポキシ樹脂等に予め混ぜ込むことにより添加
される。光の反射のむらをなくすためには均一にフィラ
ーが分散されるようにする。フィラーの総添加量は、接
着剤が十分な反射率をもつような量とする。好ましくは
接着剤に対して２０〜９０Ｗｔ％加える。更に好ましく
は５０〜８０Ｗｔ％加える。また、Ａｇを併用した場合
には、Ａｇと他のフィラーとの比率（Ｗｔ％）を４０：
６０〜８０：２０にするとよい。更に好ましくは５０：
５０〜７０：３０である。
【００１６】このようにフィラーを含ませた接着剤層２
０は、その表面が貴金属の光沢を帯び、光をよく反射す
るようになる。接着剤層２０で反射された光はその方向
を発光装置１の主たる光の放出方向に変え、発光素子１
０の基板１１、ＧａＮ半導体層、光透過性電極１７を順
に通過して外部に放出される。
０は、その表面が貴金属の光沢を帯び、光をよく反射す
るようになる。接着剤層２０で反射された光はその方向
を発光装置１の主たる光の放出方向に変え、発光素子１
０の基板１１、ＧａＮ半導体層、光透過性電極１７を順
に通過して外部に放出される。
【００１７】リードフレーム３０は、周知の構成であ
る。その材質は鉄等の金属である。リードフレーム３０
には発光素子１０が固定される凹状の部分が設けられて
おり、発光素子からの光が図において横方向に散乱する
ことを防止している。
る。その材質は鉄等の金属である。リードフレーム３０
には発光素子１０が固定される凹状の部分が設けられて
おり、発光素子からの光が図において横方向に散乱する
ことを防止している。
【００１８】発光素子１０のｎ電極１６はリードフレー
ム３０に周知の方法でワイヤボンディングされる。同様
に、ボンディングパッド１８はリードフレーム３１に接
続される。
ム３０に周知の方法でワイヤボンディングされる。同様
に、ボンディングパッド１８はリードフレーム３１に接
続される。
【００１９】続いて、発光素子１０、接着剤層２０及び
リードフレーム３０、３１はエポキシレジン等により封
止される。封止レジン５０は、周知の方法で型成形され
る。
リードフレーム３０、３１はエポキシレジン等により封
止される。封止レジン５０は、周知の方法で型成形され
る。
【００２０】このように構成された発光装置１では、発
光素子１０の発光層で発光した光は直接又は接着剤層２
０に反射された後、透光性電極１７、封止レジン５０を
順次通過して外部に放出される。このとき、接着剤層２
０が発光素子１０からの光を効率よく反射できることに
より、発光装置１の光度を大きくできる。また、接着剤
層２０のフィラーとして用いた貴金属は安定であるた
め、接着剤層２０の反射率の経時的な低下は少ない。よ
って、本発明の構成により、発光効率がよく、且つ経時
的な光度の低下の少ない発光装置が得られる。
光素子１０の発光層で発光した光は直接又は接着剤層２
０に反射された後、透光性電極１７、封止レジン５０を
順次通過して外部に放出される。このとき、接着剤層２
０が発光素子１０からの光を効率よく反射できることに
より、発光装置１の光度を大きくできる。また、接着剤
層２０のフィラーとして用いた貴金属は安定であるた
め、接着剤層２０の反射率の経時的な低下は少ない。よ
って、本発明の構成により、発光効率がよく、且つ経時
的な光度の低下の少ない発光装置が得られる。
【００２１】一方、接着剤層２０はフィラーにより熱伝
導率が高くなる。そのため、発光素子１０で生ずる熱を
リードフレームに伝えやすくなり、発光装置１の放熱が
効率的に行える。即ち、本発明の発光装置は、発光装置
の内部熱による影響の少ない信頼性の高い発光装置でも
ある。
導率が高くなる。そのため、発光素子１０で生ずる熱を
リードフレームに伝えやすくなり、発光装置１の放熱が
効率的に行える。即ち、本発明の発光装置は、発光装置
の内部熱による影響の少ない信頼性の高い発光装置でも
ある。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を参照しながら説
明する。図１は実施例の発光装置１であり、図２は発光
装置１の一部拡大図である。
明する。図１は実施例の発光装置１であり、図２は発光
装置１の一部拡大図である。
【００２３】発光素子１０はＧａＮ系の半導体層を有す
る半導体発光素子であり、その構成を図３に示す。発光
素子１０は基板１１、バッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層１
３、活性層１４、ｐ型半導体層１５、ｎ電極１６、透光
性電極ｐ１７及びボンディングパッド１８で構成される
発光ダイオードであり、そのスペックは次の通りであ
る。 層 ： 組成：ドーパント （膜厚） ボンディングパッド１８： Ａｌ／Ａｕ／Ｖ (100/15,000/175Å) 透光性ｐ電極１７ ： Ａｕ／Ｃｏ (60/15Å) ｐ層１５ ： ｐ型ＧａＮ:Ｍｇ （3,000Å） 活性層１４ ： 超格子構造 量子井戸層 ： Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ （35Å） バリア層 ： ＧａＮ （35Å） 量子井戸層とバリア層の繰り返し数：1〜10 ｎ電極１６ ： Ａｌ／Ｖ (18,000/175Å) ｎ層１３ ： ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ (4,000Å) バッファ層１２ ： ＡｌＮ （500Å） 基板１１ ： サファイア （85μm） 各半導体層は周知のＭＯＶＰＥ法により形成される。こ
の成長法においては、アンモニアガスとIII族元素のア
ルキル化合物ガス、例えばトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ)、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）やトリメチル
インジウム（ＴＭＩ）とを適当な温度に加熱された基板
上に供給して熱分解反応させ、もって所望の結晶を基板
の上に成長させる。
る半導体発光素子であり、その構成を図３に示す。発光
素子１０は基板１１、バッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層１
３、活性層１４、ｐ型半導体層１５、ｎ電極１６、透光
性電極ｐ１７及びボンディングパッド１８で構成される
発光ダイオードであり、そのスペックは次の通りであ
る。 層 ： 組成：ドーパント （膜厚） ボンディングパッド１８： Ａｌ／Ａｕ／Ｖ (100/15,000/175Å) 透光性ｐ電極１７ ： Ａｕ／Ｃｏ (60/15Å) ｐ層１５ ： ｐ型ＧａＮ:Ｍｇ （3,000Å） 活性層１４ ： 超格子構造 量子井戸層 ： Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ （35Å） バリア層 ： ＧａＮ （35Å） 量子井戸層とバリア層の繰り返し数：1〜10 ｎ電極１６ ： Ａｌ／Ｖ (18,000/175Å) ｎ層１３ ： ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ (4,000Å) バッファ層１２ ： ＡｌＮ （500Å） 基板１１ ： サファイア （85μm） 各半導体層は周知のＭＯＶＰＥ法により形成される。こ
の成長法においては、アンモニアガスとIII族元素のア
ルキル化合物ガス、例えばトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ)、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）やトリメチル
インジウム（ＴＭＩ）とを適当な温度に加熱された基板
上に供給して熱分解反応させ、もって所望の結晶を基板
の上に成長させる。
【００２４】ｐ層１５を形成した後、ｐ層１５、活性層
１４及びｎ層１３の一部をエッチングして、ｎ電極１６
を取り付けるための部分をｎ層１３に形成する。ｎ電極
１６はＡｌとＶの２層で構成される。まず、Ｖの下地層
を蒸着により形成し、その後Ａｌの層を蒸着により形成
する。透光性ｐ電極１７はｐ層１５の上に蒸着により形
成される。ボンディングパッド１８は透光性ｐ電極１７
の上に設けられる。
１４及びｎ層１３の一部をエッチングして、ｎ電極１６
を取り付けるための部分をｎ層１３に形成する。ｎ電極
１６はＡｌとＶの２層で構成される。まず、Ｖの下地層
を蒸着により形成し、その後Ａｌの層を蒸着により形成
する。透光性ｐ電極１７はｐ層１５の上に蒸着により形
成される。ボンディングパッド１８は透光性ｐ電極１７
の上に設けられる。
【００２５】上記手順で各半導体層及び各電極を形成し
た後、アロイ処理を経て個々のチップに分離される。
た後、アロイ処理を経て個々のチップに分離される。
【００２６】発光素子１０の基板１１は接着剤２０によ
りリードフレーム３０に固定される。接着剤２０はエポ
キシ樹脂の中にＲｈを混合させたＲｈペーストである。
Ｒｈのエポキシ樹脂への配合量は７０Ｗｔ％である。発
光素子１０のリードフレーム３０への固定は周知の方法
で行われる。
りリードフレーム３０に固定される。接着剤２０はエポ
キシ樹脂の中にＲｈを混合させたＲｈペーストである。
Ｒｈのエポキシ樹脂への配合量は７０Ｗｔ％である。発
光素子１０のリードフレーム３０への固定は周知の方法
で行われる。
【００２７】発光素子１０のｎ電極１６及びボンディン
グパッド１８はそれぞれ周知の方法によりリードフレー
ム３０、３１にワイヤボンディングされる。図中の符号
４０、４１はワイヤである。
グパッド１８はそれぞれ周知の方法によりリードフレー
ム３０、３１にワイヤボンディングされる。図中の符号
４０、４１はワイヤである。
【００２８】リードフレーム３０、３１は鉄製であり、
鉄板の打ち抜きにより形成される。リードフレーム３０
には発光素子１０が固定される凹状の部分３２が設けら
れている。発光素子１０から図において横方向に放出さ
れた光はこのリードフレームの凹状の部分３２に反射さ
れ、横方向への光の散乱が抑制される。
鉄板の打ち抜きにより形成される。リードフレーム３０
には発光素子１０が固定される凹状の部分３２が設けら
れている。発光素子１０から図において横方向に放出さ
れた光はこのリードフレームの凹状の部分３２に反射さ
れ、横方向への光の散乱が抑制される。
【００２９】発光素子１０、接着剤層２０、リードフレ
ーム３０、３１及びワイヤ４０、４１はエポキシ樹脂で
封止される。図中の符号４０は封止レジンである。封止
レジンは型成形により形成される。
ーム３０、３１及びワイヤ４０、４１はエポキシ樹脂で
封止される。図中の符号４０は封止レジンである。封止
レジンは型成形により形成される。
【００３０】次に他の実施例を説明する。図４にこの実
施例の発光装置２を示す。この実施例では接着剤層２１
のフィラーとしてＲｈ及びＡｇを併用した。その他の構
成は上記実施例の発光装置１と同一である。尚、発光装
置１と同一の部材には同一の符号を付してその説明を省
略する。
施例の発光装置２を示す。この実施例では接着剤層２１
のフィラーとしてＲｈ及びＡｇを併用した。その他の構
成は上記実施例の発光装置１と同一である。尚、発光装
置１と同一の部材には同一の符号を付してその説明を省
略する。
【００３１】接着剤層２１のフィラーであるＲｈとＡｇ
との配合比（Ｗｔ％）は５０：５０であり、接着剤であ
るエポキシ樹脂に対するフィラー全体の配合量は７０Ｗ
ｔ％である。
との配合比（Ｗｔ％）は５０：５０であり、接着剤であ
るエポキシ樹脂に対するフィラー全体の配合量は７０Ｗ
ｔ％である。
【００３２】フィラーとしてＡｇを併用することにより
発光装置２の初期光度の増加が期待できる。ＡｇはＲｈ
に比べその反射率が高いため、接着剤層２１のフィラー
としてＲｈのみを混合した場合よりも初期の接着剤層２
１の反射率が高くなるからである。一方、Ａｇは時間と
ともに酸化され反射率が低下するが、フィラーとしてＲ
ｈを混合しているため、Ａｇのみ混合した場合よりも経
時的な接着剤層２１の反射率の低下を抑制できる。従っ
て、フィラーとしてＲｈとＡｇを併用することにより初
期光度が大きく、経時的な光度変化の少ない発光装置が
得られる。尚、本実施例ではＲｈを用いたが、代わりに
Ｐｔ又はＰｄを利用することもでき、更にはＲｈ、Ｐ
ｔ、Ｐｄの２種類以上を適宜選択して用いてもよい。ま
た、これらの貴金属とＡｇとの配合比も実施例のものに
限られず、目的に応じて決めればよい。
発光装置２の初期光度の増加が期待できる。ＡｇはＲｈ
に比べその反射率が高いため、接着剤層２１のフィラー
としてＲｈのみを混合した場合よりも初期の接着剤層２
１の反射率が高くなるからである。一方、Ａｇは時間と
ともに酸化され反射率が低下するが、フィラーとしてＲ
ｈを混合しているため、Ａｇのみ混合した場合よりも経
時的な接着剤層２１の反射率の低下を抑制できる。従っ
て、フィラーとしてＲｈとＡｇを併用することにより初
期光度が大きく、経時的な光度変化の少ない発光装置が
得られる。尚、本実施例ではＲｈを用いたが、代わりに
Ｐｔ又はＰｄを利用することもでき、更にはＲｈ、Ｐ
ｔ、Ｐｄの２種類以上を適宜選択して用いてもよい。ま
た、これらの貴金属とＡｇとの配合比も実施例のものに
限られず、目的に応じて決めればよい。
【００３３】
【試験例】以下、実施例の発光装置１及び発光装置２の
性能評価試験の結果を示す。試験方法は、発光装置１、
２を１００℃の環境下に置き３０ｍＡの電流を印加した
場合の経時的な発光装置の光度の変化を測定する。測定
結果は、比較例の初期光度を１００とした場合の各発光
装置の相対光度を光度保持率とするものである。比較例
では接着剤層のフィラーとしてＡｇのみを用い、他の構
成は発光装置１と同一である。 ０時間 ５００時間 発光装置１（Ｒｈペースト） ９０ ８５ 発光装置２（Ｒｈ／Ａｇペースト） ９５ ８０ 比較例（Ａｇペースト） １００ ７５
性能評価試験の結果を示す。試験方法は、発光装置１、
２を１００℃の環境下に置き３０ｍＡの電流を印加した
場合の経時的な発光装置の光度の変化を測定する。測定
結果は、比較例の初期光度を１００とした場合の各発光
装置の相対光度を光度保持率とするものである。比較例
では接着剤層のフィラーとしてＡｇのみを用い、他の構
成は発光装置１と同一である。 ０時間 ５００時間 発光装置１（Ｒｈペースト） ９０ ８５ 発光装置２（Ｒｈ／Ａｇペースト） ９５ ８０ 比較例（Ａｇペースト） １００ ７５
【００３４】上記の結果より、発光装置１では５００時
間後においても光度がほとんど変化しないことがわか
る。但し、初期光度においては比較例に劣る。発光装置
２では初期光度の低下を抑制しつつ、１００時間後の光
度変化も小さくなっていることがわかる。
間後においても光度がほとんど変化しないことがわか
る。但し、初期光度においては比較例に劣る。発光装置
２では初期光度の低下を抑制しつつ、１００時間後の光
度変化も小さくなっていることがわかる。
【００３５】この発明は、上記発明の実施の形態及び実
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【００３６】以下、次の事項を開示する。 （１０） ＧａＮ系の半導体素子と、リードフレーム
と、前記発光素子の基板を前記第１のリードフレームの
台座へ固定する接着剤層と、を備え、前記接着剤層は青
色〜緑色の光を反射することができ、且つその反射率が
実質的に経時変化しない熱伝導性のフィラーを含む、こ
とを特徴とする発光装置。 （２０） ＧａＮ系の半導体発光装置において半導体発
光素子をリードフレームに固定させるために用いられる
接着剤であって、青色〜緑色の光を反射することがで
き、且つその反射率が実質的に経時変化しない熱伝導性
のフィラーを含む、ことを特徴とする接着剤。
と、前記発光素子の基板を前記第１のリードフレームの
台座へ固定する接着剤層と、を備え、前記接着剤層は青
色〜緑色の光を反射することができ、且つその反射率が
実質的に経時変化しない熱伝導性のフィラーを含む、こ
とを特徴とする発光装置。 （２０） ＧａＮ系の半導体発光装置において半導体発
光素子をリードフレームに固定させるために用いられる
接着剤であって、青色〜緑色の光を反射することがで
き、且つその反射率が実質的に経時変化しない熱伝導性
のフィラーを含む、ことを特徴とする接着剤。
【図１】本発面の実施例の発光装置１を示す図である。
【図２】同じく発光装置１の部分拡大図である。
【図３】同じく発光装置１に用いられる発光素子１０の
側面図である。
側面図である。
【図４】本発明の他の実施例の発光装置２を示す図であ
る。
る。
１、２ 発光装置 １０ 発光素子 ２０ 接着剤層 ３０、３１ リードフレーム ５０ 封止レジン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小塩 高英 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 CA40 DA02 DA16 DA26 EE23 5F073 CA02 FA22
Claims (8)
- 【請求項１】 光透過性の基板を備えたＧａＮ系の半導
体素子と、リードフレームと、前記発光素子の基板と前
記リードフレームとを固定する接着剤層であって、Ｒ
ｈ、Ｐｔ及びＰｄの中から選ばれる一種以上の貴金属を
フィラーとして含む接着剤層と、 を備える発光装置。 - 【請求項２】 前記接着剤層は更にＡｇをフィラーとし
て含む、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 - 【請求項３】 前記フィラーは前記Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄ
の中から選ばれる一種以上の貴金属とＡｇとが重量比
（Ｗｔ％）４０：６０〜８０：２０で配合されてなる、
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。 - 【請求項４】 前記フィラーが前記接着剤層に２０〜９
０Ｗｔ％含まれている、ことを特徴とする請求項１乃至
３のいずれかに記載の発光装置。 - 【請求項５】 ＧａＮ系の半導体発光装置において半導
体発光素子をリードフレームに固定させるために用いら
れる接着剤であって、Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄの中から選ば
れる一種以上の貴金属をフィラーとして含む、ことを特
徴とする接着剤。 - 【請求項６】 前記接着剤は更にＡｇをフィラーとして
含む、ことを特徴とする請求項５に記載の接着剤。 - 【請求項７】 前記フィラーは前記Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄ
の中から選ばれる一種以上の貴金属とＡｇとが重量比
（Ｗｔ％）４０：６０〜８０：２０で配合されてなる、
ことを特徴とする請求項６に記載の接着剤。 - 【請求項８】 前記フィラーが前記接着剤に２０〜９０
Ｗｔ％含まれている、ことを特徴とする請求項５乃至７
のいずれかに記載の接着剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931898A JP2000058914A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931898A JP2000058914A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058914A true JP2000058914A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16733610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21931898A Withdrawn JP2000058914A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058914A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013175750A (ja) * | 2006-09-29 | 2013-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体チップおよび半導体チップの製造方法 |
| KR101507132B1 (ko) * | 2008-06-26 | 2015-03-30 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 |
| CN108376680A (zh) * | 2017-01-31 | 2018-08-07 | 三星电子株式会社 | Led器件和包括led器件的led灯 |
-
1998
- 1998-08-03 JP JP21931898A patent/JP2000058914A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013175750A (ja) * | 2006-09-29 | 2013-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体チップおよび半導体チップの製造方法 |
| KR101507132B1 (ko) * | 2008-06-26 | 2015-03-30 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 |
| CN108376680A (zh) * | 2017-01-31 | 2018-08-07 | 三星电子株式会社 | Led器件和包括led器件的led灯 |
| CN108376680B (zh) * | 2017-01-31 | 2023-04-28 | 三星电子株式会社 | Led器件和包括led器件的led灯 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040105 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040205 |