JP2000058657A - Design method and design equipment of semiconductor device - Google Patents

Design method and design equipment of semiconductor device

Info

Publication number
JP2000058657A
JP2000058657A JP10222519A JP22251998A JP2000058657A JP 2000058657 A JP2000058657 A JP 2000058657A JP 10222519 A JP10222519 A JP 10222519A JP 22251998 A JP22251998 A JP 22251998A JP 2000058657 A JP2000058657 A JP 2000058657A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
flattening
arrangement
layout
flattening pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10222519A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Motoyoshi
稔 本吉
Toshifumi Asanuma
利文 浅沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Information Technology Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Information Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Information Technology Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP10222519A priority Critical patent/JP2000058657A/en
Publication of JP2000058657A publication Critical patent/JP2000058657A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent increase in wiring capacitance by judging whether a flattened pattern can be arranged in positions of all through holes, arranging the flattened pattern in the position capable of arrangement according to the judgment, and registering the final arrangement coordinate of the flattened pattern. SOLUTION: An arrangement judging part 8 of a program processing part 5 judges whether a flattened pattern can be arranged in the positions of all through holes, according to the rule of a wiring condition file 3, in the order of priority of a layout position file 2. When the flattened pattern can not be arranged by the judging process, a pattern layout part 9 judges whether the flattened pattern can be arranged in the next position, and the flattened part is arranged in the position capable of layout. A coordinate registering part 10 executes sequentially the layout to the positions of all through holes, and registers the final layout coordinate of the flattened pattern in design data base.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の設計
技術に関し、特に平坦化パターンの自動生成において、
この平坦化パターンの配置をビットマップを用いて行う
方式に好適な半導体装置の設計方法および設計装置に適
用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device design technique, and more particularly to an automatic generation of a flattening pattern.
The present invention relates to a technique which is effective when applied to a semiconductor device designing method and a designing apparatus suitable for a method of arranging the flattening pattern using a bit map.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、本発明者が検討した技術とし
て、近年のLSIの製造技術においては、このLSIの
微細化や配線層数の増加に伴い、配線段差に起因するス
ルーホールの歩留まり低下の阻止が重要な課題となって
いる。スルーホールの歩留まりをプロセス上の工夫のみ
で向上させることは、プロセスの複雑性が増大し、逆に
歩留まりの低下やコスト高を招く可能性がある。一方、
プロセスに依らず、スルーホールの歩留まりを確保する
手段の1つに、スルーホールの下地配線層に配線と同じ
材質のメタルパターン、すなわち平坦化パターンを配置
する方法が考えられる。
2. Description of the Related Art For example, as a technique studied by the present inventor, in recent LSI manufacturing techniques, with the miniaturization of LSIs and the increase in the number of wiring layers, the yield of through holes has been reduced due to wiring steps. Stopping is an important issue. Improving the yield of through-holes only by devising the process increases the complexity of the process, and on the contrary, may lower the yield and increase the cost. on the other hand,
As one of means for securing the yield of the through hole irrespective of the process, a method of arranging a metal pattern of the same material as the wiring, that is, a flattening pattern, in the underlying wiring layer of the through hole can be considered.

【0003】なお、このような平坦化パターンを配置す
る設計技術に関しては、たとえば昭和59年11月30
日、株式会社オーム社発行、社団法人電子通信学会編の
「LSIハンドブック」P193〜P217などの文献
に記載される技術などが挙げられる。
A design technique for arranging such a flattening pattern is disclosed in, for example, November 30, 1984.
Techniques described in documents such as “LSI Handbook” published by Ohm Co., Ltd., edited by the Institute of Electronics, Communication and Communication Engineers, Inc., P193-P217.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
な平坦化パターンを配置する技術においては、たとえば
図13に示すように平坦化パターンを配置してスルーホ
ールの歩留まりを確保することができる。図13(a) 〜
(c) は、第1金属配線層M1、第2金属配線層M2、第
3金属配線層M3からなる3層構造の例において、図1
3(a) が平坦化パターンPの配置前、図13(b) が平坦
化パターンPの配置後の断面図をそれぞれ示す。なお、
TH*はスルーホールである。
By the way, in the technique of arranging the flattening pattern as described above, the yield of through holes can be secured by arranging the flattening pattern as shown in FIG. Fig. 13 (a) ~
FIG. 1C shows an example of a three-layer structure including a first metal wiring layer M1, a second metal wiring layer M2, and a third metal wiring layer M3.
3A shows a sectional view before the flattening pattern P is arranged, and FIG. 13B shows a sectional view after the flattening pattern P is arranged. In addition,
TH * is a through hole.

【0005】図13から明らかなように、平坦化パター
ンPの配置前の図13(a) では、配線間隔の差異による
配線段差のため、層間膜厚の違いによるスルーホールT
Hの深さのばらつきやスルーホールTHのエッチ部での
配線段差平坦化に用いた有機HSG膜の残存が発生して
いる。一方、図13(b) のように、スルーホールTHの
下地配線層に平坦化パターンを配置すれば、スルーホー
ルTHの歩留まり低下の要因となる配線段差が解消さ
れ、スルーホールTHの歩留まりの確保が可能となる。
As apparent from FIG. 13, in FIG. 13 (a) before the arrangement of the flattening pattern P, the through hole T due to the difference in the interlayer film thickness due to the wiring step due to the difference in the wiring interval.
The H depth variation and the residual organic HSG film used for flattening the wiring step at the etched portion of the through hole TH occur. On the other hand, as shown in FIG. 13B, if a flattening pattern is arranged on the underlying wiring layer of the through hole TH, a wiring step which causes a decrease in the yield of the through hole TH is eliminated, and the yield of the through hole TH is secured. Becomes possible.

【0006】さらに、平坦化パターンは、配線パターン
と同一の材質でできていることから、スルーホールの下
地配線層への配置には設計ルールによる制限が加えられ
る。具体的には、配線段差解消に必要な最小限の平坦
化パターンのみを配置し、余分な配線容量を増やさな
い、平坦化パターン配置による他の配線とのレイアウ
トエラーを回避する、の2点を考慮する必要があり、た
とえ同一プロセスであっても、平坦化パターンを配置す
るルールが異なることがある。
Further, since the flattening pattern is made of the same material as the wiring pattern, the layout of the through holes in the underlying wiring layer is restricted by design rules. Specifically, only the minimum flattening pattern necessary for eliminating the wiring level difference is arranged, the extra wiring capacity is not increased, and a layout error with other wiring due to the flattening pattern arrangement is avoided. It is necessary to consider it, and even in the same process, rules for arranging the planarization pattern may be different.

【0007】たとえば、平坦化パターンの配置方式とし
ては、未配線エリアに平坦化パターンを等間隔で配置す
る方式と、レイアウトエディタを用い、スルーホールの
配置座標に固定の平坦化パターンを下地配線層に配置
し、デザインルールチェックにより、レイアウトルール
に違反する平坦化パターンを削除する方式との2つがあ
る。前者の方式では平坦性は確保されるが、寄生容量が
増加し、後者の方式では平坦化パターンの配置ルールが
1種類のみであることから、スルーホール直下の平坦性
確保が完全でないという欠点が考えられる。
For example, as a method of arranging a flattening pattern, a method of arranging flattening patterns at equal intervals in an unwired area and a method of using a layout editor to apply a flattening pattern fixed to the arrangement coordinates of through holes in an underlying wiring layer are used. And deleting the flattening pattern that violates the layout rule by design rule check. In the former method, flatness is ensured, but the parasitic capacitance increases. In the latter method, there is only one type of flattening pattern arrangement rule. Conceivable.

【0008】そこで、本発明の目的は、前記の配線段
差解消に必要な最小限の平坦化パターンのみを配置し、
余分な配線容量を増やさない、平坦化パターン配置に
よる他の配線とのレイアウトエラーを回避する、の2点
を考慮した上で、スルーホールの配置部のみを参照し、
配置済みの平坦化パターンを含む配線の幅を認識しなが
ら複数の配置ルールを実行することによって寄生容量の
増加を抑えるとともにスルーホール直下の平坦性を確保
して、処理時間の削減と汎用性の確保を実現することが
できる半導体装置の設計方法および設計装置を提供する
ことにある。
Therefore, an object of the present invention is to arrange only a minimum flattening pattern necessary for eliminating the wiring step,
In consideration of the two points of not increasing the extra wiring capacity and avoiding layout errors with other wiring due to the flattening pattern arrangement, refer to only the through hole arrangement part,
By executing multiple placement rules while recognizing the width of the wiring including the placed flattening pattern, the increase in parasitic capacitance is suppressed, and the flatness right under the through-hole is secured, thus reducing processing time and versatility. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for designing a semiconductor device capable of realizing the securing.

【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0011】すなわち、本発明による半導体装置の設計
方法は、スルーホールの下地配線層に配置する平坦化パ
ターンを自動生成する設計方法に適用されるものであ
り、チップを設計単位で分割された格子(DA格子)で
区切り、レイアウトデータに基づいてスルーホールの配
置座標をDA格子上の座標に変換する第1工程と、下地
配線層を入力し、DA格子上に配線パターンの情報を表
すフラグを立てる第2工程と、スルーホールの配置位置
に対して、配置位置ファイルの優先順に配置条件ファイ
ルのルールに従って平坦化パターンが配置できるか判定
を行う第3工程と、平坦化パターンを配置できない場合
には次の位置に平坦化パターンが配置できるか判定を行
い、配置できる位置に平坦化パターンを配置する第4工
程と、全てのスルーホールの配置位置に対して第3工程
および第4工程を順に実行し、最終的な平坦化パターン
の配置座標を登録する第5工程と、を有するものであ
る。
That is, the method for designing a semiconductor device according to the present invention is applied to a design method for automatically generating a flattening pattern to be arranged in an underlying wiring layer of a through hole. (DA grid), the first step of converting the arrangement coordinates of the through-holes to the coordinates on the DA grid based on the layout data, and inputting the underlying wiring layer and setting a flag indicating the information of the wiring pattern on the DA grid. A second step of erecting, a third step of determining whether a flattening pattern can be arranged in accordance with the rules of the arrangement condition file in the priority order of the arrangement position file with respect to the arrangement position of the through-hole, and a case where the flattening pattern cannot be arranged. Determines whether the flattening pattern can be arranged at the next position, and arranges the flattening pattern at the position where the flattening pattern can be arranged. The third step and the fourth step is performed in sequence with respect to the arrangement position of Lumpur, a fifth step of registering the location coordinates of the final planarization pattern, and has a.

【0012】具体的には、以下の工程を有するものであ
る。
Specifically, it has the following steps.

【0013】(1).チップ全面をDA格子で区切り、設計
データベースから読み込んだレイアウトデータを、配線
パターンの情報を表すフラグに変換し、各DA格子点上
に立てる。
(1) The entire surface of the chip is divided by a DA grid, layout data read from the design database is converted into flags representing information on wiring patterns, and the flags are set on each DA grid point.

【0014】(2).平坦化パターン配置ルールライブラリ
に登録された配置位置ルールに基づき、各スルーホール
の配置座標に対して平坦化パターン配置候補点を検索す
る。次に、平坦化パターン配置判定に用いる格子点から
なる平坦化パターン配置判定格子を各配置候補点毎に設
定する。
(2) A flattening pattern arrangement candidate point is searched for the arrangement coordinates of each through-hole based on the arrangement position rules registered in the flattening pattern arrangement rule library. Next, a flattening pattern arrangement determination grid composed of grid points used for flattening pattern arrangement determination is set for each arrangement candidate point.

【0015】(3).平坦化パターン配置ルールライブラリ
に登録された配置条件ルールに基づくフラグと、配置判
定格子内のフラグを照合する。全ての判定格子で平坦化
パターンの配置が可能ならば、その座標を記憶し、次の
スルーホールの座標に移る。1つでも配置不可の平坦化
パターンが存在するなら、前記(2) に戻り、配置判定格
子を再び設定する。ただし、全ての配置ルールを尽くし
たならば次のスルーホールへ移る。
(3) The flag based on the placement condition rule registered in the flattening pattern placement rule library is compared with the flag in the placement determination grid. If the flattening pattern can be arranged in all the judgment grids, the coordinates are stored, and the process proceeds to the coordinates of the next through hole. If there is at least one non-arrangeable flattening pattern, the process returns to (2) and the arrangement determination grid is set again. However, if all the placement rules have been exhausted, the process moves to the next through hole.

【0016】(4).全スルーホールの座標に対し、平坦化
パターン配置判定が終了したら、記憶していた平坦化パ
ターン配置座標を設計データベースに登録する。
(4) When the determination of the flattening pattern arrangement is completed for the coordinates of all the through holes, the stored flattening pattern arrangement coordinates are registered in the design database.

【0017】以上の工程において、配置位置ファイル
は、スルーホール直下の平坦化を確保するための平坦化
パターン配置の優先順位を定めて記述したものであり、
平坦化パターン配置ルールライブラリに登録されてお
り、この平坦化パターン配置の優先順位は、平坦化パタ
ーンの配置個数を考慮するとともに、スルーホールの直
下に配置する場合、左右に配置する場合、上下に配置す
る場合、対角線隅に配置する場合の順とするものであ
る。
In the above process, the arrangement position file is a file in which the priorities of the flattening pattern arrangement for securing the flattening just below the through holes are defined and described.
It is registered in the flattening pattern placement rule library, and the priority order of the flattening pattern placement is determined in consideration of the number of flattening patterns to be placed. The arrangement is performed in the order of arrangement at the diagonal corner.

【0018】さらに、配置条件ファイルは、平坦化パタ
ーンを配置してはならないレイアウトルールまたは配置
したいレイアウトルールを記述したものであり、平坦化
パターン配置ルールライブラリに登録されており、この
平坦化パターンを配置してはならないレイアウトルール
は、平坦化パターンが下地配線とショートを引き起こす
場合、下地配線と角接触を引き起こす場合、配置禁止領
域と重なる場合、下地配線との間に微小間隔が発生する
場合とするものである。
The layout condition file describes a layout rule in which a flattening pattern must not be placed or a layout rule to be placed. The layout condition file is registered in a flattening pattern placement rule library. The layout rules that must not be placed are as follows: when the flattening pattern causes a short circuit with the underlying wiring, when it causes angular contact with the underlying wiring, when it overlaps with the placement prohibited area, when there is a minute gap between it and the underlying wiring. Is what you do.

【0019】また、本発明による半導体装置の設計装置
は、レイアウトデータを格納し、かつ平坦化パターンの
配置座標を登録する設計データベースと、スルーホール
直下の平坦化を確保するための平坦化パターン配置の優
先順位を定めて記述した配置位置ファイル、および平坦
化パターンを配置してはならないレイアウトルールまた
は配置したいレイアウトルールを記述した配置条件ファ
イルを登録する平坦化パターン配置ルールライブラリ
と、チップをDA格子で区切り、設計データベースのレ
イアウトデータに基づいてスルーホールの配置座標をD
A格子上の座標に変換する第1手段と、下地配線層を入
力し、DA格子上にフラグを立てる第2手段と、スルー
ホールの配置位置に対して、配置位置ファイルの優先順
に配置条件ファイルのルールに従って平坦化パターンが
配置できるか判定を行う第3手段と、平坦化パターンを
配置できない場合には次の位置に平坦化パターンが配置
できるか判定を行い、配置できる位置に平坦化パターン
を配置する第4手段と、全てのスルーホールの配置位置
に対して順に実行し、最終的な平坦化パターンの配置座
標を設計データベースに登録する第5手段と、を有する
ものである。
Further, a semiconductor device design apparatus according to the present invention includes a design database for storing layout data and registering layout coordinates of a flattening pattern, and a flattening pattern layout for ensuring flatness immediately below a through hole. A layout pattern library for registering a layout position file describing the layout priorities and layout rules in which the flattening pattern must not be placed or layout rules desired to be placed, and a DA grid for the chip , And the layout coordinates of the through-holes based on the layout data of the design database
A first means for converting the coordinates on the A grid, a second means for inputting the underlying wiring layer and setting a flag on the DA grid, and a layout condition file for the layout positions of the through holes in the priority order of the layout position file A third means for determining whether or not the flattening pattern can be arranged according to the rule of the above, and if the flattening pattern cannot be arranged, it is determined whether or not the flattening pattern can be arranged at the next position. There is provided a fourth means for arranging, and a fifth means for sequentially executing the arrangement of all the through holes and registering the arrangement coordinates of the final flattening pattern in a design database.

【0020】よって、前記半導体装置の設計方法および
設計装置によれば、スルーホールの配置部のみを参照
し、配置済みの平坦化パターンを含む配線の幅を認識し
ながら複数の配置ルールを実行できることから、処理時
間を削減できるとともに、汎用性を確保することができ
る。この際に、配線段差解消に必要な最小限の平坦化パ
ターンのみを配置し、余分な配線容量を増やすことな
く、かつ平坦化パターン配置による他の配線とのレイア
ウトエラーを回避することができる。
According to the method and apparatus for designing a semiconductor device, a plurality of placement rules can be executed while referring to only the placement portion of the through hole and recognizing the width of the wiring including the placed flattening pattern. Therefore, the processing time can be reduced, and versatility can be ensured. At this time, only the minimum flattening pattern necessary for eliminating the wiring step is arranged, and it is possible to avoid a layout error with other wiring due to the flattening pattern arrangement without increasing extra wiring capacitance.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0022】図1は本発明の一実施の形態である半導体
装置の設計装置を示す概略構成図、図2は本実施の形態
において、半導体装置の設計方法を示すフロー図、図3
は配置位置ファイルを示す説明図、図4はフラグを示す
説明図、図5は配置条件ファイルを示す説明図、図6〜
図12は平坦化パターン配置設計方式の処理を示す説明
図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an apparatus for designing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a flowchart showing a method of designing a semiconductor device in the embodiment.
Is an explanatory diagram showing an arrangement position file, FIG. 4 is an explanatory diagram showing a flag, FIG. 5 is an explanatory diagram showing an arrangement condition file, and FIGS.
FIG. 12 is an explanatory diagram showing processing of the flattening pattern arrangement design method.

【0023】まず、本実施の形態の半導体装置の設計装
置の概略構成を説明する。
First, a schematic configuration of a semiconductor device design apparatus according to the present embodiment will be described.

【0024】本実施の形態の半導体装置の設計装置は、
たとえばスルーホールの下地配線層に配置する平坦化パ
ターンを自動生成するワークステーションなどからなる
設計装置とされ、レイアウトデータを格納し、かつ平坦
化パターンの配置座標を登録する設計データベース1
と、スルーホール直下の平坦化を確保するための平坦化
パターン配置の優先順位を定めて記述した配置位置ファ
イル2、および平坦化パターンを配置してはならないレ
イアウトルールまたは配置したいレイアウトルールを記
述した配置条件ファイル3を登録する平坦化パターン配
置ルールライブラリ4と、ソフトウェアによるプログラ
ム処理部5とから構成されている。
The semiconductor device designing apparatus according to the present embodiment
For example, a design apparatus including a work station or the like that automatically generates a flattening pattern to be arranged on the underlying wiring layer of the through hole is provided. The design database 1 stores layout data and registers the arrangement coordinates of the flattening pattern.
And an arrangement position file 2 in which the priorities of the arrangement of the flattening patterns for securing the flatness immediately below the through holes are defined and described, and a layout rule in which the flattening patterns are not to be arranged or a layout rule to be arranged is described. It comprises a flattening pattern arrangement rule library 4 for registering the arrangement condition file 3 and a program processing unit 5 by software.

【0025】プログラム処理部5には、チップをDA格
子で区切り、設計データベース1のレイアウトデータに
基づいてスルーホールの配置座標をDA格子上の座標に
変換する座標変換部6、下地配線層を入力し、DA格子
上にフラグを立てるフラグ設定部7、スルーホールの配
置位置に対して、配置位置ファイル2の優先順に配置条
件ファイル3のルールに従って平坦化パターンが配置で
きるか判定を行う配置判定部8、平坦化パターンを配置
できない場合には次の位置に平坦化パターンが配置でき
るか判定を行い、配置できる位置に平坦化パターンを配
置するパターン配置部9、全てのスルーホールの配置位
置に対して順に実行し、最終的な平坦化パターンの配置
座標を設計データベースに登録する座標登録部10など
が備えられている。
The program processing unit 5 divides the chip by a DA lattice, converts the arrangement coordinates of the through holes into coordinates on the DA lattice based on the layout data of the design database 1, and inputs the underlying wiring layer. Then, a flag setting unit 7 for setting a flag on the DA grid, and a placement determining unit for determining whether a flattening pattern can be placed in accordance with the rules of the placement condition file 3 in the priority order of the placement position file 2 with respect to the placement positions of the through holes. 8. If the flattening pattern cannot be arranged, it is determined whether or not the flattening pattern can be arranged at the next position, and the pattern arranging section 9 for arranging the flattening pattern at the position where the flattening pattern can be arranged. And a coordinate registration unit 10 for sequentially executing the arrangement coordinates of the flattening pattern in the design database.

【0026】次に、本実施の形態の作用について、図2
のフロー図に基づいて、図3〜図12を参照しながら半
導体装置の設計方法における平坦化パターン配置設計方
式を説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG.
3 to FIG. 12, a flat pattern arrangement design method in a semiconductor device design method will be described with reference to FIGS.

【0027】1.平坦化パターン配置処理の前に、設計
者はスルーホール直下の平坦化を確保するための平坦化
パターン配置の優先順位を定めて記述した配置位置ルー
ルの配置位置ファイル2を作成する(ステップ20
1)。設計者は、GUIを用いてDA格子上で、スルー
ホールを中心とした場合の、配置したい平坦化パターン
の位置を指定する。指定は“0”または“1”で表現さ
れた配置位置ファイル2に変換される。この配置位置フ
ァイル2を平坦化パターン配置ルールライブラリ4に登
録する。
1. Prior to the flattening pattern arrangement processing, the designer creates an arrangement position file 2 of an arrangement position rule in which the priorities of the flattening pattern arrangement for securing the flattening immediately under the through-hole are defined and described (step 20).
1). The designer uses the GUI to specify the position of the flattening pattern to be arranged when the through hole is the center on the DA grid. The designation is converted into a layout position file 2 represented by “0” or “1”. The arrangement position file 2 is registered in the flattening pattern arrangement rule library 4.

【0028】たとえば、平坦化パターンの配置指定の優
先順は、図3に示すように、1個から4個までの平坦化
パターンPの配置個数を考慮するとともに、(a) のよう
に平坦化パターンPをスルーホールTHの直下に配置す
る場合、(b) のようにスルーホールTHの左右に配置す
る場合、(c) のようにスルーホールTHの上下に配置す
る場合、(d) のようにスルーホールTHの対角線隅に配
置する場合などの順とする。これに対応する位置指定の
ファイルは、それぞれ(e),(f),(g),(h) となる。なお、
平坦化パターンPの配置指定の優先順は下地配線方向も
意識する。
For example, as shown in FIG. 3, the order of priority for specifying the placement of the flattening pattern is determined by taking into account the number of flattening patterns P from one to four as shown in FIG. When the pattern P is arranged directly below the through hole TH, as shown in (b), on the left and right of the through hole TH, as shown in (c), when it is arranged above and below the through hole TH, as shown in (d), In the case of being arranged at the diagonal corner of the through hole TH. The corresponding position specification files are (e), (f), (g), and (h), respectively. In addition,
The priority order of the layout specification of the flattening pattern P is also conscious of the underlying wiring direction.

【0029】2.平坦化パターン配置処理の前に、設計
者は平坦化パターンPを配置してはならないレイアウト
ルールまたは配置したいレイアウトルールを記述した配
置条件ルールの配置条件ファイル3を作成する(ステッ
プ202)。設計者は、GUIを用いてDA格子上で、
平坦化パターンPを配置できない(または配置できる)
場合を指定する。指定は、図4のような各種フラグで表
現された配置条件ファイル3に変換される。この配置条
件ファイル3を平坦化パターン配置ルールライブラリ4
に登録する。
2. Prior to the flattening pattern arrangement processing, the designer creates an arrangement condition file 3 of an arrangement condition rule in which a layout rule in which the flattening pattern P must not be arranged or a layout rule to be arranged is described (step 202). The designer uses the GUI on the DA grid,
The flattening pattern P cannot be arranged (or can be arranged)
Specify the case. The designation is converted into an arrangement condition file 3 represented by various flags as shown in FIG. This arrangement condition file 3 is converted into a flattening pattern arrangement rule library 4
Register with.

【0030】たとえば、平坦化パターンPを配置しては
ならないレイアウトルールは、図5において、(a) のよ
うに平坦化パターンPを配置すると下地配線とショート
を引き起こす場合、(b) のように平坦化パターンPを配
置すると下地配線と角接触を引き起こす場合を配置禁止
とする。これに対応するフラグ指定のファイルは、(c),
(d),(e),(f),(g),(h) となる。
For example, a layout rule in which the flattening pattern P must not be arranged is as shown in FIG. 5A. When the flattening pattern P is arranged as shown in FIG. A case where the placement of the flattening pattern P causes angular contact with the underlying wiring is prohibited. The corresponding flag-specified files are (c),
(d), (e), (f), (g), (h).

【0031】3.平坦化パターン配置処理では、設計デ
ータベース1の設計完了後のレイアウトデータ、および
配置位置ファイル2、配置条件ファイル3の配置ルール
ライブラリを入力し、平坦化パターンPを配置したいス
ルーホール層毎に以下のステップを繰り返す。
3. In the flattening pattern arranging process, the layout data after the completion of the design of the design database 1 and the arrangement rule library of the arrangement position file 2 and the arrangement condition file 3 are input, and the following for each through-hole layer where the flattening pattern P is to be arranged. Repeat steps.

【0032】(1).チップをDA格子で区切り、設計デー
タベース1のレイアウトデータに基づいてスルーホール
THの配置座標をDA格子上の座標に変換する(ステッ
プ203)。たとえば、図6において、(a,b),
(c,d),(e,f),(g,h)がスルーホールT
Hの配置位置を表す。
(1) The chip is divided by a DA lattice, and the arrangement coordinates of the through holes TH are converted into coordinates on the DA lattice based on the layout data of the design database 1 (step 203). For example, in FIG. 6, (a, b),
(C, d), (e, f), (g, h) are through holes T
Represents the location of H.

【0033】(2).下地配線層を入力し、DA格子上に前
記図4に示したフラグを立てる(ステップ204)。た
とえば、前記図6の場合、図7のようになる。すなわ
ち、スルーホールTHの下地配線のDA格子上には
“1”,“2”,“3”のフラグが立ち、配置禁止のD
A格子上には“4”のフラグが立つ。
(2) Input the underlying wiring layer and set the flag shown in FIG. 4 on the DA grid (step 204). For example, the case of FIG. 6 is as shown in FIG. That is, "1", "2", and "3" flags are set on the DA grid of the underlying wiring of the through-hole TH, and the placement prohibited D
A flag “4” is set on the A grid.

【0034】(3).平坦化パターンPの配置処理では、Y
昇順、X昇順で(a,b)→(c,d)→(e,f)→
(g,h)のように左下から順にスルーホールTHの配
置位置の処理を行う。
(3). In the process of arranging the flattening pattern P, Y
(A, b) → (c, d) → (e, f) →
As shown in (g, h), processing of the arrangement position of the through hole TH is performed in order from the lower left.

【0035】(4).配置位置ファイル2の優先順に、配置
条件ファイル3のルールに従って平坦化パターンPが配
置できるか判定を行う(ステップ205)。たとえば、
前記図3の例ではスルーホールTHの直下の配置が最優
先なので、(a,b)に平坦化パターンPが配置可能
か、配置条件ファイル3の条件との突き合わせを行う。
配置条件は3×3格子で記述されているので、図8に示
すように(a,b)を中心とした3×3格子をチェック
を行う箇所として抽出する。この抽出された箇所は、前
記図5(g) のエラーケースに該当するため、平坦化パタ
ーンPの配置は行えない。
(4) It is determined whether or not the flattening pattern P can be arranged according to the rules of the arrangement condition file 3 in the priority order of the arrangement position file 2 (step 205). For example,
In the example of FIG. 3, since the arrangement immediately below the through hole TH has the highest priority, whether or not the flattening pattern P can be arranged at (a, b) is compared with the condition of the arrangement condition file 3.
Since the arrangement condition is described by a 3 × 3 grid, a 3 × 3 grid centered on (a, b) is extracted as a location to be checked as shown in FIG. Since the extracted portion corresponds to the error case in FIG. 5 (g), the flattening pattern P cannot be arranged.

【0036】(5).配置位置ファイル2では、スルーホー
ルTHの直下に平坦化パターンPを配置できない場合、
図7のA,Bの位置に平坦化パターンPを配置すること
を求めている。そこで、たとえば図9に示すように、
A,Bのチェックを行う箇所に対して前記(4) と同様の
判定を行う。A,Bともに前記図5のエラーとなる条件
に合致しないので平坦化パターンPを配置する(ステッ
プ206)。
(5) In the placement position file 2, if the flattening pattern P cannot be placed immediately below the through hole TH,
It is required to arrange the flattening pattern P at the positions A and B in FIG. So, for example, as shown in FIG.
The same determination as in (4) above is made for the locations where A and B are checked. Since neither A nor B satisfies the error condition of FIG. 5, the flattening pattern P is arranged (step 206).

【0037】(6).スルーホールTHの配置位置の(c,
d),(e,f),(g,h)に対しても、(a,b)
と同様に前記(4),(5) の処理を行う。ただし、判定時に
は、平坦化パターンPの配置を考慮して行う。すなわ
ち、前記図7では、(c,d)直下に平坦化パターンP
が配置可能だが、AおよびBに平坦化パターンPが配置
されたことにより、実際の下地配線状況を示すフラグが
図10の黒枠部のように変化しており配置できない。こ
れは、前記図5(f) に該当するためである。
(6) The positions (c,
d), (e, f), and (g, h), also (a, b)
The processes (4) and (5) are performed in the same manner as described above. However, the determination is performed in consideration of the arrangement of the flattening pattern P. That is, in FIG. 7, the flattening pattern P is located immediately below (c, d).
Can be arranged, but because the flattening pattern P is arranged on A and B, the flag indicating the actual underlying wiring state changes as shown by the black frame in FIG. 10 and cannot be arranged. This is because it corresponds to FIG. 5 (f).

【0038】また、(e,f)では、直下に平坦化パタ
ーンPが配置可能であるが、通常の平坦化パターンPを
配置できない。配置を行うと、図11(b) に示すように
微小隙間が発生し、レジストが剥がれることによる歩留
まり低下を引き起こしてしまうからである。微小隙間
は、太幅配線のレイアウト時、プロセスルールを守るた
め、図11(a) のようにDA格子からのはみ出し幅が通
常配線よりも小さくなること、および通常の平坦化パタ
ーンPが、通常配線との接触を考慮して、通常配線と同
じ幅で設計されていることによる。平坦化パターンPの
配置処理では、配線幅を意識し、図11(c) のように最
小限の埋め込みパターンを追加して配置を行う。
In (e, f), the flattening pattern P can be arranged immediately below, but the normal flattening pattern P cannot be arranged. This is because, when the arrangement is performed, a minute gap is generated as shown in FIG. 11B, and the yield is reduced due to the peeling of the resist. In order to observe the process rule when laying out a large-width wiring, the minute gap is such that the width of the minute gap protruding from the DA lattice becomes smaller than that of the normal wiring as shown in FIG. This is because it is designed to have the same width as the normal wiring in consideration of contact with the wiring. In the placement process of the flattening pattern P, the placement is performed by adding a minimum embedding pattern as shown in FIG.

【0039】最後に、(g,h)では、いずれの平坦化
パターンPの配置に対しても、配置禁止領域に接触して
しまうため、配置は行えない。
Finally, in the case of (g, h), no arrangement can be performed for any arrangement of the flattening pattern P because the arrangement comes into contact with the arrangement prohibited area.

【0040】以上のことから、最終的な平坦化パターン
Pの配置は、たとえば図12のようになる。平坦化パタ
ーンPの配置処理は、入力の設計データにこの平坦化パ
ターンPの配置座標を追加して設計データベース1に登
録し、さらに必要に応じて出力することも可能である
(ステップ207)。
From the above, the final arrangement of the flattening pattern P is, for example, as shown in FIG. In the layout processing of the flattening pattern P, the layout coordinates of the flattening pattern P may be added to the input design data, registered in the design database 1, and further output as needed (step 207).

【0041】従って、本実施の形態の半導体装置の設計
装置によれば、チップ全面をDA格子で区切りフラグを
立て、平坦化パターンPの配置判定格子を設定し、平坦
化パターンPの配置判定を行い、平坦化パターンPの座
標を登録する、各設計工程を実行することにより、スル
ーホールTHのみを参照し、下地配線の幅を認識しなが
ら複数の配置ルールを実行できることから、最小限の平
坦化パターンPのみを配置して余分な配線容量を増やす
ことなく、かつ平坦化パターンPの配置による他の配線
とのレイアウトエラーを回避することができる。よっ
て、平坦化パターンPの自動生成において、寄生容量の
増加を抑えるとともにスルーホールTHの直下の平坦性
を確保しながら、処理時間を削減できるとともに、汎用
性を確保することができる。
Therefore, according to the semiconductor device designing apparatus of the present embodiment, a partitioning flag is set on the entire surface of the chip by the DA lattice, the arrangement determination grid of the planarization pattern P is set, and the arrangement determination of the planarization pattern P is performed. By performing the respective design steps of registering the coordinates of the flattening pattern P and performing the plurality of layout rules while referring to only the through hole TH and recognizing the width of the underlying wiring, the minimum flatness is achieved. The layout error with other wiring due to the placement of the flattening pattern P can be avoided without increasing the extra wiring capacity by arranging only the patterned pattern P. Therefore, in the automatic generation of the flattening pattern P, the processing time can be reduced and the versatility can be ensured while suppressing the increase in the parasitic capacitance and securing the flatness directly below the through hole TH.

【0042】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications may be made without departing from the gist of the invention. It goes without saying that it is possible.

【0043】たとえば、配置位置ファイルに記述されて
いる平坦化パターンの配置指定の優先順は、図3に示す
場合に限定されるものではなく、スルーホールの周囲の
三角点にそれぞれ平坦化パターンを配置する場合のよう
に、3個の平坦化パターンの配置例なども意識すること
が必要である。
For example, the priority order of the layout designation of the flattening pattern described in the layout position file is not limited to the case shown in FIG. 3, and the flattening pattern is assigned to each of the triangular points around the through hole. As in the case of arrangement, it is necessary to be aware of an example of arrangement of three flattening patterns.

【0044】[0044]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described.
It is as follows.

【0045】(1).チップをDA格子で区切り、レイアウ
トデータに基づいてスルーホールの配置座標をDA格子
上の座標に変換し、下地配線層を入力し、DA格子上に
フラグを立て、スルーホールの配置位置に対して、配置
位置の優先順に配置条件のルールに従って平坦化パター
ンが配置できるか判定を行い、平坦化パターンを配置で
きない場合には次の位置に平坦化パターンが配置できる
か判定を行い、配置できる位置に平坦化パターンを配置
し、全てのスルーホールの配置位置に対して順に実行
し、最終的な平坦化パターンの配置座標を登録すること
で、スルーホールの配置部のみを参照し、配置済みの平
坦化パターンを含む配線の幅を認識しながら複数の配置
ルールを実行できるので、配線段差解消に必要な最小限
の平坦化パターンのみを配置し、余分な配線容量を増や
すことなく、かつ平坦化パターン配置による他の配線と
のレイアウトエラーを回避することが可能となる。
(1) The chip is divided by a DA grid, the layout coordinates of the through holes are converted into coordinates on the DA grid based on the layout data, the underlying wiring layer is input, a flag is set on the DA grid, and the through-hole is set. A determination is made as to whether or not a flattening pattern can be arranged in accordance with the rules of the arrangement condition in the priority order of the arrangement positions with respect to the hole arrangement position. And place the flattening pattern at a position where it can be placed, and execute it sequentially for all the through-hole placement positions, and register the placement coordinates of the final flattening pattern so that only the placement part of the through-hole is By referencing and recognizing the width of the wiring including the placed flattening pattern, multiple placement rules can be executed, so only the minimum flattening pattern necessary to eliminate wiring steps And it is possible to avoid a layout error with other wiring due to the flattening pattern arrangement without increasing extra wiring capacitance.

【0046】(2).前記(1) により、平坦化パターンの自
動生成において、寄生容量の増加を抑えるとともにスル
ーホール直下の平坦性を確保しながら、処理時間の削減
と汎用性の確保を実現することが可能となる。
(2) According to the above (1), in the automatic generation of the flattening pattern, the processing time is reduced and the versatility is ensured while suppressing the increase in the parasitic capacitance and securing the flatness immediately below the through hole. It is possible to do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態である半導体装置の設計
装置を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an apparatus for designing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態において、半導体装置の
設計方法を示すフロー図である。
FIG. 2 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor device in one embodiment of the present invention.

【図3】(a)〜(h)は本発明の一実施の形態におい
て、配置位置ファイルを示す説明図である。
FIGS. 3A to 3H are explanatory diagrams showing an arrangement position file in one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態において、フラグを示す
説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a flag in one embodiment of the present invention.

【図5】(a)〜(h)は本発明の一実施の形態におい
て、配置条件ファイルを示す説明図である。
FIGS. 5A to 5H are explanatory diagrams showing an arrangement condition file in one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態において、スルーホール
と下地配線を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing through holes and underlying wiring in one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態において、下地配線をフ
ラグに変換した状態を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a state in which a base wiring is converted into a flag in one embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施の形態において、平坦化パター
ンの判定を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating determination of a flattening pattern according to the embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施の形態において、平坦化パター
ンの他の判定を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing another determination of the flattening pattern in the embodiment of the present invention.

【図10】本発明の一実施の形態において、スルーホー
ルに対するフラグの状況を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing the status of a flag for a through hole in one embodiment of the present invention.

【図11】(a) 〜(c) は本発明の一実施の形態におい
て、平坦化パターンの他の判定を示す説明図である。
FIGS. 11A to 11C are explanatory diagrams illustrating another determination of a flattening pattern in the embodiment of the present invention.

【図12】本発明の一実施の形態において、平坦化パタ
ーンの配置後のレイアウトを示す説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a layout after a flattening pattern is arranged in one embodiment of the present invention.

【図13】(a) 〜(c) は本発明の前提において、平坦化
パターンの配置前後の断面を示す概略図である。
FIGS. 13A to 13C are schematic views showing cross sections before and after the arrangement of a flattening pattern on the premise of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 設計データベース 2 配置位置ファイル 3 配置条件ファイル 4 平坦化パターン配置ルールライブラリ 5 プログラム処理部 6 座標変換部 7 フラグ設定部 8 配置判定部 9 パターン配置部 10 座標登録部 P 平坦化パターン TH スルーホール REFERENCE SIGNS LIST 1 design database 2 placement position file 3 placement condition file 4 flattening pattern placement rule library 5 program processing unit 6 coordinate conversion unit 7 flag setting unit 8 placement determination unit 9 pattern placement unit 10 coordinate registration unit P flattening pattern TH through hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅沼 利文 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立インフォメーションテクノロジー内 Fターム(参考) 5B046 AA08 BA05 CA00 5F033 CA09 DA01 DA31 FA03 5F064 DD14 DD26 DD50 EE02 EE09 EE12 EE27 EE43 HH11 HH12 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Toshifumi Asanuma 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa F-term in Hitachi Information Technology Co., Ltd. 5B046 AA08 BA05 CA00 5F033 CA09 DA01 DA31 FA03 5F064 DD14 DD26 DD50 EE02 EE09 EE12 EE27 EE43 HH11 HH12

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スルーホールの下地配線層に配置する平
坦化パターンを自動生成する半導体装置の設計方法であ
って、チップをDA格子で区切り、レイアウトデータに
基づいてスルーホールの配置座標をDA格子上の座標に
変換する第1工程と、下地配線層を入力し、DA格子上
にフラグを立てる第2工程と、スルーホールの配置位置
に対して、配置位置ファイルの優先順に配置条件ファイ
ルのルールに従って平坦化パターンが配置できるか判定
を行う第3工程と、平坦化パターンを配置できない場合
には次の位置に平坦化パターンが配置できるか判定を行
い、配置できる位置に平坦化パターンを配置する第4工
程と、全てのスルーホールの配置位置に対して前記第3
工程および前記第4工程を順に実行し、最終的な平坦化
パターンの配置座標を登録する第5工程と、を有するこ
とを特徴とする半導体装置の設計方法。
1. A method of designing a semiconductor device, which automatically generates a flattening pattern to be arranged in a base wiring layer of a through-hole, wherein a chip is divided by a DA lattice, and layout coordinates of the through-hole are determined based on layout data. A first step of converting to upper coordinates, a second step of inputting a base wiring layer and setting a flag on a DA grid, and a rule of an arrangement condition file in a priority order of an arrangement position file with respect to an arrangement position of a through hole. A third step of determining whether or not a flattening pattern can be arranged according to the above. If the flattening pattern cannot be arranged, it is determined whether or not the flattening pattern can be arranged at the next position, and the flattening pattern is arranged at a position where it can be arranged. A fourth step, and the third step for arranging all the through holes;
And a fourth step of sequentially executing the step and the fourth step, and registering the final arrangement coordinates of the planarization pattern.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の設計方法で
あって、前記配置位置ファイルは、スルーホール直下の
平坦化を確保するための平坦化パターン配置の優先順位
を定めて記述したものであり、平坦化パターン配置ルー
ルライブラリに登録されていることを特徴とする半導体
装置の設計方法。
2. The method for designing a semiconductor device according to claim 1, wherein the arrangement position file defines and describes priorities of planarization pattern arrangements for securing planarization immediately below the through holes. And a method for designing a semiconductor device, wherein the method is registered in a flattening pattern arrangement rule library.
【請求項3】 請求項2記載の半導体装置の設計方法で
あって、前記平坦化パターン配置の優先順位は、前記平
坦化パターンの配置個数を考慮するとともに、前記スル
ーホールの直下に配置する場合、前記スルーホールの左
右に配置する場合、前記スルーホールの上下に配置する
場合、前記スルーホールの対角線隅に配置する場合の順
であることを特徴とする半導体装置の設計方法。
3. The method for designing a semiconductor device according to claim 2, wherein the priority order of the flattening patterns is determined by considering the number of the flattening patterns and arranging them immediately below the through holes. A method of designing a semiconductor device, wherein the method is arranged in the following order: when arranging right and left of the through hole, when arranging above and below the through hole, and when arranging it at a diagonal corner of the through hole.
【請求項4】 請求項1記載の半導体装置の設計方法で
あって、前記配置条件ファイルは、平坦化パターンを配
置してはならないレイアウトルールまたは配置したいレ
イアウトルールを記述したものであり、平坦化パターン
配置ルールライブラリに登録されていることを特徴とす
る半導体装置の設計方法。
4. The method for designing a semiconductor device according to claim 1, wherein the layout condition file describes a layout rule in which a flattening pattern is not to be arranged or a layout rule to be arranged. A method for designing a semiconductor device, wherein the method is registered in a pattern arrangement rule library.
【請求項5】 請求項4記載の半導体装置の設計方法で
あって、前記平坦化パターンを配置してはならないレイ
アウトルールは、前記平坦化パターンが下地配線とショ
ートを引き起こす場合、前記平坦化パターンが下地配線
と角接触を引き起こす場合、前記平坦化パターンが配置
禁止領域と重なる場合、前記平坦化パターンが下地配線
との間に微小間隔が発生する場合であることを特徴とす
る半導体装置の設計方法。
5. The method for designing a semiconductor device according to claim 4, wherein the layout rule in which the flattening pattern must not be arranged is such that when the flattening pattern causes a short circuit with the underlying wiring, the flattening pattern is not formed. Cause angular contact with the underlying wiring, when the flattening pattern overlaps the placement prohibited area, or when a minute gap occurs between the flattening pattern and the underlying wiring. Method.
【請求項6】 スルーホールの下地配線層に配置する平
坦化パターンを自動生成する半導体装置の設計装置であ
って、レイアウトデータを格納し、かつ平坦化パターン
の配置座標を登録する設計データベースと、スルーホー
ル直下の平坦化を確保するための平坦化パターン配置の
優先順位を定めて記述した配置位置ファイル、および平
坦化パターンを配置してはならないレイアウトルールま
たは配置したいレイアウトルールを記述した配置条件フ
ァイルを登録する平坦化パターン配置ルールライブラリ
と、チップをDA格子で区切り、前記設計データベース
のレイアウトデータに基づいてスルーホールの配置座標
をDA格子上の座標に変換する第1手段と、下地配線層
を入力し、DA格子上にフラグを立てる第2手段と、ス
ルーホールの配置位置に対して、前記配置位置ファイル
の優先順に前記配置条件ファイルのルールに従って平坦
化パターンが配置できるか判定を行う第3手段と、平坦
化パターンを配置できない場合には次の位置に平坦化パ
ターンが配置できるか判定を行い、配置できる位置に平
坦化パターンを配置する第4手段と、全てのスルーホー
ルの配置位置に対して順に実行し、最終的な平坦化パタ
ーンの配置座標を前記設計データベースに登録する第5
手段と、を有することを特徴とする半導体装置の設計装
置。
6. A design device for a semiconductor device, which automatically generates a flattening pattern to be arranged in an underlying wiring layer of a through hole, comprising: a design database for storing layout data and registering the layout coordinates of the flattening pattern; An arrangement position file that defines and describes the priorities of the flattening pattern arrangements for securing the flattening just below the through-holes, and an arrangement condition file that describes the layout rules that should not place the flattening patterns or the layout rules that you want to arrange A first flattening pattern arrangement rule library for registering a chip, a first means for separating chips by a DA lattice, and converting the arrangement coordinates of through holes into coordinates on the DA lattice based on the layout data of the design database; The second means for inputting and setting a flag on the DA grid, A third means for determining whether or not a flattening pattern can be arranged according to the rules of the arrangement condition file in order of priority of the arrangement position file; A fourth means for determining whether or not the through-holes can be arranged, and arranging the flattening patterns at the positions where the through-holes can be arranged; 5th to register with
Means for designing a semiconductor device.
JP10222519A 1998-08-06 1998-08-06 Design method and design equipment of semiconductor device Pending JP2000058657A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10222519A JP2000058657A (en) 1998-08-06 1998-08-06 Design method and design equipment of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10222519A JP2000058657A (en) 1998-08-06 1998-08-06 Design method and design equipment of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000058657A true JP2000058657A (en) 2000-02-25

Family

ID=16783709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10222519A Pending JP2000058657A (en) 1998-08-06 1998-08-06 Design method and design equipment of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000058657A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113553796A (en) * 2021-07-30 2021-10-26 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Method and system for acquiring through hole area position in layout file and electronic equipment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113553796A (en) * 2021-07-30 2021-10-26 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Method and system for acquiring through hole area position in layout file and electronic equipment
CN113553796B (en) * 2021-07-30 2024-02-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Method and system for acquiring position of through hole area in layout file and electronic equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002208639A (en) Method and device for forming mutual connecting line into integrated circuit
US6505333B1 (en) Automatic placement and routing of semiconductor integrated circuits
US20050172253A1 (en) Automatic placement and routing device, method for placement and routing of semiconductor device, semiconductor device and manufacturing method of the same
EP0791887B1 (en) Flip-Chip layout input apparatus and method
EP0926736B1 (en) Semiconductor integrated circuit having thereon on-chip capacitors
JP2001306641A (en) Automatic arranging and wiring method for semiconductor integrated circuit
US6892372B2 (en) Wiring layout method of integrated circuit
US7958482B2 (en) Stitched circuitry region boundary identification for stitched IC chip layout
JP2006155119A (en) Lsi physical design method, program and device
JP2004220132A (en) Wiring pattern verification method, program and device
JP2003017388A (en) Mask block manufacturing method, mask clock, and aligner
JP2000058657A (en) Design method and design equipment of semiconductor device
US20010045572A1 (en) Semiconductor interated circuit and method of manufacturing the same
US20090243121A1 (en) Semiconductor integrated circuit and layout method for the same
US7370304B2 (en) System and method for designing and manufacturing LSI
JP3027949B2 (en) Automatic wiring method of semiconductor integrated circuit
JP3740387B2 (en) Automatic flattening pattern generation method
JPH06216249A (en) Automatic layout design system for ic chip
JPH04101276A (en) Integrated circuit designing device
JP2001351984A (en) Method for determining layout of dummy pattern, semiconductor device using the same, and manufacturing method of the semiconductor device
JP3062149B2 (en) Automatic wiring method
JPH065704A (en) Layout verification of lsi designing
JPH1022391A (en) Layout compression
JPH0563087A (en) Laying-out method
JP2004311587A (en) Method and apparatus for dummy wiring forming