JP2000058412A

JP2000058412A - ステージ位置制御方法、ステージ位置制御装置、および投影露光装置

Info

Publication number: JP2000058412A
Application number: JP10220745A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Yamaguchi; 敦史山口
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-08-04
Filing date: 1998-08-04
Publication date: 2000-02-25

Abstract

(57)【要約】【課題】レチクルステージや基板ステージなどの各種の
ステージの位置決め収束性の良否にかかわらず、短時間
で位置決めが収束したことを正しく判定する。【解決手段】干渉計３４で検出したレベリングステージ
１５の現在位置と目標位置の偏差を順次に算出する。演
算された順次の偏差を、現在から過去に向けて大きくな
るようにそれぞれ設定された許容値とそれぞれ比較し、
すべての偏差が許容値以内であればレベリングステージ
１５の位置決めが収束したと判定し、露光を行なう。露
光終了後、次の目標位置へウエハＷを移動すべきレベリ
ングステージ１６の位置決め制御を同様に行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種のステージの
位置決め制御方法に関する。また、本発明は、レチクル
やマスクなどの原版上に形成された半導体回路パターン
や液晶素子パターンなどをウエハなどの感光基板に投影
露光する際にレチクルステージあるいは基板ステージを
精度良く位置決めする投影露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の投影露光装置では、各種のパタ
ーンが形成されたレチクルはレチクルステージ上に搭載
され、ウエハやガラス基板は基板ステージ上に搭載され
てレチクル上のパターンが基板上に投影露光される。た
とえば、ステップアンドリピート方式の縮小投影型露光
装置においては、基板ステージの位置決め（ステッピン
グ）と露光とを繰り返し行なって基板上に回路パターン
を露光する。レチクル上のパターンの像は基板上の所定
の位置に所定の精度で投影する必要があり、基板ステー
ジがその目標位置に対して十分収束していると判断され
たときに露光を行なう。ステージ位置が収束した後でア
ライメントを行なうこともある。

【０００３】そのため、基板ステージの位置を所定のサ
ンプリング間隔で計測し、その計測値（現在位置）と目
標値（目標位置）との偏差をその都度算出し、偏差がゼ
ロに近づくようにサーボ制御している。そして、偏差が
所定の許容値以内にある状態が連続して所定時間以上継
続したときに、基板ステージの位置が目標値に十分収束
したと判断する。このような判断手法を採用する理由
は、基板ステージはリンギング（ハンチング）を起こし
ながら目標位置に位置決めされることから、基板ステー
ジが目標位置に対して十分に収束していない場合には、
現在位置が瞬間的に目標値に対して所定の許容値以内に
なったとしても、それ以降にふたたび所定の許容値を越
えることがあるため、上述したように、偏差が所定の許
容値以内にある状態が連続して所定時間以上継続したこ
とで位置決めの収束性を判定するのである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような投影露光装
置における基板ステージ位置決め制御を図６および図７
により説明する。図６および図７において、時点ｔ１で
偏差が許容値以内になり、時点ｔ２でいったん許容値を
越えて時点ｔ３でふたたび許容値以内となる。この時点
ｔ３から位置確認時間の計時が開始される。時点ｔ３か
ら位置決め確認時間として予め設定されているＴ１が経
過する時点ｔ４において、基板ステージの位置が十分に
収束したと判定する。

【０００５】しかしながら、図６のように位置停止時の
収束性が良好な基板ステージでは、位置決め確認時間Ｔ
１が経過する前に基板ステージの位置は許容値以内に十
分に収束する。一方、図７のように位置停止時の収束性
が悪い基板ステージでは、位置決め確認時間Ｔ２が経過
した時点ｔ４で残留振動が残っているのにもかかわらず
基板ステージの位置は十分に収束していると判定してし
まう。

【０００６】したがって、前者のように位置決め収束性
の良好な基板ステージを使用する露光装置では、時点ｔ
４よりもΔＴだけ前の時点で露光が開始できるにもかか
わらず、無駄な時間ΔＴが発生してスループットの向上
の機会を逸することになる。後者の場合には、残留振動
が残った状態で露光が行なわれるので像ぼけ現象を引起
こす。あるいは、収束判定後に再度アライメント計測を
行なうような場合には、アライメントの計測信号中に振
動が重畳してしまい、計測精度に悪影響を与える。

【０００７】本発明の第１の目的は、レチクルステージ
や基板ステージなどの各種のステージの位置決め収束性
の良否にかかわらず、短時間で位置決めが収束したこと
を正しく判定するようにしたステージ位置制御方法およ
び装置を提供することにある。また本発明の第２の目的
は、レチクルステージや基板ステージなどの位置決め収
束性の良否にかかわらず、短時間で位置決めが収束した
ことを正しく判定して露光を行なうようにした投影露光
装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】（１）請求項１の発明に
よるステージ位置制御方法は、ステージの現在位置を順
次に検出する工程と、順次に検出されるステージの現在
位置と目標位置との偏差を算出する工程と、順次に算出
された偏差のそれぞれが連続して所定の許容値以内に収
まったときに、ステージが目標位置に収束したと判定す
る工程とを含み、許容値を現在から過去に向けて大きく
なるように設定し、これにより、上記目的を達成する。（２）請求項２の発明によるステージ位置制御装置は、
ステージの現在位置を検出する検出手段と、順次に検出
されるステージの現在位置と目標位置との偏差を算出す
る算出手段と、順次に算出された偏差のそれぞれが連続
して所定の許容値以内に収まったときにステージが目標
位置に収束したと判定する判定手段とを含み、許容値を
現在から過去に向けて大きくなるように設定し、これに
より、上記目的を達成する。（３）図１および図２に対応づけて説明すると、請求項
３の発明は、所定のパターンが形成された原版Ｒを載置
して移動する第１のステージ１３と、パターンが露光さ
れる基板Ｗを載置して移動する第２のステージ１５と、
パターンを照明する照明系１１と、照明系１１で照明さ
れたパターンの像を基板Ｗに投影する投影系ＰＬと、第
２のステージ１５の現在位置を検出する検出手段３２，
３４と、検出手段３２，３４で順次に検出されたステー
ジ１５の現在位置と目標位置との偏差を算出する算出手
段５０と、算出手段５０で算出された偏差のそれぞれが
連続して許容値以内に収まったときにステージ１５が目
標位置に収束したと判定する判定手段５０と、判定手段
５０で収束が判定されると照明系１１からの照明光によ
りパターンの像を基板Ｗに投影する制御手段５０とを備
え、許容値を現在から過去に向けて大きくなるように設
定し、これにより、上記目的を達成する。

【０００９】以上の課題を解決する手段の欄では実施の
形態に対応づけて本発明を説明したが、これにより本発
明が実施の形態に限定されるものではない。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１〜図５により、本発明が適用
されたステップアンドリピート方式の投影露光装置につ
いて説明する。

【００１１】図１において、光源１１からの露光用照明
光がコンデンサレンズ１２を介して均一な照度分布でレ
チクルＲを照明する。レチクルＲには半導体回路パター
ンや液晶素子パターンが形成されており、そのパターン
を透過した透過光は投影レンズＰＬによりウエハＷ上に
投影される。ウエハＷの表面にはフォトレジストが塗布
されており、投影されたパターン像がレジスト上に露光
されて潜像が形成される。

【００１２】レチクルＲはレチクルベース１４上をＸＹ
方向に移動するレチクルステージ１３上に保持される。
レチクルステージ１３上には移動鏡３１が固定されてい
る。レーザ干渉計３３からのレーザビームが移動鏡３１
に照射され、その反射ビームを干渉計３３が受光してレ
チクルステージ１３のＸ方向位置座標が計測される。こ
のＸ方向位置座標は投影露光装置全体を統轄する主制御
系５０に入力される。図示は所略するが、レチクルステ
ージ１３のＹ方向位置座標を計測するための移動鏡とレ
ーザ干渉計も設けられ、このＹ方向位置座標も主制御系
５０に入力される。主制御系５０はレチクルステージ駆
動回路４１によりリニアモータのようなステージ駆動源
を制御してレチクルＲの位置を制御する。

【００１３】ウエハＷは、図示しないウエハホルダを介
してレベリングステージ１５上で保持される。レベリン
グステージ１５は３つのアクチュエータ２１によりその
Ｚ軸方向の位置を調節可能にＸステージ１６上に設置さ
れる。レベリングステージ１５のＺ軸方向の位置は３つ
のエンコーダ２２で計測され、その計測信号は主制御系
５０に入力される。Ｘステージ１６はＹステージ１７上
でたとえばリニアモータでＸ方向に移動するように設置
され、Ｙステージ１７はたとえばリニアモータでＹ方向
に移動するようにベース１８上に設置される。レベリン
グステージ１５上にはＸ軸用の移動鏡３２とＹ軸用の移
動鏡（不図示）が固定され、ベース１８に固定されてい
るＸ軸用レーザ干渉計３４からのレーザビームが移動鏡
３２に照射され、その反射ビームを干渉計３４が受光し
てＸステージ１６のＸ方向位置座標が計測される。一
方、Ｙ軸用レーザ干渉計（不図示）からのレーザビーム
がＹ軸用移動鏡に照射され、同様にしてＸステージ１６
のＹ方向位置座標も計測される。Ｘ方向およびＹ方向位
置座標は主制御系５０に入力され、主制御系５０はウエ
ハステージ駆動回路４２により、リニアモータのような
ステージ駆動源を制御してＸおよびＹステージ１６、１
７を駆動制御してウエハＷの位置を制御する。また、主
制御系５０はアクチュエータ２１を駆動してレベリング
ステージ１５のＺ軸方向の位置（傾き）を調節する。

【００１４】図１において、符号１９は光源１９Ｓと受
光部１９Ｒを備えたオフアクシス方式の多点焦点検出系
（以下、ＡＦセンサと呼ぶ）である。フォトレジストに
対して光源１９Ｓから照射される非感光性の複数の検出
光は、投影レンズＰＬの光軸に対して斜めにウエハＷ上
のフィールドに投影され、ウエハ上の複数の計測点から
の反射光は受光部１９Ｒに結像して受光される。受光部
１９Ｒは光電変換したＡＦ信号を主制御系５０に入力
し、主制御系５０はその入力信号に基づいてウエハＷの
焦点位置およびウエハＷの傾きを算出する。

【００１５】このように構成されたステップアンドリピ
ート方式の縮小投影露光装置においてウエハに回路パタ
ーンを投影露光する手順を簡単にまず説明する。レチク
ルＲをレチクルステージ１３上に載置してアライメント
を行ない、ウエハステージ１５上にウエハＷを搬入して
アライメントを行なう。ウエハＷにはたとえば数百の回
路パターンが格子状に順に投影露光される。回路パター
ンを露光する各格子点の位置、すなわち目標位置は予め
ＥＧＡなどにより各格子点ごとに算出されている。そし
て、ウエハステージ１５の現在位置を所定のサンプリン
グ間隔で干渉計３４の出力から算出し、その現在位置と
目標位置との偏差を算出して偏差が許容値以内であるか
判定する。たとえば２０個の現在位置に対して演算され
る偏差がすべて所定の許容値以内であると判定される
と、ウエハステージ１５が目標位置に収束したと判定し
て露光が行なわれる。

【００１６】次に、図２（ａ），（ｂ）を参照してウエ
ハＷの位置決め制御である目標位置に収束したか否かの
判定を説明する。図２（ａ）は所定のサンプリング時刻
ごとにタイマ割込みで起動される収束判定プログラムで
あり、主制御系５０に格納することができるが、図示し
ないホストコンピュータに格納してもよい。図２（ｂ）
は図２（ａ）の収束判定プログラムの変数初期化プログ
ラムであり、位置決め制御を行なうときに１回実行され
る。ここでは、Ｘステージ１６のＸ方向位置座標を干渉
計３４で検出しながら目標位置にサーボ制御する場合に
ついて説明する。

【００１７】ステップＳ１において、変数ｋに１を代入
して初期化する。ステップＳ２では、位置決めが完了し
たことを示す位置決め完了フラグを０リセットする。ス
テップＳ３では、予め演算されている目標位置を設定す
る。

【００１８】所定のサンプリング時刻で図２（ａ）の収
束判定プログラムが起動されると、ステップＳ４では、
干渉計３４からの計測信号に基づいて演算されているＸ
ステージ１６の現在位置を読み込む。ステップＳ５で
は、位置決め判定に必要なデータ数（サンプリング回
数）がｍ個あるか否かを判定する。データ数がｍよりも
少ないときはステップＳ１３に進む。ステップＳ１３で
は、現在のサンプリング時刻の現在位置と目標位置との
位置偏差Ｓｋを演算して記憶する。ステップＳ１４で変
数ｋに１を加算してこのプログラムを終了する。

【００１９】次のサンプリング時刻で図２（ａ）のプロ
グラムが起動されると、同様にしてステップＳ４でＸス
テージ１６の現在位置を読み込む。ステップＳ５におい
て、位置決め判定に必要なデータ数（サンプリング回
数）がｍ個あると判定されると、ステップＳ６において
ｍ個目の位置偏差ＳＤ_mを算出してステップＳ７に進
む。この場合、ｍ個の位置偏差ＳＤ₁〜ＳＤ_mが記憶され
ている。ステップＳ７において、ｍ個目の位置偏差ＳＤ
_mと予め定めたｍ個目の位置許容値Ｑ_mとの大小関係を判
定する。ここで、位置許容値Ｑ₁〜Ｑ_mは時間経過ととも
に減少するように、たとえば図３の台形形状ウインドウ
ＷＤのように設定される。換言すると、ウインドウＷＤ
で設定される許容値は現在データに対する許容値が最も
厳しく（小さい値であり）、過去のデータになるほど緩
く（大きく）される。したがって、位置偏差ＳＤ₁〜Ｓ
Ｄ_mがウインドウＷＤ内にある場合、すなわち偏差ＳＤ₁
〜ＳＤ_mの絶対値が許容値Ｑ₁〜Ｑ_mの絶対値以下の場
合、位置偏差ＳＤ₁〜ＳＤ_mが予め定めた位置許容値Ｑ₁
〜Ｑ_m以下であると判定される。

【００２０】ステップＳ７でＳＤ_m＜Ｑ_mと判定されると
ステップＳ８に進み、ＳＤ_m-1＜Ｑ_m-1を判定する。肯定
されると、ステップＳ９に進み、ＳＤ_m-2＜Ｑ_m-2を判定
する。以上の様な判定を繰返し行ない、最後はステップ
Ｓ１０でＳＤ₁＜Ｑ₁を判定する。肯定されると、すなわ
ちｍ個のデータＳＤ₁〜ＳＤ_mのすべてが対応する位置許
容値Ｑ₁〜Ｑ_m未満である場合には、ステップＳ１１で位
置決め完了フラグを１にセットして、位置決め判定プロ
グラムを終了する。位置決め完了フラグが１にセットさ
れていることは、Ｘステージ１６の位置が目標位置に対
して十分に収束したことを表している。

【００２１】ステップＳ７〜Ｓ１０が否定されると、ス
テップＳ１２において、現在位置ＳＤ_mを１サンプリン
グ前の現在位置データＳＤ_m-1に、現在位置ＳＤ_m-1を１
サンプリング前の現在位置データＳＤ_m-2に、……現在
位置ＳＤ₂を１サンプリング前の現在位置データＳＤ₁に
置換する。

【００２２】以上の処理手順では、各サンプリング時刻
において位置偏差ＳＤｋ（ｋ＝１〜ｍ）を演算し、対応
する許容値Ｑｋ以内であるか否かを判定する手順をｍ回
行なう。つまり、ｍ個の偏差データのすべてがウインド
ウＷＤの内にあるか判定する。偏差データＳＤ₁〜ＳＤ_m
のすべてが許容値以内であれば、位置決め完了フラグに
１をセットする。そして、図示しない露光処理プログラ
ムにおいて、この収束フラグが１にセットされているこ
とを確認すると露光が行なわれる。一方、ｍ個の偏差デ
ータＳＤ₁〜ＳＤ_mのうちいずれか一つでも許容値以上で
ある場合、つまり、いずれか一つの偏差データがウイン
ドウＷＤの外にある場合には、位置完了フラグは０のま
まである。この場合、ステップＳ１２で説明したように
位置偏差ＳＤ_m〜ＳＤ₂をそれぞれ位置偏差ＳＤ_m-1〜Ｓ
Ｄ₁にシフトする。

【００２３】たとえば図４において、時点ｔ１〜ｔ２０
までの間にサンプリングされた２０個の現在位置データ
（ｍ＝２０とする）については、図４から分るように、
位置偏差データＳＤ₁〜ＳＤ₂₀のうち数点のデータは破
線で示す許容値ウインドウＷ_OLDの外にあり、位置決め
完了フラグは０リセットされたままである。その後、順
次に時点ｔ２１，ｔ２２……ｔ２４までデータサンプリ
ングが進んで位置偏差演算が順次に行われるとする。時
点ｔ２４において最新の２０個のデータは時点ｔ５〜ｔ
２４でサンプリングされた現在位置に対する位置偏差デ
ータＳＤ₁〜ＳＤ₂₀である。これらのデータＳＤ₁〜ＳＤ
₂₀はすべて実線で示す許容値ウインドウＷ_NEWに収まっ
ている。そのため、位置決め完了フラグが１にセットさ
れ、時点ｔ２４以降において露光が可能となり、時点ｔ
２４以降の露光要求によりレチクルＲのパターンの像が
ウエハＷ上に投影露光される。露光終了後、ウエハＷ上
の次のパターン形成領域にパターンの像を投影露光する
ため、次の目標位置を設定して、図２（ａ），（ｂ）の
処理を実行する。

【００２４】このような処理手順による位置決め時間の
短縮について説明する。以下の説明では変数ｍを２０と
して説明する。すなわち、Ｘステージ１６の停止制御が
開始されると図２（ａ）のプログラムが開始され、ステ
ップＳ１１で位置決め完了フラグがセットされるとリタ
ーンしてこの処理を終了する。そして、図示しない露光
処理プログラムにおいて露光要求が指令されたとき、位
置決め完了フラグが１にセットされていれば露光が行な
われ、位置決め完了フラグが０リセットされていれば露
光が禁止され、引続きステージ位置制御が続行される。
図４に示すように、許容値がたとえば一律にＱ１とされ
ている従来例では、いったん時点ｔ５近辺で許容値Ｑ１
以内に入った後の時点ｔ７近辺で許容値Ｑ１から外れ、
ふたたび許容値に入る時点ｔ１７から位置決め確認時間
Ｔ１が経過して初めて露光が可能となる。そのため、こ
のような従来方式に比べて本実施の形態では、ΔＴだけ
早い時点で露光を開始することができ、スループットの
向上に寄与することができる。

【００２５】図４に示すものは、比較的位置決め収束性
が良好なステージの位置決め特性であり、位置決め収束
性が悪く残留振動が発生するようなステージでは図５に
示すようなステージ位置収束特性となる。このような特
性の場合、従来は図７で説明したように残留振動が発生
しているにもかかわらず時点ｔ４以降の露光あるいはア
ライメントが可能となっていたが、本実施の形態のよう
に現在の許容値を最も厳しくして過去に向けて許容値を
徐々に大きくする（緩やかにする）こととすれば、許容
値ウインドウＷＤ１、ＷＤ２、ＷＤ３のいずれにおいて
もウインドウから外れる位置偏差データがあり、位置決
め完了フラグはセットされない。そのため、残留振動が
発生した状態で露光が行なわれたり、アライメントが行
なわれるおそれがない。

【００２６】以上のようにこの実施の形態の方式によれ
ば、最新の偏差ＳＤ_mが最も厳しい許容値Ｑ_m以内か判定
し、次いで１つ前の偏差ＳＤ_m-1が次に厳しい許容値Ｑ
_m-1以内か判定する、といった判定を繰返し行ない、か
かる判定が否定されたらそのｍ個の偏差データ群に対す
る収束性判定を終了し、次に最新の現在位置データに対
する偏差データを算出し、その最新の偏差データを含む
ｍ個のデータに対して同様の判定を繰返すようにした。
したがって、ｍ個すべての偏差データをいったん採取し
てそれらの位置偏差が許容値以内かを判定する方式に比
べて、偏差データが許容値に収まっていない場合には直
ちに（ｍ個のデータに対する判定が終了する前に）該当
するｍ個のデータ群に対する収束判定処理が終了して次
のｍ個のデータ群に対する収束判定が開始されるので、
収束判定の時間が短縮され、スループットが向上する。

【００２７】なお、各サンプリング時点で採取した現在
位置データと目標位置とに基づいてｍ個の位置偏差を演
算し、それらのすべてが所定の許容値以内に収まってい
るかを判定し、もし、すべてが収まっていなければ、次
のサンプリング時点でサンプリングされた最新のデータ
に対する位置偏差を含むｍ個の位置偏差データのすべて
が許容値ウインドウ内に収まっているか判定することを
繰返し行なうようにしてもよい。

【００２８】以上では、ステップアンドリピート方式の
縮小投影露光装置において、ウエハをステップ駆動して
目標位置へ収束させて露光を行う場合について説明した
が、この発明は、レチクルステージとウエハステージを
互に逆方向に相対移動させながらパターン露光を行うス
キャン方式の縮小投影露光装置のウエハステージやレチ
クルの位置制御にも適用することができる。スキャン方
式の露光装置では、ウエハステージは反転動作を行なう
とともに、その反転時にスキャン方向とは直交する方向
にステップ移動され、そのとき、ウエハステージのスキ
ャン動作の開始を判定するために、上述した収束判定を
利用してもよい。

【００２９】また以上では、ｉ線あるいエキシマレーザ
を用いた投影露光装置のウエハステージについて説明し
たが、この発明は、Ｘ線を用いた投影露光装置のウエハ
ステージはもとより、パターンが形成されたステンシル
マスクなどに電子ビームなどの荷電粒子線を照射し、電
磁レンズや偏向器などによりパターンを感応基板に投影
露光する荷電粒子線投影露光装置のウエハステージにも
適用できる。さらには、レチクルステージの位置制御に
も適用できる。あるいは、投影露光装置に限らず、各種
計測装置などのあらゆる分野のステージ位置制御に適用
することができる。

【００３０】以上の実施の形態と請求項の構成要素との
対応において、レチクルステージ１３が第１のステージ
に、レベリングステージ１５が第２のステージに、主制
御計５０が算出手段、比較手段、判定手段、制御手段に
それぞれ相当する。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、目
標位置と現在位置との偏差および予め定められた許容値
に基づいてステージの位置を制御する場合、順次に演算
されたステージの複数の位置偏差のそれぞれが連続して
所定の許容値以内に収まったときにステージが目標値に
収束したと判定するようにし、許容値を現在から過去に
向けて大きくなるように設定したので、収束性判定時
間、すなわちステージの位置決め時間が短縮化される。
また、残留振動が発生するようなステージに対しては収
束判定が行なわれることがなくなり、信頼性の高いステ
ージ収束判定が可能となる。さらに、原版のパターンの
像を基板上に投影して露光する投影露光装置の基板ステ
ージに対してこのような位置決め制御を採用すれば、ス
ループットを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による投影露光装置の概
略構成図

【図２】本発明による位置決め制御処理手順例を示すフ
ローチャート

【図３】現在から過去に向けて大きくなるように設定さ
れる許容値を説明する図

【図４】ステージ位置決めの収束性判定を説明する図

【図５】残留振動が発生する特性のステージの位置決め
収束性判定を説明する図

【図６】従来の収束性判定の第１の問題点を説明する図

【図７】従来の収束性判定の第２の問題点を説明する図

【符号の説明】

１１照明系１３レチク
ルステージ１５レベリングステージ１９ＡＦセ
ンサ３３、３４干渉計５０
主制御系ＰＬ投影系Ｒレチク
ルＷウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ステージの現在位置を順次に検出する工程
と、順次に検出される前記ステージの現在位置と目標位置と
の偏差を算出する工程と、順次に算出された前記偏差のそれぞれが連続して所定の
許容値以内に収まったときに、前記ステージが前記目標
位置に収束したと判定する工程とを含み、前記許容値を現在から過去に向けて大きくなるように設
定したことを特徴とするステージ位置制御方法。
【請求項２】ステージの現在位置を検出する検出手段
と、順次に検出される前記ステージの現在位置と目標位置と
の偏差を算出する算出手段と、順次に算出された前記偏差のそれぞれが連続して所定の
許容値以内に収まったときに、前記ステージが前記目標
位置に収束したと判定する判定手段とを含み、前記許容値を現在から過去に向けて大きくなるように設
定したことを特徴とするステージ位置制御装置。
【請求項３】所定のパターンが形成された原版を載置し
て移動する第１のステージと、前記パターンが露光される基板を載置して移動する第２
のステージと、前記パターンを照明する照明系と、前記照明系で照明された前記パターンの像を前記基板に
投影する投影系と、前記第２のステージの現在位置を検出する検出手段と、前記検出手段で順次に検出された前記ステージの現在位
置と目標位置との偏差を算出する算出手段と、前記算出手段で算出された前記偏差のそれぞれが連続し
て前記許容値以内に収まったときに前記ステージが前記
目標位置に収束したと判定する判定手段と、前記判定手段で前記収束が判定されると前記照明系から
の照明光により前記パターンの像を前記基板に投影する
制御手段とを備え、前記許容値は現在から過去に向けて大きくなるように設
定されていることを特徴とする投影露光装置。