JP2000056732A - Organic el display device - Google Patents

Organic el display device

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JP2000056732A
JP2000056732A JP10241074A JP24107498A JP2000056732A JP 2000056732 A JP2000056732 A JP 2000056732A JP 10241074 A JP10241074 A JP 10241074A JP 24107498 A JP24107498 A JP 24107498A JP 2000056732 A JP2000056732 A JP 2000056732A
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JP
Japan
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organic
elements
display
driving
circuit
Prior art date
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Application number
JP10241074A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Tanaka
俊 田中
Hisashi Nakada
久士 中田
Hiroshi Yamamoto
洋 山本
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily prepare respective light emitting colors of a display of multiple emitted colors with good balance by forming org. EL elements by each of respective kinds as one group and connecting circuits for controlling and/or driving the org. EL elements by each of the respective groups. SOLUTION: The org. EL elements by each of the respective kinds of the assemblage of >=2 kinds of the org. EL elements varying in the main wavelengths of the light released outside are formed as one group and the circuits for controlling and/or driving the org. EL elements by each of the respective groups are connected thereto. A main control means 111 of such device acts to impart the display data to be displayed to the org. EL element groups 116R, G, B, to assign the display data stored in a display data memory means 113 on to impart the timing and control data necessary for display. Scanning electrode driving means 114R, G, B drive the scanning electrodes and data electrodes of the respective org. EL element groups 116R, G, B by the driving signal from the display control means 112.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス状に接
続された有機EL素子を複数有する有機EL表示装置に
関する。
The present invention relates to an organic EL display device having a plurality of organic EL elements connected in a matrix.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、有機EL素子が盛んに研究され、
実用化されつつある。これは、錫ドープ酸化インジウム
(ITO)などの透明電極(ホール注入電極)上にトリ
フェニルジアミン(TPD)などのホール輸送材料を蒸
着により薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体(A
lq3 )などの蛍光物質を発光層として積層し、さらに
AgMgなどの仕事関数の小さな金属電極(電子注入電
極)を形成した基本構成を有する素子で、10V 前後の
電圧で数100から数10000cd/m2ときわめて高い
輝度が得られることで、家電製品、自動車、二輪車、航
空機等の電装品、ディスプレイ等として注目されてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, organic EL devices have been actively studied,
It is being put to practical use. In this method, a hole transport material such as triphenyldiamine (TPD) is formed into a thin film on a transparent electrode (hole injection electrode) such as tin-doped indium oxide (ITO) by vapor deposition, and then an aluminum quinolinol complex (A
1q3) as a light emitting layer, and a metal electrode (electron injection electrode) such as AgMg having a small work function is formed. The element has a basic structure of several hundreds to several 10,000 cd / m at a voltage of about 10V. The extremely high luminance of 2 has attracted attention as electrical appliances, displays such as home appliances, automobiles, motorcycles, and aircraft.

【0003】このような有機EL素子は、例えば、発光
層等の有機層が、電子注入電極となる走査(コモンライ
ン)電極と、ホール注入電極(透明電極)となるデータ
(セグメントライン)電極とで挟まれ、かつ透明(ガラ
ス)基板に形成された構造を有する。また、ディスプレ
イとして形成されたものでは、マトリクス状に配置され
た走査電極とデータ電極とにより、ドット表示させ、こ
れらのドット(画素)の集合体として、イメージ、キャ
ラクタ等の情報を表示するマトリクスディスプレイと、
予め決められた形状、大きさの表示器として独立に存在
しているものを表示させるセグメントディスプレイとに
大別される。
In such an organic EL device, for example, an organic layer such as a light emitting layer has a scanning (common line) electrode serving as an electron injection electrode and a data (segment line) electrode serving as a hole injection electrode (transparent electrode). And a structure formed on a transparent (glass) substrate. In the case of a display formed as a display, a matrix display that displays dots and information as an aggregate of these dots (pixels) using scanning electrodes and data electrodes arranged in a matrix form. When,
It is roughly classified into a segment display for displaying an independently existing display having a predetermined shape and size.

【0004】セグメントタイプのディスプレイの場合、
各表示器をそれぞれ別個独立に表示させるスタティック
駆動方式も可能であるが、マトリクスディスプレイの場
合、通常、各走査ライン、およびデータラインを時分割
駆動するダイナミックドライブ方式が採用されている。
In the case of a segment type display,
A static drive system in which each display is displayed separately and independently is also possible, but in the case of a matrix display, a dynamic drive system in which each scan line and data line are time-divisionally driven is usually adopted.

【0005】有機EL表示装置では、ドットマトリクス
タイプのように、一定輝度の表示装置としては実用化さ
れており、発光階調を調整する試みもなされているが、
未だ満足しうる性能は得られていない。
In organic EL display devices, such as a dot matrix type display device, which has been put into practical use as a display device having a constant luminance, attempts have been made to adjust the light emission gradation.
Satisfactory performance has not yet been obtained.

【0006】これは、有機EL素子の特徴として、電流
駆動素子であること、および層構成や、使用する有機材
料(特に蛍光材料)により、発光効率や発光性能が異な
る点が挙げられる。すなわち、有機EL素子は、液晶等
とは異なり、電流駆動素子として電流密度に応じた発光
が行われるため、電流密度や発光効率の差が輝度のバラ
ツキとして表れてしまう。このため、素子の特性に応じ
て加える電流密度を調整する必要がある。
The characteristics of the organic EL element include that it is a current driving element, and that the luminous efficiency and the luminous performance differ depending on the layer structure and the organic material (particularly, fluorescent material) used. That is, unlike a liquid crystal or the like, an organic EL element emits light in accordance with a current density as a current driving element, so that differences in current density and luminous efficiency appear as variations in luminance. For this reason, it is necessary to adjust the current density to be applied according to the characteristics of the element.

【0007】特に、フルカラーのディスプレイを得よう
とした場合、パネル外部から観察して概ねR,G,Bと
認識される各色それぞれにの主波長を示す発光部を配列
し、これらを一つの表示単位として表示装置を構成する
必要がある。ところが、RGBそれぞれの発光に対応し
た各素子の光学的な特徴は通常異なり、所定の輝度を得
るための電流密度もそれぞれ異なったものとなってい
る。
In particular, when a full-color display is to be obtained, light-emitting portions indicating the main wavelengths of the respective colors which are generally recognized as R, G, and B when observed from the outside of the panel are arranged, and these are arranged in one display. It is necessary to configure the display device as a unit. However, the optical characteristics of each element corresponding to each light emission of RGB are usually different, and the current densities for obtaining a predetermined luminance are also different.

【0008】従って、従来からある液晶ディスプレイの
駆動回路のように、RGB各画素を、そのまま一つの駆
動回路で駆動した場合、各画素で必要とする発光輝度が
異なり、所望の色彩が得られなかったり、階調制御が困
難になる等の問題を生じていた。また、各主波長に対応
した画素の動作条件が異なるため、それらの画素の有機
EL素子の寿命や、劣化特性も異なり、経時的に色バラ
ンスが崩れたり、色彩調整を行う必要が生じても、上記
回路では容易に調製することができないという問題を有
していた。
Therefore, if each pixel of RGB is driven by one driving circuit as it is, as in a conventional driving circuit of a liquid crystal display, the required light emission luminance differs for each pixel, and a desired color cannot be obtained. And the problem that gradation control becomes difficult. Further, since the operating conditions of the pixels corresponding to the respective main wavelengths are different, the lifespan and deterioration characteristics of the organic EL elements of those pixels are also different, so that even if the color balance is deteriorated with time or the color needs to be adjusted. However, there is a problem that the above-mentioned circuit cannot be easily prepared.

【0009】さらに、RGBの各発光色毎の配線を引き
回したり、これを駆動回路に接続する場合、回路パター
ンが複雑でディスプレイの設計を行う上で大きな制約と
なっていた。
Further, when wiring for each of the RGB light emission colors is routed or connected to a drive circuit, the circuit pattern is complicated, which is a great limitation in designing a display.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多発
光色にディスプレイにおいても、各発光色をバランスよ
く、しかも容易に調製することができ、高品位、高精細
の画面が得られる有機EL表示装置を実現することであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multi-color display which can easily prepare each luminescent color in a well-balanced manner and can provide a high-quality and high-definition screen. That is, an EL display device is realized.

【0011】また、各画素へ接続されている配線構造
と、各画素を駆動するための回路とを、シンプルかつ効
率よく接続でき、設計の自由度が高く、よりコンパクト
にすることのできる有機EL表示装置を実現することで
ある。
Further, an organic EL which can connect a wiring structure connected to each pixel and a circuit for driving each pixel simply and efficiently, has a high degree of freedom in design, and can be made more compact. That is, to realize a display device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的は、以下の本発
明により達成できる。 (1) 外部に放出される光の主波長がそれぞれ異なる
2種類以上の有機EL素子の集合体であって、前記各種
類毎の有機EL素子を一群とし、それぞれの群毎に有機
EL素子を制御および/または駆動するための回路が接
続される有機EL表示装置。 (2) 前記それぞれの群毎に有機EL素子を制御およ
び/または駆動するための回路は、1種または2種以上
の集積回路素子、およびこれに付随する回路ないし素子
である上記(1)の有機EL表示装置。 (3) 前記各群の有機EL素子に接続される配線構造
と、これを制御および/または駆動するための回路との
間には多層配線板を有する上記(1)または(2)の有
機EL表示装置。 (4) 前記多層配線板は、前記各群の有機EL素子対
応して配列されている各配線構造を、各群に対応した制
御および/または駆動回路へ接続するための再配置を行
う上記(1)〜(3)のいずれかの有機EL表示装置。 (5) 前記各群の有機EL素子対応して配列されてい
る基板上の各配線構造は、各群に対応した制御および/
または駆動回路へ接続するための再配置構造を有する上
記(1)〜(3)のいずれかの有機EL表示装置。 (6) 前記有機EL素子は、マトリクス状に配置され
ている上記(1)〜(5)のいずれかの有機EL表示装
置。 (7) 前記各群の有機EL素子から外部に放出される
光の主波長は、赤、緑および青の各色に対応している上
記(1)〜(6)のいずれかの有機EL表示装置。 (8) 前記各群の有機EL素子は、カラーフィルター
層を有する上記(1)〜(7)のいずれかの有機EL表
示装置。
The above objects can be achieved by the present invention described below. (1) An aggregate of two or more types of organic EL elements each having a different main wavelength of light emitted to the outside, wherein the organic EL elements of each type are grouped, and the organic EL elements are An organic EL display device to which a circuit for controlling and / or driving is connected. (2) The circuit for controlling and / or driving the organic EL element for each of the groups is one or two or more types of integrated circuit elements and circuits or elements associated therewith, as described in (1) above. Organic EL display device. (3) The organic EL device according to the above (1) or (2), wherein a multilayer wiring board is provided between a wiring structure connected to each group of organic EL elements and a circuit for controlling and / or driving the wiring structure. Display device. (4) The multilayer wiring board performs rearrangement for connecting each wiring structure arranged corresponding to the organic EL elements of each group to a control and / or drive circuit corresponding to each group. The organic EL display device according to any one of 1) to (3). (5) Each wiring structure on the substrate arranged corresponding to each group of the organic EL elements has a control and / or
Alternatively, the organic EL display device according to any one of the above (1) to (3), which has a rearrangement structure for connecting to a drive circuit. (6) The organic EL display device according to any one of (1) to (5), wherein the organic EL elements are arranged in a matrix. (7) The organic EL display device according to any one of (1) to (6), wherein the main wavelength of light emitted from the organic EL elements of each group to the outside corresponds to each color of red, green, and blue. . (8) The organic EL display device according to any one of the above (1) to (7), wherein the organic EL elements of each group have a color filter layer.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の有機EL表示装置は、外
部に放出される光の主波長がそれぞれ異なる2種類以上
の有機EL素子の集合体であって、前記各種類毎の有機
EL素子を一群とし、それぞれの群毎に有機EL素子を
制御および/または駆動するための回路が接続されるも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An organic EL display device according to the present invention is an aggregate of two or more types of organic EL elements, each of which has a main wavelength of light emitted to the outside. As a group, and a circuit for controlling and / or driving the organic EL element is connected to each group.

【0014】このように、外部に放出される光の主波長
がそれぞれ異なる異なる2種以上の有機EL素子を集合
体した表示装置において、前記各種類毎の有機EL素子
を一群として、それぞれの群毎に制御および/または駆
動するための回路を接続し、駆動することにより、それ
ぞれの種類毎の有機EL素子に適した条件での駆動を行
うことができ、適切な輝度での発光および調整が可能と
なる。
As described above, in a display device in which two or more types of organic EL elements each having a different main wavelength of light emitted to the outside are collected, the organic EL elements of each type are grouped into one group. By connecting and driving a circuit for controlling and / or driving each time, driving under conditions suitable for each type of organic EL element can be performed, and light emission and adjustment with appropriate luminance can be performed. It becomes possible.

【0015】有機EL表示装置は、外部に放出される光
の主波長がそれぞれ異なる2種以上の有機EL素子を画
素として有する。外部に放出される光とは、有機EL素
子外部から観察される発光であり、素子自体の発光の
他、カラーフィルターや、蛍光フィルター等の色変換層
を介して観察される光も含まれる。主波長とは、観察さ
れた光の色度座標上のに示された座標点と、白色座標点
とを通る直線が、純色曲線と交差する辺の波長をいう。
この場合、2種以上の主波長とは、例えば、赤(R)、
緑(G)、青(B)の3原色に対応した主波長であって
もよいし、ある色と、これと補色関係にあるような発光
色同士、あるいは任意の発光色同士等いずれの態様であ
ってもよい。なお、好ましくは、取り出される光が実用
上RGB3原色に対応すると見なせる主波長を表示しう
る有機EL素子を有するものが好ましい。この場合、そ
れぞれの主波長は、必ずしもRGBを直接与えるもので
なくてもよく、例えば白色、あるいは混合色からカラー
フィルターで取り出したり、色変換材料(蛍光材料等)
によりRGBのいずれかの色彩に変換されるような場合
も含まれる。
The organic EL display device has, as pixels, two or more types of organic EL elements, each of which has a different main wavelength of light emitted to the outside. The light emitted to the outside is light emission observed from the outside of the organic EL element, and includes light observed through a color conversion layer such as a color filter or a fluorescent filter in addition to light emission of the element itself. The dominant wavelength is a wavelength of a side where a straight line passing through the coordinate point indicated on the chromaticity coordinates of the observed light and the white coordinate point intersects the pure color curve.
In this case, the two or more dominant wavelengths are, for example, red (R),
The main wavelength may correspond to the three primary colors of green (G) and blue (B), or a certain color and emission colors having a complementary color relationship with each other, or arbitrary emission colors. It may be. Preferably, an organic EL element having an organic EL element capable of displaying a dominant wavelength at which extracted light is considered to correspond to the three primary colors of RGB in practical use is preferable. In this case, each dominant wavelength does not necessarily need to directly give RGB, for example, a white or mixed color can be extracted with a color filter, or a color conversion material (fluorescent material, etc.)
Is converted into any one of RGB colors.

【0016】表示装置内の各画素または構成画面の一部
となる有機EL素子は、その放出される主波長が同じ種
類同士がそれぞれ1つの群を構成する。そして、これら
各有機EL素子群毎に異なった駆動回路、または制御駆
動回路に接続され、駆動される。
In the organic EL element which becomes a part of each pixel or the constituent screen in the display device, the same kind of emitted main wavelength constitutes one group. Then, each of the organic EL element groups is connected to and driven by a different driving circuit or control driving circuit.

【0017】前記有機EL素子群は、通常、表示装置内
でマトリクス状に配置されている。このマトリクス配置
された有機EL素子群は、例えば、フルカラーディスプ
レイを構成する場合、RGB各発光色に対応する有機E
L素子が1組となって1つの表示単位を構成し、さらに
各表示単位毎にマトリクス配置されることになる。マト
リクスとしては、TFT等を用いたアクティブマトリク
スと、単純マトリクスとがあり、どちらの形態であって
もよいが、好ましくは単純マトリクスである。この他、
セグメントタイプのディスプレイ、またはマトリクス・
セグメント混在型のディスプレイに応用することも可能
である。
The organic EL element groups are usually arranged in a matrix in a display device. For example, when a full-color display is configured, the organic EL element groups arranged in a matrix form an organic EL element corresponding to each emission color of RGB.
One set of L elements constitutes one display unit, and is further arranged in a matrix for each display unit. As the matrix, there are an active matrix using a TFT or the like and a simple matrix. Either form may be used, but a simple matrix is preferable. In addition,
Segment type display or matrix
It is also possible to apply to a display of a mixed segment type.

【0018】有機EL素子群を駆動、ないし制御駆動す
るための回路は、例えば図1に示すように、ディスプレ
イに表示するデータや、表示に関するデータを与える主
制御手段111を有し、この主制御手段111から与え
られる表示データに応じて有機ELディスプレイの走査
電極、データ電極を駆動する信号である走査電極駆動信
号、データ電極駆動信号を送出するディスプレイ制御手
段112を有する。さらにこのディスプレイ制御手段1
12と接続され、主制御手段111等から与えられる表
示データをマトリクスデータ、ビットマップデータ等に
展開するためのデータや、あらかじめ決められた表示内
容のデータ等を格納する表示データ記憶手段113と、
ディスプレイ制御手段112からの走査電極駆動信号、
データ電極駆動信号により、各有機EL素子群(有機E
L表示装置本体)116R,G,Bの走査電極、データ
電極を駆動する走査電極駆動手段114R,G,Bと、
データ電極駆動手段115R,G,Bとを有する。
A circuit for driving or controlling and driving the organic EL element group has, for example, as shown in FIG. 1, main control means 111 for giving data to be displayed on a display and data relating to display. There is provided a display control means 112 for transmitting a scan electrode drive signal which is a signal for driving the scan electrode and the data electrode of the organic EL display according to the display data given from the means 111 and a data electrode drive signal. Further, the display control means 1
A display data storage unit 113 connected to the main control unit 12 for expanding display data provided from the main control unit 111 and the like into matrix data, bitmap data, and the like, and storing data of predetermined display contents and the like;
A scan electrode drive signal from the display control means 112,
Each organic EL element group (organic E
L display device main body) scanning electrode driving means 114R, G, B for driving the scanning electrodes and data electrodes of 116R, G, B;
It has data electrode driving means 115R, G, and B.

【0019】主制御手段111は、有機EL素子群11
6R,G,Bに表示させる表示データを与えたり、表示
データ記憶手段113に記憶されている表示データを指
定したり、表示に必要なタイミングや制御データを与え
たりする。この制御手段111は、通常、汎用のマイク
ロプロセッサ(MPU)と、このMPUと接続されてい
る記憶媒体(ROM、RAM等)上の制御アルゴリズム
等により構成することができる。
The main control means 111 includes the organic EL element group 11
The display data to be displayed on 6R, G, and B is given, the display data stored in the display data storage unit 113 is specified, and the timing and control data required for display are given. The control means 111 can be generally constituted by a general-purpose microprocessor (MPU) and a control algorithm on a storage medium (ROM, RAM, etc.) connected to the MPU.

【0020】主制御手段111には、CISC、RIS
C、DSP等プロセッサの態様を問わず使用可能であ
り、その他ASIC等論理回路の組み合わせなどにより
構成してもよい。また、この例では主制御手段111は
独立に設けているが、ディスプレイ制御手段112や、
ディスプレイが備え付けられる装置の制御手段等と一体
としてもよい。
The main control means 111 includes CISC, RIS
It can be used irrespective of the mode of the processor such as C and DSP, and may be configured by a combination of logic circuits such as ASIC. In this example, the main control unit 111 is provided independently, but the display control unit 112,
It may be integrated with the control means of the device provided with the display.

【0021】ディスプレイ制御手段112は、主制御手
段111等から与えられる表示データ等を解析し、必要
により表示データ記憶手段113に格納されているデー
タを検索して、その表示データを有機ELディスプレイ
上の所定の位置に表示させるためのマトリクスデータに
変換する。すなわち、表示する画像(イメージまたはキ
ャラクタ)データが、各マトリクスの交点で与えられる
有機EL素子の画素単位のドットデータとした場合、そ
のドット座標を与える走査電極とデータ電極を駆動する
ような信号を発生する。また、各フレーム単位での駆動
や、走査電極とデータ電極の駆動比(デューティ)制御
等も行う。
The display control means 112 analyzes display data and the like provided from the main control means 111 and the like, searches data stored in the display data storage means 113 as necessary, and stores the display data on the organic EL display. Is converted into matrix data to be displayed at a predetermined position. That is, when the image (image or character) data to be displayed is dot data in pixel units of the organic EL element given at the intersection of each matrix, a signal for driving the scanning electrode and the data electrode giving the dot coordinates is provided. appear. In addition, it also performs driving in units of frames, control of the driving ratio (duty) between the scanning electrodes and the data electrodes, and the like.

【0022】ディスプレイ制御手段112は、例えば、
所定の演算機能を有するプロセッサや複合論理回路、前
記プロセッサ等が外部の主制御手段等とのデータの授受
を行うためのバッファ、制御回路へのタイミング信号、
表示タイミング信号や外部記憶手段等への読み出し、書
き込みタイミング信号等を与えるタイミング信号発生回
路(発振回路)、外部の記憶手段から表示データ等の授
受を行う記憶素子制御回路、外部の記憶素子から読み出
したり、外部から与えられ、あるいはこれを加工するこ
とにより得られた表示データを駆動信号として送出する
駆動信号送出回路、外部から与えられる表示機能や表示
させるディスプレイ等に関するデータ、制御コマンド等
を格納する各種レジスタ等により構成することができ
る。
The display control means 112 includes, for example,
A processor or a complex logic circuit having a predetermined arithmetic function, a buffer for the processor or the like to exchange data with an external main control unit or the like, a timing signal to a control circuit,
A timing signal generating circuit (oscillation circuit) for giving a display timing signal and reading / writing to external storage means and a writing timing signal, a storage element control circuit for sending and receiving display data and the like from an external storage means, and reading from an external storage element Or a drive signal transmission circuit for transmitting display data, which is supplied from the outside or obtained by processing the data, as a drive signal, and stores data relating to a display function and a display to be externally supplied, control commands, and the like. It can be composed of various registers and the like.

【0023】表示データ記憶手段113は、外部から与
えられた画像データを、ディスプレイ上にマトリクスデ
ータとして展開するためのデータ(変換テーブル)や、
所定のキャラクタデータやイメージデータをそのままマ
トリクスデータに展開したデータ等が格納され、それぞ
れ必要に応じて格納位置(アドレス)を指定することに
より読み出し(書き込み)が可能なようになっている。
このような、表示データ記憶手段としてはRAM(VR
AM)、ROM等の半導体記憶素子を好ましく挙げるこ
とができるが、これに限定されるものではなく、光や磁
気を応用した記憶媒体を用いてもよい。
The display data storage means 113 stores data (conversion table) for developing image data given from outside as matrix data on a display,
Data in which predetermined character data and image data are directly expanded into matrix data and the like are stored, and can be read (written) by designating a storage position (address) as necessary.
Such a display data storage means is a RAM (VR
AM), and a semiconductor storage element such as a ROM can be preferably mentioned, but the present invention is not limited to this, and a storage medium using light or magnetism may be used.

【0024】走査電極駆動手段114R,G,Bおよび
データ電極駆動手段115R,G,Bはディスプレイ制
御手段2から与えられた走査電極駆動信号、データ電極
駆動信号に応じて走査電極、データ電極を駆動する。有
機ELディスプレイを構成する有機EL素子は電流駆動
により発光する発光素子である。このため、通常電圧信
号として与えられる走査電極駆動信号、データ電極駆動
信号を所定の電流値の信号に変換し、これを所定の走査
電極、データ電極に与えることにより駆動する。
The scanning electrode driving means 114R, G, B and the data electrode driving means 115R, G, B drive the scanning electrode and the data electrode according to the scanning electrode driving signal and the data electrode driving signal given from the display control means 2. I do. The organic EL element constituting the organic EL display is a light emitting element that emits light by current driving. Therefore, the scan electrode drive signal and the data electrode drive signal, which are usually given as voltage signals, are converted into signals of a predetermined current value, and the signals are supplied to predetermined scan electrodes and data electrodes for driving.

【0025】より具体的には、必要な電流容量を有する
電圧−電流変換素子、あるいは増幅素子(電力増幅)等
を用いて、所定位置の走査電極、データ電極を駆動す
る。このような駆動回路として、オープンドレイン、オ
ープンコレクタ回路、トーテムポール接続、プッシュプ
ル接続等が挙げられる。電圧−電流変換素子、あるいは
増幅素子としては、リレー等の有接点デバイスを用いる
ことも考えられるが、動作の高速性、信頼性等を考慮す
ると、バイポーラトランジスタ、FETおよびこれらと
同等の機能を有する半導体素子が好ましい。これら半導
体素子は、電源側または接地側のいずれかに走査電極、
データ電極を接続する。ここで、電源側、接地側とは直
接電源や接地ラインに接続する場合の他、電流制限抵
抗、保護用デバイス、レギュレータ等の素子を介して接
続する場合も含まれる。
More specifically, a scan electrode and a data electrode at a predetermined position are driven by using a voltage-current conversion element having a necessary current capacity, an amplification element (power amplification), or the like. Examples of such a driving circuit include an open drain, an open collector circuit, a totem pole connection, a push-pull connection, and the like. As the voltage-current conversion element or the amplifying element, a contact device such as a relay may be used, but in consideration of high-speed operation, reliability, etc., a bipolar transistor, a FET, and a function equivalent to these are provided. Semiconductor devices are preferred. These semiconductor elements have a scanning electrode on either the power supply side or the ground side,
Connect the data electrodes. Here, the power supply side and the ground side include not only a case where the power supply side and the ground side are directly connected to the power supply and the ground line, but also a case where the power supply side and the ground side are connected via elements such as a current limiting resistor, a protection device, and a regulator.

【0026】図2は有機EL素子群を駆動、ないし制御
駆動するための回路の他の構成例を示したブロック図で
ある。この例では、走査電極駆動手段114R,G,
B、データ電極駆動手段115R,G,B等の駆動回路
に加え、ディスプレイ制御手段112R,G,B、表示
データ記憶手段113R,G,Bを、それぞれ各有機E
L素子群116R,G,Bに対応してそれぞれ別個に設
け、制御・駆動している。このように制御系も別個のも
のとすることにより、例えば、時分割駆動時間等の制御
を別個に行え、輝度の調整をより容易に行うことができ
る。その他の構成は図1と同様であり、同一構成要素に
は同一符号を付して説明を省略する。
FIG. 2 is a block diagram showing another configuration example of a circuit for driving or controlling and driving the organic EL element group. In this example, the scanning electrode driving means 114R, G,
B, in addition to driving circuits such as data electrode driving means 115R, G, B, etc., display control means 112R, G, B, and display data storage means 113R, G, B,
They are provided separately for the L element groups 116R, 116G, and 116B, respectively, and are controlled and driven. By providing a separate control system as described above, for example, the control of the time-sharing drive time and the like can be performed separately, and the adjustment of the luminance can be performed more easily. Other configurations are the same as those in FIG. 1, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0027】なお、上記回路は各有機EL素子(有機E
Lディスプレイ本体)を駆動するための回路構成の一例
にすぎず、同等な機能を有するものであれば他の回路構
成をとることも可能である。また、ディスプレイ制御手
段、走査電極駆動手段およびデータ電極駆動手段等と明
確に分割せずにこれらが渾然一体となった構成であって
もよい。なお、これらの回路装置は、通常、1種または
2種以上のIC(LSI)およびその周辺回路ないし回
路素子として構成されている。
Note that the above circuit is used for each organic EL element (organic E
This is merely an example of a circuit configuration for driving the (L display main body), and other circuit configurations may be used as long as they have equivalent functions. Further, the display control means, the scan electrode driving means, the data electrode driving means and the like may be completely integrated without being clearly divided. These circuit devices are generally configured as one or more types of ICs (LSIs) and their peripheral circuits or circuit elements.

【0028】ところで、表示装置本体に配置される各有
機EL素子は、例えば図3に示すように、RGB各色の
発光を担当する有機EL素子4が、所定順序で繰り返し
配列した状態となる。このため、取り出し電極5を、R
GBの順に配列したとすると、図示例のようにRGBに
対応した取り出し電極5が順次、交互に配列することに
なる。そして、これらRGBに対応する有機EL素子群
それぞれを、別個の駆動(制御)回路7R,7G,7B
により駆動しようとすると、図示例のように配線が交錯
し、複雑な回路パターンを形成する必要がある。このこ
とは、画素数が少ない場合にはある程度対応することも
可能であるが、画素数が増えるに従い、錯綜する配線数
が増加し、取り出し電極5を有する表示画面3が形成さ
れている基板2や、駆動回路7R,7G,7Bの基板で
対応することが困難になってくる。
By the way, as shown in FIG. 3, for example, the organic EL elements arranged in the display device main body are in a state in which the organic EL elements 4 for emitting light of each color of RGB are repeatedly arranged in a predetermined order. For this reason, the extraction electrode 5 is
Assuming that the electrodes are arranged in the order of GB, the extraction electrodes 5 corresponding to RGB are arranged alternately and sequentially, as shown in the illustrated example. Then, each of the organic EL element groups corresponding to RGB is separated into a separate drive (control) circuit 7R, 7G, 7B.
In such a case, the wirings intersect as shown in the drawing, and it is necessary to form a complicated circuit pattern. This can be dealt with to some extent when the number of pixels is small. However, as the number of pixels increases, the number of complicated wirings increases, and the substrate 2 on which the display screen 3 having the extraction electrode 5 is formed is formed. In addition, it is difficult to use the substrates of the driving circuits 7R, 7G, and 7B.

【0029】そこで、例えば図4に示すように、取り出
し電極5と駆動回路7R,7G,7Bとの間に、再配置
手段6を設け、この再配置手段6により各RGBに対応
した取り出し電極からの配線を、それぞれの有機EL素
子群(この例ではR群、G群、B群)毎に分離、集約し
それぞれ対応する駆動回路7R,7G,7Bに接続する
とよい。
Therefore, for example, as shown in FIG. 4, a rearrangement means 6 is provided between the extraction electrode 5 and the driving circuits 7R, 7G, 7B. May be separated and aggregated for each organic EL element group (R group, G group, B group in this example) and connected to the corresponding driving circuits 7R, 7G, 7B.

【0030】再配置手段を設けることにより、取り出し
電極5および表示画面3が形成されている基板2上の配
線パターンや、駆動回路7R,7G,7Bの回路パター
ンを、シンプルにすることができ、また、従来の表示装
置をそのまま活用することもできる。さらに、駆動回路
を変更したり、異なったサイズの表示装置に対応させる
場合にも容易に対応することができる。
By providing the rearrangement means, the wiring patterns on the substrate 2 on which the extraction electrodes 5 and the display screen 3 are formed, and the circuit patterns of the drive circuits 7R, 7G, and 7B can be simplified. Further, a conventional display device can be used as it is. Further, it is possible to easily cope with a case where a driving circuit is changed or a display device having a different size is used.

【0031】再配置手段としては、基板上に形成されて
いる配線構造自体の多層(立体)配線化や、PC板等の
種々の配線媒体を用いることが可能であるが、特に好ま
しいものとして、縦方向(基板面と水平な方向以外の方
向)と横方向との回路要素を有し、立体的な回路を形成
することができる多層配線板を用いたり、基板上に形成
されている配線構造自体の多層(立体)配線化するもの
を好ましく挙げることができる。また、多層配線板のな
かでも剛性を有する樹脂多層基板が特に好ましい。多層
配線板を活用することで、取り出し電極と駆動回路との
再配置接続のための配線パターンをコンパクトに集約し
て形成することができる。
As the rearrangement means, it is possible to form a multilayer (three-dimensional) wiring of the wiring structure itself formed on the substrate, or to use various wiring media such as a PC board. A wiring structure that has a circuit element in a vertical direction (a direction other than the direction parallel to the substrate surface) and a horizontal direction and uses a multilayer wiring board capable of forming a three-dimensional circuit, or a wiring structure formed on a substrate Preferred examples are those which are formed into multilayer (three-dimensional) wiring. Further, among the multilayer wiring boards, a resin multilayer board having rigidity is particularly preferable. By utilizing the multilayer wiring board, wiring patterns for relocation connection between the extraction electrode and the drive circuit can be compactly formed.

【0032】また、基板上の配線構造を半導体プロセス
で用いられているような立体的な多層構造とし、これに
より再配置を行うこともできる。この場合、有機EL素
子の駆動回路ないし制御回路素子は、好ましくは基板上
にCOG実装され、この回路素子同士の接続、あるいは
外部回路との接続のための配線構造を、前記多層配線板
で行ってもよい。すなわち、これらの回路素子は、通
常、バスラインなどのような多数の並列配線により接続
されるため、多層配線板を用いることにより、よりシン
プルかつ効率的な配線を行うことができる。基板上に再
配置を行うための多層構造を形成するには、公知の半導
体プロセス工程で用いられている手法を応用することに
より容易に実現することができる。
Further, the wiring structure on the substrate may be formed into a three-dimensional multilayer structure as used in a semiconductor process, so that rearrangement can be performed. In this case, a drive circuit or a control circuit element of the organic EL element is preferably mounted on a substrate by COG, and a wiring structure for connecting these circuit elements or connecting to an external circuit is performed by the multilayer wiring board. You may. That is, since these circuit elements are usually connected by a large number of parallel wirings such as bus lines, simpler and more efficient wiring can be performed by using a multilayer wiring board. The formation of a multilayer structure for reallocation on a substrate can be easily realized by applying a technique used in a known semiconductor process.

【0033】また、通常、封止板等の配置されていない
位置に多層配線板を配置することにより、デッドスペー
スを有効に活用することができ、ディスプレイをよりコ
ンパクトで薄く形成することができる。
Usually, by arranging a multilayer wiring board at a position where a sealing plate or the like is not provided, a dead space can be effectively utilized, and a display can be made more compact and thin.

【0034】この場合、基板1上の端子のピッチとして
は、50μm 〜1mm程度、特に100μm 〜500μm
程度が好ましい。この範囲内であれば、基板と多層配線
板との端子同士を良好に接続することができる。
In this case, the pitch of the terminals on the substrate 1 is about 50 μm to 1 mm, particularly 100 μm to 500 μm.
The degree is preferred. Within this range, the terminals of the substrate and the multilayer wiring board can be connected well.

【0035】多層配線板は、好ましくは基板上の封止板
が配置されている部分以外の領域に配置される。従っ
て、基板上の封止板が配置されている部分以外の領域と
ほぼ同形状であるか、その一部を構成することが好まし
い。なお、実際には、これから多少大きくても小さくて
もよい。また、多層配線板の高さは、封止板の高さと同
程度であることが好ましい。同程度の高さとすることに
より、封止板との接続が容易となる。なお、接続手段に
よっては、接続が容易なように高さを変えてもよい。
The multilayer wiring board is preferably arranged in a region other than the portion where the sealing plate is arranged on the substrate. Therefore, it is preferable that the substrate has substantially the same shape as a region other than the portion where the sealing plate is arranged, or forms a part thereof. In practice, it may be slightly larger or smaller. Further, it is preferable that the height of the multilayer wiring board is substantially equal to the height of the sealing plate. With the same height, connection with the sealing plate becomes easy. Depending on the connection means, the height may be changed so that connection is easy.

【0036】このように、基板と封止板とで形成された
領域のデッドスペースを埋めるように多層配線板を配置
することで、空間を有効に活用することができ、ディス
プレイをよりコンパクトにすることができる。このよう
な領域は、ディスプレイの種類や大きさ等により異なる
が、通常、幅1〜20mm、特に1〜10mm程度、高さ
0.5〜5mm、特に1〜2mm程度である。
As described above, by arranging the multilayer wiring board so as to fill the dead space in the area formed by the substrate and the sealing plate, the space can be effectively used and the display can be made more compact. be able to. Such an area varies depending on the type and size of the display, but is usually about 1 to 20 mm in width, especially about 1 to 10 mm, and about 0.5 to 5 mm in height, especially about 1 to 2 mm.

【0037】多層配線板は、基板面と水平でない方向、
通常、垂直な方向に導通する回路要素が形成されている
ものであれば特に限定されるものではないが、特に剛性
を有する樹脂多層基板が好ましい。また、特にファイン
ピッチを有給される場合にはビルドアップ基板が好まし
い。基板面と垂直方向に形成された回路要素を有するこ
とにより、駆動回路と基板上の端子との接続が容易にな
る。多層配線板は、通常のプリント基板材料であるエポ
キシや、ガラスエポキシ等を用いたものの他、種々の樹
脂材料を用いたものが検討されており、その他セラミッ
クスを用いたものについても実用化されている。これら
のなかでも樹脂製の基板が好ましい。樹脂製の基板を用
いることでディスプレイの機械強度が向上し、保護部材
としても機能し、製造時の取り扱いが容易になる。
The multi-layer wiring board has a direction not horizontal to the substrate surface,
In general, there is no particular limitation as long as circuit elements that conduct in the vertical direction are formed, but a rigid resin multilayer substrate is particularly preferable. In particular, when a fine pitch is paid, a build-up substrate is preferable. By having the circuit element formed in the direction perpendicular to the substrate surface, the connection between the drive circuit and the terminal on the substrate is facilitated. Multi-layered wiring boards have been studied using various resin materials, in addition to those using ordinary printed board materials such as epoxy and glass epoxy, and those using other ceramics have also been put into practical use. I have. Among these, a resin substrate is preferable. The use of a resin substrate improves the mechanical strength of the display, functions as a protective member, and facilitates handling during manufacture.

【0038】このような多層配線板は、基板の外周部を
取り囲むように配置・形成することが好ましい。基板の
周りを多層配線板で囲むことにより、基板を衝撃などか
ら保護し、製造時や、搬送時の取り扱いが容易となり、
故障が減少する。
It is preferable that such a multilayer wiring board is arranged and formed so as to surround the outer peripheral portion of the substrate. By surrounding the board with a multilayer wiring board, the board is protected from impacts, etc., and handling during manufacturing and transport is easy,
Failures are reduced.

【0039】このような多層配線板として最も好ましい
ものの一つとして樹脂多層ビルドアップ基板が挙げられ
る。樹脂多層基板は、例えば、アラミド不繊布等のよう
な樹脂基材中に、多層に形成されたAg,Cu等のよう
な導電層を有し、各層の導電層間をビアホールと称する
導電体の柱により接続したものである。このビアホール
は、通常、スルーホールよりも小さく、しかも内部まで
導電物質とすることができ、ビアホール上にも部品(チ
ップ部品)を搭載することができる。なお、配線構造体
上に実装される電子部品は、通常、サーフェスマウント
となる。
One of the most preferable examples of such a multilayer wiring board is a resin multilayer build-up board. The resin multilayer substrate has a multi-layered conductive layer such as Ag, Cu or the like in a resin base material such as aramid non-woven cloth, and a conductive pillar called a via hole between the conductive layers of each layer. Are connected by. The via hole is usually smaller than the through hole, and can be made of a conductive material up to the inside, and a component (chip component) can be mounted on the via hole. The electronic component mounted on the wiring structure is usually a surface mount.

【0040】基板上に多層配線板を実装する接続手段と
しては、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料中に、導電
性フィラーを分散させた異方性導電フィルムを用いて熱
圧着する方法や、バンプ構造により接続する方法、カシ
メによる方法等が挙げられるが、基板にガラス透明基板
を用いている場合には、基板の裏側から光ビームを照射
してハンダ付けする方法等でもよい。
As a connecting means for mounting a multilayer wiring board on a substrate, for example, a method of thermocompression bonding using an anisotropic conductive film in which a conductive filler is dispersed in a resin material such as an epoxy resin, or a method of bumping A method of connection by a structure, a method of caulking, and the like can be mentioned. When a transparent glass substrate is used as the substrate, a method of irradiating a light beam from the back side of the substrate and soldering may be used.

【0041】次に、図を参照しつつ多層配線板を用いて
再配置を行うための具体的な手法について説明する。図
5(a)〜(e)は、多層配線板における再配置のため
のパターン構成例を示した分解図である。この例では、
(a)〜(e)に示す各配線板31〜35が、下層から
順次積層されて多層配線板として構成されている例を示
している。
Next, a specific method for rearrangement using a multilayer wiring board will be described with reference to the drawings. FIGS. 5A to 5E are exploded views showing pattern configuration examples for rearrangement in a multilayer wiring board. In this example,
In the example shown, each of the wiring boards 31 to 35 shown in (a) to (e) is sequentially laminated from the lower layer to constitute a multilayer wiring board.

【0042】図5(a)において、配線板31には図
3,4に示したような取り出し電極5と接続されるビア
ホール41〜49が形成され、その裏面側で取り出し電
極5と接続されるようになっている。また、この各ビア
ホール41〜49には、上部に積層される配線板(ビア
ホール)と接続するための接続パターン51a〜59a
が接続されている。
In FIG. 5A, via holes 41 to 49 connected to the extraction electrode 5 as shown in FIGS. 3 and 4 are formed in the wiring board 31, and connected to the extraction electrode 5 on the back surface side. It has become. The via holes 41 to 49 have connection patterns 51a to 59a for connecting to a wiring board (via hole) laminated thereon.
Is connected.

【0043】図5(b)において、配線板32には前記
下層側の配線板31上に形成されている接続パターン5
1a〜59aと接続されるビアホール51b〜59bが
同様な位置に形成されていて、上下方向の回路を形成し
ている。また、R画素に対応したビアホール51b,5
4b,57bは、さらにR群再配置ビアホールと接続さ
れる接続パターン61a,62a,63aにそれぞれ接
続されていて、最上層のR画素駆動IC71と接続され
るようになっている。
In FIG. 5B, a wiring board 32 has a connection pattern 5 formed on the lower wiring board 31.
Via holes 51b to 59b connected to 1a to 59a are formed at similar positions to form a vertical circuit. Also, via holes 51b, 5 corresponding to R pixels
4b and 57b are further connected to connection patterns 61a, 62a and 63a connected to the R group rearranged via holes, respectively, so as to be connected to the uppermost R pixel drive IC 71.

【0044】図5(c)において、配線板33には前記
下層側の配線板32に形成されているビアホール51b
〜59bと接続されるビアホール51c〜59cが同様
な位置に形成されていて、上下方向の回路を形成してい
る。また、G画素に対応した配線となるビアホール52
c,55c,58cは、さらにG群再配置ビアホールと
接続される接続パターン64b,65b,66bにそれ
ぞれ接続されていて、最上層のG画素駆動IC72と接
続されるようになっている。また、前記ビアホール61
a,62a,63aと接続されるビアホール61b,6
2b,63bが同様な位置に形成されていて、上下方向
の回路を形成している。
In FIG. 5C, a wiring board 33 has a via hole 51b formed in the lower wiring board 32.
Via holes 51c to 59c connected to .about.59b are formed at similar positions to form vertical circuits. Also, a via hole 52 serving as a wiring corresponding to the G pixel is provided.
c, 55c, and 58c are further connected to connection patterns 64b, 65b, and 66b connected to the G group rearranged via holes, respectively, so as to be connected to the G pixel drive IC 72 in the uppermost layer. The via hole 61
via holes 61b, 6 connected to a, 62a, 63a
2b and 63b are formed at similar positions to form a vertical circuit.

【0045】図5(d)において、配線板34には前記
下層側の配線板33に形成されているビアホール51c
〜59cと接続されるビアホール51d〜59dが同様
な位置に形成されていて、上下方向の回路を形成してい
る。また、B画素に対応した配線となるビアホール53
d,56d,59dは、さらにB群再配置ビアホールと
接続される接続パターン67c,68c,69cにそれ
ぞれ接続されていて、最上層のB画素駆動IC73と接
続されるようになっている。また、前記ビアホール61
b,62b,63b,64b,65b,66bと接続さ
れるビアホール61c,62c,63c,64c,65
c,66cが同様な位置に形成されていて、上下方向の
回路を形成している。
In FIG. 5D, the wiring board 34 has via holes 51c formed in the lower wiring board 33.
Via holes 51d to 59d connected to 5959c are formed at similar positions to form vertical circuits. Also, a via hole 53 serving as a wiring corresponding to the B pixel
d, 56d, and 59d are further connected to connection patterns 67c, 68c, and 69c that are connected to the B group rearranged via holes, respectively, and are connected to the uppermost B pixel drive IC 73. The via hole 61
Via holes 61c, 62c, 63c, 64c, 65 connected to b, 62b, 63b, 64b, 65b, 66b
c and 66c are formed at similar positions to form a vertical circuit.

【0046】図5(e)において、配線板35には前記
下層側の配線板34に形成されているビアホール61c
〜69cと接続されるビアホール61d〜69dが同様
な位置に形成されていて、上下方向の回路を形成してい
る。また、既にRGB各画素に対応した配置となってい
る前記ビアホール61d〜69dは、それぞれ各群毎の
駆動IC71,72,73と接続されている。このよう
に、多層配線板を用い、立体的な回路を形成することに
より、取り出し電極からの配線を、RGB等の各画素
(有機EL素子)群毎に対応した配線に、コンパクトか
つ集約的で、しかも容易に再配置することができる。
In FIG. 5E, a wiring board 35 has a via hole 61c formed in the lower wiring board 34.
Via holes 61d to 69d connected to .about.69c are formed at similar positions to form vertical circuits. The via holes 61d to 69d which are already arranged corresponding to the respective RGB pixels are connected to the driving ICs 71, 72, 73 for each group. As described above, by forming a three-dimensional circuit using the multilayer wiring board, wiring from the extraction electrode can be reduced to wiring corresponding to each pixel (organic EL element) group such as RGB in a compact and intensive manner. Moreover, it can be easily rearranged.

【0047】なお、上記例では、RGB各3組の配線構
造を再配置する場合について説明したが、これより更に
多くの配線構造を再配置する場合であっても、公知の多
層配線技術を応用することにより同様に行うことができ
る。
In the above example, the case where three sets of wiring structures of RGB are rearranged has been described. However, even in the case of rearranging more wiring structures than this, the known multilayer wiring technique is applied. Can be performed in the same manner.

【0048】さらに、有機EL素子を制御・駆動するた
めの回路の全部、または一部を封止板上に形成してもよ
い。有機EL素子を制御・駆動するための回路の全部、
または一部を封止板上に形成することで多層配線板上に
形成できない回路を形成したり、さらに封止板上に形成
された回路を、この封止板ごと交換することで歩留まり
を向上させたり、異なった仕様の表示装置とするための
回路構成の変更にも容易に対応することができる。
Further, all or a part of a circuit for controlling and driving the organic EL element may be formed on a sealing plate. All circuits for controlling and driving the organic EL element,
Or, forming a circuit that cannot be formed on the multilayer wiring board by forming a part on the sealing plate, or improving the yield by replacing the circuit formed on the sealing plate with this sealing plate Also, it is possible to easily cope with a change in the circuit configuration for making the display device having a different specification.

【0049】多層配線板と封止板を接続する手段として
は、ハンダ付、ワイヤーボンド、アップルボンド、ヒー
トシルコネクター、導電性インクの印刷、ブリッジ等の
通常用いられている接続手段により接続することができ
る。
As means for connecting the multi-layer wiring board and the sealing board, connection can be made by a commonly used connection means such as soldering, wire bond, apple bond, heat sill connector, printing of conductive ink, bridge and the like. Can be.

【0050】アップルボンドとは、ワイヤーボンディン
グ(ボールボンディング法)で用いられているボール部
分のみを用いて配線構造体−封止板のパターン間を接続
するものである。配線構造体−封止板間のパターンが接
近しているため、ボールのみでも接続することができ
る。この場合、配線構造体−封止板間の空隙は、300
μm 以下、特に0〜10μm 程度が好ましい。ボールの
大きさとしては、通常、10〜300μm 程度、好まし
くは50〜100μm 程度である。ボールの材質として
は、通常のワイヤーボンディングに用いられているもの
であればよく、例えばAu,Al等を挙げることができ
る。従って、接続部分のパターン幅は、5〜300μm
程度が好ましい。アップルボンドについては、例えば、
日経エレクトロニクス 1998.4.6(no.713) P170に記載さ
れている。
The apple bond is used to connect between the wiring structure and the pattern of the sealing plate using only the ball portion used in the wire bonding (ball bonding method). Since the pattern between the wiring structure and the sealing plate is close to each other, it is possible to connect only the balls. In this case, the gap between the wiring structure and the sealing plate is 300
μm or less, particularly preferably about 0 to 10 μm. The size of the ball is usually about 10 to 300 μm, preferably about 50 to 100 μm. The material of the ball may be any material used for ordinary wire bonding, and examples thereof include Au and Al. Therefore, the pattern width of the connection portion is 5 to 300 μm
The degree is preferred. For Apple Bond, for example,
Nikkei Electronics 1998.4.6 (no.713) P170.

【0051】ワイヤーボンドは、通常のワイヤーボンデ
ィング、例えばボールボンディング法、ウエッジボンデ
ィング法、スティッチボンディング法、バードビークボ
ンディング法等により接続したものである。ワイヤーボ
ンドに用いられるワイヤーとしては、通常、線径:10
〜50μm 程度である。材質は上記ボールと同様であ
る。ボンド領域としては、通常、30〜100μm 角
(□)程度である。
The wire bond is formed by a usual wire bonding, for example, a ball bonding method, a wedge bonding method, a stitch bonding method, a bird beak bonding method, or the like. As a wire used for wire bonding, usually, a wire diameter: 10
About 50 μm. The material is the same as the above ball. The bond area is usually about 30 to 100 μm square (□).

【0052】上記ワイヤーボンドは、市販のボンディン
グ装置により容易に行うことができる。また、アップル
ボンドについても、これに僅かな改造を施すことにより
行うことができる。
The wire bonding can be easily performed by a commercially available bonding apparatus. Also, the Apple Bond can be made by making a slight modification.

【0053】基板としては特に限定されるものではな
く、有機EL素子が積層可能なものであればよいが、通
常、発光した光を取り出す表示面としての機能も有する
ことから、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料を用いることが好ましい。また、基板に色フィルター
膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜
を用いて発光色をコントロールしてもよい。また、発光
した光を取り出す側ではない場合には、基板は透明でも
不透明であってもよく、不透明である場合にはセラミッ
クス等を使用してもよい。
The substrate is not particularly limited as long as the organic EL element can be laminated thereon. Usually, the substrate also has a function as a display surface for extracting emitted light. It is preferable to use a transparent or translucent material such as Further, the emission color may be controlled by using a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent substance, or a dielectric reflection film on the substrate. When the emitted light is not taken out, the substrate may be transparent or opaque. When the substrate is opaque, ceramics or the like may be used.

【0054】基板の大きさも特に限定されるものではな
いが、好ましくは最大長、特に対角長が10〜350m
m、特に30〜300mmの範囲が好ましい。最大長は1
0mm未満、350mmを超えるものであっても問題ない
が、収納スペースが制限されたり、製造が困難になって
くる。
The size of the substrate is not particularly limited, but preferably has a maximum length, particularly a diagonal length of 10 to 350 m.
m, especially in the range of 30 to 300 mm. Maximum length is 1
There is no problem if the length is less than 0 mm or more than 350 mm, but the storage space is limited or the production becomes difficult.

【0055】封止板の材料としては、好ましくは平板
状、または断面コ字状で内部に有機EL構造体を収容し
うる空間を有するガラスやアルミナ、石英等の硬質部材
や、樹脂等の材料が挙げられる。ガラス材として、例え
ば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸
ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラ
ス組成のものが好ましい。また、樹脂材としてはエポキ
シ材、テフロン、シリコン等が好ましい。これらの封止
板材料の線膨張係数は、基板の線膨張係数の0.01〜
100倍、特に0.1〜10倍程度が好ましい。また、
ガラス等の平板を用いる場合には、封止用接着剤と、必
要によりスペーサとを使用するとよい。また、封止材料
としては金属であってもかまわないが、表面に絶縁コー
ティング、絶縁塗装、表面処理等を施して、絶縁処理を
行う必要がある。封止板3に断面コ字状となる凹部を形
成する手段としては、エッチングやサンドブラスト等に
より、封止板3の表面を削ればよい。
As a material of the sealing plate, a hard member such as glass, alumina, quartz or the like, preferably having a flat plate shape or a U-shaped cross section and having a space capable of accommodating the organic EL structure therein, or a material such as resin is preferable. Is mentioned. As the glass material, for example, a glass composition such as soda-lime glass, lead-alkali glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, and silica glass is preferable. As the resin material, an epoxy material, Teflon, silicon or the like is preferable. The linear expansion coefficient of these sealing plate materials is 0.01 to the linear expansion coefficient of the substrate.
It is preferably 100 times, especially about 0.1 to 10 times. Also,
When a flat plate such as glass is used, a sealing adhesive and, if necessary, a spacer may be used. In addition, a metal may be used as the sealing material, but it is necessary to perform an insulating treatment by applying an insulating coating, an insulating coating, a surface treatment, or the like to the surface. As a means for forming a concave portion having a U-shaped cross section in the sealing plate 3, the surface of the sealing plate 3 may be shaved by etching, sandblasting or the like.

【0056】封止板は、スペーサーを用いて高さを調整
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
1〜20μm 、より好ましくは1〜10μm 、特に2〜
8μm が好ましい。このような直径のものは、粒長10
0μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常1μm程度である。
The height of the sealing plate may be adjusted to a desired height by using a spacer. Examples of the material of the spacer include resin beads, silica beads, glass beads, and glass fibers, and glass beads are particularly preferable. The spacer is usually a granular material having a uniform particle size, but the shape is not particularly limited, and may be various shapes as long as it does not hinder the function as the spacer. As the size, the diameter in terms of a circle is 1 to 20 μm, more preferably 1 to 10 μm, particularly 2 to
8 μm is preferred. Those having such a diameter have a grain length of 10
It is preferably about 0 μm or less, and the lower limit is not particularly limited, but is usually about 1 μm.

【0057】なお、封止板に凹部を形成した場合には、
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に2〜8μm の範囲が好ましい。
When a recess is formed in the sealing plate,
Spacers may or may not be used. The preferred size when used is within the above range,
Particularly, the range of 2 to 8 μm is preferable.

【0058】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01
〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。
The spacer may be previously mixed in the sealing adhesive or may be mixed during bonding. The content of the spacer in the sealing adhesive is preferably 0.01
-30 wt%, more preferably 0.1-5 wt%.

【0059】接着剤としては、安定した接着強度が保
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。
The adhesive is not particularly limited as long as it can maintain stable adhesive strength and has good airtightness, but it is preferable to use a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive. .

【0060】封止板上に回路を構成する方法としては、
蒸着法等により回路パターンをマスク蒸着したり、Cu
等の導体層形成後にこれをエッチングして所望のパター
ンを得る方法などの薄膜プロセスによるものや、所定の
パターンの導体層を厚膜プロセスにて得る方法などがあ
る。そして、形成された回路パターン上に必要な回路素
子をハンダ付したり、導電性ペーストを用いた接着等に
より装着すればよい。
As a method of forming a circuit on a sealing plate,
A circuit pattern is mask-deposited by an evaporation method or the like.
And a method of obtaining a desired pattern by etching the conductor layer after forming the same, and a method of obtaining a conductor layer of a predetermined pattern by a thick film process. Then, the necessary circuit elements may be mounted on the formed circuit pattern by soldering or by bonding using a conductive paste.

【0061】回路パターンは、Au、Al、Cuのうち
の少なくとも1種を有することが好ましい。これらの金
属は低抵抗であり、薄膜、厚膜プロセスのいずれによっ
ても容易に所望のパターンに形成することができる。こ
れらの中でもAlが、コストや、安定性の点で好まし
い。
The circuit pattern preferably has at least one of Au, Al and Cu. These metals have low resistance and can be easily formed into a desired pattern by any of thin film and thick film processes. Among them, Al is preferable in terms of cost and stability.

【0062】有機EL構造体は、次のようなものであ
る。発光層は、ホール(正孔)および電子の注入機能、
それらの輸送機能、ホールと電子の再結合により励起子
を生成させる機能を有する。発光層には、比較的電子的
にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。
The organic EL structure is as follows. The light emitting layer has a hole (hole) and electron injection function,
They have a transport function and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. It is preferable to use a relatively electronically neutral compound for the light emitting layer.

【0063】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。
The hole injecting / transporting layer has a function of facilitating the injection of holes from the hole injecting electrode, a function of stably transporting holes, and a function of hindering electrons.
The electron injection transport layer has a function of facilitating injection of electrons from the electron injection electrode, a function of stably transporting electrons, and a function of preventing holes. These layers increase and confine holes and electrons injected into the light emitting layer, optimize the recombination region, and improve luminous efficiency.

【0064】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm
程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。
The thickness of the light emitting layer, the thickness of the hole injecting and transporting layer, and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, and vary depending on the forming method.
It is preferable that the thickness be in the range of 10 to 300 nm.

【0065】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
2層設けるときも同じである。
The thickness of the hole injecting / transporting layer and the thickness of the electron injecting / transporting layer depend on the design of the recombination / light emitting region, but may be about the same as the thickness of the light emitting layer or about 1/10 to 10 times. When the hole or electron injection layer and the transport layer are separated from each other, it is preferable that the injection layer has a thickness of 1 nm or more and the transport layer has a thickness of 1 nm or more. At this time, the upper limit of the thickness of the injection layer and the transport layer is usually about 500 nm for the injection layer and 500 nm for the transport layer.
It is about. Such a film thickness is the same when two injection / transport layers are provided.

【0066】有機EL素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平8−12600号公
報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平8−12969号公報(特願平
6−114456号)のテトラアリールエテン誘導体等
を用いることができる。
The light emitting layer of the organic EL device contains a fluorescent substance which is a compound having a light emitting function. Examples of such a fluorescent substance include, for example, JP-A-63-26469.
No. 2 discloses at least one compound selected from compounds such as quinacridone, rubrene, and styryl dyes. Also, Tris (8
Quinolinol derivatives such as metal complex dyes having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, such as (quinolinolato) aluminum; tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, and 12-phthaloperinone derivatives. Further, phenylanthracene derivatives described in JP-A-8-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569), tetraarylethene derivatives described in JP-A-8-12969 (Japanese Patent Application No. 6-114456), and the like are used. be able to.

【0067】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜20wt% 、さらには0.
1〜15wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み
合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長
特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が
可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。
Further, it is preferable to use in combination with a host substance capable of emitting light by itself, and it is preferable to use it as a dopant. In such a case, the content of the compound in the light emitting layer is 0.01 to 20% by weight, and more preferably 0.1 to 20% by weight.
It is preferably 1 to 15% by weight. When used in combination with a host substance, the emission wavelength characteristics of the host substance can be changed, light emission shifted to a longer wavelength becomes possible, and the luminous efficiency and stability of the device are improved.

【0068】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
The host substance is preferably a quinolinolato complex, and more preferably an aluminum complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand. Such an aluminum complex is disclosed in JP-A-63-26469.
No. 2, JP-A-3-255190, JP-A-5-7073
3, JP-A-5-258859, JP-A-6-2158
No. 74 and the like.

【0069】具体的には、まず、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]等がある。
Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum Oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-
8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-
Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolatoaluminum, tris (5,7-dibromo-
8-hydroxyquinolinolato) aluminum and poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane].

【0070】このほかのホスト物質としては、特開平8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。
Other host materials are disclosed in
Phenylanthracene derivative described in JP-A-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569) and JP-A-8-1296
No. 9 (Japanese Patent Application No. 6-114456) is also preferable.

【0071】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
The light emitting layer may also serve as an electron injection / transport layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. These fluorescent substances may be deposited.

【0072】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% と
することが好ましい。
The light emitting layer is preferably a mixed layer of at least one kind of hole injecting and transporting compound and at least one kind of electron injecting and transporting compound, if necessary.
Further, it is preferable that a dopant is contained in the mixed layer. The content of the compound in such a mixed layer is preferably 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 15% by weight.

【0073】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
In the mixed layer, a hopping conduction path of carriers is formed, so that each carrier moves in a material having a favorable polarity, and injection of a carrier having the opposite polarity is unlikely to occur, so that the organic compound is less likely to be damaged. This has the advantage that the element life is extended. Further, by including the above-described dopant in such a mixed layer, the emission wavelength characteristics of the mixed layer itself can be changed, the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength, and the emission intensity is increased, The stability of the device can be improved.

【0074】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
The hole injecting and transporting compound and the electron injecting and transporting compound used in the mixed layer may be selected from the compounds for the hole injecting and transporting layer and the compounds for the electron injecting and transporting layer described below, respectively. Among them, compounds for the hole injection transport layer include amine derivatives having strong fluorescence,
For example, it is preferable to use a triphenyldiamine derivative which is a hole transport material, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring.

【0075】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
As the electron injecting and transporting compound, it is preferable to use a quinoline derivative, furthermore a metal complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, particularly tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3). It is also preferable to use the above-mentioned phenylanthracene derivatives and tetraarylethene derivatives.

【0076】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。
As the compound for the hole injecting and transporting layer, an amine derivative having strong fluorescence, for example, a triphenyldiamine derivative which is the above-described hole transporting material, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring is used. Is preferred.

【0077】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましく
は10/90〜90/10、特に好ましくは20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。
The mixing ratio in this case depends on the respective carrier mobility and carrier concentration. In general, the weight ratio of the compound of the hole injection / transport compound / the compound having the electron injection / transport function is from 1/99 to less. 99/1, more preferably 10/90 to 90/10, particularly preferably 20/80
It is preferable to set it to about 80/20.

【0078】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好まし
く、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすること
が好ましい。
The thickness of the mixed layer is preferably not less than the thickness corresponding to one molecular layer and less than the thickness of the organic compound layer. Specifically, the thickness is preferably 1 to 85 nm, more preferably 5 to 60 nm, particularly preferably 5 to 50 nm.

【0079】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。
As a method for forming a mixed layer, co-evaporation in which evaporation is performed from different evaporation sources is preferable. However, when the vapor pressures (evaporation temperatures) are approximately the same or very close, they are mixed in advance in the same evaporation board. Alternatively, it can be deposited. In the mixed layer, it is preferable that the compounds are uniformly mixed, but in some cases, the compounds may exist in an island shape. The light-emitting layer is generally formed to a predetermined thickness by vapor-depositing an organic fluorescent substance or by dispersing and coating the resin in a resin binder.

【0080】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭6
3−295695号公報、特開平2−191694号公
報、特開平3−792号公報、特開平5−234681
号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−2
99174号公報、特開平7−126225号公報、特
開平7−126226号公報、特開平8−100172
号公報、EP0650955A1等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用しても
よい。2種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。
The hole injecting and transporting layer is described in, for example,
JP-A-3-295695, JP-A-2-191694, JP-A-3-792, JP-A-5-234681
JP, JP-A-5-239455, JP-A-5-5-2
JP-A-99174, JP-A-7-126225, JP-A-7-126226, JP-A-8-100172
Various organic compounds described in JP-A No. 06509555 A1 and the like can be used. For example, a tetraarylbendicine compound (triaryldiamine or triphenyldiamine: TPD), an aromatic tertiary amine,
Examples include hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group, and polythiophene. These compounds may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, they may be stacked as separate layers or mixed.

【0081】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極(ITO等)側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。
When the hole injecting and transporting layer is divided into a hole injecting layer and a hole transporting layer, a preferred combination can be selected from the compounds for the hole injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to laminate the compounds in order from the hole injecting electrode (ITO or the like) with the smallest ionization potential. Further, it is preferable to use a compound having a good thin film property on the surface of the hole injection electrode. Such a stacking order is the same when two or more hole injection transport layers are provided. With such a stacking order, the driving voltage is reduced, and the occurrence of current leakage and the occurrence and growth of dark spots can be prevented. In addition, in the case of forming an element, since a thin film of about 1 to 10 nm can be made uniform and pinhole-free because evaporation is used,
Even if a compound having a small ionization potential and having absorption in the visible region is used for the hole injection layer, it is possible to prevent a change in the color tone of the emission color and a decrease in efficiency due to reabsorption. The hole injecting and transporting layer can be formed by vapor deposition of the above compound in the same manner as the light emitting layer and the like.

【0082】電子注入輸送層には、トリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。
A quinoline derivative such as an organometallic complex having 8-quinolinol such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) or a derivative thereof as a ligand, an oxadiazole derivative, a perylene derivative, etc. A pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a quinoxaline derivative, a diphenylquinone derivative, a nitro-substituted fluorene derivative, or the like can be used. The electron injection / transport layer may also serve as the light emitting layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. The electron injecting and transporting layer may be formed by vapor deposition or the like, similarly to the light emitting layer.

【0083】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
In the case where the electron injecting and transporting layer is divided into an electron injecting layer and an electron transporting layer, a preferable combination can be selected from the compounds for the electron injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack the compounds in descending order of the electron affinity value from the electron injection electrode side. Such a stacking order is the same when two or more electron injection / transport layers are provided.

【0084】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.2μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、ホールの注入効率も著し
く低下する。
For forming the hole injection transport layer, the light emitting layer and the electron injection transport layer, a uniform thin film can be formed.
It is preferable to use a vacuum deposition method. When vacuum deposition is used, the amorphous state or the crystal grain size is 0.2 μm
The following homogeneous thin film is obtained. When the crystal grain size exceeds 0.2 μm, the light emission becomes non-uniform, the driving voltage of the device must be increased, and the hole injection efficiency is significantly reduced.

【0085】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1
-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。
The conditions for vacuum deposition are not particularly limited.
The degree of vacuum is 0 -4 Pa or less, and the deposition rate is 0.01 to 1 nm /
It is preferable to set it to about sec. Further, it is preferable to form each layer continuously in a vacuum. If they are formed continuously in a vacuum, impurities can be prevented from adsorbing at the interface between the layers, so that high characteristics can be obtained. Further, the driving voltage of the element can be reduced, and the occurrence and growth of dark spots can be suppressed.

【0086】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
In the case where a plurality of compounds are contained in one layer when a vacuum evaporation method is used for forming each of these layers, it is preferable to co-deposit each boat containing the compounds by individually controlling the temperature.

【0087】また、有機EL構造体は上記有機層の他
に、基板および基板上に有機層を挟み込むように形成さ
れた、ホール注入電極、電子注入電極等の機能性薄膜を
有する。
The organic EL structure has, in addition to the organic layer, a substrate and a functional thin film such as a hole injection electrode or an electron injection electrode formed on the substrate so as to sandwich the organic layer.

【0088】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(A
g:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01
〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、
Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。
As the electron injection electrode, a substance having a low work function is preferable. For example, K, Li, Na, Mg, La, C
e, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Z
It is preferable to use a single metal element such as n or Zr, or a two-component or three-component alloy system containing them for improving the stability. As an alloy system, for example, Ag · Mg (A
g: 0.1 to 50 at%), Al.Li (Li: 0.01)
1414 at%), In · Mg (Mg: 50 to 80 at%),
Al.Ca (Ca: 0.01 to 20 at%) and the like. Note that the electron injection electrode can also be formed by an evaporation method or a sputtering method.

【0089】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.5nm以上、
好ましくは1nm以上、より好ましくは3nm以上とすれば
よい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜
厚は3〜500nm程度とすればよい。電子注入電極の上
には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。
The thickness of the electron injecting electrode thin film may be a certain thickness or more for sufficiently injecting electrons.
The thickness is preferably 1 nm or more, more preferably 3 nm or more. The upper limit is not particularly limited, but the thickness may be generally about 3 to 500 nm. An auxiliary electrode or a protection electrode may be further provided on the electron injection electrode.

【0090】蒸着時の圧力は好ましくは1×10-8〜1
×10-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば100〜1400℃、有機材料であれば100〜50
0℃程度が好ましい。
The pressure during the deposition is preferably 1 × 10 −8 to 1
The heating temperature of the evaporation source is 100 to 1400 ° C. for a metal material and 100 to 50 ° C. for an organic material at × 10 −5 Torr.
About 0 ° C. is preferable.

【0091】ホール注入電極は、発光した光を取り出す
ため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極と
しては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO2 、I
23 等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドー
プ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)が好ましい。ITOは、通常In2 3 とSnOと
を化学量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚
していてもよい。ホール注入電極は、透明性が必要でな
いときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。
The hole injection electrode is preferably a transparent or translucent electrode for extracting emitted light. As the transparent electrode, ITO (tin-doped indium oxide), IZO
(Zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2 , I
Examples include n 2 O 3 , and preferably ITO (tin-doped indium oxide) and IZO (zinc-doped indium oxide). ITO usually contains In 2 O 3 and SnO in a stoichiometric composition, but the amount of O may slightly deviate from this. When transparency is not required, the hole injection electrode may be made of a known opaque metal material.

【0092】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
The thickness of the hole injecting electrode may be a certain value or more so as to sufficiently inject holes, and is preferably 5 or more.
The range is preferably from 0 to 500 nm, more preferably from 50 to 300 nm. The upper limit is not particularly limited, but if the thickness is too large, there is a fear of peeling or the like. If the thickness is too small, there is a problem in the film strength at the time of manufacturing, the hole transport ability, and the resistance value.

【0093】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスD
Cスパッタ法により形成することが好ましい。
The hole injecting electrode layer can be formed by a vapor deposition method or the like, but is preferably a sputtering method, particularly a pulse D method.
It is preferable to form by the C sputtering method.

【0094】有機EL構造体各層を成膜した後に、Si
X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重
合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。
保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さ
は50〜1200nm程度とする。保護膜は、前記の反応
性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、P
ECVD法等により形成すればよい。
After forming each layer of the organic EL structure, the Si
Inorganic materials O X such as Teflon, a protective film may be formed using an organic material such as fluorocarbon polymers containing chlorine.
The protective film may be transparent or opaque, and the thickness of the protective film is about 50 to 1200 nm. The protective film can be formed by a general sputtering method, a vapor deposition method,
It may be formed by an ECVD method or the like.

【0095】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
The luminescent color may be controlled by using a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent substance, or a dielectric reflection film on the substrate.

【0096】有機EL構造体は、直流駆動やパルス駆動
等され、交流駆動することもできる。印加電圧は、通
常、2〜30V 程度である。
The organic EL structure is driven by a direct current or a pulse, and can be driven by an alternating current. The applied voltage is usually about 2 to 30V.

【0097】[0097]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、多発光色
にディスプレイにおいても、各発光色をバランスよく、
しかも容易に調製することができ、高品位、高精細の画
面が得られる有機EL表示装置を実現できる。
As described above, according to the present invention, even in a display with multiple light emission colors, each light emission color is well balanced,
In addition, an organic EL display device that can be easily prepared and can provide a high-quality and high-definition screen can be realized.

【0098】また、各画素へ接続されている配線構造
と、各画素を駆動するための回路とを、シンプルかつ効
率よく接続でき、設計の自由度が高く、よりコンパクト
にすることのできる有機EL表示装置を実現できる。
Further, an organic EL which can connect a wiring structure connected to each pixel and a circuit for driving each pixel simply and efficiently, has a high degree of design freedom, and can be made more compact. A display device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】有機EL素子群を駆動ないし制御駆動するため
の回路の基本構成例を示したブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a basic configuration example of a circuit for driving or controlling and driving an organic EL element group.

【図2】有機EL素子群を駆動ないし制御駆動するため
の回路の他の基本構成例を示したブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing another basic configuration example of a circuit for driving or controlling and driving an organic EL element group.

【図3】有機EL表示装置の配線構造を示した疑念図で
ある。
FIG. 3 is a suspicion diagram showing a wiring structure of the organic EL display device.

【図4】図3の有機EL表示装置に再配置手段を設けた
構成例を示した概念図である。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing a configuration example in which rearrangement means is provided in the organic EL display device of FIG.

【図5】再配置手段のより具体的構成として、多層配線
板の構成例を示した組立図である。
FIG. 5 is an assembly diagram showing a configuration example of a multilayer wiring board as a more specific configuration of the rearrangement means.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 基板 3 画面 4 画素(RGB) 5 配線電極(端子) 6 再配置手段 7R,7G,7B 駆動回路 2 substrate 3 screen 4 pixel (RGB) 5 wiring electrode (terminal) 6 rearranging means 7R, 7G, 7B drive circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 洋 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB03 AB04 AB18 BA06 BB00 BB01 BB06 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 GA00 GA04 5C080 AA06 AA07 BB05 CC03 DD05 EE30 FF09 GG02 JJ01 JJ02 JJ06  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroshi Yamamoto 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation F term (reference) 3K007 AB00 AB03 AB04 AB18 BA06 BB00 BB01 BB06 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 GA00 GA04 5C080 AA06 AA07 BB05 CC03 DD05 EE30 FF09 GG02 JJ01 JJ02 JJ06

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 外部に放出される光の主波長がそれぞれ
異なる2種類以上の有機EL素子の集合体であって、 前記各種類毎の有機EL素子を一群とし、それぞれの群
毎に有機EL素子を制御および/または駆動するための
回路が接続される有機EL表示装置。
1. An assembly of two or more types of organic EL elements each having a different main wavelength of light emitted to the outside, wherein the organic EL elements of each type are grouped, and an organic EL element is provided for each group. An organic EL display device to which a circuit for controlling and / or driving an element is connected.
【請求項2】 前記それぞれの群毎に有機EL素子を制
御および/または駆動するための回路は、 1種または2種以上の集積回路素子、およびこれに付随
する回路ないし素子である請求項1の有機EL表示装
置。
2. A circuit for controlling and / or driving an organic EL element for each group is one or more kinds of integrated circuit elements and circuits or elements associated therewith. Organic EL display device.
【請求項3】 前記各群の有機EL素子に接続される配
線構造と、これを制御および/または駆動するための回
路との間には多層配線板を有する請求項1または2の有
機EL表示装置。
3. The organic EL display according to claim 1, further comprising a multilayer wiring board between a wiring structure connected to each group of organic EL elements and a circuit for controlling and / or driving the wiring structure. apparatus.
【請求項4】 前記多層配線板は、前記各群の有機EL
素子対応して配列されている各配線構造を、各群に対応
した制御および/または駆動回路へ接続するための再配
置を行う請求項1〜3のいずれかの有機EL表示装置。
4. The multi-layer wiring board according to claim 1, wherein each of said groups comprises an organic EL.
The organic EL display device according to any one of claims 1 to 3, wherein each wiring structure arranged corresponding to the elements is rearranged for connection to a control and / or drive circuit corresponding to each group.
【請求項5】 前記各群の有機EL素子対応して配列さ
れている基板上の各配線構造は、 各群に対応した制御および/または駆動回路へ接続する
ための再配置構造を有する請求項1〜3のいずれかの有
機EL表示装置。
5. The wiring structure on a substrate arranged corresponding to each group of organic EL elements has a rearrangement structure for connection to a control and / or drive circuit corresponding to each group. An organic EL display device according to any one of 1 to 3.
【請求項6】 前記有機EL素子は、マトリクス状に配
置されている請求項1〜5のいずれかの有機EL表示装
置。
6. The organic EL display according to claim 1, wherein the organic EL elements are arranged in a matrix.
【請求項7】 前記各群の有機EL素子から外部に放出
される光の主波長は、赤、緑および青の各色に対応して
いる請求項1〜6のいずれかの有機EL表示装置。
7. The organic EL display device according to claim 1, wherein a main wavelength of light emitted from the organic EL elements of each group to the outside corresponds to each of red, green, and blue.
【請求項8】 前記各群の有機EL素子は、カラーフィ
ルター層を有する請求項1〜7のいずれかの有機EL表
示装置。
8. The organic EL display device according to claim 1, wherein each of the groups of organic EL elements has a color filter layer.
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002244618A (en) * 2000-12-15 2002-08-30 Lg Philips Lcd Co Ltd Circuit for driving active matrix electroluminescent device
JP2002304156A (en) * 2001-01-29 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
JP2002304155A (en) * 2001-01-29 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
JP2002311898A (en) * 2001-02-08 2002-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electronic equipment using the same
WO2003026012A2 (en) * 2001-09-19 2003-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light emitting diode light source
US6747617B1 (en) 1999-11-18 2004-06-08 Nec Corporation Drive circuit for an organic EL apparatus
WO2004055773A1 (en) 2002-12-18 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and method for driving same
JP2004234011A (en) * 2003-01-31 2004-08-19 Eastman Kodak Co Organic light emitting diode (oled) display
JPWO2003023752A1 (en) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 EL display device, EL display device driving circuit, and image display device
JP2005128306A (en) * 2003-10-24 2005-05-19 Dainippon Printing Co Ltd Driving device for display for time sharing gray scale display and display for time sharing gray scale display
JP2005148679A (en) * 2003-11-20 2005-06-09 Sony Corp Display element, display device, semiconductor integrated circuit, and electronic equipment
KR100796480B1 (en) * 2000-12-15 2008-01-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Driving IC of an active matrix Electroluminesence Device
US7336247B2 (en) 2002-04-17 2008-02-26 Hitachi Ltd. Image display device
JP2008052289A (en) * 2001-09-07 2008-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electronic apparatus
JP2008176341A (en) * 2001-02-08 2008-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electronic equipment
JP2009086673A (en) * 2001-09-07 2009-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6747617B1 (en) 1999-11-18 2004-06-08 Nec Corporation Drive circuit for an organic EL apparatus
KR100796480B1 (en) * 2000-12-15 2008-01-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Driving IC of an active matrix Electroluminesence Device
JP2002244618A (en) * 2000-12-15 2002-08-30 Lg Philips Lcd Co Ltd Circuit for driving active matrix electroluminescent device
JP2002304156A (en) * 2001-01-29 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
JP2002304155A (en) * 2001-01-29 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
JP2002311898A (en) * 2001-02-08 2002-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electronic equipment using the same
US9041299B2 (en) 2001-02-08 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic equipment using the same
US8680772B2 (en) 2001-02-08 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic equipment using the same
US7960917B2 (en) 2001-02-08 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic equipment using the same
JP2008176341A (en) * 2001-02-08 2008-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electronic equipment
JP2008052289A (en) * 2001-09-07 2008-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electronic apparatus
JP2010061147A (en) * 2001-09-07 2010-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
JP2017201419A (en) * 2001-09-07 2017-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting element
JP2015099372A (en) * 2001-09-07 2015-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device, display module, electronic apparatus
US8947328B2 (en) 2001-09-07 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the same
JP2013242582A (en) * 2001-09-07 2013-12-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electronic apparatus
JPWO2003023752A1 (en) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 EL display device, EL display device driving circuit, and image display device
JP2010160497A (en) * 2001-09-07 2010-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electronic apparatus
US7528812B2 (en) 2001-09-07 2009-05-05 Panasonic Corporation EL display apparatus, driving circuit of EL display apparatus, and image display apparatus
JP2009086673A (en) * 2001-09-07 2009-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
WO2003026012A3 (en) * 2001-09-19 2003-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light emitting diode light source
WO2003026012A2 (en) * 2001-09-19 2003-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light emitting diode light source
US7319440B2 (en) 2001-09-19 2008-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light emitting diode light source
US8013811B2 (en) 2002-04-17 2011-09-06 Hitachi Displays, Ltd. Image display device
US7336247B2 (en) 2002-04-17 2008-02-26 Hitachi Ltd. Image display device
EP1577869A4 (en) * 2002-12-18 2008-12-03 Semiconductor Energy Lab Display and method for driving same
WO2004055773A1 (en) 2002-12-18 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and method for driving same
EP1577869A1 (en) * 2002-12-18 2005-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and method for driving same
JP2004234011A (en) * 2003-01-31 2004-08-19 Eastman Kodak Co Organic light emitting diode (oled) display
JP4566545B2 (en) * 2003-10-24 2010-10-20 大日本印刷株式会社 Time-division gradation display drive, time-division gradation display
JP2005128306A (en) * 2003-10-24 2005-05-19 Dainippon Printing Co Ltd Driving device for display for time sharing gray scale display and display for time sharing gray scale display
JP2005148679A (en) * 2003-11-20 2005-06-09 Sony Corp Display element, display device, semiconductor integrated circuit, and electronic equipment

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