JP2000048952A - Organic el element module - Google Patents

Organic el element module

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JP2000048952A JP10229342A JP22934298A JP2000048952A JP 2000048952 A JP2000048952 A JP 2000048952A JP 10229342 A JP10229342 A JP 10229342A JP 22934298 A JP22934298 A JP 22934298A JP 2000048952 A JP2000048952 A JP 2000048952A
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Takashi Tanaka
Hiroshi Yamamoto
広忠 古川
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理 鬼塚
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element module capable of keeping a sufficient sealing effect, free from malfunction, which is caused by a noise generated in an element, of an electric circuit, an IC or the like for control-drive, capable of replacing circuit elements for a control circuit and a drive circuit such as the electric circuit or the IC for drive, capable of improving an yield, capable of preventing adhesive strength from being lowered by a trouble such as wettability of an adhesive to an electrode, and capable of maintaining sealability for a long period. SOLUTION: This module has an organic EL structure having one kind or more of an organic layer 12 concerned at least in a luminescent function between a pair of electrodes 11, 13 formed on a substrate 1, an inside sealing body 3 which is a sealing means for sealing the EL structure and which is arranged in a position nearest to the EL structure, and one or more of an outside sealing body 6 arranged outside separated from the inside sealing body 3. The outside sealing body 6 serves as a wiring board.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光層に有機材料を用いた有機EL構造体を有する有機EL素子モジュールに関する。 The present invention relates to relates to an organic EL element module having an organic EL structure using an organic material for light-emitting layer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)は、発光材料に有機材料を用いた電荷注入再結合型のELで、自発光、高輝度、広視野角、低消費電力、低電圧駆動、高効率等の特徴を有することから種々の応用が期待されているが、なかでも種々の表示装置への応用が試みられている。 BACKGROUND ART Organic electroluminescence element (organic EL element), a charge injection recombination type EL using an organic material for a light-emitting material, a self-luminous, high luminance, wide viewing angle, low power consumption, low voltage drive , various applications are expected from having characteristics such as high efficiency, have been tried Among these applications to various display devices.

【0003】有機EL素子は、有機物質による発光作用を利用しているため、この有機物質の分子設計を変更することにより種々の発光色(発光波長)を得られる可能性を秘めている。 [0003] In an organic EL element, because it uses the light-emitting action by organic materials, has the potential to obtain various emission colors (the emission wavelength) by changing the molecular design of the organic material. しかし、その反面、このような有機物質は水蒸気、酸素、あるいは封止剤や有機物質自体の放出するガスなどにより、容易に酸化したり、劣化したりして発光素子としての機能を損ない易い。 However, on the other hand, such organic substances are water vapor, oxygen, or the like discharged to a gas sealing agent and organic material itself, easily or oxidized easily impair the function as a light emitting element and deteriorates.

【0004】このため、有機EL素子を表示装置などに応用する場合、様々な使用環境が予想される実用面での利用を考えると、自発光、高輝度、高視野角、低消費電力、低電圧駆動、高効率等の諸特性を長期間にわたって安定して維持することが重要である。 [0004] Therefore, when applied to a display device and the organic EL element, considering the use in practical applications of various use environments is expected, self-luminous, high luminance, wide viewing angle, low power consumption, low voltage drive, it is important to stably maintain for a long period of time the characteristics such as high efficiency. 従って、有機EL Therefore, the organic EL
素子が上記のような種々の酸化性、腐食性ガスに曝されるのを有効に防止し、機械的衝撃等からも保護する必要から従来よりガラス材等の硬質部材を用いた封止が行われている。 Element Various oxidizing the above, to prevent corrosive exposed is to effectively to gas, sealing line with hard member of glass material or the like than conventionally must also be protected against mechanical shocks are we.

【0005】図8に、従来の封止構造を有する有機EL [0005] Figure 8, the organic EL having a conventional sealing structure
素子モジュールを示す。 Showing an element module. 図示例の有機EL素子モジュールは、基板31上の有機EL構造体32を、ガラスや金属等の封止板33で覆い、接着剤44で固定している。 The organic EL element module illustrated example, the organic EL structure 32 on the substrate 31, covered with a sealing plate 33 of glass or metal, are fixed by the adhesive 44.
ここで、封止板の内側に、水蒸気による有機EL素子3 Here, the inside of the sealing plate, the organic EL element 3 by steam
2の酸化、劣化を防止するために、例えば、特開平5− To prevent second oxidation, deterioration, for example, JP-5-
41281号公報に記載されているような吸湿材を配置する方法、特開平8−78159号公報に記載されているような不活性液体を充填する方法等が知られているが、上記図示例では、吸湿剤35をフッ素樹脂系の多孔質薄膜36で固定した例を表している。 Method of placing a moisture absorbing material such as described in 25625 JP, a method of filling the inert liquid as described in JP-A-8-78159, etc. are known, in the above illustrated embodiment represents an example in which a moisture absorbent 35 secured in the porous film 36 of fluorine resin.

【0006】この他にも、特開平4−267097号公報に記載されている、有機EL素子上に薄膜を形成し、 [0006] In addition is also described in JP-A-4-267097, a thin film is formed on the organic EL element,
重ねて光硬化型樹脂を塗布するような、2つ以上の層により封止する方法等といったものも知られている。 Again, as to apply a photocurable resin it is also known such as a method in which the sealing by two or more layers.

【0007】しかし、これらのいずれのものも、有機E [0007] However, even those of any of these, organic E
L素子の封止効果が不十分であり、素子の劣化を抑制することができず、素子寿命を延ばすことが困難であった。 Sealing effect of L element is insufficient, it is impossible to suppress the deterioration of the element, it is difficult to extend the device life.

【0008】一方、液晶表示装置(LCD)を中心に、 On the other hand, around the liquid crystal display device (LCD),
コンパクトで信頼性の高い表示モジュールへの需要の高まりから、チップオングラス(COG)、チップサイズパッケージ(CSP)技術により、表示装置のガラス基板上に、直接駆動用回路素子ないしICを実装することが多くなってきている。 With growing demand for highly reliable display module is compact, chip-on-glass (COG), a chip size package (CSP) technique on a glass substrate of the display device, implementing the IC to not directly driving circuit element it has become many. 一般に、COG実装、CSP実装される回路素子ないしICは、ベアチップであり、実装の後、例えば特開平4−337317号公報に記載されているように熱硬化樹脂等により封止される。 Generally, COG mounting, the to no circuit elements are CSP mounted IC, a bare chip, after mounting, is sealed by the thermosetting resin or the like as described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-337317.

【0009】図9にCOG実装された液晶表示モジュールの構成例を示す。 [0009] showing a configuration example of a liquid crystal display modules COG implemented in FIG. 図示例の液晶表示モジュールは、基板31上に、一対の電極41,42と、配向膜43,4 The liquid crystal display module of the illustrated example, on the substrate 31, a pair of electrodes 41 and 42, the alignment film 43,4
4間に形成配置された液晶45を有する液晶表示素子が形成され、さらにこの液晶表示素子をガラス封止板33 The liquid crystal display device having a liquid crystal 45 which is formed and arranged between 4 is formed, further the liquid crystal display device of the glass sealing plate 33
とシール材46により封止固定されている。 It is sealed and fixed by a sealing material 46 and. そして、この封止板の外側の基板31上には、電気回路ないしIC Then, on the substrate 31 outside of the sealing plate, to no electrical circuit IC
等の回路素子36が固定用の樹脂35により固定されている。 Circuit element 36 and the like are fixed by the resin 35 for fixing. また、上部の電極42は、パッド47により基板上の回路パターン34と接続されている。 The upper electrode 42 is connected to the circuit pattern 34 on the substrate by the pad 47.

【0010】一対の電極41,42のいずれかはITO [0010] Any of the pair of electrodes 41 and 42 ITO
等の透明電極や、アルミニウム等の金属により形成されているが、微細なピッチでの加工が可能である。 Transparent electrodes and the like, are formed by a metal such as aluminum, which can be processed at a fine pitch. 従って、COG技術、CSP技術により、多端子化が進む表示装置と駆動用電気回路ないしICとの接点数を減らし、処理性を向上させ、信頼性を高めることができる。 Therefore, COG technique, the CSP technology, to have no electric circuit for driving the display device proceeds number of terminals reduces the number of contacts with the IC, to improve processability, it is possible to increase the reliability.

【0011】また、今後は有機EL素子モジュールにおいても、駆動装置をCOG実装、CSP実装して、モジュール化することが考えられるが、主に次のような問題がある。 Further, also in the organic EL element module in the future, COG mounting the driving device, and CSP mounting, it is conceivable to modularize, there are mainly the following problem.

【0012】(1) 有機EL素子は、熱や有機溶剤、 [0012] (1) The organic EL element, heat or organic solvents,
水蒸気、紫外線等に弱く、これらに暴露されることによって劣化する。 Steam, weak to ultraviolet rays, degraded by exposure to these. このため、外部環境からの封止を完全に行い、有機EL素子の劣化や、寿命の低下を防止する必要がある。 Therefore, fully perform sealing from the external environment, it is necessary to prevent deterioration of the organic EL device, a decrease in life.

【0013】(2) パネルの配線引き回しが複雑となり、使用する駆動用電気回路素子ないしICのピン配置との兼ね合いが難しくなる。 [0013] (2) becomes a panel of wire routing complexity, balance with pinout of from driving an electric circuit element used IC is difficult. つまり、駆動用電気回路素子ないしICがCOG実装、CSP実装される基板は、 That is, to drive no electrical circuit element IC is COG mounting, a substrate to be CSP mounting,
有機EL素子が配置されるガラスのような透明基板や、 Transparent substrate and such as glass organic EL element is arranged,
有機EL素子を封止する封止基板であり、これらの基板を多層化できなければ、配線の引き回しが極めて困難になる。 The organic EL element is a sealing substrate for sealing, to be able to multi-layered these substrates, wire routing is extremely difficult.

【0014】(3) 上記配線引き回しの問題から、入出力信号、電源電圧の供給に工夫が必要となる。 [0014] From (3) of the wire routing problems, it becomes the input and output signals, and necessary to devise a power supply voltage. つまり、配線引き回しの問題から、入出力信号、電源の接続が分散される場合があり、配線が乱雑になると共に、ノイズ等の外乱の影響を受けやすくなる。 In other words, the wire routing problems, may input and output signals, the power connections are distributed, the wiring clutter, susceptible to disturbances such as noise.

【0015】(4) 有機EL素子は電流駆動であるため、有機EL素子により発生するノイズが駆動用の電気回路ないしIC等を誤動作させ恐れがある。 [0015] (4) The organic EL device because it is a current drive, there is a possibility to malfunction of the IC or the like to the noise is not an electrical circuit for driving generated by the organic EL element. なかでも、 Among them,
有機EL素子の封止基板上に駆動用の電気回路素子ないしICを実装するCSP実装では、フェースダウン方式を用いる場合が多く、特にノイズへの対策が必要となる。 The CSP implementation that implements the electric circuit elements to IC for driving the sealing substrate of the organic EL device, may use a face-down type often becomes particularly necessary to take measures to noise.

【0016】(5) モジュール化した場合の製品の不良率は、有機EL素子の不良率と、駆動用電気回路素子ないしIC等を有する制御回路、駆動回路の不良率との積で表されるため、表示モジュールの歩留まり低下が避けられない。 [0016] (5) modularized product defect rate when the is represented by the product of the fraction defective of the organic EL device, to drive no electrical circuit element control circuit having an IC or the like, the failure rate of the driving circuit Therefore, it is impossible to avoid a decrease in yield of the display module. このため、駆動用電気回路ないしIC等の制御回路、駆動回路の回路素子の交換を容易にし、歩留まり率を向上させることが必要である。 Therefore, the control circuit such as an IC to no driving electric circuit, to facilitate replacement of the circuit elements of the driving circuit, it is necessary to improve the yield rate.

【0017】(6) 有機EL素子の封止手段は、一般には、ITO(錫ドープ酸化インジウム)等の透明電極や、アルミニウムなどの金属薄膜上に接着剤を塗布し、 [0017] (6) sealing means of the organic EL element is generally and transparent electrodes such as ITO (tin-doped indium oxide), an adhesive is applied onto a metal thin film such as aluminum,
封止板を接着・固定している。 The sealing plate are bonded and fixed. このような封止方法では、電極上への接着剤の濡れ性等の問題から接着力が低下し、気密性が低下してしまうといった問題を有している。 In such a sealing method, adhesion of wettability problem of the adhesive to the electrode is reduced, the airtightness has a problem lowered.

【0018】 [0018]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、十分な封止効果を維持し、熱や有機溶剤、水蒸気、紫外線等に暴露することなく、素子の劣化を抑制して素子寿命を延ばすことが可能な有機EL素子モジュールを実現することである。 [SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to maintain a sufficient sealing effect, heat or organic solvents, water vapor, without exposure to ultraviolet rays or the like, extending the element lifetime by suppressing the deterioration of the element it is to realize an organic EL element module capable.

【0019】また、パネルの配線引き回しが容易で、使用する駆動用電気回路素子ないしICのピン配置等の制約を受け難く、高密度実装が可能な有機EL素子モジュールを実現することである。 Further, wire routing panels easy to no driving electric circuit element using less subject to constraints such as a pin arrangement of IC, is to realize an organic EL element module capable of high-density mounting.

【0020】入力出力信号、電源の接続を分離、集約して行うことができ、配線をコンパクトかつシンプルに整理でき、ノイズ等の外乱の影響を受け難い有機EL素子モジュールを実現することである。 [0020] Input Output signal, separating the power connections, can be performed by aggregating the wiring organize compact and simple, and it is possible to realize a hard organic EL device module affected by disturbance such as noise.

【0021】また、有機EL素子より発生するノイズが、制御・駆動用の電気回路ないしIC等を誤動作させることのない有機EL素子モジュールを実現することである。 Further, noise generated from the organic EL element is that to no electrical circuit for controlling and driving to realize an organic EL element module does not cause malfunction of the IC or the like.

【0022】また、駆動用電気回路ないしIC等の制御回路、駆動回路の回路素子の交換が容易で、歩留まり率を向上させることができる有機EL素子モジュールを実現することである。 Further, the control circuit such as an IC to no driving electric circuit, replacement of the circuit elements of the drive circuit is easy, it is to realize an organic EL element module capable of improving the yield rate.

【0023】また、電極への接着剤の濡れ性等の問題から接着力が低下することなく、気密性を長期間保持することのできる有機EL素子モジュールを実現することである。 Further, without adhesion of wettability problem of the adhesive to the electrode is reduced, it is possible to realize an organic EL element module capable of holding the airtightness long time.

【0024】 [0024]

【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以下の構成により達成される。 SUMMARY OF THE INVENTION That is, the above-described object can be attained by the following constitution. (1) 基板上に形成された一対の電極間に、少なくとも発光機能に関与する1種以上の有機層を有する有機E (1) between a pair of electrodes formed on a substrate, the organic having at least one or more organic layers involved in light emission function E
L構造体と、前記有機EL構造体を封止する封止手段であって、有機EL構造体に最も近い位置に配置される内部封止体と、この内部封止体から離間して外側に配置される1つまたは2つ以上の外部封止体とを有し、この外部封止体が配線基板である有機EL素子モジュール。 And L structure, a sealing means for sealing the organic EL structure, and the internal sealing member that is located closest to the organic EL structure, outwardly spaced from the inner sealing member one or have two or more and an external sealing member, the organic EL element module external sealing member is a circuit board is disposed. (2) 前記封止手段は接続手段を有し、この接続手段は封止手段内部の回路と外部の回路とを電気的に接続し、かつ封止手段内部の気密性を保持する上記(1)の有機EL素子モジュール。 (2) the sealing means comprises a connecting means, the (1 this connection means that electrically connect the circuit and the external circuit internal sealing means, and to hold the airtightness of the inner sealing means the organic EL element module). (3) 前記封止手段内部には吸湿剤を有する上記(1)または(2)の有機EL素子モジュール。 (3) Organic EL element module of (1) or (2) having a desiccant within said sealing means. (4) 前記封止手段内部には電磁シールドを有する上記(1)〜(3)のいずれかの有機EL素子モジュール。 (4) any of the organic EL element module (1) to (3) having said sealing means electromagnetic shielding inside. (5) 前記外部封止体は遮光性を有するか、または封止手段内部に遮光性を有する部材が配置されている上記(1)〜(4)のいずれかの有機EL素子モジュール。 (5) the outer sealing body either organic EL element module (1) to (4), which member having a light shielding property or a light-blocking property, or within the sealing means is disposed. (6) 全体の厚みが10mm以下である上記(1)〜 (6) The total thickness is 10mm or less (1) -
(5)のいずれかの有機EL素子モジュール。 Any of the organic EL element module (5).

【0025】 [0025]

【作用】配線基板は、有機EL構造体を制御・駆動する回路の電気的な配線構造を有する。 [Action] wiring substrate has an electrical wiring structure for a circuit for controlling and driving the organic EL structure. また、構造体として気密保持性、および適度な強度と、形状保持性とを有する。 Also it has an airtight holding property as a structure, and a moderate strength, and shape retention. このため、空間を物理的および電気的に有効利用した上で封止効果を向上させる役割も果たすこととなる。 Therefore, the also serve to improve the sealing effect in physically and electrically efficient use of space.

【0026】 [0026]

【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子モジュールは、基板上に形成された一対の電極間に、少なくとも発光機能に関与する1種以上の有機層を有する有機EL構造体と、前記有機EL構造体を封止する封止手段とを有し、前記封止手段は、有機EL構造体に最も近い位置に配置される内部封止体と、この内部封止体から離間して外側に配置される1つまたは2つ以上の外部封止体とを有し、この外部封止体を配線基板により形成したものである。 The organic EL element module of the embodiment of the present invention is between a pair of electrodes formed on a substrate, an organic EL structure having one or more organic layers involved in at least a light emitting function, said organic and a sealing means for sealing the EL structure, the sealing means comprises an inner sealing member which is disposed closest to the organic EL structure, outwardly spaced from the inner sealing member and a one or more external sealing body is arranged, in which the outer sealing body is formed by the wiring board.

【0027】封止手段を、有機EL構造体を内包する内部封止体と、この内部封止体を内包する1つまたは2つ以上の外部封止体とで構成することにより、有機EL構造体の封止効果を高めることができ、素子の劣化を抑制し、素子寿命を飛躍的に向上させることができる。 [0027] The sealing means, and an internal sealing member for enclosing the organic EL structure, by forming in one or more of the external sealing body enclosing the inner sealing member, the organic EL structure it is possible to enhance the sealing effect of the body, to suppress the deterioration of the device, it is possible to remarkably improve the life of the device.

【0028】また、駆動用電気回路素子ないしIC等がCOG実装、CSP実装される基板の多層化構造を可能とし、配線の引き回しが容易になる。 Further, to drive no electrical circuit element IC etc. COG mounting, to allow the multi-layer structure of the substrate to be CSP mounting, wire routing is easy. また、入出力信号、電源の接続等を分散することなくコンパクトに集約、分離可能となる。 Further, input and output signals, compact aggregate without dispersing the connection of the power supply or the like, thereby enabling separation. さらに、モジュール化した場合に制御回路、駆動回路の回路素子の交換が容易になり、製品の不良率を少なくすることができる。 Further, the control circuit when the modular replacement of a circuit element of the drive circuit is facilitated, it is possible to reduce the defect rate of products.

【0029】また、封止手段には封止手段内部の回路と外部の回路とを電気的に接続し、かつ封止手段内部の気密性を保持する接続手段を有することにより、封止効果を損なうことなく、封止用接着剤の濡れ性等の問題が生じ難く、接着力の低下を防止し、気密性を長期間維持できる。 Further, by having a connection means to the sealing means for electrically connecting the circuit and the external circuits in the sealing means, and to hold the airtightness of the internal sealing means, the sealing effect without compromising hardly cause problems wettability of the sealing adhesive to prevent deterioration of the adhesive strength can be maintained airtight long time.

【0030】また、前記封止手段内部には吸湿材、遮光材ないし光減衰材、電磁シールドを有していてもよい。 Further, the sealing means inside the hygroscopic material, the light-shielding material or light attenuating material, may have an electromagnetic shield.
封止手段内部に、吸湿材、遮光材ないし光減衰材、電磁シールドを有することにより、素子の劣化損傷や、寿命の低下を防止できる。 Inside sealing means, hygroscopic material, shielding material or light attenuating material, by having an electromagnetic shield prevents deterioration damage to the device, a reduction in life.

【0031】また、好ましくは全体の厚みが10mm以下、特に2〜7mmとすることにより、小型、薄型の有機EL素子モジュールが実現でき、装置内に組み込んだ場合でも場所を取らず、省スペース化に寄与できる。 Further, preferably by the entire thickness of 10mm or less, and particularly 2 to 7 mm, a small, thin organic EL element module can be realized, without taking place even when incorporated into the device, space saving It can contribute to.

【0032】内部封止体の材料としては、好ましくは平板状、または断面コ字状で内部に有機EL構造体を収容しうる空間を有するガラスやアルミナ、石英等の硬質部材や、樹脂等の材料が挙げられる。 Examples of the material of the inner sealing member, preferably and tabular, or a glass or alumina having a space capable of accommodating the internal organic EL structure in cross section U-shaped, rigid member such as quartz, resin, etc. material and the like. ガラス材として、例えば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス組成のものが好ましい。 As the glass material, for example, soda-lime glass, lead alkali glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, those glass composition of the silica glass or the like. また、樹脂材としてはエポキシ樹脂、フッ素系樹脂(テフロン)、シリコーン樹脂等が好ましい。 The epoxy resin as the resin material, fluorine resin (Teflon), silicone resin is preferable. これらは、いずれを用いてもよいが、内部封止体には有機EL構造体を保護するためにガラス等の硬質部材が好ましい。 These are all may be used, rigid member such as glass is preferable in order to protect the organic EL structure is inside the sealing member.

【0033】また、ガラス等の平板を用いる場合には、 [0033] In the case of using a flat plate of glass or the like,
封止用接着剤と、必要によりスペーサとを使用するとよい。 A sealing adhesive, it is preferable to use a spacer if necessary. また、封止材料としては金属であってもかまわないが、必要に応じて表面に絶縁コーティング、絶縁塗装、 Although as the sealing material may be a metal, an insulating a surface optionally coated, insulating paint,
表面処理等を施して、絶縁処理を行う必要がある。 Subjected to a surface treatment, it is necessary to perform insulation processing. 封止板に断面コ字状となる凹部を形成する手段としては、エッチングやサンドブラスト等により、内部封止体、外部封止体の表面を削ればよい。 As a means for forming a recess as a U-shaped cross-section in the sealing plate, by etching or sandblasting, internal sealing body may be scraped surface of the outer sealing body.

【0034】内部封止体の外側に設けられる外部封止体は1つ以上であれば幾つ設けてもよい。 The outer sealing body provided outside the inner sealing member may be a number provided be one or more.

【0035】外部封止体は配線基板で形成されている。 [0035] The external sealing body is formed of a wiring board.
配線基板は、所定の電気回路を構成できるものであれば特に限定されるものではないが、基板面と水平でない方向、通常、垂直な方向に導通する回路要素が形成されているものが好ましい。 Wiring board, is not particularly limited as long as it can constitute a predetermined electric circuit, the substrate surface is not horizontal, usually, those circuit elements that conduct the vertical direction is formed preferably. 特に多層基板、さらに剛性を有する樹脂多層基板、あるいはシーケンシャル法、ビルドアップ法等により得られる多層基板が好ましい。 In particular multi-layer substrate further resin multilayer substrate having a rigid or sequential method, a multilayer substrate obtained by a build-up method or the like are preferable. また、特にファインピッチを要求される場合にはビルドアップ基板が好ましい。 Further, the build-up substrate is preferred if particularly required fine pitch. 基板面と垂直方向に形成された回路要素を有することにより、封止板上の回路と基板上の回路との接続が容易になる。 By having the circuit elements formed on the substrate surface and the vertical direction, the connection to the circuit on the circuit and the substrate on the sealing plate is facilitated. 多層基板は、通常のプリント基板材料であるエポキシや、ガラスエポキシ等を用いたものの他、種々の樹脂材料を用いたものが検討されており、 Multilayer substrate, an epoxy or a conventional PCB materials, other but using glass epoxy or the like, has been studied that using various resin materials,
その他セラミックスを用いたものについても実用化されている。 It has been put into practical use even for those with other ceramics. これらのなかでも樹脂製の基板が好ましい。 Resin substrate Among these are preferred. 樹脂製の基板を用いることで、ディスプレイの機械強度が向上し、保護部材としても機能し、製造時の取り扱いが容易になる。 By using the substrate made of the resin improves the mechanical strength of the display, also functions as a protective member facilitates handling during manufacture. また、配線基板を用いることで、回路を空間内に有効に形成することができる。 Further, by using the wiring substrate, it is possible to effectively form a circuit in the space. 特に、ディスプレイの場合、マトリクス状に形成された多数の配線を接続したり、各ICを接続するためのバスラインのように、 In particular, in the case of the display, or to connect a number of wiring formed in a matrix, like a bus line for connecting each IC,
並列に接続される複数の配線を有する場合が多く、そのような回路の形成に有効である。 Often have a plurality of wires connected in parallel, it is effective for the formation of such a circuit.

【0036】このような配線基板は、外部封止体として基板の外周部を取り囲むように配置・形成されることとなり、基板を衝撃などから保護し、製造時や、搬送時の取り扱いが容易となり、故障が減少する。 [0036] Such a wiring board becomes a be arranged and formed so as to surround the outer peripheral portion of the substrate as the external sealing body, protecting the substrate, such as from an impact, produced when and will facilitate handling during transport , failure is reduced.

【0037】配線基板として最も好ましいものの一つとして樹脂多層ビルドアップ基板が挙げられる。 The resin multilayer build-up substrate can be cited as one of the most preferred as a wiring board. 樹脂多層基板は、例えば、アラミド不繊布等のような樹脂基材中に、多層に形成されたAg,Cu等のような導電層を有し、各層の導電層間をビアホールと称する導電体の柱により接続したものである。 Resin multilayer substrate, for example, in the resin base material such as aramid nonwoven fabric, Ag formed on the multilayer, having a conductive layer such as Cu, pillars of conductors called the layers of conductive layers and via holes which are connected by. このビアホールは、通常、スルーホールよりも小さく、しかも内部まで導電物質とすることができ、ビアホール上にも部品(チップ部品)を搭載することができる。 This hole is usually less than the through-hole, moreover can be an electrically conductive material to the inside, also on the via hole can be mounted components (chip components). なお、配線基板上に実装される電子部品は、通常、サーフェスマウントとなる。 The electronic components mounted on the wiring board is usually a surface mount.

【0038】基板上に配線基板を配置し、固定・実装する接続手段としては、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料中に、導電性フィラーを分散させた異方性導電フィルムを用いて熱圧着する方法や、バンプ構造により接続する方法、カシメによる方法等が挙げられるが、基板にガラス透明基板を用いている場合には、基板の裏側から光ビームを照射してハンダ付けする方法等でもよい。 [0038] Place the wiring board on the substrate, as a connecting means for fixing and mounting, for example, a resin material such as epoxy resin, to thermocompression bonding using an anisotropic conductive film obtained by dispersing a conductive filler a method, a method of connecting the bump structure, a method, and the like by caulking, in the case of using a glass transparent substrate the substrate may be a method in which soldering the backside of the substrate by irradiating a light beam.

【0039】内部封止体、外部封止体は、スペーサーを用いて高さを調整し、所望の高さに保持してもよい。 The inner sealing member, an external sealing body, using a spacer for height adjustment, may be held at a desired height. スペーサーの材料としては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、 The spacer material may be resin beads, silica beads,
ガラスビーズ、ガラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好ましい。 Glass beads, glass fibers and the like, particularly glass beads are preferable. スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であるが、その形状は特に限定されるものではなく、スペーサーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状であってもよい。 The spacer is usually a uniform granulate particle diameters, the shape is not limited in particular, may be of various shapes as long as not interfering with the function as a spacer. その大きさとしては、円換算の直径が1〜20μm 、より好ましくは1〜 As the size of the diameter of the equivalent circle is 1 to 20 [mu] m, more preferably 1 to
10μm 、特に2〜8μm が好ましい。 10μm, especially 2~8μm is preferable. このような直径のものは、粒長100μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に規制されるものではないが、通常1 Those of such diameter should preferably have a degree less grain length 100 [mu] m, although the lower limit not particularly restricted, usually 1
μm 程度である。 It is about μm.

【0040】なお、内部封止体、外部封止体に凹部を形成した場合には、スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。 [0040] The internal sealing member, in the case of forming a recess in the outer sealing body, the spacer also uses, may not be used. 使用する場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、特に2〜8μm の範囲が好ましい。 Preferred size when used, may be in the range, especially 2~8μm is preferred.

【0041】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入されていても、接着時に混入してもよい。 The spacer be incorporated in advance encapsulation adhesive may be mixed at the time of bonding. 封止用接着剤中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01 The content of the spacer in the sealing adhesive is preferably 0.01
〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。 30 wt%, more preferably 0.1-5 wt%.

【0042】接着剤としては、安定した接着強度が保て、気密性が良好なものであれば特に限定されるものではないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を用いることが好ましい。 [0042] As adhesives, maintain stable bond strength, but is not limited particularly as long as good airtightness, it is preferable to use a cation curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive .

【0043】外部封止体の他、基板あるいは内部封止体に回路を形成してもよい。 [0043] Other external sealing body may be formed circuit board or inside the sealing member. 特に基板上に形成される回路は、有機EL構造体を直接駆動することができ、回路素子を負荷の近傍に配置することができるので、ノイズや回路形成の面で有利である。 Circuit particularly formed on the substrate, it is possible to drive the organic EL structure directly, it is possible to arrange the circuit elements in the vicinity of the load, which is advantageous in terms of noise and circuit formation. 基板、封止板上に実装される回路素子は、COG、CSP、MCM(Multi ChipMo Substrate, circuit elements mounted on the sealing plate, COG, CSP, MCM (Multi ChipMo
dule)実装等される。 dule) is implemented, and the like. また、外部封止体上に形成される回路は、前述のように高度な配線構造が可能で、有機E Further, the circuit formed on the outer sealing member is capable of advanced interconnect structures, as described above, the organic E
L構造体から熱的分離が可能であり、これらのメリットを生かせるような回路形成を行うとよい。 Thermal isolation from the L structure are possible, preferably performed circuit formation as capitalize these benefits.

【0044】基板あるいは内部封止体上に回路を形成する方法としては、蒸着法等により回路パターンをマスク蒸着したり、Cu等の導体層形成後にこれをエッチングして所望のパターンを得る方法などの薄膜プロセスによるものや、所定のパターンの導体層を厚膜プロセスにて得る方法などがある。 [0044] As a method for forming a circuit on a substrate or inside the sealing body, or mask evaporation a circuit pattern by vapor deposition or the like, by etching it after the conductor layer is formed of Cu or the like and a method of obtaining a desired pattern and a method of obtaining and by the thin film process, a conductor layer of a predetermined pattern in a thick film process. そして、形成された回路パターン上に必要な回路素子をハンダ付したり、導電性ペーストを用いた接着等により装着すればよい。 Then, or subjected soldering circuit elements necessary to the formed circuit pattern on, it may be attached by bonding or the like using a conductive paste.

【0045】回路パターンは、Au、Al、Cuのうちの少なくとも1種を有することが好ましい。 The circuit patterns, Au, Al, it is preferable to have at least one of Cu. これらの金属は低抵抗であり、薄膜、厚膜プロセスのいずれによっても容易に所望のパターンに形成することができる。 These metals are low-resistance, thin film can be formed easily a desired pattern by any of thick-film process. これらの中でもAlが、コストや、安定性の点で好ましい。 Al Among these, cost and preferable from the viewpoint of stability.

【0046】回路パターンがAuを有する場合、厚膜プロセスにより、Au含有層を単独で形成するか、気相堆積法により、Au層を有する多層構造とすることが好ましい。 [0046] When the circuit pattern has a Au by thick film processes, or to form a Au-containing layer alone by vapor deposition, it is preferable that the multi-layer structure having the Au layer. 多層構造とする場合、それぞれ含有する金属がT If a multilayer structure, metal containing each T
i/Ni/Cu/Auであるか、Cr/Ni/Cu/A Whether the i / Ni / Cu / Au, Cr / Ni / Cu / A
uの順に基板上に形成された多層膜であることが好ましい。 It is preferred in the order of u is a multilayer film formed on the substrate. Ti,Crは基板との密着性を改善し、Niは金属層間の拡散を防止し、Cuはパターンの抵抗を低く維持する効果がある。 Ti, Cr improves the adhesion to the substrate, Ni prevents the diffusion of metal layers, Cu has the effect of maintaining a low resistance pattern. これらの金属を含有する回路パターン(導電体層)は、それぞれ1wt%程度以下の不純物を含有していてもよい。 Circuit patterns containing these metals (conductor layer) may each contain 1 wt% about or less impurities. また、回路パターンを厚膜法により形成する場合、ガラス等の厚膜法に必要な金属以外の物質を含有していてもよい。 Further, a circuit pattern when forming a thick film method, may contain a substance other than metal required for thick film technique such as glass.

【0047】回路パターンがAlを有する場合、気相堆積法によりAl含有層を単独に形成することが好ましい。 [0047] When the circuit pattern has a Al, it is preferable to form solely the Al-containing layer by vapor deposition.

【0048】回路パターンがCuを有する場合、メッキによりCu含有層を単独で形成するか、気相堆積法により、Cu層を有する多層構造とすることが好ましい。 [0048] When the circuit pattern has a Cu, alone or forming a Cu-containing layer by plating, the vapor deposition method, it is preferable that a multilayer structure having a Cu layer. 多層構造とする場合、それぞれ含有する金属がTi/Ni If a multilayer structure, metal containing each Ti / Ni
/Cuであるか、Cr/Ni/Cuの順に基板上に形成された多層膜であることが好ましい。 / Cu in either, it is preferred that the multilayer film formed on a substrate in the order of Cr / Ni / Cu.

【0049】外部封止体、あるいは内部封止体や、基板上に形成される回路としては、有機EL構造体、つまり有機ELディスプレイ本体を駆動するための回路の少なくとも一部である。 The outer sealing body or and internal sealing body, as the circuit formed on the substrate, the organic EL structure, that is, at least a portion of the circuit for driving the organic EL display body. また、この回路は、内部封止体の有機EL構造体と対向する面の反対側、つまり外部に露出する面に形成される。 Also, this circuit, the opposite side of the organic EL structure and the opposing surfaces of inner sealing body, i.e. is formed on the surface exposed to the outside. 外部に形成することにより有機E Organic E by forming the outside
L構造体と接触したり、これを破壊したりするのを防止でき、内部ガスによる電子部品への悪影響を防止できる。 Or contact the L structure, can be prevented to destroy it, it is possible to prevent an adverse effect on the electronic component by internal gas.

【0050】封止板は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂等を用いて接着し密封する。 The sealing plate is, in order to prevent the ingress of moisture, the adhesive and sealed with an adhesive resin or the like. 封止ガスは、Ar、 Sealing gas, Ar,
He、N 2等の不活性ガス等が好ましい。 He, an inert gas such as N 2 is preferable. また、この封止ガスの水分含有量は、100ppm 以下、より好ましくは10ppm 以下、特には1ppm 以下であることが好ましい。 The water content of the sealing gas, 100 ppm or less, more preferably 10ppm or less, and particularly preferably at 1ppm or less. この水分含有量に下限値は特にないが、通常0.1 The lower limit is not particularly this water content is generally 0.1
ppm 程度である。 It is on the order of ppm.

【0051】基板としては特に限定されるものではなく、有機EL素子が積層可能なものであればよいが、通常、発光した光を取り出す表示面としての機能も有することから、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材料を用いることが好ましい。 [0051] There is no particular limitation on the substrate and the organic EL element, may be those stackable, usually because it has a function as a display surface to extract emitted light, glass, quartz, resin it is preferable to use a transparent or translucent material such as.

【0052】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。 [0052] The color conversion film including a color filter film, fluorescent material substrate or may control the luminescent color by using the dielectric reflective film. また、発光した光を取り出す側ではない場合には、基板は透明でも不透明であってもよく、不透明である場合にはセラミックス等を使用してもよい。 Also, when not on the side extract emitted light, the substrate may be opaque or transparent, may be used ceramics such as when it is opaque.

【0053】基板の大きさも特に限定されるものではないが、好ましくは最大長、特に対角長が10〜350m [0053] Without the size of the substrate is also particularly limited, preferably the maximum length, in particular diagonal length 10~350m
m、特に30〜300mmの範囲が好ましい。 m, in particular in the range of 30~300mm is preferred. 最大長は1 The maximum length is 1
0mm未満、350mmを超えるものであっても問題ないが、収納スペースが制限されたり、製造が困難になってくる。 Less than 0mm, there is no problem even those of more than 350mm, or storage space is limited, the production becomes difficult.

【0054】接続手段は、外部回路と、有機EL素子モジュールとの電気的接続を図ることが可能なものであれば、公知の種々の接続手段、例えばコネクター、ヒートシルコネクター、FPC、端子、他芯ケーブル等を用いることができる。 [0054] connecting means includes an external circuit, as long as it can achieve electrical connection between the organic EL element module, various known connection means, for example a connector, a heat sill connectors, FPC, terminals, other it can be used core cables. また、封止手段と基板との間にあって、封止手段内部の回路と外部の回路とを電気的に接続し、かつ封止手段内部の気密性を保持するものであってもよい。 Further, in the between the sealing means and the substrate, a circuit and an external circuit of the internal sealing means electrically connected, and may be configured to hold the airtightness of the inner sealing means. すなわち、この接続手段を有する領域以外の部分を、構造物を有しない基板面とすることにより、接着性が向上し、気密性を確保することができる。 That is, the portion other than the region having the connection means, it is possible by a no substrate surface structure, which improves the adhesion, to ensure airtightness. このような接続手段としては、コネクタ、端子電極、端子ピン等が挙げられるが、好ましくはコネクタであり、特に、封止効果や接着剤との濡れ性を考慮するとガラス等の接着剤との濡れ性、封止効果に優れた外装部材に、金属導体を埋め込んだコネクタが好ましい。 Such connection means, the connector, the terminal electrodes, and the terminal pins and the like, preferably connectors, in particular, wetting of the adhesive consideration of glass wettability with the sealing effect and adhesive sex, excellent exterior member to the sealing effect, the connector is preferably embedded metallic conductor.

【0055】封止手段内部に設けられる吸湿剤としては、封止手段内部の雰囲気下で吸湿効果を発揮しうるものであれば特に限定されるものではないが、例えば特開平9−148066号公報に記載されているような、酸化ナトリウム(Na 2 O)、酸化カリウム(K 2 O)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化マグネシウム(MgO)、硫酸リチウム(Li 2 SO 4 [0055] As the moisture absorbent provided inside the sealing means, but is not particularly limited as long as it can exhibit the moisture absorbing effect under atmosphere inside the sealing means, for example, JP-A 9-148066 JP as described in sodium oxide (Na 2 O), potassium oxide (K 2 O), calcium oxide (CaO), barium oxide (BaO), magnesium oxide (MgO), lithium sulfate (Li 2 sO 4
)、硫酸ナトリウム(Na 2 SO 4 )、硫酸カルシウム(CaSO 4 )、硫酸マグネシウム(MgSO 4 )、硫酸コバルト(CoSO 4 )、硫酸ガリウム(Ga 2 (S ), Sodium sulfate (Na 2 SO 4), calcium sulfate (CaSO 4), magnesium sulfate (MgSO 4), cobalt sulfate (CoSO 4), gallium sulfate (Ga 2 (S
43 )、硫酸チタン(Ti(SO 42 )、硫酸ニッケル(NiSO 4 )、塩化カルシウム(CaCl O 4) 3), 2 titanium sulfate (Ti (SO 4)), nickel sulfate (NiSO 4), calcium chloride (CaCl
2 )、塩化マグネシウム(MgCl 2 )、塩化ストロンチウム(SrCl 2 )、塩化イットリウム(YCl 2), magnesium chloride (MgCl 2), strontium chloride (SrCl 2), yttrium chloride (YCl
3 )、塩化銅(CuCl 2 )、フッ化セシウム(Cs 3), copper chloride (CuCl 2), cesium fluoride (Cs
F)、フッ化タンタル(TaF 5 )、フッ化ニオブ(N F), tantalum fluoride (TaF 5), niobium fluoride (N
bF 5 )、臭化カルシウム(CaBr 2 )、臭化セリウム(CeBr 3 )、臭化セレン(SeBr 4 )、臭化バナジウム(VBr 2 )、臭化マグネシウム(MgBr bF 5), calcium bromide (CaBr 2), cerium bromide (CeBr 3), bromide selenium (SEBR 4), vanadium bromide (VBr 2), magnesium bromide (MgBr
2 )、ヨウ化バリウム(BaI 2 )、ヨウ化マグネシウム(MgI 2 )、過塩素酸バリウム(Ba(ClO 4 2), barium iodide (BaI 2), magnesium iodide (MgI 2), barium perchlorate (Ba (ClO 4)
2 )、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO 42 )等を挙げることができる。 2), magnesium perchlorate (Mg (ClO 4) 2), and the like.

【0056】吸湿剤は、少なくとも内部封止体の内側と、外部封止体と内部封止体、あるいは外部封止体と外部封止体との間の2箇所以上に配置することが好ましい。 [0056] desiccant, and at least the inside of the internal sealing member is preferably disposed in two or more places between the outer sealing body and the internal sealing body, or external sealing body and the outer sealing body. このように2重以上に吸湿剤を配置することにより、有機EL構造体を強力に水分から保護することができる。 By thus placing the moisture absorbent in more than double, it can be protected from the strongly moisture organic EL structure. 吸湿剤は、内部封止体や外部封止体内の容量等により必要な大きさのものを配置すればよい。 Hygroscopic agent may be placed as the required size by the internal sealing member and external sealing body capacitance and the like. その際、単体であっても複数に分けて配置してもよく、有機EL素子モジュールの形状や大きさ等により最適な配置とすればよい。 At that time, may be arranged in a plurality Even alone may be an optimum arrangement by the shape and size of the organic EL element module.

【0057】遮光材ないし光減衰材は、好ましくは紫外線から赤外線までの間のいずれかの波長の光透過率が2 [0057] shielding material to light attenuating material is preferably one of the optical transmittance at a wavelength of between ultraviolet to infrared 2
0%以下、より好ましくは10%以下、さらには5%以下であれば特に限定されるものではない。 0% or less, more preferably 10% or less, is not particularly limited as long more than 5%. また、特に赤外域の光線の光透過率が上記範囲以下であることが重要である。 Further, it is important that especially the light transmittance of light in the infrared region is less than the above range. 紫外線から赤外線までの光透過率を上記範囲とすることにより、紫外線や赤外線による影響、特に封止樹脂材、接着剤の劣化や、熱の影響を少なくすることができる。 By the light transmittance from the ultraviolet to the infrared in the above range, the effect of ultraviolet or infrared rays, in particular the sealing resin material, deterioration of the adhesive, reducing the influence of heat. 光透過率を上記範囲とするために、樹脂材料中に染料や、顔料を分散させてもよい。 To the light transmittance within the above range, and dyes in a resin material, it may be dispersed pigments.

【0058】電磁シールドとしては、従来より電磁シールド剤として用いられている種々の部材を用いることができる。 [0058] As the electromagnetic shield, it is possible to use various members which are used as an electromagnetic shielding agent conventionally. 具体的には、Al、Ni、Cr、Co、Cu、 Specifically, Al, Ni, Cr, Co, Cu,
Zn、Sn、Fe、Ag、Au等の1種または2種以上の金属薄膜や、フェライト等の各種磁性材料、上記金属粒子や、炭素粒子などを樹脂中に分散した導電性塗膜等を挙げることができる。 Include Zn, Sn, Fe, Ag, and one or more metal thin film such as Au, various magnetic materials such as ferrite, and the metal particles, a conductive coating film or the like dispersed and carbon particles in the resin be able to.

【0059】電磁シールドは、直接スパッタ、蒸着、塗布などにより内部封止体、あるいは外部封止体に形成してもよいし、フィルム上に形成されたものを貼り付けてもよい。 [0059] electromagnetic shield directly sputtering, vapor deposition, inside the sealing body due to coating, or may be formed outside the sealing body may be attached to those formed on the film. これらの薄膜の厚さは、通常、1μm 〜1mm程度である。 The thickness of these films is generally of the order of 1 [mu] m ~ 1 mm.

【0060】電磁シールドは、有機EL構造体からのノイズを外部に漏洩させないようにする場合、駆動用電気回路素子ないしIC等の電子部品を外部ノイズから保護する場合等、使用目的に合わせて適切な位置に形成するとよい。 [0060] electromagnetic shield case, that will be prevented from leaking noise from the organic EL structure to the outside, like the case where to drive no electrical circuit element for protecting the electronic components such as IC from external noise, suitable in accordance with the intended use it may be formed to Do position.

【0061】次に、図を参照しつつ本発明のよリ具体的な構成について説明する。 Next, will be described while referring to good re specific configurations of the present invention FIG.

【0062】図1は本発明の第1の構成例を示した概略断面図である。 [0062] Figure 1 is a schematic sectional view showing a first configuration example of the present invention. 図において、本発明の有機EL素子モジュールは、基板1上に形成されている下部電極11と、 In the figure, the organic EL element module of the present invention includes a lower electrode 11 formed on the substrate 1,
上部電極13とこれらの間にある発光機能に関与する有機層12とからなる有機EL構造体を有する。 An organic EL structure formed of an organic layer 12 which is involved in the upper electrode 13 light-emitting function in between. ここで、 here,
通常、下部電極11は、ホール注入電極として、ITO Usually, the lower electrode 11, a hole injection electrode, ITO
等の透明電極により形成され、上部電極は、電子注入電極として、低仕事関数、低抵抗の金属薄膜等により形成されているが、用途によりこの逆の構成であったり、種々の変形、改良が加えられている。 Is formed by a transparent electrode etc., the upper electrode, an electron injecting electrode, low work function, are formed by a metal thin film or the like having a low resistance, or a reverse configuration depending on the application, various modifications, improvements It has been added. また、有機層12 In addition, the organic layer 12
は、ホール注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の発光機能に関与する有機物質を含有する機能性薄膜により構成されている。 , The hole injecting and transporting layer, light emitting layer are constituted by functional thin film containing an organic material which is involved in light emission function, such as an electron injection transport layer.

【0063】そして、この有機EL構造体を覆うように内部封止体3が配置され、接着剤4により固定・封止されている。 [0063] Then, the internal sealing body 3 so as to cover the organic EL structure is arranged, it is sealed fixed-sealing with an adhesive 4.

【0064】また、前記内部封止体3の外側には、これを内包しうる大きさの外部封止体6が配置され、固定・ [0064] Also, wherein the outside the inner sealing body 3, which external sealing body 6 of size capable of enclosing is disposed fixed and
封止されている。 It is sealed. この外部封止体6は配線基板、好ましくはビルドアップ基板である。 The outer sealing body 6 is the wiring board is preferably built-up substrate. また、この外部封止体6 In addition, the external sealing body 6
は、この例では、上部を形成する部分と側部を形成する部分とに分割されていて、それぞれ異方性導電樹脂、異方性導電フィルム、導電性接着剤、ハンダ付等等の接続固定手段7により接続固定されている。 In this example, it is divided into a portion forming a part and side to form an upper, anisotropic conductive resin, respectively, the anisotropic conductive film, conductive adhesive, the connection fixing such soldering It is connected and fixed by means 7. また、基板上の回路パターン22aと、外部封止体6とは、やはり異方性導電樹脂、異方性導電フィルム、導電性接着剤、ハンダ付等の接続固定手段7により接続固定され、電気的な導通が図られると共に、密閉され、封止されることとなる。 Further, a circuit pattern 22a on the substrate, the external sealing member 6, also anisotropic conductive resin, the anisotropic conductive film, conductive adhesives, are connected and fixed by connecting the fixing means 7 such as soldering, electrical specific with conduction is achieved, sealed, and be sealed.

【0065】また、前記基板上の回路パターン22aには有機EL構造体の制御電気回路ないしIC、駆動電気回路ないしIC等の一部を構成する回路素子21aがC [0065] Further, control circuitry to IC organic EL structure on the circuit pattern 22a on the substrate, to not drive the electric circuit the circuit element 21a constituting a part such as an IC is C
OG実装、配置されている。 OG implementation, are located. また、外部封止体6である配線基板上には、やはり制御電気回路ないしIC、駆動電気回路ないしIC等の一部を構成する回路素子21 Further, the wiring board is outside the sealing body 6, also the control electric circuit through IC, to no driving electric circuit constituting a part such as an IC circuit element 21
b、21cがCSP実装されている。 b, 21c are CSP implemented. なお、この例では外部封止体6の表裏両方に回路素子21b、21cを実装しているが、装置の仕様や回路設計などによりいずれの側に設けてもよいし、基板上の回路素子21aのみとしてもよく、これらを単独で設けるか、必要により組み合わせるかは任意である。 Incidentally, the front and back both circuit elements 21b of the outer sealing body 6 in this example, have implemented 21c, may be provided on either side due to specifications and the circuit design of the device, the circuit elements 21a on the substrate may be a chisel, or providing these alone, or combined with the need is optional. また、外部封止体6には、図示しない接続手段を介して外部の回路、例えば、ホストコンピュータ、リモートコントロールパネル、主制御回路等と接続されるようになっている。 Further, the external sealing member 6, an external circuit via the connection means, not shown, for example, a host computer, and is connected a remote control panel, a main control circuit and the like.

【0066】このように、外部封止体6として、配線基板を用い、これに有機EL構造体の制御回路、駆動回路等の一部を構成する回路を形成することで、装置全体がコンパクトになると共に、複雑な回路も容易に形成でき、ノイズや外乱にも強く、しかも封止効果も向上する。 [0066] Thus, as an external sealing body 6, using a wiring board, the control circuit of this organic EL structure, by forming a circuit constituting a part of a driver circuit and the like, the entire apparatus compact together it becomes also possible to readily form complex circuits, resistant to noise and disturbance, yet also improved sealing effect. なお、上記例では外部封止体6として、配線基板を上部と側部とに分割しているが、これを一体としたような形状のものを用いてもよい。 Incidentally, as the external sealing body 6 in the above example, although dividing the wiring substrate into an upper and side, which may be used a shape, as an integral.

【0067】図2は、本発明の第2の構成例を示す概略断面図である。 [0067] Figure 2 is a schematic sectional view showing a second configuration example of the present invention. この例では、第1の構成例において、内部封止体3の内部に吸湿剤5を配置し、内部の水分を除去するようにしたものである。 In this example, in the first configuration example, the desiccant 5 placed in the inner sealing body 3, in which so as to remove moisture inside. このように、封止体により2重に封止すると共に、吸湿剤5により水分を除去することで、有機EL構造体を水分から強力に保護することができ、有機EL構造体の寿命を飛躍的に向上させることができる。 Thus, the sealed doubly by the sealing body, by removing moisture by hygroscopic agent 5, the organic EL structure can be strongly protected from moisture, leap lifetime of the organic EL structure it can be improved.

【0068】図3は、本発明の第3の構成例を示す概略断面図である。 [0068] Figure 3 is a schematic sectional view showing a third configuration example of the present invention. この例では、内部封止体3上に、電磁シールド23を形成・配置している。 In this example, on the inner sealing body 3, and forming and arranging the electromagnetic shield 23. この電磁シールド2 The electromagnetic shield 2
3は、外部封止体6上に実装されている回路素子21b 3, the circuit element 21b that is mounted on the external sealing member 6
に対して、有機EL構造体から生じた電磁波を遮断するものである。 Respect, it is to block the electromagnetic waves generated from the organic EL structure. これにより、有機EL構造体から発生する電磁波が遮断ないし減衰され、制御用電気回路素子ないしIC・駆動用電気回路素子ないしIC等の回路素子が保護される。 Accordingly, electromagnetic waves generated from the organic EL structure is blocked or attenuated, to no electrical circuit element for IC · drive to control no electrical circuit element is a circuit element such as an IC is protected. 従って、内部封止体3上に実装される回路素子21aは、比較的電磁ノイズに弱い有機EL構造体を駆動制御する制御IC(LSI)等を配置するとよい。 Therefore, the circuit elements 21a to be mounted on the inner sealing body 3, may be arranged relatively electromagnetic noise weak organic EL structure of the control IC for controlling driving (LSI) or the like.

【0069】また、電磁シールド23の一部、またはこれと接続されている配線パターンが基板上のパターン2 [0069] The pattern part, or which as the connected wiring pattern on the substrate of the electromagnetic shield 23 2
1a(特にグランド、またはフレームグランド)と接続されていて、シールド効果を高めている。 1a be connected (in particular ground or frame ground) and, to enhance the shielding effect. その他の構成は第1、または第2の構成例と略同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 Other configurations are substantially the same as the first or the second configuration example, and the same components will not be described are denoted by the same reference numerals.

【0070】図4は、本発明の第4の構成例を示す概略断面図である。 [0070] Figure 4 is a schematic sectional view showing a fourth configuration example of the present invention. この例では、第1の構成例において、上部と側部とに分離されていた外部封止体6を一体として形成すると共に、外部封止体6と基板1との接合部に、 In this example, in the first configuration example, the external sealing member 6 which has been separated into an upper and side so as to form an integral, at the junction of the outer sealing body 6 and the substrate 1,
さらに2次封止8を形成したものである。 In which further the formation of the 2 Tsugifutome 8. このように、 in this way,
基板面との接合部分を2次封止することにより、さらに強力に封止を行うことができ、さらに素子の劣化を防止し、寿命を延ばすことができる。 By 2 Tsugifutome the junction between the substrate surface, further strongly can make sealing, further preventing deterioration of the element, it is possible to prolong the service life. 2次封止8に用いられる封止剤としては、封止用接着剤の他、COG実装に用いられている固定用樹脂や、汎用のエポキシ系樹脂等、 The sealant used in the 2 Tsugifutome 8, other sealing adhesives, and fixing resin used in the COG mounting, a general-purpose epoxy resin or the like,
気密性を保持し、長期間接着効果が維持可能なものであれば特に限定されるものではない。 Holding the airtightness, but the invention is not particularly limited as long as a long period of time the adhesive effect can be maintained. その他の構成は第1、または第2の構成例と略同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 Other configurations are substantially the same as the first or the second configuration example, and the same components will not be described are denoted by the same reference numerals.

【0071】図5は、本発明の第5の構成例を示す概略断面図である。 [0071] Figure 5 is a schematic sectional view showing a fifth configuration example of the present invention. この例では、基板上にのみ回路素子21 In this example, only on the substrate circuit element 21
aを配置し、外部封止体6上には回路素子を配置していない。 Place a, not arranged the circuit elements on the outer sealing body 6. この場合、外部封止体6が、各回路素子21aを接続したり、複雑な配線構造を形成する機能を果たし、 In this case, the external sealing member 6 is, play or connect the circuit elements 21a, the function of forming a complex wiring structure,
回路素子自体は、負荷となる有機EL構造体の近傍に配置することで、効果的に有機EL構造体を駆動することができる。 Circuit element itself, by placing in the vicinity of the organic EL structure as a load can be driven effectively organic EL structure. また、第4の構成例において、2次封止した外部封止体6の基板1との接合部に加え、上部を構成する外部封止体6と側部を構成する外部封止体6の接合部に、さらに2次封止8を形成したものである。 In the fourth configuration example, in addition to the junction between the substrate 1 of the outer sealing body 6 which seals the secondary seal, the outer sealing body 6 constituting the outer sealing body 6 and the side constituting the upper the joint is a further form 2 Tsugifutome 8. このように、外部封止体同士の接合部分をも2次封止することにより、さらに強力に封止を行うことができ、さらに素子の劣化を防止し、寿命を延ばすことができる。 Thus, by 2 Tsugifutome also the joint portion between the outer sealing member, further strongly can make sealing, further preventing deterioration of the element, it is possible to prolong the service life. また、外部封止体6が遮光部材として機能し、外部光による回路素子21aへの悪影響をも排除することとなり、誤動作を防止できる。 The functions outside the sealing body 6 as a light-shielding member, it becomes possible to eliminate adverse effects on the circuit element 21a with external light, malfunction can be prevented. その他の構成は第4の構成例と略同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 Other configurations are substantially the same as the fourth configuration example, the same components will not be described are denoted by the same reference numerals.

【0072】図6は、本発明の第6の構成例を示す概略断面図である。 [0072] Figure 6 is a sixth schematic sectional view showing a configuration example of the present invention. この例では、外部封止体上に、外部の回路との接続を行うための外部接続手段24を配置している。 In this example, on the outer sealing member are arranged external connection means 24 for connection with an external circuit. この外部接続手段24は、装置の仕様等により、接続に適した位置に配置される。 The external connecting means 24, the specifications of the apparatus, are disposed in suitable connecting position. この外部接続手段24 This external connection means 24
は、基板用コネクタ、ピン端子、多芯ケーブルコネクタ等基板間等の接続に用いられている通常の接続手段を用いることができる。 May use conventional connecting means used board connector, pin terminals, the connection such as between the multi-core cable connector or the like substrate. また、この外部接続手段24からは、フラットケーブル、FPC(フレキシブルプリント基板)、異方性導電ゴム等の接続媒体25を用いて、外部のホストコンピュータ、主制御装置、リモートコントロールパネル、他の表示装置等と接続されるようになっている。 Further, from the external connection means 24, the flat cable, FPC (flexible printed circuit board), using a connecting medium 25 such as an anisotropic conductive rubber, an external host computer, a main controller, a remote control panel, other display It is adapted to be connected to the apparatus. この場合、信号線としては、通常、プロセッサ等の制御手段の処理に必要なデータが転送可能な本数でよく、コネクタやケーブルが小型で済み、線径が太いケーブル等を使用する必要もなく、信頼性も良好なものとなる。 In this case, the signal line, usually, be a number of data can be transferred required for processing control unit such as a processor, requires connectors and cables small, there is no need to use a wire diameter thick cable or the like, reliability becomes good. また、外部封止体6の内側、つまり内部封止体3 Further, the inside of the outer sealing body 6, i.e. the internal encapsulant 3
側に、回路素子21cを配置している。 On the side, it is disposed circuit elements 21c. このように回路素子21cを内側に配置することにより、回路素子21 By thus disposing the circuit elements 21c inside, the circuit elements 21
cが光やノイズなどの外部の影響を受け難くなると共に、外部に突出する部分が少なくなり、装置をさらにコンパクトにすることができる。 c together is less susceptible to external influences such as light and noise, the less portion projecting to the outside, can be made more compact device.

【0073】その他の構成は第4の構成例と略同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 [0073] Other configurations are substantially the same as the fourth configuration example, and the description thereof is omitted denote the same components.

【0074】以上の各構成例では、内部封止体に対し、 [0074] In the above example the arrangement, to the internal sealing member,
これを内側に所定の空間をおいて配置される外部封止体を1つ配置した例を示したが、必要により外部封止体は複数あってもよく、上記各構成例の外側にさらに封止体を設けるような構成であってもよい。 While this shows an example in which one of the external sealing body which is arranged at a predetermined space inside, outside the sealing body if necessary may be a plurality, further sealing the outside of the respective configuration examples it may be such a structure as provided stop member.

【0075】有機EL構造体(ディスプレイ本体)を駆動するための回路は、例えば図7に示すように、ディスプレイに表示するデータや、表示に関するデータを与える主制御手段111を有し、この主制御手段111から与えられる表示データに応じて有機ELディスプレイの走査電極、データ電極を駆動する信号である走査電極駆動信号、データ電極駆動信号を送出するディスプレイ制御手段112を有する。 [0075] The organic EL structure circuit for driving a (display body), for example, as shown in FIG. 7, a data and to be displayed on the display, the main control unit 111 to provide data related to the display, the main control a display control means 112 for sending scanning electrodes of the organic EL display according to the display data supplied from the means 111, the scan electrode driving signal is a signal for driving the data electrodes, a data electrode driving signal. さらにこのディスプレイ制御手段112と接続され、主制御手段111等から与えられる表示データをマトリクスデータ、ビットマップデータ等に展開するためのデータや、あらかじめ決められた表示内容のデータ等を格納する表示データ記憶手段113 Further connected to the the display control unit 112, the main control unit matrix data display data given from the 111, etc., and data for into bitmap data, display data for storing data of the display contents to a predetermined storage means 113
と、ディスプレイ制御手段112からの走査電極駆動信号、データ電極駆動信号により、有機EL構造体(有機ELディスプレイ本体)116の走査電極、データ電極を駆動する走査電極駆動手段114と、データ電極駆動手段115とを有する。 When the scanning electrode driving signals from the display control unit 112, the data electrode driving signal, the organic EL structure (organic EL display body) 116 of the scanning electrode, a scanning electrode driving means 114 for driving the data electrodes, a data electrode driving means and a 115.

【0076】主制御手段111は、有機EL構造体11 [0076] The main control unit 111, the organic EL structure 11
6に表示させる表示データを与えたり、表示データ記憶手段113に記憶されている表示データを指定したり、 Or apply display data to be displayed on the 6, to specify the display data stored in the display data storage unit 113,
表示に必要なタイミングや制御データを与えたりする。 Or giving the timing and control data required for the display.
この制御手段111は、通常、汎用のマイクロプロセッサ(MPU)と、このMPUと接続されている記憶媒体(ROM、RAM等)上の制御アルゴリズム等により構成することができる。 The controller 111, typically, can be configured with a general-purpose microprocessor (MPU), a storage medium connected with the MPU (ROM, RAM, etc.) with a control algorithm or the like on. 制御手段11は、CISC、RI Control means 11, CISC, RI
SC、DSP等プロセッサの態様を問わず使用可能であり、その他ASIC等論理回路の組み合わせなどにより構成してもよい。 SC, may be used regardless of the mode of DSP such as the processor, may be constituted by a combination of other ASIC such as a logic circuit. また、この例では主制御手段111は独立に設けているが、ディスプレイ制御手段112や、 Further, although the main control unit 111 provided separately in this example, and the display control unit 112,
ディスプレイが備え付けられる装置の制御手段等と一体としてもよい。 Display may be integrated with the control means of the apparatus to be equipped.

【0077】ディスプレイ制御手段112は、主制御手段111等から与えられる表示データ等を解析し、必要により表示データ記憶手段113に格納されているデータを検索して、その表示データを有機ELディスプレイ上の所定の位置に表示させるためのマトリクスデータに変換する。 [0077] Display control unit 112 includes a main control unit analyzes the display data and the like given from 111 etc., by searching the data stored in the display data storage unit 113 if necessary, an organic EL on the display the display data converting the matrix data to be displayed on a predetermined position. すなわち、表示する画像(イメージまたはキャラクタ)データが、各マトリクスの交点で与えられる有機EL素子の画素単位のドットデータとした場合、そのドット座標を与える走査電極とデータ電極を駆動するような信号を発生する。 That is, the image (image or characters) data to be displayed, when the dot data of pixel units of the organic EL device given by the intersection of each matrix, a signal for driving the scan electrodes and the data electrodes providing the dot coordinates Occur. また、上記のような各フレーム単位での駆動や、走査電極とデータ電極の駆動比(デューティ)制御等も行う。 Also performs drive and in each frame as described above, the drive ratio of the scan electrodes and the data electrodes (duty) also control.

【0078】ディスプレイ制御手段112は、例えば、 [0078] Display control unit 112, for example,
所定の演算機能を有するプロセッサや複合論理回路、前記プロセッサ等が外部の主制御手段等とのデータの授受を行うためのバッファ、制御回路へのタイミング信号、 Processor or composite logic circuit having a predetermined arithmetic function, a buffer for transferring data between the processor and the like outside of the main control unit or the like, the timing signal to the control circuit,
表示タイミング信号や外部記憶手段等への読み出し、書き込みタイミング信号等を与えるタイミング信号発生回路(発振回路)、外部の記憶手段から表示データ等の授受を行う記憶素子制御回路、外部の記憶素子から読み出したり、外部から与えられ、あるいはこれを加工することにより得られた表示データを駆動信号として送出する駆動信号送出回路、外部から与えられる表示機能や表示させるディスプレイ等に関するデータ、制御コマンド等を格納する各種レジスタ等により構成することができる。 Reading from the display timing signal or the external storage unit, etc., a timing signal generating circuit (oscillation circuit) for giving a write timing signal and the like, the storage device control circuit for transferring such as a display data from the external storage unit, read from the external storage device or, it is given from the outside or the drive signal transmitting circuit for transmitting the display data obtained by processing this as a drive signal, and stores data relating to a display or the like for displaying functions and display an externally applied control commands such as It may be composed of various registers or the like.

【0079】表示データ記憶手段113は、外部から与えられた画像データを、ディスプレイ上にマトリクスデータとして展開するためのデータ(変換テーブル)や、 [0079] The display data storage unit 113, the image data supplied from the outside, the data (conversion table) and for expanding the matrix data on the display,
所定のキャラクタデータやイメージデータをそのままマトリクスデータに展開したデータ等が格納され、それぞれ必要に応じて格納位置(アドレス)を指定することにより読み出し(書き込み)が可能なようになっている。 Data or the like as it is expanded into matrix data a predetermined character data and image data are stored, so that the possible read (write) by specifying the storage location each optionally (address).
このような、表示データ記憶手段としてはRAM(VR Such as the display data memory means RAM (VR
AM)、ROM等の半導体記憶素子を好ましく挙げることができるが、これに限定されるものではなく、光や磁気を応用した記憶媒体を用いてもよい。 AM), there may be mentioned preferably a semiconductor memory device such as ROM, it is not limited thereto, it may be used a storage medium which applies the optical and magnetic.

【0080】走査電極駆動手段114およびデータ電極駆動手段115はディスプレイ制御手段112から与えられた走査電極駆動信号、データ電極駆動信号に応じて走査電極、データ電極を駆動する。 [0080] The scan electrode driving unit 114 and the data electrode driving unit 115 scan electrode driving signal supplied from the display control unit 112, the scan electrode, driving the data electrodes in accordance with the data electrode driving signals. 有機ELディスプレイを構成する有機EL素子は電流駆動により発光する発光素子である。 The organic EL element constituting the organic EL display is a light emitting element which emits light by current driving. このため、通常電圧信号として与えられる走査電極駆動信号、データ電極駆動信号を所定の電流値の信号に変換し、これを所定の走査電極、データ電極に与えることにより駆動する。 Therefore, the scanning electrode driving signal provided as a normal voltage signal, converts the data electrode driving signals to the signal of a predetermined current value, which predetermined scanning electrodes are driven by applying to the data electrodes.

【0081】より具体的には、必要な電流容量を有する電圧−電流変換素子、あるいは増幅素子(電力増幅)等を用いて、所定位置の走査電極、データ電極を駆動する。 [0081] More specifically, a voltage having a necessary current capacity - current conversion element or using an amplification element (power amplifier) ​​or the like, and drives the scan electrodes, data electrodes in a predetermined position. このような駆動回路として、オープンドレイン、オープンコレクタ回路、トーテムポール接続、プッシュプル接続等が挙げられる。 As such a driving circuit, open drain, open-collector circuit, totem-pole connected, the push-pull connection, and the like. 電圧−電流変換素子、あるいは増幅素子としては、リレー等の有接点デバイスを用いることも考えられるが、動作の高速性、信頼性等を考慮すると、トランジスタ、FETおよびこれらと同等の機能を有する半導体素子が好ましい。 Voltage - Semiconductor as the current converting element or amplifier elements, it is conceivable to use a reed device such as a relay, having a high speed of operation, in consideration of reliability and the like, a transistor, an FET and function equivalent to those element is preferable. これら半導体素子は、 These semiconductor devices,
電源側または接地側のいずれかに走査電極、データ電極を接続する。 Either the scan electrodes of the power supply side or the ground side, to connect the data electrodes. ここで、電源側、接地側とは直接電源や接地ラインに接続する場合の他、電流制限抵抗、保護用デバイス、レギュレータ等の素子を介して接続する場合も含まれる。 Here, the power supply side, the other when connecting directly to power supply and ground lines to the ground side, a current limiting resistor, a protective device, but also the case of connecting via the device such as a regulator.

【0082】本発明では上記回路構成要素のうち、特にディスプレイ制御手段112、表示データ記憶手段11 [0082] Among the circuit components in the present invention, in particular a display control unit 112, the display data storage unit 11
3、走査電極駆動手段114およびデータ電極駆動手段115等を回路素子およびその周辺の回路として基板上や外部封止体に形成することが好ましい。 3, is preferably formed on the substrate and external sealing body scanning electrode driving means 114 and the data electrode driving means 115 such as a circuit element and its peripheral circuits. また、その他の回路との接続には、前記のように外部封止体上など、 Further, the connection with other circuits, such as the above manner external seal member,
配置しやすく、取り出しが容易な箇所などに配置された外部接続手段を用いて接続される。 Arrangement easily, is connected with the external connection means taken out is arranged such facilitated locations.

【0083】上記回路は有機EL構造体(有機ELディスプレイ本体)を駆動するための回路構成の一例にすぎず、同等な機能を有するものであれば他の回路構成をとることも可能である。 [0083] The above circuit is just one example of a circuit configuration for driving the organic EL structure (organic EL display body), it is also possible to take other circuit configurations as long as it has equivalent functions. また、ディスプレイ制御手段、走査電極駆動手段およびデータ電極駆動手段等と明確に分割せずにこれらが渾然一体となった構成であってもよい。 The display control means may have a configuration in which they are blend together without clearly divided and the scan electrode driving means and data electrode driving means or the like. また、上記例では主に単純マトリクスタイプのディスプレイについて説明しているが、TFT等を用いた、 Further, in the above example it is mainly described simple matrix type of display, but using a TFT or the like,
アクティブマトリクスタイプのディスプレイであってもよい。 It may be a display of active matrix type. なお、これらの回路装置は、通常、1種または2 Note that these circuit devices, typically, one or
種以上のICおよびその周辺部品として構成されている。 Is configured as above IC and peripheral components that species.

【0084】本発明の有機EL構造体は、例えば、基板上に組以上のマトリクス配置された走査電極(電子注入電極)およびデータ電極(ホール注入電極)を有し、これらの電極の間に有機層であるホール注入・輸送層、発光および電子注入輸送層、必要により保護層が積層され、さらにこの上にガラス等の封止板を配置した構成を有する。 [0084] The organic EL structure of the invention, for example, a pair or more matrix arranged scanning electrodes on a substrate (an electron injecting electrode) and data electrodes (hole injection electrode), an organic between the electrodes hole injecting and transporting layer is a layer, light emitting and electron injecting and transporting layer, the protective layer if necessary are stacked and further has a configuration of arranging the sealing plate of glass or the like thereon.

【0085】封止板上に形成された回路はボールボンドまたはワイヤーボンドにより基板上の回路と電気的に接続され、それぞれ走査電極(電子注入電極)およびデータ電極(ホール注入電極)と接続される。 [0085] circuits formed on the sealing plate is circuit electrically connected on the substrate by ball bonding or wire bonding, are connected to the respective scanning electrodes (electron injection electrode) and data electrodes (hole injection electrode) . これにより、 As a result,
封止板上の走査電極駆動手段(回路)およびデータ電極駆動手段(回路)と、走査電極(電子注入電極)およびデータ電極(ホール注入電極)とが接続されることとなる。 Scanning electrode driving means on the sealing plate (circuit) and the data electrode driving means (the circuit), a scanning electrode (electron injecting electrode) and data electrodes (hole injecting electrode) is to be connected.

【0086】有機EL構造体は、次のようなものである。 [0086] The organic EL structure is as follows. 発光層は、ホール(正孔)および電子の注入機能、 The light-emitting layer, holes and electrons, the injection function,
それらの輸送機能、ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する。 Their transport function, a function to create excitons recombining holes and electrons. 発光層には、比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。 The light-emitting layer, it is preferable to use a relatively electronically neutral compound.

【0087】ホール注入輸送層は、ホール注入電極からのホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、 [0087] hole injecting and transporting layer has functions of facilitating injection of holes from the hole injecting electrode, those having a function of preventing function and the electron transporting them stably Hall,
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機能を有するものである。 Electron injecting and transporting layer has functions of facilitating injection of electrons from the electron injecting electrode has a function to stably transport electrons and function blocking holes. これらの層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。 These layers are effective for increasing the holes and electrons injected into the light emitting layer and confining therein for optimizing the recombination region to improve light emission efficiency.

【0088】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものではなく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm [0088] thickness of the light emitting layer, the thickness of the thickness and the electron injecting and transporting layer of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited, it varies depending on forming method, usually 5~500nm
程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。 Extent, it is preferable that the particular 10 to 300 nm.

【0089】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすればよい。 [0089] The thickness of the thickness of the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer, depending on the recombination-emission region of the design may be the same degree as the thickness of the light-emitting layer or a 1 / 10-10 times. ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とするのが好ましい。 If separating the the injection layer of each of the hole or electron transport layer, injection layer is 1nm or more and the transporting layer is preferably not less than 1nm. このときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm Injection layer of this time, the upper limit of the thickness of the transport layer is generally, 500 nm approximately at injection layer, 500 nm in transport layer
程度である。 It is the degree. このような膜厚については、注入輸送層を2層設けるときも同じである。 For such a film thickness, it is also the same when providing two injecting and transporting layers.

【0090】有機EL素子の発光層には、発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。 [0090] The light emitting layer of the organic EL element, contains a fluorescent material that is a compound capable of emitting light. このような蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469 Examples of such a fluorescent substance, for example, JP 63-26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられる。 Compounds as disclosed in 2 JP, for example quinacridone, rubrene, at least one can be cited are selected from compounds such as styryl dyes. また、トリス(8 In addition, tris (8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体等が挙げられる。 - quinolinolato) quinoline derivatives of 8-quinolinol or a derivative thereof, such as aluminum and metal complex dyes as ligands, tetraphenyl butadiene, anthracene, perylene, coronene, and 12-phthaloperinone derivatives. さらには、特開平8−12600号公報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアントラセン誘導体、特開平8−12969号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘導体等を用いることができる。 Furthermore, phenyl anthracene derivative described in JP-A 8-12600 Patent Publication (Japanese Patent Application No. Hei 6-110569), tetraarylethene derivatives described in JP-A-8-12969 Patent Publication (Japanese Patent Application No. Hei 6-114456), etc. it can be used.

【0091】また、それ自体で発光が可能なホスト物質と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントとしての使用が好ましい。 [0091] Further, it is preferable to use in combination with light emission by itself, that can host material, used as a dopant is preferable. このような場合の発光層における化合物の含有量は0.01〜20wt% 、さらには0. Content 0.01 to 20% of the compound in the light emitting layer in such a case, further 0.
1〜15wt% であることが好ましい。 It is preferable that the 1~15wt%. ホスト物質と組み合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上する。 By using in combination with the host material, it is possible to change the light emission wavelength of the host material, allowing light emission to be shifted to a longer wavelength and improving the luminous efficiency and stability of the device.

【0092】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。 [0092] As the host material, preferably quinolinolato complexes, and aluminum complexes containing a ligand of 8-quinolinol or a derivative thereof. このようなアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469 Such aluminum complexes, JP 63-26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073 No. 2, JP-A-3-255190, JP-A 5-7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158 No. 3, JP-A-5-258859, JP-A 6-2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。 It may be mentioned those disclosed in 74 No. like.

【0093】具体的には、まず、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス〔ベンゾ(f)−8−キノリノラト〕亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、 [0093] Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis [benzo (f) -8-quinolinolato] zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ− Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolato tritium, tris (5-chloro -
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8− 8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ− Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolato aluminum, tris (5,7-dibromo -
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メタン]等がある。 8-hydroxy-quinolinolato) aluminum, poly [zinc (II) - bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane], and the like.

【0094】このほかのホスト物質としては、特開平8 [0094] As the other host materials, JP-8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296 Phenyl anthracene derivative, JP-A according to -12600 Patent Application (Japanese Patent Application No. Hei 6-110569) 8-1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘導体なども好ましい。 Such tetraarylethene derivatives described in 9 JP (Japanese Patent Application No. Hei 6-114456) is also preferred.

【0095】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 [0095] The light-emitting layer may also serve as an electron injecting and transporting layer, it is preferable this case to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. これらの蛍光性物質を蒸着すればよい。 These fluorescent materials may be evaporated.

【0096】また、発光層は、必要に応じて、少なくとも1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、 [0096] The light-emitting layer, if necessary, it is also preferable to mix layers of at least one hole injecting and transporting compound and at least one electron injecting and transporting compound,
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが好ましい。 Further it is preferable to incorporate a dopant into the mixed layer. このような混合層における化合物の含有量は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% とすることが好ましい。 The content of the dopant compound in the mixed layer, 0.01 to 20%, more preferably in a 0.1 to 15%.

【0097】混合層では、キャリアのホッピング伝導パスができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるため、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命がのびるという利点がある。 [0097] In the mixed layer with a hopping conduction path available for carriers, each carrier migrates in the polar favorable materials, it becomes difficult to occur carrier injection of a reverse polarity, the organic compound becomes less susceptible to damage , there is an advantage that extend the device life. また、前述のドーパントをこのような混合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移行させることができるとともに、発光強度を高め、素子の安定性を向上させることもできる。 In addition, by incorporating into such a mixed layer of the aforementioned dopant, it is possible to change the emission wavelength the mix layer itself possesses, with the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength, increasing the luminous intensity, it is also possible to improve the stability of the device.

【0098】混合層に用いられるホール注入輸送性化合物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中から選択すればよい。 [0098] hole injecting and transporting compound used in the mixed layer and the electron injecting and transporting compound, respectively, may be selected from compounds and compounds for the electron injection transport layer for the hole injecting and transporting layer to be described later. なかでも、ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、 Among them, as the compounds for the injection and transportation of holes, amine derivatives having strong fluorescence,
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。 Triphenyl diamine derivative such as hole transport material, further styrylamine derivative is preferable to use amine derivatives having an aromatic fused ring.

【0099】電子注入輸送性の化合物としては、キノリン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好ましい。 [0099] As the compounds capable of injecting and transporting electrons include quinoline derivatives, further metal complexes having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, it is particularly preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3). また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラアリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。 The aforementioned phenylanthracene derivatives, also to use a tetraarylethene derivatives.

【0100】ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。 [0100] As compounds for the injection and transportation of holes is used amine derivatives having strong fluorescence, for example triphenyl diamine derivative which is above hole transport material, further styrylamine derivatives, and amine derivatives having an aromatic fused ring preference is.

【0101】この場合の混合比は、それぞれのキャリア移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましくは10/90〜90/10、特に好ましくは20/80 [0102] The mixing ratio in this case will depend on the respective carrier mobility and carrier concentration, in general, the weight ratio of the compound having the compound / electron injection transport function of the hole injecting and transporting compound is 1/99 to 99/1, more preferably 10 / 90-90 / 10, particularly preferably 20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。 It is preferable to be about 80/20. また、混合層の厚さは、分子層一層に相当する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが好ましい。 The thickness of the mixed layer above thickness corresponding to more molecular layers, is preferably less than the thickness of the organic compound layer. 具体的には1〜85nmとすることが好ましく、さらには5 Preferably to 1~85nm Specifically, more 5
〜60nm、特には5〜50nmとすることが好ましい。 60 nm or less, and particularly it is preferable that the 5 to 50 nm.

【0102】また、混合層の形成方法としては、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもできる。 [0102] Further, the mixed layer is formed by co-evaporation where the selected compounds are evaporated from different evaporation sources. If the vapor pressure (evaporation temperature) is approximately equal or very close, are mixed in advance in the same evaporation boat leave, it can also be deposited. 混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ましいが、場合によっては、化合物が島状に存在するものであってもよい。 Mixed layer is preferably Write compounds are uniformly mixed together, in some cases, may be one compound is present in an island shape. 発光層は、一般的には、有機蛍光物質を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させてコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形成する。 Emitting layer is generally either evaporating an organic fluorescent material or by coating a dispersion thereof in a resin binder, forming the light emitting layer to a predetermined thickness.

【0103】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭6 [0103] The hole injecting and transporting layer, for example, JP 6
3−295695号公報、特開平2−191694号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234681 3-295695, JP-A No. 2-191694, JP-A No. 3-792, JP-A No. 5-234681
号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−2 JP, Hei 5-239455, JP-A No. 5-2
99174号公報、特開平7−126225号公報、特開平7−126226号公報、特開平8−100172 99174, JP-A No. 7-126225, JP-A No. 7-126226, JP-A No. 8-100172
号公報、EP0650955A1等に記載されている各種有機化合物を用いることができる。 JP, can be used various organic compounds described in EP0650955A1, and the like. 例えば、テトラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、 Examples are tetraarylbenzidine compounds (triaryldiamine or triphenyl-diamine: TPD), aromatic tertiary amine,
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。 Hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group, and polythiophenes. これらの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用してもよい。 These compounds may be used alone or in combination of two or more thereof. 2種以上を併用するときは、別層にして積層したり、混合したりすればよい。 When used in combination of two or more kinds, or stacked as separate layers, it may be or mixed.

【0104】ホール注入輸送層をホール注入層とホール輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いることができる。 [0104] When the hole injecting and transporting layer laminated divided into a hole injecting layer and the hole transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the injection and transportation of holes. このとき、ホール注入電極(ITO等)側からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate the hole injecting electrode (ITO, etc.) side in the order of a compound having a lower ionization potential. また、ホール注入電極表面には薄膜性の良好な化合物を用いることが好ましい。 Further, the hole injecting electrode surface it is preferable to use a compound having good thin film forming ability. このような積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination holds for the provision of the hole injecting and transporting layers. このような積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができる。 With such a stacking order, a driving voltage is reduced, it is possible to prevent the development and growth of dark spots of the current leakage. また、素子化する場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜も均一かつピンホールフリーとすることができるため、 Also, when a device is produced, it is possible to thin films of about 1~10nm also a uniform and pinhole-free because of the use of vapor deposition,
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。 Low ionization potential in the hole injection layer, be a compound such as having an absorption in the visible part, it is possible to prevent a decrease in efficiency due tone change and re-absorption of emission color. ホール注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着することにより形成することができる。 Hole injection transport layer can be formed by depositing the above compound in the same way as the light emitting layer or the like.

【0105】電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。 [0105] For the electron injecting and transporting layer, tris (8-quinolinolato) quinoline derivatives of 8-quinolinol or its derivatives as aluminum (Alq3) or the like including an organic metal complex having a ligand, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, can be used nitro-substituted fluorene derivatives. 電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 Electron injecting and transporting layer may also serve as a light emitting layer, in such a case it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. 電子注入輸送層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によればよい。 Forming the electron injection transport layer, like the light-emitting layer may according to the vapor deposition or the like.

【0106】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることができる。 [0106] When the electron injecting and transporting layer is formed separately as an electron injecting layer and the electron transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the electron injection transport layer. このとき、電子注入電極側から電子親和力の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate an electron injection electrode side in the order of a compound having a greater electron affinity. このような積層順については、電子注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination also applies where a plurality of electron injecting and transporting layers.

【0107】ホール注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、 [0107] hole injecting and transporting layer, since the formation of the light-emitting layer and the electron injecting and transporting layer, a homogeneous thin films are available,
真空蒸着法を用いることが好ましい。 Vacuum deposition method is preferably used. 真空蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2μm By utilizing vacuum evaporation, it is amorphous or has a crystal grain size is 0.2μm
以下の均質な薄膜が得られる。 Following uniform thin film can be obtained. 結晶粒径が0.2μm を超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、ホールの注入効率も著しく低下する。 When the grain size is more than 0.2 [mu] m, uneven light emission would have to increase the driving voltage of the device, also significantly reduced injection efficiency of the hole.

【0108】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1 [0108] conditions of vacuum deposition is not particularly limited, 1
-4 Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/ 0 -4 and a degree of vacuum below Pa, the deposition rate 0.01 to 1 /
sec 程度とすることが好ましい。 It is preferable that the order of sec. また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。 Further, it is preferable to form the layers continuously in a vacuum. 真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。 Be formed continuously in a vacuum, since the impurities in the interface between the layers can be prevented from being adsorbed, high characteristics are obtained. また、素子の駆動電圧を低くしたり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりすることができる。 It can also lower the driving voltage of the device, or can suppress the occurrence and growth of dark spots.

【0109】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着することが好ましい。 [0109] In the case of using the vacuum evaporation method for the formation of these layers, if to contain two or more compounds in one layer, it is preferable that co-evaporation with each boat containing compound individually temperature controlled.

【0110】また、有機EL構造体は上記有機層の他に、基板および基板上に有機層を挟み込むように形成された、ホール注入電極、電子注入電極等の機能性薄膜を有する。 [0110] Further, the organic EL structure in addition to the organic layer has been formed so as to sandwich the organic layer on the substrate and on the substrate, a hole injecting electrode, a functional thin film such as an electron injection electrode.

【0111】電子注入電極としては、低仕事関数の物質が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C [0111] As the electron injecting electrode is preferably material of a low work function, e.g., K, Li, Na, Mg, La, C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z e, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いることが好ましい。 n, a single metal element such as Zr or stability 2 component comprising them in order to improve, it is preferable to use an alloy system of the three components. 合金系としては、例えばAg・Mg(A As an alloy-based, for example, Ag · Mg (A
g:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01 g: 0.1~50at%), Al · Li (Li: 0.01
〜12at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、 ~12at%), In · Mg (Mg: 50~80at%),
Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が挙げられる。 Al · Ca (Ca: 0.01~20at%), and the like. なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成することが可能である。 The electron injecting electrode may be also formed by vapor deposition or sputtering.

【0112】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.5nm以上、 [0112] The thickness of the electron injection electrode thin film may be a certain level of thickness that enables sufficient electron injection, 0.5 nm or more,
好ましくは1nm以上、より好ましくは3nm以上とすればよい。 Preferably 1nm or more, more preferably be not less than 3 nm. また、その上限値には特に制限はないが、通常膜厚は3〜500nm程度とすればよい。 No particular limitation is imposed on the upper limit, usually the film thickness may be about 3 to 500 nm. 電子注入電極の上には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。 On the electron injecting electrode may be provided with a further auxiliary electrode or protective electrode.

【0113】蒸着時の圧力は好ましくは1×10 -8 〜1 [0113] pressure at the time of deposition is preferably 1 × 10 -8 ~1
×10 -5 Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれば100〜1400℃、有機材料であれば100〜50 In × 10 -5 Torr, the heating temperature of the evaporation source, if the metal material 100 to 1,400 ° C., as long as it is an organic material 100-50
0℃程度が好ましい。 About 0 ℃ is preferable.

【0114】ホール注入電極は、発光した光を取り出すため、透明ないし半透明な電極が好ましい。 [0114] hole injecting electrode in order to extract emitted light, transparent or translucent electrode is preferable. 透明電極としては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO The transparent electrode, ITO (tin-doped indium oxide), IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO 2 、I (Zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2, I
23等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。 n 2 is O 3 and the like, preferably ITO (tin-doped indium oxide), IZO (zinc-doped indium oxide) are preferred. ITOは、通常In 23とSnOとを化学量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚していてもよい。 ITO is generally contains In 2 O 3 and SnO in stoichiometric composition, O amount may deviate somewhat therefrom. ホール注入電極は、透明性が必要でないときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。 Hole injecting electrode, when there is not need transparency, it may be opaque known metallic material.

【0115】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5 [0115] The thickness of the hole injecting electrode may if it has a certain level of thickness that enables sufficient hole injection, preferably 5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好ましい。 0 to 500 nm, further a range of 50~300nm is preferred. また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと剥離などの心配が生じる。 In addition, although the upper limit is not particularly limited, resulting to worry about, such as too thick and peeling. 厚さが薄すぎると、製造時の膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。 Too thin, during production of the film strength or a hole transport capability, there is a problem in terms of resistance.

【0116】このホール注入電極層は蒸着法等によっても形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスD [0116] Although this hole injecting electrode layer may formed by an evaporation method, or the like, preferably the sputtering method, in particular a pulse D
Cスパッタ法により形成することが好ましい。 It is preferably formed by a C sputtering.

【0117】光を取り出す側の電極は、発光波長帯域、 [0117] extract light side electrode, the emission wavelength band,
通常350〜800nm、特に各発光光に対する光透過率が60%以上、特に70%以上であることが好ましい。 Usually 350 to 800 nm, in particular light transmittance of 60% or more for each emitted light, and particularly preferably 70% or more.
発光光は光取り出し側の電極を通って取り出されるため、その透過率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰され、発光素子として必要な輝度が得られなくなる傾向がある。 Emitting light for taken out through the electrode on the light extraction side, the transmittance thereof is lowered, the light emission itself is attenuated from the light-emitting layer tends to be not obtained the required brightness as the light-emitting element.

【0118】有機EL構造体各層を成膜した後に、Si [0118] after the formation of the organic EL structure each layer, Si
X等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。 Inorganic materials O X such as Teflon, a protective film may be formed using an organic material such as fluorocarbon polymers containing chlorine.
保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さは50〜1200nm程度とする。 Protective film may be transparent or opaque, the thickness of the protective layer is about 50 to 1,200 nm. 保護膜は、前記の反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、P Protective film, in addition to the reactive sputtering, a general sputtering method, vapor deposition method, P
ECVD法等により形成すればよい。 It may be formed by ECVD method.

【0119】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。 [0119] The color conversion film including a color filter film, fluorescent material substrate or may control the luminescent color by using the dielectric reflective film.

【0120】有機EL構造体は、直流駆動やパルス駆動等され、交流駆動することもできる。 [0120] The organic EL structure is DC driven and pulse driving, etc., it can be AC-driven. 印加電圧は、通常、2〜30V 程度である。 The applied voltage is generally about 2~30V.

【0121】本発明の有機EL素子モジュールは、ディスプレイとしての応用の他、例えばメモり読み出し/書き込み等に利用される光ピックアップ、光通信の伝送路中における中継装置、フォトカプラ等、種々の光応用デバイスに用いることができる。 [0121] The organic EL element module of the present invention, other applications as a display, for example, memory read / write, etc. in the optical pickup to be used, the relay device in the transmission path of the optical communication, photocouplers, various light it can be used for applications device.

【0122】 [0122]

【実施例】ガラス基板上に、ITO透明電極(ホール注入電極)をスパッタ法にて約100nm成膜した。 EXAMPLES glass substrate, ITO transparent electrode (hole injection electrode) for about 100nm formed by sputtering. 得られたITO薄膜を、フォトリソグラフィーの手法によりパターニング、エッチング処理し、240×320ドット(画素)のパターンを構成するホール注入電極層を形成した。 The resulting ITO thin film, is patterned by photolithography technique, and etching treatment to form a hole injection electrode layer which constitute the pattern of 240 × 320 dots (pixels).

【0123】ITO透明電極、電極用配線等が形成されている基板の表面をUV/O 3洗浄した後、蒸着用のマスクを装着し、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を減圧した。 [0123] ITO transparent electrodes, the surface of the substrate electrode wiring and the like are formed and washed UV / O 3, the mask for deposition was attached, was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, the inside of the tank under reduced pressure.

【0124】ポリチオフェンを10nmの厚さに蒸着し、 [0124] The polythiophene was deposited to a thickness of 10nm,
ホール注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、N, A hole injection layer, and then the vacuum kept, N,
N'−ジフェニル−N,N'−m−トリル−4,4'− N'- diphenyl -N, N'-m-tolyl-4,4'-
ジアミノ−1,1'−ビフェニル(以下、TPD)を3 Diamino-1,1'-biphenyl (hereinafter, TPD) 3
5nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。 It was deposited to a thickness of 5 nm, and a hole transport layer. さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3 )を50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。 Further, the vacuum kept, tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, Alq3) was deposited to a thickness of 50 nm, and an electron injection transport and emission layer.

【0125】次いで減圧を保ったまま、このEL素子構造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、スパッタ圧力1.0PaにてAlLi電子注入電極(Li濃度:7.2at%)を50nmの厚さに成膜した。 [0125] Then the vacuum kept, transferred to the EL element structure board to a sputtering apparatus from the vacuum deposition apparatus, AlLi electron injecting electrode at sputtering pressure 1.0 Pa (Li concentration: 7.2at%) of 50nm thickness It was formed to be. その際スパッタガスにはArを用い、投入電力は100W、ターゲットの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。 At that time using Ar as the sputtering gas, input power 100W, the size of the target 4 inch diameter, the distance between the substrate and the target was set to 90 mm. さらに、減圧を保ったまま、このEL In addition, the vacuum kept, the EL
素子基板を他のスパッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッタ法により、Al保護電極を200nm Transfer the element substrate to another sputtering apparatus, by a DC sputtering method using an Al target, 200 nm of Al protective electrode
の厚さに成膜した。 It was deposited to a thickness of. 前記マスクは、全ての成膜が終了した時点で取り外した。 The mask is removed when all the film has been completed.

【0126】次いで、図1〜図6に示すように、内部封止体としてガラス封止板を貼り合わせ、その後内部に内部封止体を収納可能なように加工を施した樹脂配線基板(ガラスエポキシ製)を異方性導電フィルム(エポキシ系)を用いて貼り合わせ有機ELディスプレイとした。 [0126] Then, as shown in FIGS. 1 to 6, it stuck to the glass sealing plate as an internal sealing body, a resin wiring substrate (glass then subjected to machining so as to be accommodated inside the sealing body in the interior manufactured by epoxy) was an organic EL display attached to each other with an anisotropic conductive film (epoxy).
また、ガラス封止の際に用いた接着剤を併用して気密性を保持できるようにした。 Also, to be able to hold the airtightness in combination of adhesive used during glass sealing. このとき、内部封止体のみとしたもの(比較サンプル1)、単に内部封止体と外部封止体の2重封止としたもの(サンプル1)、2重封止の内部封止体の内部にのみ吸湿剤を配置したもの(サンプル2)をそれぞれ作成した。 At this time, those with only the internal sealing body (Comparative Sample 1), merely set to double sealing of the inner sealing member and the outer sealing body (Sample 1), an internal sealing body double sealing that arranged hygroscopic agent only in the inside (sample 2) were prepared, respectively.

【0127】得られた各有機EL素子を、温度60℃、 [0127] Each organic EL element obtained, the temperature 60 ° C.,
湿度95%の加速条件下、10mA/cm 2の電流密度で連続駆動させ、各画素の非発光面積率を観察し、30%を超えたものを不良と判定して評価した。 Humidity 95% under accelerated conditions was continuously driven at a current density of 10 mA / cm 2, to observe the non-light-emitting area of each pixel was evaluated to determine the defective those exceeding 30%.

【0128】その結果、比較サンプル1は500時間未満で全ての画素が不良となった。 [0128] As a result, Comparative Sample 1 was all the pixels as defective in less than 500 hours. 一方、本発明のサンプルは、サンプル1が500時間以上、サンプル2が10 On the other hand, the sample of the present invention, sample 1 is more than 500 hours, the sample 2 is 10
00時間以上経過しても不良画素を確認することはできなかった。 Have passed 00 hours or more was not possible to confirm the defective pixels.

【0129】 [0129]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、十分な封止効果を維持し、熱や有機溶剤、水蒸気、紫外線等に暴露することなく、素子の劣化を抑制して素子寿命を延ばすことが可能な有機EL素子モジュールを実現することができる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, maintaining sufficient sealing effect, heat or organic solvents, water vapor, without exposure to ultraviolet rays or the like, extending the element lifetime by suppressing the deterioration of the element it is possible to realize an organic EL element module capable.

【0130】また、パネルの配線引き回しが容易で、使用する駆動用電気回路素子ないしICのピン配置等の制約を受け難く、高密度実装が可能な有機EL素子モジュールを実現することができる。 [0130] Further, wire routing panels easily can be to not drive the electrical circuit element using less subject to constraints such as a pin arrangement of IC, to realize the organic EL element module capable of high-density mounting.

【0131】入力出力信号、電源の接続を分離、集約して行うことができ、配線をコンパクトかつシンプルに整理でき、ノイズ等の外乱の影響を受け難い有機EL素子モジュールを実現することができる。 [0131] Input Output signal, separating the power connections, it can be performed by aggregating the wiring organize compact and simple, and can be realized hardly organic EL device module affected by disturbance such as noise.

【0132】また、有機EL素子より発生するノイズが、制御・駆動用の電気回路ないしIC等を誤動作させることのない有機EL素子モジュールを実現することができる。 [0132] Also, noise generated from the organic EL element, to no electrical circuit for controlling and driving can be realized an organic EL element module does not cause malfunction of the IC or the like.

【0133】また、駆動用電気回路ないしIC等の制御回路、駆動回路の回路素子の交換が容易で、歩留まり率を向上させることができる有機EL素子モジュールを実現することができる。 [0133] The control circuit such as an IC to no driving electric circuit, replacement of the circuit elements of the drive circuit is easy, it is possible to realize an organic EL element module capable of improving the yield rate.

【0134】また、電極への接着剤の濡れ性等の問題から接着力が低下することなく、気密性を長期間保持することのできる有機EL素子モジュールを実現することができる。 [0134] Further, without adhesion of wettability problem of the adhesive to the electrode is reduced, it is possible to realize an organic EL element module capable of holding the airtightness long time.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1の構成例を示した概略断面図である。 1 is a schematic sectional view showing a first configuration example of the present invention.

【図2】本発明の第2の構成例を示した概略断面図である。 2 is a schematic sectional view showing a second configuration example of the present invention.

【図3】本発明の第3の構成例を示した概略断面図である。 3 is a schematic sectional view showing a third configuration example of the present invention.

【図4】本発明の第4の構成例を示した概略断面図である。 4 is a schematic sectional view showing a fourth configuration example of the present invention.

【図5】本発明の第5の構成例を示した概略断面図である。 5 is a schematic sectional view showing a fifth configuration example of the present invention.

【図6】本発明の第6の構成例を示した概略断面図である。 6 is a sixth schematic sectional view showing an example of the configuration of the present invention.

【図7】本発明の有機EL構造体を駆動するための回路の構成例を示したブロック図である。 7 is a block diagram showing a configuration example of a circuit for driving the organic EL structure of the invention.

【図8】従来の有機EL素子を用いた表示モジュールの構成例を示した概略断面図である。 8 is a schematic sectional view showing a configuration example of a display module using the conventional organic EL device.

【図9】CSG実装された液晶表示モジュールの構成例を示した概略断面図である。 9 is a schematic sectional view showing a configuration example of a liquid crystal display module CSG implemented.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 3 内部封止体 4 封止用接着剤 5 吸湿剤 6 外部封止体 7 接続固定手段 8 2次封止 11 下部電極 12 有機層 13 上部電極 21a,21b,21c 回路素子 22a,22b,22c 回路パターン 23 電磁シールド 24 外部接続手段 25 接続媒体 1 substrate 3 internal sealing body 4 for sealing the adhesive 5 moisture absorbent 6 external sealing body 7 connecting the fixing means 8 2 Tsugifutome 11 lower electrode 12 organic layer 13 upper electrode 21a, 21b, 21c circuit elements 22a, 22b, 22c circuit pattern 23 electromagnetic shield 24 external connecting means 25 connecting medium

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 洋 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 田中 俊 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB12 AB13 AB14 AB18 BA06 BB00 BB01 BB04 BB05 BB06 BB07 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA00 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Hiroshi Yamamoto Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo chome 13th No. 1 tee Dikei within Co., Ltd. (72) inventor Shun Tanaka Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo chome 13th No. 1 tee Dikei Co., Ltd. in the F-term (reference) 3K007 AB00 AB12 AB13 AB14 AB18 BA06 BB00 BB01 BB04 BB05 BB06 BB07 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA00

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板上に形成された一対の電極間に、少なくとも発光機能に関与する1種以上の有機層を有する有機EL構造体と、 前記有機EL構造体を封止する封止手段であって、有機EL構造体に最も近い位置に配置される内部封止体と、 Between 1. A pair formed on a substrate electrode, and an organic EL structure having at least one or more organic layers involved in light emission function, with sealing means for sealing the organic EL structure there, an inner sealing member which is disposed closest to the organic EL structure,
    この内部封止体から離間して外側に配置される1つまたは2つ以上の外部封止体とを有し、 この外部封止体が配線基板である有機EL素子モジュール。 One or have two or more and an external sealing member, the organic EL element module external sealing member is a circuit board disposed outside and spaced apart from the inner sealing member.
  2. 【請求項2】 前記封止手段は接続手段を有し、 この接続手段は封止手段内部の回路と外部の回路とを電気的に接続し、かつ封止手段内部の気密性を保持する請求項1の有機EL素子モジュール。 The method according to claim 2, wherein said sealing means includes a connection means, the connection means electrically connects the circuitry and circuitry external to the internal sealing means, and to hold the airtightness of the inner sealing means according the organic EL element module in claim 1.
  3. 【請求項3】 前記封止手段内部には吸湿剤を有する請求項1または2の有機EL素子モジュール。 3. Organic EL element module according to claim 1 or 2 having a desiccant within said sealing means.
  4. 【請求項4】 前記封止手段内部には電磁シールドを有する請求項1〜3のいずれかの有機EL素子モジュール。 Wherein one of the organic EL element module according to claim 1 to 3 with an electromagnetic shield within said sealing means.
  5. 【請求項5】 前記外部封止体は遮光性を有するか、または封止手段内部に遮光性を有する部材が配置されている請求項1〜4のいずれかの有機EL素子モジュール。 Wherein said outer sealing body is either an organic EL element module according to claim 1 to 4 member having a light shielding property or a light-blocking property, or within the sealing means is disposed.
  6. 【請求項6】 全体の厚みが10mm以下である請求項1 6. The overall thickness is 10mm or less claim 1
    〜5のいずれかの有機EL素子モジュール。 5 one of the organic EL element module.
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002042098A (en) * 2000-07-31 2002-02-08 Hitachi Chem Co Ltd Connection structure of aluminum conductor and electronic part, connection method thereof, ic card using the same, and manufacturing method thereof
JP2002280166A (en) * 2001-01-12 2002-09-27 Japan Gore Tex Inc Organic el element
WO2003023745A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display apparatus and its manufacturing method
US6777621B2 (en) 2000-08-11 2004-08-17 Nec Corporation Flat panel display module and method of manufacturing the same
JP2004281182A (en) * 2003-03-14 2004-10-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its fabricating method
WO2005036935A1 (en) * 2003-10-10 2005-04-21 Skc Co., Limited Double-sided organic electroluminescent display
JP2006196488A (en) * 2005-01-11 2006-07-27 Seiko Epson Corp Electro-optical device, image forming device and image reader
JP2006244946A (en) * 2005-03-07 2006-09-14 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence apparatus, its manufacturing method, electric device, and optical recording head
KR100707614B1 (en) 2006-03-14 2007-04-06 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device
CN100380417C (en) * 2002-08-30 2008-04-09 精工爱普生株式会社 Electronic module, its manufacturing method, and electronic apparatus
US7372438B2 (en) 2003-11-19 2008-05-13 Samsung Sdi Co., Ltd. Electroluminescent display
JP2008117767A (en) * 2006-11-07 2008-05-22 Corning Inc Seal for light-emitting display device as well as sealing method and device
JP2008533950A (en) * 2006-05-09 2008-08-21 ビーエスイー カンパニー リミテッド Silicon condenser microphone with an additional back chamber and acoustic holes formed in the substrate
US7940944B2 (en) 2006-05-09 2011-05-10 Bse Co., Ltd. Directional silicon condenser microphone having additional back chamber
JP2011142099A (en) * 2001-01-12 2011-07-21 Nihon Gore Kk Porous adsorbing sheet made of polytetrafluoroethylene
JP2012109225A (en) * 2010-10-20 2012-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Lighting device
KR101183977B1 (en) * 2005-02-01 2012-09-18 에스케이씨 주식회사 Method for formating an electrode in organic light-emitting diode display device
WO2013150575A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device and producing method therefor
JP2014063723A (en) * 2012-08-28 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device, and method of producing the same
US8710736B2 (en) 2010-09-24 2014-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR101469031B1 (en) * 2008-04-16 2014-12-05 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting devicce
KR20150107646A (en) * 2014-03-14 2015-09-23 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device and manufacturing process of display device
WO2015163095A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 京セラ株式会社 Electronic element mounting substrate and electronic device

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002042098A (en) * 2000-07-31 2002-02-08 Hitachi Chem Co Ltd Connection structure of aluminum conductor and electronic part, connection method thereof, ic card using the same, and manufacturing method thereof
JP4582373B2 (en) * 2000-07-31 2010-11-17 日立化成工業株式会社 Connection structure and method of aluminum conductor and electronic component, IC card using the same, and manufacturing method thereof
US6777621B2 (en) 2000-08-11 2004-08-17 Nec Corporation Flat panel display module and method of manufacturing the same
JP2002280166A (en) * 2001-01-12 2002-09-27 Japan Gore Tex Inc Organic el element
JP2011142099A (en) * 2001-01-12 2011-07-21 Nihon Gore Kk Porous adsorbing sheet made of polytetrafluoroethylene
WO2003023745A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display apparatus and its manufacturing method
CN100380417C (en) * 2002-08-30 2008-04-09 精工爱普生株式会社 Electronic module, its manufacturing method, and electronic apparatus
JP4526771B2 (en) * 2003-03-14 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Method for manufacturing semiconductor device
US9640778B2 (en) 2003-03-14 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9178182B2 (en) 2003-03-14 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2004281182A (en) * 2003-03-14 2004-10-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its fabricating method
US10186682B2 (en) 2003-03-14 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2005036935A1 (en) * 2003-10-10 2005-04-21 Skc Co., Limited Double-sided organic electroluminescent display
US7372438B2 (en) 2003-11-19 2008-05-13 Samsung Sdi Co., Ltd. Electroluminescent display
JP4581692B2 (en) * 2005-01-11 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 Organic light emitting diode device, image forming device, and image reading device
JP2006196488A (en) * 2005-01-11 2006-07-27 Seiko Epson Corp Electro-optical device, image forming device and image reader
KR101183977B1 (en) * 2005-02-01 2012-09-18 에스케이씨 주식회사 Method for formating an electrode in organic light-emitting diode display device
JP2006244946A (en) * 2005-03-07 2006-09-14 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence apparatus, its manufacturing method, electric device, and optical recording head
KR100707614B1 (en) 2006-03-14 2007-04-06 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device
US7940944B2 (en) 2006-05-09 2011-05-10 Bse Co., Ltd. Directional silicon condenser microphone having additional back chamber
US7953235B2 (en) 2006-05-09 2011-05-31 Bse Co., Ltd. Directional silicon condenser microphone having additional back chamber
JP2008533950A (en) * 2006-05-09 2008-08-21 ビーエスイー カンパニー リミテッド Silicon condenser microphone with an additional back chamber and acoustic holes formed in the substrate
US7949142B2 (en) 2006-05-09 2011-05-24 Bse Co., Ltd. Silicon condenser microphone having additional back chamber and sound hole in PCB
JP4615000B2 (en) * 2006-11-07 2011-01-19 コーニング インコーポレイテッド Seals, methods and apparatus for light emitting display devices
JP2008117767A (en) * 2006-11-07 2008-05-22 Corning Inc Seal for light-emitting display device as well as sealing method and device
KR101469031B1 (en) * 2008-04-16 2014-12-05 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting devicce
US8710736B2 (en) 2010-09-24 2014-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
JP2012109225A (en) * 2010-10-20 2012-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Lighting device
KR101913092B1 (en) * 2010-10-20 2018-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Lighting device
US9188323B2 (en) 2010-10-20 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
WO2013150575A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device and producing method therefor
US10170726B2 (en) 2012-08-28 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2014063723A (en) * 2012-08-28 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device, and method of producing the same
KR101688311B1 (en) 2014-03-14 2016-12-20 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device and manufacturing process of display device
KR20150107646A (en) * 2014-03-14 2015-09-23 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device and manufacturing process of display device
JP6068649B2 (en) * 2014-04-23 2017-01-25 京セラ株式会社 Electronic device mounting substrate and electronic device
WO2015163095A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 京セラ株式会社 Electronic element mounting substrate and electronic device

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