JP2000047602A - 電気光学装置及びそれを用いた投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シール材の下層側領域を通る配線を利用し
て、シール材の形成領域を所定の範囲内に設定すること
のできる液晶装置、およびそれを用いた投射型表示装置
を提供することにある。 【解決手段】 液晶装置用基板のシール材５２の形成領
域に引き出し配線（第１導電膜３ｃ、第２導電膜６ｂ）
を形成する。第１導電膜３ｃと第２導電膜６ｂとを複数
箇所でコンタクトホール５ｂを介して接続しておくとと
もに、冗長配線とすることができ、さらに第２導電膜６
ｂには、その幅方向に対して幅広部４５を形成すること
により、シール材のストッパーとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学物質を有
する電気光学装置、およびそれを用いた投射型表示装置
に関するものである。さらに詳しくは、電気光学装置用
基板（例えば、液晶装置用基板）と対向基板との間のギ
ャップを制御しながらこれらの基板を貼り合わせるシー
ル材形成領域の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶装置等の
電気光学装置では、一般に複数の画素がマトリクス状に
構成された画素領域を備えた液晶装置用基板と、対向電
極が形成された対向基板とを所定のギャップを設けてシ
ール材で貼り合わせた後、これらの基板間に液晶等の電
気光学物質を封入した構造になっている。シール材を形
成した領域は、表示に寄与しないことから、画素領域の
外側に形成されている。ここで、シール材は、液晶の封
入領域を区画する機能と、それに配合されたギャップ材
によって、基板間のギャップを規定する機能とを有す
る。従って、シール材を形成する領域は、ギャップを制
御できるだけの平坦さが求められる。

【０００３】そこで、従来、液晶装置用基板のシール材
に対向する領域には、画素領域から基板外周側に向かっ
て直線的に延びるダミーの配線を形成しておき、この領
域を実質的に平坦にしておく方法が案出されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】液晶装置に対しては表
示品位の向上や信頼性の向上が求められる状況にあっ
て、シール材の形成についても、表示品位や信頼性の面
からの制御が必要である。たとえば、シール材を形成す
る際に未硬化のシール材が画素領域の方に流出すると、
その分、表示面積が狭くなるという問題がある。また、
対向基板に画像表示領域を区切るための遮光膜（額縁）
が形成され、かつ対向基板側から紫外線を照射してシー
ル材を光硬化させる場合には、未硬化のシール材が画素
領域まで流出していなくても額縁に重なる領域に流出す
ると、その領域のシール材が硬化しない。その結果、一
対の基板を安定に接着させることができず、また画素領
域の周辺部分でのコントラストが低下するという問題も
ある。

【０００５】そこで、本発明の課題は、一対の基板がシ
ール材により貼り合わされてなる電気光学装置におい
て、一方の基板上のシール材に対向する領域を通る配線
を利用して、シール材の形成領域を所定の範囲内に設定
することのできる電気光学装置およびそれを用いた投射
型表示装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明において、一対の基板はシール材により互い
に接着され、前記一対の基板間にはマトリクス状に形成
された複数の画素からなる画素領域を有する電気光学装
置であって、前記一対の基板の一方の基板上には、前記
一対の基板間に形成された前記画素領域から延設されて
シール材に対向配置された複数の引き出し配線を具備
し、前記引き出し配線は、配線幅を広げた幅広部を有す
ることを特徴とする。

【０００７】本発明のかかる構成によれば、一方の基板
上のシール材に対向する領域を通る引き出し配線には、
配線幅を広げた幅広部が形成されている。従って、この
引き出し配線の上に塗布された未硬化のシール材は、た
とえ画素領域の方に流出しようとしても幅広部によりせ
き止めることができる。それ故、シール材の形成領域を
所定の範囲内に設定することができ、シール材の流出に
起因する表示品位の低下や信頼性の低下を防ぐことがで
きる。

【０００８】本発明において、前記シール材は光硬化性
樹脂からなることが好ましい。

【０００９】本発明のかかる構成によれば、配線と配線
との間から光を透過させて一対の基板を固着させること
ができる。

【００１０】仮にシール材の形成領域にアルミニウム等
の金属が一面に形成されていたとすると、シール材の形
成領域には光が透過されず、シール材を硬化させること
ができないものとなってしまう。その場合、熱硬化性の
シール材を利用すれば良いが、熱硬化性のシール材の場
合には硬化時の熱に対して基板に歪みが発生するおそれ
がある。従って、光硬化性樹脂によりシール材を硬化さ
せたほうが、熱による基板の問題を引き起こさずにすむ
ことになる。本発明のかかる構成によれば、配線同士の
隙間から光を透過させることができるため、光硬化性樹
脂を利用してシール材を確実に硬化させることができ
る。

【００１１】本発明において、前記幅広部は、前記引き
出し配線に複数形成されていると良い。

【００１２】本発明のかかる構成によれば、幅広部が複
数形成されているため、シール材の流出を複数箇所で留
めることができるため、シール材の流出の防止に効果的
である。

【００１３】本発明において、前記幅広部は、前記引き
出し配線の延設方向に対して等間隔に形成されているこ
とが好ましい。

【００１４】本発明のかかる構成によれば、シール材を
塗布する際に、幅広部のいくつ分に相当する量のシール
材を塗布したかが容易にわかる。

【００１５】本発明において、前記複数の幅広部のうち
少なくとも１つに対しては、前記画素領域に対する当該
幅広部の相対位置を示す指標が付されていると良い。

【００１６】本発明のかかる構成によれば、シール材を
塗布する際に、指標を目安にシール材の塗布範囲を決め
ることができる。

【００１７】本発明において、前記複数の引き出し配線
は、第１導電膜と、第１層間絶縁膜を介して前記第１導
電膜に重なるように形成された第２導電膜とからなり、
前記第１導電膜と前記第２導電膜のうちの少なくとも一
方が前記幅広部を有することが好ましい。

【００１８】本発明のかかる構成によれば、引き出し配
線は、第１導電膜と第２導電膜とが積層されてなるた
め、一方の基板上のシール材に対向する領域には第１導
電膜と第２導電膜が積層された均一な高さを有すること
になる。従って、一対の基板間のギャップを精度よく制
御することができる。また、光硬化性樹脂からなるシー
ル材を硬化させる際に、引き出し配線の隙間を通って光
がシール材に到達することができるため、シール材を均
一に硬化させることができる。

【００１９】本発明において、前記第１導電膜と前記第
２導電膜とは層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール
を介して接続されていることが好ましい。

【００２０】本発明のかかる構成によれば、第１導電膜
と第２導電膜が接続されるため、冗長配線構造とするこ
とができる。

【００２１】本発明において、前記コンタクトホール
は、平面的にみて前記幅広部に重なるように形成されて
いることが好ましい。

【００２２】本発明のかかる構成によれば、コンタクト
ホールが形成される箇所は幅広部であるため、引き出し
配線の他の部分よりも面積が大きい。従って、たとえア
ライメントずれがあったとしても断線を防ぐことができ
る。

【００２３】本発明において、前記複数の引き出し配線
は、配線幅と配線間隔とがほぼ等しいことが好ましい。

【００２４】仮に配線幅が狭すぎると、光が進入する領
域が狭くなり、シール材の硬化が十分に行えない。ま
た、配線と配線との間が広すぎると、例えばシール材に
含まれている粒径のギャップ材が配線と配線との間に挟
まってしまうことになり、ギャップを精度よく制御する
ことができなくなってしまう。これに対して、本発明の
かかる構成によれば、配線幅と配線間隔とをほぼ等しい
ため、シール材が形成された領域に十分な光量を取り込
むことができ、シール材を確実に硬化させることができ
る。また例えば、配線上に粒径のギャップ材を形成する
ことが可能となり、基板間のギャップを精度良く制御す
ることができる。

【００２５】本発明において、前記第１導電膜と第２導
電膜は、前記第１層間絶縁膜を誘電体膜として容量を構
成することが好ましい。

【００２６】本発明のかかる構成によれば、シール材の
形成領域を利用して大容量を形成することができる。例
えば、データ線を介して画素領域にプリチャージ電位を
供給するときの他のデータ線への電荷の回り込みを防止
することができる。

【００２７】本発明は、一対の基板間に電気光学物質が
封入されてなり、前記一対の基板はシール材により相互
に接着されてなる電気光学装置であって、前記一対の基
板の一方の基板上には、互いに交差する複数のデータ線
と複数の走査線と、前記シール材に対向する領域に前記
複数のデータ線と複数の走査線の少なくとも一方に接続
される複数の引き出し配線とが配置されてなり、前記引
き出し配線は配線幅を広げた幅広部を有することを特徴
とする。

【００２８】本発明のかかる構成によれば、引き出し配
線は配線幅を広げた幅広部を有しているため、未硬化の
シール材が画素領域に流出するのをせき止めることがで
きる。したがって、シール材の流出に起因する表示品位
の劣化や信頼性の低下を防ぐことができる。

【００２９】本発明において、前記複数の引き出し配線
は、第１導電膜と、第１層間絶縁膜を介して前記第１導
電膜に重なるように形成された第２導電膜とからなり、
前記第１導電膜と前記第２導電膜のうちの少なくとも一
方が前記幅広部を有することが好ましい。

【００３０】本発明のかかる構成によれば、引き出し配
線は、第１導電膜と第２導電膜とが積層されているた
め、一方の基板上のシール材に対向する領域は第１導電
膜と第２導電膜が積層された均一な高さを有することに
なる。従って、一対の基板間のギャップを精度よく制御
することができる。また、光硬化性樹脂からなるシール
材を硬化させる場合は、引き出し配線の隙間を通って光
をシール材に到達させることができるため、シール材を
均一に硬化させることができる。

【００３１】本発明において、前記第１導電膜と前記第
２導電膜とは層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール
を介して接続されていることが好ましい。

【００３２】本発明のかかる構成によれば、第１導電膜
と第２導電膜が接続されるため、冗長配線構造とするこ
とができる。

【００３３】本発明において、前記コンタクトホール
は、平面的にみて前記幅広部に重なるように形成されて
いることが好ましい。

【００３４】本発明のかかる構成によれば、コンタクト
ホールの形成箇所には幅広部があるため、たとえアライ
メントずれがあったとしても断線を防ぐことができる。

【００３５】本発明に係る電気光学装置は、たとえば、
光源部と、該光源部から出射された光を前記電気光学装
置で光変調した光を投射面に投射する投射手段とを有す
る投射型表示装置などの電子機器に用いることができ
る。

【００３６】

【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態を図面に基
づいて説明する。

【００３７】（第１実施形態）本発明による電気光学装
置の一例として液晶装置の第１実施形態の構成及び動作
について図１から図１０に基づいて説明する。また、図
２から図１０においては、各層や各部材を図面上で認識
可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならしめてある。

【００３８】（第１実施形態における液晶装置の構成）
図１に本発明の第１実施形態における液晶装置の液晶装
置用基板上に設けられた複数の画素や各種配線等の構成
を示すブロック図を示す。

【００３９】図１において、ガラス基板、ハードガラス
基板、石英基板、シリコン基板等からなる液晶装置用基
板１０上の画像表示領域には、Ｘ方向に複数配列されて
各々がＹ方向に沿って伸びており、画像信号が供給され
るデータ線６ａと、Ｙ方向に複数配列されて各々がＸ方
向に沿って伸びており、走査信号が供給される走査線３
aと、各データ線6ａと各走査線３ａに接続された画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０と、当該ＴＦＴ３０に接続され
た画素電極９ａとが形成されている。また、図示を省略
しているが、液晶装置用基板１０上には、蓄積容量のた
めの配線である容量線が、走査線３ａに沿ってほぼ平行
に形成しても良い。あるいは、容量線は前段あるいは後
段の走査線３ａを利用して形成される場合もある。

【００４０】図１に示すように、本実施形態における液
晶装置１００の画素領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素は、画素電極９aを制御するための画
素スイッチング用ＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給される。また、ＴＦＴ３０のゲート
に走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミ
ングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、
…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成され
ている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気
的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３
０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、デ
ータ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介し
て液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極と
の間で一定期間保持される。液晶装置用基板１０及び対
向基板２０の間に介在する液晶は、印加される電圧レベ
ルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこ
の液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモ
ードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液
晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置１００か
らは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射す
る。

【００４１】ここで、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、駆動ＬＳＩ（Large Scale Integrated）を液晶装
置用基板１０上に設けた実装端子１０２にＴＡＢ（Tape
Automated Bonding）方式やＣＯＧ（Chip On Glas
s）方式等により実装し、当該実装端子１０２から延設
された第１引き出し配線４１を介してデータ線６ａに電
気的に接続することで、データ線６ａに供給される。一
方、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍも同様に駆動ＬＳＩ
を実装端子１０２に実装し、当該実装端子１０２から延
設された第２引き出し配線４２を介して走査線３ａに電
気的に接続することで、走査線３ａに供給される。

【００４２】また、液晶装置１００は、液晶装置用基板
１０と対向基板２０を画像表示領域より外側で、シール
材５２により貼り合わされている。ここで、データ線６
ａから延設された第１引き出し配線４１及び走査線３ａ
から延設された第２引き出し配線４２は、シール材５２
の領域を通過して実装端子１０２に接続される。更に、
シール材５２の内側に並行して、画像表示領域を規定す
るための遮光性の額縁５３が設けられる。額縁５３は、
金属や金属合金あるいは黒色有機膜等の遮光膜により形
成され、液晶装置用基板１０上に設けても良いし、対向
基板２０上に設けるようにしても良い。

【００４３】また、液晶装置１００は、直流成分による
液晶の劣化を防止するために対向基板２０の対向電極に
対向電極電位を供給して、交流反転駆動を行う必要があ
る。ＩＣチップを液晶装置用基板１０上の実装端子１０
２に実装し、実装端子１０２から延設された対向電極電
位配線２４を介して上下導通端子１０７に対向電極電位
が供給されるようにする。これにより、上下導通端子１
０７上に設けられた導電性の導通材１０６を介して対向
基板２０の対向電極に対向電極電位を印加することがで
きる。

【００４４】（画素領域の構成）次に液晶装置用基板１
０の画像表示領域における構成について、図２及び図３
を参照して説明する。図２は、データ線、走査線、画素
電極等が形成された液晶装置用基板１０の隣接した画素
群の平面図である。図３は、図２のＣ−Ｃ’断面図であ
る。

【００４５】図２及び図３において、各画素は、マトリ
クス状に複数の透明な画素電極９ａと各画素電極９ａに
接続されたスイッチング素子の一例である画素スイッチ
ング用ＴＦＴ３０とにより構成されている。画素電極９
ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ
及び容量線３ｂが設けられており、データ線６ａは、第
１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５ａを介
してＴＦＴ３０のアモルファスシリコン膜やポリシリコ
ン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域１
ｄに電気的接続されている。画素電極９ａは、第１層間
絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７に形成されたコンタクト
ホール８を介して薄膜トランジスタ３０の半導体層１ａ
のうち後述のドレイン領域１ｅに電気的接続されてい
る。また、ゲート絶縁膜２を介して半導体層１ａのうち
のチャネル形成用領域１ａ’（図２中右下りの斜線の領
域）に対向するように走査線３ａ（ゲート電極）が配置
されている。蓄積容量は、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０の半導体層１aから延設された第１蓄積容量電極１ｆ
を一方の電極とし、ゲート絶縁膜２と同時に形成された
絶縁膜を誘電体膜とし、走査線３ａと同時に形成された
容量線３ｂを他方の電極（第２蓄積容量電極）として構
成されている。このような構成を採れば、薄膜で緻密な
ゲート絶縁膜２を誘電体とすることで、第１蓄積容量電
極１ｆと第２蓄積容量電極３ｂの重なり面積が小さくて
も、十分な蓄積容量が得られるため、画素の高開口率化
や微細化が容易に実現することができる。

【００４６】画素電極９ａの上側には、図３に示すよう
にラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１
６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜
（Indium Tin Oxide膜）などの透明導電性薄膜からな
る。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有
機薄膜からなる。

【００４７】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド薄膜などの有機薄膜からなる。更に、画素スイッチン
グ用ＴＦＴ３０や液晶のディスクリネーションが発生す
る領域を覆うように非光透過性の金属膜、金属合金膜、
或いは黒色有機膜等により遮光膜２３を設けても良い。
これにより、コントラスト比の高い画像表示を実現する
ことができる。遮光膜２３は液晶装置用基板１０に設け
るようにしても良い。このような構成を採れば、液晶装
置用基板１０と対向基板２０を貼り合わせる際の精度を
考慮する必要がないため、透過率のばらつかない液晶装
置１００を安定して提供することができる。

【００４８】上記の構成を有する液晶装置用基板１０
と、対向基板２０との間には、シール材５２（図１参
照）により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０
が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界
が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態
を採る。

【００４９】ここで、一般には、半導体層１ａのチャネ
ル形成用領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度
ドレイン領域１ｃ等を形成するアモルファスシリコン膜
あるいはポリシリコン膜は、光が入射すると光電変換効
果により光電流が発生してしまいＴＦＴ３０のトランジ
スタ特性が劣化するが、第１実施形態では、走査線３ａ
を上側から覆うようにデータ線６ａがＡｌ（アルミニウ
ム）等の遮光性の金属薄膜から形成されているので、少
なくとも半導体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’及び
ソース側ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１ｂ、
ドレイン側ＬＤＤ領域１ｃへの投射光（即ち、図３で上
側からの光）の入射を効果的に防ぐことが出来る。ま
た、ＴＦＴ３０の下側に、層間絶縁膜を介して、少なく
とも半導体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’及びＬＤ
Ｄ領域１ｂ、１ｃを覆うように遮光膜（図示せず）を設
ければ戻り光（即ち、図３で下側からの光）の入射を効
果的に防ぐことが出来る。

【００５０】（シール材形成領域の構成）このように構
成した液晶装置１００において、液晶装置用基板１０の
シール材５２に対向する領域について図４から図７を参
照して説明する。

【００５１】図４は、図１の円形領域Ａ内の液晶装置用
基板１０の拡大平面図であり、データ線６ａから延設さ
れた第１引き出し配線４１を示している。図５は、図４
のＤ−Ｄ’に沿った断面図であり、図６は、図４のＥ−
Ｅ’に沿った断面図を示している。また、図７は、図１
の円形領域Ｂ内の液晶装置用基板１０の拡大平面図であ
り、走査線３ａから延設された第２引き出し配線４２を
示している。

【００５２】図４及び図５に示すように、データ線６ａ
から延設された第１引き出し配線４１は、シール材５２
に対向する部分は、それぞれ走査線３ａと同一工程で形
成された第１導電膜３ｃと、第１層間絶縁膜４を介して
データ線６aと同一工程で形成された第２導電膜６ｂと
からの２層構造になっている。第１導電膜３ｃと第２導
電膜６ｂとは第１層間絶縁膜４に形成した複数のコンタ
クトホール５ｂを介して複数箇所で電気的に接続して冗
長配線構造としても良い。このように冗長配線構造とす
ることにより、第１引き出し配線４１は、ギャップ材５
６含有のシール材５２が対向配置されていても、断線を
防ぐことができる。

【００５３】また、第１導電膜３ｃ及び第２導電膜６ｂ
を電気的に接続しないようにし、第１層間絶縁膜４を誘
電体として容量を形成するようにしても良い。このよう
な構成を採れば、データ線６ａと画素電極９ａとのカッ
プリング容量による電位変動を低減することができ、ム
ラやクロストーク等の表示品位の劣化のない液晶装置１
００を提供できる。

【００５４】さらに第１実施形態では、図４に示される
ように、第１引き出し配線４１を構成する第１導電膜３
ｃと第２導電膜６ｂのうちの少なくとも一方の導電膜
は、線幅を広げた幅広部４５を有し、この幅広部４５は
配線幅方向に対して隣接する配線との短絡を防止するた
めに１μｍ以上の間隔をおいて形成されている。

【００５５】図６に示すように、幅広部４５は第２導電
膜６ｂを部分的に突出することにより、隣接する引き出
し配線４１との隙間でシール材５２が流れ出すのを防ぐ
ためのストッパーを形成する。これにより、シール材５
２が遮光性の額縁５３が形成される領域まで達すること
がないので、確実に光照射により硬化する事ができる。
仮にシール材５２の形成領域に遮光性の金属等が一面に
形成されていたとすると、シール材５２の形成領域には
光が透過されず、シール材５２を硬化させることができ
ない。その場合、熱硬化性のシール材を利用すれば良い
が、熱硬化性のシール材の場合には硬化時の熱に対して
基板に歪みが発生するおそれがある。従って、光硬化性
樹脂によりシール材を硬化させたほうが、熱による基板
の問題を引き起こさずにすむことになる。本発明のかか
る構成によれば、引き出し配線同士の隙間から光を透過
させることができるため、光硬化性樹脂を利用してシー
ル材５２を確実に硬化させることができる。シール材５
２は、未硬化になることがないので、液晶層５０を汚染
することがなくなり、画質表示品位の劣化を防ぐことが
できる。

【００５６】このように第１導電膜３ｃと第２導電膜６
ｂのうちの少なくとも一方に、幅広部４５を設けること
により、第１引き出し配線４１上に塗布された未硬化の
シール材は、たとえ複数の画素３００がマトリクス状に
形成された画素領域に流出しようとしても幅広部４５で
せき止めることができる。それ故、シール材５２の形成
位置を所定の範囲内に留めることができ、またシール材
５２の流出に起因する表示品位の低下や信頼性の低下を
防ぐことができる。また幅広部４５は、第２導電膜６ｂ
に複数形成すれば、未硬化のシール材５２が流出するの
を防ぐためにさらに効果的である。しかも、第１引き出
し配線４１の幅広部４５は、第２導電膜６ｂに等間隔に
複数形成すれば、シール材５２を塗布する際に、第１引
き出し配線の幅広部４５のいくつ分に相当する量のシー
ル材５２を塗布したかが容易に認識できる。

【００５７】さらに、第１引き出し配線４１の幅広部４
５は、コンタクトホール５ｂの形成位置に対応して形成
すると良い。つまり、コンタクトホール５ｂは平面的に
みて幅広部４５に重なるように形成すればよい。このよ
うな構成にすれば、第２導電膜６ｂをパターニング形成
する際にアライメントずれがあったとしても、第１導電
膜３ｃが誤ってエッチングされて断線することを防ぐこ
とができる。

【００５８】次に図７において、走査線３ａから延設さ
れた第２引き出し配線４２について説明する。構成や効
果においては、上記で説明した第１引き出し配線４１と
何ら変わらないので説明を省く。第２引き出し配線４２
は、少なくともシール材５２が形成されている領域で
は、第１引き出し配線４１と同様に、第１導電膜３ｃ及
び第２導電膜６ｂから構成される。第１導電膜３ｃと第
２導電膜６ｂは、第１層間絶縁膜４を開孔して形成され
るコンタクトホール５ｂにおいて、電気的に接続すると
良い。このような冗長配線構造で第２引き出し配線４２
を形成すれば、ギャップ材５６含有のシール材５２が対
向配置されていても、断線を防ぐことができる。

【００５９】また、図７に示すように第１導電膜３ｃを
使って幅広部４５’を形成しても良い。このような構成
を採っても、幅広部４５’において、シール材５２が流
れ出すのを防ぐためのストッパーとして機能する。３次
元構造は図５，図６に示した構造とほぼ同じになること
は言うまでもない。

【００６０】以上述べたように、第１引き出し配線４１
及び第２引き出し配線４２に設けられる幅広部は、第１
導電膜３ｃおよび第２導電膜６ｂの少なくとも一方で形
成するようにする。また、第１導電膜３ｃ及び第２導電
膜６ｂに加えて更に別の導電膜を付加して、３層以上の
導電膜から成る引き出し配線を形成しても良い。言うな
れば、液晶装置用基板１０上に形成される全ての導電膜
を第１引き出し配線４１及び第２引き出し配線４２用の
導電膜として用いることが可能である。このような構成
を採れば、冗長配線構造としての効果が更に高められ、
ギャップ材５６による断線を確実に防止することができ
る。

【００６１】なお、第１引き出し配線４１及び第２引き
出し配線４２の幅広部４５及び４５’は、少なくともシ
ール材５２の形成領域のうち画素３００にできるだけ近
い側に形成すればよい。すなわち、対向基板２０の周辺
には額縁５３が形成され、かつ対向基板２０から紫外線
を照射してシール材５２を光硬化させる場合には、未硬
化のシール材５２が画素３００が形成された領域に流出
していなくても、額縁５３に重なる領域に流出してしま
うおそれがある。その場合、額縁５３は遮光性を有する
ため、額縁５３に重なる領域には光が侵入されず、その
結果額縁領域に流出したシール材５２は硬化されないこ
とになる。そのため、シール材５２の流出による画素３
００が形成された領域への影響が大きいため、画素３０
０に近い側に幅広部４５及び４５’を設ければ、額縁５
３方向へのシール材５２の流出を防ぐために効果的であ
る。

【００６２】さらに、第１実施形態では、幅広部４５及
び４５’を所定の等間隔で形成した場合、対向基板端２
０’を基準位置として、そこから例えば５００μｍの位
置に相当する幅広部には「５００」と指標４４が記され
ている。このような指標４４は、データ線６ａを形成す
る膜や走査線３ａを形成する膜と同時にパターニング形
成されている。このような構成によれば、シール材５２
を塗布する際には、指標４４を目安にシール材５２の塗
布範囲を認識できるため、シール材５２の流出検査を効
率的に実施でき、被害を未然に防ぐことができる。

【００６３】尚、第１実施形態では、第１引き出し配線
４１および第２引き出し配線４２の幅Ｌと、隣り合う引
き出し配線との間の間隔Ｓはほぼ等しくなるように設定
されている。このように配線幅Ｌと配線間隔Ｓをほぼ等
しくすることにより、配線間の短絡を防ぐことができる
とともに配線間から光を十分にシール材５２に取り込む
ことができるため、シール材の硬化に効果的である。仮
に、隣り合う引き出し配線の隙間の間隔が狭くなり過ぎ
ると、光が侵入する領域が狭くなり、その結果、シール
材５２の硬化が十分に行えないことになる。また、隣接
する引き出し配線の間隔が広すぎると、例えばシール材
５２に含まれるギャップ材５６が引き出し配線間に挟ま
ってしまうことになり、ギャップを精度良く制御するこ
とができなくなってしまう。従ってシール材５２の硬化
に支障がない程度に隙間を設けることは必要である。

【００６４】このように、データ線６ａの延長線上のシ
ール材５２に対向する領域に形成された第１引き出し配
線４１、走査線３ａの延長線上のシール材５２に対向す
る領域に形成された第２引き出し配線４２は、それぞれ
第１導電膜３ｃと第２導電膜６ｂとの２層構造になって
いるため、周囲より１段高く対向基板２０に向けて突出
し、且つ隣り合う配線とは所定の間隔を介して並んでい
る。このため、これらの第１導電膜３ｃと第２導電膜６
ｂは全体として均一に突出することになり、液晶装置用
基板１０と対向基板２０との間の精度の高いギャップ制
御として機能することができる。

【００６５】また、本第１実施例の第１引き出し配線４
１から突出させる幅広部４５および第２引き出し配線４
２から突出させる幅広部４５’は平面的に見て正方形や
長方形、多角形であっても良いし、円形でも構わない。

【００６６】（液晶装置用基板の製造方法）以上のよう
な構成を持つ液晶装置１００において、第１引き出し配
線４１および第２引き出し配線４２は、スイッチング素
子であるＴＦＴ３０、走査線３ａ、およびデータ線６ａ
の製造工程を利用して形成される。これらの製造方法を
図８から図１０を参照して説明する。図８から図１０は
本実施形態の液晶装置用基板の製造方法を示す工程断面
図であり、いずれの図においても、その左側部分には図
２のＣ−Ｃ′線における断面（画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ３０の断面、以下画素ＴＦＴ部を称す）、図８から図
１０の中央部は図４のＤ−Ｄ′線における断面（シール
材５２に対向する領域の引き出し配線、以下引き出し配
線部と称す。）、図８から図１０の右側部は図４のＥ−
Ｅ′線における断面（シール材５２に対向する領域の引
き出し配線部）を示してある。

【００６７】まず、図８（Ａ）に示すように、無アルカ
リガラス基板、石英基板、シリコン基板等からなる液晶
装置用基板１０の表面全体に直接、あるいは液晶装置用
基板１０の表面全体に、減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition）法などにより厚さが約５０ｎｍ〜約２０
０ｎｍ、好ましくは約１００ｎｍのアモルファスシリコ
ン膜あるいはポリシリコン膜からなる半導体膜１を形成
した後、それをフォトリソグラフィ技術を用いて、図８
（Ｂ）に示すように、パターニングし、画素ＴＦＴ部に
島状の半導体層１ａ（能動層）を形成する。これに対し
て、引き出し配線部は半導体膜１を完全に除去する。

【００６８】次に、図８（Ｃ）に示すように、熱酸化法
などにより半導体層１ａの表面に厚さが約６０ｎｍ〜約
１５０ｎｍのゲート絶縁膜２を形成する。その結果、半
導体膜１ａの厚さは、約３０ｎｍ〜約１５０ｎｍ、好ま
しくは３５ｎｍ〜約４５ｎｍとなる。尚、ゲート絶縁膜
２はＣＶＤ法によりシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を
直接形成しても良い。

【００６９】次に、図８（Ｄ）に示すように、ポリシリ
コン膜３をスパッタ法等で液晶装置用基板１０全面に形
成した後、それをフォトリソグラフィ技術を用いて、図
８（Ｅ）に示すように、パターニングし、画素ＴＦＴ部
のゲート電極（走査線）３ａおよび容量線３ｂを形成す
る。これに対して、シール材に対向する引き出し配線領
域にはポリシリコン膜からなる第１導電膜３ｃを形成す
る。尚、ゲート電極（走査線）３ａ、容量線３ｂおよび
第１導電膜３ｃを構成する導電膜は、Ｗ（タングステ
ン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ａｌ
（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタニウム）等
の低抵抗な金属や金属合金膜で形成しても良い。

【００７０】次に、図８（Ｆ）に示すように、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０をｎチャネルＴＦＴにするには、
ゲート電極３ａをマスクとして、約０．１×１０^１３／
ｃｍ^２〜約１０×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量で低濃度
の不純物イオン８０（リンイオン等）の打ち込みを行
い、画素ＴＦＴ部には、ゲート電極３ａに対して自己整
合的に低濃度のソース領域１ｂ、および低濃度のドレイ
ン領域１ｃを形成する。ここで、ゲート電極３ａの真下
の不純物イオン８０が導入されなかった部分はチャネル
領域１ａ’となり、容量線（第２蓄積容量電極）３ｂの
真下は第１蓄積容量電極１ｆとなる。

【００７１】次に、図８（Ｇ）に示すように、画素ＴＦ
Ｔ部では、ゲート電極３ａより幅の広いレジストマスク
８２を形成して高濃度の不純物イオン８１（リンイオン
等）を約０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０^１５
／ｃｍ^２のドーズ量で打ち込み、高濃度のソース領域１
ｄおよびドレイン領域１ｅを形成する。このように、画
素スイッチング用ＴＦＴ３０をＬＤＤ（Lightly Doped
Drain）構造とすることにより、チャネル領域１ａ’
との接合領域での電界集中を緩和し、ＴＦＴ３０がオフ
時におけるリーク電流を大幅に低減することができる。

【００７２】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極３ａより幅の
広いレジストマスク８２を形成した状態で高濃度の不純
物（リンイオン等）を打ち込み、オフセット構造のソー
ス領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、ゲ
ート電極３ａの上に高濃度の不純物（リンイオン等）を
打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域およびド
レイン領域を形成してもとよいことは勿論である。尚、
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ｐチャネルＴＦＴで
も良いことは言うまでもない。

【００７３】また、このようにしてイオン打ち込みを行
った際には、ゲート電極３ａとして形成されていたポリ
シリコン膜と、シール材５２に対向する領域の第１導電
膜３ｃとして形成されていたポリシリコン膜にも不純物
が導入されて更に導電化することになる。

【００７４】ところで、図示を省略するが、画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０を制御するための周辺回路を液晶装
置基板１０上に集積することも可能である。この場合、
ｎチャネルＴＦＴおよびｐチャネルＴＦＴから成る相補
型トランジスタを構成する必要がある。そこで、ｐチャ
ネルＴＦＴを形成するために、画素領域およびｎチャネ
ルＴＦＴをレジストで被覆保護して、ゲート電極をマス
クとして、約０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０
^１５／ｃｍ^２のドーズ量でボロンイオンを打ち込むこと
により、自己整合的にｐチャネルＴＦＴのソース・ドレ
イン領域を形成する。なお、ｎチャネル型ＴＦＴの形成
時と同様に、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１
０^１３／ｃｍ^２〜約１０×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量
で低濃度の不純物（ボロンイオン等）を導入して、半導
体層１ａに低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅
の広いマスクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン
等）を約０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０^１５
／ｃｍ^２のドーズ量で打ち込み、ＬＤＤ構造のソース領
域およびドレイン領域を形成してもよい。また、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極３ａより幅
の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（ボロン
イオン等）を打ち込み、オフセット構造のソース領域お
よびドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打
ち込み工程によって、相補型トランジスタの形成が可能
になり、周辺回路を液晶装置用基板１０上に同時に形成
することが可能となる。

【００７５】次に、図９（Ａ）に示すように、ゲート電
極３ａおよび第１導電膜３ｃの表面側に、ＣＶＤ法など
によりたとえば８００℃程度の温度条件下で厚さが約５
００ｎｍ〜約１５００ｎｍのＮＳＧ膜（ボロンやリンを
含まないシリケートガラス膜）などからなる第１層間絶
縁膜４を形成した後、図９（Ｂ）に示すように、画素Ｔ
ＦＴ部においては、フォトリソグラフィ技術を用いて、
第１層間絶縁膜４のうち、ソース領域１ｄに対応する部
分にコンタクトホール５ａを形成する。また、シール材
に対向する領域においては第１導電膜３ｃに対応する部
分に複数のコンタクトホール５ｂを形成する。

【００７６】次に、図９（Ｃ）に示すように、第１層間
絶縁膜４の表面側に、ソース電極６ａを構成するための
アルミニウム膜６などの低抵抗導電膜をスパッタ法など
で形成した後、図９（Ｄ）に示すように、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて、アルミニウム膜６をパターニング
し、画素領域のＴＦＴにおいては、データ線６ａの一部
としてソース電極６ａを形成し、シール材に対向する領
域においては第２導電膜６ｂを形成する。

【００７７】次に、図１０（Ａ）に示すように、ソース
電極６ａおよび第２導電膜６ｂの表面側に、ＣＶＤ法な
どにより例えば５００℃程度の低い温度条件下で厚さが
約５００ｎｍ〜約１５００ｎｍのＰＳＧ膜（ボロンやリ
ンを含むシリケートガラス膜）などからなる第２層間絶
縁膜７を形成した後、図１０（Ｂ）に示すように、画素
ＴＦＴ部は、フォトリソグラフィ技術およびドライエッ
チング法などを用いて、第１層間絶縁膜４および第２層
間絶縁膜７のうち、ドレイン領域１ｅに対応する部分に
コンタクトホール８ａを形成する。

【００７８】次に、図１０（Ｃ）に示すように、第２層
間絶縁膜７の表面側に、ドレイン電極を構成するための
厚さが約５０ｎｍ〜約１５０ｎｍのＩＴＯ膜９をスパッ
タ法などで形成した後、図１０（Ｄ）に示すように、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて、ＩＴＯ膜９をパターニ
ングし、画素ＴＦＴ部においては画素電極９ａを形成す
る。シール材に対向する領域においては、ＩＴＯ膜９を
完全に除去する。ここで、画素電極９ａとしては、ＩＴ
Ｏ膜に限らず、ＳｎＯ_Ｘ膜やＺｎＯ_Ｘ膜などの高融点の
金属酸化物などからなる透明電極材料を使用することも
可能であり、これらの材料であれば、コンタクトホール
８内でのステップカバレージも実用に耐えるものであ
る。

【００７９】このようにして、画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ３０、走査線３ａ、およびデータ線６ａを形成する工
程を兼用して引き出し配線の第１導電膜３ｃおよび第２
導電膜６ｂを形成できるため、第１引き出し配線４１お
よび第２引き出し配線４２を形成するための新たな工程
を避けることができる。

【００８０】尚、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の構成
を、一つのゲート電極３ａから成るシングルゲート構造
としたが、二つ以上のゲート電極から構成しても良い。
このような構成を採れば、更に、ＴＦＴ３０がオフ時の
リーク電流を低減でき、高いコントラスト比を有する液
晶装置を提供できる。

【００８１】また、第１実施形態では、一例として、画
素スイッチング用ＴＦＴ３０がトップゲート構造を有す
る液晶装置を説明してきたが、本発明では、ゲート電極
３ａが半導体層１ａと液晶装置用基板１０の間に形成さ
れる逆スタガ構造等のボトムゲート構造の画素スイッチ
ング用ＴＦＴを有する液晶装置にも適用できる。

【００８２】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態について図１１に基づいて説明する。

【００８３】図１１は、図４で説明した第１実施形態の
第１引き出し配線４１の変形例であり、隣接する配線間
で幅広部４５の形成される位置が異なり、その他の構成
は同じである。尚、図１１において、図１から図１０に
示した第１実施形態と同じ構成要素には同じ参照符号を
付し、また第１実施形態と異なる構成のみを説明する。
また、図１１においては、各層や各部材を図面上で認識
可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならしめてある。更に、本第２実施例は、図７で示
した第２引き出し配線に適用しても、何ら問題はない。

【００８４】図１１に示すように、第２実施形態では少
なくともシール材５２が塗布される領域において、隣接
する第１引き出し配線４１間で、幅広部４５を互い違い
に設けるように構成する。すなわち、幅広部４５は第１
導電膜３ｃおよび第２導電膜６ｂの少なくとも一方の導
電膜を部分的に突出することにより、隣接する第１引き
出し配線４１との隙間でシール材５２が流れ出すのを防
ぐためのストッパーを、隣接する第１引き出し配線４１
間で互いにずらして形成する。これにより、シール材５
２が遮光性の額縁５３が形成される領域まで達すること
がないので、確実に光照射により硬化する事ができる。
本発明のかかる構成によれば、引き出し配線同士の隙間
から光を透過させることができるため、光硬化性樹脂を
利用してシール材５２を確実に硬化させることができ
る。シール材５２は、未硬化になることがないので、液
晶を汚染することがなくなり、画質表示品位の劣化を防
ぐことができる。また、隣接する第１引き出し配線４１
間同士で幅広部４５が互いに重なることがないので、第
１引き出し配線４１間同士の短絡を大幅に低減できるだ
けでなく、液晶装置に液晶を容易に封入することができ
る利点がある。尚、隣接する第１引き出し配線４１間同
士で幅広部４５をずらす方法としては、図１１に示すよ
うに隣接する第１引き出し配線４１を奇数列と偶数列で
ずらしても良いし、隣接する引き出し配線４１を３ライ
ン以上で１グループとしてずらすようにしても良い。

【００８５】また、本第２実施例の第１引き出し配線４
１から突出させる幅広部４５は、平面的にみて正方形や
長方形、多角形であっても良いし円形でも構わない。

【００８６】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態について図１２に基づいて説明する。

【００８７】図１２は、図４で説明した第１実施形態の
第１引き出し配線４１の変形例であり、幅広部の形が異
なり、その他の構成は同じである。尚、図１２におい
て、図１から図１０に示した第１実施形態と同じ構成要
素には同じ参照符号を付し、また第１実施形態と異なる
構成のみを説明する。また、図１２においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。更に、本第
３実施例は、図７で示した第２引き出し配線に適用して
も、何ら問題はない。

【００８８】図１２に示すように、第３実施形態では少
なくともシール材５２が塗布される領域において、第１
引き出し配線４１を構成する第１導電膜３ｃおよび第２
導電膜６ｂの少なくともどちらかのの導電膜が、配線側
面の一方を突出させて、幅広部４６を設けるように構成
する。すなわち、幅広部４６は第１導電膜３ｃおよび第
２導電膜６ｂの少なくとも一方の導電膜を部分的に突出
することにより、隣接する第１引き出し配線４１との隙
間でシール材５２が流れ出すのを防ぐためのストッパー
を形成する。これにより、シール材５２が遮光性の額縁
５３が形成される領域まで達することがないので、確実
に光照射により硬化する事ができる。本発明のかかる構
成によれば、第１引き出し配線４１同士の隙間から光を
透過させることができるため、光硬化性樹脂を利用して
シール材５２を確実に硬化させることができる。シール
材５２は、未硬化になることがないので、液晶を汚染す
ることがなくなり、画質表示品位の劣化を防ぐことがで
きる。また、このような構成を採っても、第１引き出し
配線４１間同士の短絡を大幅に低減できる。

【００８９】また、本第３実施例の引き出し配線４１か
ら突出させる幅広部４６は、平面的にみて正方形や長方
形、多角形であっても良いし円形でも構わない。

【００９０】（第４実施形態）次に、本発明の第４実施
形態について図１３から図１７に基づいて説明する。

【００９１】図１３は、第４実施形態の液晶装置の構成
を示すブロック図であり、画素のスイッチング用ＴＦＴ
を制御するための画像信号をデータ線を介して供給する
データ線駆動回路やサンプリング回路と、走査信号を走
査線を介して供給する走査線駆動回路等の周辺回路が、
画素と同一基板上に内蔵されている点が、第１実施例と
異なる。図１４は、第４実施形態の一例としての液晶装
置の平面図であり、図１５は図１４におけるＨ−Ｈ’線
に沿った断面図を示している。

【００９２】また、図１６は図１４のＦで囲った領域を
拡大した平面図であり、図１７は図１４のＧで囲った領
域を拡大した平面図を示している。

【００９３】（第４実施形態における液晶装置の構成）
図１３において、液晶装置１００は、例えば石英基板、
ハードガラス基板、シリコン基板等からなる液晶装置用
基板１０を備えている。液晶装置用基板１０上には、マ
トリクス状に設けられた複数の画素電極９ａと、Ｘ方向
に複数配列されており夫々がＹ方向に沿って伸びるデー
タ線６ａと、Ｙ方向に複数配列されており夫々がＸ方向
に沿って伸びる走査線３ａと、各データ線６ａと画素電
極９ａとの間に夫々介在すると共に該間における導通状
態及び非導通状態を、走査線３ａを介して夫々供給され
る走査信号に応じて夫々制御するスイッチング素子の一
例としての複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０とが形
成されている。また液晶装置用基板１０上には、各画素
単位毎に蓄積容量７０を形成するための配線である容量
線３ｂ（第２蓄積容量電極）が、走査線３ａとほぼ平行
に形成されている。

【００９４】更に、液晶装置用基板１０上には、データ
線６ａに画像信号を供給するためのデータ線駆動回路１
０１およびサンプリング回路３０１と、走査線３ａに走
査信号を供給するための走査線駆動回路１０２が形成さ
れる。また、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャ
ージ信号を画像信号に先行して夫々供給するプリチャー
ジ回路２０１が形成されている。

【００９５】走査線駆動回路１０４はシフトレジスタ回
路やバッファ回路等から構成され、外部制御回路から実
装端子１０２を介して供給される正電源ＶＤＤＹ、負電
源ＶＳＳＹ、基準クロック信号ＣＬＹＡおよびその反転
信号ＣＬＹＢ、スタート信号ＤＹ等に基づいて、所定タ
イミングで走査線３ａに走査信号をＧ１，Ｇ２，…，Ｇ
ｍの順に順次供給する。また、走査線３ａから延設され
て走査線駆動回路１０４へ至るまでの間にシール材が形
成される領域は、上述した第１から第３実施形態で説明
した第２引き出し配線４２を適用すると良い。

【００９６】データ線駆動回路１０１はシフトレジスタ
回路や波形制御回路およびバッファ回路等から構成さ
れ、外部制御回路から実装端子１０２を介して供給され
る正電源ＶＤＤＸ、負電源ＶＳＳＸ、基準クロック信号
ＣＬＸＡおよびその反転信号ＣＬＸＢ、スタート信号Ｄ
Ｘ等に基づいて、走査線駆動回路１０４が走査信号を印
加するタイミングに合わせて、データ線６ａ毎にサンプ
リング回路駆動信号をサンプリング回路３０１にサンプ
リング回路駆動信号線３０６を介して所定タイミングで
順次供給する。

【００９７】サンプリング回路３０１は、外部制御回路
から実装端子１０２を介して供給される画像信号をデー
タ線駆動回路１０１からの出力信号のタイミングに合わ
せて順次あるいは複数同時に選択され、画像信号をデー
タ線６ａにＳ１，Ｓ２，…，Ｓｎの順に供給する働きを
する。本第４実施形態では、一例として６相に展開され
て周波数を低減した画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を画像
信号線３０４および中継配線３０５を介してサンプリン
グ回路３０１に供給するように構成されている。このよ
うに、画像信号を相展開することにより、ドット周波数
の高い表示モードに対しても、画質品位を低下させるこ
とのない液晶装置を提供できる。また、画像信号の相展
開数に応じて、画像信号線３０４が必要であることは言
うまでもない。ここで、サンプリング回路３０１を画像
表示領域を規定するための額縁５３領域内に形成するこ
とで、液晶装置用基板１０上の周辺回路形成領域の小型
化を実現している。そこで、データ線駆動回路１０１か
ら延設されるサンプリング回路駆動信号線３０６および
画像信号線３０４から延設される中継配線３０５がシー
ル領域を通過する際には、上述した本発明の第１から第
３実施形態の第１引き出し配線４１を適用すると良い。

【００９８】次に、プリチャージ回路２０１について説
明する。データ線６ａの一方側にはデータ線駆動回路１
０１が設けられているが、プリチャージ回路２０１は、
データ線６ａの他方側に、各データ線６ａ毎に備えてい
る。プリチャージ回路２０１のソース電極またはドレイ
ン電極はプリチャージ信号線２０４に接続されている。
プリチャージ回路２０１のゲート電極はプリチャージ回
路駆動信号線２０６に接続されている。各データ線６ａ
への画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの供給に先行して、
プリチャージ回路駆動信号ＮＲＧの供給に応じて、プリ
チャージ信号線２０４から供給されるプリチャージ信号
ＮＲＳ、好ましくは中間階調レベルのプリチャージ信号
ＮＲＳが各データ線６ａに供給される。

【００９９】プリチャージ信号線２０４には、配線イン
ピータンスを低くして、書き込み能力を駆動するため
に、データ線駆動回路１０１の負電源ＶＳＳＸから延設
された定電位線７１の間で付加容量７１を形成すると良
い。尚、この定電位線７１は、各画素に付加される蓄積
容量７０を形成するための容量線３ｂと共通の配線であ
っても構わない。また、定電位配線７１はデータ線駆動
回路１０１の電源だけでなく走査線駆動回路１０４の電
源等の定電位配線でも構わないし、対向電極電位配線２
４でも良い。このような構成を採れば、専用の実装端子
および供給配線を削減できるので、液晶装置１００の小
型化が実現できる。

【０１００】更に、液晶装置用基板１０上には対向基板
に対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための上下導通端
子１０７が設けられている。上下導通端子１０７へは、
外部制御回路から供給される対向電極電位ＬＣＣＯＭを
実装端子１０２および対向電極電位配線２４を介して供
給される。上下導通端子１０７は、図１３に示すように
何カ所かに設けても良い。この際、上下導通端子１０７
から延設された対向電極電位配線２４は、額縁５３が形
成された領域を走査線３ａを層間絶縁膜を介して重畳す
るように配設することにより、スペースの有効利用が図
れ、液晶装置１００の小型化が実現できる。また、シー
ル材を形成する領域には、対向電極電位配線２４を格子
状に形成するように第３引き出し配線４３を形成するよ
うにすると良い。

【０１０１】次に、図１３で示した第４実施形態の液晶
装置を更に詳細に説明する。図１４は、液晶装置用基板
１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２
０の側から見た平面図であり、図１４は、対向基板２０
を含めて示す図１３のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１０２】図１４および図１５において、液晶装置用
基板１０上は、画像表示領域を規定するための額縁５３
が設けられており、当該額縁５３領域の外側で対向基板
２０と液晶装置用基板１０を貼り合わせるためのシール
材５２の領域が設けられる。シール材５２の領域は、液
晶が流れ出ないように額縁５３領域の外側を囲むように
形成され、その一部に液晶を封入するための封入孔５４
が設けられている。この封入孔５４の近傍に液晶を真空
下で滴下し、大気開放することで、液晶を液晶装置１０
０内に封入する。液晶を封入して液晶層５０を形成した
後は、モールド材５５により封止孔５４を塞ぐ。また、
シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０
１及び実装端子１０２が液晶装置用基板１０の一辺に沿
って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一
辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａ
に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、
走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うま
でもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領
域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列の
データ線は画像表示領域の一方の辺に沿って配設された
データ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデー
タ線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設され
たデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにして
もよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するよう
にすれば、データ線駆動回路１０１の占有面積を拡張す
ることができるため、複雑な回路を構成することが可能
となる。更に液晶装置用基板１０の残る一辺には、画像
表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間を
つなぐための複数の接続配線１０５が設けられており、
更に、額縁５３の下にサンプリング回路３０１およびプ
リチャージ回路２０１が設けられている。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、液
晶装置用基板１０と対向基板２０との間で電気的導通を
とるための上下導通端子１０７および上下導通材１０６
が設けられている。そして、図１５に示すように、図１
４に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板
２０が当該シール材５２により液晶装置用基板１０に固
着されている。

【０１０３】次に、図１４のＦで囲った領域およびＧで
囲った領域を各々拡大して、更に詳細に説明する。

【０１０４】図１６に示すように、Ｆを拡大した領域
は、データ線駆動回路１０１から出力されるサンプリン
グ回路駆動信号線３０６および画像信号線３０４からサ
ンプリング回路３０１までを中継接続するための中継配
線３０５は、シール材５２が塗布されたシール領域にお
いて、本発明の第１実施例を用いた第１引き出し配線４
１を用いている。すなわち、走査線３ａと同一工程で形
成される第１導電膜３ｃと、データ線６ａと同一工程で
形成される第２導電膜６ｂをコンタクトホール５ｂで接
続することにより、２重配線を形成する。これにより、
シール材５２に含有されたギャップ材によって、第１引
き出し配線４１が断線する確率が大幅に低減する。また
この際、シール領域において、サンプリング回路駆動信
号線３０６と中継配線３０５に電気的に接続される第１
引き出し配線４１は、その配線幅と隣接する配線間の距
離が、ほぼ１対１になるように形成し、均一で精度の高
いギャップ制御とシール材５２を硬化させるための光透
過領域形成を同時に達成できるようにする。更に、容量
線３ｂに定電位を供給するための定電位配線７１をサン
プリング回路駆動信号線３０６および中継配線３０５に
隣接して設けても良い。この場合も、シール領域におけ
る配線は、第１引き出し配線と同様な構成で形成すると
良い。

【０１０５】同様に、走査線駆動回路１０４から画像表
示領域に延設される走査線３ｂも、シール領域では、第
１導電膜３ｃおよび第２導電膜６ｂからなる第２引き出
し配線４２を適用すると良い。また、上下導通端子１０
７から延設された対向電極電位配線２４やプリチャージ
回路駆動信号線２０６がシール領域を通過する場合も第
２引き出し配線４２を用いるようにする。この場合、走
査線３ａとその他の配線が少なくともシール領域を通過
する部分においては、配線幅および隣接する配線間の距
離をほぼ１対１になるようにすると良い。

【０１０６】このように、データ線６ａの一方側に形成
されたデータ線駆動回路１０１からの第１引き出し配線
４１と、走査線３ａの一方側に形成された走査駆動回路
１０４からの第２引き出し配線４２が形成することによ
り、液晶装置用基板１００のシール材５２が形成される
領域の高さが全体に均一となり、安定したギャップを提
供することができ、また均一にシール材５２を硬化させ
ることができる。

【０１０７】更に、額縁５３領域には、サンプリング回
路３０１や、定電位配線７１、対向電極電位配線２４、
プリチャージ回路駆動信号線２０６等の各種配線を設け
ることにより、従来デッドスペースだった領域の有効利
用を図ることが可能となり、小型の液晶装置を実現する
ことができる。また、画像表示領域を形成する画素３０
０の周囲には、ダミー画素３００’を設けても良い。こ
れにより、画像表示領域外周において、液晶が電界によ
って不安定な挙動を示す領域を取り除き、コントラスト
比の高い液晶装置を提供することができる。

【０１０８】次に、図１７に示すようにＧを拡大した領
域は、対向電極電位配線２４が画像表示領域を囲うよう
に配線され、シール領域において短冊状に第３引き出し
配線４３を形成する。このように、短冊状に配線を形成
することにより、対向電極電位配線を低抵抗化し、且つ
ギャップ制御とシール材５２の硬化を実現することがで
きる。第３引き出し配線４３は、第１実施形態で説明し
た第１引き出し配線４１と構造および形成工程はほぼ同
様である。すなわち、第３引き出し配線４３は、走査線
３ａと同一工程で形成される第１導電膜３ｃおよびデー
タ線６ａと同一工程で形成される第２導電膜６ｂから成
り、コンタクトホール５ｂで接続することにより、２重
配線を形成する。この際、第３引き出し配線４３は、隣
接する配線間の幅広部で接続して格子状にすることによ
り、更に低抵抗化することができる。

【０１０９】また、第３引き出し配線４３は、その配線
幅および隣接する配線間の距離をほぼ１対１になるよう
にすると良い。更に図１６で示した、第１引き出し配線
４１と配線幅および配線間の距離をほぼ同一に形成すれ
ば、ギャップ制御が更に安定化する利点がある。

【０１１０】更に、額縁５３領域には、プリチャージ回
路２０１や、定電位配線７１、対向電極電位配線２４、
プリチャージ信号線２０４等の各種配線を設けることに
より、従来デッドスペースだった領域の有効利用を図る
ことが可能となり、小型の液晶装置を実現することがで
きる。また、定電位配線７１を対向電極とし、プリチャ
ージ信号線２０４との間で付加容量２０５を形成するこ
とにより、プリチャージ信号線のインピータンスを低減
し、プリチャージ信号を書き込む際の駆動能力を大幅に
高めることができる。

【０１１１】また、第４実施形態における液晶装置１０
０の液晶装置用基板１０上には更に、製造途中や出荷時
の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回
路等を形成してもよい。

【０１１２】以上、本発明の第１から第４実施形態で説
明した液晶装置１００は、少なくともシール領域におい
ては、第１導電膜３ｃおよび第２導電膜６ｂから成る引
き出し配線を有しているため、均一で精度の高いギャッ
プ制御が実現できる。また、第１引き出し配線４１、第
２引き出し配線４２、第３引き出し配線４３のうち少な
くとも一方は配線幅を広げた幅広部を有するように構成
する。これにより、シール材による液晶の汚染を防止す
ることができる。

【０１１３】更に、対向基板２０の投射光が入射する側
及び液晶装置用基板１０の出射光が出射する側には各
々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、 ＳＴ
Ｎ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴ
Ｎ）モード、ＶＡ（VerticalAligned）、ＰＤＬＣ（Pol
ymer Dispersed Liqued Crystal）等の動作モード
や、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモ
ードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏
光板などが所定の方向および位置に配置される。

【０１１４】尚、上述の実施の形態は、画素のスイッチ
ング素子として薄膜トランジスタを用いた構成について
説明したが、本発明はこのような構成に限るものではな
い。例えば、単純マトリックス型の液晶装置、あるいは
薄膜トランジスタ以外のスイッチング素子を有する電気
光学装置において、画像表示領域から基板の周辺に引き
出された引き出し配線上にシール材が形成される構成に
おいて、引き出し配線に幅広部を設けることにより、シ
ール材の流出を防止することができる。また、引き出し
配線は、少なくとも第１及び第２の導電膜との２層構造
とし、周囲よりも高くなるように構成すれば、ギャップ
制御のために効果的である。

【０１１５】また、本発明は液晶ではなく有機ＥＬ（El
ectric Luminescence）ディスプレイやプラズマディス
プレイ等の自発光材料等の電気光学物質を用いた電気光
学装置にも適用できることは言うまでもない。

【０１１６】（電子機器）次に、以上詳細に説明した本
実施形態における液晶装置を備えた電子機器の実施の形
態について図１８から図２０を参照して説明する。

【０１１７】先ず図１８に、本実施形態の液晶装置を備
えた電子機器の概略構成を示す。

【０１１８】図１８において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１
００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並
びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情
報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、Ｒ
ＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などの
メモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路１００８からのクロック信号ＣＬ
に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情
報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処
理回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回路、
ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等
の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロッ
ク信号ＣＬに基づいて入力された表示情報からデジタル
信号を順次生成し、クロック信号ＣＬと共に駆動回路１
００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１０
０を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所
定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成する液晶
装置用基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよ
く、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載して
もよい。

【０１１９】次に図１９および図２０に、このように構
成された電子機器の具体例を夫々示す。

【０１２０】図１９において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４が
液晶装置用基板上に搭載された液晶装置１００を含む液
晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバル
ブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジ
ェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１０
０では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユ
ニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラ
ー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８に
よって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに
分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１０
０Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、
長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２
２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４から
なるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そし
て、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによ
り夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロ
イックプリズム１１１２により再度合成された後、投射
レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画
像として投射される。

【０１２１】本実施形態では特に、液晶装置用基板と対
向基板が、シール材にて確実に硬化されているため、液
晶プロジェクタのような強い光源を用いる電子機器であ
っても、シール材が液晶層に溶け出す心配がない。これ
により、液晶層が汚染されることにより生じるムラ等の
表示品位の劣化を防ぐことができる。

【０１２２】また、３枚のライトバルブ１００Ｒ、１０
０Ｇ、１００Ｂを構成する各々の液晶装置の明視方向を
合わせることにより、色ムラの発生やコントラスト比の
低下を抑制することができる。そこで液晶としてＴＮ液
晶を用いる場合には、ライトバルブ１００Ｇのみ他のラ
イトバルブ１００Ｒ及び１００Ｂと液晶の明視方向が画
像表示領域に対して左右反転にする必要がある。ここ
で、本実施形態の液晶装置を備えたライトバルブを用い
れば、ＴＮ液晶が右回りであっても、左回りであっても
画素の開口形状が左右でほぼ同じになるため、液晶のデ
ィスクリネーションが発生したとしても、同じように認
識される。これにより、液晶の回転方向が違うライトバ
ルブ１００Ｇと１００Ｒ及び１００Ｂをプリズム等によ
り合成した際に、表示画像で色ムラやコントラスト比の
低下を招くことがないため、高品位な液晶プロジェクタ
を実現できる。

【０１２３】図２０において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のノート型のパーソナルコンピュータ
（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００がトップ
カバーケース内に備えられており、更にＣＰＵ、メモ
リ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組
み込まれた本体１２０４を備えている。

【０１２４】以上図１９および図２０を参照して説明し
た電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型
又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲ
ーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エ
ンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯
電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた
装置等などが図１８に示した電子機器の例として挙げら
れる。

【０１２５】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、比較的簡単な構成を用いることにより、画素が微細
化しても工程歩留まりや画素開口率の低下を招かない液
晶装置及び当該液晶装置を備えた各種の電子機器を実現
できる。

【０１２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る液晶
装置では、液晶装置用基板のシール材に対向する領域に
配置される配線が、配線幅を広げた幅広部を有する。従
って、この配線の上に塗布された未硬化のシール材は、
たとえば画素領域の側に流出しようとしても幅広部で所
定の位置でせき止められる。それ故、シール材の形成領
域を所定の範囲内に設定することができ、シール材の流
出に起因する表示品位の低下や信頼性の低下は発生しな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の液晶装置の構成を示す
ブロック図である。

【図２】本実施形態の隣接した画素群の平面図である。

【図３】図２のＣ−Ｃ’の断面図である。

【図４】図１のＡで示す領域の拡大図である。

【図５】図４のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。

【図６】図４のＥ−Ｅ’線に沿った断面図である。

【図７】図１のＢで示す領域の拡大図である。

【図８】本実施形態の製造方法を示す工程断面図であ
る。

【図９】図８に続いて行う工程を示す工程断面図であ
る。

【図１０】図９に続いて行う工程を示す工程断面図であ
る。

【図１１】第２実施形態の各引き出し配線を示した拡大
図である。

【図１２】第３実施形態の各引き出し配線を示した拡大
図である。

【図１３】本発明の第４実施形態の液晶装置の構成を示
すブロック図である。

【図１４】本発明の第４実施形態の液晶装置を示す平面
図である。

【図１５】図１４のＨ−Ｈ’線に沿った断面図である。

【図１６】図１４のＦで示す領域の拡大図である。

【図１７】図１４のＧで示す領域の拡大図である。

【図１８】本発明による電子機器の実施形態の概略構成
を示すブロック図である。

【図１９】電子機器の一例としての投射型プロジェクタ
を示す断面図である。

【図２０】電子機器の他の例としてのパーソナルコンピ
ュータを示す正面図である。

【符号の説明】

１ … 半導体膜 １ａ… 半導体層 １ａ’… チャネル領域 １ｂ … 低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域） １ｃ … 低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領
域） １ｄ … 高濃度ソース領域 １ｅ … 高濃度ドレイン領域 ２ … ゲート絶縁膜 ３ … ポリシリコン膜 ３ａ … 走査線（ゲート電極） ３ｂ … 容量線 ３ｃ … 第１導電膜 ４ … 第１層間絶縁膜 ５ａ … コンタクトホール ５ｂ … コンタクトホール ６ … アルミニウム膜 ６ａ … 第２導電膜 ７ … 第２層間絶縁膜 ８ … コンタクトホール ９ … ＩＴＯ膜 ９ａ … 画素電極 ９ａ’… 画素電極端 １０ … 液晶装置用基板 １０’… 液晶装置用基板端 １６ … 配向膜 ２０ … 対向基板 ２０’… 対向基板端 ２１ … 対向電極 ２２ … 配向膜 ２３ … 遮光膜 ２４ … 対向電極電位配線 ３０ … 画素スイッチング用ＴＦＴ ４１ … 第１引き出し配線 ４２ … 第２引き出し配線 ４３ … 第３引き出し配線 ４４ … 指標 ４５、４５’、４６ … 幅広部 ５０ … 液晶層 ５２ … シール材 ５３ … 額縁 ５４ … 封入孔 ５５ … モールド材 ５６ … ギャップ材 ７０ … 蓄積容量 ７１ … 定電位線 ８０ … 低濃度イオン ８１ … 高濃度イオン ８２ … レジストマスク １００ … 液晶装置 １０１ … データ線駆動回路 １０２ … 実装端子 １０３ … 検査端子 １０４ … 走査線駆動回路 １０５ … 接続配線 １０６ … 上下導通材 １０７ … 上下導通端子 ２０１ … プリチャージ回路 ２０４ … プリチャージ信号線 ２０５ … 付加容量 ２０６ … プリチャージ回路駆動信号線 ３００ … 画素 ３００’… ダミー画素 ３０１ … サンプリング回路 ３０４ … 画像信号線 ３０５ … 中継配線 ３０６ … サンプリング回路駆動信号線

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA04 HA01 HA06 HA08 HA14 HA23 JA05 MA01 2H092 GA29 GA32 HA04 HA14 JA25 JA26 KB25 NA01 NA12 NA15 PA01 PA04 PA06 PA09 QA07 5C094 AA06 AA36 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 DA07 DB02 FB20

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板はシール材により互いに接着
   され、前記一対の基板間にはマトリクス状に形成された
   複数の画素からなる画素領域を有する電気光学装置であ
   って、 前記一対の基板の一方の基板上には、前記一対の基板間
   に形成された前記画素領域から延設されてシール材に対
   向配置された複数の引き出し配線を具備し、 前記引き出し配線は、配線幅を広げた幅広部を有するこ
   とを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記シール材は光硬化性樹脂であること
   を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記幅広部は、前記引き出し配線に複数
   形成されていることを特徴とする請求項１または２に記
   載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記幅広部は、前記引き出し配線の延設
   方向に対して等間隔に形成されていることを特徴とする
   請求項３に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記複数の幅広部のうち少なくとも１つ
   の近傍には指標が付されていることを特徴とする請求項
   ３または４に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 一対の基板間に電気光学物質が封入され
   てなり、前記一対の基板はシール材により相互に接着さ
   れてなる電気光学装置であって、 前記一対の基板の一方の基板上には、互いに交差する複
   数のデータ線と複数の走査線と、前記シール材に対向す
   る領域に前記複数のデータ線と複数の走査線の少なくと
   も一方に接続される複数の引き出し配線とが配置されて
   なり、前記引き出し配線は配線幅を広げた幅広部を有す
   ることを特徴とする電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記引き出し配線は、第１導電膜と、第
   １層間絶縁膜を介して前記第１導電膜に重なるように形
   成された第２導電膜とからなり、 前記第１導電膜と前記第２導電膜のうちの少なくとも一
   方が前記幅広部を有することを特徴とする請求項６に記
   載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記第１導電膜と前記第２導電膜は第１
   層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続
   されてなることを特徴とする請求項７に記載の電気光学
   装置。
9. 【請求項９】 前記コンタクトホールは、平面的にみて
   前記幅広部に重なるように形成されてなることを特徴と
   する請求項７に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記複数の引き出し配線は、配線幅と
    配線間隔とがほぼ等しいことを特徴とする請求項７乃至
    ８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記第１導電膜と、前記第２導電膜
    と、前記第１及び第２導電膜の間に形成された前記第１
    層間絶縁膜とにより容量が形成されてなることを特徴と
    する請求項７または１０に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 一対の基板間に電気光学物質が封入さ
    れてなり、前記一つの基板はシール材により接着されて
    なる電気光学装置であって、 前記一対の基板の一方の基板上には、画像信号が供給さ
    れる複数のデータ線と、走査信号が供給される複数の走
    査線と、前記各データ線及び前記各走査線に接続された
    スイッチング手段と、前記スイッチング手段に接続され
    た画素電極とからなる画素領域と、前記画素領域の周辺
    にあって、前記画像信号をサンプリングして前記データ
    線に供給するサンプリング回路と、前記サンプリング回
    路に制御信号を供給するためのデータ線駆動回路とを具
    備し、 前記一方の基板上の前記シール材に対向する領域には、
    前記サンプリング回路に制御信号を供給する第１の引き
    出し配線と、前記画像信号をサンプリング回路に供給す
    る第２の引き出し配線とが配置されてなり、前記第１の
    引き出し配線と第２の引き出し配線の少なくとも一方は
    配線幅を広げた幅広部を有することを特徴とする電気光
    学装置。
13. 【請求項１３】 前記第１及び第２引き出し配線の少な
    くとも一方は、前記データ線と同時に同一材料で形成さ
    れてなる第１導電膜と、前記走査線と同一工程で同一材
    料で形成されてなる第２導電膜とが積層されてなること
    を特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記第１導電膜と前記第２導電膜とは
    層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続
    されてなることを特徴とする請求項１３に記載の電気光
    学装置。
15. 【請求項１５】 前記コンタクトホールは、平面的にみ
    て前記幅広部に重なるように形成されてなることを特徴
    とする請求項１４に記載の電気光学装置。
16. 【請求項１６】 請求項１乃至１５のいずれかに記載の
    電気光学装置を用いた投射型表示装置であって、光源部
    と、該光源部から出射された光を前記電気光学装置で光
    変調した光を投射する投射手段とを有することを特徴と
    する投射型表示装置。